JP5401994B2 - RFID tag and photomask having RFID tag - Google Patents

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JP5401994B2 JP2009002372A JP2009002372A JP5401994B2 JP 5401994 B2 JP5401994 B2 JP 5401994B2 JP 2009002372 A JP2009002372 A JP 2009002372A JP 2009002372 A JP2009002372 A JP 2009002372A JP 5401994 B2 JP5401994 B2 JP 5401994B2
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Description

本発明は、各種情報を読み書きできるRFIDタグをフォトマスクに取り付けたものに関する。   The present invention relates to an RFID tag that can read and write various kinds of information attached to a photomask.

ID情報を埋め込んだタグから、電磁界や電波などを用いた近距離(周波数帯によって数cm〜数m)の無線通信によって情報をやり取りし、情報の読み出しおよび/または書き込みを行う技術が利用されるようになり、これに用いるタグはRFIDタグと呼ばれる。   Technology is used to read and / or write information by exchanging information by wireless communication at a short distance (several centimeters to several meters depending on the frequency band) using an electromagnetic field or radio wave from a tag in which ID information is embedded. The tag used for this is called an RFID tag.

RFIDタグは、流通、履歴管理、物品管理等の種々の場面で利用され始めており、対象物品と使用目的に応じて、種々の形態と特性を有する。非接触ICカードの形態をとるものだけでも、各交通機関の乗車カードや電子マネー、社員証などがあるが、現在多用されている非接触ICカードに限らず、物品の生産、流通、販売の多方面の管理において、RFIDタグは利用範囲を広げている。   RFID tags have begun to be used in various scenes such as distribution, history management, and article management, and have various forms and characteristics depending on the target article and intended use. Even those that take the form of contactless IC cards, such as boarding cards, electronic money, and employee ID cards for various transportation facilities, are not limited to currently used contactless IC cards, but are used for the production, distribution, and sale of goods. The RFID tag has expanded the range of use in various fields of management.

RFIDタグを物品の管理手段として利用する例にフォトマスクへの応用が提案されている(特許文献1)。フォトマスクは、古くから半導体集積回路の製造工程に、また、近年は液晶表示素子を初めとするフラットパネルディスプレイ等の製造工程に、頻繁に用いられており、これらの用途の微細パターン形成をフォトリソグラフィーの手法で行うためのツールである。一般に、フォトマスクは、石英ガラス等の透明基板上にクロム、モリブデン等の金属を含む遮光膜材料をパターン形成したものであって、露光工程で高精度の微細パターンを提供する原版または実用版であり、高付加価値のツールとして細心の注意を払って扱われるものである。なお、ここで言うフォトマスクとは、縮小投影露光方式で使用されるレチクルも含めた露光用原版類の総称である。   An application to a photomask has been proposed as an example of using an RFID tag as an article management means (Patent Document 1). Photomasks have long been used in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, and in recent years in the manufacturing processes of flat panel displays such as liquid crystal display elements. This is a tool for performing lithography techniques. Generally, a photomask is formed by patterning a light-shielding film material containing a metal such as chromium or molybdenum on a transparent substrate such as quartz glass, and is an original or practical version that provides a high-precision fine pattern in an exposure process. Yes, it is treated with great care as a high value-added tool. The photomask here is a general term for exposure original plates including a reticle used in a reduction projection exposure method.

フォトマスクの管理手段にRFIDタグを使う例では、フォトマスク自体にRFIDタグを取り付ける他に、ペリクル、ペリクルフレーム、収納ケースに取り付けたり、特にフォトマスクの配送管理手段に有効に使用する方法が提案されている(特許文献2)。
特開2005−91983号公報 特開2006−133411号公報
In the example of using an RFID tag as a photomask management means, in addition to attaching an RFID tag to the photomask itself, a method of attaching it to a pellicle, a pellicle frame, a storage case, or particularly a method for effectively using the photomask delivery management means is proposed. (Patent Document 2).
Japanese Patent Laid-Open No. 2005-91983 JP 2006-133411 A

フォトマスクの管理手段にRFIDタグを使うことにより、フォトマスクを適正に管理し利用することができるが、高付加価値の源流となるフォトマスク自体に直接RFIDタグを取り付けることができれば、源流に遡った最も確実な管理を実行できる。   By using RFID tags as photomask management means, it is possible to properly manage and use photomasks, but if RFID tags can be directly attached to high-value-added photomasks themselves, they can be traced back to the source. The most reliable management can be performed.

しかし、フォトマスクを構成する透明基板にRFIDタグを直接貼り付ける際に、RFIDタグの容積が大きいと、フォトマスクを工程中で取り扱う搬送アームや搬送のためのチャック部分に衝突ないし干渉する可能性がある。また、貼り付け面積が大きいと、フォトマスクを酸洗浄する際に、貼り付けに用いた接着剤成分の溶出やガス発生が多量になり、フォトマスク膜面の汚れ等が発生し、品質への悪影響が懸念される。   However, when the RFID tag is directly attached to the transparent substrate that constitutes the photomask, if the RFID tag has a large volume, it may collide with or interfere with the transfer arm that handles the photomask in the process or the chuck part for transfer. There is. Also, if the application area is large, when the photomask is cleaned with acid, the adhesive components used for application will elute and generate a large amount of gas, resulting in contamination of the photomask film surface, etc. There are concerns about adverse effects.

本発明は上記の問題に鑑みて提案するものであり、本発明が解決しようとする課題は、フォトマスク基板上にRFIDタグを設ける際に、RFIDタグのフォトマスクへの貼り付けが必要な部分の容積を極小化し、フォトマスクを使用する工程で各種の装置との干渉
を回避するとともに、RFIDタグのフォトマスクへの貼り付けが必要な部分の面積を極小化し、接着剤等による悪影響を抑えることを可能にする手段を提供することである。
The present invention is proposed in view of the above-mentioned problems, and the problem to be solved by the present invention is that a part that needs to be attached to the photomask when the RFID tag is provided on the photomask substrate. In addition to minimizing the volume of the photomask, avoiding interference with various devices in the process of using the photomask, minimizing the area where the RFID tag needs to be attached to the photomask, and suppressing adverse effects due to adhesives, etc. It is to provide a means to make this possible.

本発明の請求項1に係る発明は、フォトマスク基板上に設置されるRFIDタグであって、該フォトマスク基板上の導電性材料を含む遮光パターンの一部をアンテナとし、該アンテナにICチップが電気的に接続して配置されるRFIDタグであり、前記フォトマスク基板上で遮光パターンを形成するための遮光膜が、表面層が低導電性であり下層に高導電性の層を含む多層膜であって、前記アンテナとICチップとの電気的接続が、前記下層の高導電層を表面に露出した部分を通してなされていることを特徴とするRFIDタグで
ある。
The invention according to claim 1 of the present invention is an RFID tag placed on a photomask substrate, wherein a part of a light-shielding pattern including a conductive material on the photomask substrate is an antenna, and an IC chip is provided on the antenna. Is an RFID tag that is electrically connected , and a light shielding film for forming a light shielding pattern on the photomask substrate is a multi-layer including a surface layer having a low conductivity and a lower layer having a high conductivity layer The RFID tag is a film, wherein the antenna and the IC chip are electrically connected through a portion where the lower conductive layer is exposed on the surface .

次に、本発明の請求項に係る発明は、前記ICチップがエポキシ系、ウレタン系、メラミン系のいずれかの樹脂で被覆され、封止されることを特徴とする請求項記載のRFIDタグである。 Next, the invention according to claim 2 of the present invention, the IC chip is epoxy, urethane, coated with any of the resins of melamine, RFID of claim 1, wherein the sealed It is a tag.

次に、本発明の請求項に係る発明は、RFIDタグを有するフォトマスクであって、該フォトマスク基板上の導電性材料を含む遮光パターンの一部をRFIDタグ用のアンテナとし、該アンテナにRFIDタグ用のICチップが電気的に接続して配置されており、前記フォトマスク基板上で遮光パターンを形成するための遮光膜が、表面層が低導電性であり下層に高導電性の層を含む多層膜であって、前記アンテナとICチップとの電気的接続が、前記下層の高導電層を表面に露出した部分を通してなされていることを特徴とするフォトマスクである。 Next, an invention according to claim 3 of the present invention is a photomask having an RFID tag, wherein a part of a light-shielding pattern including a conductive material on the photomask substrate is an RFID tag antenna, and the antenna The IC chip for the RFID tag is electrically connected to the light-shielding film for forming the light-shielding pattern on the photomask substrate, and the surface layer has a low conductivity and the lower layer has a high conductivity. The photomask is a multilayer film including layers, wherein the antenna and the IC chip are electrically connected through a portion where the lower highly conductive layer is exposed on the surface .

次に、本発明の請求項に係る発明は、前記ICチップがエポキシ系、ウレタン系、メラミン系のいずれかの樹脂で被覆され、封止されることを特徴とする請求項記載のフォトマスクである。 Next, the invention according to claim 4 of the present invention, the IC chip is epoxy, urethane, coated with any of the resins of melamine, photo of claim 3, wherein the sealed It is a mask.

上記請求項1または4に係る発明によれば、フォトマスク基板上にRFIDタグを設ける際に、RFIDタグのフォトマスクへの貼り付けが必要な部分の容積を極小化し、フォトマスクを使用する工程で各種の装置との干渉を回避するとともに、RFIDタグのフォトマスクへの貼り付けが必要な部分の面積を極小化し、接着剤等による悪影響を抑えることを可能にする。   According to the first or fourth aspect of the invention, when the RFID tag is provided on the photomask substrate, the volume of the portion that needs to be attached to the photomask of the RFID tag is minimized, and the photomask is used. Thus, it is possible to avoid interference with various devices, minimize the area of the portion that needs to be attached to the photomask of the RFID tag, and suppress adverse effects due to the adhesive or the like.

上記請求項2または5に係る発明によれば、フォトマスク基板上の遮光膜の表面層が低導電層から成る場合であっても、下層の高導電層を部分的に露出することにより、アンテナとするパターンとICチップを電気的に確実に接続できるので、RFIDタグの有する機能を充分に発揮させることができる。   According to the second or fifth aspect of the invention, even when the surface layer of the light shielding film on the photomask substrate is formed of a low conductive layer, the lower high conductive layer is partially exposed to thereby provide an antenna. Therefore, the function of the RFID tag can be fully exhibited.

上記請求項3または6に係る発明によれば、ICチップを耐酸性に優れているエポキシ系、ウレタン系、メラミン系のいずれかの樹脂で被覆し封止するので、RFIDタグを設けたフォトマスクを酸洗浄によりクリーニングする場合にも、ICチップ自体のフォトマスク基板上への設置状態にダメージを受けない。また、アンテナとICチップとの電気的な接続部分を前記の樹脂で被覆することもできるので、RFIDタグの有する機能を繰り返し安定して発揮させることができる。   According to the invention of claim 3 or 6, since the IC chip is covered and sealed with any one of epoxy, urethane and melamine resins having excellent acid resistance, a photomask provided with an RFID tag Even when the substrate is cleaned by acid cleaning, the IC chip itself is not damaged by the installation state on the photomask substrate. In addition, since the electrical connection portion between the antenna and the IC chip can be covered with the resin, the functions of the RFID tag can be repeatedly and stably exhibited.

以下に本発明を図面に従って、詳しく説明する。図1は、本発明の構成の一例を説明するための斜視概念図である。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective conceptual view for explaining an example of the configuration of the present invention.

フォトマスク1は、フォトマスク基板2上に遮光パターン部(主要部)3を設けたものであって、その機能は、露光工程において対象物に選択的露光を行うことである。即ち、フォトマスク基板2の裏面側に設置した光源から遮光パターン部(主要部)3に均一に露光された光は遮光パターン部3内の光透過領域を通過して、露光対象物の表面に塗布された感光性樹脂材料を選択的に露光する。該感光性樹脂材料がポジ型であれば露光部分のみを現像工程で溶解させ、該感光性樹脂材料がネガ型であれば露光部分のみを硬化させて現像工程で不溶解とすることにより、露光対象物側にフォトマスク上のパターンを転写することができる。上記遮光パターンを構成する材料は遮光性、微細パターニングの容易性、密着強度等を考慮して、金属材料を主に用いることが多いが、光の反射特性等の他の要求から、金属酸化物やその他の材料と合わせて多層構成とすることも稀ではない。   The photomask 1 is provided with a light-shielding pattern part (main part) 3 on a photomask substrate 2, and its function is to selectively expose an object in an exposure process. That is, the light uniformly exposed to the light shielding pattern portion (main portion) 3 from the light source installed on the back side of the photomask substrate 2 passes through the light transmission region in the light shielding pattern portion 3 and reaches the surface of the exposure object. The applied photosensitive resin material is selectively exposed. If the photosensitive resin material is a positive type, only the exposed portion is dissolved in the developing step, and if the photosensitive resin material is a negative type, only the exposed portion is cured to be insoluble in the developing step. The pattern on the photomask can be transferred to the object side. The material constituting the light shielding pattern is mainly a metal material in consideration of light shielding properties, ease of fine patterning, adhesion strength, etc., but metal oxides are used due to other requirements such as light reflection characteristics. It is not uncommon to have a multi-layer structure with other materials.

