JP5581477B2 - Sampling method and sampling apparatus using plasma - Google Patents

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本発明は、一般的な分析装置を用いて分析を行う際に、分析対象物から試料を採取し、分析装置に導入するためのサンプリング法およびサンプリング装置に関する。 The present invention, when performing analysis by using a general analysis apparatus, a sample is taken from the analyte, to a sampling method and sampling apparatus for introduction into the analyzer.

従来の分析装置の多くは、液体状態や気体状態の試料を分析装置に導入する必要がある。 Many conventional analyzers, there is a need for introducing a sample in a liquid state or gaseous state into the analyzer. そのため、このような分析装置を用いて固体のバルクについて分析する場合、その一部を物理的に破壊して採取し、ボールミルや乳鉢などにより粉砕して粒子状にした後、酸やアルカリの溶媒に溶解させて、溶液化するなどの前処理が行われている。 Therefore, when analyzing the solid bulk using such analyzers, the partially a physically disrupted collected after the particulate was pulverized by a ball mill or the like and a mortar, the acid or alkali solvents dissolved in, preprocessing such as solutions are being created.

しかしながら、このように溶液化された試料には、溶媒の成分が含まれるため、分析対象の成分が妨害されたり、使用する薬品や器具によって汚染されるため、分析精度を低下させてしまうなどの問題があった。 However, the solution of the sample in this way, because it contains components of the solvent, or component to be analyzed is disturbed because they are contaminated by chemicals and equipment used, such as accidentally reduce the accuracy of analysis there was a problem. また、もとの分析対象物は破壊されるため、例えば、貴重品、絵画、犯罪試料、生体などの損傷を受けることが許されないものについては、感度を犠牲にして固体試料を導入可能な感度の低い分析装置を用いる場合があった。 Further, since the original analyte is destroyed, for example, valuables, paintings, crimes sample, for those that are not be damaged, such as a living body, it can be introduced sensitivity solid sample by the expense of sensitivity there is a case of using a low analyzer. さらに、前記前処理は数多くの化学的工程を要するため、分析対象物を採取してから分析装置に導入するまでに時間がかかり、迅速な分析ができないという問題があった。 Furthermore, since it takes the pretreatment numerous chemical processes, time to introduce to the analysis device from the analyte is collected consuming, making it impossible for rapid analysis.

また、前記前処理を簡略化する方法として、強力なレーザー光を照射し、局所的に表面温度を上昇させることにより、分析対象物の表面を蒸発、あるいは微粒子化し、この蒸気あるいは微粒子を捕集し、あるいは直接ガス流を用いて分析装置へ導入するレーザーアブレーション法がある。 Further, as a method for simplifying the pretreatment, irradiating a strong laser beam, by increasing locally the surface temperature, the surface of the analyte evaporated, or into fine particles, collecting the vapor or particulate and, or a laser ablation method to be introduced into the analyzer using direct gas flow.

しかしながら、この方法では、レーザー照射によって分析対象物の表層部のみならず、表層部よりも内側の分析対象物までも蒸発あるいは微粒子化されるため、分析後の分析対象物の表面にはレーザー痕が残存してしまう。 However, in this method, not only the surface layer portion of the analyte by laser irradiation, since even the inner analyte than the surface layer portion is vaporized or atomized, laser marks on the surface of the analyte after analysis There remained to. したがって、前述したように、例えば、貴重品、絵画、犯罪試料、生体などの損傷を受けることが許されないものについては、この手法をとることはできないという問題があった。 Therefore, as described above, for example, valuables, paintings, crimes sample, for those that are not be damaged, such as a living body, there is a problem that can not take this approach. また、この手法において、試料の採取の程度を変えるには、レーザーのパワー、レーザーの照射時間、焦点の絞りくらいしかパラメータとして調整することができず、制御性に乏しいという欠点がある。 Also, in this technique, in varying degrees of sample collection, the laser power, irradiation time of the laser, it can not be adjusted only about aperture focus as a parameter, there is a disadvantage of poor controllability.

これに対し、近年、特に、犯罪分析の分野において、プラズマを用いて固体の分析対象物から試料を採取し、分析する手法が開発されている(例えば、非特許文献1、2参照)。 In contrast, in recent years, particularly in the field of crime analysis, using a plasma sample was taken from the analysis of solid, methods of analyzing have been developed (e.g., see Non-Patent Documents 1 and 2).

しかしながら、前記非特許文献1、2に開示された手法は、プラズマ源の構造の関係上、針電極がプラズマ中に溶け込むため、金属元素の検出は困難であり、プラズマの純度が低くなるため、高い分析精度を得ることができないという問題がある。 However, the technique disclosed in Non-Patent Documents 1 and 2, the plasma source structure on relationships, since the needle electrode dissolves into the plasma, detection of the metal element is difficult, since the purity of the plasma decreases, it is impossible to obtain a high accuracy of analysis. また、この手法は飛行時間質量分析装置(TOF−MS)を用いた分析にしか用いることができない、プラズマガスとしてヘリウムガスしか用いることができない、などの欠点がある。 Further, this approach can be used only for analysis using time of flight mass spectrometer (TOF-MS), only helium gas can not be used as the plasma gas, there are drawbacks such.

本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、分析対象物を破壊することなく、試料を採取し、直接、分析装置に導入することができるとともに、分析精度を向上させることを可能とするプラズマを用いたサンプリング法およびサンプリング装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, without destroying the analyte, a sample was taken directly, it is possible to introduce into the analyzer, it allows to improve the accuracy of analysis and and to provide a sampling method and sampling apparatus using a plasma.

前記目的を達成するため、本発明のプラズマを用いたサンプリング法は、 サンプリング室の開放部を、分析対象物の表面もしくは分析対象物が載置された載置台の表面に対して密着させることによって形成される大気圧近傍の閉空間内に、全体または一部が納められた分析対象物の表面に前記分析対象物が放電損傷することのないプラズマ温度が低温のプラズマを放出し、その表層部を蒸気または粒子として気相中に飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをプラズマの放出によって生じるガス流によって前記閉空間から導入手段を通して分析装置に導入することを特徴とする。 To achieve the above object, the sampling method using the plasma of the present invention, the opening of the sampling chamber that by close contact with the surface or analyte placed on the mounting surface of the table of the analyte into the closed space of approximately atmospheric pressure to be formed, to release a plasma plasma temperature cold never the analyte to the surface of the analyte in whole or in part is housed discharges damaged, the surface portion was a sample gas by scattering in a gas phase as a vapor or particles, and introducing the sample gas into the analyzer through the introducing means from said closed space by the gas flow caused by the release of plasma.

また、本発明のプラズマを用いたサンプリング装置は、分析対象物が放電損傷することのないプラズマ温度が低温のプラズマを発生させるプラズマ源と、分析対象物の全体または一部内部に収容し、前記分析対象物の表面もしくは前記分析対象物が載置される載置台の表面に対して端縁部分に取り付けられた密着部材を密着させることによって大気圧近傍の閉空間を形成するための開放部、前記プラズマ源により発生したプラズマを前記閉空間内に導入するための導入口、および前記分析対象物の表面に前記プラズマを放出して、その表層部を蒸気または粒子として気相中に飛散させたサンプルガスを流出するための流出口が形成されたサンプリング室と、前記サンプリング室によって形成される前記閉空間内からプラズマの放出によって The sampling device using the plasma of the present invention accommodates a plasma source without plasma temperature be analyte discharge damage to generate a low-temperature plasma, all or a portion of the analyte therein, opening to form a closed space near atmospheric pressure by contact adhesion member surface or the analyte of the analyte is attached to the edge portion to the surface of the mounting table to be placed , inlets for introducing the plasma generated by the plasma source into the closed space, and the plasma emits the surface of the analyte is scattered gas phase in the surface layer portion as a vapor or particles and a sampling chamber outlet is formed for flowing the sample gas, by the release of plasma from the closed space formed by said sampling chamber じるガス流によって流出する前記サンプルガスを分析装置に導入する導入手段とを備えることを特徴とする。 Characterized in that it comprises a means for introducing the analysis apparatus the sample gas flowing out by Jill gas stream.

前記プラズマ源は、内側にプラズマガスが導入される誘電体からなる誘電体管と、前記誘電体管の厚さ方向における外側に配置された1つ以上の導電体からなる第1電極管と、前記誘電体管の厚さ方向における内側、または、前記誘電体管の厚さ方向における外側に前記第1電極管と間隔をおいて配置される1つ以上の導電体からなる第2電極管とを有することを特徴とする。 The plasma source includes a dielectric tube made of a dielectric material which plasma gas is introduced into the inside, the first electrode tube comprising one or more electrical conductors located outside in the thickness direction of the dielectric tube, inward in the thickness direction of the dielectric tube, or a second electrode tube comprising one or more conductors are arranged at the first electrode tube and the gap on the outside in the thickness direction of the dielectric tube characterized in that it has a.

前記誘電体管は前記サンプリング室と接続されており、誘電体管の内側に導入される前記プラズマガスまたはキャリアガスのガス流によって、前記サンプリング室から前記サンプルガスが流出されるとともに、前記分析装置に導入されることを特徴とする。 The dielectric tube is connected to said sampling chamber, the gas flow of the plasma gas or carrier gas is introduced inside the dielectric tube, together with the sample gas is flowing out of the sampling chamber, the analyzer characterized in that it is introduced into.

前記プラズマ源は、前記第1電極管と第2電極管との間に直流電力または低周波数から高周波数のマイクロ波領域にわたる範囲に含まれるいずれかの周波数を有する交流電力およびパルス電力を印加する電源を有することを特徴とする。 The plasma source applies an alternating current power and pulsed power having any frequency included from the DC power or low frequency range extending microwave region of the high frequency between the first electrode tube and the second electrode tube characterized in that it has a power.

また、前記第1電極管および第2電極管は、白金ロジウム、白金、モリブデン、タングステン、トリウムタングステン合金、ランタンタングステン合金、セレンタングステン合金、これらのいずれかにアメリシウムまたはトリウムを付着させたもののいずれかからなることを特徴とする。 The first electrode tube and the second electrode tube, platinum-rhodium, platinum, molybdenum, tungsten, thorium tungsten alloy, lanthanum tungsten alloy, selenium tungsten alloy, any of those deposited these americium or thorium in any characterized in that it consists of.

さらに、前記プラズマはジェット状であることを特徴とする。 Further characterized in that said plasma is a jet-like.

本発明によれば、分析対象物を破壊することなく、その表層部のごく一部のみを飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをガス流によって直接、分析装置に導入することができる。 According to the present invention, without destroying the analyte, and the sample gas by scatter only a small portion of the surface layer portion, the sample gas may be introduced directly into the analyzer by the gas flow. したがって、従来のような複雑な前処理を行う必要がないため、分析精度の高い、迅速な分析を行うことが可能となる。 Therefore, it is not necessary to perform the conventional such complicated pretreatment, high analysis accuracy, it is possible to perform rapid analysis. また、従来において、損傷を受けることが許されないために分析できなかった分析対象物についても、高感度な分析装置を用いて分析を行うことが可能となる。 Further, in the conventional, for the analyte which can not be analyzed since it is not allowed to damage, it is possible to perform the analysis by using a highly sensitive analyzer.

(a)は、本発明の実施形態に係るサンプリング装置を示す概略図、(b)は(a)に示すプラズマ源のA−A断面図 (A) is a schematic diagram showing a sampling device according to an embodiment of the present invention, (b) the A-A sectional view of the plasma source shown in (a) 本実施形態のサンプリング装置の一実施例を示す概略図 Schematic diagram showing one embodiment of a sampling device of the present embodiment 銅板の基材にモリブデングリスを付着させた試料を用いたIPC−MSにおける各元素の信号強度の経時変化を示すグラフ Graph showing temporal changes of the signal intensity of each element in the IPC-MS using a sample deposited molybdenum grease base material of the copper plate 銅板の基材にアルミニウム複合グリスを付着させた試料を用いたIPC−MSにおける各元素の信号強度の経時変化を示すグラフ Graph showing temporal changes of the signal intensity of each element in the IPC-MS using a sample of aluminum composite grease deposited was the substrate of the copper plate

以下、本発明のプラズマを用いたサンプリング法を実施するサンプリング装置について、図面に示す実施形態により説明する。 DESCRIPTION sampling apparatus for carrying out the sampling method using the plasma of the present invention will be described by embodiments shown in the drawings.

なお、本発明によりサンプリング可能な試料は、固体、液体、気体、ゲルのいずれも可能である。 The sampling can sample the present invention is a solid, a liquid, a gas, any of the gel possible. また、本発明はバルクの分析対象物から表層部の一部をサンプリングする場合の他、分析対象物の表面上に付着した試料をサンプリングする場合にも用いることができる。 Further, the present invention can be used also in the case of other, samples the sample deposited on the surface of the analyte in the case of sampling a part of the surface layer portion from the analyte bulk. また、生体自体から表面に付着した試料をサンプリングすることも可能である。 It is also possible to sample the sample deposited from the biological itself to the surface.

