JP5458233B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
このような内部電源の電位レベルの調整を行う先願としては、外部電源電圧を基に電位の異なる内部電源電圧を生成する複数の電圧発生回路を有し、論理ゲートの動作特性に応じて、電圧発生回路を選択して電圧を供給するようにした半導体装置がある(特許文献1参照)。
また、直列に接続したトランジスタを選択してオン抵抗により調整された電圧を得る半導体記憶装置(特許文献2参照)がある。
これにより、駆動用トランジスタのトランジスタ幅に影響されない微小な寄生電流成分については変化が生じないので、正確にトランジスタ幅の差分のみの変更による電位調整を行うことができ、複数の駆動用トランジスタの各々のトランジスタ幅の差分を微細に、かつ段階的に設定することにより電位調整を高精度に行うことができる。
温度センサ100と、制御回路101と、電位レベル調整回路102と、電位レベル生成回路103とでメモリセルに出力する電位レベルを作成する電位レベル作成回路10を構成している。
電位レベル生成回路103はメモリセルアレイ20に供給すべき電位レベルVLEBELを生成する。
電位レベル調整回路102は、制御回路101から出力される制御信号に基づいて電位レベル生成回路103から出力される電位レベルVLEBELを調整する。
制御回路101は、電位レベル調整時に前記複数の駆動用MOSトランジスタのうち同時に駆動される駆動用MOSトランジスタ数が常に同数となるように電位レベル調整回路102を制御する。
駆動トランジスタ選択回路201では、制御回路101から制御用端子121、122、123に入力される3ビットの制御信号(C001、C002、C003)により選択信号SEL01〜SEL08のうちいずれか一つの選択信号が選択的に出力されるようになっている。
駆動トランジスタ選択回路202では、制御回路101から制御用端子124、125,126に入力される3ビットの制御信号(C004、C005、C006)により選択信号SEL09〜SEL16のうちいずれか一つの選択信号が選択的に出力されるようになっている。
駆動トランジスタ選択回路203では、制御回路101から制御用端子127、128、129に入力される3ビットの制御信号(C007、C008、C009)により選択信号SEL17〜SEL24のうちいずれか一つの選択信号が選択的に出力されるようになっている。
駆動トランジスタ選択回路202、203についても、上記構成は同様である。
本実施形態では電位レベルの調整を、図4から明らかなように駆動用NMOSトランジスタのトランジスタ幅換算で0.0μmから102.2μmまで0.2μm刻みの調整を調整段階間差のばらつき無しで実現できる。
本実施例に係る電位レベル調整回路102Bが図2に示した電位レベル調整回路102と構成上、異なるのは、駆動用NMOSトランジスタT101からT124による調整よりもさらに調整間差を小さくして精度を上げたい場合に使用する駆動用NMOSトランジスタT125、T126と、一時的に大きく能力変更を行なうための駆動用NMOSトランジスタT127〜T129を備えた点であり、その他の構成は同様である。
したがって、本実施例では電位レベル調整回路102Bが動作している期間に出力電位レベル配線XLと接続される駆動トランジスタは常に5個となる。
図8に図2、5、7に示した各駆動トランジスタ選択回路の内部信号名とそれらの概略構成図における信号名との対応関係を示す。
Claims (2)
- メモリセルアレイに対して所望の電位レベルを供給する電位レベル作成回路を有する半導体記憶装置において、
前記電位レベル作成回路は、
出力する電位レベルとなる出力電位レベル配線と接地との間に互いに並列に接続され、トランジスタ幅のみ異なる複数の駆動用MOSトランジスタを有し、
周囲温度に応じて電位レベル調整する際に、前記複数の駆動用MOSトランジスタのうち、同時に駆動される駆動用MOSトランジスタ数が常に同数となるように制御する機能を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - メモリセルアレイに対して所望の電位レベルを供給する電位レベル作成回路を有する半導体記憶装置において、
前記電位レベル作成回路は、
周囲温度を検知する温度センサと、
前記メモリセルアレイに供給すべき電位レベルを生成する電位レベル生成回路と、
前記電位レベル生成回路から出力される電位レベルを前記温度センサの検知出力に基づいて補正するための制御信号を出力する制御回路と、
前記制御信号に基づいて前記電位レベル生成回路から出力される電位レベルを調整する電位レベル調整回路と、
を有し、
前記電位レベル調整回路は、前記電位レベル生成回路から出力される電位レベルとなる出力電位レベル配線と接地との間に互いに並列に接続され、トランジスタ幅のみ異なる複数の駆動用MOSトランジスタを有し、
前記制御回路は、電位レベル調整時に前記複数の駆動用MOSトランジスタのうち同時に駆動される駆動用MOSトランジスタ数が常に同数となるように前記電位レベル調整回路を制御することを特徴とする半導体記憶装置。
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