JP5585911B2 - Wafer separation method and wafer separation transfer apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、ウェハの分離方法及びウェハ分離移載装置に関するものである。更に詳しくは、半導体素子の材料であり、多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群からウェハを分離し、分離したウェハを一枚ずつ所定の箇所に移載するウェハの分離方法及びウェハ分離移載装置に関する。 The present invention relates to partial Hanarekata method and wafer separating apparatus for transferring the wafer. More specifically, a material of the semiconductor device, to separate the wafer from the wafer stack group state where a large number of wafers are stacked, minute Hanarekata method of the wafer to be transferred to a predetermined position one by one the separated wafer And a wafer separation / transfer apparatus.

半導体素子の材料として用いられるウェハ(wafer)の製造においては、シリコン等で形成されたインゴットを薄板状に切断することにより多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群を形成し、ウェハはこの積層ウェハ群から一枚ずつ剥がして分離される。
このウェハの分離作業は、周知のように非常に困難な作業であり、ウェハを分離し安定的に供給するための装置としては、例えば特許文献1に記載の「ウェハの分離搬送装置及び分離搬送方法」、あるいは特許文献2に記載の「ウェーハの枚葉装置および枚葉装置」等がある。
In the manufacture of a wafer used as a material for a semiconductor device, an ingot formed of silicon or the like is cut into a thin plate to form a stacked wafer group in which a large number of wafers are stacked. The laminated wafer group is separated and separated one by one.
As is well known, this wafer separation operation is a very difficult operation. As an apparatus for separating and stably supplying a wafer, for example, “Wafer separation / conveying device and separation / conveying device” Method "or" wafer single wafer apparatus and single wafer apparatus "described in Patent Document 2.

特許文献1に記載のものは、支持部材と分離押出手段及び噴射ノズルを有し、液体内において多数枚のウェハを積層状態で支持部材により支持し、支持部材の上昇により多数のウェハを所定量ずつ上昇させて、最上部に位置する一枚のウェハを水面付近の位置に配置し、分離押出手段の接触子で最上部のウェハを機械的に回転させて始動力を付与し、さらに噴射ノズルにより水面位置のウェハの上面に対し、その中心から偏倚した位置に水を噴射して一方向に回転させ、他のウェハから分離させて、搬出方向に搬送するというものである。   The one described in Patent Document 1 includes a support member, a separating and extruding means, and an injection nozzle, and a large number of wafers are supported by the support member in a stacked state in the liquid, and a predetermined amount of the large number of wafers is supported by raising the support member Each wafer is lifted up and placed at the position near the water surface, and the top wafer is mechanically rotated by the contact of the separating and extruding means to give a starting force. Thus, water is sprayed to a position deviated from the center of the upper surface of the wafer at the water surface position, rotated in one direction, separated from other wafers, and conveyed in the unloading direction.

また、特許文献2に記載のものは、第1吸着部材によって分離ウェーハを吸着保持するとともに、第2吸着部材によって第1吸着部材よりも上方位置で前記分離ウェーハを吸着保持し、第2吸着部材のフレキシブルパイプを収縮させて分離ウェーハを反らせながら吸着保持し、続いて、隣接ウェーハの外周面上部をストッパによって押さえて、分離ウェーハの移動に伴う隣接ウェーハの移動を禁止しながら、分離ウェーハを上方に移動させて積層ウェーハ群から分離することにより、厳しい隙間管理を要することなく、積層ウェーハ群からウェーハを確実に1枚ずつ枚葉できるようにするというものである。   In addition, the device described in Patent Document 2 sucks and holds a separation wafer by a first suction member, and sucks and holds the separation wafer by a second suction member at a position above the first suction member. The flexible pipe is contracted to attract and hold the warped wafer while it is warped, and then the upper part of the outer peripheral surface of the adjacent wafer is pressed by a stopper to prevent the adjacent wafer from moving along with the movement of the separated wafer. By separating the wafer from the laminated wafer group, the wafers can be reliably removed from the laminated wafer group one by one without requiring strict gap management.

特開平9−148278JP-A-9-148278

特開2002−75922JP 2002-75922 A

しかしながら、特許文献1に記載のものは、前記したように、「分離押出手段の接触子で最上部のウェハを機械的に回転させて始動力を付与し、さらに噴射ノズルにより水面位置のウェハの上面に対し、その中心から偏倚した位置に水を噴射して一方向に回転させる」ようになっている。このため、最上部のウェハと他のウェハとの接面部では移動摩擦抵抗が相当に大きくなり、特に分離押出手段による始動の際、両ウェハには大きなストレスがかかるため、実際上はウェハを円滑に分離させることは難しく、ウェハが破損するおそれがあった。   However, as described above, the device described in Patent Document 1 describes that “the uppermost wafer is mechanically rotated by the contact of the separating and extruding means to apply a starting force, and the wafer at the water surface position is further applied by the spray nozzle. Water is jetted to a position deviated from the center of the upper surface and rotated in one direction. For this reason, the moving frictional resistance is considerably increased at the contact surface between the uppermost wafer and the other wafer, and both wafers are subjected to great stress particularly when starting by the separation extrusion means. It is difficult to separate the wafer and the wafer may be damaged.

また、特許文献2に記載のものは、前記したように、「第1吸着部材によって分離ウェーハを吸着保持するとともに、第2吸着部材によって第1吸着部材よりも上方位置で分離ウェーハを吸着保持し、第2吸着部材のフレキシブルパイプを収縮させて分離ウェーハを反らせながら吸着保持する」ようになっている。このため、分離ウェーハには変形による大きなストレスがかかり、破損するおそれがあった。   In addition, as described in Patent Document 2, as described above, “the first wafer is sucked and held by the first suction member, and the second wafer is sucked and held by the second suction member at a position above the first suction member. The flexible pipe of the second adsorbing member is contracted to hold the separated wafer while adsorbing and holding it ”. For this reason, the separated wafer is subjected to a large stress due to deformation and may be damaged.

(本発明の目的)
そこで、本発明の目的は、半導体素子の材料であり、多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群からウェハを分離し、分離したウェハを一枚ずつ所定の箇所に移載する作業において、分離するウェハに対し摩擦や変形等によるストレスをできるだけ与えないようにして破損を防止することにより、ウェハの歩留まりをより向上させてウェハの安定供給ができるようにした、ウェハの分離方法及びウェハ分離移載装置を提供することである。
(Object of the present invention)
Accordingly, an object of the present invention is a material for a semiconductor element, in an operation of separating a wafer from a laminated wafer group in which a large number of wafers are laminated and transferring the separated wafers one by one to a predetermined location. by preventing breakage so as not give as much as possible the stresses caused by friction or deformation to the wafer to be separated and to allow stable supply of wafer further improve the yield of the wafer, minute Hanarekata method of the wafer And a wafer separation transfer apparatus.

上記課題を解決するために本発明が講じた手段は次のとおりである。   Means taken by the present invention to solve the above problems are as follows.

(1)本発明は、多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群からウェハを分離するウェハの分離方法であって、先端の吐出口の中心が水面の高さとなるように先側が下り傾斜している吐出ノズルから水を吐出して、水中に水と多数の気泡を含む混合流を生じさせる工程と、前記積層ウェハ群が水面近傍まで上昇した時に、前記積層ウェハ群の左右両角部へ向けて混合流を流して積層面の両側面と前面に当てることにより積層ウェハ群からウェハを分離させる工程とを備えるウェハの分離方法である。 (1) The present invention is a wafer separation method for separating a wafer from a laminated wafer group in which a large number of wafers are laminated, and the front side is lowered so that the center of the discharge port at the front end is the height of the water surface. by discharging water from the discharge nozzle is inclined, the steps of producing a mixed stream containing water and a plurality of air bubbles in water, when the laminated wafer group has risen to the water surface near the left and right of the laminated wafer group Morozumi And a step of separating the wafer from the laminated wafer group by flowing a mixed flow toward the part and applying the mixed flow to both sides and the front surface of the laminated surface.

(2)本発明は、前記吐出ノズルの水面に対する角度が15°〜40°である、前記(1)のウェハの分離方法である。 (2) The present invention is the wafer separation method according to (1), wherein the angle of the discharge nozzle with respect to the water surface is 15 ° to 40 °.

(3)本発明は、多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群からウェハを分離して所定の箇所に移載するウェハ分離移載装置であって、先端の吐出口の中心が水面の高さとなるように先側が下り傾斜している吐出ノズルから水を吐出して水中に水と多数の気泡を含む混合流を生じさせ、前記積層ウェハ群が水面近傍まで上昇した時に、前記積層ウェハ群の左右両角部へ向けて前記混合流を流して積層面の両側面と前面に当てる吐出ノズルと、前記積層ウェハ群を保持し、前記混合流が積層面に当たる位置に前記積層ウェハ群を移動させるウェハ供給機と、前記混合流により積層ウェハ群から分離したウェハを保持して所定の箇所に移載するウェハ移載機とを備えるウェハ分離移載装置である。 (3) The present invention is a wafer separation transfer device for transferring a predetermined portion to separate the wafer from the wafer stack group state where a large number of wafers are stacked, the water surface is the center of the discharge port of the tip causing the discharge nozzle front side so that the height of the is inclined downward by ejecting water mixture stream comprising water and a large number of air bubbles in water, when the laminated wafer group has risen to the water surface near the a discharge nozzle hit the side surfaces and the front surface of the laminate surface by flowing the mixed stream towards the left and right corners of the laminated wafers group, holding the stacked wafers group, the laminated wafer group the mixed flow is the position corresponding to the laminated surface a wafer feeder for moving a wafer separation transfer device to obtain Bei and holds the web Ha separated et or laminated wafers groups wafer transfer unit for transferring the predetermined箇plants by the mixed flow.

(4)本発明は、前記吐出ノズルの水面に対する角度が15°〜40°である、前記(3)のウェハ分離移載装置である。

(4) The present invention is the wafer separation / transfer apparatus according to (3), wherein an angle of the discharge nozzle with respect to a water surface is 15 ° to 40 ° .

本明細書及び特許請求の範囲にいう「積層面」の用語は、積層ウェハ群の側面、すなわち多数枚積層されている各ウェハの厚みが表れている面の意味で使用している。   The term “laminated surface” in the present specification and claims is used to mean the side surface of a laminated wafer group, that is, the surface on which the thickness of each wafer laminated is shown.

(作用)
本発明に係るウェハ分離移載装置の作用を説明する。なお、ここでは、説明で使用する各構成要件に、後述する実施の形態において各部に付与した符号を対応させて付与するが、この符号は、特許請求の範囲の各請求項に記載した符号と同様に、あくまで内容の理解を容易にするためであって、各構成要件の意味を上記各部に限定するものではない。
(Function)
The operation of the wafer separating / transferring apparatus according to the present invention will be described. Here, the constituent elements used in the description are assigned in correspondence with the reference numerals given to the respective parts in the embodiments described later. These reference numerals are the same as the reference numerals described in the claims of the claims. Similarly, it is only for the purpose of facilitating understanding of the contents, and the meaning of each component is not limited to the above-described parts.

まず、吐出手段(吐出ノズル(3,3a)等)によって水槽(2)内の水中に、水中に水と多数の気泡(B)を含む混合流を生じさせる。なお、吐出のタイミングは積層ウェハ群(7)を所要の位置に移動させた後でもよい。
次に、ウェハ供給手段(ウェハ供給機(4)等)によって積層ウェハ群(7)を保持し、前記混合流が積層面に当たる位置に積層ウェハ群(7)を移動させる。
First, a mixed flow containing water and a large number of bubbles (B) is generated in the water in the water tank (2) by discharge means (discharge nozzles (3, 3a), etc.). The ejection timing may be after moving the laminated wafer group (7) to a required position.
Next, the laminated wafer group (7) is held by a wafer supply means (wafer feeder (4) or the like), and the laminated wafer group (7) is moved to a position where the mixed flow hits the laminated surface.

これによって、積層ウェハ群(7)を構成するウェハ(70)の間に水と気泡(B)が入り込み、例えば積層ウェハ群(7)の上面側に近い複数枚のウェハ(70)が徐々に分離し、各ウェハ(70)間に隙間が空くことによって水と気泡(B)がさらに入り込み、分離するウェハ(70)に摩擦や変形等による大きなストレスをかけることなく、無理なく分離させることができる。   As a result, water and bubbles (B) enter between the wafers (70) constituting the laminated wafer group (7), for example, a plurality of wafers (70) near the upper surface side of the laminated wafer group (7) gradually. Separation and gaps between each wafer (70) allow water and bubbles (B) to enter further, and the separated wafer (70) can be separated without excessive stress due to friction, deformation, etc. it can.

また、各ウェハ(70)間に多数の気泡(B)が入り、これら気泡(B)がいわばクッション(緩衝材)の機能を果たすことにより、各々が分離し水中で浮遊している状態の各ウェハ(70)同士が接触又は衝突しにくく、これによりウェハ(70)が損傷することを防止できる。さらには、多数の気泡(B)によって分離するウェハ(70)に大きな浮力が付与され、これによりウェハ(70)がより短い時間で分離される。   In addition, a large number of bubbles (B) enter between each wafer (70), and these bubbles (B) function as a cushion (buffer material), so that each of them is separated and suspended in water. The wafers (70) are unlikely to contact or collide with each other, thereby preventing the wafer (70) from being damaged. Furthermore, a large buoyancy is imparted to the wafer (70) separated by a large number of bubbles (B), whereby the wafer (70) is separated in a shorter time.

そして、分離している各ウェハ(70)のうち、最上部のウェハ(70)をウェハ移載手段(ウェハ移載機(5)等)で保持し、所定の箇所(62)に移載する。その後、この移載箇所(62)からウェハを取り出す等して後工程へ送るようにする。   Of the separated wafers (70), the uppermost wafer (70) is held by the wafer transfer means (wafer transfer machine (5), etc.) and transferred to a predetermined location (62). . Thereafter, the wafer is taken out from the transfer location (62) and sent to the subsequent process.

本発明は、半導体素子の材料であり、多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群からウェハを分離し、分離したウェハを一枚ずつ所定の箇所に移載する作業において、多数の気泡を含む水流(混合流)を積層ウェハ群の積層面に当てるようにしてウェハを分離させることにより、分離するウェハに対し摩擦や変形等による大きなストレスを与えないようにして破損を防止することができる。
詳しくは、分離している各ウェハ間に多数の気泡が入り、これら気泡がいわばクッションの機能を果たすことにより、各々が分離し水中で浮遊している状態の各ウェハ同士が接触又は衝突しにくく、これによりウェハが損傷することを防止できる。さらには、多数の気泡によって分離するウェハに大きな浮力が付与され、これによりウェハがより短い時間で分離される。
これにより、ウェハの歩留まりをより向上させてウェハを安定的に供給することができる。
The present invention is a material for a semiconductor device, and in the operation of separating a wafer from a laminated wafer group in which a large number of wafers are laminated, and transferring the separated wafers one by one to a predetermined location, By separating the wafer by applying a water flow (mixed flow) containing water to the lamination surface of the laminated wafer group, it is possible to prevent damage to the separated wafer without applying a large stress due to friction or deformation. it can.
Specifically, a large number of bubbles enter between the wafers that are separated, and these bubbles function as a cushion, so that the wafers that are separated and floating in water are less likely to contact or collide with each other. This prevents the wafer from being damaged. Furthermore, a large buoyancy is imparted to the wafer that is separated by a large number of bubbles, thereby separating the wafer in a shorter time.
Thereby, the yield of the wafer can be further improved and the wafer can be supplied stably.

本発明に係るウェハ分離移載装置の一実施の形態を示す前方から視た斜視説明図。The perspective explanatory view seen from the front which shows one embodiment of the wafer separation transfer equipment concerning the present invention. ウェハ分離移載装置を後方から視た斜視説明図。The perspective explanatory view which looked at the wafer separation transfer equipment from back. ウェハ分離移載装置の構造を示す正面図。The front view which shows the structure of a wafer separation transfer equipment. ウェハ分離移載装置の構造を示す平面図。The top view which shows the structure of a wafer separation transfer apparatus. ウェハ分離移載装置の構造を示す右側面図。The right view which shows the structure of a wafer separation transfer apparatus. ウェハ分離移載装置の構造を示す左側面図。The left view which shows the structure of a wafer separation transfer apparatus. 図3におけるX−X断面説明図。XX cross-sectional explanatory drawing in FIG. 図3におけるY−Y断面説明図。YY cross-sectional explanatory drawing in FIG. ウェハ分離移載装置によるウェハの分離までの工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the process until the wafer isolation | separation by a wafer separation transfer apparatus. ウェハ分離移載装置によるウェハの分離後の移載までの工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the process until the transfer after the separation of the wafer by a wafer separation transfer equipment. リフト部材の初期状態を示し(a)は左側面視説明図、(b)は上面視説明図。The initial state of a lift member is shown, (a) is explanatory drawing on the left side view, (b) is explanatory drawing on the top view. リフト部材に積層ウェハ群を載置した状態を示し(a)は左側面視説明図、(b)は上面視説明図。The state which mounted the laminated wafer group on the lift member is shown, (a) is left side explanatory drawing, (b) is top view explanatory drawing. リフト部材で積層ウェハ群を分離作業位置まで上昇させた状態を示し(a)は左側面視説明図、(b)は上面視説明図。The state which raised the laminated wafer group to the isolation | separation operation position with the lift member is shown, (a) is left side explanatory drawing, (b) is top view explanatory drawing. 積層ウェハ群に混合流を当てて複数のウェハを分離している状態を示し(a)は左側面視説明図、(b)は上面視説明図。The state which applied the mixed flow to the lamination | stacking wafer group and has isolate | separated the several wafer is shown, (a) is left side explanatory drawing, (b) is top view explanatory drawing.

本発明を図面に示した実施の形態に基づき詳細に説明する。
図1乃至図8及び図11乃至図14を参照する。
なお、図1乃至図8においては、便宜上、多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群7及び積層ウェハ群7から分離した単独のウェハ70も表している。
The present invention will be described in detail based on the embodiments shown in the drawings.
Please refer to FIG. 1 to FIG. 8 and FIG. 11 to FIG.
1 to 8, for convenience, a laminated wafer group 7 in a state where a large number of wafers are laminated and a single wafer 70 separated from the laminated wafer group 7 are also shown.

ウェハ分離移載装置Aは、積層ウェハ群7からウェハ70を分離して所定の箇所(本実施の形態では、後述する移載受機6)に移載するものである。
ウェハ分離移載装置Aは、角パイプで組まれたフレーム1を有している。フレーム1には、水槽2、水槽2の水面位置に配されている吐出ノズル3、3a、積層ウェハ群7を保持し水面側の吐出ノズル3、3aによる水の入水部へ積層ウェハ群7を移動させるウェハ供給機4、積層ウェハ群7から分離したウェハ70を保持して移載するウェハ移載機5及びウェハ移載機5からウェハ70を受け取る移載受機6が組み込まれている。
The wafer separating / transferring apparatus A separates the wafer 70 from the laminated wafer group 7 and transfers it to a predetermined location (in this embodiment, a transfer receiver 6 described later).
The wafer separating / transferring apparatus A has a frame 1 assembled with square pipes. The frame 1 holds the discharge nozzles 3, 3 a and the laminated wafer group 7 disposed at the water surface position of the water tank 2, the water tank 2, and holds the laminated wafer group 7 to the water inlet portion by the discharge nozzles 3, 3 a on the water surface side. A wafer feeder 4 to be moved, a wafer transfer device 5 for holding and transferring the wafer 70 separated from the laminated wafer group 7, and a transfer receiver 6 for receiving the wafer 70 from the wafer transfer device 5 are incorporated.

水槽2は、フレーム1の下部に固定されている。水槽2には、清浄な水が所定量入れられ、水面の高さは一定に維持されるようになっている。水槽2内には、二箇所に吐出ノズル3、3aが配されている。吐出ノズル3、3aには清浄な水が供給されるようになっている。吐出ノズル3、3aは、先端の吐出口30の中心が水面の高さとなるように先側が所要角度(例えば、水面に対しては15〜40°の角度)で下り傾斜して水槽2に固定されている。   The water tank 2 is fixed to the lower part of the frame 1. The water tank 2 is filled with a predetermined amount of clean water, and the height of the water surface is maintained constant. In the water tank 2, discharge nozzles 3, 3a are arranged at two locations. Clean water is supplied to the discharge nozzles 3 and 3a. The discharge nozzles 3 and 3a are fixed to the water tank 2 with the front side inclined downward at a required angle (for example, an angle of 15 to 40 ° with respect to the water surface) so that the center of the discharge port 30 at the tip is the height of the water surface. Has been.

また、吐出ノズル3、3aは、本実施の形態では、後述するように積層ウェハ群7が水面近傍まで上昇した時に、その両側(図3で左右側)から積層ウェハ群7の左右両角部へ向けて混合流が流れ、積層面の両側面と前面に混合流が効果的に当たるように配されている(図14(b)参照)。
なお、吐出ノズル3、3aの位置(高さ)及び傾斜角度は前記に限定されないが、少なくとも吐出ノズル3、3aから吐出された水が水面で空気を取り込んで、水中において水と多数の気泡を含む混合流が生じる位置及び傾斜角度に設定される。
Further, in the present embodiment, the discharge nozzles 3 and 3a, when the laminated wafer group 7 rises to the vicinity of the water surface, as will be described later, from both sides (left and right sides in FIG. 3) to the left and right corners of the laminated wafer group 7 The mixed flow flows toward the opposite side of the laminated surface, and the mixed flow effectively hits both sides and the front surface (see FIG. 14B).
The position (height) and the inclination angle of the discharge nozzles 3 and 3a are not limited to the above, but at least water discharged from the discharge nozzles 3 and 3a takes in air at the surface of the water, and water and a large number of bubbles are generated in the water. It is set to a position and an inclination angle at which the mixed flow including it occurs.

ウェハ供給機4は、水槽2の底部に固定されている基枠46を有している。基枠46の中央には四角形の支持板40が固定されている。支持板40は、前側(図6の左側面図で右側)が高くなるように、水槽2の底面(又は水面)と15〜40°の角度で傾斜させてある。本実施の形態では、支持板40の角度が、前記吐出ノズル3、3aから水が水面に対し吐出される角度と同じに設定されているが、限定はされない。支持板40の前部側の一辺を除く三辺側の上面には、支持板40と直角方向に各辺あたり所要間隔で二本ずつ、ガイドピン41が固定されている(図11(a)、(b)参照)。   The wafer feeder 4 has a base frame 46 fixed to the bottom of the water tank 2. A square support plate 40 is fixed at the center of the base frame 46. The support plate 40 is inclined at an angle of 15 to 40 ° with the bottom surface (or the water surface) of the water tank 2 so that the front side (the right side in the left side view of FIG. 6) is higher. In the present embodiment, the angle of the support plate 40 is set to be the same as the angle at which water is discharged from the discharge nozzles 3 and 3a with respect to the water surface, but is not limited thereto. Two guide pins 41 are fixed to the upper surface of the three sides excluding one side on the front side of the support plate 40 at a required interval per side in a direction perpendicular to the support plate 40 (FIG. 11A). (See (b)).