本発明のサンプリング装置によりサンプリングした試料は、例えば、ICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析装置)、ICP−OES(誘導結合プラズマ発光分光分析装置)、MS(質量分析装置)、GC(ガスクロマトグラフ)、TOF−MS(飛行時間形質量分析装置)、マトリックス支援レーザー脱離イオン化法(MALDI)などの様々な分析装置に導入し、分析測定を行うことができる。 Sampled samples by the sampling device of the present invention, for example, ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometer), ICP-OES (inductively coupled plasma spectrophotometer), MS (mass spectrometer), GC (gas chromatograph) , TOF-MS (time-of-flight plasma volume analyzer), was introduced into various analytical devices such as matrix-assisted laser desorption ionization (MALDI), it is possible to perform the analysis measurements.

図1は、本発明の実施形態に係るサンプリング装置を示す概略図である。 Figure 1 is a schematic diagram showing a sampling device according to an embodiment of the present invention.

本実施形態のサンプリング装置1は、プラズマPを発生させるプラズマ源2と、内部に分析対象物またはその表面を収容するための開放部3a、前記プラズマ源2により発生したプラズマPを導入するための導入口3b、および前記試料の表面に前記プラズマPを放出して、その表層部を気相中に飛散させたサンプルガスを流出するための流出口3cが形成されたサンプリング室3と、前記サンプリング室3からガス流によって流出する前記サンプルガスを前記分析装置に導入する導入手段4とを備える。 Sampling device 1 of this embodiment includes a plasma source 2 for generating plasma P, opening 3a for accommodating an analyte or its surface therein, for introducing the plasma P generated by the plasma source 2 inlet 3b, and then releasing the plasma P on the surface of the sample, the sampling chamber 3 outlet 3c are formed for flowing the sample gas obtained by scattering the surface portion in the gas phase, the sampling the sample gas flowing through the gas flow from the chamber 3 and a introduction means 4 for introducing into the analyzer.

前記サンプリング室3は、例えば、図1に示すように、その一部(図1における下方部)が開放部3aとして開放された半球形とされている。 It said sampling chamber 3, for example, as shown in FIG. 1, a portion (lower portion in FIG. 1) is the open hemispherical as an open portion 3a. なお、サンプリング室3の形状やプラズマ源に対する相対的な大きさ等は変更可能である。 Incidentally, the relative size of the sampling chamber 3 on the shape and the plasma source can be changed. また、サンプリング室3の外周部には、前記導入口3bおよび流出口3cがそれぞれ離間して形成されている。 Further, on the outer peripheral portion of the sampling chamber 3, the inlet 3b and an outlet 3c are spaced apart respectively. なお、これらの導入口3bおよび流出口3cの形成位置はプラズマの入射角によって調整することが望ましい。 The formation positions of these inlets 3b and outlet 3c is preferably adjusted according to the angle of incidence of the plasma.

また、サンプリング室3の開放部3aを形成する開放端縁部分には、例えば、吸盤5、Oリングなどの密着部材が取り付けられており、固体のバルクを分析する場合には、前記開放部3aを分析対象物側に向けた状態で、吸盤5を試料Sの表面、あるいは載置台に吸着させて、サンプリング室3内を密閉することができる。 In addition, the opening edge portion forming the opening portion 3a of the sampling chamber 3, for example, suction cups 5, O and ring contact member such as mounted, when analyzing solid bulk, the opening 3a the state toward the analyte side, the suction cup 5 is adsorbed surface of the sample S or the mounting table, it is possible to seal the sampling chamber 3.

前記プラズマ源2は、ガラスやセラミックなどの誘電体からなる誘電体管2aと、前記誘電体管2aに配設された導電体からなる第1電極管2bおよび第2電極管2cと、こららの電極間に電力を印加する電源(図示せず)とからなる。 The plasma source 2 includes a dielectric tube 2a made of a dielectric material such as glass or ceramic, a first electrode tube 2b and the second electrode tube 2c made of the dielectric tube 2a disposed in the conductor, Korara It consists power supply (not shown) for applying power between the electrodes.

具体的には、誘電体管2aの長さ方向における中央には、図1(b)に示すように、厚さ方向における外側および内側に、それぞれ誘電体管2aを挟んで第1電極管2bおよび第2電極管2cが配置されている。 Specifically, the center in the length direction of the dielectric tube 2a, as shown in FIG. 1 (b), outer and inward in the thickness direction, the first electrode tube 2b across each dielectric tube 2a and the second electrode tube 2c are disposed.

第1電極管2bおよび第2電極管2cの素材としては、融点が高いなどの理由で白金ロジウム、白金、モリブデン、タングステン等の金属が好ましいが、放電のし易さや安定性を重視する場合は、放射性物質を微量含むトリウムタングステン合金、ランタンタングステン合金、セレンタングステン合金などを用いてもよい。 As a material for the first electrode tube 2b and the second electrode tube 2c, platinum-rhodium for reasons such as a high melting point, platinum, molybdenum, a metal such as tungsten are preferred, when importance is attached to the discharge easiness and stability , thorium tungsten alloy radioactive material containing a trace amount of lanthanum tungsten alloy, selenium tungsten alloy may be used. あるいは、これらのいずれかにアメリシウムやトリウムを微量塗布、スパッタ、メッキ、埋め込み処理などにより付着させてもよい。 Alternatively, americium and thorium trace applied to either of these, sputtering, plating may be deposited by such embedding process. これらの素材を用いることで、プラズマ放電の安定性を向上させることができる。 By using these materials, it is possible to improve the stability of the plasma discharge. また、分析対象物が電気伝導性を示す物質の場合、これを一方の電極として作用させる構造としてもよい。 Also, if the analyte of substance exhibiting electrical conductivity, which may have a structure to act as one electrode. また、分析対象物が絶縁物の場合、これを誘電体管2aとして作用させる構造としてもよい。 Furthermore, the analyte may insulator, which may be used as the structure to act as a dielectric tube 2a.

なお、第1電極管2bおよび第2電極管2cはいずれもプラズマに触れておらず、誘電体管2aを介してプラズマに電力を供給する構造が望ましいが、第1電極管2b、第2電極管2cの少なくとも一方が直接プラズマに触れる構造でもよい。 Incidentally, both the first electrode tube 2b and the second electrode tube 2c is not touching the plasma, it is desirable structure for supplying power to the plasma through a dielectric tube 2a, the first electrode tube 2b, the second electrode at least one pipe 2c is a structure where touching the direct plasma. その場合には第1電極管2b、第2電極管2cの素材が分析対象物の物質を含まず、あるいは分析対象物の物質と反応し、分析を妨げる恐れのないものを使用することが望ましい。 In that case the first electrode tube 2b, it is desirable that the material of the second electrode tube 2c does not include a substance of the analyte, or reacts with material of the analyte, to use a no may interfere with analysis .

