JP5419254B2 - Microphone unit - Google Patents

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Description

本発明はマイクロホンユニットに関し、特にマイクロホンユニットを構成する筐体の開口部に対して振動膜がずらされて配置されるマイクロホンユニットに関する。   The present invention relates to a microphone unit, and more particularly to a microphone unit in which a vibration film is shifted with respect to an opening of a casing constituting the microphone unit.

外部から音声を受けて、当該音声を電気信号に変換するマイクロホンユニットが知られている。このようなマイクロホンユニットは、たとえば携帯電話やその他の移動端末の音声入力装置として使用されるため、小型(薄型)であることが好ましい。特に近年、携帯電話等の薄型化に伴って、各部品に求められる大きさに対する要求も厳しくなってきている。たとえば、マイクロホンユニットとしては、1.5mm以下の厚みが求められる。そこで、マイクロホンユニットを小型化(薄型化)するための技術が提案されている。   There is known a microphone unit that receives sound from outside and converts the sound into an electric signal. Since such a microphone unit is used as, for example, a voice input device of a mobile phone or other mobile terminal, it is preferable that the microphone unit be small (thin). In particular, in recent years, with the thinning of mobile phones and the like, the demand for the size required for each component has become stricter. For example, the microphone unit is required to have a thickness of 1.5 mm or less. Therefore, a technique for reducing the size (thinning) of the microphone unit has been proposed.

たとえば、特開2001−54196号公報(特許文献1)には、固定電極と振動膜とを一定間隔で配置し、両者間の静電容量の変化によって振動膜に与えられた音声信号を検出するようにしたエレクトレットコンデンサマイクロホンが開示されている。特開2001−54196号公報(特許文献1)によると、エレクトレットコンデンサマイクロホンにおいては、絶縁材からなる箱型ケース内に、上記固定電極及び振動膜と、半導体素子とが並列に収納される。   For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-54196 (Patent Document 1), a fixed electrode and a vibrating membrane are arranged at a constant interval, and an audio signal given to the vibrating membrane is detected by a change in capacitance between them. An electret condenser microphone configured as described above is disclosed. According to Japanese Patent Laying-Open No. 2001-54196 (Patent Document 1), in an electret condenser microphone, the fixed electrode, the vibration film, and the semiconductor element are accommodated in parallel in a box-shaped case made of an insulating material.

また、特開2007−306125号公報(特許文献2)には、カード型MEMSマイクロホンが開示されている。特開2007−306125号公報(特許文献2)によると、カード型MEMSマイクロホンは、第1の貫通孔と第2の貫通孔とを有する基板と、振動膜電極と背気室とで形成される空間が第1の貫通孔の出口を包囲する位置に実装され、振動膜電極に伝播した音信号を電気信号に変換するMEMSチップと、MEMSチップが実装される側と反対側の基板面であって、第1の貫通孔を覆う位置に実装される音響抵抗材とを備える。基板は、MEMSチップが出力する電気信号を電子機器に伝達する端子を有し、電子機器に着脱可能なカード形状である。第2の貫通孔は、音信号が回折して振動膜電極に伝播する通過孔であるものである。   Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-306125 (Patent Document 2) discloses a card-type MEMS microphone. According to Japanese Patent Laying-Open No. 2007-306125 (Patent Document 2), a card-type MEMS microphone is formed by a substrate having a first through hole and a second through hole, a diaphragm electrode, and a back air chamber. A MEMS chip that is mounted at a position where the space surrounds the outlet of the first through hole, converts a sound signal propagated to the diaphragm electrode into an electric signal, and a substrate surface opposite to the side on which the MEMS chip is mounted. And an acoustic resistance material mounted at a position covering the first through hole. The substrate has a terminal that transmits an electrical signal output from the MEMS chip to the electronic device, and has a card shape that can be attached to and detached from the electronic device. The second through hole is a through hole through which the sound signal is diffracted and propagated to the vibrating membrane electrode.

また、特開2007−124449号公報(特許文献3)には、マイクロホンが開示されている。特開2007−124449号公報(特許文献3)によると、導電電極と、その導電電極との間に第1の音圧通路の一部を構成する間隙をおいて対向配置される可動ダイアフラム電極とを有するシャッタ基板を、半導体基板に形成された機械部品および電気部品からなる、いわゆるMEMSとして形成する。これら導電電極と可動ダイアフラム電極との間への電圧印加を通じて静電引力を生じさせるとともに可動ダイアフラム電極を導電電極に吸着させることで、第1の音圧通路を開放あるいは閉塞する。   Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-124449 (Patent Document 3) discloses a microphone. According to Japanese Patent Laying-Open No. 2007-124449 (Patent Document 3), there is provided a conductive electrode and a movable diaphragm electrode disposed opposite to the conductive electrode with a gap constituting a part of the first sound pressure passage. Is formed as a so-called MEMS composed of mechanical parts and electric parts formed on a semiconductor substrate. An electrostatic attractive force is generated by applying a voltage between the conductive electrode and the movable diaphragm electrode, and the movable diaphragm electrode is attracted to the conductive electrode, thereby opening or closing the first sound pressure passage.

また、特開2000−165999号公報(特許文献4)には、半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンが開示されている。特開2000−165999号公報(特許文献4)によると、マイクロホンは、必要な電子回路が形成された半導体チップと、この半導体チップの表面に絶縁層を介して積層された電極層と、この電極層の上に形成された絶縁膜と、絶縁性のリングに貼着された振動膜と、リングと絶縁膜との間に介在して、振動膜と絶縁膜との間に所定の空間を設けるスペーサ層とを備える。振動膜は、片面に電極層を形成した高分子FEPフィルムをエレクトレット化したものである。   Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-165999 (Patent Document 4) discloses a semiconductor electret condenser microphone. According to Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-165999 (Patent Document 4), a microphone includes a semiconductor chip on which necessary electronic circuits are formed, an electrode layer laminated on the surface of the semiconductor chip via an insulating layer, and the electrode. An insulating film formed on the layer, a vibrating film attached to an insulating ring, and a predetermined space between the vibrating film and the insulating film are provided between the ring and the insulating film. A spacer layer. The vibrating membrane is obtained by electretizing a polymer FEP film having an electrode layer formed on one side.

また、特開2006−14267号公報(特許文献5)には、コンデンサマイクロホンが開示されている。特開2006−14267号公報(特許文献5)によると、固定電極の上段に位置し、固定電極と金属ケースを絶縁させる支持物と、金属ケース内の最上段と支持物との間に位置し、金属ケース及び支持物と電気的に接続され、振動膜の振動による振動膜と固定電極との間の静電容量の変化による電位変化を電気信号に増幅変換するためのFETが装着されており、複数の音波流入口が穿孔されている印刷回路基板とを含み、印刷回路基板の音波流入口に流入する音波の伝達を遅延させ、固定電極を印刷回路基板に形成されているFETのゲートに電気的に接続させる。
特開2001−54196号公報 特開2007−306125号公報 特開2007−124449号公報 特開2000−165999号公報 特開2006−14267号公報
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-14267 (Patent Document 5) discloses a condenser microphone. According to Japanese Patent Laying-Open No. 2006-14267 (Patent Document 5), the support is located above the fixed electrode and insulates the fixed electrode from the metal case, and is positioned between the uppermost stage in the metal case and the support. It is electrically connected to the metal case and the support, and is equipped with a FET for amplifying and converting the potential change due to the change in capacitance between the diaphragm and the fixed electrode due to the vibration of the diaphragm to an electrical signal A printed circuit board having a plurality of sonic inlets perforated, delaying the transmission of sound waves flowing into the sonic inlet of the printed circuit board, and fixing the fixed electrode to the gate of the FET formed on the printed circuit board. Connect electrically.
JP 2001-54196 A JP 2007-306125 A JP 2007-124449 A JP 2000-165999 A JP 2006-14267 A

上記のマイクロホンユニットにおいて、音波を検知する振動膜自体の厚みは数μm程度である。しかしながら、振動膜を支持する側壁部は400μm程度の厚みを有しており、側壁部の大きさ(厚み)がマイクロホンユニット全体の大きさ(厚み)に占める割合が大きい。また、マイクロホンユニットにおいては、音の入力される開口部からダストが侵入して振動膜上に付着することによって生じる動作不良を防止するため、開口部の直下に振動膜を配置しないことが好ましい。つまり、開口部直下に振動膜が重らないことが好ましい。換言すれば、マイクロホンユニットの外部から開口部を介して振動膜が見えないように、振動膜および側壁部が配置されることが好ましい。このため、マイクロホンユニットは、開口部から入力された音が側壁部を越えて振動膜に到達するように構成されている。   In the above microphone unit, the thickness of the vibration film itself for detecting sound waves is about several μm. However, the side wall portion that supports the vibration film has a thickness of about 400 μm, and the size (thickness) of the side wall portion accounts for a large proportion of the overall size (thickness) of the microphone unit. Further, in the microphone unit, it is preferable not to dispose the diaphragm directly under the opening in order to prevent malfunction caused by dust entering from the opening to which sound is input and adhering to the diaphragm. That is, it is preferable that the vibration film does not overlap directly below the opening. In other words, it is preferable that the vibration film and the side wall portion are arranged so that the vibration film cannot be seen from the outside of the microphone unit through the opening. For this reason, the microphone unit is configured such that the sound input from the opening reaches the vibrating membrane across the side wall.

しかしながら、マイクロホンユニット全体の厚みを薄くする場合、マイクロホンユニットを構成する筐体の内壁面と振動膜を支持する側壁部とが近接あるいは当接するようになり、音道経路が狭くなる。音道の断面積が減少することによって音響インピーダンスが増加するため、マイクロホンユニットの音響特性が劣化する。たとえば、マイクロホンユニット内の内部空間から決まる空間の共振周波数が低下することによりフラットな高域周波数特性が得られなくなるといった問題が発生する。   However, when the thickness of the entire microphone unit is reduced, the inner wall surface of the casing constituting the microphone unit and the side wall portion supporting the vibrating membrane come close to or in contact with each other, and the sound path is narrowed. Since the acoustic impedance increases as the cross-sectional area of the sound path decreases, the acoustic characteristics of the microphone unit deteriorate. For example, there is a problem that a flat high frequency characteristic cannot be obtained due to a decrease in the resonance frequency of the space determined from the internal space in the microphone unit.

本発明は上記の不具合を解消するためになされたものであって、本発明の主たる目的は、振動膜が筐体の開口部からずれた位置に配置され、かつ側壁部と筐体とが近接あるいは当接しても、音響特性が劣化しないマイクロホンユニットを提供することである。   The present invention has been made to solve the above problems, and a main object of the present invention is to arrange the vibration membrane at a position shifted from the opening of the casing, and to close the side wall to the casing. Alternatively, it is to provide a microphone unit whose acoustic characteristics are not deteriorated even if it abuts.

上記の課題を解決するために、この発明のある局面に従うと、マイクロホンユニットが提供される。マイクロホンユニットは、内部に第1の空間を含む筐体を備える。筐体は、第1の空間と外部とを連通する筐体開口部を含む。マイクロホンユニットは、第1の空間内に配置される振動膜と、振動膜の振動に基づいて電気信号を出力する電気回路部と、第1の空間内に配置され、振動膜よりも厚い側壁部とをさらに備える。側壁部は、振動膜の周囲を支持することによって振動膜を筐体開口部の下方よりずらして配置する。側壁部は、振動膜の上方の第2の空間と外部とを連通する側壁開口部を含む。   In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention, a microphone unit is provided. The microphone unit includes a housing including a first space inside. The housing includes a housing opening that communicates the first space with the outside. The microphone unit includes a vibration film disposed in the first space, an electric circuit unit that outputs an electric signal based on vibrations of the vibration film, and a sidewall part disposed in the first space and thicker than the vibration film. And further comprising. The side wall portion is disposed by shifting the vibration film from below the housing opening by supporting the periphery of the vibration film. The side wall includes a side wall opening that communicates the second space above the diaphragm and the outside.

好ましくは、側壁開口部は、側壁部の筐体開口部側に位置する。
好ましくは、側壁開口部は、側壁部の少なくとも一部分がその他の部分よりも低く形成されることによって形成される切り欠き部を含む。
Preferably, the side wall opening is positioned on the housing opening side of the side wall.
Preferably, the side wall opening includes a notch formed by forming at least a part of the side wall part lower than the other part.

好ましくは、側壁部は、4つの側壁を含む。切り欠き部は、いずれかの側壁の一部分の高さが側壁の他の部分よりも低く形成されることによって形成される。   Preferably, the side wall portion includes four side walls. The notch is formed by forming a height of a part of one of the side walls lower than the other part of the side wall.

好ましくは、側壁開口部は、側壁部に形成される孔部を含む。
好ましくは、筐体は、第1の空間の天井を構成する内壁面を含む。側壁部の少なくとも一部が、内壁面に当接する。
Preferably, the side wall opening includes a hole formed in the side wall.
Preferably, a housing | casing contains the inner wall face which comprises the ceiling of 1st space. At least a part of the side wall is in contact with the inner wall surface.

以上のように、この発明によれば、振動膜が筐体の開口部からずれた位置に配置され、かつ側壁部と筐体とが近接あるいは当接しても、音響特性が劣化しないマイクロホンユニットが提供される。   As described above, according to the present invention, there is provided a microphone unit in which the vibration film is disposed at a position shifted from the opening of the housing, and the acoustic characteristics are not deteriorated even when the side wall portion and the housing are close to or in contact with each other. Provided.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same parts are denoted by the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed description thereof will not be repeated.

[実施の形態1]
<音声信号送受信装置100Aの全体構成>
図1は、本実施の形態に係る音声信号送受信装置100Aの全体構成を示すブロック図である。本実施の形態に係る音声信号送受信装置100Aは、たとえば携帯電話である。図1に示すように、音声信号送受信装置100Aは、マイクロホンユニット110Aと、増幅部120と、加算部130と、スピーカ140と、送受信部170とを含む。本実施の形態に係る音声信号送受信装置100Aを構成するブロックの各々は、たとえば、ゲイン調整装置や、加算器や、無線通信装置などの専用のハードウェア回路などによって実現される。
[Embodiment 1]
<Overall Configuration of Audio Signal Transmitting / Receiving Device 100A>
FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of an audio signal transmitting / receiving apparatus 100A according to the present embodiment. Audio signal transmitting / receiving apparatus 100A according to the present embodiment is, for example, a mobile phone. As illustrated in FIG. 1, the audio signal transmission / reception device 100A includes a microphone unit 110A, an amplification unit 120, an addition unit 130, a speaker 140, and a transmission / reception unit 170. Each of the blocks constituting audio signal transmitting / receiving apparatus 100A according to the present embodiment is realized by a dedicated hardware circuit such as a gain adjusting apparatus, an adder, or a wireless communication apparatus, for example.

ただし、音声信号送受信装置100Aが、CPU(Central Processing Unit)や記憶装置を有する携帯電話やパーソナルコンピュータであって、各ブロックが、CPUが有する機能の一部として実現されるものであってもよい。すなわち、記憶装置に以下の機能を実現するための制御プログラムが記憶されており、CPUが記憶装置から制御プログラムを読み出して実行することによって、各ブロックの機能を実現する構成であってもよい。   However, the audio signal transmitting / receiving apparatus 100A may be a mobile phone or a personal computer having a CPU (Central Processing Unit) or a storage device, and each block may be realized as a part of the function of the CPU. . That is, a configuration may be adopted in which a control program for realizing the following functions is stored in the storage device, and the function of each block is realized by the CPU reading and executing the control program from the storage device.

図1においては、増幅部120は、オペアンプ等を用いたアンプ回路などによって実現されるものであって、マイクロホンユニット110Aと加算部130と送受信部170とに接続されている。増幅部120は、マイクロホンユニット110Aからの入力される送信音声信号を増幅して、送受信部170と加算部130とに出力する。   In FIG. 1, the amplification unit 120 is realized by an amplifier circuit using an operational amplifier or the like, and is connected to the microphone unit 110 </ b> A, the addition unit 130, and the transmission / reception unit 170. The amplifying unit 120 amplifies the transmission audio signal input from the microphone unit 110 </ b> A and outputs the amplified audio signal to the transmitting / receiving unit 170 and the adding unit 130.

送受信部170は、図示しないアンテナなどの無線通信装置によって実現され、増幅部120と加算部130と接続されている。送受信部170は、受信音声信号を受信するとともに、送信音声信号を送信する。より詳細には、送受信部170は、増幅部120から入力された送信音声信号を外部に送信し、外部からの受信音声信号を受信して加算部130に出力する。   The transmission / reception unit 170 is realized by a wireless communication device such as an antenna (not shown), and is connected to the amplification unit 120 and the addition unit 130. The transmission / reception unit 170 receives the reception audio signal and transmits the transmission audio signal. More specifically, the transmission / reception unit 170 transmits the transmission audio signal input from the amplification unit 120 to the outside, receives the reception audio signal from the outside, and outputs it to the addition unit 130.

加算部130は、送受信部170と増幅部120とスピーカ140と接続される。加算部130は、送受信部170から入力される受信音声信号と増幅部120から入力される送信音声信号とを加算して加算信号を生成し、スピーカ140に出力する。   Adder 130 is connected to transmitter / receiver 170, amplifier 120, and speaker 140. The adding unit 130 adds the reception audio signal input from the transmission / reception unit 170 and the transmission audio signal input from the amplification unit 120 to generate an addition signal, and outputs the addition signal to the speaker 140.

スピーカ140は、加算部130から入力される加算信号を受話音声に変換して出力する。   The speaker 140 converts the addition signal input from the addition unit 130 into a received voice and outputs it.

<マイクロホンユニット110Aの構成>
次に、本実施の形態に係るマイクロホンユニット110Aの構成について説明する。図2は本実施の形態に係るマイクロホンユニット110Aを示す正面断面図である。
<Configuration of Microphone Unit 110A>
Next, the configuration of the microphone unit 110A according to the present embodiment will be described. FIG. 2 is a front sectional view showing the microphone unit 110A according to the present embodiment.

図2に示すように、マイクロホンユニット110Aは、マイク基板621と、マイク基板621の上に積層される上部筐体611とを含む。   As shown in FIG. 2, the microphone unit 110 </ b> A includes a microphone substrate 621 and an upper housing 611 stacked on the microphone substrate 621.

マイク基板621の上面には、振動膜113とASIC(Application Specific Integrated Circuit)240とが配置される。ASIC240は、振動膜113の振動に基づく信号を増幅する等の処理を行う。ASIC240は、振動膜113の近くに配置することが好ましい。振動膜113の振動に基づく信号が微弱である場合には、外部電磁ノイズの影響を極力抑え、SNR(Signal to Noise Ratio)を向上させることができる。また、ASIC240は増幅回路だけでなく、AD変換器等を内蔵し、デジタル出力するような構成であっても構わない。   A vibration film 113 and an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) 240 are disposed on the upper surface of the microphone substrate 621. The ASIC 240 performs processing such as amplifying a signal based on the vibration of the vibration film 113. The ASIC 240 is preferably arranged near the vibration film 113. When the signal based on the vibration of the vibration film 113 is weak, the influence of external electromagnetic noise can be suppressed as much as possible, and the SNR (Signal to Noise Ratio) can be improved. Further, the ASIC 240 may have a configuration in which not only an amplifier circuit but also an AD converter or the like is built in and digitally output.

上部筐体611は、マイク基板621との間で、側壁部112Aと振動膜113とASIC240とを囲む(収容する)ための第1の空間を形成する。上部筐体611の一端部には、マイクロホンユニット110Aの外部から第1の空間へと音波(音声振動)を伝達させるための筐体開口部611Aが形成されている。音波は、筐体開口部611Aを通って、第1の空間を通ることによって、振動膜113の上面へと到達する。   The upper housing 611 forms a first space for enclosing (accommodating) the side wall 112 </ b> A, the vibration film 113, and the ASIC 240 with the microphone substrate 621. A housing opening 611A for transmitting sound waves (sound vibration) from the outside of the microphone unit 110A to the first space is formed at one end of the upper housing 611. The sound wave reaches the upper surface of the vibrating membrane 113 by passing through the first opening through the housing opening 611A.

なお、ASIC240は、筐体開口部611Aから振動膜113へと伝播される音波を遮ることがないように、振動膜113の側方であって、筐体開口部611Aとは反対側に配置されることが好ましい。   The ASIC 240 is disposed on the side of the vibration film 113 on the side opposite to the housing opening 611A so as not to block the sound wave propagating from the housing opening 611A to the vibration film 113. It is preferable.

振動膜113は、マイク基板621上に配置される側壁部112Aによって、支持される。以下では、振動膜113と振動膜113を支持する側壁部112Aとについて説明する。図3(A)は本実施の形態に係る側壁部112Aの斜視図であって、図3(B)は本実施の形態に係る側壁部112Aの平面図である。図4は振動膜113と側壁部112Aを示す正面断面図である。   The vibration film 113 is supported by the side wall portion 112 </ b> A disposed on the microphone substrate 621. Hereinafter, the vibration film 113 and the side wall portion 112A that supports the vibration film 113 will be described. FIG. 3A is a perspective view of the side wall 112A according to the present embodiment, and FIG. 3B is a plan view of the side wall 112A according to the present embodiment. FIG. 4 is a front sectional view showing the vibration film 113 and the side wall 112A.

なお、図1から図4に示すように、振動膜113と側壁部112AとASIC240とは、振動検知部111を構成するものとする。   As shown in FIGS. 1 to 4, the vibration film 113, the side wall portion 112 </ b> A, and the ASIC 240 constitute a vibration detection unit 111.

図2から図4を参照して、筐体開口部611Aは、マイクロホンユニット110Aの上部筐体611の一端部に形成されている。側壁部112Aは、振動膜113の周囲を支持することによって、振動膜113を筐体開口部611Aの下方からずれた位置に配置する。このように、振動膜113が筐体開口部611Aの下方からずらして配置されるので、振動膜113が直接マイクロホンユニット110Aの外部へとさらされることがない。その結果、振動膜113にごみやほこりなどのダストが付着することを防止することができる。   Referring to FIGS. 2 to 4, housing opening 611A is formed at one end of upper housing 611 of microphone unit 110A. The side wall portion 112A supports the periphery of the vibration film 113, thereby disposing the vibration film 113 at a position shifted from the lower side of the housing opening 611A. As described above, since the vibration film 113 is arranged so as to be shifted from the lower side of the housing opening 611A, the vibration film 113 is not directly exposed to the outside of the microphone unit 110A. As a result, dust such as dust or dust can be prevented from adhering to the vibration film 113.

本実施の形態に係る側壁部112Aの外周面は、4つの平面から構成される。ただし、側壁部112Aが、4つの側壁から構成されるものであってもよい。そして、側壁部112Aは、その筐体開口部611A側に開口部が形成されている。より詳細には、本実施の形態に係る側壁部112Aには、その筐体開口部611A側の側壁の一部が他の側壁の高さよりも低く形成される。換言すれば、側壁部112Aには、その筐体開口部611A側に切り欠き部112Bが形成されている。   The outer peripheral surface of the side wall portion 112A according to the present embodiment is composed of four planes. However, the side wall portion 112A may be composed of four side walls. The side wall 112A has an opening formed on the housing opening 611A side. More specifically, in the side wall 112A according to the present embodiment, a part of the side wall on the housing opening 611A side is formed lower than the height of the other side wall. In other words, the side wall 112A is formed with a notch 112B on the housing opening 611A side.

音道の断面積を確保するという観点、マイクロホンユニット110Aの小型化という観点から、切り欠き部112Bの一辺(幅)の大きさは、0.2mm以上、振動膜113の直径(0.5〜1mm)以下であることが好ましい。あるいは、切り欠き部112Bの高さが、0.2〜0.3mmであることが好ましい。   From the viewpoint of securing the cross-sectional area of the sound path and the miniaturization of the microphone unit 110A, the size of one side (width) of the notch 112B is 0.2 mm or more, and the diameter of the vibrating membrane 113 (0.5 to 1 mm) or less. Or it is preferable that the height of the notch part 112B is 0.2-0.3 mm.

このように、本実施の形態に係る側壁部112Aには、その筐体開口部611A側に切り欠き部112Bが形成されているため、切り欠き部112Bと上部筐体611の内壁面とによって囲まれる間隙の空間を通って音波が振動膜113へ到達し易くなっている。ここで、上部筐体611の内壁面は、第1の空間の天井を構成する。   Thus, since the notch 112B is formed on the side of the housing opening 611A in the side wall 112A according to the present embodiment, the side wall 112A is surrounded by the notch 112B and the inner wall surface of the upper housing 611. The sound wave easily reaches the vibration film 113 through the gap space. Here, the inner wall surface of the upper housing 611 constitutes the ceiling of the first space.

図4に示すように、通常の側壁部は、振動膜113の側方が密閉されているため、音波は側壁部112Aを越えて振動膜113の上方から振動膜113に伝播する。すなわち、通常の側壁部においては、図4の矢印X方向から振動膜113へと音圧Pfが伝わってくる。しかしながら、本実施の形態に係る側壁部112Aにおいては、側壁部112Aと上部筐体611の内壁面とが当接あるいは近接しており、筐体開口部611A側に切り欠き部112Bが形成されているため、図4の矢印方向Yから側壁部112Aにて囲まれる振動膜113の上方の空間(第2の空間)へと音圧Pfが伝わってくる。   As shown in FIG. 4, since the side wall portion of the normal side wall portion is hermetically sealed, the sound wave propagates from above the vibration membrane 113 to the vibration membrane 113 beyond the side wall portion 112 </ b> A. That is, the sound pressure Pf is transmitted from the direction of the arrow X in FIG. However, in the side wall portion 112A according to the present embodiment, the side wall portion 112A and the inner wall surface of the upper housing 611 are in contact with or close to each other, and a notch portion 112B is formed on the housing opening 611A side. Therefore, the sound pressure Pf is transmitted from the arrow direction Y in FIG. 4 to the space (second space) above the vibration film 113 surrounded by the side wall 112A.

これによって、図2に示すように、側壁部112Aを上部筐体611の内壁面(第1および第2の空間の天井)に当接させても、振動膜113に音波を伝播させることが可能になる。すなわち、本実施の形態に係る側壁部112Aは、マイク基板621と上部筐体611の内壁面とに当接することによってマイクロホンユニット110Aの強度を高めつつ、振動膜113へと音波を伝播させることが可能である。   As a result, as shown in FIG. 2, even when the side wall 112 </ b> A is brought into contact with the inner wall surface (the ceiling of the first and second spaces) of the upper housing 611, it is possible to propagate sound waves to the vibration film 113. become. That is, the side wall portion 112A according to the present embodiment can propagate sound waves to the vibration film 113 while increasing the strength of the microphone unit 110A by contacting the microphone substrate 621 and the inner wall surface of the upper housing 611. Is possible.

つまり、本実施の形態に係るマイクロホンユニット110Aは、振動膜113に対して筐体開口部611Aの方向の側壁部112Aの少なくとも一部の高さを低くすることにより、マイクロホンユニット110Aの強度を低下させることなく、筐体開口部611Aから振動膜113に至る音道の断面積を確保することが可能であり、マイクロホンユニット110Aの薄型化と良好な音響特性とを両立することが出来る。   That is, the microphone unit 110A according to the present embodiment reduces the strength of the microphone unit 110A by reducing the height of at least a part of the side wall 112A in the direction of the housing opening 611A with respect to the vibration film 113. Therefore, the cross-sectional area of the sound path from the housing opening 611A to the diaphragm 113 can be ensured, and the microphone unit 110A can be made thin and have good acoustic characteristics.

さらに、本実施の形態に係るマイクロホンユニット110Aは、音道長を短くすることによって、筐体の内部空間容積を減少させることができ、これにより共振周波数を高く保つことができる。そして、マイクロホンユニット110Aの容積を小さくすることができる。また、側壁部112Aの切り欠き部112Bは、たとえばエッチングなどによって容易に形成することができるものである。   Furthermore, the microphone unit 110A according to the present embodiment can reduce the internal space volume of the housing by shortening the sound path length, thereby keeping the resonance frequency high. The volume of the microphone unit 110A can be reduced. Further, the notch 112B of the side wall 112A can be easily formed by, for example, etching.

<側壁部の変形例>
図5は本実施の形態に係る側壁部の変形例を示す正面断面図である。図5に示すように、本変形例に係る側壁部112Cは、側壁部112Cの筐体開口部611A側に孔部112Dが形成されている。このように、本変形例に係るマイクロホンユニット110Aにおいては、外部からの音波は筐体開口部611Aによって囲まれる空間を通過して第1の空間へと伝播する。そして、第1の空間へと伝播された音波は、孔部112Dによって囲まれる空間を通過して振動膜113へと伝播する。
<Modification of side wall>
FIG. 5 is a front sectional view showing a modification of the side wall portion according to the present embodiment. As shown in FIG. 5, the side wall 112C according to this modification has a hole 112D formed on the side of the housing opening 611A of the side wall 112C. As described above, in the microphone unit 110A according to this modification, the sound wave from the outside passes through the space surrounded by the housing opening 611A and propagates to the first space. Then, the sound wave propagated to the first space passes through the space surrounded by the hole 112D and propagates to the vibration film 113.

音道の断面積を確保するという観点、マイクロホンユニット110Aの小型化という観点から、孔部112Dの一辺の大きさ(あるいは直径)は、0.2mm以上、好ましくは0.2〜0.3mmであることが好ましい。   From the viewpoint of securing the cross-sectional area of the sound path, and from the viewpoint of reducing the size of the microphone unit 110A, the size (or diameter) of one side of the hole 112D is 0.2 mm or more, preferably 0.2 to 0.3 mm. Preferably there is.

このように、本変形例に係る側壁部112Cには、その筐体開口部611A側に孔部112Dが形成されているため、孔部112Dにて囲まれる空間を通って音波が振動膜113へ到達できるようになっている。つまり、本変形例に係る側壁部112Cにおいては、筐体開口部611A側に孔部112Dが形成されているため、図4の矢印方向Yから側壁部112Cにて囲まれる振動膜113の上方の空間(第2の空間)へと音圧Pfが伝わってくる。   As described above, since the hole 112D is formed on the side of the housing opening 611A in the side wall 112C according to this modification, the sound wave passes through the space surrounded by the hole 112D to the vibration film 113. It can be reached. That is, in the side wall portion 112C according to this modification, the hole portion 112D is formed on the housing opening 611A side, so that the upper side of the vibration film 113 surrounded by the side wall portion 112C from the arrow direction Y in FIG. The sound pressure Pf is transmitted to the space (second space).

これによって、図5に示すように、側壁部112Cの上面を上部筐体611の内壁面(第1および第2の空間の天井)に当接あるいは近接させても、振動膜113に音波を伝播させることが可能になる。すなわち、本実施の形態に係る側壁部112Cは、マイク基板621と上部筐体611の内壁面とに当接することによってマイクロホンユニット110Aの強度を高めつつ、振動膜113へと音波を伝播させることが可能である。   As a result, as shown in FIG. 5, even when the upper surface of the side wall portion 112C is brought into contact with or close to the inner wall surface (the ceiling of the first and second spaces) of the upper housing 611, the sound wave is propagated to the vibration film 113. It becomes possible to make it. That is, the side wall portion 112C according to the present embodiment can propagate sound waves to the vibration film 113 while increasing the strength of the microphone unit 110A by contacting the microphone substrate 621 and the inner wall surface of the upper housing 611. Is possible.

本変形例に係る側壁部112Cは、側壁部112Cに孔部112Dを形成することによって、容易に側壁開口部を形成することができるものである。   The side wall 112C according to this modification can be easily formed with a side wall opening by forming a hole 112D in the side wall 112C.

[実施の形態2]
次に、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態に係る音声信号送受信装置100Bは、差動マイクロホンユニット110Bを有するものである。
[Embodiment 2]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The audio signal transmitting / receiving apparatus 100B according to the present embodiment has a differential microphone unit 110B.

図6は、本実施の形態に係る音声信号送受信装置100Bの全体構成を示すブロック図である。本実施の形態に係る音声信号送受信装置100Bは、たとえば携帯電話である。図6に示すように、音声信号送受信装置100Bは、差動マイクロホンユニット110Bと、増幅部120と、加算部130と、スピーカ140と、送受信部170とを含む。なお、音声信号送受信装置100Bの構成については、上述の実施の形態1と同様であるので詳細な説明は繰り返さない。   FIG. 6 is a block diagram showing an overall configuration of audio signal transmitting / receiving apparatus 100B according to the present embodiment. Audio signal transmitting / receiving apparatus 100B according to the present embodiment is, for example, a mobile phone. As illustrated in FIG. 6, the audio signal transmission / reception device 100B includes a differential microphone unit 110B, an amplification unit 120, an addition unit 130, a speaker 140, and a transmission / reception unit 170. The configuration of audio signal transmitting / receiving apparatus 100B is similar to that of the first embodiment described above, and therefore detailed description will not be repeated.

<差動マイクロホンユニット110Bの構成>
以下、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bについて説明する。図7は、振動検知部111周辺を示す正面断面図である。
<Configuration of differential microphone unit 110B>
Hereinafter, the differential microphone unit 110B according to the present embodiment will be described. FIG. 7 is a front sectional view showing the periphery of the vibration detection unit 111.

図6および図7に示すように、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bは、振動検知部111を含む。本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bは、音響的な差分を取得することによって背景雑音を除去する。   As shown in FIGS. 6 and 7, the differential microphone unit 110 </ b> B according to the present embodiment includes a vibration detection unit 111. The differential microphone unit 110B according to the present embodiment removes background noise by acquiring an acoustic difference.

振動検知部111は、振動膜113や、側壁部112Aや、後述するASICを含む。振動検知部111は、振動膜113に到達する2方向からの音圧(音波の振幅)Pf,Pbによって振動し、当該振動に応じた電気信号を生成する。つまり、差動マイクロホンユニット110Bは、2方向から伝達されてくる送話音声を受音して電気信号に変換する。   The vibration detection unit 111 includes a vibration film 113, a side wall portion 112A, and an ASIC described later. The vibration detection unit 111 vibrates with sound pressures (amplitudes of sound waves) Pf and Pb from two directions reaching the vibration film 113, and generates an electrical signal corresponding to the vibrations. That is, the differential microphone unit 110B receives the transmitted voice transmitted from two directions and converts it into an electrical signal.

本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bでは、振動膜113が、上下両側から音圧Pf,Pbを受ける構造となっており、振動膜113は音圧差(Pf−Pb)にしたがって振動する。そのため、振動膜113の両側に同時に同じ大きさの音圧がかかると、当該2つの音圧は振動膜113にて打ち消しあい、振動膜113は振動しない。逆に、振動膜113は、両側に受ける音圧に差があるときに、その音圧差によって振動する。   In the differential microphone unit 110B according to the present embodiment, the vibration film 113 is structured to receive the sound pressures Pf and Pb from both the upper and lower sides, and the vibration film 113 vibrates according to the sound pressure difference (Pf−Pb). For this reason, when sound pressures of the same magnitude are simultaneously applied to both sides of the vibration film 113, the two sound pressures cancel each other out at the vibration film 113, and the vibration film 113 does not vibrate. Conversely, when there is a difference in sound pressure applied to both sides, the vibration film 113 vibrates due to the sound pressure difference.

そして、側壁部112Aや振動膜113やASIC240を含む振動検知部111の構成は、実施の形態1におけるそれと同様であるため、ここでは詳細な説明を繰り返さない。   And since the structure of the vibration detection part 111 containing the side wall part 112A, the vibration film 113, and the ASIC 240 is the same as that in Embodiment 1, detailed description is not repeated here.

すなわち、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bにおいても、側壁部112Aと上部筐体612の内壁面とが当接あるいは近接しており、筐体開口部612A側に切り欠き部112Bが形成されているため、図7の矢印方向Yから側壁部112Aにて囲まれる振動膜113の上方の空間(第2の空間)へと音圧Pfが伝わってくる。あるいは、図5に示すように、側壁部112Cの筐体開口部612A側に孔部112Dが形成されているため、図7の矢印方向Yから側壁部112Aにて囲まれる振動膜113の上方の空間(第2の空間)へと音圧Pfが伝わってくる。   That is, also in the differential microphone unit 110B according to the present embodiment, the side wall portion 112A and the inner wall surface of the upper housing 612 are in contact with or close to each other, and the cutout portion 112B is formed on the housing opening 612A side. Therefore, the sound pressure Pf is transmitted from the arrow direction Y in FIG. 7 to the space (second space) above the diaphragm 113 surrounded by the side wall 112A. Alternatively, as shown in FIG. 5, since the hole 112D is formed on the side of the housing opening 612A of the side wall 112C, the upper side of the vibration film 113 surrounded by the side wall 112A from the arrow direction Y in FIG. The sound pressure Pf is transmitted to the space (second space).

ただし、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bにおいては、図7の矢印Z方向から側壁部112Aにて囲まれる振動膜113の下方の空間(第2の空間)へと音圧Pbが伝わってくる。   However, in the differential microphone unit 110B according to the present embodiment, the sound pressure Pb is transmitted from the direction of arrow Z in FIG. 7 to the space (second space) below the vibration film 113 surrounded by the side wall 112A. Come.

<差動マイクロホンユニット110Bの雑音除去原理>
つぎに、差動マイクロホンユニット110Bの雑音除去原理について説明する。図8は、音圧Pと音源からの距離Rとの関係を示すグラフである。図8に示すように、音波は、空気等の媒質中を進行するにつれ減衰し、音圧(音波の強度・振幅)が低下する。音庄は、音源からの距離に反比例するため、音圧Pは、音源からの距離Rとの関係において、
P=k/R・・・(1)
と表すことができる。なお、式(1)中、kは比例定数である。
<Noise removal principle of differential microphone unit 110B>
Next, the principle of noise removal of the differential microphone unit 110B will be described. FIG. 8 is a graph showing the relationship between the sound pressure P and the distance R from the sound source. As shown in FIG. 8, the sound wave attenuates as it travels through a medium such as air, and the sound pressure (the intensity and amplitude of the sound wave) decreases. The sound pressure is inversely proportional to the distance from the sound source, so the sound pressure P is related to the distance R from the sound source.
P = k / R (1)
It can be expressed as. In equation (1), k is a proportionality constant.

そして、図8および式(1)からも明らかなように、音圧(音波の振幅)は、音源に近い位置(グラフの左側)では急激に減衰し、音源から離れるほどなだらかに減衰する。すなわち、音源からの距離がΔdだけ異なる2つの位置(d0とd1、d2とd3)に伝達される音圧は、音源からの距離が小さいd0からd1においては大きく減衰するが(P0−P1)、音源からの距離が大きいd2からd3においてはあまり減衰しない(P2−P3)。   As is clear from FIG. 8 and Expression (1), the sound pressure (the amplitude of the sound wave) is abruptly attenuated at a position close to the sound source (left side of the graph), and gradually decreases as the distance from the sound source is increased. That is, the sound pressure transmitted to two positions (d0 and d1, d2 and d3) that are different by a distance from the sound source is greatly attenuated from a distance d0 to d1 where the distance from the sound source is small (P0-P1). In d2 to d3 where the distance from the sound source is large, there is not much attenuation (P2-P3).

本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bを、携帯電話に代表される音声信号送受信装置100Bに適用する場合、話者からの発話音声は、差動マイクロホンユニット110Bの近傍から発生する。そのため、話者の発話音声の音圧は、振動膜113の上面に到達する音圧Pfと、振動膜113の下面に到達する音圧Pbとの間で大きく減衰する。すなわち、接近する話者からの発話音声については、振動膜113の上面に到達する音圧Pfと、振動膜113の下面に到達する音圧Pbと差異が大きい。   When the differential microphone unit 110B according to the present embodiment is applied to an audio signal transmitting / receiving apparatus 100B typified by a mobile phone, the uttered voice from a speaker is generated from the vicinity of the differential microphone unit 110B. Therefore, the sound pressure of the uttered voice of the speaker is greatly attenuated between the sound pressure Pf reaching the upper surface of the vibration film 113 and the sound pressure Pb reaching the lower surface of the vibration film 113. That is, for the speech voice from the approaching speaker, there is a large difference between the sound pressure Pf reaching the upper surface of the vibration film 113 and the sound pressure Pb reaching the lower surface of the vibration film 113.

これに対して遠方の背景雑音は、話者の発話音声に比べて、音源が差動マイクロホンユニット110Bから遠い位置に存在する。そのため、背景雑音の音圧は、振動膜113の上面に到達するPfと、振動膜113の下面に到達する音圧Pbとの間でほとんど減衰しない。すなわち、背景雑音については、振動膜113の上面に到達する音圧Pfと、振動膜113の下面に到達する音圧Pbとの差異が小さい。   On the other hand, far away background noise exists in a position where the sound source is far from the differential microphone unit 110B as compared with the voice of the speaker. Therefore, the sound pressure of background noise hardly attenuates between Pf that reaches the upper surface of the vibration film 113 and the sound pressure Pb that reaches the lower surface of the vibration film 113. That is, regarding the background noise, the difference between the sound pressure Pf reaching the upper surface of the vibration film 113 and the sound pressure Pb reaching the lower surface of the vibration film 113 is small.

図9は、音源からの距離Rを対数に変換したものとマイクが出力する音圧Pを対数に変換したもの(dB:decibel)との関係を示したグラフである。点線は通常のマイクロホンユニット、実線は本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bの特性を示している。   FIG. 9 is a graph showing the relationship between the distance R from the sound source converted into logarithm and the sound pressure P output from the microphone converted into logarithm (dB: decibel). The dotted line indicates the characteristics of the normal microphone unit, and the solid line indicates the characteristics of the differential microphone unit 110B according to the present embodiment.

図9に示すように、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bが検出して出力する音圧レベル(dB)は、音源からの距離が大きくなるにつれて、通常のマイクロホンユニットよりも大きく減少する特性を示す。すなわち、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bは、通常のマイクロホンユニットよりも、音源からの距離が大きくなるに従って音圧レベルがより顕著に低下していく。   As shown in FIG. 9, the sound pressure level (dB) detected and output by the differential microphone unit 110B according to the present embodiment is greatly reduced as compared with a normal microphone unit as the distance from the sound source increases. Show properties. That is, in the differential microphone unit 110B according to the present embodiment, the sound pressure level decreases more significantly as the distance from the sound source increases than in the normal microphone unit.

図7〜図9を参照して、振動膜113にて受音される背景雑音の音圧の差(Pf−Pb)は非常に小さいため、差動マイクロホンユニット110Bが生成する背景雑音を示す雑音信号は非常に小さくなる。これに対して、振動膜113にて受音される話者の発話音声の音圧の差(Pf−Pb)は大きいため、差動マイクロホンユニット110Bにて生成される発話音声を示す発話信号は大きくなる。つまり、差動マイクロホンユニット110Bは、主に発話音声を示す発話信号を出力することができる。   7 to 9, since the difference in sound pressure (Pf−Pb) of the background noise received by the diaphragm 113 is very small, the noise indicating the background noise generated by the differential microphone unit 110B. The signal is very small. On the other hand, since the difference (Pf−Pb) in the sound pressure of the speaker's speech received by the diaphragm 113 is large, the speech signal indicating the speech generated by the differential microphone unit 110B is growing. That is, the differential microphone unit 110B can output an utterance signal mainly indicating the utterance voice.

<差動マイクロホンユニット110Bの構成>
次に、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bの構成について説明する。図10は本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bを示す正面断面図であって、図11は図10におけるXI−XI断面図である。
<Configuration of differential microphone unit 110B>
Next, the configuration of the differential microphone unit 110B according to the present embodiment will be described. 10 is a front sectional view showing the differential microphone unit 110B according to the present embodiment, and FIG. 11 is a sectional view taken along line XI-XI in FIG.

図10および図11に示すように、差動マイクロホンユニット110Bは、マイク基板622を含む。マイク基板622は、一方の面に面する第1の基板開口部622Aおよび第2の基板開口部622Bと、第1の基板開口部622Aおよび第2の基板開口部622Bを介して振動膜113の下方の空間と外部と連通する基板内部通路622Cを有する。   As shown in FIGS. 10 and 11, the differential microphone unit 110 </ b> B includes a microphone substrate 622. The microphone substrate 622 includes the first substrate opening 622A and the second substrate opening 622B facing one surface, and the vibration film 113 via the first substrate opening 622A and the second substrate opening 622B. A substrate internal passage 622C communicates with the lower space and the outside.

本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bは、マイク基板622の一方の面(マイク基板622の上面)に被せる上部筐体612を含む。上部筐体612は、第1の筐体開口部612Aと第2の筐体開口部612Bとを有する。そして、上部筐体612は、マイク基板622との間で、側壁部112Aと振動膜113とASIC240とを囲む(収容する)ための第1の空間を形成する。   The differential microphone unit 110B according to the present embodiment includes an upper housing 612 that covers one surface of the microphone substrate 622 (the upper surface of the microphone substrate 622). The upper housing 612 has a first housing opening 612A and a second housing opening 612B. The upper housing 612 forms a first space for surrounding (accommodating) the side wall 112 </ b> A, the vibration film 113, and the ASIC 240 with the microphone substrate 622.

すなわち、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bは、振動検知部111を内包する。振動検知部111は、第1の基板開口部622Aの全てを覆う位置に配置されている。また、振動検知部111の振動膜113は、第1の基板開口部622Aを覆う位置に配置されている。   That is, the differential microphone unit 110B according to the present embodiment includes the vibration detection unit 111. The vibration detection unit 111 is disposed at a position covering all of the first substrate opening 622A. Further, the vibration film 113 of the vibration detection unit 111 is disposed at a position covering the first substrate opening 622A.

外部から伝播してくる音波は、第1の筐体開口部612Aおよび第1の空間を通って、振動膜113の上面へと到達する。また、外部から伝播してくる音波は、第2の筐体開口部612Bと基板内部通路622Cとを通って、振動膜113の下面へと到達する。   The sound wave propagating from the outside reaches the upper surface of the vibrating membrane 113 through the first housing opening 612A and the first space. In addition, sound waves propagating from the outside reach the lower surface of the vibration film 113 through the second housing opening 612B and the substrate internal passage 622C.

そして、前述したように、側壁部112Aや振動膜113やASIC240を含む振動検知部111の構成は、実施の形態1におけるそれと同様であるため、ここでは詳細な説明を繰り返さない。   As described above, the configuration of the vibration detection unit 111 including the side wall 112A, the vibration film 113, and the ASIC 240 is the same as that in the first embodiment, and thus detailed description thereof will not be repeated here.

差動マイクロホンユニット110Bはこのように構成されるので、振動膜113の上面には、第1の筐体開口部612Aから入射した音波の音圧Pfが加わる。振動膜113の下面には、第1の筐体開口部612Bから入射した音波の音圧Pbが加わる。よって、振動膜113は、音圧Pfと音圧Pbの差に基づいて振動することになる。   Since the differential microphone unit 110B is configured in this way, the sound pressure Pf of the sound wave incident from the first housing opening 612A is applied to the upper surface of the vibration film 113. The sound pressure Pb of the sound wave incident from the first housing opening 612B is applied to the lower surface of the vibration film 113. Therefore, the vibration film 113 vibrates based on the difference between the sound pressure Pf and the sound pressure Pb.

ここで、良好な差動マイク特性を得るためには、マイク基板622と側壁部112A間の接着が重要となる。マイク基板622と側壁部112Aとの間に音響的なリークがあると、第2の基板開口部622Bから入る音圧が振動膜113に伝達できなくなり、良好な差動マイク特性を得ることができない。本実施例では、第1の基板開口部622Aにおいて、振動膜113を保持する側壁部112Aの下面の4辺全てがマイク基板622の上面と密着しているため、この一面についてシール材等による音響リーク対策を施すことにより、バラツキなく良好な差動マイク特性を得ることができ、環境変化に対しても強いマイクロホンユニットを得ることができる。   Here, in order to obtain good differential microphone characteristics, adhesion between the microphone substrate 622 and the side wall portion 112A is important. If there is an acoustic leak between the microphone substrate 622 and the side wall portion 112A, the sound pressure entering from the second substrate opening 622B cannot be transmitted to the vibration film 113, and good differential microphone characteristics cannot be obtained. . In this embodiment, since all four sides of the lower surface of the side wall 112A that holds the vibration film 113 are in close contact with the upper surface of the microphone substrate 622 in the first substrate opening 622A, this one surface is acoustically treated with a sealing material or the like. By taking countermeasures against leakage, it is possible to obtain good differential microphone characteristics without variation and to obtain a microphone unit that is resistant to environmental changes.

したがって、本実施の形態における差動マイクロホンユニット110Bによれば、上部筐体612上の2点、すなわち第1の筐体開口部612Aおよび第2の筐体開口部612Bにおける音波を入力とし音圧差を検出することができる。また、1枚の振動膜113で構成された差動マイクロホンユニット110Bを高密度に実装することで、小型で軽量なマイクロホンユニットが実現できる。   Therefore, according to differential microphone unit 110B in the present embodiment, sound pressure difference is obtained by inputting sound waves at two points on upper housing 612, that is, first housing opening 612A and second housing opening 612B. Can be detected. Moreover, a small and lightweight microphone unit can be realized by mounting the differential microphone unit 110 </ b> B composed of one vibration film 113 at a high density.

また、第1の筐体開口部612Aから振動膜113上面までの音波到達時間と、第2の筐体開口部612Bから振動膜113下面までの音波到達時間が等しくなるように構成してもよい。音波到達時間を等しくするために、例えば、第1の筐体開口部612Aから振動膜113までの音波の経路長と、第2の筐体開口部612Bから振動膜113までの音波の経路長が等しくなるように構成してもよい。経路長は、例えば、経路の断面の中心を結ぶ線の長さであってもよい。好ましくは、経路長の比率は±20%(80%以上120%以下の範囲)で等しくし、振動膜113を挟んで筐体開口部612Aに連通する側の筐体内部空間容積と、筐体開口部612Bに連通する側の筐体内部空間容積は±50%(50%以上150%以下)で等しくすることにより、筐体開口部612Aから振動膜113までの音響インピーダンスと、筐体開口部612Bから振動膜113までの音響インピーダンスとを等しくすることができるため、特に高周波帯域での差動マイク特性が良好にできる。   The sound wave arrival time from the first housing opening 612A to the upper surface of the vibration film 113 may be configured to be equal to the sound wave arrival time from the second housing opening 612B to the lower surface of the vibration film 113. . In order to equalize the sound wave arrival time, for example, the path length of the sound wave from the first housing opening 612A to the vibrating membrane 113 and the path length of the sound wave from the second housing opening 612B to the vibrating membrane 113 are: You may comprise so that it may become equal. The path length may be, for example, the length of a line connecting the centers of the cross sections of the path. Preferably, the path length ratio is equal to ± 20% (in the range of 80% to 120%), the internal space volume of the case on the side communicating with the case opening 612A across the vibration film 113, and the case By making the internal space volume of the casing on the side communicating with the opening 612B equal to ± 50% (50% or more and 150% or less), the acoustic impedance from the casing opening 612A to the diaphragm 113, and the casing opening Since the acoustic impedance from 612B to the vibration film 113 can be made equal, the differential microphone characteristic particularly in the high frequency band can be improved.

この構成により、第1の筐体開口部612Aおよび筐体開口部612Bから振動膜113に到達する音圧(ゲイン)および、第1の筐体開口部612Aおよび第2の筐体開口部612Bから振動膜113に到達する音波の到達時間、すなわち位相を揃えることができ、より精度の高い雑音除去機能を実現することができる。   With this configuration, the sound pressure (gain) reaching the vibration film 113 from the first housing opening 612A and the housing opening 612B, and the first housing opening 612A and the second housing opening 612B. The arrival time, that is, the phase of the sound wave reaching the vibration film 113 can be made uniform, and a more accurate noise removal function can be realized.

そして、上述したように、音圧は、音源に近い位置(図4のグラフの左側)では急激に減衰し、音源から離れた位置(図4のグラフの右側)ほどなだらかに減衰する。そのため、話者の発話音声に対する音波については、振動膜113の上面に伝達される音圧Pfと、振動膜113の下面に伝達される音圧Pbとが大きく異なる。一方、周囲の背景雑音に対する音波については、振動膜113の上面に伝達される音圧Pfと、振動膜113の下面に伝達される音圧Pbとの差が非常に小さくなる。   As described above, the sound pressure is rapidly attenuated at a position close to the sound source (left side of the graph in FIG. 4), and gradually decreases at a position far from the sound source (right side of the graph in FIG. 4). Therefore, regarding the sound wave with respect to the voice of the speaker, the sound pressure Pf transmitted to the upper surface of the vibration film 113 and the sound pressure Pb transmitted to the lower surface of the vibration film 113 are greatly different. On the other hand, regarding the sound wave with respect to the surrounding background noise, the difference between the sound pressure Pf transmitted to the upper surface of the vibration film 113 and the sound pressure Pb transmitted to the lower surface of the vibration film 113 becomes very small.

振動膜113にて受音される背景雑音の音圧Pf,Pbの差は非常に小さいため、背景雑音に対する音圧は振動膜113にてほぼ打ち消される。これに対して、振動膜113にて受音される話者の発話音声の音圧Pf,Pbの差は大きいため、発話音声に対する音圧は振動膜113で打ち消されない。このようにして、差動マイクロホンユニット110Bは、ASIC240を利用して、振動膜113が振動することによって得られた音声信号を送信音声信号として出力する。   Since the difference between the sound pressures Pf and Pb of the background noise received by the vibration film 113 is very small, the sound pressure for the background noise is almost canceled by the vibration film 113. On the other hand, since the difference between the sound pressures Pf and Pb of the uttered voice of the speaker received by the diaphragm 113 is large, the sound pressure for the uttered voice is not canceled out by the diaphragm 113. In this way, the differential microphone unit 110B uses the ASIC 240 to output an audio signal obtained by vibrating the vibrating membrane 113 as a transmission audio signal.

以上のように、本実施の形態においては、図10に示すように、側壁部112Aを上部筐体612の内壁面に当接させても、振動膜113に音波を伝播させることが可能になる。すなわち、本実施の形態に係る側壁部112Aは、マイク基板622と上部筐体612の内壁面とに当接することによって差動マイクロホンユニット110Bの強度を高めつつ、振動膜113へと音波を伝播させることが可能である。   As described above, in the present embodiment, as shown in FIG. 10, even when the side wall portion 112 </ b> A is brought into contact with the inner wall surface of the upper housing 612, the sound wave can be propagated to the vibration film 113. . That is, the side wall 112A according to the present embodiment propagates sound waves to the vibration film 113 while increasing the strength of the differential microphone unit 110B by contacting the microphone substrate 622 and the inner wall surface of the upper housing 612. It is possible.

つまり、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bは、振動膜113に対して筐体開口部612Aの方向の側壁部112Aの少なくとも一部の高さを低くすることにより、差動マイクロホンユニット110Bの強度を低下させることなく、筐体開口部612Aから振動膜113に至る音道の断面積を確保することが可能であり、差動マイクロホンユニット110Bの薄型化と良好な音響特性とを両立することが出来る。   That is, the differential microphone unit 110B according to the present embodiment reduces the height of at least a part of the side wall 112A in the direction of the housing opening 612A with respect to the vibration film 113, thereby reducing the differential microphone unit 110B. It is possible to secure the cross-sectional area of the sound path from the housing opening 612A to the vibration film 113 without reducing the strength of the differential microphone unit 110B, and to achieve both a reduction in the thickness of the differential microphone unit 110B and good acoustic characteristics. I can do it.

換言すれば、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bは、音道長を短くすることによって、共振周波数を高く保つことができる。そして、差動マイクロホンユニット110Bの容積を小さくすることができる。また、側壁部112Aの切り欠き部112Bは、たとえばエッチングなどによって容易に形成することができる。   In other words, the differential microphone unit 110B according to the present embodiment can keep the resonance frequency high by shortening the sound path length. In addition, the volume of the differential microphone unit 110B can be reduced. Further, the notch 112B of the side wall 112A can be easily formed by, for example, etching.

そして、前述したように、本実施の形態に係る差動マイクロホンユニット110Bにおいても、図5に示したように、側壁部112Cの筐体開口部611A側に孔部112Dが形成されてもよい。これによって、容易に側壁開口部を形成することができる。   As described above, also in the differential microphone unit 110B according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, the hole 112D may be formed on the side of the housing opening 611A of the side wall 112C. Thus, the side wall opening can be easily formed.

上記の実施例において、マイク基板622は、複数基板を積層して形成されており、マイク基板622面に対して平行方向に伸びる基板内部通路622Cを挟んで、上下の基板層から成るような構成であって良い。   In the above-described embodiment, the microphone substrate 622 is formed by laminating a plurality of substrates, and is configured to include upper and lower substrate layers with a substrate internal passage 622C extending in a direction parallel to the surface of the microphone substrate 622 interposed therebetween. It may be.

マイク基板622の材質としては、例えばガラスエポキシ基板(FR4)、BTレジン基板、セラミック基板、シリコン基板、ガラス基板等を用いることができる。   As a material of the microphone substrate 622, for example, a glass epoxy substrate (FR4), a BT resin substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, a glass substrate, or the like can be used.

マイクロホンユニット110Bを構成するにあたり、振動膜113および側壁部112Aと、これを搭載する上層側基板との線膨張係数差は極力少ないことが求められ、この差が大きいと温度変化があったときに振動膜113に熱歪みによる応力がかり、マイクロホンの感度変化や動作不具合を引き起こす。   When configuring the microphone unit 110B, the difference in linear expansion coefficient between the vibration film 113 and the side wall portion 112A and the upper layer substrate on which the diaphragm 113 is mounted is required to be as small as possible. Stress is applied to the vibration film 113 due to thermal distortion, causing a change in sensitivity of the microphone and malfunction.

したがって、シリコン材料で形成された振動膜113および側壁部112Aを使用する場合、マイク基板622の材料、特に、振動膜113および側壁部112Aを搭載する上層側基板については、シリコン基板、またはシリコンと線膨張係数の等しいガラス基板あるいはセラミック基板を使用することが好ましい。   Therefore, when the vibration film 113 and the side wall portion 112A formed of a silicon material are used, the material of the microphone substrate 622, in particular, the upper layer side substrate on which the vibration film 113 and the side wall portion 112A are mounted is a silicon substrate or silicon. It is preferable to use a glass substrate or a ceramic substrate having the same linear expansion coefficient.

特に、振動膜113および側壁部112Aをマイク基板622にフリップチップ実装する場合においては、線膨張係数の差により発生する応力が直接振動膜113に影響を与えるため、マイク基板622の材料、特に、振動膜113および側壁部112Aを搭載する上層基板側については、シリコン基板、またはシリコンと線膨張係数の等しいガラス基板あるいはセラミック基板を使用することが好ましい。   In particular, when the vibration film 113 and the side wall portion 112A are flip-chip mounted on the microphone substrate 622, the stress generated by the difference in linear expansion coefficient directly affects the vibration film 113. For the upper substrate side on which the vibration film 113 and the side wall portion 112A are mounted, it is preferable to use a silicon substrate, or a glass substrate or a ceramic substrate having the same linear expansion coefficient as silicon.

また、側壁部112Aが上部筐体612に当接する場合、振動膜113および側壁部112Aと、上部筐体612との線膨張係数差は極力少ないことが求められ、この差が大きいと温度変化があったときに振動膜113に熱歪みによる応力がかり、マイクロホンの感度変化や動作不具合を引き起こす。   Further, when the side wall portion 112A is in contact with the upper housing 612, the difference in coefficient of linear expansion between the vibrating membrane 113, the side wall portion 112A, and the upper housing 612 is required to be as small as possible. When this occurs, stress due to thermal strain is applied to the vibration film 113, causing a change in sensitivity of the microphone and an operation failure.

したがって、シリコン材料で形成された振動膜113および側壁部112Aを使用する場合、上部筐体612の材料については、シリコン基板、またはシリコンと線膨張係数の等しいガラス基板あるいはセラミック基板を使用することが好ましい。   Therefore, when using the vibration film 113 and the side wall portion 112A made of a silicon material, it is possible to use a silicon substrate, a glass substrate having a linear expansion coefficient equal to silicon, or a ceramic substrate as the material of the upper housing 612. preferable.

なお、マイク基板622の材料を適正に選択することで、線膨張係数差により生じる振動膜113の応力歪みを緩和する手法は、側壁部112に開口部を有する場合のみでなく、側壁部112に開口部を有しない通常構成であっても適用可能である。   Note that, by appropriately selecting the material of the microphone substrate 622, a method for reducing the stress strain of the vibration film 113 caused by the difference in linear expansion coefficient is not only in the case where the side wall portion 112 has an opening, but also in the side wall portion 112. Even a normal configuration having no opening is applicable.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

実施の形態1に係る音声信号送受信装置の全体構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an overall configuration of an audio signal transmitting / receiving apparatus according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1に係るマイクロホンユニットを示す正面断面図である。2 is a front cross-sectional view showing the microphone unit according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1に係る側壁部の斜視図と平面図である。2 is a perspective view and a plan view of a side wall part according to Embodiment 1. FIG. 振動膜と側壁部を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows a vibration film and a side wall part. 実施の形態1に係る側壁部の変形例を示す正面断面図である。FIG. 6 is a front sectional view showing a modification of the side wall portion according to the first embodiment. 実施の形態2に係る音声信号送受信装置の全体構成を示すブロック図である。6 is a block diagram showing an overall configuration of an audio signal transmitting / receiving apparatus according to Embodiment 2. FIG. 振動検知部周辺を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows a vibration detection part periphery. 音圧Pと音源からの距離Rとの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the sound pressure P and the distance R from a sound source. 音源からの距離Rを対数に変換したものとマイクが出力する音圧Pを対数に変換したもの(dB:decibel)との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between what converted the distance R from a sound source into the logarithm, and what converted the sound pressure P which a microphone outputs into a logarithm (dB: decibel). 実施の形態2に係る差動マイクロホンユニットを示す正面断面図である。5 is a front sectional view showing a differential microphone unit according to Embodiment 2. FIG. 図10におけるXI−XI断面図である。It is XI-XI sectional drawing in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

100A,100B 音声信号送受信装置、110A マイクロホンユニット、110B 差動マイクロホンユニット、111 振動検知部、112A,112C 側壁部、112B 切り欠き部、112D 孔部、113 振動膜、120 増幅部、130 加算部、140 スピーカ、170 送受信部、611,612 上部筐体、611A,612A 第1の開口部、612B 第2の開口部、621,622 マイク基板、622A 第1の基板開口部、622B 第2の基板開口部、622C 基板内部通路。   100A, 100B audio signal transmission / reception device, 110A microphone unit, 110B differential microphone unit, 111 vibration detection unit, 112A, 112C side wall, 112B notch, 112D hole, 113 vibration membrane, 120 amplification unit, 130 addition unit, 140 Speaker, 170 Transmission / reception unit, 611, 612 Upper housing, 611A, 612A First opening, 612B Second opening, 621, 622 Microphone substrate, 622A First substrate opening, 622B Second substrate opening Part, 622C board internal passage.

Claims (5)

内部に第1の空間を含む筐体を備え、
前記筐体は、前記第1の空間と外部とを連通する筐体開口部を含み、
前記第1の空間内に配置される振動膜と、
前記振動膜の振動に基づいて電気信号を出力する電気回路部と、
前記第1の空間内に配置され、前記振動膜よりも厚い側壁部とをさらに備え、
前記側壁部は、前記振動膜の周囲を支持することによって前記振動膜を前記筐体開口部の下方よりずらして配置し、
前記側壁部は、前記振動膜の上方の第2の空間と外部とを連通する側壁開口部を含み、
前記側壁開口部は、前記側壁部の少なくとも一部分がその他の部分よりも低く形成されることによって形成される切り欠き部を含む、マイクロホンユニット。
A housing including a first space therein;
The housing includes a housing opening that communicates the first space with the outside.
A vibrating membrane disposed in the first space;
An electric circuit unit that outputs an electric signal based on vibration of the vibrating membrane;
A side wall portion disposed in the first space and thicker than the vibrating membrane;
The sidewall is disposed by shifting the diaphragm from below the housing opening by supporting the periphery of the diaphragm.
The side wall portion, seen contains the second space and the sidewall opening communicating with the outside of the upper of the vibrating membrane,
The said side wall opening part is a microphone unit containing the notch part formed when at least one part of the said side wall part is formed lower than another part .
前記側壁部は、4つの側壁を含み、
前記切り欠き部は、いずれかの前記側壁の一部分の高さが前記側壁の他の部分よりも低く形成されることによって形成される、請求項に記載のマイクロホンユニット。
The side wall portion includes four side walls,
The microphone unit according to claim 1 , wherein the cutout portion is formed by forming a height of a part of any one of the side walls lower than the other part of the side wall.
内部に第1の空間を含む筐体を備え、
前記筐体は、前記第1の空間と外部とを連通する筐体開口部を含み、
前記第1の空間内に配置される振動膜と、
前記振動膜の振動に基づいて電気信号を出力する電気回路部と、
前記第1の空間内に配置され、前記振動膜よりも厚い側壁部とをさらに備え、
前記側壁部は、前記振動膜の周囲を支持することによって前記振動膜を前記筐体開口部の下方よりずらして配置し、
前記側壁部は、前記振動膜の上方の第2の空間と外部とを連通する側壁開口部を含み、
前記側壁開口部は、前記側壁部に形成される孔部を含む、マイクロホンユニット。
A housing including a first space therein;
The housing includes a housing opening that communicates the first space with the outside.
A vibrating membrane disposed in the first space;
An electric circuit unit that outputs an electric signal based on vibration of the vibrating membrane;
A side wall portion disposed in the first space and thicker than the vibrating membrane;
The sidewall is disposed by shifting the diaphragm from below the housing opening by supporting the periphery of the diaphragm.
The side wall includes a side wall opening that communicates the second space above the diaphragm and the outside,
It said sidewall opening includes a hole formed in the side wall portion, microswitch phone unit.
内部に第1の空間を含む筐体を備え、
前記筐体は、前記第1の空間と外部とを連通する筐体開口部を含み、
前記第1の空間内に配置される振動膜と、
前記振動膜の振動に基づいて電気信号を出力する電気回路部と、
前記第1の空間内に配置され、前記振動膜よりも厚い側壁部とをさらに備え、
前記側壁部は、前記振動膜の周囲を支持することによって前記振動膜を前記筐体開口部の下方よりずらして配置し、
前記側壁部は、前記振動膜の上方の第2の空間と外部とを連通する側壁開口部を含み、
前記筐体は、前記第1の空間の天井を構成する内壁面を含み、
前記側壁部の少なくとも一部が、前記内壁面に当接する、マイクロホンユニット。
A housing including a first space therein;
The housing includes a housing opening that communicates the first space with the outside.
A vibrating membrane disposed in the first space;
An electric circuit unit that outputs an electric signal based on vibration of the vibrating membrane;
A side wall portion disposed in the first space and thicker than the vibrating membrane;
The sidewall is disposed by shifting the diaphragm from below the housing opening by supporting the periphery of the diaphragm.
The side wall includes a side wall opening that communicates the second space above the diaphragm and the outside,
The housing includes an inner wall surface that forms a ceiling of the first space,
At least a portion of the side wall portion comes into contact with the inner wall surface, microswitch phone unit.
前記側壁開口部は、前記側壁部の前記筐体開口部側に位置する、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のマイクロホンユニット。 The microphone unit according to any one of claims 1 to 4 , wherein the side wall opening is located on the housing opening side of the side wall.
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