JP5528250B2 - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
燃料電池等の電池またはハードディスクドライブ等の電子機器においては、回路素子間の電気信号の伝送路として配線回路基板が用いられる。配線回路基板の製造時には、ベース絶縁層上の導電層に所定のパターンを有するレジスト層を形成する。この状態で、エッチング液を用いて導電層の露出した領域をエッチングすることにより所定の導体パターンを形成する。その後、レジスト層を除去する。さらに、導体パターンを覆うようにカバー絶縁層を形成する。このようにして、導体層のエッチングにより所望の導体パターンを有する配線回路基板を製造することができる(例えば、特許文献1参照)。
特開2008−258482号公報 特開2000−319442号公報 特開2003−201362号公報
配線回路基板のベース絶縁層に用いられる材料は、配線回路基板の用途に応じて最適に選択される。例えば、特許文献2および特許文献3では、多孔質のポリイミドフィルムをベース絶縁層として用いることが提案されている。これにより、ベース絶縁層の誘電率を低減することができる。
しかしながら、特許文献2のベース絶縁層として用いられるポリイミドフィルムは、微細な連続孔を有する。そのため、特許文献2の配線回路基板を製造する際に、エッチング液等の薬液がポリイミドフィルムの連続孔に浸入し、ベース絶縁層の裏面に周り込む。または、薬液がポリイミドフィルムの連続孔に残存する。
一方、特許文献3のベース絶縁層として用いられるポリイミドフィルムは、連続孔を有していないため、特許文献3の配線回路基板を製造する際に、薬液が多孔質材料に浸入することがない。しかしながら、特許文献3のベース絶縁層の誘電率は、特許文献2のベース絶縁層の誘電率よりも増加すると考えられる。
本発明の目的は、液が多孔質材料中に浸入および残存することを防止しつつ、絶縁層の誘電率をより低減させることが可能な配線回路基板の製造方法を提供することである。
[1]本発明
(1)本発明に係る配線回路基板の製造方法は、連続孔を有する多孔質材料からなる絶縁層を用意するステップと、絶縁層上に処理液を用いて処理液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように所定のパターンを有する導体パターンを形成するステップとを含み、多孔質材料は多孔質のポリテトラフルオロエチレンを含み、ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は1.0μm以下であることを特徴とするものである。
この配線回路基板の製造方法によれば、絶縁層のポリテトラフルオロエチレンは平均孔径1.0μm以下の連続孔を有する。これにより、処理液を用いて所定のパターンを有する導体層を形成する際に、処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入することが防止される。また、ポリテトラフルオロエチレンは、ポリイミド等の他の樹脂よりも撥水性が高いため、たとえ処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入した場合でも、処理液が連続孔に残存することが防止される。
また、絶縁層は、連続孔を有する多孔質のポリテトラフルオロエチレンからなる。これにより、絶縁層の誘電率をポリイミド等の他の樹脂からなる絶縁層よりも低減することができる。
これらの結果、液が多孔質材料中に浸入および残存することを防止しつつ、絶縁層の誘電率をより低減させることができる。
(2)処理液は現像液を含み、導体パターンを形成する工程は、レジスト膜を形成することと、レジスト膜を所定のパターンに露光することと、レジスト膜に現像液を用いて現像することにより、現像液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにめっきレジストを形成することとを含んでもよい。
(3)処理液はめっき液を含み、導体パターンを形成する工程は、めっき液を用いることにより、めっき液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにめっきレジストの領域を除いて導体パターンを形成することをさらに含んでもよい。
(4)処理液は剥離液を含み、導体パターンを形成する工程は、剥離液を用いることにより、剥離液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにめっきレジストを剥離により除去することをさらに含んでもよい。
(5)処理液は整面液を含み、レジスト膜を形成することは、絶縁層上にシード層を形成することと、整面液を用いることにより、整面液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにシード層を整面することと、シード層上にレジスト膜を形成することとを含んでもよい。
(6)処理液はエッチング液を含み、めっきレジストを剥離することは、エッチング液を用いたエッチングにより、エッチング液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにシード層を除去することを含んでもよい。
(7)処理液はめっき液を含み、導体パターンを形成する工程は、めっきを用いることにより、めっき液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように導体層を形成することを含んでもよい。
(8)処理液は現像液を含み、導体パターンを形成する工程は、導体層上にレジスト膜を形成することと、レジスト膜を所定のパターンに露光することと、レジスト膜に現像液を用いて現像することにより、現像液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにエッチングレジストを形成することとをさらに含んでもよい。
(9)処理液はエッチング液を含み、導体パターンを形成する工程は、エッチング液を用いたエッチングにより、エッチング液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにエッチングレジストを除く導体層の領域を除去することをさらに含んでもよい。
(10)処理液は剥離液を含み、導体パターンを形成する工程は、剥離液を用いることにより、剥離液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにエッチングレジストを剥離により除去することをさらに含んでもよい。
(11)処理液は整面液を含み、導体層を形成することは、整面液が絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように整面液を用いることにより導体層を整面することを含んでもよい。
(12)ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は0.2μm以下であってもよい。この場合、処理液を用いて所定のパターンを有する導体層を形成する際に、処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入することが十分に防止される。
(13)ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は0.1μm以下であってもよい。この場合、処理液を用いて所定のパターンを有する導体層を形成する際に、処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入することがさらに十分に防止される。
(14)ポリテトラフルオロエチレンは、延伸ポリテトラフルオロエチレンであってもよい。この場合、連続孔を有する多孔質のポリテトラフルオロエチレンを容易に形成することができる。
[2]参考形態
(1)第1の参考形態に係る配線回路基板は、連続孔を有する多孔質材料からなる絶縁層と、絶縁剤層上に設けられる所定のパターンを有する導体層とを備え、多孔質材料は多孔質のポリテトラフルオロエチレンを含み、ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は1.0μm以下であるものである。
この配線回路基板においては、絶縁層のポリテトラフルオロエチレンは平均孔径1.0μm以下の連続孔を有する。これにより、処理液を用いて所定のパターンを有する導体層を形成する際に、処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入することが防止される。また、ポリテトラフルオロエチレンは、ポリイミド等の他の樹脂よりも撥水性が高いため、たとえ処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入した場合でも、処理液が連続孔に残存することが防止される。
また、絶縁層は、連続孔を有する多孔質のポリテトラフルオロエチレンからなる。これにより、絶縁層の誘電率をポリイミド等の他の樹脂からなる絶縁層よりも低減することができる。
これらの結果、液が多孔質材料中に浸入および残存することを防止しつつ、絶縁層の誘電率をより低減させることができる。
(2)ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は0.2μm以下であってもよい。この場合、処理液を用いて所定のパターンを有する導体層を形成する際に、処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入することが十分に防止される。
(3)ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は0.1μm以下であってもよい。この場合、処理液を用いて所定のパターンを有する導体層を形成する際に、処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入することがさらに十分に防止される。
(4)ポリテトラフルオロエチレンは、延伸ポリテトラフルオロエチレンであってもよい。この場合、連続孔を有する多孔質のポリテトラフルオロエチレンを容易に形成することができる。
(5)第2の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、連続孔を有する多孔質材料からなる絶縁層を用意するステップと、絶縁層上に処理液を用いて所定のパターンを有する導体層を形成するステップとを含み、多孔質材料は多孔質のポリテトラフルオロエチレンを含み、ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は1.0μm以下であるものである。
この配線回路基板の製造方法においては、絶縁層のポリテトラフルオロエチレンは平均孔径1.0μm以下の連続孔を有する。これにより、処理液を用いて所定のパターンを有する導体層を形成する際に、処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入することが防止される。また、ポリテトラフルオロエチレンは、ポリイミド等の他の樹脂よりも撥水性が高いため、たとえ処理液がポリテトラフルオロエチレンの連続孔に浸入した場合でも、処理液が連続孔に残存することが防止される。
また、絶縁層は、連続孔を有する多孔質のポリテトラフルオロエチレンからなる。これにより、絶縁層の誘電率をポリイミド等の他の樹脂からなる絶縁層よりも低減することができる。
これらの結果、液が多孔質材料中に浸入および残存することを防止しつつ、絶縁層の誘電率をより低減させることができる。
本発明によれば、液が多孔質材料中に浸入および残存することを防止しつつ、配線回路基板の絶縁層の誘電率をより低減させることが可能となる。
本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の模式的断面図である。 配線回路基板の第1の製造方法を説明するための工程断面図である。 配線回路基板の第1の製造方法を説明するための工程断面図である。 配線回路基板の第2の製造方法を説明するための工程断面図である。 配線回路基板の第2の製造方法を説明するための工程断面図である。
以下、本発明の一実施の形態に係るフレキシブル配線回路基板について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明においては、フレシキブル配線回路基板を配線回路基板と略記する。
(1)配線回路基板の構成
図1は、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の模式的断面図である。図1に示すように、ePTFE(延伸ポリテトラフルオロエチレン)からなる多孔質のベース絶縁層1上に、複数の導体パターン2が形成されている。ePTFEを用いることにより、連続孔を有する多孔質のPTFEを容易に形成することができる。
各導体パターン2は、配線パターンまたはグランドパターンである。各導体パターン2は、例えばクロムおよび銅の積層膜からなるシード層2aおよび例えば銅からなる導体層2bの積層構造を有する。各導体パターン2を覆うように、ベース絶縁層1上にカバー絶縁層3が形成されている。
カバー絶縁層3は、導体パターン2の全体を覆うようにベース絶縁層1上に形成されてもよく、導体パターン2の一部を覆うようにベース絶縁層1上に形成されてもよい。
多孔質のベース絶縁層1として用いられるePTFEは、連続孔を有する。ePTFEの平均孔径は、0.05μm以上1.0μm以下であり、0.05μm以上0.2μm以下であることが好ましく、0.05μm以上0.1μm以下であることがより好ましい。
多孔質のベース絶縁層1の厚みは、例えば1μm以上500μm以下であり、10μm以上200μm以下であることが好ましく、10μm以上100μm以下であることがより好ましい。多孔質のベース絶縁層1の厚みが500μm以下であることにより、フレキシブル性が良好となる。多孔質のベース絶縁層1の厚みが1μm以上であることにより、絶縁性が良好となる。
シード層2aの厚みは、0.05μm以上1μm以下であることが好ましい。導体パターン2の厚みは、例えば1μm以上100μm以下であり、10μm以上50μm以下であることが好ましい。
カバー絶縁層3の厚みは、例えば1μm以上500μm以下であり、10μm以上200μm以下であることが好ましく、10μm以上100μm以下であることがより好ましい。カバー絶縁層3の厚みが500μm以下であることにより、フレキシブル性が良好となる。多孔質のベース絶縁層1の厚みが1μm以上であることにより、絶縁性が良好となる。
(2)配線回路基板の第1の製造方法
図2および図3は、配線回路基板10の第1の製造方法を説明するための工程断面図である。図2の例は、セミアディティブ法による配線回路基板10の製造方法を示す。
まず、図2(a)に示すように、ePTFEからなる多孔質ベース絶縁層1上に、例えばスパッタリング法により例えばクロムおよび銅の積層膜からなるシード層2aを形成する。シード層2aを無電解めっきにより形成してもよい。その後、過硫酸カリウム等の整面液を用いてシード層2aを整面する(整面工程)。
次に、シード層2a上に、例えばドライフィルムレジスト等によりレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を所定のパターンを有するマスクを用いて露光した後、炭酸ナトリウム等の現像液を用いて現像する(現像工程)。このようにして、図2(b)に示すように、シード層2a上にめっきレジスト21を形成する。
次に、図2(c)に示すように、めっきレジスト21の領域を除いて、シード層2a上に硫酸銅等のめっき液を用いた電解めっきにより例えば銅からなる導体層2bを形成する(めっき工程)。