また、第1電極管2bおよび第2電極管2cの配置および数は変更可能である。 The arrangement and number of the first electrode tube 2b and the second electrode tube 2c can be changed. 例えば、誘電体管2aの厚さ方向における外側に第1電極管2bを配置し、さらに間隔をおいて第1電極管2bの外側に第2電極管2cを配置させてもよい。 For example, the first electrode tube 2b arranged outside in the thickness direction of the dielectric tube 2a, it may be further disposed a second electrode pipe 2c to the outside of the first electrode tube 2b at intervals.

前記電源には、直流電力または低周波数から高周波数のマイクロ波領域にわたる範囲に含まれるいずれかの周波数を有する交流電力およびパルス電力を印加する電源を用いることができる。 The power source may be used a power source for applying AC power and pulsed power with any of the frequencies included in the range extending microwave region of the high-frequency from the DC power or low frequencies.

また、本実施形態においては、前記誘電体管2aのプラズマPが放出される一端部(図1における下端部)は、前記導入口3bよりサンプリング室3の内側に組み込まれている。 In the present embodiment, one end plasma P is released of the dielectric tube 2a (the lower end in FIG. 1) is incorporated inside the sampling chamber 3 from the inlet port 3b.

前記導入手段4は、例えば、一端部が分析装置の採取された試料Sの入り口と接続され、他端部が前記流出口3cに取り付けられたチューブ8からなる。 It said introduction means 4, for example, is connected to the inlet of the harvested sample S at one end analysis device, consisting of a tube 8 the other end is attached to the outlet port 3c. さらに、図1(a)に示すように、前記チューブ8の中間位置にポンプ9を接続し、サンプリング室3の流出口3cに、例えば、電動または手動のチャッキバルブなどのバルブ10を取り付けることが好ましい。 Furthermore, as shown in FIG. 1 (a), to connect the pump 9 to the intermediate position of the tube 8, the outlet 3c of the sampling chamber 3, for example, be attached to the valve 10 such as an electric or manual chuck valve preferable. 前記バルブ10は、サンプリング室3内を密閉した状態でサンプリング室3の気圧が上がった場合にのみ開放するため、サンプルガスの逆流を防止することができる。 The valve 10, for opening only when the pressure in the sampling chamber 3 rises while sealing the sampling chamber 3, it is possible to prevent backflow of the sample gas. またさらに、サンプリング室3の外周部に内部のガスを脱気するための流出口およびバルブを別途設けてもよい。 Furthermore, it may be provided separately outlet and valve for degassing the inside of the gas in the outer peripheral portion of the sampling chamber 3. この場合には、流出口3c側のバルブ10は電動にすることが好ましい。 In this case, the valve 10 of the outlet port 3c side is preferably an electric. なお、ポンプ9は必ずしも接続する必要はない。 In addition, the pump 9 is not necessarily need to be connected.

このようなサンプリング装置1を用いたサンプリングを行う場合、まず、サンプリング室3の開放部3aを分析対象物の表面側に向けて、分析対象物のサンプリングしたい部分を開放部3aの内側に配置させて、表面に吸盤5を吸着させて密閉する。 When performing sampling using such sampling device 1, first, toward the opening portion 3a of the sampling chamber 3 on the surface side of the analyte, it is disposed sampled like portion of the analyte to the inside of the opening portion 3a Te, and sealed the suction cup 5 is adsorbed to the surface. そして、誘電体管2aの内側にプラズマガス(例えば、ヘリウムガス)を導入し、前記電源より第1電極管2bと第2電極管2cとの間に電力を印加する。 Then, the plasma gas inside the dielectric tube 2a (e.g., helium gas) was introduced, to apply a force between the first electrode line 2b and the second electrode tube 2c than the power supply. これにより、誘電体バリア放電によってプラズマガスがプラズマ化され、誘電体管2aの一端部(図1における下方部)からサンプリング室3内の分析対象物の表面にプラズマPが放出される。 This will plasma plasma gas by a dielectric barrier discharge, one end of the dielectric tube 2a is the surface to a plasma P of the analyte sample chamber 3 from the (lower portion in FIG. 1) is released.

分析対象物の表面にプラズマPが放出されると、プラズマ中に多量に含まれる高エネルギー粒子(イオン、ラジカル、電子など)によって、分析対象物の表層部が剥離、蒸発、励起、イオンの1種もしくは複数の組み合わせによる処理を受けて蒸気や粒子となって気相中にサンプリングガスとして飛散される。 The plasma P on the surface of the analyte is released, the high-energy particles (ions, radicals, electrons, etc.) contained in a large amount in the plasma, the surface layer portion of the analyte peeling, evaporation, excitation, 1 ion undergoing treatment with species or a plurality of combinations are scattered as the sampling gas to the gas phase becomes vapor and particles. このサンプリングガスは、誘電体管2a内に導入されるプラズマガスのガス流によって、流出口3cから延出されたチューブ8を介して搬送され、分析装置の入り口に導入される。 The sampling gas by the gas flow of the plasma gas introduced into the dielectric tube 2a, is conveyed through the tube 8 which extends from the outlet 3c, it is introduced into the inlet of the analyzer.

なお、分析対象物の表面にプラズマPを放出する前に、予めサンプリング室3内を排気して真空状態にした後、プラズマPを照射してもよい。 Incidentally, prior to releasing the plasma P on the surface of the analyte after the vacuum state by exhausting the previously sampled chamber 3, it may be irradiated with plasma P. これにより、サンプリング室3内に残留する気体からの汚染を防止でき、さらに、サンプリング室3内の気圧が低くなり、プラズマ源2内の気圧も低くなるため、プラズマしにくいプラズマガスを用いた場合であっても容易にプラズマ化させることができる。 This prevents contamination from the gas remaining in the sampling chamber 3, further pressure sampling chamber 3 is lowered, since the lower air pressure in the plasma source 2, when a plasma hardly plasma gas even it can easily be plasma. また、サンプリング室3内において、分析対象物の表面にプラズマPをある程度の時間放出した後、サンプリング室3内をサンプルガスで満たした後、バルブ10を開放して一気に分析装置に導入してもよい。 Further, the sampling chamber 3, after the plasma P has been released some time on the surface of the analyte, after filling the sampling chamber 3 the sample gas, be introduced at once analyzer by opening the valve 10 good. これにより、分析装置に分析対象物が導入される時間が短縮されることで、分析感度を向上させることができる。 Thus, by the time the analyte in the analyzer is introduced is reduced, thereby improving the assay sensitivity.

