JP5603581B2 - オゾンガス発生装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1に、本発明を適用したオゾン発生機1(オゾンガス発生装置)を示す。このオゾン発生機1は、半導体分野向けの機種であり、高純度なオゾンガスを安定して生成できるように構成されている。オゾン発生機1には、原料ガス供給部2(原料ガス供給経路)やオゾンガス生成部3、オゾンガス取出部4(オゾンガス取出経路)のほか、図示はしないがこれらを駆動制御する駆動制御部や操作部などが備えられている。
オゾン発生機1の主要部である放電セル11については、例えば、次のような金属膜形成工程と、接合工程とを含む製造方法を用いることで容易に製造することができる。
2 原料ガス供給部(原料ガス供給経路)
3 オゾンガス生成部
4 オゾンガス取出部(オゾンガス取出経路)
11 放電セル
12 高周波高圧電源
13 誘電体
13a 対向面
14 電極
15 区画壁
16 接合層(溶融部材)
17 機能膜
20 放電空隙
Claims (3)
- 99.9%以上の高純度の酸素ガスを原料ガスに用いて、300g/m 3 を超える高濃度のオゾンガスを発生させるオゾンガス発生装置であって、
向い合せに配置された一対の誘電体と、
前記一対の誘電体間に形成された放電空隙と、
前記放電空隙に放電を発生させる少なくとも一対の電極と、
前記放電空隙に原料ガスを供給する原料ガス供給経路と、
前記放電空隙からオゾンガスを取り出すオゾンガス取出経路と、
前記一対の誘電体のうち、少なくともいずれか一方に設けられて前記放電空隙に面する機能膜と、
を備え、
前記機能膜が、酸化クロムを含み、膜厚が0.1〜10μmの範囲に設定されているオゾンガス発生装置。 - 請求項1に記載のオゾンガス発生装置であって、
前記機能膜の全体が酸化クロムで形成されているオゾンガス発生装置。 - 請求項2に記載のオゾンガス発生装置の製造方法であって、
前記誘電体に、クロムの膜をスパッタリングにより形成する金属膜形成工程と、
前記一対の誘電体を向い合せに配置し、800℃以上の加熱による溶着により前記一対の誘電体を一体に接合する接合工程と、
を含み、
前記接合工程における加熱処理が、酸素含有雰囲気下で行われるオゾンガス発生装置の製造方法。
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