本発明においては、前記遮光パターンを遮光パターン部(主要部)3に形成するばかりではなく、フォトマスク基板2の表面周辺部に遮光膜を残すベタ枠部3sの端部に近い領域に遮光パターン部(アンテナ)4を設けて、該遮光パターン部(アンテナ)4にも遮光パターンを形成する。上記遮光パターン部(アンテナ)4は、遮光パターンの形態とはいえ、導電性を有するアンテナとして機能させるものであって、その一部をICチップ5の端子に電気的に接続させることにより、遮光パターン部(アンテナ)4とICチップ5を一体としたRFIDタグ6として機能させることができる。なお、上記遮光パターン部(アンテナ)4は、ベタ枠部3sの端部に近い領域に設けるので、フォトマスクを使用する露光工程において、露光有効領域からは確実に除外され、光学的な影響を及ぼすことは無い。   In the present invention, not only the light shielding pattern is formed in the light shielding pattern part (main part) 3 but also the light shielding pattern in a region near the end of the solid frame part 3 s where the light shielding film is left on the surface peripheral part of the photomask substrate 2. A portion (antenna) 4 is provided, and a light shielding pattern is also formed on the light shielding pattern portion (antenna) 4. The light-shielding pattern portion (antenna) 4 functions as a conductive antenna, although it is in the form of a light-shielding pattern, and a part of the light-shielding pattern portion (antenna) is electrically connected to the terminal of the IC chip 5 to shield the light. It can function as an RFID tag 6 in which the pattern portion (antenna) 4 and the IC chip 5 are integrated. In addition, since the said light-shielding pattern part (antenna) 4 is provided in the area | region close | similar to the edge part of the solid frame part 3s, in the exposure process using a photomask, it excludes from an exposure effective area | region reliably, and has an optical influence. There is no effect.

一般にRFIDタグは、ICチップとアンテナとを一つのパッケージに内包して、対象物に取り付け、外部のリーダー/ライターとの通信により情報の管理を行うが、フォトマスクを対象物とした場合には、通常のRFIDタグでは前述のようなサイズが大きいことによる問題が生じる。RFIDタグの容積を大きくし、貼り付け面積も大きくしている構成上の最大の理由は、通信電波の周波数にも依存するが、アンテナの占める面積が大きいことである。通常は、アルミニウムや銅などの金属箔材から種々の形態に加工したり、導電性パターンを印刷したりして形成したアンテナ部品をICチップと一つのパッケージに実装するので、大きいサイズになり易い。   In general, an RFID tag contains an IC chip and an antenna in a single package, is attached to an object, and manages information by communicating with an external reader / writer. However, a problem with an ordinary RFID tag due to its large size as described above arises. The greatest structural reason for increasing the volume of the RFID tag and increasing the affixing area is that the antenna occupies a large area, depending on the frequency of the communication radio wave. Normally, antenna components formed by processing various types of metal foil materials such as aluminum and copper or printing conductive patterns are mounted on an IC chip and a single package, which tends to increase the size. .

本発明のアンテナは、遮光パターン部(アンテナ)4としてフォトマスク基板2の一部の領域に形成するので、遮光パターン部(主要部)3、およびベタ枠部3sと一括で形成することが可能である。即ち、フォトマスク基板2上に遮光膜を成膜する工程、フォトリソグラフィーにより感光性樹脂レジストをパターン形成する工程、および遮光膜のエッチング工程とレジスト剥膜工程とを、一連のフォトマスク製造工程の中で一括して行うことができる。   Since the antenna of the present invention is formed as a light shielding pattern portion (antenna) 4 in a partial region of the photomask substrate 2, it can be formed together with the light shielding pattern portion (main portion) 3 and the solid frame portion 3s. It is. That is, a process of forming a light shielding film on the photomask substrate 2, a process of patterning a photosensitive resin resist by photolithography, an etching process of the light shielding film and a resist stripping process are performed in a series of photomask manufacturing processes. It can be done in a batch.

遮光膜の材料が前述のクロム、モリブデン等の金属を含むものであれば、前記遮光パターン部(アンテナ)4も一定の導電性を保持した部品として、フォトマスク基板2上に作り込まれる。また、予め、アンテナとしての導電特性を重視して、遮光膜の材料構成を従来のフォトマスクより導電性の大きい材料を多く含めるように設計することもできる。ただし、通常のフォトマスク用の遮光膜として要求される、前述の遮光性、微細パターニングの容易性、密着強度等も考慮する必要がある。一方、光の反射特性等、フォトマスクとしての他の要求から、金属酸化物やその他の低導電性の材料と合わせて多層構成を採用する場合もある。   If the material of the light-shielding film includes the above-mentioned metal such as chromium or molybdenum, the light-shielding pattern portion (antenna) 4 is also formed on the photomask substrate 2 as a component having a certain conductivity. In addition, it is possible to design the material structure of the light-shielding film so as to include more material having higher conductivity than that of the conventional photomask in consideration of the conductive characteristics as an antenna. However, it is necessary to consider the above-described light-shielding properties, ease of fine patterning, adhesion strength, and the like that are required as a light-shielding film for a normal photomask. On the other hand, due to other requirements as a photomask, such as light reflection characteristics, a multilayer structure may be employed in combination with metal oxides and other low-conductivity materials.

図2は、本発明のRFIDタグの接続部分を説明するための断面概念図であって、特に上述の低導電性の材料と合わせて多層構成を遮光膜に採用した場合の例である。   FIG. 2 is a conceptual cross-sectional view for explaining the connection portion of the RFID tag of the present invention, and is an example in which a multilayer structure is adopted as the light shielding film, particularly in combination with the above-described low-conductivity material.

フォトマスク基板2の表面に成膜された遮光膜の一部の領域を、遮光パターン部(アンテナ)4として、遮光パターン部(主要部)3と一括してパターン形成する。さらに、遮光膜の表面層を構成している低導電性表面層41の一部をICチップの端子との電気的接続のために除去して、遮光膜の高導電性下層42の端部を一旦露出する。即ち、フォトリソグラフィーにより感光性樹脂レジストをパターン形成して、形成済みの遮光パターン部(アンテナ)4の端部の感光性樹脂レジストを窓開けする工程、および遮光膜の上記窓開けされた部分のエッチング工程とレジスト剥膜工程とを、通常のフォトマスク製造工程に引き続いて行うことができる。なお、遮光膜の高導電性下層42のさらに下層に遮光膜の低導電性下層43があっても良い。   A partial region of the light shielding film formed on the surface of the photomask substrate 2 is collectively formed as a light shielding pattern portion (antenna) 4 together with the light shielding pattern portion (main portion) 3. Further, a part of the low conductive surface layer 41 constituting the surface layer of the light shielding film is removed for electrical connection with the terminal of the IC chip, and the end portion of the high conductive lower layer 42 of the light shielding film is removed. Once exposed. That is, a step of patterning a photosensitive resin resist by photolithography to open a window of the photosensitive resin resist at the end of the formed light shielding pattern portion (antenna) 4, and The etching process and the resist stripping process can be performed following the normal photomask manufacturing process. In addition, the low-conductivity lower layer 43 of the light-shielding film may be further below the high-conductivity lower layer 42 of the light-shielding film.

上記の遮光膜の高導電性下層42の露出部をICチップとアンテナとの接続部51として、ICチップ5と電気的に接続する。ICチップとアンテナとの接続部51は、はんだのレーザスポット溶着等の通常の実装技術を応用して可能である。   The exposed portion of the highly conductive lower layer 42 of the light shielding film is electrically connected to the IC chip 5 as a connection portion 51 between the IC chip and the antenna. The connection portion 51 between the IC chip and the antenna can be applied by applying a normal mounting technique such as laser spot welding of solder.

さらに、前記ICチップ5は、ICチップ封止樹脂52により、フォトマスク基板2上に封止される。封止方法は半導体実装分野で一般的なポッティングで可能であり、樹脂液の供給は、通常のディスペンスまたは印刷手段を利用できる。ICチップ封止樹脂52は、フォトマスク使用時の酸洗浄や熱履歴に安定であり、しかも機械的強度や密着性が良く、従ってICチップの密封性が良いという性質を持つ材料が望ましい。上記の条件に適う材料としては、熱硬化性樹脂の中でも、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系のいずれかの樹脂が好ましい。特にエポキシ系樹脂は一般の電子部品同様に本発明の封止に最適である。   Further, the IC chip 5 is sealed on the photomask substrate 2 with an IC chip sealing resin 52. The sealing method can be performed by general potting in the semiconductor mounting field, and a normal dispensing or printing means can be used for supplying the resin liquid. The IC chip sealing resin 52 is preferably a material that is stable to acid cleaning and thermal history when using a photomask, and has good mechanical strength and adhesiveness, and therefore has a good sealing property of the IC chip. As a material suitable for the above conditions, an epoxy resin, a urethane resin, or a melamine resin is preferable among thermosetting resins. In particular, epoxy resins are most suitable for sealing according to the present invention, as with general electronic components.

本発明の実施形態は上記の例に限定されるものではなく、種々の形態が可能である。図1に示す遮光パターン部(主要部)3、遮光パターン部(アンテナ)4、ICチップ5の構成は、遮光パターン部(アンテナ)4とICチップ5をどのような配置とするかによって、大きく変わる。   Embodiments of the present invention are not limited to the above examples, and various forms are possible. The configuration of the light shielding pattern part (main part) 3, the light shielding pattern part (antenna) 4, and the IC chip 5 shown in FIG. 1 depends largely on the arrangement of the light shielding pattern part (antenna) 4 and the IC chip 5. change.

特にアンテナのパターンの設計をどうするかは、RFIDタグの個別設計に関わる。いずれも電池を内蔵しないパッシブタグを前提にすれば、電磁波の周波数を900MHzや2.54GHzとして、通信可能距離を2〜3mとするケースの方が、もっと低周波数の帯域を利用するケースより通信可能距離を長くとれる上に、ストリップアンテナを採用でき、フォトマスクパターンと同一面に同時形成することを想定した本発明に適している。13.56MHz等のMHz帯を利用する場合は、コイルアンテナを用いる電磁誘導方式となるため、フォトマスク基板上にアンテナのパターンを配置する方法の制約が比較的多くなる。   In particular, how to design the antenna pattern is related to the individual design of the RFID tag. Assuming a passive tag with no built-in battery, the case where the frequency of electromagnetic waves is 900 MHz or 2.54 GHz and the communicable distance is 2 to 3 m is better than the case where a lower frequency band is used. In addition to a long possible distance, a strip antenna can be employed, which is suitable for the present invention that assumes that the photomask pattern is simultaneously formed on the same surface. When the MHz band such as 13.56 MHz is used, an electromagnetic induction method using a coil antenna is used, so that there are relatively many restrictions on the method of arranging the antenna pattern on the photomask substrate.

また、ICチップ5の配置に関して、図1のように、遮光パターン部(アンテナ)4に隣接して設置するのが好ましいが、限定されるものではない。フォトマスクを取り扱う装置の動作形態により、衝突ないし干渉を避ける位置を予め考慮して、アンテナからICチップまでの電気的接続を引き回して、両者の間隔を空けることも可能である。但し、その場合は、後述するようにICチップ5の実装形態も変更する必要がある。アンテナとICチップとの間隔を空ける極端な例として、ICチップ5をフォトマスク基板2の裏面や端面に設けることも可能であり、フォトマスクの遮光パターン部(主要部)3の面積を最大限拡げるために有効とすることができる。   Further, regarding the arrangement of the IC chip 5, it is preferable that the IC chip 5 be disposed adjacent to the light shielding pattern portion (antenna) 4 as shown in FIG. 1, but is not limited thereto. Depending on the mode of operation of the apparatus that handles the photomask, it is possible to provide electrical connection from the antenna to the IC chip by taking into consideration the position to avoid collision or interference in advance, and to make a space between them. However, in that case, it is necessary to change the mounting form of the IC chip 5 as described later. As an extreme example of spacing between the antenna and the IC chip, the IC chip 5 can be provided on the back surface or the end surface of the photomask substrate 2 to maximize the area of the light shielding pattern portion (main part) 3 of the photomask. Can be effective for spreading.

前記ICチップ5の実装形態の変更の例としては、テープキャリア方式や、ワイヤボンディングによる実装も可能である。前述のアンテナとICチップとの間隔を空けるような特殊な配置を実現するためには、各種の実装形態を具体的な設計条件毎に検討することにより可能にできる。   As an example of changing the mounting form of the IC chip 5, a tape carrier method or mounting by wire bonding is also possible. In order to realize a special arrangement in which the antenna and the IC chip are spaced apart from each other, various mounting forms can be considered by examining each specific design condition.

本発明の構成の一例を説明するための斜視概念図である。It is a perspective conceptual diagram for demonstrating an example of a structure of this invention. 本発明のRFIDタグの接続部分を説明するための断面概念図である。It is a cross-sectional conceptual diagram for demonstrating the connection part of the RFID tag of this invention.

1・・・・フォトマスク
2・・・・フォトマスク基板
3・・・・遮光パターン部(主要部)
3s・・・ベタ枠部
4・・・・遮光パターン部(アンテナ)
5・・・・ICチップ
6・・・・RFIDタグ
41・・・遮光膜の低導電性表面層
42・・・遮光膜の高導電性下層
43・・・遮光膜の低導電性下層
51・・・ICチップとアンテナとの接続部
52・・・ICチップ封止樹脂
1 ... Photomask 2 ... Photomask substrate 3 ... Shading pattern (main part)
3s ... Solid frame part 4 ... Shading pattern part (antenna)
5... IC chip 6... RFID tag 41... Low-conductive surface layer 42 of light-shielding film... High-conductive lower layer 43 of light-shielding film. ..Connecting part 52 between IC chip and antenna: IC chip sealing resin

Claims (4)

フォトマスク基板上に設置されるRFIDタグであって、該フォトマスク基板上の導電性材料を含む遮光パターンの一部をアンテナとし、該アンテナにICチップが電気的に接続して配置されるRFIDタグであり、前記フォトマスク基板上で遮光パターンを形成するための遮光膜が、表面層が低導電性であり下層に高導電性の層を含む多層膜であって、前記アンテナとICチップとの電気的接続が、前記下層の高導電層を表面に露出した部分を通してなされていることを特徴とするRFIDタグ。 An RFID tag installed on a photomask substrate, wherein a part of a light-shielding pattern including a conductive material on the photomask substrate is used as an antenna, and an IC chip is electrically connected to the antenna. The light-shielding film for forming a light-shielding pattern on the photomask substrate is a multilayer film including a low-conductivity surface layer and a high-conductivity layer in a lower layer, the antenna and the IC chip The RFID tag is characterized in that the electrical connection is made through a portion where the lower conductive layer is exposed on the surface . 前記ICチップがエポキシ系、ウレタン系、メラミン系のいずれかの樹脂で被覆され、封止されることを特徴とする請求項記載のRFIDタグ。 The IC chip is epoxy, urethane, coated with any of the resins of melamine, RFID tag according to claim 1, wherein the sealed. RFIDタグを有するフォトマスクであって、該フォトマスク基板上の導電性材料を含む遮光パターンの一部をRFIDタグ用のアンテナとし、該アンテナにRFIDタグ用のICチップが電気的に接続して配置されており、前記フォトマスク基板上で遮光パターンを形成するための遮光膜が、表面層が低導電性であり下層に高導電性の層を含む多層膜であって、前記アンテナとICチップとの電気的接続が、前記下層の高導電層を表面に露出した部分を通してなされていることを特徴とするフォトマスク。 A photomask having an RFID tag, wherein a part of a light-shielding pattern including a conductive material on the photomask substrate is an RFID tag antenna, and an IC chip for the RFID tag is electrically connected to the antenna. A light-shielding film for forming a light-shielding pattern on the photomask substrate is a multilayer film having a surface layer of low conductivity and a high conductivity layer in a lower layer, wherein the antenna and the IC chip The photomask is characterized in that the electrical connection is made through the exposed portion of the lower highly conductive layer on the surface . 前記ICチップがエポキシ系、ウレタン系、メラミン系のいずれかの樹脂で被覆され、封止されることを特徴とする請求項記載のフォトマスク。 4. The photomask according to claim 3, wherein the IC chip is coated with an epoxy resin, urethane resin, or melamine resin and sealed.
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