JP5598916B2 - ゲート電極及びその製造方法 - Google Patents
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前記yは0より大きく5以下であってよい。
前記炭化物は炭化タンタルイットリウムであってよい。
前記xは0より大きく0.5以下であってよい。
前記xは0.4以下であってよい。
本発明の他の側面によれば、ゲート絶縁膜上に前記炭化物の膜を形成する、前記ゲート電極の製造方法が与えられる。
前記炭化物の膜は、イットリウムを含まない前記炭化物のターゲット及びイットリウムのターゲットを用いた共スパッタリング法により形成してよい。
前記炭化物の膜は、MOCVD法またはALD法により形成してよい。
ゲートラストプロセスでは、まず、SiO2ダミーゲート絶縁膜とポリシリコンダミーゲート電極のスタック構造を形成して、ダミーゲート電極をマスクとしてソース・ドレインを形成する。つづいて、ダミーゲート電極を絶縁膜で埋め込み、絶縁膜表面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)等により平坦化した後にダミーゲート電極とダミーゲート絶縁膜を選択的に除去する。
Claims (6)
- FCC構造を有する炭化タンタルイットリウムTa1−xYx C y からなるnMOSFETのゲート電極。
- 前記yは0より大きく5以下である、請求項1に記載のゲート電極。
- 前記xは0.4以下である、請求項1または2に記載のゲート電極。
- ゲート絶縁膜上に前記炭化タンタルイットリウムの膜を形成する、請求項1から3の何れかに記載のゲート電極の製造方法。
- 前記炭化タンタルイットリウムの膜は、炭化タンタルのターゲット及びイットリウムのターゲットを用いた共スパッタリング法により形成する、請求項4に記載のゲート電極の製造方法。
- 前記炭化タンタルイットリウムの膜は、MOCVD法またはALD法により形成する、請求項4に記載のゲート電極の製造方法。
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