JP5515991B2 - 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム - Google Patents
炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5515991B2 JP5515991B2 JP2010088083A JP2010088083A JP5515991B2 JP 5515991 B2 JP5515991 B2 JP 5515991B2 JP 2010088083 A JP2010088083 A JP 2010088083A JP 2010088083 A JP2010088083 A JP 2010088083A JP 5515991 B2 JP5515991 B2 JP 5515991B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- single crystal
- silicon carbide
- defect
- bulk single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 193
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 112
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 97
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 86
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 85
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 60
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000000024 high-resolution transmission electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
(1)炭化珪素単結晶インゴットを加工し研磨して得られた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥を検査する方法であって、0°よりも大きなオフ角度を有し、かつ、窒素がドープされた4H型炭化珪素バルク単結晶基板の表面に、波長200nm以上390nm以下の紫外線を照射し、該基板から発光して得られるフォトルミネッセンス光から、少なくとも700nm未満の光を遮断して長波長側のフォトルミネッセンス像を得て、このフォトルミネッセンス像において、隣接する部位との明暗の差から、明るい部位がアスペクト比(長さ/幅)3以上の矩形状又は線状にコントラストを有し、このコントラストが該基板のc軸のオフ方向に対して直交する方向に伸びる場合に、6H型の積層欠陥を含んだ欠陥領域として判別することを特徴とする、炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法。
(2)該基板の窒素濃度が、原子数密度で1×1018atom/cm3以上である、上記(1)に記載の炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法。
(3)該基板の表面及び裏面が、いずれも表面粗さRaで5nm以下に研磨されている、上記(1)又は(2)に記載の炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法。
(4)炭化珪素単結晶インゴットを加工し研磨して得られて0°よりも大きなオフ角度を有し、かつ、窒素がドープされた4H型炭化珪素バルク単結晶基板に含まれる6H型積層欠陥を検査する欠陥検査システムであって、検査対象の基板の表面に波長200nm以上390nm以下の紫外線を照射する紫外線照射手段と、該基板より得られたフォトルミネッセンス光から、少なくとも700nm未満の光を遮断して長波長側のフォトルミネッセンス像を得る受像手段と、得られたフォトルミネッセンス像において、隣接する部位との明暗の差から、明るい部位がアスペクト比(長さ/幅)3以上の矩形状又は線状にコントラストを有し、このコントラストが該基板のc軸のオフ方向に対して直交する方向に伸びる場合に、6H型の積層欠陥を含んだ欠陥領域として検出する欠陥検出手段と、欠陥領域の位置とサイズの情報を記憶する欠陥情報記憶手段と、記憶した欠陥情報を、媒体を介して記録する記録手段とを備えたことを特徴とする、炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム。
先ず、本発明の欠陥検査方法においては、検査対象の炭化珪素バルク単結晶基板(以下、単に「基板」という場合もある)の表面に、波長200nm以上390nm以下、好ましくは波長200nm以上340nm以下の紫外線を照射する。波長が200nmより短波長側の光では、SiC結晶による吸収率が高いため、結晶表面からの進入深さが浅くなる。そのため、積層欠陥によるフォトルミネッセンス像の明暗の差(コントラスト)が弱くなり、積層欠陥の判定が困難になる。一方、390nmよりも波長の長い光では、価電子帯の電子を励起するには光子エネルギーが十分ではない。照射光の波長が340nm以下であれば、より多くの電子を効率よく励起することが可能である。
下記実施例、及び比較例では、表1に示すAからGまでの7枚の4H型SiCバルク単結晶基板と、このうち基板Aと同じインゴットから作製したバルク基板のシリコン面に、化学気相成長法により厚さ10μmの炭化珪素膜をエピタキシャル成長させた1枚のSiCエピタキシャル基板Hについて、それぞれ欠陥検査を行った。各基板は異なるSiC単結晶インゴットから、公知の加工技術により加工されたものである。各インゴットは、窒素濃度が原子数密度で5.4×1018〜9.1×1019atom/cm3となるよう、それぞれ最適にコントロールされた成長条件で製造した。この窒素濃度は、パワーデバイス作製用基板を想定した値である。また、比較対象とするために、意図して積層欠陥が大量に発生する条件での結晶成長も行っている。表1に示したA〜Gの7枚のSiC単結晶基板については、ラマン分光法と目視観察とにより評価した結果、いずれも4Hポリタイプで構成されており、6Hポリタイプや、その他の異種ポリタイプのバルク混在が無いことを確認した。
表1に示した基板A〜Hについて、それぞれ以下の条件でフォトルミネッセンス像の観察を行った。図1に示したように、照射光の光源2としてHg-Xeランプ(出力200W)を用い、検査対象の基板に対しておよそ20cmの高さから、基板のシリコン面側の1度の測定エリア(2.6mm×2.6mm)全域に照射光が照射されるようにした。この際、バンドパスフィルター3を用いて、検査対象の基板には、波長270nm〜375nmの光が照射されるようにした。また、検査対象の基板から得られたフォトルミネッセンス光は、バンドパスフィルター5を用いて波長600nm未満の光がカットされるようにした上で、測定エリアから得られる波長600nm以上1050nm以下のフォトルミネッセンス像を、CCDカメラ6で撮影した。用いたCCDカメラは画素数が100万であって、素子サイズは約13μm×13μmである。そして、上記のような照射と撮影を繰り返して、測定エリア毎に得られたフォトルミネッセンス像から、マッピング作成用のタイリングソフトウェアを用いて作成した基板全面のフォトルミネッセンス像を、解像度600dpi×600dpiのカラープリンターを用いて出力して観察した。その結果を表2に示す。
