JP5406614B2 - 絶縁状態検出装置 - Google Patents

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    • G01R31/52Testing for short-circuits, leakage current or ground faults

Description

本発明は、接地電位部から絶縁された直流電源により充電されるフライングキャパシタの充電電圧に基づいて、直流電源の接地電位部に対する地絡や絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置に関するものである。
例えば、推進用エネルギーとして電力を利用する車両においては、高圧化(例えば200V)された直流電源を車体から絶縁するのか通常である。そして、このような直流電源の接地電位部に対する地絡や絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置として従来から、直流電源により充電されるフライングキャパシタを用いたものが知られている。この種の絶縁状態検出装置では、直流電源の電圧に応じた充電電圧や、正負の地絡抵抗に応じた充電電圧で、フライングキャパシタを充電し、その充電電圧をマイクロコンピュータ等の計測手段で計測することで、直流電源の地絡や絶縁状態を検出する(例えば、特許文献1)。
特許第3224977号明細書
ところで、上述した直流電源には、高周波ノイズに対する対策を施すことが望ましい。そこで、直流電源の両極と接地電位部との間にYコンデンサをそれぞれ介設すると、Yコンデンサに充電された電荷がフライングキャパシタの充電時に放電されて、フライングキャパシタに充電される。そのため、フライングキャパシタの充電電圧から直流電源の地絡や絶縁状態を検出する際には、Yコンデンサの放電電荷によるフライングキャパシタの充電分を考慮する必要がある。
このYコンデンサの放電電荷によるフライングキャパシタの充電分は一定でなく、その時点における正側の地絡抵抗と負側の地絡抵抗とのバランスに応じて変動する。したがって、Yコンデンサの放電電荷によるフライングキャパシタの充電分を、その時点における正側の地絡抵抗と負側の地絡抵抗とのバランスに対応するパラメータで数式化することは、極めて困難であった。
本発明は前記事情に鑑みなされたもので、本発明の目的は、Yコンデンサの放電電荷によるフライングキャパシタの充電分が、フライングキャパシタの充電時点における正側の地絡抵抗と負側の地絡抵抗とのバランスに応じて変動しても、直流電源の地絡や絶縁状態をフライングキャパシタの充電電圧に基づいて正確に検出することができる絶縁状態検出装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、請求項1に記載した本発明の絶縁状態検出装置は、
接地電位部と正負の各極との間に正負の各Yコンデンサをそれぞれ介設した直流電源により充電されるフライングキャパシタの、前記接地電位部に対する絶縁状態における充電電圧と、一方の極を正側又は負側の地絡抵抗により前記接地電位部に接続した地絡状態における前記フライングキャパシタの、前記直流電源及び前記Yコンデンサによる充電電圧とに基づいて、前記直流電源の接地電位部に対する絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置において、
前記正負の各Yコンデンサの両端電圧が、前記直流電源の電圧を正側及び負側の地絡抵抗の分圧比に応じて分割した電圧と一致しない非平衡状態において、前記地絡状態における前記フライングキャパシタの充電電圧が、実際の容量とは異なる想定容量とした場合の前記Yコンデンサ及び前記直流電源による充電電圧であるものとして、前記直流電源の絶縁状態を検出する検出手段を備える、
ことを特徴とする。
請求項1に記載した本発明の絶縁状態検出装置によれば、正負のYコンデンサの両端電圧が、直流電源の電圧を正側及び負側の地絡抵抗の分圧比に応じて分割した電圧と一致しない非平衡状態においても、Yコンデンサの容量を実際の容量とは異なる想定容量とするだけで、フライングキャパシタの地絡状態及び絶縁状態における直流電源及びYコンデンサによる充電電圧に基づいて、直流電源の絶縁状態を検出手段により検出できる。
このため、正負のYコンデンサの両端電圧が、直流電源の電圧を正側及び負側の地絡抵抗の分圧比に応じて分割した電圧と一致する平衡状態にあるか否かに拘わらず、定型の数式によって直流電源の絶縁状態を検出することができる。
また、請求項2に記載した本発明の絶縁状態検出装置は、請求項1に記載した本発明の絶縁状態検出装置において、前記検出手段が、前記Yコンデンサの前記想定容量が実際の容量よりも大きい値であるものとして、正側の前記地絡抵抗により前記フライングキャパシタを前記接地電位部に接続した前記地絡状態における前記フライングキャパシタの充電電圧と、負側の前記地絡抵抗により前記フライングキャパシタを前記接地電位部に接続した前記地絡状態における前記フライングキャパシタの充電電圧と、前記絶縁状態における前記フライングキャパシタの充電電圧とに基づいて、前記直流電源の絶縁状態を検出することを特徴とする。
請求項2に記載した本発明の車両用指針式表示装置によれば、請求項1に記載した本発明の車両用指針式表示装置において、Yコンデンサの想定容量をYコンデンサの実際の容量よりも大きい値とすれば、正負のYコンデンサの両端電圧が非平衡状態にある場合でも、正側及び負側の各地絡抵抗によるフライングキャパシタの地絡状態における各充電電圧と、絶縁状態におけるフライングキャパシタの充電電圧とによって、定型の数式を用いて直流電源の絶縁状態を正確に検出することができる。
本発明の絶縁状態検出装置によれば、直流電源の地絡や絶縁状態を、フライングキャパシタの充電電圧に基づいて正確に検出することができる。
本発明の一実施形態に係る地絡センサの回路図である。 図1の地絡センサによってを正側の地絡抵抗に応じてフライングキャパシタを充電する際に形成される充電回路を示す回路図である。 図1の地絡センサによって計測されるフライングキャパシタの充電電圧に変動が生じる様子を示す説明図である。 図1の地絡センサによって計測されるフライングキャパシタの充電電圧に変動が生じる様子を示す説明図である。 正負の地絡抵抗の合成抵抗値(真値)に対する図1の地絡センサによって求めた正負の地絡抵抗の並列合成抵抗値の精度の相関を示すグラフである。
以下、本発明による絶縁状態検出装置の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る地絡センサの回路図である。図1中引用符号11で示す地絡センサは、接地電位部から絶縁された高圧直流電源Bの絶縁状態を検出するものである。なお、図1中引用符号RLpは高圧直流電源Bの正側の地絡抵抗、RLnは同じく負側の地絡抵抗をそれぞれ示す。
前記地絡センサ11(請求項中の絶縁状態検出装置に相当)は、両極性のフライングキャパシタC1と、スイッチS1〜S5とを有している。スイッチS1,S2は、フライングキャパシタC1の両極を高圧直流電源Bの正極及び負極にそれぞれ選択的に接続する。スイッチS3,S4は、フライングキャパシタC1の両極をマイクロコンピュータ(以下、「マイコン」と略記する。)15及び接地電位部に選択的に接続する。スイッチS5は、フライングキャパシタC1の一方の極(図1中上方の極)を、放電のためにダイオードD1を介して接地電位部に選択的に接続する(選択的に接地させる)。
マイコン15(請求項中の計測手段に相当)は高圧直流電源Bよりも低い低圧系の補機バッテリによって動作するもので、高圧直流電源Bはマイコン15の接地電位からも絶縁されている。各スイッチS1〜S5は、例えば光MOSFETで構成されており、高圧直流電源Bから絶縁してマイコン15によりオンオフ制御できるようになっている。
マイコン15とスイッチS3との接続点は、抵抗R3を介して接地されており、スイッチS4,S5と接地電位部との間には、抵抗R4,R5がそれぞれ接続されている。フライングキャパシタC1の一端側のスイッチS1,S3は直列接続されており、両者の接続点とフライングキャパシタC1の一端との間には、電流方向切替回路が接続されている。
電流方向切替回路は並列回路であり、その一方は、スイッチS1,S3からフライングキャパシタC1の一端に向けて順方向となるダイオードD0と抵抗R1の直列回路で構成され、他方は、フライングキャパシタC1の一端からスイッチS1,S3に向けて順方向となる前記ダイオードD1と抵抗R6の直列回路で構成されている。
以上に説明した本実施形態の地絡センサ11では、マイコン15のA/D変換ポートA/D1に、スイッチS3,S4によりフライングキャパシタC1の両極が選択的に接続される。
なお、本実施形態の高圧直流電源Bには、正負の各極と接地電位部との間に、コモンモードノイズ対策用のYコンデンサY+,Y−が介設されている。
上述した構成の地絡センサ11では、地絡や絶縁状態を検出する際に、まず、マイコン15の制御により、スイッチS1,S2をオンさせると共にスイッチS3〜S5をオフさせる。これにより、高圧直流電源Bの正極から、スイッチS1、ダイオードD0、抵抗R1、フライングキャパシタC1の一端、他端、及び、スイッチS2を経て、高圧直流電源Bの負極に至る充電回路を形成する。そして、この充電回路において、フライングキャパシタC1を高圧直流電源Bの電圧に応じた電荷量で充電する。この充電により、フライングキャパシタC1の一端が正極、他端が負極となる。
続いて、マイコン15の制御により、スイッチS1,S2,S5をオフさせると共にスイッチS3,S4をオンさせる。これにより、フライングキャパシタC1が、抵抗R6、抵抗R3、及び、抵抗R4の直列回路と並列接続される。そして、フライングキャパシタC1の充電電圧を抵抗R6,R3,R4で分圧したうちの抵抗R3の両端電圧の差に相当する電位が、マイコン15の第1A/D変換ポートA/D1に入力されて計測される。この計測値と、抵抗R6,R3,R4の分圧比とから、フライングキャパシタC1の充電電圧をマイコン15で計測させる。したがって、本実施形態では、ダイオードD1、抵抗R6、スイッチS3、抵抗R3、スイッチS4、及び、抵抗R4によって、計測回路が形成される。
そして、マイコン15の制御により、スイッチS5をオンさせると共に他のスイッチS1〜S4をオフさせて、フライングキャパシタC1の一端(正極)を、ダイオードD1、スイッチS5、及び、抵抗R5を介して接地させて、放電回路を形成する。そして、この放電回路により、フライングキャパシタC1を放電させる。