また、本実施形態においては、誘電体管2aの一端部から導入されるプラズマガスのガス流によってサンプルガスを搬送したが、サンプルガスとともに誘電体管2aを二重管に形成し、別途キャリアガスを導入し、このキャリアガスのガス流によってサンプルガスを搬送してもよい。 In the present embodiment, although transport the sample gas by the gas flow of the plasma gas introduced from one end of the dielectric tube 2a, a dielectric tube 2a formed in a double tube with the sample gas, separately carrier gas introduced, it may carry sample gas by the gas flow of the carrier gas.

プラズマ源2の構造やプラズマガスの種類などは、分析対象物の特性、例えば、硬度、温度に対するダメージの程度によって選択することが好ましい。 Like structure and the type of plasma gas in the plasma source 2, characteristics of the analyte, for example, hardness, it is preferable to select the degree of damage to the temperature. 例えば、プラズマガスにヘリウムガスを用いることで、特に、イオン化しにくい塩素やフッ素を含む分析試料Sを特異的にガス中に飛散させることができる。 For example, by using a helium gas plasma gas, in particular, it can be scattered in specifically gas analysis sample S containing hard chlorine or fluorine ionized. また、酸素ガスを用いることで酸化しやすい物質を、特異的にガス中に飛散させることができる。 Further, the easily oxidized material by using oxygen gas, specifically can be scattered in the gas.

ここで、プラズマガスに希ガスを用いた場合には、反応性を持たないプラズマが生成されるため、分析対象物の表層部で物理的な反応(スパッタ)が起こることで、サンプリングが行われる。 Here, in the case of using a rare gas into the plasma gas for plasma having no reactivity is generated, the physical reactions (sputtering) in the surface layer portion of the analyte that happens, the sampling is performed . この場合、サンプリング速度(量)はプラズマの密度×流量に比例する。 In this case, the sampling rate (amount) is proportional to the density × flow rate of the plasma. これに対し、プラズマガスに分子ガスを混合させた場合には、活性なラジカル(例えば、OラジカルやOHラジカル)が発生するため、分析対象物の表層部で化学反応が起こることで、サンプリングが行われる。 In contrast, in the case of mixed molecular gas into the plasma gas, active radicals (eg, O radicals and OH radicals) because occurs, the surface layer portion of the analyte by a chemical reaction occurs, sampling It takes place. そのため、プラズマガスに用いるガスの種類を変えることで、発生するラジカルの種類が変わるため、サンプリングされる物質やサンプリング速度を選択的に変えることができる。 Therefore, by changing the kind of gas used for the plasma gas, since the type of radicals generated is changed, it is possible to change the material and the sampling rate are sampled selectively.

分析対象物とプラズマとの組み合わせについては、相性によって選択することが好ましい。 The combination of the analyte and the plasma is preferably selected by affinity. 例えば、有機化合物に対しては、親水化と同様の原理で、酸素ラジカルと反応して表面の試料を剥離させることができるため、酸素混合プラズマやN Oプラズマが好ましい。 For example, for the organic compound, the same principle as hydrophilic, since it is possible to peel a sample of the surface react with oxygen radicals, oxygen mixed plasma or N 2 O plasma is preferred. また、何らかの酸化物に対しては、表面の試料を還元反応によって放出させることができる水素プラズマが好ましい。 Also, for some oxides, hydrogen plasma can be released sample surface by the reduction reaction is preferred. また、ガラス試料に対しては、フッ素がガラスを攻撃して試料が放出されやすくなるため、フッ素系ガス混合プラズマが好ましい。 Further, for the glass sample, because fluorine attacks the glass sample tends to be released, a fluorine-based gas mixture plasma is preferred. また、金属に対しては、物理的な反応(スパッタ)が起こりやすくなるため、Arプラズマが好ましい。 Further, for the metal, since the physical reactions (sputtering) is likely to occur, Ar plasma is preferred.

また、プラズマPの放電方式としては、上記の誘電体バリア放電の他、例えば、誘導結合プラズマ放電(ICP)、容量結合プラズマ放電(CCP)、ホローカソード放電、コロナ放電、ストリーマ放電、グロー放電、アーク放電のいずれを用いてもよい。 As the discharge method of the plasma P, in addition to the above dielectric barrier discharge, for example, inductively coupled plasma discharge (ICP), capacitively coupled plasma discharge (CCP), hollow cathode discharge, corona discharge, streamer discharge, glow discharge, it may be either an arc discharge.

また、プラズマPによって分析対象物の損傷を極力防止したい場合には、所定の放電方式によって発生させることができ、プラズマ温度が低温(例えば、生体にプラズマが照射されても生体に損傷が発生しない程度の温度、37度以下)で、放電損傷しない、具体的には熱くもなくまた触っても感電しないいわゆるダメージフリープラズマPを用いることが好ましい。 When it is desired to minimize prevent damage to the analyte by the plasma P may be generated by a predetermined discharge method, plasma temperature low temperature (e.g., damage to living body plasma living body is irradiated not occur the degree of temperature, below 37 degrees), no discharge damage, it is preferable to use a so-called damage-free plasma P which is not shock once again touch without hot specifically. また、プラズマPの濃度(プラズマP中のイオンや電子の濃度)を変更することで、分析対象物の深さ方向の分析情報を得ることも可能である。 Further, by changing the concentration (concentration of ions and electrons in the plasma P) of the plasma P, it is possible to obtain the analysis information in the depth direction of the analyte.

本実施形態によれば、分析対象物を破壊することなく、その表層部のごく一部のみを飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをガス流によって直接、分析装置に導入することができる。 According to this embodiment, without destroying the analyte, and the sample gas by scatter only a small portion of the surface layer portion, the sample gas may be introduced directly into the analyzer by the gas flow. したがって、従来のような複雑な前処理を行う必要がないため、分析精度の高い、迅速な分析を行うことが可能となる。 Therefore, it is not necessary to perform the conventional such complicated pretreatment, high analysis accuracy, it is possible to perform rapid analysis. また、従来において、損傷を受けることが許されないために分析できなかった分析対象物についても、高感度な分析装置を用いて分析を行うことが可能となる。 Further, in the conventional, for the analyte which can not be analyzed since it is not allowed to damage, it is possible to perform the analysis by using a highly sensitive analyzer.