照射光側のバンドパスフィルター3を変えて、検査対象の基板に波長310nm〜320nmの光が照射されるようにし、また、受光側のバンドパスフィルター5を変えて、波長750nm以上1050nm以下のフォトルミネッセンス像をCCDカメラ6で撮影するようにした以外は参考例1と同様にして、表1に示した基板A〜Hの試験検査を行った。得られたフォトルミネッセンス像について観察した結果を、表3に示す。
受光側のバンドパスフィルター5を変えて、波長460nmのフォトルミネッセンス像をCCDカメラ6で撮影するようにした以外は参考例1と同様にして、表1に示した基板A〜Hの試験検査を行った。得られたフォトルミネッセンス像について観察した結果を、表4に示す。
表1に示した基板A〜Hについて、積層欠陥の検査方法として一般的に使用される溶融KOHによるエッチングを、次のようにして行った。520℃の溶融KOHを用いて、各基板A〜Hのシリコン面側を5分間エッチングし、金属顕微鏡を用いてエッチピットの観察を行った。その際、上記参考例1及び実施例2での検査結果と対比しながら観察した。結果を表5に示す。
2:照射光源
3:照射光側光学フィルター
4:照射手段
5:受光側光学フィルター
6:受像装置
7:受像手段
Claims (4)
- 炭化珪素単結晶インゴットを加工し研磨して得られた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥を検査する方法であって、0°よりも大きなオフ角度を有し、かつ、窒素がドープされた4H型炭化珪素バルク単結晶基板の表面に、波長200nm以上390nm以下の紫外線を照射し、該基板から発光して得られるフォトルミネッセンス光から、少なくとも700nm未満の光を遮断して長波長側のフォトルミネッセンス像を得て、このフォトルミネッセンス像において、隣接する部位との明暗の差から、明るい部位がアスペクト比(長さ/幅)3以上の矩形状又は線状にコントラストを有し、このコントラストが該基板のc軸のオフ方向に対して直交する方向に伸びる場合に、6H型の積層欠陥を含んだ欠陥領域として判別することを特徴とする、炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法。
- 該基板の窒素濃度が、原子数密度で1×1018atom/cm3以上である、請求項1に記載の炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法。
- 該基板の表面及び裏面が、いずれも表面粗さRaで5nm以下に研磨されている、請求項1又は2に記載の炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法。
- 炭化珪素単結晶インゴットを加工し研磨して得られて0°よりも大きなオフ角度を有し、かつ、窒素がドープされた4H型炭化珪素バルク単結晶基板に含まれる6H型積層欠陥を検査する欠陥検査システムであって、
検査対象の基板の表面に波長200nm以上390nm以下の紫外線を照射する紫外線照射手段と、
該基板より得られたフォトルミネッセンス光から、少なくとも700nm未満の光を遮断して長波長側のフォトルミネッセンス像を得る受像手段と、
得られたフォトルミネッセンス像において、隣接する部位との明暗の差から、明るい部位がアスペクト比(長さ/幅)3以上の矩形状又は線状にコントラストを有し、このコントラストが該基板のc軸のオフ方向に対して直交する方向に伸びる場合に、6H型の積層欠陥を含んだ欠陥領域として検出する欠陥検出手段と、
欠陥領域の位置とサイズの情報を記憶する欠陥情報記憶手段と、
記憶した欠陥情報を、媒体を介して記録する記録手段と、
を備えたことを特徴とする、炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010088083A JP5515991B2 (ja) | 2010-04-06 | 2010-04-06 | 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010088083A JP5515991B2 (ja) | 2010-04-06 | 2010-04-06 | 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011220744A JP2011220744A (ja) | 2011-11-04 |
JP5515991B2 true JP5515991B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=45037933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010088083A Active JP5515991B2 (ja) | 2010-04-06 | 2010-04-06 | 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5515991B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2660366B1 (en) * | 2010-12-27 | 2020-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing silicon carbide substrate, and method for producing semiconductor device |
JP5853648B2 (ja) | 2011-11-30 | 2016-02-09 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP5579206B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2014-08-27 | 三菱電機株式会社 | 欠陥判別装置、およびその方法 |
JP6020073B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2016-11-02 | 株式会社デンソー | 半導体試料における結晶欠陥解析方法 |
JP2016025241A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6295969B2 (ja) | 2015-01-27 | 2018-03-20 | 日立金属株式会社 | 単結晶炭化珪素基板、単結晶炭化珪素基板の製造方法、および単結晶炭化珪素基板の検査方法 |
EP3373327A4 (en) | 2015-11-05 | 2019-06-19 | Mipox Corporation | METHOD FOR EVALUATING A SUBSTRATE USING POLARIZED PARALLEL LIGHT |
JP6705210B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2020-06-03 | 東京電力ホールディングス株式会社 | 太陽光パネルの発電能力推定方法 |
JP6931995B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-09-08 | 昭和電工株式会社 | SiCウェハの欠陥測定方法、標準サンプル及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP7175115B2 (ja) | 2018-07-19 | 2022-11-18 | 昭和電工株式会社 | SiCデバイスの製造方法および評価方法 |
JP7447392B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2024-03-12 | 株式会社レゾナック | SiC基板の評価方法及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