次に、図3(a)に示すように、めっきレジスト21を化学エッチング(ウェットエッチング)または水酸化ナトリウム等の剥離液を用いた剥離により除去する(剥離工程)。次に、シード層2aの露出する領域を塩化第二鉄等のエッチング液を用いたエッチングにより除去する(エッチング工程)。これにより、図3(b)に示すように、シード層2aおよび導体層2bからなる複数の導体パターン2が形成される。各導体パターン2は、例えば配線パターンまたはグランドパターンである。
さらに、図2(c)に示すように、複数の導体パターン2を覆うように多孔質のベース絶縁層1上に、例えばポリイミドからなるカバー絶縁層3を形成する。これにより、図1に示した配線回路基板10が完成する。上記の工程間および工程後には、温度20℃の純水または温度80℃の純水を用いて配線回路基板10の洗浄が行われる(洗浄工程)。
(3)配線回路基板の第2の製造方法
図4および図5は、配線回路基板10の第2の製造方法を説明するための工程断面図である。図4の例は、サブトラクティブ法による配線回路基板10の製造方法を示す。
まず、図4(a)に示すように、ePTFEからなる多孔質ベース絶縁層1上に、例えばスパッタリング法により例えばクロムおよび銅の積層膜からなるシード層2aを形成する。シード層2aを無電解めっきにより形成してもよい。
次に、図4(b)に示すように、シード層2a上の全体に硫酸銅等のめっき液を用いた電解めっきにより例えば銅からなる導体層2bを形成する(めっき工程)。その後、過硫酸カリウム等の整面液を用いて導体層2bを整面する(整面工程)。
次に、図4(c)に示すように、導体層2b上に、例えば感光性ドライフィルムレジスト等によりレジスト膜22を形成する。その後、図4(d)に示すように、レジスト膜22を所定のパターンで露光した後、炭酸ナトリウム等の現像液を用いて現像することにより(現像工程)エッチングレジスト22aを形成する。
次に、図5(a)に示すように、エッチングレジスト22aから露出する導体層2bの領域およびシード層2aの露出する領域を塩化第二鉄等のエッチング液を用いたエッチングにより除去する(エッチング工程)。その後、エッチングレジスト22aを水酸化ナトリウム等の剥離液より除去する(剥離工程)。これにより、図5(b)に示すように、シード層2aおよび導体層2bからなる複数の導体パターン2が形成される。各導体パターン2は、例えば配線パターンまたはグランドパターンである。
さらに、図5(c)に示すように、複数の導体パターン2を覆うように多孔質のベース絶縁層1上に、例えばポリイミドからなるカバー絶縁層3を形成する。これにより、図1に示した配線回路基板10が完成する。上記の工程間および工程後には、温度20℃の純水または温度80℃の純水を用いて配線回路基板10の洗浄が行われる(洗浄工程)。
(4)他の実施の形態
カバー絶縁層3の材料としては、ポリイミドに限らず、ベース絶縁層1と同様にePTFEを用いてもよい。
シード層2aとしては、クロムおよび銅の積層膜に限らず、例えばクロムの単層膜であってもよい。
導体層2bの材料としては、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。
また、電解めっきにより導体層2bを形成する代わりに、他の方法により導体層2bを形成する場合には、シード層2aを形成しなくてもよい。
(5)効果
本発明の一実施の形態に係る配線回路基板10においては、ベース絶縁層1のePTFEは平均孔径1.0μm以下の連続孔を有する。これにより、工程液を用いて導体パターン2を形成する際に、工程液がePTFEの連続孔に浸入することが防止される。また、ePTFEは、ポリイミド等の他の樹脂よりも撥水性が高いため、たとえ工程液がePTFEの連続孔に浸入した場合でも、工程液が連続孔に残存することが防止される。
PTFEの比誘電率は2.1であり、ポリイミドの比誘電率は3.5である。また、連続孔を有する多孔質のePTFEの比誘電率はさらに低くなる。これにより、ベース絶縁層1の誘電率はポリイミド等の他の樹脂からなるベース絶縁層の誘電率よりも十分に低くなる。
これらの結果、工程液が多孔質材料中に浸入および残存することを防止しつつ、ベース絶縁層1の誘電率をより低減させることができる。また、ePTFEの連続孔の平均孔径を0.2μm以下にすることにより、工程液がePTFEの連続孔に浸入することが十分に防止される。さらに、ePTFEの連続孔の平均孔径を0.1μm以下にすることにより、工程液がePTFEの連続孔に浸入することがさらに十分に防止される。また、ベース絶縁層1の誘電率が低減されることにより、導体パターン2の誘電体による損失が低減される。
PTFEの摩擦係数はポリイミド等の他の樹脂の摩擦係数よりも小さいため、ベース絶縁層1の耐摩耗性を向上させることができる。また、狭い隙間に配線回路基板10を容易に挿入することができるので、作業効率が向上する。
PTFEの弾性率はポリイミド等の他の樹脂の弾性率よりも小さいため、ベース絶縁層1の柔軟性および可撓性を向上させることができる。また、PTFEの抵抗率(1×1018Ω・cm以上)はポリイミドの抵抗率(1×1016Ω・cm)よりも高いので、ベース絶縁層1の絶縁性を確保するために、ベース絶縁層1の厚みを大きくする必要がない。これにより、ベース絶縁層1の柔軟性および可撓性をポリイミド等の他の樹脂からなるベース絶縁層の柔軟性および可撓性をよりも向上させることができる。
(6)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態においては、ベース絶縁層1が絶縁層の例であり、導体パターン2が導体層の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
(7)実施例および比較例
実施例1〜5および比較例1では、上記の配線回路基板の第1の製造方法に基づいて多孔質のベース絶縁層1の平均孔径が異なる配線回路基板10を作製した。また、実施例6〜10および比較例2では、上記の配線回路基板の第2の製造方法に基づいて多孔質のベース絶縁層1の平均孔径が異なる配線回路基板10を作製した。
実施例1および実施例6の配線回路基板10においては、ベース絶縁層1としてPTFE多孔質膜(日東電工株式会社製テミッシュ(登録商標)NTF1121)を用いた。ベース絶縁層1の平均孔径は0.1μmであり、ベース絶縁層1の厚みは70μmである。
実施例2および実施例7の配線回路基板10においては、ベース絶縁層1としてPTFE多孔質膜(日東電工株式会社製テミッシュNTF1122)を用いた。ベース絶縁層1の平均孔径は0.2μmであり、ベース絶縁層1の厚みは75μmである。
実施例3および実施例8の配線回路基板10においては、ベース絶縁層1としてPTFE多孔質膜(日東電工株式会社製テミッシュNTF1125)を用いた。ベース絶縁層1の平均孔径は0.5μmであり、ベース絶縁層1の厚みは68μmである。
実施例4および実施例9の配線回路基板10においては、ベース絶縁層1としてPTFE多孔質膜(日東電工株式会社製テミッシュNTF1128)を用いた。ベース絶縁層1の平均孔径は0.8μmであり、ベース絶縁層1の厚みは80μmである。
実施例5および実施例10の配線回路基板10においては、ベース絶縁層1としてPTFE多孔質膜(日東電工株式会社製テミッシュNTF1131)を用いた。ベース絶縁層1の平均孔径は1.0μmであり、ベース絶縁層1の厚みは82μmである。
比較例1および比較例2の配線回路基板10においては、ベース絶縁層1としてPTFE多孔質膜(日東電工株式会社製テミッシュNTF1133)を用いた。ベース絶縁層1の平均孔径は3.0μmであり、ベース絶縁層1の厚みは86μmである。
実施例1〜10および比較例1,2の配線回路基板10において、シード層2aは、厚み50nmのクロムおよび厚み100nmの銅の積層膜からなる。導体層2bの厚みは12μmである。
配線回路基板の第1および第2の製造方法において、めっき工程、整面工程、現像工程、エッチング工程、剥離工程および洗浄工程の各々の工程中に、工程液が実施例1〜10および比較例1,2の配線回路基板10のベース絶縁層1の連続孔を通って裏面に周り込まないか否かを観測した。
工程液として、めっき工程では硫酸銅水溶液、整面工程では過硫酸カリウム水溶液、現像工程では炭酸ナトリウム水溶液、エッチング工程では塩化第二鉄水溶液、剥離工程では水酸化ナトリウム水溶液、洗浄工程では温度20℃の純水および温度80℃の純水が用いられた。
実施例1〜5および比較例1の配線回路基板10における工程液のベース絶縁層1への周り込み試験の結果を表1に示す。
表1に示すように、実施例1〜5の配線回路基板10においては、工程液はベース絶縁層1の連続孔を通って裏面に周り込まなかった。また、工程液が連続孔内に残存しなかった。一方、比較例1の配線回路基板10においては、工程液はベース絶縁層1の連続孔を通って裏面に周り込んだ。また、工程液が連続孔内に残存した。
実施例6〜10および比較例2の配線回路基板10における工程液のベース絶縁層1への周り込み試験の結果を表2に示す。
表2に示すように、実施例6〜10の配線回路基板10においては、工程液はベース絶縁層1の連続孔を通って裏面に周り込まなかった。また、工程液が連続孔内に残存しなかった。一方、比較例2の配線回路基板10においては、工程液はベース絶縁層1の連続孔を通って裏面に周り込んだ。また、工程液が連続孔内に残存した。
実施例1〜10および比較例1,2の結果から、配線回路基板10の製造方法にかかわらず、多孔質性のベース絶縁層1の平均孔径が1.0μm以下である場合、工程液がベース絶縁層1の連続孔を通って裏面に周り込むことおよび工程液が連続孔内に残存することを防止できることがわかる。
本発明は、種々の配線回路基板の製造に有効に利用できる。
1 ベース絶縁層
2 導体パターン
2a シード層
2b 導体層
3 カバー絶縁層
10 配線回路基板
21 めっきレジスト
22 レジスト膜
22a エッチングレジスト

Claims (14)

  1. 連続孔を有する多孔質材料からなる絶縁層を用意するステップと、
    前記絶縁層上に処理液を用いて処理液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように所定のパターンを有する導体パターンを形成するステップとを含み、
    前記多孔質材料は多孔質のポリテトラフルオロエチレンを含み、
    前記ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は1.0μm以下であることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
  2. 前記処理液は現像液を含み、
    前記導体パターンを形成する工程は、
    レジスト膜を形成することと、
    前記レジスト膜を所定のパターンに露光することと、
    前記レジスト膜に現像液を用いて現像することにより、現像液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにめっきレジストを形成することとを含む、請求項1記載の配線回路基板の製造方法。
  3. 前記処理液はめっき液を含み、
    前記導体パターンを形成する工程は、めっき液を用いることにより、めっき液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように前記めっきレジストの領域を除いて前記導体パターンを形成することをさらに含む、請求項2記載の配線回路基板の製造方法。
  4. 前記処理液は剥離液を含み、
    前記導体パターンを形成する工程は、剥離液を用いることにより、剥離液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように前記めっきレジストを剥離により除去することをさらに含む、請求項3記載の配線回路基板の製造方法。
  5. 前記処理液は整面液を含み、
    レジスト膜を形成することは、
    前記絶縁層上にシード層を形成することと、
    整面液を用いることにより、整面液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように前記シード層を整面することと、
    前記シード層上にレジスト膜を形成することとを含む、請求項2〜4のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
  6. 前記処理液はエッチング液を含み、
    前記めっきレジストを剥離することは、エッチング液を用いたエッチングにより、エッチング液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように前記シード層を除去することを含む、請求項5記載の配線回路基板の製造方法。
  7. 前記処理液はめっき液を含み、
    前記導体パターンを形成する工程は、めっきを用いることにより、めっき液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように導体層を形成することを含む、請求項1記載の配線回路基板の製造方法。
  8. 前記処理液は現像液を含み、
    前記導体パターンを形成する工程は、
    前記導体層上にレジスト膜を形成することと、
    前記レジスト膜を所定のパターンに露光することと、
    前記レジスト膜に現像液を用いて現像することにより、現像液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないようにエッチングレジストを形成することとをさらに含む、請求項7記載の配線回路基板の製造方法。
  9. 前記処理液はエッチング液を含み、
    前記導体パターンを形成する工程は、エッチング液を用いたエッチングにより、エッチング液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように前記エッチングレジストを除く導体層の領域を除去することをさらに含む、請求項8記載の配線回路基板の製造方法。
  10. 前記処理液は剥離液を含み、
    前記導体パターンを形成する工程は、剥離液を用いることにより、剥離液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように前記エッチングレジストを剥離により除去することをさらに含む、請求項9記載の配線回路基板の製造方法。
  11. 前記処理液は整面液を含み、
    前記導体層を形成することは、整面液が前記絶縁層の連続孔に浸入または残存しないように整面液を用いることにより前記導体層を整面することを含む、請求項7〜10のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
  12. 前記ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は0.2μm以下である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
  13. 前記ポリテトラフルオロエチレンの連続孔の平均孔径は0.1μm以下である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
  14. 前記ポリテトラフルオロエチレンは、延伸ポリテトラフルオロエチレンである、請求項1〜13のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
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