JP5484363B2 - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5484363B2 JP5484363B2 JP2011011914A JP2011011914A JP5484363B2 JP 5484363 B2 JP5484363 B2 JP 5484363B2 JP 2011011914 A JP2011011914 A JP 2011011914A JP 2011011914 A JP2011011914 A JP 2011011914A JP 5484363 B2 JP5484363 B2 JP 5484363B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- intermediate layer
- film
- opening
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 123
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 410
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 202
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 150
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 149
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 146
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 54
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 19
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 86
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 80
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 44
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 37
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 23
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 22
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 13
- 239000002585 base Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000001314 profilometry Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
高周波電源27は高周波電力を載置台23に供給する。これにより、載置台23は下部電極として機能する。また、整合器28は、載置台23からの高周波電力の反射を低減して高周波電力の載置台23への供給効率を最大にする。載置台23は高周波電源27から供給された高周波電力を処理空間Sに印加する。
置される3つのフープ載置台38と、フープ37から搬出されたウエハWの位置をプリアライメントするオリエンタ39とが接続されている。
SiF4+2NH3+2HF → (NH4)2SiF6
(NH4)2SiF6 → SiF4↑+2NH3↑+2HF↑
COR処理は、上述したように、化学反応を用いる処理であり、化学反応は等方的に進行するため、熱酸化珪素膜66を確実に等方的にエッチングするが、上述したように、フォトレジスト膜68が所定の厚さだけ残されているため、該フォトレジスト膜68は熱酸化珪素層66を覆って熱酸化珪素膜66が厚さ方向にエッチングされるのを防止する。したがって、熱酸化珪素膜66はCOR処理によって側面のみがエッチングされ、これにより、熱酸化珪素膜66の幅のみを確実に減少させることができる(図6(C))。このとき、COR処理の実行時間を調整することによって熱酸化珪素膜66の幅が、例えば、30nmに調整される。
12,13,14 プロセスモジュール
51,90 TEOS膜
52 TiN膜
53,61,67,78,92 反射防止膜
54,62,68,79,93 フォトレジスト膜
55,63,70,71,80,82,83,85〜87,94,97〜100 開口部81 デポ
65,88 シリコン基材
66 熱酸化珪素膜
69,84,96 有機系膜
74 第2のポリシリコン層
75 第1の窒化珪素膜
76 第2のTEOS膜
77 第2の窒化珪素膜
89 窒化珪素膜
91 カーボン膜
95 MLD酸化膜
Claims (3)
- 少なくとも処理対象層、中間層、マスク層が順に積層され、前記マスク層は前記中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、
前記露出する前記中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、
前記異方性エッチングによって側面が露出した前記中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、
前記露出した処理対象層及び前記幅が減少した中間層を覆う被覆層を形成する被覆層形成ステップと、
前記被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した中間層のみを露出させる被覆層除去ステップと、
前記露出した中間層のみを選択的に除去して前記処理対象層を部分的に露出させる中間層除去ステップと、
前記露出した処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、
前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記中間層上の前記マスク層が所定の厚さだけ残され、
前記中間層はシリコン含有層であり、前記中間層等方性エッチングステップ及び前記中 間層除去ステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニアガスを用いた COR(Chemical Oxide Removal)処理を施すことを特徴とする基板処理方法。 - 少なくとも処理対象層、第1の中間層、第2の中間層、第3の中間層及びマスク層が順に積層され、前記マスク層は前記第3の中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、
デポ性ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマによって前記露出する第3の中間層をエッチングして前記第2の中間層の一部を露出させると共に、前記開口部の側面にデポを堆積させるデポ堆積ステップと、
前記マスク層の開口部を介して前記露出した前記第2の中間層及び前記第1の中間層へそれらの厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、
前記異方性エッチングによって側面が露出した前記第2の中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記第2の中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、
前記露出した処理対象層、前記第1の中間層及び前記幅が減少した第2の中間層を覆う被覆層を形成する被覆層形成ステップと、
前記被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した第2の中間層のみを露出させる被覆層除去ステップと、
前記露出した第2の中間層のみを選択的に除去して前記第1の中間層を部分的に露出させる第2の中間層除去ステップと、
前記露出した第1の中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる第1の中間層エッチングステップと、
前記被覆層を完全に除去して前記被覆層に覆われた前記処理対象層を露出させる被覆層完全除去ステップと、
前記第1の中間層エッチングステップ及び前記被覆層除去ステップにおいて露出した前記処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、
前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記第2の中間層上の前記第3の中間層及び前記マスク層のうち、少なくとも前記第3の中間層が所定の厚さだけ残され、
前記第2の中間層はシリコン含有層であり、前記中間層等方性エッチングステップ及び 前記第2の中間層除去ステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニア ガスを用いたCOR処理を施すことを特徴とする基板処理方法。 - 少なくとも処理対象層、第1の中間層、第2の中間層、第3の中間層及びマスク層が順に積層され、前記マスク層は前記第3の中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、
前記マスク層及び前記露出する第3の中間層を等方的に覆う第1の被覆層を形成する第1の被覆層形成ステップと、
前記形成された第1の被覆層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記第3の中間層を再び露出させると共に、前記開口部の側面に前記第1の被覆層を残す第1の被覆層エッチングステップと、
前記マスク層の開口部を介して前記露出した前記第3の中間層、前記第2の中間層及び前記第1の中間層へそれらの厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、
前記異方性エッチングによって側面が露出した前記第2の中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記第2の中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、
前記露出した処理対象層、前記第1の中間層及び前記幅が減少した第2の中間層を覆う第2の被覆層を形成する第2の被覆層形成ステップと、
前記第2の被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した第2の中間層のみを露出させる第2の被覆層除去ステップと、
前記露出した第2の中間層のみを選択的に除去して前記第1の中間層を部分的に露出させる第2の中間層除去ステップと、
前記露出した第1の中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる第1の中間層エッチングステップと、
前記第2の被覆層を完全に除去して前記第2の被覆層に覆われた前記処理対象層を露出させる第2の被覆層完全除去ステップと、
前記第1の中間層エッチングステップ及び前記第2の被覆層完全除去ステップにおいて露出した前記処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、
前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記第2の中間層上の前記第3の中間層及び前記マスク層のうち、少なくとも前記第3の中間層が所定の厚さだけ残され、
前記第2の中間層はシリコン含有層であり、前記中間層等方性エッチングステップ及び 前記第2の中間層除去ステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニア ガスを用いたCOR処理を施すことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011011914A JP5484363B2 (ja) | 2007-10-11 | 2011-01-24 | 基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007265596 | 2007-10-11 | ||
JP2007265596 | 2007-10-11 | ||
JP2011011914A JP5484363B2 (ja) | 2007-10-11 | 2011-01-24 | 基板処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008105784A Division JP5248902B2 (ja) | 2007-10-11 | 2008-04-15 | 基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011082577A JP2011082577A (ja) | 2011-04-21 |
JP5484363B2 true JP5484363B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=44076231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011011914A Expired - Fee Related JP5484363B2 (ja) | 2007-10-11 | 2011-01-24 | 基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5484363B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06244156A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ―ン形成法 |
US7877161B2 (en) * | 2003-03-17 | 2011-01-25 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing a chemical oxide removal process |
-
2011
- 2011-01-24 JP JP2011011914A patent/JP5484363B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011082577A (ja) | 2011-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5248902B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP5180121B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP5102720B2 (ja) | 基板処理方法 | |
TWI478232B (zh) | Substrate handling method | |
KR101353239B1 (ko) | 피치 감소 | |
CN101399189A (zh) | 半导体装置的制造方法和装置、控制程序及程序存储介质 | |
US20060134917A1 (en) | Reduction of etch mask feature critical dimensions | |
JP2010283213A (ja) | 基板処理方法 | |
JP5524362B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP5604063B2 (ja) | 基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5107842B2 (ja) | 基板処理方法 | |
CN101800160B (zh) | 基板处理方法 | |
JP5484363B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2006276869A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5484363 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |