JP5678273B2 - Memory controller - Google Patents
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Description
本発明は、インターリーブアクセス手段と非インターリーブアクセス手段を備えたメモリコントローラに関するものである。 The present invention relates to a memory controller having interleave access means and non-interleave access means.
デジタルスチルカメラを始めとする電子機器では、機能向上のために、搭載するメモリの容量や個数が増加し、駆動周波数も高まっている。このため、電子機器の消費電力のうち、メモリが消費する電力の割合が高くなっている。 In an electronic device such as a digital still camera, the capacity and number of memories to be mounted are increased and the driving frequency is also increased in order to improve functions. For this reason, the ratio of the power consumed by the memory is high in the power consumption of the electronic device.
また、民生向け電子機器においても、メモリを複数の用途で共用するユニファイドメモリシステムの採用や複数のメモリを一つのメモリと見なしてアクセスするインターリーブアクセスの採用が進んでいる。 Also in consumer electronic devices, the adoption of a unified memory system in which a memory is shared for a plurality of uses and the adoption of an interleave access in which a plurality of memories are regarded as one memory are being advanced.
複数のメモリを搭載した撮像装置の消費電力削減技術が、特許文献1に開示されている。特許文献1に記載の技術では、インターリーブアクセス手段と非インターリーブアクセス手段を備えたメモリコントローラを用い、連写などで高速な画像処理が必要な時はインターリーブアクセス手段を用いて高速なメモリアクセスを実現し、それ以外の期間は1個だけのメモリを非インターリーブアクセスし、アクセスしないメモリは省電力モードにすることにより、全体としてDRAMの電流消費量を減らす事を意図している。
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、一個のメモリにアクセスが集中することがあり、必ずしも意図した高速なメモリアクセスが実現しない恐れがある。例えば前記特許文献1の図3において、8bの側のDRAMに割り当てられたYCデータと画像データと圧縮データとCPUワークが同時にアクセスされ、アクセス競合による処理遅れが発生する場合がある。
However, in the technique described in
また、インターリーブアクセス手段と非インターリーブアクセス手段を領域境界アドレスより上か下かで選択し、圧縮データ非インターリーブアクセス、YCデータはインターリーブアクセスと決めているため、YCデータに割り当てる領域が不足した時に領域境界アドレスより下に空き領域があっても、少なくとも一方のDRAMが領域境界アドレスまで使用されていればYCデータを割り当てることは出来ない。 Also, since the interleave access means and the non-interleave access means are selected above or below the area boundary address, and the compressed data non-interleave access and YC data are determined to be interleave access, the area when the area allocated to the YC data is insufficient Even if there is an empty area below the boundary address, YC data cannot be allocated if at least one DRAM is used up to the area boundary address.
本発明は前記課題を解決し、高速なメモリアクセスと省電力制御を実現するメモリコントローラを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a memory controller that realizes high-speed memory access and power saving control.
上記課題を解決するために、本発明のメモリコントローラは、少なくとも一つのメモリ素子からなるメモリバンクを複数個管理するメモリコントローラであって、シーケンシャルアクセス要求に応じて単一のメモリバンクをアクセスするノンインターリーブアクセス手段と、シーケンシャルアクセス要求に応じて複数のメモリバンクを交互にアクセスするインターリーブアクセス手段と、ページ単位で記憶領域を割り当てる記憶管理手段を有し、記憶管理手段はページ毎にノンインターリーブアクセス手段とインターリーブアクセス手段を選択することを特徴とする。 In order to solve the above problems, a memory controller according to the present invention is a memory controller that manages a plurality of memory banks composed of at least one memory element, and that accesses a single memory bank in response to a sequential access request. Interleave access means, interleave access means for alternately accessing a plurality of memory banks in response to sequential access requests, and storage management means for allocating storage areas in units of pages, the storage management means being non-interleave access means for each page And interleave access means are selected.
また、前記メモリコントローラはアクセス量を計数するアクセス量監視手段を有し、アクセス量が閾値より大である時には、ページを割り当てる際にインターリーブアクセス手段を選択し、アクセス量が閾値より小である時には、ページを割り当てる際にノンインターリーブアクセス手段を選択するアクセス選択手段を有することを特徴としてもよい。 The memory controller includes an access amount monitoring unit that counts an access amount. When the access amount is larger than a threshold, when the page is allocated, an interleave access unit is selected, and when the access amount is smaller than the threshold. Further, it may be characterized by having access selection means for selecting non-interleaved access means when allocating pages.
また、インターリーブアクセス手段を選択してページを割り当てる際のページの容量は、ノンインターリーブアクセス手段を選択してページを割り当てる際のページの容量の整数倍であることを特徴としてもよい。 Further, the page capacity when the interleave access means is selected and the page is allocated may be an integral multiple of the page capacity when the non-interleave access means is selected and the page is allocated.
また、前記メモリコントローラはアクセスしてきたプロセスを識別するプロセス識別手段を有し、インターリーブアクセス手段またはノンインターリーブアクセス手段の一方をプロセスに応じて選択する手段、または前記閾値をプロセスに応じて変更する手段を有することを特徴としてもよい。 The memory controller has a process identification means for identifying the accessing process, and means for selecting one of the interleave access means and the non-interleave access means according to the process, or means for changing the threshold according to the process It is good also as having.
また、前記メモリコントローラはバンク毎のアクセス量を計数するアクセス量監視手段を有し、前記記憶管理手段はノンインターリーブアクセスを指定するページを割り当てる際に、よりアクセス量の少ないメモリバンクに割り当てるアクセス量平均化手段を有することを特徴としてもよい。 The memory controller includes an access amount monitoring unit that counts an access amount for each bank, and the storage management unit allocates an access amount assigned to a memory bank with a smaller access amount when assigning a page designating non-interleaved access. It may be characterized by having an averaging means.
また、前記記憶管理手段は個々のメモリバンクに割り当てられたページ数を計数するページ数管理手段を有し、前記記憶管理手段はノンインターリーブアクセスを指定するページを割り当てる際に、より割り当て済みページ数の少ないメモリバンクに割り当てるページ数平均化手段を有することを特徴としてもよい。 Further, the storage management means has a page number management means for counting the number of pages assigned to each memory bank, and the storage management means is more allocated pages when assigning pages specifying non-interleaved access. It may be characterized by having means for averaging the number of pages allocated to a memory bank with a small amount of memory.
また、前記記憶管理手段はメモリに割り当てられたページ数の総量を計数するページ数管理手段を有し、前記ページ数の総量が閾値より大である時には、ページを割り当てる際にインターリーブアクセス手段を選択し、前記ページ数の総量が閾値より小である時には、ページを割り当てる際にノンインターリーブアクセス手段を選択するアクセス選択手段を有することを特徴としてもよい。 Further, the storage management means has a page number management means for counting the total number of pages allocated to the memory, and when the total number of pages is larger than a threshold value, the interleave access means is selected when allocating pages. In addition, when the total number of pages is smaller than a threshold value, an access selection unit that selects a non-interleaved access unit when allocating a page may be provided.
また、前記記憶管理手段はノンインターリーブアクセスを指定するページを割り当てる際に、特定のメモリバンクに割り当てる集中化手段を有することを特徴としてもよい。 The storage management means may have a centralizing means for assigning to a specific memory bank when assigning a page designating non-interleaved access.
また、前記記憶管理手段は個々のメモリバンクに割り当てられたページ数を計数するページ数管理手段を有し、前記記憶管理手段は割り当てられたページ数がゼロであるメモリバンクに対して、省電力制御を行うことを特徴としてもよい。 Further, the storage management means has a page number management means for counting the number of pages assigned to each memory bank, and the storage management means saves power for a memory bank in which the number of assigned pages is zero. Control may be performed.
以上のように、本発明によれば、メモリバンク間でメモリ使用量の平均化およびアクセス量の平均化を行うので、特定のメモリバンクにアクセスやメモリ使用が集中してアクセス遅れやメモリ利用の無駄が生じるのを防ぐことが出来る。またアクセス量が少ない時は特定のメモリバンクにメモリ使用を集中させて、残りのメモリを省電力状態にすることができる。 As described above, according to the present invention, the memory usage is averaged between the memory banks and the access is averaged. Therefore, access and memory usage are concentrated in a specific memory bank, and access delay and memory usage are reduced. It is possible to prevent waste. When the access amount is small, the memory use can be concentrated on a specific memory bank, and the remaining memory can be put into a power saving state.
(実施の形態1)
(1.構成)
以下、図1乃至図5を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。図1は、本発明によるメモリコントローラを用いたデジタルスチルカメラの構成を示すブロック図である。
(Embodiment 1)
(1. Configuration)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a digital still camera using a memory controller according to the present invention.
図1において、1は撮像回路、2はYC処理回路、3は圧縮処理回路、4は記録回路、5はCPU、6はインターフェース回路、7aはインターリーブアクセス手段、7bは非インターリーブアクセス手段、8は第一のDRAM、9は第二のDRAM、10はメモリコントローラ、11は電源回路、12は撮影した画像の圧縮データを保存するメモリカード、13は記憶管理手段、21は画像を表示するモニタ、20はモニタ21に画像を表示させるための表示回路である。
In FIG. 1, 1 is an imaging circuit, 2 is a YC processing circuit, 3 is a compression processing circuit, 4 is a recording circuit, 5 is a CPU, 6 is an interface circuit, 7a is interleave access means, 7b is non-interleave access means, and 8 is A first DRAM, 9 a second DRAM, 10 a memory controller, 11 a power supply circuit, 12 a memory card for storing compressed data of captured images, 13 a storage management means, 21 a monitor for displaying images,
図1に示すように、本実施例のメモリコントローラ10はインターフェース回路6とインターリーブアクセス手段7aと非インターリーブアクセス手段7bからなる。図1の1乃至5の回路は各々、DRAM8とDRAM9にアクセスする機能を備えており、二つのDRAMへのアクセスは全てメモリコントローラ10を経由して行われる。
As shown in FIG. 1, the
(2.動作)
(2.1 デジタルスチルカメラの動作)
以下、図1を用いてデジタルスチルカメラとしての動作を簡単に説明する。撮像回路1はCCDなどの光電変換素子を備えており、入射光の像を画像データに変換する。撮像回路1が出力する画像データはメモリコントローラ10経由でDRAM8またはDRAM9に記憶される。
(2. Operation)
(2.1 Digital still camera operation)
Hereinafter, the operation as a digital still camera will be briefly described with reference to FIG. The
YC処理回路2はメモリコントローラ10経由でDRAM8またはDRAM9から画像データを読み出して圧縮に適したYCデータに変換し、再びメモリコントローラ10経由でDRAM8またはDRAM9に書き戻す。
The
圧縮処理回路3はメモリコントローラ10経由でDRAM8またはDRAM9からYCデータを読み出して圧縮変換を施し、生成した圧縮データを再びメモリコントローラ10経由でDRAM8またはDRAM9に書き戻す。
The
記録回路4はメモリコントローラ10経由でDRAM8またはDRAM9から圧縮データを読み出して、自身に装着されたメモリカード12に保存する。
The
CPU5は図1の1乃至4の回路を制御する(制御線は図示せず)とともに、メモリコントローラ10経由でDRAM8またはDRAM9にアクセスし、圧縮データのヘッダ部の操作などを行う。
The
図1の1乃至4の回路はCPU5と独立に動作することが可能であり、特に撮像回路1とYC処理回路2と圧縮処理回路3はCPU5の介在なしに一つの画像データの処理を実行できる。
The
メモリコントローラ10のインターフェース回路6は、図1の1乃至5の回路のメモリアクセス要求に対して、インターフェース回路6に入力された論理アドレスをDRAM8およびDRAM9に与える物理アドレスに変換する。
The
メモリコントローラ10は複数のメモリアクセス要求を調停しつつ受付可能なメモリコントローラであって、図1の1乃至5の回路は独立かつ並列にDRAM8とDRAM9にアクセスできる。
The
電源回路11はデジタルスチルカメラの各回路に電流を供給する回路であり、特にDRAM8とDRAM9に供給する電流を他の回路とは独立にオンオフできる。
The
(2.2 インターフェース回路の機能)
図1を用いてメモリコントローラ10の機能を説明する。本実施例のメモリコントローラ10はインターリーブアクセス手段7aと非インターリーブアクセス手段7bを備えており、DRAM8とDRAM9を制御するとともに、データ幅を変換することができる。本実施例のDRAM8とDRAM9はデータ幅が2バイトであり、一つの論理アドレスに2バイトのデータが割り当てられる。図1の1乃至5の回路は1回のアクセスで一つのアドレスを出力し、メモリコントローラ10に1アドレス分の2バイトのデータアクセスを要求する。これに応じてメモリコントローラ10は、1回のアクセス要求に対して、DRAM8またはDRAM9の一方に、1アドレス分の2バイトのデータアクセスを実行する。
(2.2 Function of interface circuit)
The function of the
論理アドレスから物理アドレスへの変換は、インターフェース回路6によって実施される。記憶管理手段13は、図1の1乃至5の回路が出力する論理アドレスを物理アドレスに変換すると同時に、インターリーブアクセス手段7aと非インターリーブアクセス手段7bのどちらを用いるか、インターリーブアクセス時にどちらのDRAMにアクセスするかを指示する。
The conversion from the logical address to the physical address is performed by the
例えば、撮像回路1がアクセスしたアドレスについてインターリーブアクセス手段7aが選択されていると、撮像回路1によるシーケンシャルなアクセスに対してDRAM8とDRAM9に交互にアクセスが行われる。逆に、非インターリーブアクセス手段7bが選択されていると、DRAM8とDRAM9のうち記憶管理手段13が指定する側のDRAMに対して連続してアクセスが行われる。
For example, when the interleave access means 7a is selected for the address accessed by the
記憶管理手段13が行うアドレス変換は、ページと呼ばれる一定の容量と一連のアドレスを持つ領域を単位として、論理アドレスから物理アドレスに変換するものであり、1から5の回路が出力する論理アドレスがばらばらであっても、アドレス変換で一連の連続した物理アドレス領域を割り当てることにより、メモリ領域を無駄なく利用することが出来る。記憶管理手段13はアドレス変換のために変換表14を備えており、前記の論理アドレスと物理アドレスの対応、DRAMの選択、およびインターリーブアクセス手段7aと非インターリーブアクセス手段7bの選択は全て変換表14に記憶される。
The address conversion performed by the storage management means 13 is a conversion from a logical address to a physical address in units of an area having a certain capacity called a page and a series of addresses. The logical addresses output by the
また、図示を略するが、記憶管理手段13はDRAM8とDRAM9の各々に割り当てたページの数を独立に計数するカウンタを備えており、DRAM8とに割り当てたページ数と、DRAM9とに割り当てたページ数の合計から、割り当てられたページの総数を得ることが出来る。
Although not shown, the
また、本実施例のメモリコントローラ10はカウンタ15を備えており、カウンタ15はDRAM8とDRAM9に対するアクセス回数を計数する。より具体的には、図示は略するが、カウンタ15はDRAM8のアクセスカウンタとDRAM9のアクセスカウンタからなっており、インターリーブアクセス手段7aと非インターリーブアクセス手段7bはDRAM8とDRAM9にアクセスするごとに、対応するアクセスカウンタにカウントアップパルスを送り、カウンタ15では各々のアクセスカウンタが前記カウントアップパルスに応じてアクセス回数をカウントする。
Further, the
次に、図2を用いてインターフェース回路6の機能を説明する。図2は、インターフェース回路6のアドレス変換機能を説明するメモリマップである。図2(a)は論理アドレス空間のメモリマップ、図2(b)は物理アドレス空間のメモリマップでありDRAM8の物理アドレス空間のメモリマップ8bとDRAM9の物理アドレス空間のメモリマップ9bを含む。論理アドレスとは図1の1乃至5の回路が出力するアドレスであり、物理アドレスとはインターフェース回路6がDRAM8とDRAM9に与えるアドレスである。各メモリマップの横幅は、データ幅を示している。図2(c)は論理アドレスを物理アドレスに変換する変換表である。
Next, the function of the
物理アドレスを論理アドレスに割り当てる際の、メモリ領域の1単位を1ページと呼ぶ。1ページ当たりの容量は通常、数キロバイトから数メガバイトまで様々であるが、本実施例の説明では図示の都合から、非インターリーブアクセス時は4バイトを1ページ、非インターリーブアクセス時は8バイトを1ページとしている。 One unit of the memory area when assigning a physical address to a logical address is called one page. The capacity per page usually varies from several kilobytes to several megabytes. However, in the description of this embodiment, for convenience of illustration, 4 bytes are used for one page during non-interleaved access, and 8 bytes are used for non-interleaved access. It is a page.
図2(a)の左側に付記した数字は論理アドレスであり、一つの論理アドレスに2バイトのデータが対応する。図中の矩形領域は1バイトのデータを表しており、矩形領域中の数字はバイト単位で表したアドレスに対応する。 The numbers added on the left side of FIG. 2A are logical addresses, and 2-byte data corresponds to one logical address. The rectangular area in the figure represents 1-byte data, and the numbers in the rectangular area correspond to addresses expressed in bytes.
図2(b)はDRAM8の物理アドレス空間のメモリマップ8bとDRAM9の物理アドレス空間のメモリマップ9bからなり、図2(b)と図2(a)で同じ番号が記入された矩形領域は論理アドレス上の1バイトと、これに対応付けられた物理アドレス上の1バイトを意味する。例えば、論理アドレス上の最初のページは0番地と1番地の4バイトであり、物理アドレス上ではDRAM8の物理アドレス0番地と1番地に割り当てられている。このページのアクセスは非インターリーブアクセスが指定されており、論理アドレス0番地と1番地のデータ0、1、2、3をシーケンシャルにアクセスすると、同じDRAM8に連続してアクセスが行われ、2回のアクセスで4バイトにアクセスする。
2B includes a
図2(a)において、論理アドレス24番地から27番地までのデータ、48、49、50、51、52、53、54、55はインターリーブアクセスが指定されており、論理アドレス上でシーケンシャルにアクセスすると、図2(b)に示すようにDRAM8とDRAM9を交互にアクセスするインターリーブアクセスが行われる。このときDRAM8とDRAM9を同時にアクセスすると、2回のアクセスに要する時間で4バイトのアクセスが可能になり、非インターリーブアクセス時の2倍の速度が得られる。
In FIG. 2A, interleaved access is specified for
非インターリーブアクセスとインターリーブアクセスは状況に応じて使い分けることが出来る。例えば図2(a)において、論理アドレス20番地から23番地までのデータ、40、41、42、43、44、45、46、47は、前述の論理アドレス24番地から27番地までのデータ、48、49、50、51、52、53、54、55に続くデータであるが、非インターリーブアクセスを指定している。即ち、(a)の論理アドレス20番地から21番地までを1ページとして8bの物理アドレス4番地から5番地までに割り当て、(a)の論理アドレス22番地から23番地までを1ページとして8bの物理アドレス4番地から5番地までに割り当てるアドレス変換を行っている。このように、論理アドレス上で連続したデータであっても、ページ境界で非インターリーブアクセスからインターリーブアクセスに指定を変えたり、逆にインターリーブアクセスから非インターリーブアクセスに戻したりすることが可能である。
Non-interleaved access and interleaved access can be used properly according to the situation. For example, in FIG. 2A, data from
本実施例のアドレス変換では変換回路を簡単化するため、非インターリーブアクセス時の1ページの容量を非インターリーブアクセス時の2倍にしている。即ち、先の例で非インターリーブアクセスが指定されている(a)の論理アドレス20番地から21番地までの4バイトが1ページであるのに対し、インターリーブアクセスが指定されている(a)の論理アドレス24番地から27番地までは8バイトで1ページである。このようにすると、物理アドレス上で1ページが占めるアドレスの幅が必ず2番地となり、各々のページは必ず偶数番地から始まるものとして管理できる。
In the address conversion of this embodiment, in order to simplify the conversion circuit, the capacity of one page at the time of non-interleaved access is doubled at the time of non-interleaved access. In other words, the 4 bytes from the
図2(c)はアドレス変換のための変換表14であり、論理アドレスから物理アドレスへの変換を行う機能を有する。図2(c)の左側には対応する論理アドレスの先頭番地を付記している。図示の通り、論理アドレスの変換の単位の先頭番地は必ず偶数である。 FIG. 2C shows a conversion table 14 for address conversion, which has a function of converting a logical address to a physical address. The top address of the corresponding logical address is added to the left side of FIG. As shown in the figure, the start address of the logical address conversion unit is always an even number.
変換表14はアドレス変換の単位ごとに1ワードのメモリを持ち、各ワードは8c、9cと14cの三つのビットフィールドに分かれる。ビット8cが1であればDRAM8に割り当てる事を意味し、ビット9cが1であればDRAM9に割り当てる事を意味する。図2(c)の0番地のようにビット8cだけが1でビット9cが0であれば、DRAM8だけをアクセスする非インターリーブアクセスが指定されている。図2(c)の10番地のようにビット9cだけが1でビット8cが0であれば、DRAM9だけをアクセスする非インターリーブアクセスの指定である。
The conversion table 14 has a memory of one word for each unit of address conversion, and each word is divided into three
図2(c)の24番地目、26番地目のようにビット8cとビット9cの両方が1であれば、DRAM8とDRAM9を交互にアクセスするインターリーブアクセスが指定されている。また、図示は略するがビット8cとビット9cの両方が0であれば、論理アドレスに対して物理アドレスが割り当てられていない空きページであることを示す。
If both the
図2(c)において、14cのビットフィールドは論理アドレスに割り当てられた物理アドレスの先頭番地を記憶する。図2(c)の0番地から2番地のように非インターリーブアクセスが指定されているワードでは1ページの容量、即ち4バイトは物理アドレス上の2番地分の容量に当たるので、論理アドレス上で0番地から3番地までの8バイトのメモリは変換表では0番地と2番地の2ワードが割り当て情報を記憶する。
In FIG. 2C, the
前述のように、本実施例のアドレス変換では変換回路を簡単化するため、インターリーブアクセス時の1ページの容量を非インターリーブアクセス時の2倍にしているが、これは図2(c)の変換表の上では24番地目、26番地目のように二つのワードに連続して情報を記憶することを意味する。24番地目では二つのDRAMの6番地、26番地では二つのDRAMの7番地に割り当てることを指示しており、合わせて物理アドレス上の2番地分の容量を割り当てている。 As described above, in order to simplify the conversion circuit in the address conversion of the present embodiment, the capacity of one page at the time of interleave access is doubled at the time of non-interleave access. This is the conversion of FIG. On the table, it means that information is stored continuously in two words like the 24th address and the 26th address. The 24th address instructs allocation to the 6th address of the two DRAMs, and the 26th address allocates to the 7th address of the two DRAMs. In addition, the capacity corresponding to the 2nd address on the physical address is allocated.
本発明の記憶管理手段13はDRAMへの書き込み要求に同期して、自動的に物理アドレスを論理アドレスに割り当てる機能を有している。具体的には、例えば論理アドレス上の12番地から始まるページへの最初の書き込み要求があった時に、記憶管理手段13は変換表の12番地のワードに物理アドレスの情報を書き込む事により論理アドレスのページを物理アドレスのページに割り当て、以後に同一ページ内の13番地への書き込み要求があった時には、変換表の12番地のワードの情報を用いてアドレス変換を行う。
The storage management means 13 of the present invention has a function of automatically assigning a physical address to a logical address in synchronization with a write request to the DRAM. Specifically, for example, when there is an initial write request to a page starting from
このページ割り当ての操作には、記憶管理手段13と変換表14の構成にもよるが、一定の時間を要する。そのためページへの最初の書き込みではアクセスタイムが通常より長くなる。インターリーブアクセス時は1ページの容量を非インターリーブアクセス時の2倍なので、ページ割り当てが起きる頻度は半分になる。そのため一定量のデータを書く間にページ割り当てのために待たされる時間は、インターリーブアクセス時の方が非インターリーブアクセス時より短くなる。 This page allocation operation takes a certain time depending on the configuration of the storage management means 13 and the conversion table 14. Therefore, the access time becomes longer than usual in the first writing to the page. During interleaved access, the capacity of one page is twice that of non-interleaved access, so the frequency of page allocation is halved. Therefore, the time spent waiting for page allocation while writing a certain amount of data is shorter for interleaved access than for non-interleaved access.
図示は略すが、記憶管理手段13はDRAM8に割り当てたページ数とDRAM9に割り当てたページ数を、各々カウントする2本のカウンタを持っている。2本のカウンタはシステム起動時に0に初期化されており、記憶管理手段13は管理表14に物理アドレスの情報を書き込む毎に、対応するDRAMの側のカウンタをカウントアップする。
Although not shown, the storage management means 13 has two counters for counting the number of pages allocated to the
また、記憶管理手段13はメモリアクセスを監視し、処理の進行に応じて不要になったページの登録を削除する機能を備えており、管理表からページの登録を削除するごとに対応するDRAMの側のカウンタをカウントダウンする。SDRAMの容量は既知であるので、割り当てたページ数を差し引きすることにより、今後割り当て可能な空きページ数を、それぞれのDRAMについて求めることが出来る。また、記憶管理手段13は二つのカウンタの値を合計することにより割り当てられたページの総数を得ることができる。
In addition, the
割り当ての際に、記憶管理手段13は物理アドレスの空きがある領域のうち、最も若い番地を割り当てる。このようにすると、図2(b)のようにメモリが下詰めで利用されるので、メモリ容量の無駄が無くなる。 At the time of assignment, the storage management means 13 assigns the youngest address among the areas where the physical address is empty. In this way, since the memory is used in a bottom-up manner as shown in FIG. 2B, the memory capacity is not wasted.
以上のように本発明のメモリコントローラ10は、記憶管理手段13ないし変換表14を用いてインターリーブアクセスと非インターリーブアクセスを同時に混合して実行することが可能である。
As described above, the
次に図3を用いて、ページ割り当て時に行うインターリーブアクセスと非インターリーブアクセスを選択する基準について説明する。図3はインターリーブアクセスと非インターリーブアクセスのどちらを選択するか、非インターリーブアクセスの場合、どちらのDRAMにアクセスするか、を判断するためのフローチャートである。図3において、インターリーブはインターリーブアクセスの選択、AのみはDRAM8のみへの非インターリーブアクセスの選択、BのみはDRAM9のみへの非インターリーブアクセスの選択を表す。
Next, the criteria for selecting interleaved access and non-interleaved access at the time of page allocation will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart for determining which one of interleave access and non-interleave access is selected, and which DRAM is accessed in the case of non-interleave access. In FIG. 3, interleaving indicates selection of interleaved access, only A indicates selection of non-interleaved access only to
ページ割り当てを行う時は、先ずステップS101においてメモリの総使用量をチェックする。メモリの総使用量は前出の記憶管理手段13が持つDRAM8とDRAM9に割り当てたページ数のカウンタ値を合計したものである。ここで総使用量が閾値T1より小さい場合は、DRAM8のみへの非インターリーブアクセスを選択する。これはメモリ使用量が少ない時は、使用するメモリをDRAM8だけにして、DRAM9の電源を遮断できるようにするためである。
When page allocation is performed, first, in step S101, the total amount of memory used is checked. The total amount of memory used is the sum of the counter values of the number of pages assigned to the
ここで総使用量が閾値T1より大きいときはステップS102に進む。ステップS102では書き込まれたデータが高速な処理を必要とするか否かを判断する。インターフェース回路6はメモリアクセスする1乃至6の回路から個別にアクセス要求を受け付けるので、どの回路が出力したデータか判っている。これを利用して、データの種類に応じて閾値T1を変えることができる。
If the total usage is larger than the threshold value T1, the process proceeds to step S102. In step S102, it is determined whether the written data requires high speed processing. Since the
例えば、圧縮処理回路3が出力したデータであれば圧縮データであり、圧縮データは記録回路4が読み出して比較的低速なメモリカード12に書き込むため、高速なメモリアクセスを必要としない。そこで、ライトデータを出力した回路が圧縮処理回路3であれば閾値T1としてゼロを用いると、ステップS102においてNoの側に分岐し、インターリーブアクセスはしないようになる。逆に、撮像回路1またはYC処理回路2が出力したデータであれば、次に書き込まれたデータを読み出す回路はYC処理回路2または圧縮処理回路3であり、これらはデータ処理速度が速いので、インターリーブアクセスが選択できるようにした方がよい。そこで、ライトデータを出力した回路が撮像回路1またはYC処理回路2であれば閾値T1として上限値を用いると、必ずステップS102においてYesの側に分岐しインターリーブアクセスが可能になる。
For example, the data output from the
無論、このようなデータ毎の制御は任意であり、ライトデータを出力した回路によらず一定の閾値T1を用いてもよい。 Of course, such control for each data is arbitrary, and a constant threshold value T1 may be used regardless of the circuit that outputs the write data.
ステップS103とステップS104ではDRAM毎のメモリの空き状況をチェックする。インターリーブアクセスを選択するためには両方のDRAMに空きが必要である。ステップS103の条件文中、B空きはDRAM9に割り当て可能なページ数を示す。ステップS103においてDRAM9の空きが閾値T2よりも小さいときには、DRAM9にはページを割り当てられないと判断して、DRAM8のみへの非インターリーブアクセスを選択する。判定がNoの時にはステップS104に進み、DRAM8に割り当て可能なページ数をチェックする。ステップS103と同様に、DRAM8の空きが閾値T2よりも小さいときには、DRAM8にはページを割り当てられないと判断して、DRAM9のみへの非インターリーブアクセスを選択する。
In step S103 and step S104, the availability of memory for each DRAM is checked. In order to select interleaved access, both DRAMs need to be free. In the conditional statement in
両方のDRAMに空きがある場合はステップS104からステップS105に進み、アクセスの頻度をチェックする。ステップS105の条件文中、B頻度はカウンタ15で測定したDRAM9へのアクセス回数を単位時間で割った値である。アクセスが込み合っているSDRAにページを割り当てると更にアクセス量が増加し、競合によるアクセス時間の増大が進む恐れがあるので、込み合っていない側のSDRAMにページを割り当てるのである。ステップS105において、DRAM9へのアクセス頻度が閾値T3を上回っている場合はDRAM8のみへの非インターリーブアクセスを選択し、そうでなければステップS106に進む。
If both DRAMs are free, the process proceeds from step S104 to step S105, and the access frequency is checked. In the conditional statement in step S105, the B frequency is a value obtained by dividing the number of accesses to the
ステップS105の条件文中、A頻度はカウンタ15で測定したDRAM8へのアクセス回数を単位時間で割った値である。ステップS105と同様に、DRAM8へのアクセス頻度が閾値T3を上回っている場合はDRAM9のみへの非インターリーブアクセスを選択する。
In the conditional statement in step S105, the A frequency is a value obtained by dividing the number of accesses to the
ステップS106においてNoの場合は、DRAMの空き状況にもアクセスの込み具合にも問題は無いので、両方のDRAMへのインターリーブアクセスを選択する。 In the case of No in step S106, there is no problem in the availability of DRAM and the degree of access, so interleave access to both DRAMs is selected.
ステップS102においてNoの側に分岐した場合は、最終的な選択肢としてインターリーブアクセスはなく、DRAM8への非インターリーブアクセスまたはDRAMへの非インターリーブアクセスの一方を選択することになる。ステップS107からステップS108においては、ステップS103からステップS104と同様に、DRAM毎のメモリの空き状況をチェックする。
When branching to the No side in step S102, there is no interleave access as the final option, and either non-interleave access to
ステップS107においてDRAM9の空きが閾値T2よりも小さいときには、DRAM9にはページを割り当てられないと判断して、DRAM8のみへの非インターリーブアクセスを選択する。判定がNoの時にはステップS108に進み、DRAM8に割り当て可能なページ数をチェックする。DRAM8の空きが閾値T2よりも小さいときには、DRAM8にはページを割り当てられないと判断して、DRAM9のみへの非インターリーブアクセスを選択する。いずれにも当たらない場合はステップS109に進む。ステップS109ではDRAM8とDRAM9のアクセスの頻度を比較し、よりアクセスが少ないほうに非インターリーブアクセスするよう選択する。
When the empty space of the
以上のようにページ割り当てを選択することにより、メモリの総使用量が閾値T1未満である時にはDRAM8のみにページを割り当て、メモリの総使用量が閾値T1以上で高速なデータアクセスが求められる場合は、メモリの空き状況とアクセスの込み具合に問題
が無い限りは両方のDRAMへインターリーブアクセスするようページを割り当て、メモリの空き状況またはアクセスの込み具合に問題がある場合は空きがあって混んでいない側のDRAMにページを割り当て、高速なデータアクセスが必要ない場合はアクセスが混んでいない側のDRAMにページを割り当てるように働く。
By selecting page allocation as described above, when the total memory usage is less than the threshold T1, pages are allocated only to the
この動作により、メモリの総使用量が閾値T1以上の時は二つのメモリの使用量が平均化されるので、両方のDRAMにアクセスするインターリーブアクセスは良好に動作できる。また、メモリの総使用量が閾値T1を下回ると、DRAM8だけにページ割り当てするようになるので、処理の進行に応じて不要になったページの登録削除が進むと、DRAM9に割り当てられたページ数がゼロになる。そうなった時点からはDRAM9は有効なデータを記憶しておらず、メモリの内容を保持する必要は無くなるので、電源回路11はDRAM9への電流供給を遮断することが出来る。
With this operation, when the total memory usage is equal to or greater than the threshold value T1, the usage of the two memories is averaged, so that interleaved access to access both DRAMs can operate satisfactorily. Further, when the total memory usage falls below the threshold value T1, pages are allocated only to the
なお、ここで各閾値が変化した場合の動作の説明を割愛しているが、動作中に閾値を変化させても問題はなく、不都合は生じない。条件判断の結果は変換表14に記憶されるので、登録の後で閾値が変化しても登録された情報が影響を受けることはない。変換表14に登録されたページは登録が抹消されるまで有効であり、その時点での閾値に関わらずアクセス可能である。 Although explanation of the operation when each threshold value is changed is omitted here, there is no problem even if the threshold value is changed during the operation, and no inconvenience occurs. Since the result of the condition determination is stored in the conversion table 14, even if the threshold value changes after registration, the registered information is not affected. The page registered in the conversion table 14 is valid until the registration is deleted, and can be accessed regardless of the threshold value at that time.
(2.3 消費電力)
次に、図4を用いて本発明のメモリコントローラを用いたデジタルスチルカメラの消費電力について説明する。図4は、撮影時のメモリ使用量の推移と省電力制御について説明するタイミングチャートである。
(2.3 Power consumption)
Next, the power consumption of a digital still camera using the memory controller of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a timing chart for explaining the transition of memory usage and power saving control during shooting.
図4(a)において、横軸は時間、縦軸はメモリ使用量を示し、31はメモリ使用量推移を示す。図4(b)において、横軸は時間、縦軸はDRAMの消費電力を示し、36はDRAMの消費電力推移を模式的に示す。 In FIG. 4A, the horizontal axis represents time, the vertical axis represents the memory usage, and 31 represents the memory usage transition. In FIG. 4B, the horizontal axis represents time, the vertical axis represents the power consumption of the DRAM, and 36 schematically represents the transition of the power consumption of the DRAM.
時刻20はデジタルスチルカメラの電源投入時刻であり、CPU5が動作してCPUワーク領域を確保する。この時のメモリ使用量がCPUワーク領域サイズ29である。図4の28は図3のフローチャートの閾値T1に当たる容量であり、CPUワーク領域サイズ29は閾値T1未満なので、DRAM8のみにページが割り当てられる。
この時点ではDRAM9は不要であるから、電源回路11はDRAM9への電流供給を遮断しており、DRAMは全体として1個分の電力しか消費していない(期間33)。
Since the
時刻21aはシャッター釦が押下されて露光が開始される時刻である。時刻21bは露光が終了して撮像回路1からの画像データの出力が開始される時刻であり、これ以降、撮像回路1が動作して画像データを書き込むので、メモリ使用量31が増加していく。時刻22でメモリ使用量31が図3における閾値T1、図4では28のラインを超えるのでDRAM9にもページが割り当てられるようになる。インターフェース回路6はシャッター釦が押下された時刻21aの時点で電源回路11に指示を出してDRAM9に電流を供給させており、時刻22の時点ではDRAM9もアクセス可能になっている。原理的にはDRAM9が必要になった時点で給電すればよいが、実際にはDRAM9が電源オフ状態からアクセス可能になるまでには一定の待ち時間を必要とするので、時刻22の時点で給電したのでは撮像回路1が出力する画像データの一部が前記待ち時間のために取りこぼされる。これを回避するため、予めシャッター釦が押下された時点からDRAM9に通電させている。
時刻23は撮像回路1が画像データの出力を終了した時刻であり、ここからYC処理回路2が画像データをYCデータに変換し、生成されたYCデータを圧縮処理回路3がJPEGデータに圧縮変換する処理が始まる。圧縮変換により画像データ量は約10分の1に圧縮され、一旦、SDRAMに書かれた圧縮データを記録回路4が読み出してメモリカード12に書き込む。
この時、処理済みの画像データおよびYCデータに割り当てられたページは記憶管理手段13が変換表14から登録を抹消していくので、メモリ上で画像データが圧縮データに置き換えられていくこととなり、圧縮データは画像データの10分の1の容量なのでメモリ使用量は時刻23から処理の進行に伴って減少していくことになる。
At this time, the page assigned to the processed image data and YC data is deregistered from the conversion table 14 by the storage management means 13, so that the image data is replaced with the compressed data on the memory. Since the compressed data is one-tenth the capacity of the image data, the memory usage will decrease from
時刻24はメモリ使用量31が閾値T1を下回る時点であり、これ以降のライトデータは全てDRAM8に割り当てられる。
時刻25は圧縮処理回路3が圧縮処理を終了した時刻であり、画像データおよびYCデータは全て圧縮データに変換されており、メモリをCPUのワークと圧縮データだけが占めている。この時、時刻23から時刻24までの間に生成された圧縮データはDRAM9にも割り当てられているので、この時点ではDRAM9の電源を遮断することはできない。時刻25から記録回路4が圧縮データのメモリカード12への転送を開始する。
圧縮データは生成された順にメモリカード12へ転送するので、時刻23から時刻24までの間に生成された圧縮データはそれ以降のデータよりも先にDRAMから読み出される。その結果、DRAM9に割り当てられた圧縮データのページは次々に登録を抹消され、DRAM9の使用量は減少していく。
Since the compressed data is transferred to the
時刻26は、記録回路4が圧縮データをメモリカード12へ転送している途中で、DRAM9に割り当てられたページがゼロになった時点である。これ以降はDRAM9の記憶を保持する必要がないので、インターフェース回路6は時刻26の時点で電源回路11に指示を出してDRAM9への電流を遮断する。ここまでの期間34はDRAM8とDRAM9の両方が通電されている期間を示し、期間35はDRAM8のみ通電されてDRAM9は電源がオフされている期間を示す。
時刻27は記録回路4が圧縮データを全てメモリカード12へ転送し終わった時刻であり、ここで1枚の撮影シーケンスは終了する。
この例では簡単のため閾値28は一定であるとしたが、閾値の設定および設定変更は任意の時点で行える。例えば、インターリーブアクセスを用いて画像データの取り込みを高速化したければ時刻21bの時点で閾値28をデータ量29以下にすればよく、圧縮データを全て非インターリーブアクセスしたければ時刻23の時点で閾値28を全容量の上限まで引き上げればよい。また、前述のようにインターフェース回路6は、どの回路が出力したデータか把握できるので、条件判断に用いる閾値を回路に応じて変えることが可能である。よって、時刻20の時点から画像データに対する閾値をゼロ、圧縮データに対する閾値を上限一杯にして、圧縮データは全て非インターリーブで、画像データはインターリーブでアクセスされるようにしてもよい。
In this example, the
以上のように、本発明の技術を用いることにより、低速なアクセスで十分なシャッター釦押下待機期間と圧縮データ転送期間の一部(期間33、期間35)は、DRAM8のみに通電することで、DRAMが消費する電力を削減することができる。
As described above, by using the technology of the present invention, the shutter button press standby period and the part of the compressed data transfer period (period 33, period 35) sufficient for low-speed access are energized only to the
(3.その他の構成)
なお、前記の実施の形態においては、DRAMを例にあげて説明したが、メモリはSRAMであっても構わない。メモリデバイスの種別は問わない。
(3. Other configurations)
In the above embodiment, the DRAM has been described as an example, but the memory may be an SRAM. The type of memory device does not matter.
また、前記の実施の形態においては、二つのメモリデバイスを用いる場合を例にあげて説明したが、メモリデバイスの数は問わない。例えば、四つのメモリデバイスを用いる場合において、二つのメモリデバイスを対として1バンクを構成してもよい。 In the above embodiment, the case where two memory devices are used has been described as an example, but the number of memory devices is not limited. For example, in the case where four memory devices are used, one bank may be configured by pairing two memory devices.
また、前記の実施の形態においては、メモリデバイスへの通電をオフすることによって省電力制御を行っているが、通電したままでクロック供給のみ停止するのでもよいし、メモリデバイスが持つ省電力モードに移行させるのでも構わない。 In the above embodiment, the power saving control is performed by turning off the power to the memory device. However, it is possible to stop only the clock supply while the power is on, or the power saving mode of the memory device. You can move to
また、前記の実施の形態においては、メモリデバイスごとに省電力制御を行う場合を例にあげて説明したが、メモリデバイス内にあるバンクごとに省電力制御を行っても構わない。例えば、メモリバンク0〜3の四つのメモリバンクを有するメモリデバイスを用いる場合において、二つのバンクをセットとして1バンクと見なし、4バンクを用いるアクセスをインターリーブアクセスと定義しなおしてもよい。
In the above-described embodiment, the case where the power saving control is performed for each memory device has been described as an example. However, the power saving control may be performed for each bank in the memory device. For example, when using a memory device having four memory banks of
また、他の構成として、デジタルスチルカメラ(撮像装置の一例)は、撮像回路1(撮像手段に相当)と、撮像回路1により撮像された画像に基づいて生成した画像データをメモリカード12(記憶媒体に相当)に記録する記録回路4(記録手段に相当)と、撮像回路1により撮像された画像に基づいて生成された画像をモニタ21(表示媒体に相当)に表示させる表示回路20(表示手段に相当)と、DRAM8(第1のメモリに相当)と、DRAM9(第2のメモリに相当)と、メモリカード12に画像データを記録する際には、DRAM8とDRAM9とに並列にアクセスするインターリーブアクセスをするよう制御し、モニタ21に画像を表示させる際には、DRAM8およびDRAM9の何れか一方にアクセスするノンインターリーブアクセスをするよう制御するメモリコントローラ10(制御手段に相当)と、DRAM8の物理アドレス及びDRAM9の物理アドレスを1つの仮想アドレスに変換するインターフェース回路6(アドレス変換手段に相当)であって、メモリコントローラ10がインターリーブアクセスをする際と、ノンインターリーブアクセスをする際とで異なるアドレス変換を行うインターフェース回路6と、を備えるように構成してもよい。
As another configuration, a digital still camera (an example of an imaging device) includes an imaging circuit 1 (corresponding to an imaging unit) and image data generated based on an image captured by the
本発明は、メモリを使用する電子情報処理装置全般に適用可能であり、装置の消費電力を削減することができるため有用である。電池で駆動する装置については、電池持続時間を増加させることができるため、特に有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to all electronic information processing apparatuses using a memory and is useful because it can reduce power consumption of the apparatus. Devices that are battery powered are particularly useful because they can increase battery duration.
例えば、デジタルスチルカメラであれば、高速なアクセスを必要とするのは主に撮影画像を信号処理している期間であり、それ以外の多くの期間では、高速なアクセスは必要とされない。 For example, in the case of a digital still camera, high-speed access is mainly required for a period during which a captured image is processed, and high-speed access is not required in many other periods.
本発明により、インターリーブアクセスによって撮影画像を高速に信号処理することと、それ以外の期間におけるメモリの消費電力削減を両立することが可能になり、高速連写撮影などの性能を損なうことなく、電池持続時間や撮影可能枚数を増加させることができるので有用である。 According to the present invention, it is possible to perform both high-speed signal processing of captured images by interleaved access and reduction of memory power consumption during other periods, without impairing performance such as high-speed continuous shooting, and the like. This is useful because the duration and the number of images that can be taken can be increased.
1 撮像回路
2 YC処理回路
3 圧縮処理回路
4 記録回路
5 CPU
6 インターフェース回路
7a インターリーブアクセス手段
7b 非インターリーブアクセス手段
8、9 DRAM
10 メモリコントローラ
11 電源回路
12 メモリカード
13 記憶管理手段
14 変換表
15 カウンタ
DESCRIPTION OF
6 Interface circuit 7a Interleave access means 7b Non-interleave access means 8, 9 DRAM
DESCRIPTION OF
Claims (1)
シーケンシャルアクセス要求に応じて単一のメモリバンクをアクセスするノンインターリーブアクセス手段と、
シーケンシャルアクセス要求に応じて複数のメモリバンクを交互にアクセスするインターリーブアクセス手段と、
ページ単位で記憶領域を割り当て、ページ毎にノンインターリーブアクセス手段とインターリーブアクセス手段を選択する記憶管理手段とを備え、
前記記憶管理手段は、
メモリアクセス要求に対して割り当てられたページの登録及びその登録の抹消を管理する変換表と、
メモリに割り当てられたページ数の総量を計数するページ数管理手段と、
前記ページ数の総量が閾値より大である時には、ページを割り当てる際にインターリーブアクセス手段を選択し、前記変換表から割り当てられたページの登録の抹消によって前記ページ数の総量が閾値より小である時には、ページを割り当てる際にノンインターリーブアクセス手段を選択するアクセス選択手段と、
ノンインターリーブアクセスを指定するページを割り当てる際に、特定のメモリバンクに割り当て、残りのメモリバンクに割り当てられたページの登録の抹消によってその登録をゼロに至らしめる集中化手段と、
個々のメモリバンクに割り当てられたページ数を計数するページ数管理手段とを有し、
前記記憶管理手段は割り当てられたページ数がゼロであるメモリバンクに対して、省電力制御を行うことを特徴とするメモリコントローラ。 A memory controller for managing a plurality of memory banks each including at least one memory element,
Non-interleaved access means for accessing a single memory bank in response to a sequential access request;
Interleave access means for alternately accessing a plurality of memory banks in response to a sequential access request;
Allocating storage in page units, and a memory management unit you select non-interleaved access means and interleaved access means for each page,
It said storage management means,
A conversion table that manages the registration and de-registration of pages allocated to memory access requests;
Page number management means for counting the total number of pages allocated to the memory;
When the total amount of pages is larger than a threshold, when interleave access means is selected when allocating pages, and when the total amount of pages is smaller than the threshold by deregistering the pages allocated from the conversion table An access selection means for selecting a non-interleaved access means when assigning pages;
When allocating pages that specify non-interleaved access, a centralized means for allocating to specific memory banks and deregistering the pages allocated to the remaining memory banks to bring the registration to zero,
Page number management means for counting the number of pages allocated to each memory bank,
The memory management unit performs power saving control on a memory bank in which the number of allocated pages is zero .
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10503637B2 (en) | 2014-10-29 | 2019-12-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and SoC including linear remapper and access window |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9256531B2 (en) * | 2012-06-19 | 2016-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and SoC including linear addresss remapping logic |
US8762607B2 (en) * | 2012-06-29 | 2014-06-24 | Intel Corporation | Mechanism for facilitating dynamic multi-mode memory packages in memory systems |
US9245496B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-01-26 | Qualcomm Incorporated | Multi-mode memory access techniques for performing graphics processing unit-based memory transfer operations |
US9612648B2 (en) * | 2013-08-08 | 2017-04-04 | Qualcomm Incorporated | System and method for memory channel interleaving with selective power or performance optimization |
US11442631B2 (en) * | 2019-12-26 | 2022-09-13 | Micron Technology, Inc. | Memory operations with consideration for wear leveling |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3023A (en) * | 1843-03-30 | peters | ||
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JPH0981453A (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Hitachi Ltd | Method for controlling memory and enforcing device therefor |
US5761695A (en) * | 1995-09-19 | 1998-06-02 | Hitachi, Ltd. | Cache memory control method and apparatus, and method and apparatus for controlling memory capable of interleave control |
JP2000285017A (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Seiko Epson Corp | Storage |
JP3515466B2 (en) * | 2000-02-18 | 2004-04-05 | 三洋電機株式会社 | Digital camera |
JP2003323339A (en) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Sony Computer Entertainment Inc | Memory access device, semiconductor device, memory access control method, computer program and recording medium |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10503637B2 (en) | 2014-10-29 | 2019-12-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and SoC including linear remapper and access window |
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