各ガイドピン41は、角柱形状の積層ウェハ群7の三方側部の積層面が若干の隙間をもって内側に収まる位置に設定されており、ガイドピン41が設けられていない一辺側から積層ウェハ群7を入れて収めることができる。なお、本実施の形態の支持板40及びガイドピン41は、四角形のウェハに対応しているが、円形のウェハに対応できるように、例えば支持板40の前記と同じ三辺にそれぞれガイドピンを一本ずつ設けた構造としてもよい。   Each guide pin 41 is set at a position where the laminated surface of the three side portions of the prismatic laminated wafer group 7 fits inside with a slight gap, and the laminated wafer group 7 from one side where the guide pin 41 is not provided. Can be stored. Note that the support plate 40 and the guide pins 41 of the present embodiment correspond to a square wafer, but guide pins are provided on the same three sides of the support plate 40, for example, so as to be compatible with a circular wafer. It is good also as a structure provided one by one.

各ガイドピン41のうち、支持板40の相対向する二辺(図3で左右側)の各ガイドピン41の上部には、それぞれ板状のストッパー42が互いに同じ高さになるように平行に固定されている。各ストッパー42は、ウェハ70を積層ウェハ群7から分離する際、分離したウェハ70をウェハ移載機5で吸着する位置から外れないように止めるもので、支持板40と平行に固定されている。   Of each guide pin 41, plate-like stoppers 42 are parallel to each other on the upper portions of the guide pins 41 on two opposite sides (left and right sides in FIG. 3) of the support plate 40. It is fixed. Each stopper 42 is used to stop the separated wafer 70 from being removed from the position where the separated wafer 70 is attracted by the wafer transfer device 5 when the wafer 70 is separated from the laminated wafer group 7, and is fixed in parallel to the support plate 40. .

また、ウェハ供給機4は、積層ウェハ群7を載置するリフト部材43を有している。リフト部材43は、支持板40の上面側に位置し、フレーム1の一方側(図3で右側)に固定された駆動装置44の移行体45の下側先端に片持ち構造で固定されている。リフト部材43の載置部は支持板40と平行であり、リフト部材43はボールスクリュー式の駆動装置44によって前記ガイドピン41と平行方向に昇降するようになっている。   The wafer feeder 4 has a lift member 43 on which the laminated wafer group 7 is placed. The lift member 43 is positioned on the upper surface side of the support plate 40 and is fixed in a cantilever structure to the lower end of the transition body 45 of the drive device 44 fixed to one side (right side in FIG. 3) of the frame 1. . The mounting portion of the lift member 43 is parallel to the support plate 40, and the lift member 43 is moved up and down in a direction parallel to the guide pin 41 by a ball screw type driving device 44.

ウェハ移載機5は、フレーム1の他方側(図3で左側)に固定された所要長さのガイド体50を有している。ガイド体50は、前側が高くなるように水槽2の底面と15〜40°の角度で傾斜させてある。本実施の形態では、支持板40の角度と同じに設定されているが、限定はされない。ガイド体50には、移行体51がボールスクリュー式の駆動装置52によってガイド体50に沿って移行できるように取り付けられている。   The wafer transfer machine 5 has a guide body 50 having a required length fixed to the other side of the frame 1 (left side in FIG. 3). The guide body 50 is inclined at an angle of 15 to 40 ° with the bottom surface of the water tank 2 so that the front side is higher. In the present embodiment, the angle is set to be the same as the angle of the support plate 40, but is not limited. A transition body 51 is attached to the guide body 50 so that the transition body 51 can be moved along the guide body 50 by a ball screw type driving device 52.

移行体51は、アクチュエータ52と、アクチュエータ52により昇降する昇降アーム53を有している。昇降アーム53の下側先端には、真空吸着部54が片持ち構造で設けられている。移行体51は、真空吸着部54をリフト部材43に載置された積層ウェハ群7のガイドピン41の高さ方向上方に位置させることができ、真空吸着部54は分離したウェハ70を吸着することができる。昇降アーム53の昇降する方向は、ガイド体50の方向に対して上下に直角方向である。   The transition body 51 includes an actuator 52 and a lifting arm 53 that is lifted and lowered by the actuator 52. A vacuum suction part 54 is provided in a cantilever structure at the lower end of the lifting arm 53. The transition body 51 can position the vacuum suction portion 54 above the guide pins 41 of the stacked wafer group 7 placed on the lift member 43 in the height direction, and the vacuum suction portion 54 sucks the separated wafer 70. be able to. The direction in which the elevating arm 53 moves up and down is perpendicular to the direction of the guide body 50.

移載受機6は、フレーム1前側の一方側(図3で右側)に固定され、その取り付け高さは、後述する受台板62の上昇停止位置が水槽2の上部縁部の高さ近傍となるよう設定されている。
移載受機6は、アクチュエータ60と、アクチュエータ60により昇降する昇降体61を有しており、昇降体61の下側先端には受台板62が片持ち構造で設けられている。受台板62は前記支持板40と平行、すなわち真空吸着部54で吸着されて送られてくるウェハ70と平行になるように傾斜している。
The transfer receiver 6 is fixed to one side (right side in FIG. 3) on the front side of the frame 1, and the mounting height of the transfer receiver 6 is in the vicinity of the height of the upper edge of the water tank 2 when the rising stop position of the receiving plate 62 described later It is set to become.
The transfer receiver 6 includes an actuator 60 and a lifting body 61 that is lifted and lowered by the actuator 60, and a receiving plate 62 is provided in a cantilever structure at the lower end of the lifting body 61. The receiving plate 62 is inclined so as to be parallel to the support plate 40, that is, to be parallel to the wafer 70 that is sucked and sent by the vacuum suction portion 54.

受台板62の上面には、移載されたウェハ70が落下しないように嵌め入れる載置凹部63が設けられている。載置凹部63は、後側に段部があり、前側に段部がないように形成されており(図8参照)、移載されたウェハ70は斜め上方向(前方向)にスライドさせて取り出すことができる。   On the upper surface of the receiving plate 62, there is provided a mounting recess 63 into which the transferred wafer 70 is fitted so as not to fall. The mounting recess 63 has a stepped portion on the rear side and no stepped portion on the front side (see FIG. 8), and the transferred wafer 70 is slid obliquely upward (forward direction). It can be taken out.

なお、受台板62は、アクチュエータ60により受台板62の表面方向と直角方向に昇降するようになっている。受台板62の上昇停止位置は、前記ウェハ移載機5の昇降アーム53が下降したときに、真空吸着部54で吸着されているウェハ70が載置凹部63に入る高さに設定されている。
また、本実施の形態では移載受機6を設けているが、これを設けずに、例えば公知構造の搬送機等、分離したウェハ70を後工程へ送るための装置にウェハ移載機5からウェハ70を直接移載する構造とすることもできる。
The cradle plate 62 is moved up and down in a direction perpendicular to the surface direction of the cradle plate 62 by the actuator 60. The rising stop position of the receiving plate 62 is set to a height at which the wafer 70 sucked by the vacuum suction unit 54 enters the mounting recess 63 when the lifting arm 53 of the wafer transfer device 5 is lowered. Yes.
Further, although the transfer receiver 6 is provided in the present embodiment, the wafer transfer machine 5 is not provided but is provided in an apparatus for sending the separated wafer 70 to a subsequent process, for example, a transfer machine having a known structure. It is also possible to adopt a structure in which the wafer 70 is directly transferred.

(作用)
図1乃至図14を参照して、ウェハ分離移載装置Aの作用及びウェハ分離移載装置Aにより、多数枚のウェハが積層された積層ウェハ群からウェハを分離し、分離したウェハを一枚ずつ所定の箇所に移載する工程を説明する。
(Function)
1 to 14, the wafer separation / transfer apparatus A and the wafer separation / transfer apparatus A separate a wafer from a laminated wafer group in which a large number of wafers are laminated, and one separated wafer. The process of transferring to a predetermined location one by one will be described.

(1)図9(a)及び図11(a)、(b)に示す状態は初期状態であり、ウェハ供給機4のリフト部材43は最下部まで下降しており、ウェハ移載機5の昇降アーム53を有する移行体51は前位置にあり、昇降アーム53及び真空吸着部54は上位置にある。
(2)ウェハ供給機4のリフト部材43の上に積層ウェハ群7を載置し、各ガイドピン41の内側に収容する(図9(b)、図12(a)、(b)参照)。
(1) The states shown in FIGS. 9A, 11A, and 11B are initial states, and the lift member 43 of the wafer supply machine 4 is lowered to the lowest position. The transition body 51 having the lifting arm 53 is in the front position, and the lifting arm 53 and the vacuum suction part 54 are in the upper position.
(2) The laminated wafer group 7 is placed on the lift member 43 of the wafer feeder 4 and accommodated inside each guide pin 41 (see FIGS. 9B, 12A, and 12B). .

(3)駆動装置44が作動しリフト部材43と共に積層ウェハ群7が上昇する(図13(a)、(b)参照)。そして、吐出ノズル3、3aより水中へ水を所要の圧力で吐出する。吐出された水は水面で入水する際に空気を取り込み、水中に水と多数の気泡Bを含む混合流が生じる(図9(c)、図14(a)参照)。 (3) The driving device 44 operates to raise the laminated wafer group 7 together with the lift member 43 (see FIGS. 13A and 13B). Then, water is discharged into the water from the discharge nozzles 3 and 3a at a required pressure. The discharged water takes in air when entering the water surface, and a mixed flow including water and a large number of bubbles B is generated in the water (see FIGS. 9C and 14A).

(4)リフト部材43が、積層ウェハ群7の上部の積層面に前記混合流が当たる位置である分離作業位置に停止し、積層ウェハ群7の左右両側から積層ウェハ群7の左右両角部へ向けて混合流が流れ、積層面の両側面と前面に混合流が当たる。なお、混合流は、ウェハ70の分離に支障がなければ、積層面の他の位置に当てることもできる。
これにより、複数のウェハ70が混合流によって各ガイドピン41の内側で積層ウェハ群7から浮き上がるように分離し、最上部のウェハ70がストッパー42の下側で止められる(図14(a)参照)。そして、ウェハ移載機5の移行体51が後方のウェハ吸着位置へ移動する(図9(d)参照)。
なお、ウェハ70が分離する際には、各ウェハ70の間に水と気泡Bが入り込み、分離するウェハ70に摩擦や変形等による大きなストレスをかけることなく、無理なく分離させることができる。また、各ウェハ70間に入った気泡Bがいわばクッションの機能を果たすことにより、各々が分離し水中で浮遊している状態の各ウェハ70同士が接触又は衝突しにくく、これによりウェハが損傷することを防止できる。さらには、多数の気泡Bによって、分離する各ウェハ70に大きな浮力が付与され、これによりウェハ70がより短い時間で分離される。
(4) The lift member 43 stops at the separation work position where the mixed flow hits the upper laminated surface of the laminated wafer group 7, and from both the left and right sides of the laminated wafer group 7 to the left and right corners of the laminated wafer group 7. The mixed flow flows toward the both sides of the laminated surface and the front surface. It should be noted that the mixed flow can be applied to other positions on the laminated surface as long as the separation of the wafer 70 is not hindered.
As a result, the plurality of wafers 70 are separated so as to be lifted from the laminated wafer group 7 inside each guide pin 41 by the mixed flow, and the uppermost wafer 70 is stopped below the stopper 42 (see FIG. 14A). ). Then, the transition body 51 of the wafer transfer device 5 moves to the rear wafer suction position (see FIG. 9D).
When the wafers 70 are separated, water and bubbles B enter between the wafers 70, and the wafers 70 to be separated can be separated without excessive stress due to friction or deformation. In addition, since the bubbles B that enter between the wafers 70 function as a cushion, the wafers 70 that are separated and floating in water are unlikely to contact or collide with each other, thereby damaging the wafers. Can be prevented. Furthermore, a large buoyancy is imparted to each wafer 70 to be separated by the large number of bubbles B, whereby the wafer 70 is separated in a shorter time.

(5)ウェハ移載機5の昇降アーム53が下降し、積層ウェハ群7から分離してストッパー42の下方に位置している最上部のウェハ70を真空吸着部54によって吸着する(図10(e)参照)。最上部のウェハ70が吸着される位置は、ストッパー42の下面よりやや下側の水中(図14(a)では、ウェハ70の前側の一部が水面から出ているが、全体が水中にあってもよい)であり、移載受機6へ向けて移動する際にストッパー42に接触しないようにして損傷を防止している。 (5) The elevating arm 53 of the wafer transfer device 5 is lowered, and the uppermost wafer 70 separated from the laminated wafer group 7 and positioned below the stopper 42 is adsorbed by the vacuum adsorbing unit 54 (FIG. 10 ( e)). The position at which the uppermost wafer 70 is adsorbed is underwater slightly below the lower surface of the stopper 42 (in FIG. 14A, a part of the front side of the wafer 70 protrudes from the water surface, but the whole is underwater. It is possible to prevent damage to the stopper 42 when it is moved toward the transfer receiver 6.

(6)昇降アーム53の真空吸着部54で最上部のウェハ70を吸着した状態で駆動装置52が作動し、移行体51が前進して所定の位置に停止する(図10(f)参照)。
なお、前記混合流は継続して積層ウェハ群7及び分離している各ウェハ70に当たっており、最上部のウェハ70が移動した後、その次のウェハ70がストッパー42の下側で止められる。また、積層ウェハ群7は、積層ウェハ群7全体がウェハ70に分離するようにリフト部材43によって徐々に上昇するようになっている。
(6) The driving device 52 operates in a state where the uppermost wafer 70 is sucked by the vacuum suction portion 54 of the lifting arm 53, and the transition body 51 moves forward and stops at a predetermined position (see FIG. 10 (f)). .
The mixed flow continuously strikes the laminated wafer group 7 and the separated wafers 70, and after the uppermost wafer 70 has moved, the next wafer 70 is stopped under the stopper 42. Further, the laminated wafer group 7 is gradually raised by the lift member 43 so that the entire laminated wafer group 7 is separated into the wafers 70.

(7)移載受機6のアクチュエータ60(図1、図2参照)が作動し、受台板62が上昇し所定位置に停止する。真空吸着部54によるウェハ70の吸着状態を解除し、ウェハ70を受台板62の載置凹部63に移載する(図10(g)、図7、図8参照)。
(8)受台板62が下降し、元の位置に戻る。また、昇降アーム53が上昇する(図10(h)参照)。
(7) The actuator 60 (see FIGS. 1 and 2) of the transfer receiver 6 operates, and the receiving plate 62 rises and stops at a predetermined position. The suction state of the wafer 70 by the vacuum suction portion 54 is released, and the wafer 70 is transferred to the mounting recess 63 of the receiving plate 62 (see FIG. 10G, FIG. 7 and FIG. 8).
(8) The receiving plate 62 descends and returns to the original position. Moreover, the raising / lowering arm 53 raises (refer FIG.10 (h)).

これにより前記(3)終了の状態へ戻り、積層ウェハ群7を構成するウェハ70がなくなるまで、(4)〜(8)の工程を繰り返し、ウェハ70の分離作業を行う。なお、移載受機6へ移載したウェハは、順次後工程へ送られる。   As a result, the process returns to the (3) end state, and the processes of (4) to (8) are repeated until the wafer 70 constituting the laminated wafer group 7 runs out, and the wafer 70 is separated. The wafer transferred to the transfer receiver 6 is sequentially sent to the subsequent process.

なお、本実施の形態のウェハ分離移載装置Aの有効性及び優位性を確認するために、(1)水中にて水と空気の混合流を吐出した場合(本実施の形態)、(2)水中にて水のみを吐出した場合、(3)水中にて空気のみを吐出した場合の各ケースで比較検証した(表1参照)。
具体的には、水槽内の水中にある積層ウェハ群の積層面へ向けて各流体を吐出し、最上段のウェハを分離させる際の分離時間を測定し、最上段のウェハが分離した後に昇降アームにてウェハを移載するまでのNG確率(不良率)を検証した。
In order to confirm the effectiveness and superiority of the wafer separating / transferring apparatus A of the present embodiment, (1) When a mixed flow of water and air is discharged in water (this embodiment), (2 ) When only water was discharged in water, (3) In each case where only air was discharged in water, comparative verification was performed (see Table 1).
Specifically, each fluid is discharged toward the lamination surface of the laminated wafer group in the water tank, and the separation time when separating the uppermost wafer is measured. After the uppermost wafer is separated, the fluid is moved up and down. The NG probability (defective rate) until the wafer was transferred by the arm was verified.

Figure 0005585911
Figure 0005585911

(考察)
まず、ウェハ分離時間に関しては、吐出方法を水のみとした(2)の場合よりも、本実施の形態の水と空気の混合流を吐出した(1)の場合の方が、より短時間でウェハを分離させることができた。これは、積層されたウェハ間に水と共に多数の気泡が入り込み、最上段のウェハに大きな浮力を付与することによりウェハの分離を促進しているためと考えられる。
(Discussion)
First, regarding the wafer separation time, the case of (1) in which the mixed flow of water and air in the present embodiment is discharged is shorter than the case of (2) in which the discharge method is only water. The wafer could be separated. This is presumably because a large number of air bubbles enter between the stacked wafers together with water to promote separation of the wafers by imparting a large buoyancy to the uppermost wafer.

また、ウェハ移載時のNG確率に関しては、吐出方法を水のみとした(2)の場合には、ウェハ分離状態が不安定なことに伴うウェハの割れ、吸着不良によるウェハ移載ミス及びウェハの2枚取りが発生しNG確率が14%であったのに対し、本実施の形態の水と空気(気泡)の混合流を吐出した(1)の場合はNGが発生せず、明確な優位性が認められた。   In addition, regarding the NG probability at the time of wafer transfer, in the case of (2) where the discharge method is only water, the wafer transfer error due to wafer cracking due to unstable wafer separation, adsorption failure, and wafer In the case of (1) in which the mixed flow of water and air (bubbles) in the present embodiment is discharged, no NG occurs and the NG probability is 14%. Superiority was recognized.

なお、空気のみを吐出した場合(3)に関しては、水中の空気(気泡)の流れが安定せず、ウェハの破損が発生した。また、ウェハが破損しない程度に空気流量を少なくした場合、ウェハを分離するには流量が足りず、結果的に検証が困難であった。
このように、前記3つのケースでは、(1)の水と空気(気泡)の混合流を吐出する方法でウェハの分離を行うのが最も有効であることが分かった。
In the case of discharging only air (3), the flow of air (bubbles) in water was not stable and the wafer was damaged. Further, when the air flow rate is reduced to such an extent that the wafer is not damaged, the flow rate is insufficient to separate the wafer, and as a result, verification is difficult.
Thus, in the above three cases, it was found that it is most effective to separate the wafers by the method (1) of discharging the mixed flow of water and air (bubbles).

なお、本明細書で使用している用語と表現は、あくまでも説明上のものであって、なんら限定的なものではなく、本明細書に記述された特徴およびその一部と等価の用語や表現を除外する意図はない。また、本発明の技術思想の範囲内で、種々の変形態様が可能であるということは言うまでもない。   Note that the terms and expressions used in this specification are merely explanatory and are not limiting at all, and terms and expressions equivalent to the features described in this specification and parts thereof. There is no intention to exclude. It goes without saying that various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

A ウェハ分離移載装置
1 フレーム
2 水槽
3、3a 吐出ノズル
30 吐出口
4 ウェハ供給機
40 支持板
41 ガイドピン
42 ストッパー
43 リフト部材
44 駆動装置
45 移行体
46 基枠
5 ウェハ移載機
50 ガイド体
51 移行体
52 アクチュエータ
52 駆動装置
53 昇降アーム
54 真空吸着部
6 移載受機
60 アクチュエータ
61 昇降体
62 受台板
63 載置凹部
7 積層ウェハ群
70 ウェハ
B 気泡
A Wafer Separation / Transfer Device 1 Frame 2 Water Tank 3, 3a Discharge Nozzle 30 Discharge Port 4 Wafer Feeder 40 Support Plate 41 Guide Pin 42 Stopper 43 Lift Member 44 Drive Device 45 Transition Body 46 Base Frame 5 Wafer Transfer Machine 50 Guide Body DESCRIPTION OF SYMBOLS 51 Transition body 52 Actuator 52 Drive apparatus 53 Lifting arm 54 Vacuum suction part 6 Transfer receiver 60 Actuator 61 Lifting body 62 Receptacle plate 63 Mounting recessed part 7 Laminated wafer group 70 Wafer B Bubble

Claims (4)

多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群からウェハを分離するウェハの分離方法であって、
先端の吐出口の中心が水面の高さとなるように先側が下り傾斜している吐出ノズルから水を吐出して、水中に水と多数の気泡を含む混合流を生じさせる工程と
前記積層ウェハ群が水面近傍まで上昇した時に、前記積層ウェハ群の左右両角部へ向けて混合流を流して積層面の両側面と前面に当てることにより積層ウェハ群からウェハを分離させる工程とを備える
ウェハの分離方法。
A wafer separation method for separating a wafer from a laminated wafer group in which a plurality of wafers are laminated,
End center of the discharge port discharges the water from the discharge nozzle is the front side so that the height of the water surface is inclined downward in the step of resulting mixed stream containing water and a plurality of air bubbles in water,
A step of separating the wafer from the laminated wafer group by flowing a mixed flow toward the left and right corners of the laminated wafer group and hitting both sides and the front surface of the laminated surface when the laminated wafer group rises to the vicinity of the water surface. A wafer separation method.
前記吐出ノズルの水面に対する角度が15°〜40°であるThe angle of the discharge nozzle with respect to the water surface is 15 ° to 40 °.
請求項1のウェハの分離方法。The method for separating a wafer according to claim 1.
多数枚のウェハが積層された状態の積層ウェハ群からウェハを分離して所定の箇所に移載するウェハ分離移載装置であって、
先端の吐出口の中心が水面の高さとなるように先側が下り傾斜している吐出ノズルから水を吐出して水中に水と多数の気泡を含む混合流を生じさせ、前記積層ウェハ群が水面近傍まで上昇した時に、前記積層ウェハ群の左右両角部へ向けて前記混合流を流して積層面の両側面と前面に当てる吐出ノズルと、
前記積層ウェハ群を保持し、前記混合流が積層面に当たる位置に前記積層ウェハ群を移動させるウェハ供給機と、
前記混合流により積層ウェハ群から分離したウェハを保持して所定の箇所に移載するウェハ移載機とを備える
ウェハ分離移載装置。
A wafer separating and transferring apparatus for separating a wafer from a laminated wafer group in a state where a large number of wafers are laminated and transferring the wafer to a predetermined location,
Causing tip mixed stream center of the discharge port comprises a front side is inclined downward to a large number of water in the water by discharging water from the discharge nozzle and bubble so that the height of the water surface, the laminated wafer group A discharge nozzle that, when raised to the vicinity of the water surface, flows the mixed flow toward the left and right corners of the laminated wafer group and hits both sides and the front surface of the laminated surface ;
Holding the laminated wafers group, a wafer feeder which the mixed flow is to move the wafer stack groups position corresponding stacking surface,
Wafer separation transfer apparatus and a wafer transfer unit for transferring a predetermined箇plant holds web Ha separated et or laminated wafers group by the mixed flow.
前記吐出ノズルの水面に対する角度が15°〜40°である
請求項3のウェハ分離移載装置。
The angle of the discharge nozzle with respect to the water surface is 15 ° to 40 °.
The wafer separation / transfer apparatus according to claim 3 .
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