本実施形態によれば、サンプリング室内から分析装置に導入されるサンプルガスは気相中に分散しているため、従来の前処理やレーザーアブレーションなどにより得られる試料と比べて極端に水分が少ない。 According to this embodiment, since the sample gas introduced into the analyzer from the sampling chamber is dispersed in the gas phase, less extreme moisture than the sample obtained by such a conventional pre-treatment or laser ablation. また、サンプルガスに含まれる粒子の粒径も小さく、極微量である。 The particle diameter of particles contained in the sample gas is small, a very small amount. したがって、従来のような、試料に水分が含まれることによる分析感度の低下、あるいは、試料の粒径が大きいこと、多量の使用が分析装置に導入されることで生じる、いわゆるマトリックス効果などによる分析への影響を解消することが可能となるなどの効果を奏する。 Therefore, conventional, such as, reduction in analytical sensitivity due to the contained moisture in the sample, or the particle size of the sample is large, resulting in a large amount of use is introduced into the analyzer, analysis by so-called matrix effect possible to eliminate the influence of the an effect such as is possible.

[第1実施例] First Embodiment
次に、ICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析装置)(Agilent technologies HP4500)を用いて具体的に分析した結果について説明する。 Then, ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometer) (Agilent technologies HP4500) result will be described as specifically analyzed using.

第1実施例において用いたサンプリング装置1は、図2に示すように、90度折り曲げ加工された石英管6を用い、その角部分をサンプリング室3、L字状の一辺側(図2における左辺側)を誘電体管2aとされている。 Sampling device 1 is used in the first embodiment, as shown in FIG. 2, a quartz tube 6 which is bent 90 degrees, the left side at the corner portion sampling chamber 3, L-shaped one side (FIG. 2 side) there is a dielectric tube 2a.

前記石英管6の角部分の周側面には開放部3aが形成されており、分析を行う際には、この開放部3aの内側に試料Sを配置させることで、サンプリング室3内に分析対象物を収容可能となっている。 The peripheral side surface of the corner portions of the quartz tube 6 is open portion 3a is formed, in performing the analysis, by arranging the sample S inside the opening portion 3a, the analyte in the sampling chamber 3 It has become able to accommodate things.

また、L字状の石英管6の一辺側(図2における左辺側)における中央には、前述したような第1電極管2bおよび第2電極管2cが、厚さ方向における内側および外側にそれぞれ配置されている。 At the center of the L-shaped one side of the quartz tube 6 (the left side in FIG. 2), the first electrode tube 2b and the second electrode tube 2c as described above, respectively to the inner and outer side in the thickness direction It is located. 第1電極管2bおよび第2電極管2cには、電源として9kVの高電圧電源が接続されている。 The first electrode tube 2b and the second electrode tube 2c, the high voltage power supply of 9kV is connected as a power source. また、L字状の石英管6の一辺側(図2における左辺側)の一端部(図2における上端部)からはプラズマガスが導入可能となっており、一対の電極間に電圧を印加させることにより、誘電体バリア放電によって、L字状の石英管6の一辺(図2における左辺)の軸方向に長尺なプラズマPが発生し、サンプリング室3内の試料Sにジェット状のプラズマPが噴射されるようになっている。 One end of the L-shaped one side of the quartz tube 6 (the left side in FIG. 2) is from (upper end in FIG. 2) has a plasma gas can be introduced, to apply a voltage between the pair of electrodes it allows the dielectric barrier discharge, elongated plasma P in the axial direction of generated (left side in FIG. 2) L-shaped side of the quartz tube 6, a jet-like plasma P on the sample S of the sampling chamber 3 There has been adapted to be injected.

なお、本実例においては、一対の電極が対向する位置を試料Sの位置から近接した位置に配置することにより、高濃度のプラズマPを試料Sに照射可能となっている。 In the present example, by arranging a position at which the pair of electrodes is opposed to a position close from the position of the sample S, and has a capable of irradiating high density plasma P on the sample S. また、本実施例において発生するプラズマPの温度は約40℃の低温であり、プラズマPの温度が低温で、放電損傷がない、いわゆるダメージフリープラズマとなっている。 The temperature of the plasma P generated in this embodiment is a low temperature of about 40 ° C., at a low temperature of the plasma P is discharged undamaged, a so-called damage-free plasma.

また、L字状の石英管6の他辺側(図2における右辺側)の上端部はプラズマPが試料Sに噴射され、気相中に飛散されたサンプルガスを流出可能とされた流出口3cとされている。 Also, the other side of the L-shaped quartz tube 6 the upper end of the (right side in FIG. 2) is a plasma P is injected into the sample S, the outlet which is capable outflow scattered sample gas in the gas phase there is a 3c. この流出口3cに分析装置と接続されたチューブを取り付けることで、誘電体管3の内側に導入されたプラズマガスのガス流によって、流出口3cからサンプルガスが流出され、チューブを介して分析装置に導入されるようになっている。 By attaching the connecting tubing and the analysis device to the outlet 3c, by the gas flow of the plasma gas introduced into the inside of the dielectric tube 3, the sample gas is flowing out from the outlet 3c, the analyzer through a tube It is adapted to be introduced to. すなわち、本実施例においては、プラズマガスは、分析装置にサンプルガスを導入するためのキャリアガスとしても作用するようになっている。 That is, in this embodiment, the plasma gas is arranged to act as a carrier gas for introducing a sample gas to the analyzer.

次に、上記のサンプリング装置1を用い、IPC−MSによる分析実験を行った。 Next, using the above-described sampling device 1 was analyzed experiments with IPC-MS. この実験においては、基材7の銅板を破壊することなく、分析試料Sを採取し、実際に検出対象の元素を検出することが可能かどうかを確認した。 In this experiment, without destroying the copper plate substrate 7, the analytical sample S was taken and confirmed whether it is possible to detect the actual detection target element.

まず、ヘリウムガスのガス流によって気相中に分散されないものとして、基材7の銅板上に付着したモリブデングリスを試料Sに用い、プラズマガスとしてヘリウムガスを用い、流量を1L/minとし、ICP−MSにて分析実験を行った。 First, as not being dispersed in the gas phase by the gas flow of helium gas, a molybdenum grease deposited on the copper plate of the base member 7 to the sample S, the helium gas used as the plasma gas, the flow rate 1L / min, ICP It was analyzed experiment at -MS.

ここで、予め試料Sを付着させている基材7である銅板にプラズマPを噴射し、プラズマPによる損傷があるかどうかを確認した。 Here, by ejecting a plasma P in the copper plate is a substrate 7 that is preliminarily attached to the sample S, and see if there is damage plasma P. 具体的には、上記のサンプリング装置1を用いて、銅板上のモリブデングリスを開放部3aに配置することで、モリブテングリスをサンプリング室3内に収容した後、電源をON状態にし、モリブテングリスの表面上に5分間プラズマPを放出した。 Specifically, using the above sampling device 1, by disposing the molybdenum grease on the copper plate in the opening 3a, after housing the molybdenum grease sampling chamber 3, the power is turned ON, the molybdenum grease It was released 5 minutes plasma P on the surface. その結果、基材7の銅板の表面にはプラズマPによる損傷の痕跡は全く確認されなかった。 As a result, the surface of the copper plate of the substrate 7 evidence of plasma damage P was not at all confirmed.

次に、サンプリング装置1のガス導入口3bと、ヘリウムガスのボンベとの間をチューブ(図示せず)で連結し、また、ICP−MSに内蔵されたプラズマトーチと、上記のサンプリング装置1の前記サンプル流出口3cとの間を前記チューブで連結し、サンプリング装置1の電源を入れて分析測定を行った。 Next, a gas inlet port 3b of the sampling device 1, between the cylinder of the helium gas was connected by tubing (not shown), also a plasma torch which is incorporated in the ICP-MS, the sampling device 1 wherein between the sample outlet 3c connected with the tube, it was analyzed measurement Turn the sampling device 1.

図3は、各元素についての検出信号の時間変化を示すグラフである。 Figure 3 is a graph showing the time change of the detection signal for each element. この分析測定においては、ICP−MSにおける測定(モニター)開始から75秒後にサンプリング装置1の電源を入れ、125秒後に電源を切り、それぞれ質量数が95、96、98のMoの検出信号をモニターした。 In this analytical measurement, turn on the sampling device 1 from the measurement (monitor) starts in ICP-MS after 75 seconds, turn off after 125 seconds, the mass number each monitor the detection signal of Mo 95,96,98 did. 同時に、試料Sを構成する元素以外の質量数56のArO+、質量数23のNaについてもモニターした。 At the same time, ArO + elements other than the mass number 56 that constitute the sample S, were also monitored for Na of mass number 23.

図3に示すように、サンプリング装置1の電源を入れた時間内(測定開始から75秒後から125秒後までの間)において、Moの検出信号のピークが約100秒後に確認された。 As shown in FIG. 3, in the time you turn the sampling device 1 (from 75 seconds after the start of measurement until after 125 seconds), the peak of the detection signal of Mo was observed after about 100 seconds. また、同時にモニターしたArO+、Naの検出信号には変化が確認できないため、電気的なノイズやICP−MSの不安定等に起因する偶発的な信号の増加ではないと考えられる。 Further, ArO + were monitored simultaneously, since the change in the detection signal of Na can not be confirmed, not considered to be an increase in accidental signal due to instability or the like of electrical noise and ICP-MS.

以上から、上記のサンプリング装置1を用いることで、分析対象物の銅板の基材7に損傷を与えることなく、プラズマPの放出によって試料Sであるモリブデンが採取され、ICP−MSで検出することができることが確認された。 From the above, by using the sampling device 1, without damage to the substrate 7 of the copper plate of the analyte, molybdenum which is a sample S by the release of plasma P are taken, it is detected by ICP-MS it has been confirmed that it is possible.

[第2実施例] Second Embodiment
第2実施例においては、上記の第1実施例と同様のサンプリング装置1を用い、ヘリウムガスにより分散されない試料Sとして、基材7の銅板上に付着させたアルミニウム複合グリスを試料Sとして用い、ICP−MSによる分析測定を行った。 In the second embodiment, using the sampling device 1 of the same as the first embodiment described above, as a sample S which is not distributed by the helium gas, an aluminum composite grease deposited on a copper plate substrate 7 as a sample S, It was analyzed measured by ICP-MS.

図4は、各元素についての検出信号の時間変化を示すグラフである。 Figure 4 is a graph showing the time change of the detection signal for each element. この分析測定においては、ICP−MSにおける測定(モニター)開始から50秒後にサンプリング装置1の電源を入れ、250秒後に電源を切り、合計300秒間測定した。 In this analytical measurement, turn on the sampling device 1 from the measurement (monitor) starts in ICP-MS after 50 seconds, turn off after 250 seconds was measured a total of 300 seconds. また、ICP−MSにより質量数27のAlの質量信号をモニターし、同時に、試料Sを構成する元素以外の質量数56のArO+、および銅板である基材7の構成元素である質量数63のCuについてもモニターした。 Further, to monitor the Al mass signal of a mass number of 27 by ICP-MS, at the same time, the elements other than the mass number 56 that constitute the sample S ArO +, and the mass number 63 is a constituent element of the substrate 7 copper plate They were also monitored for Cu.

図4に示すように、サンプリング装置1の電源を入れた時間内(測定開始から50秒後から250秒後までの間)において、質量数が27のAlの検出信号の増加が約60秒後から約150秒後に亘って確認された。 Figure 4 As shown in, in the time you turn the sampling device 1 (from 50 seconds after the start of measurement until after 250 seconds), the mass number 27 of Al detectable increase in signal of approximately 60 seconds after It has been confirmed from over after about 150 seconds. また、同時にモニターしたArO+の検出信号には変化が確認できないため、電気的なノイズやICP−MSの不安定による起因する偶発的な信号の増加ではないと考えられる。 Moreover, because it is unable to verify change in the ArO + detection signals simultaneously monitored, not considered to be an increase in accidental signals caused by unstable electrical noise or ICP-MS.

また、基材7の構成元素である質量数63のCuの信号増加が確認されなかったため、プラズマPを分析対象物に放出したことにより、基材7に損傷を与えることがないことが確認された。 Further, since the signal increases in Cu having a mass number of 63 is a constituent element of the substrate 7 is not verified, by which to release plasma P to an analyte, it is confirmed not to give damage to the substrate 7 It was.

以上から、上記のサンプリング装置1を用いることで、分析対象物の銅板の基材7に損傷を与えることなく、プラズマPの放出によって試料Sであるアルミニウムが採取され、ICP−MSで検出することができることが確認された。 From the above, by using the sampling device 1, without damage to the substrate 7 of the copper plate of the analyte, aluminum which is a sample S is taken by the release of plasma P, it can be detected by ICP-MS it has been confirmed that it is possible.

なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて変更することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment can be modified as needed.

例えば、プラズマPを分析対象物に放出する際に、水素化物生成法を用いて、サンプリング室3内に気体の水素化物を生成し、その気体をプラズマPに導入することで、試料Sが飛散しやすい状態にしてもよい。 For example, when releasing plasma P to an analyte, using a hydride-forming method to produce the hydride gas sampling chamber 3, by introducing the gas into the plasma P, the sample S is scattered it may be easy to state.

1 サンプリング装置 2 プラズマ源 2a 誘電体管 2b 第1電極管 2c 第2電極管 3 サンプリング室 3a 開放部 3b 導入口 3c 流出口 4 導入手段 7 基材 8 チューブ 9 ポンプ 10 バルブ P プラズマ S 試料 1 sampling device 2 plasma source 2a dielectric tube 2b first electrode tube 2c second electrode tube 3 sampling chamber 3a opening 3b inlet 3c outlet 4 introducing means 7 substrate 8 tube 9 Pump 10 Valve P Plasma S samples

Claims (7)

  1. サンプリング室の開放部を、分析対象物の表面もしくは分析対象物が載置された載置台の表面に対して密着させることによって形成される大気圧近傍の閉空間内に、全体または一部が納められた分析対象物の表面に前記分析対象物が放電損傷することのないプラズマ温度が低温のプラズマを放出し、その表層部を蒸気または粒子として気相中に飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをプラズマの放出によって生じるガス流によって前記閉空間から導入手段を通して分析装置に導入することを特徴とするプラズマを用いたサンプリング法。 The opening of the sampling chamber, in the closed space of approximately atmospheric pressure to surface or analyte of the analyte is formed by close contact with the placed mounting surface of the table, pay the whole or part was no plasma temperature of said analyte on the surface of the analyte is discharged damage emit low temperature plasma, a sample gas by scattering gas phase in the surface layer portion as a vapor or particles, the sample sampling method using a plasma, characterized in that introduced into the analyzer through the introducing means from said closed space by the gas flow to produce a gas by discharge plasma.
  2. 分析対象物が放電損傷することのないプラズマ温度が低温のプラズマを発生させるプラズマ源と、 A plasma source plasma temperature never analyte discharge damage to generate a low-temperature plasma,
    分析対象物の全体または一部内部に収容し、前記分析対象物の表面もしくは前記分析対象物が載置される載置台の表面に対して端縁部分に取り付けられた密着部材を密着させることによって大気圧近傍の閉空間を形成するための開放部、前記プラズマ源により発生したプラズマを前記閉空間内に導入するための導入口、および前記分析対象物の表面に前記プラズマを放出して、その表層部を蒸気または粒子として気相中に飛散させたサンプルガスを流出するための流出口が形成されたサンプリング室と、 All or part of the analyte accommodated therein, it is brought into close contact adhesion member attached to edge portions with respect to the analyte on the surface or surfaces of the mounting table in which the analyte is placed the opening portion for forming a closed space near atmospheric pressure, the inlet for introducing the generated plasma into the closed space by the plasma source and the plasma being discharged to the surface of the analyte, a sampling chamber outlet for discharging the sample gas obtained by scattered gas phase in the surface layer portion as a vapor or particles are formed,
    前記サンプリング室によって形成される前記閉空間内からプラズマの放出によって生じるガス流によって流出する前記サンプルガスを分析装置に導入する導入手段と、 And introducing means for introducing said sample gas flowing through the gas flow produced by the release of plasma from the closed space formed by said sampling chamber analysis device,
    を備えることを特徴とするプラズマを用いたサンプリング装置。 Sampling device using a plasma, characterized in that it comprises a.
  3. 前記プラズマ源は、内側にプラズマガスが導入される誘電体からなる誘電体管と、前記誘電体管の厚さ方向における外側に配置された1つ以上の導電体からなる第1電極管と、前記誘電体管の厚さ方向における内側、または、前記誘電体管の厚さ方向における外側に前記第1電極管と間隔をおいて配置される1つ以上の導電体からなる第2電極管とを有することを特徴とする請求項2に記載のプラズマを用いたサンプリング装置。 The plasma source includes a dielectric tube made of a dielectric material which plasma gas is introduced into the inside, the first electrode tube comprising one or more electrical conductors located outside in the thickness direction of the dielectric tube, inward in the thickness direction of the dielectric tube, or a second electrode tube comprising one or more conductors are arranged at the first electrode tube and the gap on the outside in the thickness direction of the dielectric tube sampling device using a plasma according to claim 2, characterized in that it comprises a.
  4. 前記誘電体管は前記サンプリング室と接続されており、誘電体管の内側に導入される前記プラズマガスまたはキャリアガスのガス流によって、前記サンプリング室から前記サンプルガスが流出されるとともに、前記分析装置に導入されることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のプラズマを用いたサンプリング装置。 The dielectric tube is connected to said sampling chamber, the gas flow of the plasma gas or carrier gas is introduced inside the dielectric tube, together with the sample gas is flowing out of the sampling chamber, the analyzer sampling device using a plasma according to claim 2 or claim 3, characterized in that it is introduced into.
  5. 前記プラズマ源は、前記第1電極管と第2電極管との間に直流電力または低周波数から高周波数のマイクロ波領域にわたる範囲に含まれるいずれかの周波数を有する交流電力およびパルス電力を印加する電源を有することを特徴とする請求項3または請求項4に記載のプラズマを用いたサンプリング装置。 The plasma source applies an alternating current power and pulsed power having any frequency included from the DC power or low frequency range extending microwave region of the high frequency between the first electrode tube and the second electrode tube sampling device using a plasma according to claim 3 or claim 4 characterized in that it has a power.
  6. 前記第1電極管および第2電極管は、白金ロジウム、白金、モリブデン、タングステン、トリウムタングステン合金、ランタンタングステン合金、セレンタングステン合金、これらのいずれかにアメリシウムまたはトリウムを付着させたもののいずれかからなることを特徴とする請求項3乃至請求項5のいずれか1項に記載のプラズマを用いたサンプリング装置。 The first electrode line and the second electrode tube consists any of those platinum-rhodium, platinum, molybdenum, tungsten, thorium tungsten alloy, lanthanum tungsten alloy, selenium tungsten alloy, so one of these attaching Americium or Thorium sampling device using a plasma according to any one of claims 3 to 5, characterized in.
  7. 前記プラズマはジェット状であることを特徴とする請求項2乃至請求項6のいずれか1項に記載のプラズマを用いたサンプリング装置。 The plasma sampling apparatus using a plasma according to any one of claims 2 to 6, characterized in that a jet-like.
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