次に、マイコン15の制御により、スイッチS1,S4をオンさせると共にスイッチS2,S3,S5をオフさせる。これにより、図1に示すように、高圧直流電源Bの正極から、スイッチS1、ダイオードD0、抵抗R1、フライングキャパシタC1の一端、他端、スイッチS4、抵抗R4、(接地電位部)、及び、負側の地絡抵抗RLnを経て、高圧直流電源Bの負極に至る充電回路を形成する。そして、この充電回路において、フライングキャパシタC1を負側の地絡抵抗RLnに応じた電荷量で充電する。この充電により、フライングキャパシタC1の一端が正極、他端が負極となる。
続いて、マイコン15の制御により、スイッチS1,S2,S5をオフさせると共にスイッチS3,S4をオンさせて、高圧直流電源Bの電圧に応じたフライングキャパシタC1の充電電圧の計測の際と同じ計測回路を形成する。そして、この計測回路を用いて、フライングキャパシタC1の充電電圧をマイコン15で計測させる。
そして、マイコン15の制御により、スイッチS5をオンさせると共に他のスイッチS1〜S4をオフさせて、フライングキャパシタC1の一端(正極)を、ダイオードD1、スイッチS5、及び、抵抗R5を介して接地させて、放電回路を形成する。そして、この放電回路により、フライングキャパシタC1を放電させる。
次に、マイコン15の制御により、スイッチS2,S3をオンさせると共にスイッチS1,S4,S5をオフさせる。これにより、図2に示すように、高圧直流電源Bの正極から、正側の地絡抵抗RLp、(接地電位部)、抵抗R3、スイッチS3、ダイオードD0、抵抗R1、フライングキャパシタC1の一端、他端、及び、スイッチS2を経て、高圧直流電源Bの負極に至る充電回路を形成する。そして、この充電回路において、フライングキャパシタC1を正側の地絡抵抗RLpに応じた電荷量で充電する。この充電により、フライングキャパシタC1の一端が正極、他端が負極となる。
続いて、マイコン15の制御により、スイッチS1,S2,S5をオフさせると共にスイッチS3,S4をオンさせて、高圧直流電源Bの電圧に応じたフライングキャパシタC1の充電電圧の計測の際や、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧の計測の際と同じ計測回路を形成する。そして、この計測回路を用いて、フライングキャパシタC1の充電電圧をマイコン15で計測させる。
そして、マイコン15の制御により、スイッチS5をオンさせると共に他のスイッチS1〜S4をオフさせて、フライングキャパシタC1の一端(正極)を、ダイオードD1、スイッチS5、及び、抵抗R5を介して接地させて、放電回路を形成する。そして、この放電回路により、フライングキャパシタC1を放電させる。
ところで、高圧直流電源Bの電圧に応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1−、及び、正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+と、正側の地絡抵抗RLpと負側の地絡抵抗RLnとの並列合成抵抗値R=(RLp+RLn)/(RLp×RLn)との間には、下記関係式
(RLp+RLn)/(RLp×RLn)={(Vc1+)+(Vc1−)}/Vc1
なる関係がある。
そこで、マイコン15は、上記の関係式を用いて正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を算出し、高圧直流電源Bの地絡や絶縁状態を検出することができる。
ところで、本実施形態では、高圧直流電源Bの正負の各極と接地電位部との間にYコンデンサY+,Y−を介設している。これらのYコンデンサY+,Y−は高圧直流電源Bによって充電される。
そして、フライングキャパシタC1を負側の地絡抵抗RLnに応じた電荷量で充電する際には、正側のYコンデンサY+の充電電荷が放電されて、この放電される充電電荷を含む電荷が、フライングキャパシタC1に充電される。
また、フライングキャパシタC1を正側の地絡抵抗RLpに応じた電荷量で充電する際には、負側のYコンデンサY−の充電電荷が放電されて、この放電される充電電荷を含む電荷が、フライングキャパシタC1に充電される。
したがって、本実施形態の地絡センサ11のマイコン15が計測する、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1−や、正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+には、正側や負側のYコンデンサY+,Y−が放電する充電電荷の充電分が含まれている。
つまり、地絡センサ11のマイコン15が計測するフライングキャパシタC1の充電電圧は、正側や負側のYコンデンサY+,Y−が放電する充電電荷の充電分だけ、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1−や、正側の地絡抵抗RLpに応じた充電電圧Vc1+よりも高い値となる。したがって、上記関係式により正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を求めると、実際の抵抗値よりも低い方にオフセットした値が求まってしまう。
したがって、本実施形態のマイコン15は、負側の地絡抵抗RLnに応じた値として計測したフライングキャパシタC1の充電電圧から、正側のYコンデンサY+の放電電荷による充電分の電圧を差し引いた値を、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1−の真値として算出する。また、マイコン15は、正側の地絡抵抗RLpに応じた値として計測したフライングキャパシタC1の充電電圧から、負側のYコンデンサY−の放電電荷による充電分の電圧を差し引いた値を、正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+の真値として算出する。そして、マイコン15は、算出した正側及び負側の地絡抵抗RLp,RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+,Vc1−の真値を用いて、先に説明した下記関係式
(RLp+RLn)/(RLp×RLn)={(Vc1+)+(Vc1−)}/Vc1
を計算して、正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を算出し、高圧直流電源Bの地絡や絶縁状態を検出する。なお、正側及び負側のYコンデンサY+,Y−の放電電荷による充電電圧は、正側及び負側のYコンデンサY+,Y−の容量が分かれば計算で求めることができる。
但し、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1−や、正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+に含まれる、正側や負側のYコンデンサY+,Y−が放電する充電電荷の充電分は、常時一定の値ではなく、状況に応じて変動する。以下、その様子を図3及び図4により説明する。
まず、正負のYコンデンサY+,Y−の両端電圧は、初期的には、正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの直列回路における分圧抵抗比で高圧直流電源Bの電圧を分割した電圧となる。したがって、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位は、初期的には接地電位部の電位(GND電位)に一致する(図3の(1)の時点)。
ところが、例えば図3の(2)の時点に示すように、フライングキャパシタC1を負側の地絡抵抗RLnに応じた電荷量で充電する瞬間には、正側のYコンデンサY+が充電電荷を放電することに伴って、正側のYコンデンサY+の両端電圧が低下する。これにより、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が接地電位部の電位(GND電位)よりも上昇する。
その後、正側のYコンデンサY+が再び高圧直流電源Bにより充電されるので、上昇した正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位は低下する。したがって、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電にある程度長い時間を取るか、あるいは、フライングキャパシタC1の放電後に、フライングキャパシタC1の充放電や充電電圧の計測を一切行わないアイドルタイムを十分に取るようにすれば、上昇した正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位は元の接地電位部の電位(GND電位)に戻る。
しかし、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電時間を長くしたり、フライングキャパシタC1の放電後に十分なアイドルタイムを取るようにすると、高圧直流電源Bの高電圧に感電する可能性がある期間が長く続くことになるので、危険防止の観点からそのようにすることはできない。そのため、図3の(3)の時点に示すように、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が元の接地電位部の電位(GND電位)に戻る前に、次のステップである、正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電を開始せざるを得ない。
これにより、図4の(1)の時点に示すように、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が接地電位部の電位(GND電位)よりも高い状態で、フライングキャパシタC1を正側の地絡抵抗RLpに応じた電荷量で充電し始めることになる。
このため、フライングキャパシタC1を正側の地絡抵抗RLpに応じた電荷量で充電し始めた瞬間に、負側のYコンデンサY−が放電する充電電荷量は、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が接地電位部の電位(GND電位)に一致している場合とは異なる(少なくなる)。
したがって、マイコン15で計測される正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+に含まれる、負側のYコンデンサY−が放電する充電電荷量は、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点における電位が、接地電位部の電位(GND電位)と一致しているか否かによって、また、一致していない場合は、接地電位部の電位(GND電位)からどのくらいずれているかによって、異なることになる。よって、マイコン15は、単にフライングキャパシタC1の充電電圧を計測しただけでは、正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を正確に求めることができない。
また、図4の(2)の時点に示すように、フライングキャパシタC1を正側の地絡抵抗RLpに応じた電荷量で充電する瞬間には、負側のYコンデンサY−が充電電荷を放電することに伴って、負側のYコンデンサY−の両端電圧が低下する。これにより、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が接地電位部の電位(GND電位)よりも低下する。
その後、負側のYコンデンサY−が再び高圧直流電源Bにより充電されるので、低下した正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位は上昇する。したがって、正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電にある程度長い時間を取るか、あるいは、フライングキャパシタC1の放電後に、フライングキャパシタC1の充放電や充電電圧の計測を一切行わないアイドルタイムを十分に取るようにすれば、低下した正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位は元の接地電位部の電位(GND電位)に戻る。
しかし、正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電時間を長くしたり、フライングキャパシタC1の放電後に十分なアイドルタイムを取るようにすると、高圧直流電源Bの高電圧に感電する可能性がある期間が長く続くことになるので、危険防止の観点からそのようにすることはできない。そのため、図4の(3)の時点に示すように、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が元の接地電位部の電位(GND電位)に戻る前に、次のステップである、負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電を開始せざるを得ない。
これにより、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が接地電位部の電位(GND電位)よりも高い状態で、フライングキャパシタC1を負側の地絡抵抗RLnに応じた電荷量で充電し始めることになる。
したがって、以後は、マイコン15が計測する負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1−に含まれる、正側のYコンデンサY+が放電する充電電荷量や、正側の地絡抵抗RLpに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+に含まれる、負側のYコンデンサY−が放電する充電電荷量は、常に異なることになる。そのため、マイコン15は、単にフライングキャパシタC1の充電電圧を計測しただけでは、正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を正確に求めることができない。
そこで、本実施形態の地絡センサ11のマイコン15は、正負のYコンデンサY+,Y−の容量を、実際の容量とは異なる想定容量であるものと見倣して、正側及び負側のYコンデンサY+,Y−の放電電荷による充電電圧を算出する。そして、算出した正側及び負側のYコンデンサY+,Y−の充電電圧を、正側の地絡抵抗RLpや負側の地絡抵抗RLnに応じた値として計測したフライングキャパシタC1の充電電圧から差し引いて、正側の地絡抵抗RLpや負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+,Vc1−の真値を算出する。そして、これらを用いて正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を算出し、高圧直流電源Bの地絡や絶縁状態を検出するようにしている。
具体的には、本実施形態のマイコン15は、正負のYコンデンサY+,Y−の容量を、実際の容量に一定の係数を乗じた容量と見倣して、正側及び負側のYコンデンサY+,Y−の放電電荷による充電電圧を算出し、これを用いて、正側の地絡抵抗RLpや負側の地絡抵抗RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電電圧Vc1+,Vc1−の真値を算出し、正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を求める。なお、ここで言う一定の係数をどのような値にするか(本実施形態の場合は、実際の容量の1.2倍)は、実験的に求めることができる。
図5は、正負の地絡抵抗の並列合成抵抗値(真値)に対する、本実施形態の地絡センサ11のマイコン15によって求めた正負の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値の、精度(誤差)の相関を示すグラフである。このグラフにおいて、太い実線は、正負のYコンデンサY+,Y−の容量を、実際の容量と同じ値とした場合の相関を示す。また、細い実線は、正負のYコンデンサY+,Y−の容量を、実際の容量よりも大きい値(実際の容量の1.2倍)とした場合の相関を示す。さらに、破線は、正負のYコンデンサY+,Y−の容量を、実際の容量よりも小さい値(実際の容量の0.8倍)とした場合の相関を示す。
図5のグラフからも明らかなように、正負のYコンデンサY+,Y−の容量を、実際の容量よりも大きい値(実際の容量の1.2倍)とした場合は、正負の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値の真値を示す横軸の大半の領域で、縦軸に示す、マイコン15によって求めた正負の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値の精度(真値に対する誤差)が、正負のYコンデンサY+,Y−の容量を実際の容量とした場合や、実際の容量よりも小さい容量と見倣した場合と比べて、良い値となっている。
なお、地絡センサ11のマイコン15が、例えば、自身で求めた正負の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値がある範囲内にあるときに、高圧直流電源Bの地絡や絶縁状態の不良を示す警報を出力する場合は、その並列合成抵抗値の範囲において、マイコン15によって求めた正負の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値の精度が最も良くなるような値に、正負のYコンデンサY+,Y−の見倣し容量を決定すればよい。
例えば、図5のグラフの横軸における原点から2つ目の目盛までの範囲に、正負の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値があるときに、マイコン15が警報を出力する場合は、正負のYコンデンサY+,Y−の容量を、本実施形態の場合とはむしろ反対に、実際の容量よりも小さい想定容量と見倣すようにしてもよい。
このような構成による本実施形態後絡センサ11によれば、正側や負側の地絡抵抗RLp,RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電時間を長くして、充電開始の瞬間における正側のYコンデンサY+又は負側のYコンデンサY−の放電によって変動した正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が、元の接地電位部の電位(GND電位)に戻るのを待たなくても、正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を正確に求め、高圧直流電源Bの地絡や絶縁状態を精度良く検出することができる。
また、正負のYコンデンサY+,Y−の接続点の電位が元の接地電位部の電位(GND電位)に戻るまで、正側や負側の地絡抵抗RLp,RLnに応じたフライングキャパシタC1の充電を長時間続ける必要がないので、短時間の充電による安全性の高い高圧直流電源Bの地絡や絶縁状態の検出を実現することができる。
さらに、正負のYコンデンサY+,Y−が存在しても、正側と負側の地絡抵抗RLp,RLnの並列合成抵抗値を正確に求めることができるので、高圧直流電源Bの地絡や絶縁状態の検出精度への影響を気にすることなく、YコンデンサY+,Y−に大容量のコンデンサを用いて、高圧直流電源Bに十分なコモンモードノイズ対策を施すことができる。
本発明は、接地電位部から絶縁された直流電源により充電されるフライングキャパシタの充電電圧に基づいて、接地電位部に対する直流電源の地絡や絶縁状態を検出する場合に用いて好適である。
11 地絡センサ(絶縁状態検出装置)
15 マイクロコンピュータ(検出手段)
A/D1 変換ポート
B 高圧直流電源
C1 フライングキャパシタ
D0 ダイオード
D1 ダイオード
RLn 正側の地絡抵抗
RLp 負側の地絡抵抗
R 並列合成抵抗値
R1 抵抗
R3 抵抗
R4 抵抗
R5 抵抗
R6 抵抗
S1 スイッチ
S2 スイッチ
S3 スイッチ
S4 スイッチ
S5 スイッチ
Y+ 正側のYコンデンサ
Y− 負側のYコンデンサ

Claims (2)

  1. 接地電位部と正負の各極との間に正負の各Yコンデンサをそれぞれ介設した直流電源により充電されるフライングキャパシタの、前記接地電位部に対する絶縁状態における充電電圧と、一方の極を正側又は負側の地絡抵抗により前記接地電位部に接続した地絡状態における前記フライングキャパシタの、前記直流電源及び前記Yコンデンサによる充電電圧とに基づいて、前記直流電源の接地電位部に対する絶縁状態を検出する絶縁状態検出装置において、
    前記正負の各Yコンデンサの両端電圧が、前記直流電源の電圧を正側及び負側の地絡抵抗の分圧比に応じて分割した電圧と一致しない非平衡状態において、前記地絡状態における前記フライングキャパシタの充電電圧が、実際の容量とは異なる想定容量とした場合の前記Yコンデンサ及び前記直流電源による充電電圧であるものとして、前記直流電源の絶縁状態を検出する検出手段を備える、
    ことを特徴とする絶縁状態検出装置。
  2. 前記検出手段は、前記Yコンデンサの前記想定容量が実際の容量よりも大きい値であるものとして、正側の前記地絡抵抗により前記フライングキャパシタを前記接地電位部に接続した前記地絡状態における前記フライングキャパシタの充電電圧と、負側の前記地絡抵抗により前記フライングキャパシタを前記接地電位部に接続した前記地絡状態における前記フライングキャパシタの充電電圧と、前記絶縁状態における前記フライングキャパシタの充電電圧とに基づいて、前記直流電源の絶縁状態を検出することを特徴とする請求項1記載の絶縁状態検出装置。
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