JP5709630B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
(特徴1)導入領域はヘテロ接合とゲート電極の間に設けられており、その材料の一例には、半導体膜、多結晶膜、絶縁膜が含まれる。例えば、導入領域の一例には、負イオンが導入されたゲート絶縁膜が含まれる。
(特徴2)保護膜形成工程では、ニッケル(Ni),クロム(Cr)及び窒化チタン(TiN)の群から選択される材料の保護膜を導入領域上に形成することが望ましい。ニッケル,クロム及び窒化チタンは、耐プラズマ性が高く、プラズマによるエッチング速度が小さい。そのため、保護膜の厚みを薄くすることができるので、負イオンを導入領域に多量に導入することができる。
(特徴3)へテロ接合は、窒化ガリウム(GaN)を材料とする第1半導体層と、窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1−xN)を材料とする第2半導体層によって構成されている。窒化アルミニウムガリウムに含まれるアルミニウム(Al)のモル割合は、15〜25%(AlxGa1−xN,15≦x≦25)に調整されている。
図1に示すように、半導体装置100は、半導体層16と、ドレイン電極2と、ソース電極10と、ゲート部5を備えている。半導体層16は、第1半導体層14と第2半導体層18を有している。第1半導体層14の一例には、窒化ガリウムを材料とするi型の半導体材料が用いられている。第2半導体層18の一例には、窒化アルミニウムガリウムを材料とするi型の半導体材料が用いられている。第2半導体層18では、アルミニウムのモル割合が15〜25%に調整されていることが望ましい。第1半導体層14と第2半導体層18によりへテロ接合12が構成されている。第1半導体層14の厚みはおよそ1〜5μmであり、第2半導体層18の厚みはおよそ10〜30nmであることが望ましい。
8:導入領域
12:ヘテロ接合
16:半導体層
30:保護膜
100:半導体装置
Claims (4)
- ヘテロ接合とゲート電極との間に負イオンが導入された導入領域が設けられている半導体装置の製造方法であって、
前記導入領域上に、前記ゲート電極の少なくとも一部である保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後に、前記導入領域を前記負イオンを含むプラズマに曝すプラズマ工程と、を備えており、
前記保護膜は、前記プラズマに対するエッチング速度が前記導入領域よりも小さく、
前記保護膜は、前記負イオンを通過させることが可能な材料であり、
前記プラズマ工程は、前記保護膜が残存しているうちに終了する半導体装置の製造方法。 - 前記負イオンは、負電荷を帯びたハロゲンである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- ヘテロ接合とゲート電極との間に負イオンが導入されたゲート絶縁膜が設けられている半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後に、前記ゲート絶縁膜を前記負イオンを含むプラズマに曝すプラズマ工程と、を備えており、
前記保護膜は、前記プラズマに対するエッチング速度が前記ゲート絶縁膜よりも小さく、
前記保護膜は、前記負イオンを通過させることが可能な材料である半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜の材料が酸化膜である請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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