US11719640B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-08-08 | Eagle Industry Co., Ltd. | Sliding body surface evaluation method and sliding body surface evaluation apparatus |
JP6585799B1 (ja) * | 2018-10-15 | 2019-10-02 | 昭和電工株式会社 | SiC基板の評価方法及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
EP3855174B1 (en) * | 2020-01-23 | 2024-05-15 | SCHOTT Pharma Schweiz AG | Detection and characterization of defects in pharmaceutical cylindrical containers |
KR102321229B1 (ko) | 2021-03-30 | 2021-11-03 | 주식회사 쎄닉 | 탄화규소 웨이퍼 및 이를 적용한 반도체 소자 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3849547B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2006-11-22 | 信越半導体株式会社 | 半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム |
JP4157326B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2008-10-01 | 新日本製鐵株式会社 | 4h型炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ |
JP3917154B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2007-05-23 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | 半導体試料の欠陥評価方法及び装置 |
JP2006321707A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法 |
JP5192661B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2013-05-08 | 一般財団法人電力中央研究所 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP4964672B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2012-07-04 | 新日本製鐵株式会社 | 低抵抗率炭化珪素単結晶基板 |
-
2010
- 2010-04-06 JP JP2010088083A patent/JP5515991B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011220744A (ja) | 2011-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5515991B2 (ja) | 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム | |
Ichikawa et al. | Carrier recombination in n-type 4H-SiC epilayers with long carrier lifetimes | |
KR101723780B1 (ko) | 질화갈륨층을 포함하는 기판 및 그 제조 방법 | |
JP6197722B2 (ja) | SiC板状体における転位の面内分布評価方法 | |
CN109887853B (zh) | SiC外延晶片的评价方法及制造方法 | |
JP2006339605A (ja) | 化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜 | |
CN111048431B (zh) | SiC基板的评价方法和SiC外延晶片的制造方法 | |
US11948819B2 (en) | Method of evaluating silicon wafer, method of evaluating silicon wafer manufacturing process, method of manufacturing silicon wafer, and silicon wafer | |
TWI634624B (zh) | GaAs半導體基板及其製造方法、與III-V族化合物半導體裝置及其製造方法 | |
Mahadik et al. | Structure and morphology of inclusions in 4 offcut 4H-SiC epitaxial layers | |
Yao et al. | Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy | |
Lee et al. | Evaluation of subsurface damage inherent to polished GaN substrates using depth-resolved cathodoluminescence spectroscopy | |
JP5400228B1 (ja) | SiC単結晶基板 | |
CN114761628B (zh) | 碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法 | |
CN107002283B (zh) | 13族元素氮化物结晶基板及功能元件 | |
JP2009054771A (ja) | 半導体結晶の欠陥評価方法及び評価装置 | |
Ishikawa et al. | Characterization of dislocations at the emission site by emission microscopy in GaN p–n diodes | |
JP5486905B2 (ja) | 応力漸移層の検出方法 | |
US9275912B1 (en) | Method for quantification of extended defects in gallium-containing nitride crystals | |
Massabuau et al. | Microscopy of defects in semiconductors | |
Kemper et al. | Formation of defects in cubic GaN grown on nano‐patterned 3C‐SiC (001) | |
WO2024034448A1 (ja) | フォトルミネッセンス測定におけるバックグラウンドの発光強度のバラツキを抑制する方法及び半導体基板の評価方法 | |
WO2022190469A1 (ja) | 炭化珪素基板および炭化珪素基板の製造方法 | |
KR102628328B1 (ko) | SiC 단결정 기판 | |
JP2010118668A (ja) | 化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140317 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5515991 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |