JP5400289B2 - Light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、LEDチップ等の発光素子を基板に実装した発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device in which a light emitting element such as an LED chip is mounted on a substrate.

近年、軽量・薄型化および省電力化が可能な照明・発光手段として、発光ダイオードが注目されている。発光ダイオードの実装形態としては、発光ダイオードのベアチップ(LEDチップ)を配線基板に直接実装する方法と、LEDチップを配線基板に実装し易いようにLEDチップを小型基板にボンディングしてパッケージ化し、このLEDパッケージを配線基板に実装する方法とが知られている。   In recent years, light-emitting diodes have attracted attention as illumination / light-emitting means that can be reduced in weight, thickness, and power. As a mounting form of the light emitting diode, a method of directly mounting the bare chip (LED chip) of the light emitting diode on the wiring board, and bonding the LED chip to a small board so as to easily mount the LED chip on the wiring board are packaged. A method of mounting an LED package on a wiring board is known.

従来のLEDパッケージは、LEDチップを小型基板にダイボンドし、LEDチップの電極部分とリードの電極部分との間をワイヤボンド等で接続し、透光性を有する封止樹脂で封止した構造であった。   The conventional LED package has a structure in which the LED chip is die-bonded to a small substrate, the electrode part of the LED chip and the electrode part of the lead are connected by wire bonding or the like, and sealed with a sealing resin having translucency. there were.

一方、LEDチップは、照明器具としての通常の使用温度領域において、低温になるほど発光効率が高く、高温になるほど発光効率が低下する性質を有する。このため、発光ダイオードを用いる光源装置では、LEDチップで発生した熱を速やかに外部に放熱し、LEDチップの温度を低下させることが、LEDチップの発光効率を向上させる上で非常に重要な課題となる。また、放熱特性を高めることによって、LEDチップに大きな電流を通電して使用することができ、LEDチップの光出力を増大させることができる。   On the other hand, the LED chip has the property that in a normal use temperature range as a lighting fixture, the luminous efficiency increases as the temperature decreases, and the luminous efficiency decreases as the temperature increases. For this reason, in a light source device using a light emitting diode, it is very important to improve the light emission efficiency of the LED chip by quickly radiating the heat generated in the LED chip to the outside and lowering the temperature of the LED chip. It becomes. In addition, by increasing the heat dissipation characteristics, a large current can be applied to the LED chip and the light output of the LED chip can be increased.

特許文献1は、実装基板への実装面積を小さくすることができ且つ外部への光取り出し効率を向上可能な発光ダイオード用パッケージおよびそれを用いた発光装置について開示している。すなわち、パッケージは、半導体基板たるシリコン基板の厚み方向の一面側に発光ダイオードチップを収納する収納凹所が形成されるとともに、他面側に外部接続用電極が形成され、収納凹所の内底面に発光ダイオードチップを金バンプを介して接続するチップ接続用電極が形成され、チップ接続用電極と外部接続用電極とを接続する配線がシリコン基板における収納凹所の内底面と上記他面との間の部分からなる実装部に貫設されている。収納凹所の内周面には反射膜が形成されている。   Patent Document 1 discloses a light emitting diode package capable of reducing the mounting area on a mounting substrate and improving the light extraction efficiency to the outside, and a light emitting device using the same. That is, in the package, a housing recess for housing the light emitting diode chip is formed on one surface side in the thickness direction of the silicon substrate as a semiconductor substrate, and an external connection electrode is formed on the other surface side, and the inner bottom surface of the housing recess A chip connecting electrode for connecting the light emitting diode chip through the gold bump is formed, and a wiring for connecting the chip connecting electrode and the external connecting electrode is formed between the inner bottom surface of the housing recess in the silicon substrate and the other surface. It is penetrated in the mounting part which consists of the part between. A reflective film is formed on the inner peripheral surface of the storage recess.

特開2005−19609号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-19609

しかしながら、特許文献1に開示された発光ダイオード用パッケージは、シリコン基板に発光ダイオードチップを収納する凹所が形成されているため、その形成加工の問題がある。また、発光ダイオードチップの放熱構造として、当該チップに直接接する放熱用金属部が、実装部に貫設された熱結合部を介して放熱用電極に接続されている構造であり、複雑な構造であり、加工コスト、放熱性能が低い等の問題がある。また、発光ダイオードチップの電極部が収納凹所の内底面側に接するように構成されているため、光の取り出し効率の観点から問題がある。   However, the package for a light emitting diode disclosed in Patent Document 1 has a problem in its formation because the recess for housing the light emitting diode chip is formed in the silicon substrate. In addition, the heat dissipation structure of the light-emitting diode chip is a structure in which a heat dissipation metal part that is in direct contact with the chip is connected to a heat dissipation electrode through a thermal coupling part that is provided through the mounting part. There are problems such as low processing cost and low heat dissipation performance. Further, since the electrode portion of the light emitting diode chip is configured to be in contact with the inner bottom surface side of the housing recess, there is a problem from the viewpoint of light extraction efficiency.

そこで、上記問題に鑑みて本発明はなされたものであり、本発明の目的は、簡単な構造で十分な放熱効果が得られるとともに、光の取り出し効率も高く、装置全体の小型化や製造コストを低く抑えることができる発光装置を提供することにある。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to obtain a sufficient heat dissipation effect with a simple structure, high light extraction efficiency, and downsizing and manufacturing cost of the entire apparatus. It is an object of the present invention to provide a light-emitting device that can keep the above low.

本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子が金属肉厚部を有する第1金属層を少なくとも介して実装される基板と、前記金属肉厚部の頂部に設けた前記発光素子がその内部に配置される貫通孔が形成され、かつ、前記基板上に設けられる樹脂基材層と、を備え、前記発光素子の電極部と電気的に接続される第1パターン金属部が前記樹脂基材層の上面側に形成され、当該第1パターン金属部が当該樹脂基材層の下面側に形成された第2パターン金属部と電気的に接続され、当該第2パターン金属部が前記基板上側に設けられた第2金属層と電気的に接続されるように構成されていることを特徴とする。   The light emitting device of the present invention includes a light emitting element, a substrate on which the light emitting element is mounted via at least a first metal layer having a metal thick part, and the light emitting element provided on the top of the metal thick part. And a resin base material layer provided on the substrate, the first pattern metal portion electrically connected to the electrode portion of the light emitting element is formed on the resin base. Formed on the upper surface side of the material layer, the first pattern metal portion is electrically connected to the second pattern metal portion formed on the lower surface side of the resin base material layer, and the second pattern metal portion is located on the upper side of the substrate. It is comprised so that it may be electrically connected with the 2nd metal layer provided in this.

この構成によれば、発光素子が少なくとも金属層を介して基板に設置されているため、発光素子による熱を金属層を介して基板に好適に伝熱することができ、放熱性が高いものとなる。また、樹脂基材層に形成された貫通孔の内部に位置する金属肉厚部の頂部に発光素子が設けられている構成であるため、発光素子からの光を貫通孔の開口方向に向かって好適に導くことができ、光の取り出し効率が高いものとなる。さらに、貫通孔内部における発光素子の高さ、位置調整を金属肉厚部で行えるため、光の照射角度の任意の調整、反射効率の向上、輝度の向上の効果がある。また、発光素子の外径サイズに応じて貫通孔の開口直径を小さく設定できるため、装置全体の小型化が簡単に行なえる。また、発光装置の基本構造要素が、発光素子、樹脂基材層、基板であり、夫々の構成が簡単であるため加工コストを低く抑えることができる。   According to this configuration, since the light emitting element is installed on the substrate through at least the metal layer, heat from the light emitting element can be suitably transferred to the substrate through the metal layer, and the heat dissipation is high. Become. Moreover, since it is the structure by which the light emitting element is provided in the top part of the metal thick part located in the inside of the through-hole formed in the resin base material layer, toward the opening direction of a through-hole of the light from a light-emitting element Therefore, the light extraction efficiency is high. Furthermore, since the height and position of the light emitting element in the through hole can be adjusted with the metal thick portion, there are effects of arbitrary adjustment of the light irradiation angle, improvement of reflection efficiency, and improvement of luminance. In addition, since the opening diameter of the through hole can be set small according to the outer diameter size of the light emitting element, the entire apparatus can be easily downsized. The basic structural elements of the light-emitting device are a light-emitting element, a resin base material layer, and a substrate. Since the configuration of each is simple, the processing cost can be kept low.

また、上記発光装置において、前記基板が黒鉛およびアルミニウム合金の複合材料で構成されていることを特徴とする。   In the above light emitting device, the substrate is made of a composite material of graphite and an aluminum alloy.

この構成によれば、基板が黒鉛およびアルミニウム合金の複合材料で構成されているため、伝熱効果が高く、よって、発光素子の熱を好適に放熱することができる。   According to this configuration, since the substrate is composed of a composite material of graphite and an aluminum alloy, the heat transfer effect is high, and thus the heat of the light emitting element can be suitably radiated.

また、上記発光装置において、前記基板が黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料で構成されていることを特徴とする。   In the light emitting device, the substrate is made of a composite material of graphite, ceramics, and aluminum alloy.

この構成によれば、基板が黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料で構成されているため、伝熱効率が高く、よって、発光素子の熱を好適に放熱することができる。さらに、黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料は、黒鉛およびアルミニウム合金の複合材料で構成されているものよりも、強度等の機械的特性に優れるため、機械的特性が要求される車載用途等の発光装置に好適である。   According to this configuration, since the substrate is made of a composite material of graphite, ceramics, and aluminum alloy, the heat transfer efficiency is high, and thus the heat of the light emitting element can be suitably radiated. Furthermore, the composite material of graphite, ceramics, and aluminum alloy is superior in mechanical properties such as strength than those composed of composite material of graphite and aluminum alloy, so that it can be used for in-vehicle applications that require mechanical properties. Suitable for light emitting devices.

また、上記発光装置において、貫通孔の表面に、光を反射する反射層が形成されていることを特徴とする。   In the light-emitting device, a reflective layer that reflects light is formed on the surface of the through hole.

この構成によれば、貫通孔の内部表面に形成された反射層によって、より好適に発光素子からの光を貫通孔の開口方向に向かって導くことができるとともに反射効率の向上となるので好ましい。   According to this configuration, the reflection layer formed on the inner surface of the through hole can more preferably guide light from the light emitting element toward the opening direction of the through hole and improve the reflection efficiency, which is preferable.

また、上記発光装置において、樹脂基材層上に形成され、光を反射する反射部を設け、貫通孔の内部を蛍光体を含む樹脂で封止し、反射部を壁として透明樹脂で封止することを特徴とする。   Further, in the above light emitting device, a reflection part formed on the resin base layer is provided to reflect light, the inside of the through hole is sealed with a resin containing a phosphor, and the reflection part is sealed with a transparent resin as a wall. It is characterized by doing.

この構成によれば、発光素子からの光を蛍光体に当て、この蛍光体の作用によって発光波長を所望の色の光に変換し、透明樹脂で形成されたレンズ体によって、光を外部に好適に放射することができる。   According to this configuration, the light from the light emitting element is applied to the phosphor, the light emission wavelength is converted into light of a desired color by the action of the phosphor, and the light is suitable for the outside by the lens body formed of the transparent resin. Can be emitted.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の発光装置の一例を示す断面図である。図2、3は、それぞれ他例の発光装置である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting device of the present invention. 2 and 3 show other examples of the light emitting device.

図1に示すように、発光装置1は、発光素子11と、この発光素子11が金属肉厚部121を有する金属層12および絶縁層13を介して実装される基板14と、発光素子11から発する光を所定方向に導くように貫通孔15aが形成され、かつ、基板14上に設けられる樹脂基材層15と、樹脂基材層15上に形成され、発光素子11からの光を反射する反射部16とを備えている。発光素子11は、金属肉厚部121の頂部に設けられ、貫通孔15aの内部に配置される。   As shown in FIG. 1, the light emitting device 1 includes a light emitting element 11, a substrate 14 on which the light emitting element 11 is mounted via a metal layer 12 having a metal thick portion 121 and an insulating layer 13, and the light emitting element 11. A through-hole 15a is formed so as to guide emitted light in a predetermined direction, and the resin base layer 15 provided on the substrate 14 and the resin base layer 15 are formed to reflect light from the light emitting element 11. The reflection part 16 is provided. The light emitting element 11 is provided at the top of the thick metal portion 121 and is disposed inside the through hole 15a.

発光素子11は、光を発する素子であり、例えば、LEDチップ、半導体レーザチップ等が挙げられる。LEDチップでは、上面に両電極が存在するフェイスアップ型の他、裏面の電極により、カソードタイプ、アノードタイプ、フェイスダウン型(フリップチップタイプ)などがある。本発明では、フェイスアップ型を用いることが、放熱性の点から優れている。   The light emitting element 11 is an element that emits light, and examples thereof include an LED chip and a semiconductor laser chip. The LED chip includes a face-up type in which both electrodes are present on the upper surface, a cathode type, an anode type, a face-down type (flip chip type), etc., depending on the electrode on the back surface. In the present invention, the use of the face-up type is excellent from the viewpoint of heat dissipation.

基板14は、発光素子11を実装するための基板であり、熱伝導性の良い材料で構成されている。熱伝導性の良い材料としては、金属、セラミックス、熱伝導性フィラーを含む樹脂等が例示されるが、本発明においては、黒鉛およびアルミニウム合金の複合材料、黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料で基板14を構成することが好ましい。特に、黒鉛およびアルミニウム合金の複合材料よりも黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料で構成することが強度等の機械的特性の観点から好ましい。   The board | substrate 14 is a board | substrate for mounting the light emitting element 11, and is comprised with the material with favorable heat conductivity. Examples of the material having good thermal conductivity include metals, ceramics, and resins containing thermal conductive fillers. In the present invention, a composite material of graphite and aluminum alloy, a composite material of graphite, ceramics, and aluminum alloy is used. The substrate 14 is preferably configured. In particular, the composite material of graphite, ceramics, and aluminum alloy is more preferable than the composite material of graphite and aluminum alloy from the viewpoint of mechanical properties such as strength.

黒鉛−アルミニウム合金複合体(複合材料)及び黒鉛−セラミックス−アルミニウム合金複合体(複合材料)は、黒鉛成形体または黒鉛−セラミックス成形体にアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金を溶湯鍛造法にて、20MPa以上の圧力で加圧含浸することで製造することができる。黒鉛成形体は、市販の人造黒鉛成形体を用いることもできるし、人造黒鉛粉末を成形して用いることもできる。また、黒鉛−セラミックス成形体は、黒鉛粉末と炭化珪素等のセラミックス粉末を所定の割合で混合した後、成形して用いることができる。本発明に用いる成形体の気孔率は、10〜35体積%が好ましく、15〜25体積%がより好ましい。   A graphite-aluminum alloy composite (composite material) and a graphite-ceramic-aluminum alloy composite (composite material) are obtained by melting a graphite molded body or an aluminum alloy containing aluminum as a main component into a graphite-ceramic molded body, It can be produced by pressure impregnation at a pressure of 20 MPa or more. As the graphite molded body, a commercially available artificial graphite molded body can be used, or an artificial graphite powder can be molded and used. In addition, the graphite-ceramic shaped body can be used after being formed by mixing graphite powder and ceramic powder such as silicon carbide at a predetermined ratio. 10-35 volume% is preferable and, as for the porosity of the molded object used for this invention, 15-25 volume% is more preferable.

黒鉛−アルミニウム合金複合体及び黒鉛−セラミックス−アルミニウム合金複合体のアルミニウム合金は、含浸時にプリフォームの空隙内に十分にアルミニウム合金を浸透させるため、アルミニウム合金の融点がなるべく低いことが好ましく、シリコンを5〜25質量%含有したアルミニウム合金を用いる場合もある。アルミニウム合金中のシリコン以外の金属成分に関しては、極端に特性が変化しない範囲であれば特に制限はなく、例えばマグネシウム、銅等が含まれていても良い。   The aluminum alloys of graphite-aluminum alloy composite and graphite-ceramics-aluminum alloy composite sufficiently infiltrate the aluminum alloy into the voids of the preform when impregnated. Therefore, the melting point of the aluminum alloy is preferably as low as possible. An aluminum alloy containing 5 to 25% by mass may be used. The metal component other than silicon in the aluminum alloy is not particularly limited as long as the characteristics do not change extremely, and may contain, for example, magnesium, copper, or the like.

黒鉛−アルミニウム合金複合体及び黒鉛−セラミックス−アルミニウム合金複合体は、上述した方法によりブロック形状の複合体を作製し、切断加工して板状複合体とすることもできるし、板状の成形体を作製した後、アルミニウム合金を加圧含浸して板状複合体を作製することもできる。また、黒鉛−アルミニウム合金複合体及び黒鉛−セラミックス−アルミニウム合金複合体は、加工性に優れ、通常の機械加工にて容易に加工することが出来る。この場合、黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料におけるセラミックス粒子は、加工性の点からメディアン径が100μm以下で添加量が10〜30体積%であることが好ましい。さらに、黒鉛およびアルミニウム合金の複合材料及び黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料を基板として用いる場合、素材のまま用いる場合と表面をメッキ処理して用いる場合がある。   The graphite-aluminum alloy composite and the graphite-ceramics-aluminum composite can be prepared by preparing a block-shaped composite by the above-described method and cutting it into a plate-shaped composite, or a plate-shaped molded body Then, a plate-like composite can be produced by pressure impregnation with an aluminum alloy. Further, the graphite-aluminum alloy composite and the graphite-ceramic-aluminum alloy composite are excellent in workability and can be easily processed by ordinary machining. In this case, the ceramic particles in the composite material of graphite, ceramics, and aluminum alloy preferably have a median diameter of 100 μm or less and an addition amount of 10 to 30% by volume from the viewpoint of workability. Further, when a composite material of graphite and aluminum alloy and a composite material of graphite, ceramics, and aluminum alloy are used as a substrate, there are a case where the raw material is used as it is and a case where the surface is plated.

黒鉛−アルミニウム合金複合体及び黒鉛−セラミックス−アルミニウム合金複合体の特性としては、熱伝導率が200W/mK以上であることが好ましい。本発明では、当該複合材を放熱部品として使用する為、熱伝導率が200W/mK未満では、十分な放熱特性を発揮できないためである。   As a characteristic of the graphite-aluminum alloy composite and the graphite-ceramic-aluminum alloy composite, the thermal conductivity is preferably 200 W / mK or more. In the present invention, since the composite material is used as a heat dissipation component, sufficient heat dissipation characteristics cannot be exhibited when the thermal conductivity is less than 200 W / mK.

基板14は、放熱性の観点から導電性材料で構成される場合には、図1に示すように、基板14に絶縁層13が設けられる。この絶縁層13は、熱伝導性の高い材料で構成され、例えば、熱伝導性フィラーを含む樹脂等が例示される。絶縁層13を基板14に形成する方法は、公知の印刷方法、塗工方法、接着方法が適用できる。   When the substrate 14 is made of a conductive material from the viewpoint of heat dissipation, an insulating layer 13 is provided on the substrate 14 as shown in FIG. The insulating layer 13 is made of a material having high heat conductivity, and examples thereof include a resin containing a heat conductive filler. As a method of forming the insulating layer 13 on the substrate 14, a known printing method, coating method, or adhesion method can be applied.

絶縁層13は、1.0W/mK以上の熱伝導率を有し、1.2W/mK以上の熱伝導率を有することが好ましく、1.5W/mK以上の熱伝導率を有することがより好ましい。これによって、金属層12からの熱を効率良く基板14側に放熱することができる。ここで、絶縁層13の熱伝導率は、適宜、熱伝導性フィラーの配合量および粒度分布を考慮した配合を選択することで決定されるが、硬化前の絶縁性接着剤の塗工性を考慮すると、一般的には10W/mK程度が上限として好ましい。   The insulating layer 13 has a thermal conductivity of 1.0 W / mK or higher, preferably has a thermal conductivity of 1.2 W / mK or higher, and more preferably has a thermal conductivity of 1.5 W / mK or higher. preferable. Thereby, the heat from the metal layer 12 can be efficiently radiated to the substrate 14 side. Here, the thermal conductivity of the insulating layer 13 is appropriately determined by selecting a formulation in consideration of the blending amount of the thermally conductive filler and the particle size distribution, but the applicability of the insulating adhesive before curing is determined. In consideration, generally, the upper limit is preferably about 10 W / mK.

絶縁層13は金属酸化物及び/又は金属窒化物である熱伝導性フィラーと樹脂とで構成されることが好ましい。金属酸化物並びに金属窒化物は、熱伝導性に優れ、しかも電気絶縁性のものが好ましい。金属酸化物としては酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ベリリウム、酸化マグネシウムが、金属窒化物としては窒化硼素、窒化珪素、窒化アルミニウムが選択され、これらを単独または2種以上を混合して用いることができる。特に、前記金属酸化物のうち、酸化アルミニウムは電気絶縁性、熱伝導性ともに良好な絶縁接着剤層を容易に得ることができ、しかも安価に入手可能であるという理由で、また、前記金属窒化物のうち窒化硼素は電気絶縁性、熱伝導性に優れ、更に誘電率が小さいという理由で好ましい。   The insulating layer 13 is preferably composed of a thermally conductive filler that is a metal oxide and / or a metal nitride and a resin. Metal oxides and metal nitrides are preferably excellent in thermal conductivity and electrically insulating. Aluminum oxide, silicon oxide, beryllium oxide, and magnesium oxide are selected as the metal oxide, and boron nitride, silicon nitride, and aluminum nitride are selected as the metal nitride. These can be used alone or in combination of two or more. . In particular, among the metal oxides, aluminum oxide can easily obtain an insulating adhesive layer having good electrical insulation and thermal conductivity, and can be obtained at low cost. Of these materials, boron nitride is preferable because it is excellent in electrical insulation and thermal conductivity and has a low dielectric constant.

熱伝導性フィラーとしては、小径フィラーと大径フィラーとを含むものが好ましい。このように2種以上の大きさの異なる粒子(粒度分布の異なる粒子)を用いることで、大径フィラー自体による伝熱機能と、小径フィラーにより大径フィラー間の樹脂の伝熱性を高める機能により、絶縁層13の熱伝導率をより向上させることができる。このような観点から、小径フィラーのメディアン径は、0.5〜2μmが好ましく0.5〜1μmがより好ましい。また、大径フィラーのメディアン径は、10〜40μmが好ましく15〜20μmがより好ましい。   As a heat conductive filler, what contains a small diameter filler and a large diameter filler is preferable. Thus, by using two or more kinds of particles having different sizes (particles having different particle size distributions), the heat transfer function by the large-diameter filler itself and the function of increasing the heat transfer property of the resin between the large-diameter fillers by the small-diameter filler. Further, the thermal conductivity of the insulating layer 13 can be further improved. From such a viewpoint, the median diameter of the small-diameter filler is preferably 0.5 to 2 μm, and more preferably 0.5 to 1 μm. Moreover, 10-40 micrometers is preferable and, as for the median diameter of a large diameter filler, 15-20 micrometers is more preferable.

絶縁層13を構成する樹脂としては、金属酸化物及び/又は金属窒化物を含みながらも、硬化状態下において、金属層12との接合力に優れ、また耐電圧特性等を損なわないものが選択される。このような樹脂として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチックが単独または2種以上を混合して用いることができるが、このうちエポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。特に、エポキシ樹脂のなかでは、流動性が高く、前記の金属酸化物及び金属窒化物との混合性に優れるビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールF型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが一層好ましい樹脂である。   As the resin constituting the insulating layer 13, a resin that includes a metal oxide and / or a metal nitride but has excellent bonding strength with the metal layer 12 in a cured state and that does not impair withstand voltage characteristics or the like is selected. Is done. As such a resin, an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, and various engineering plastics can be used singly or as a mixture of two or more, and among them, an epoxy resin is excellent in bonding strength between metals. preferable. In particular, among epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, bisphenol F-type epoxy resins, hydrogenated bisphenol A-type epoxy resins, hydrogenated, which have high fluidity and excellent mixing properties with the above metal oxides and metal nitrides. Bisphenol F type epoxy resins, triblock polymers having bisphenol A type epoxy resin structures at both ends, and triblock polymers having bisphenol F type epoxy resin structures at both ends are more preferred resins.

また、図1に示すように、基板14の発光素子11の実装位置に、放熱性の観点から伝熱効率の高い金属層12が絶縁層13の上面に設けられている。金属層12には、発光素子11が実装される金属肉厚部121が設けられる実装部分12a(第1金属層に相当する)と、この実装部分12aと電気的に分離され、後述する第2パターン金属部153と電気的に接続される電極部分12b(第2金属層に相当する)とを有してパターン形成されている。なお、この配線パターンは、図1に限定されず、目的に応じて変更できるものである。   As shown in FIG. 1, a metal layer 12 having high heat transfer efficiency is provided on the upper surface of the insulating layer 13 from the viewpoint of heat dissipation at the mounting position of the light emitting element 11 on the substrate 14. The metal layer 12 has a mounting portion 12a (corresponding to the first metal layer) provided with a metal thick portion 121 on which the light emitting element 11 is mounted, and is electrically separated from the mounting portion 12a. A pattern is formed having an electrode portion 12b (corresponding to a second metal layer) electrically connected to the pattern metal portion 153. The wiring pattern is not limited to that shown in FIG. 1, but can be changed according to the purpose.

金属層12は、種々の金属で構成されうるが、通常、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫、銀、チタニウムのいずれか、または、これらの金属を含む合金等が使用でき、特に熱伝導性や電気伝導性の点から、銅が好ましい。   The metal layer 12 can be composed of various metals, but usually, any of copper, aluminum, nickel, iron, tin, silver, titanium, or an alloy containing these metals can be used. In view of electrical conductivity, copper is preferable.

金属層12を絶縁層13に形成する方法は、公知の方法が適用でき、金属箔の接着、印刷、エッチング等を用いることができる。また、金属層12と絶縁層13を基板14に形成した後に、金属層12のパターン形成を行なうことができる。また、金属層12は、絶縁接着剤のBステージ状態にある絶縁層13において予め形成し、その後に基板14と熱プレスして、基板14、絶縁層13、金属層12を一体に構成することもできる。   As a method of forming the metal layer 12 on the insulating layer 13, a known method can be applied, and adhesion, printing, etching, or the like of a metal foil can be used. In addition, after the metal layer 12 and the insulating layer 13 are formed on the substrate 14, the pattern of the metal layer 12 can be formed. Further, the metal layer 12 is formed in advance in the insulating layer 13 in the B-stage state of the insulating adhesive, and then hot-pressed with the substrate 14 so that the substrate 14, the insulating layer 13, and the metal layer 12 are integrally formed. You can also.

金属層12に設けられる金属肉厚部121は、金属層12と同様の材料で形成することが電気伝導性、熱伝導性(放熱性)の観点から好ましい。金属肉厚部121を形成する方法は、特に制限されず公知の形成方法が採用でき、例えば、金属バンプ形成法等が挙げられる。金属肉厚部121は、貫通孔15aの内部に配置されるが、その位置は適宜設計できる。放熱性および光取り出し効率の観点から貫通孔15a高さの略中央および開口中央位置に発光素子11が配置されるように金属肉厚部121の高さおよび位置を設定することが好ましい。   The metal thick portion 121 provided in the metal layer 12 is preferably formed of the same material as that of the metal layer 12 from the viewpoints of electrical conductivity and thermal conductivity (heat dissipation). The method for forming the metal thick portion 121 is not particularly limited, and a known forming method can be adopted, and examples thereof include a metal bump forming method. Although the metal thick part 121 is arrange | positioned inside the through-hole 15a, the position can be designed suitably. From the viewpoint of heat dissipation and light extraction efficiency, it is preferable to set the height and position of the thick metal portion 121 so that the light emitting element 11 is disposed at the approximate center of the height of the through hole 15a and the center of the opening.

樹脂基材層15は、絶縁性の樹脂部151を基材とし、その上面側(反射部16が設置される面)に発光素子11の電極部と電気的に接続される第1パターン金属部152が形成され、当該樹脂部151の下面側(基板14側)に第2パターン金属部153が形成されている。この第1パターン金属部152は、樹脂部151を貫設された層間接続部(不図示)を介して第2パターン金属部153と電気的に接続されている。層間接続部としては、メッキスルーホール、レーザビア、金属バンプ等が挙げられ、その場合の導電接続構造の形成方法の詳細は、国際公開公報WO00/52977号に記載されており、これらをいずれも適用することができる。   The resin base material layer 15 uses the insulating resin part 151 as a base material, and the first pattern metal part electrically connected to the electrode part of the light emitting element 11 on the upper surface side (surface on which the reflection part 16 is installed). 152 is formed, and a second pattern metal portion 153 is formed on the lower surface side (substrate 14 side) of the resin portion 151. The first pattern metal part 152 is electrically connected to the second pattern metal part 153 via an interlayer connection part (not shown) penetrating the resin part 151. Examples of the interlayer connection include plated through holes, laser vias, metal bumps, and the like. Details of a method for forming a conductive connection structure in that case are described in International Publication No. WO 00/52977, and all of these are applied. can do.

樹脂部151を構成する樹脂としては、金属酸化物及び/又は金属窒化物を含みながらも、硬化状態下において、第1、第2パターン金属部152、153との接合力に優れ、また耐電圧特性等を損なわないものが選択される。このような樹脂として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチックが単独または2種以上を混合して用いることができるが、このうちエポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。特に、エポキシ樹脂のなかでは、流動性が高く、前記の金属酸化物及び金属窒化物との混合性に優れるビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂を主体とした樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールF型エポキシ樹脂が一層好ましい樹脂である。   The resin constituting the resin part 151 is excellent in bonding strength with the first and second pattern metal parts 152 and 153 in a cured state and includes a metal oxide and / or metal nitride, and withstand voltage. Those that do not impair the properties and the like are selected. As such a resin, an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, and various engineering plastics can be used singly or as a mixture of two or more, and among them, an epoxy resin is excellent in bonding strength between metals. preferable. In particular, among epoxy resins, a resin mainly composed of bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, and bisphenol A-type epoxy resin having high fluidity and excellent mixing with the metal oxide and metal nitride. Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin and hydrogenated bisphenol F type epoxy resin are more preferable resins.

第1、第2パターン金属部152、153は、種々の金属で構成されうるが、通常、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫、銀、チタニウムのいずれか、または、これらの金属を含む合金等が使用でき、特に熱伝導性や電気伝導性の点から、銅が好ましい。   The first and second pattern metal portions 152 and 153 can be made of various metals, but are usually copper, aluminum, nickel, iron, tin, silver, titanium, or an alloy containing these metals. In particular, copper is preferable from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity.

樹脂部151に、第1、第2パターン金属部152、153を形成する方法としては、公知の方法が適用でき、例えば、印刷、フォトリソグラフィ法によるエッチング等の方法が例示される。   As a method of forming the first and second pattern metal portions 152 and 153 on the resin portion 151, a known method can be applied, and examples thereof include methods such as printing and etching by photolithography.

また、第2パターン金属部153を、図2に示すように、厚板の銅で構成されたリードフレーム1531で形成することができる。この場合、樹脂部151とリードフレーム1531との接着により生じる平坦性の問題を解決するために、埋め込み用途の樹脂材21を設けることが、基材14との接合性の観点から好ましい。   Further, as shown in FIG. 2, the second pattern metal portion 153 can be formed of a lead frame 1531 made of thick copper. In this case, in order to solve the problem of flatness caused by the adhesion between the resin portion 151 and the lead frame 1531, it is preferable to provide the resin material 21 for embedding purposes from the viewpoint of the bondability with the base material 14.

この樹脂基材層15には、発光素子11から発する光を所定方向に導くように貫通孔15aが形成されている。この貫通孔15aは、公知の方法で形成でき、例えば、レーザー、ドリル、パンチングプレス等が例示できる。   A through hole 15a is formed in the resin base layer 15 so as to guide light emitted from the light emitting element 11 in a predetermined direction. The through hole 15a can be formed by a known method, and examples thereof include a laser, a drill, and a punching press.

この貫通孔15aの表面には、光を反射する反射層154が形成されている。反射層154は、反射効率の高い銀、金、ニッケルなどの貴金属材料で構成されることが好ましく、メッキによって形成されるのが好ましい。図1に示すように、第1パターン金属部152の上面にも反射層154、154aが形成されているが、これに限定されず、なくともよい。   A reflective layer 154 that reflects light is formed on the surface of the through hole 15a. The reflective layer 154 is preferably made of a noble metal material such as silver, gold, or nickel having high reflection efficiency, and is preferably formed by plating. As shown in FIG. 1, the reflective layers 154 and 154a are also formed on the upper surface of the first pattern metal part 152, but the present invention is not limited thereto.

また、貫通孔15aの内部を蛍光体を含む樹脂18で封止し、反射部16を壁として透明樹脂19で封止することで、発光素子11からの光を蛍光体に当て、この蛍光体の作用によって発光波長を所望の色の光に変換し、透明樹脂19で形成されたレンズ体によって、光を外部に好適に放射することができる。また、貫通孔15aの内部を透明樹脂19で封止することもできる。   Further, the inside of the through-hole 15a is sealed with a resin 18 containing a phosphor, and the reflective portion 16 is sealed with a transparent resin 19 so that light from the light emitting element 11 is applied to the phosphor. The light emission wavelength is converted into light of a desired color by the action of the above, and the light can be suitably emitted to the outside by the lens body formed of the transparent resin 19. Further, the inside of the through hole 15 a can be sealed with the transparent resin 19.

金属層12および第1、第2パターン金属部152、153の厚みは、例えば25〜70μm程度が例示できるが、目的に応じて適宜設定される。   Although the thickness of the metal layer 12 and the 1st, 2nd pattern metal parts 152 and 153 can illustrate about 25-70 micrometers, for example, it sets suitably according to the objective.

以下において、発光装置1の好適な製造方法の一例について説明する。先ず、(1)基板14を準備する。基板14に絶縁層13および金属箔を設け、金属箔をパターン形成した金属層12を形成する。さらに、金属層12に金属肉厚部121を形成する。   Below, an example of the suitable manufacturing method of the light-emitting device 1 is demonstrated. First, (1) the substrate 14 is prepared. An insulating layer 13 and a metal foil are provided on the substrate 14, and a metal layer 12 in which the metal foil is patterned is formed. Further, a thick metal portion 121 is formed in the metal layer 12.

(2)樹脂基材層15を準備する。樹脂部151の両面に金属箔を形成し、次いで、貫通孔15aを形成する。次いで、全体にメッキを施して貫通孔15a内部表面、金属箔表面に反射層154を形成する。次いで、反射層154および金属箔をエッチングして、第1、第2パターン金属部152、153を形成し、樹脂基材層15が製造される。次いで、樹脂基材層15を、ダイサー、ルータ、ラインカッター、スリッター等の切断装置を用いて、目的に応じた所定のサイズに切断する。   (2) The resin base material layer 15 is prepared. Metal foil is formed on both surfaces of the resin portion 151, and then the through hole 15a is formed. Next, the whole is plated to form a reflective layer 154 on the inner surface of the through hole 15a and the surface of the metal foil. Next, the reflective layer 154 and the metal foil are etched to form the first and second pattern metal portions 152 and 153, and the resin base layer 15 is manufactured. Next, the resin base material layer 15 is cut into a predetermined size according to the purpose by using a cutting device such as a dicer, a router, a line cutter, or a slitter.

(3)反射部16を、樹脂基材層15の上面側に設ける(図1参照)。反射部16は、光を反射する材料で構成され、アルミニウム等の金属が好ましく、さらに、反射面に反射効率の高い銀、金、ニッケルなどの貴金属材料でメッキが施されていることがより好ましい。反射部16は、接着等の公知の方法で樹脂基材層15に設けることができる。   (3) The reflection part 16 is provided in the upper surface side of the resin base material layer 15 (refer FIG. 1). The reflecting portion 16 is made of a material that reflects light, and is preferably a metal such as aluminum, and more preferably, the reflecting surface is plated with a noble metal material such as silver, gold, or nickel having high reflection efficiency. . The reflection part 16 can be provided in the resin base material layer 15 by well-known methods, such as adhesion | attachment.

(4)発光素子11を金属肉厚部121に実装する。金属肉厚部121への発光素子11の搭載方法は、導電性ペースト、両面テープ、半田による接合、放熱シート(好ましくはシリコーン系放熱シート)、シリコーン系又はエポキシ系樹脂材料を用いる方法など何れのボンディング方法でもよいが、金属による接合が放熱性の点から好ましい。   (4) The light emitting element 11 is mounted on the metal thick part 121. The light-emitting element 11 can be mounted on the metal thick portion 121 by any method such as conductive paste, double-sided tape, solder bonding, a heat-dissipating sheet (preferably a silicone-based heat-dissipating sheet), a method using a silicone-based or epoxy-based resin material. Although a bonding method may be used, metal bonding is preferable from the viewpoint of heat dissipation.

(5)樹脂基材層15を基板14上に設ける。貫通孔15aの内部に発光素子11が収納されるように樹脂基材層15は基板14に取り付けられる。第2パターン金属部153と金属層12の電極部分12bとは、導電性ペースト、半田による接続等が例示される。   (5) The resin base material layer 15 is provided on the substrate 14. The resin base material layer 15 is attached to the substrate 14 so that the light emitting element 11 is accommodated in the through hole 15a. Examples of the second pattern metal portion 153 and the electrode portion 12b of the metal layer 12 include connection by conductive paste and solder.

(6)発光素子11の電極部と両側の第1パターン金属部152とを導電接続する。この導電接続は、発光素子11の上部電極と各々の第1パターン金属部152とを、反射層154a、154bを介して金属細線17によるワイヤボンディング等で結線することで行うことができる。ワイヤボンディングとしては、超音波やこれと加熱を併用したものなどが可能である。図1の場合、反射層154a、154bを介して接続されているが、これに制限されず、反射層154a、154bはなくてもよい。   (6) Conductively connect the electrode part of the light emitting element 11 and the first pattern metal parts 152 on both sides. This conductive connection can be performed by connecting the upper electrode of the light emitting element 11 and each of the first pattern metal portions 152 by wire bonding or the like using the thin metal wires 17 through the reflective layers 154a and 154b. As wire bonding, ultrasonic waves or a combination of this and heating can be used. In the case of FIG. 1, it is connected via the reflective layers 154a and 154b, but the present invention is not limited to this, and the reflective layers 154a and 154b may not be provided.

(7)貫通孔15aの内部に蛍光体を含む樹脂18で封止し、次いで、反射部16を壁として、その内部を透明の封止樹脂19により封止する。封止樹脂としては、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂等が好適に使用できる。封止樹脂のポッティングは、凸レンズの機能を付与する観点から上面を凸状に形成するのが好ましいが、上面を平面状や凹状に形成してもよい。ポッティングした封止樹脂の上面形状は、使用する材料の粘度、塗布方法、塗布表面との親和性などで制御することができる。   (7) The inside of the through hole 15a is sealed with a resin 18 containing a phosphor, and then the inside is sealed with a transparent sealing resin 19 with the reflecting portion 16 as a wall. As the sealing resin, a silicone resin, an epoxy resin, or the like can be suitably used. In the potting of the sealing resin, the upper surface is preferably formed in a convex shape from the viewpoint of imparting the function of a convex lens, but the upper surface may be formed in a flat shape or a concave shape. The top surface shape of the potting sealing resin can be controlled by the viscosity of the material used, the coating method, the affinity with the coating surface, and the like.

次いで、基板14の製造方法の一例を以下に示す。
(基板の実施例1)
市販人造黒鉛材(密度:1.85g/cm)から、100mm×100mm×70mmのブロックを70mm厚方向に黒鉛粒子が配向する様に切り出した。得られた成形体は、電気炉で窒素雰囲気中、温度700℃に予備加熱した後、予め加熱しておいた内径Φ300mm×300mmtのプレス型内に収め、シリコンを12質量%含有するアルミニウム合金の溶湯を注ぎ、100MPaの圧力で20分間加圧して、成形体にアルミニウム合金を含浸させた。次に、室温まで冷却した後、湿式バンドソーでアルミニウム合金及び鉄製容器部分を切断し、100mmL×100mmW×70mmHの黒鉛−アルミニウム合金複合体を得た。得られた複合体は、含浸時の歪み除去の為、温度500℃で2時間のアニール処理を行った。
Next, an example of a method for manufacturing the substrate 14 will be described below.
(Example 1 of substrate)
A block of 100 mm × 100 mm × 70 mm was cut out from a commercially available artificial graphite material (density: 1.85 g / cm 3 ) so that the graphite particles were oriented in the 70 mm thickness direction. The obtained molded body was preheated to a temperature of 700 ° C. in a nitrogen atmosphere in an electric furnace, and then placed in a pre-heated press mold having an inner diameter of Φ300 mm × 300 mmt, and an aluminum alloy containing 12% by mass of silicon. The molten metal was poured and pressurized at 100 MPa for 20 minutes to impregnate the compact with the aluminum alloy. Next, after cooling to room temperature, the aluminum alloy and the iron container portion were cut with a wet band saw to obtain a graphite-aluminum alloy composite of 100 mmL × 100 mmW × 70 mmH. The obtained composite was annealed at a temperature of 500 ° C. for 2 hours in order to remove strain during impregnation.

次に、得られた複合体より、研削加工により、熱伝導率測定用試験体(25mm×25mm×1mm)、強度試験体(3mm×4mm、長さ40mm)を作製し、温度25℃での熱伝導率をレーザーフラッシュ法(アルバック社製;TC3000)及び3点曲げ強度(JIS−R1601に準拠)を測定した。熱伝導率及び3点曲げ強度を測定した結果、温度25℃での熱伝導率は、70mmH方向が350W/mK、100mmL方向が215W/mK、100mmW方向が210W/mKであった。また、3点曲げ強度は、15MPaであった。   Next, from the obtained composite, a thermal conductivity measurement test specimen (25 mm × 25 mm × 1 mm) and a strength test specimen (3 mm × 4 mm, length 40 mm) were prepared by grinding, and the temperature was measured at 25 ° C. The thermal conductivity was measured by a laser flash method (manufactured by ULVAC; TC3000) and a three-point bending strength (based on JIS-R1601). As a result of measuring the thermal conductivity and the three-point bending strength, the thermal conductivity at a temperature of 25 ° C. was 350 W / mK in the 70 mmH direction, 215 W / mK in the 100 mmL direction, and 210 W / mK in the 100 mmW direction. The three-point bending strength was 15 MPa.

得られた黒鉛−アルミニウム合金複合体は、100mmW×70mmHの面に平行となるように、ダイヤモンドカッターで厚み1.2mmtの板状に切断し、更に、外周部分を切断加工して95mm×65mmとした後、平面研削盤で、厚み1mmtとなる様に研削加工を行った。次に、得られた板状複合体は、無電解Ni―Pめっきを行い、複合体表面に6μm厚のめっき層を形成した。   The obtained graphite-aluminum alloy composite was cut into a plate shape having a thickness of 1.2 mmt with a diamond cutter so that it was parallel to the surface of 100 mmW × 70 mmH, and the outer peripheral portion was further cut to 95 mm × 65 mm. After that, grinding was performed with a surface grinder so that the thickness became 1 mmt. Next, the obtained plate-like composite was subjected to electroless Ni—P plating to form a 6 μm-thick plating layer on the composite surface.

(基板の実施例2)
粒子径0.1mm〜2mmの人造黒鉛粉末1600gとメディアン径7μmの炭化珪素粉末(大平洋ランダム社製/NC#2000)600gとをV型混合機にて混合した後、内径寸法が100mmL×100mmW×150mmHの鉄製容器に充填し、面圧100MPaの圧力で成形して、100mmL×100mmW×90mmHの成形体を作製した。得られた成形体は、鉄製容器ごと電気炉で窒素雰囲気中、温度700℃に予備加熱した後、予め加熱しておいた内径Φ300mm×300mmtのプレス型内に収め、シリコンを12質量%含有するアルミニウム合金の溶湯を注ぎ、100MPaの圧力で20分間加圧して、成形体にアルミニウム合金を含浸させた。次に、室温まで冷却した後、湿式バンドソーでアルミニウム合金及び鉄製容器部分を切断し、100mmL×100mmW×90mmHの黒鉛−炭化珪素−アルミニウム合金複合体を得た。得られた複合体は、含浸時の歪み除去の為、温度500℃で2時間のアニール処理を行った。
(Example 2 of substrate)
After mixing 1600 g of artificial graphite powder with a particle diameter of 0.1 mm to 2 mm and 600 g of silicon carbide powder with a median diameter of 7 μm (manufactured by Taiyo Random Co., Ltd./NC#2000) using a V-type mixer, the inner diameter is 100 mmL × 100 mmW. It filled with the iron container of * 150mmH, and it shape | molded with the pressure of the surface pressure of 100MPa, and produced the molded object of 100mmLx100mmWx90mmH. The obtained molded body was preheated to a temperature of 700 ° C. in a nitrogen atmosphere in an electric furnace together with an iron container, and then stored in a preheated press mold having an inner diameter of Φ300 mm × 300 mmt, and contains 12% by mass of silicon. The molten aluminum alloy was poured and pressurized at 100 MPa for 20 minutes to impregnate the compact with the aluminum alloy. Next, after cooling to room temperature, the aluminum alloy and the iron container portion were cut with a wet band saw to obtain a graphite-silicon carbide-aluminum alloy composite of 100 mmL × 100 mmW × 90 mmH. The obtained composite was annealed at a temperature of 500 ° C. for 2 hours in order to remove strain during impregnation.

次に、得られた複合体より、研削加工により、熱伝導率測定用試験体(25mm×25mm×1mm)、強度試験体(3mm×4mm長さ40mm)を作製し、温度25℃での熱伝導率をレーザーフラッシュ法(アルバック社製;TC3000)及び3点曲げ強度(JIS−R1601に準拠)を測定した。その結果、温度25℃での熱伝導率は、90mmH方向が220W/mK、100mmL方向が280W/mK、100mmW方向が275W/mKであった。また、3点曲げ強度は、70MPaであった。   Next, a thermal conductivity measurement test specimen (25 mm × 25 mm × 1 mm) and a strength test specimen (3 mm × 4 mm length 40 mm) are prepared from the obtained composite by grinding, and heat at a temperature of 25 ° C. The conductivity was measured by laser flash method (manufactured by ULVAC; TC3000) and three-point bending strength (based on JIS-R1601). As a result, the thermal conductivity at a temperature of 25 ° C. was 220 W / mK in the 90 mmH direction, 280 W / mK in the 100 mmL direction, and 275 W / mK in the 100 mmW direction. The three-point bending strength was 70 MPa.

得られた黒鉛−炭化珪素−アルミニウム合金複合体は、100mmW×90mmHの面に平行となるように、ダイヤモンドカッターで厚み1.2mmtの板状に切断加工し、更に、外周部分を切断加工して95mm×85mmとした後、平面研削盤で、厚み1mmtとなるように研削加工を行った。   The obtained graphite-silicon carbide-aluminum alloy composite was cut into a plate having a thickness of 1.2 mmt with a diamond cutter so as to be parallel to the surface of 100 mmW × 90 mmH, and the outer peripheral portion was further cut. After setting to 95 mm × 85 mm, grinding was performed with a surface grinder so that the thickness would be 1 mmt.

(別実施形態)
(1)金属層12および/または絶縁層13の積層面側に、接着剤を塗布して接着層を設けて構成でき、これにより接合力を強化できる。また、図3に示すように、樹脂部151と第1、第2パターン金属部152、153との両方或いはいずれか一方の積層面側に接着剤を塗布して接着層31を設けて構成でき、これにより接合力を強化できる。
(Another embodiment)
(1) It can be configured by applying an adhesive to the laminated surface side of the metal layer 12 and / or the insulating layer 13 to provide an adhesive layer, thereby enhancing the bonding strength. In addition, as shown in FIG. 3, the adhesive layer 31 can be formed by applying an adhesive to both or one of the laminated surfaces of the resin portion 151 and the first and second pattern metal portions 152 and 153. This can strengthen the bonding force.

(2)図1の発光装置1は、単数の発光素子を実装する構成であるが、複数の発光素子を実装することもできる。   (2) The light-emitting device 1 of FIG. 1 is configured to mount a single light-emitting element, but a plurality of light-emitting elements can also be mounted.

(3)図1の発光素子11は、金属製の反射部16が設けられ封止樹脂がポッティングされている構成であるが、金属製の反射部16の代わりに、予め封止樹脂で環状に構成された環状体を樹脂基材層15に接着することもでき、また、ディスペンサーで紫外線硬化樹脂等を立体的に環状に塗布して硬化させて環状体を形成することもできる。この環状体の内表面には反射層を形成することが好ましい。   (3) The light-emitting element 11 in FIG. 1 has a configuration in which a metallic reflecting portion 16 is provided and a sealing resin is potted, but instead of the metallic reflecting portion 16, an annular shape is previously formed with a sealing resin. The formed annular body can be adhered to the resin base material layer 15, and an annular body can be formed by applying and curing an ultraviolet curable resin or the like in a three-dimensional manner with a dispenser. It is preferable to form a reflective layer on the inner surface of the annular body.

(4)封止樹脂の上方に、凸面の透明樹脂レンズを備えていてもよい。透明樹脂レンズが凸面を有することで、効率良く基板から上方に光を発射させることができる場合がある。凸面を有するレンズとしては、平面視形状が円形、楕円形のものなどが挙げられる。なお、透明樹脂や透明樹脂レンズは、着色されたもの又は蛍光物質を含むものでもよい。特に、イエロー系蛍光物質を含む場合、青色発光ダイオードを用いて、白色光を発生させることができる。   (4) A convex transparent resin lens may be provided above the sealing resin. Since the transparent resin lens has a convex surface, light may be efficiently emitted upward from the substrate. Examples of the lens having a convex surface include a circular shape and an elliptical shape in plan view. The transparent resin and the transparent resin lens may be colored or contain a fluorescent material. In particular, when a yellow fluorescent material is included, white light can be generated using a blue light emitting diode.

(5)図1の発光装置1は、フェイスアップ型の発光素子を搭載する例を示したが、本発明では、一対の電極を底面に備えるフェイスダウン型の発光素子を搭載してもよい。その場合、ソルダ接合を行うこと等によって、ワイヤボンディング等を不要にできる場合がある。また、発光素子の表面と裏面とに電極を有する場合には、ワイヤボンディング等を1本にすることが可能である。   (5) Although the example in which the light-emitting device 1 in FIG. 1 is mounted with the face-up type light-emitting element is shown, in the present invention, a face-down type light-emitting element having a pair of electrodes on the bottom surface may be mounted. In that case, wire bonding or the like may be unnecessary by performing solder bonding or the like. Further, when electrodes are provided on the front and back surfaces of the light emitting element, it is possible to use one wire bonding or the like.

(6)図1の発光装置1は、配線層に相当する単層の金属層12を設けた基板14に対して発光素子11を搭載する装置の例を示したが、本発明では、配線層が2層以上の多層配線基板に対して発光素子を搭載してもよい。その場合の導電接続構造の形成方法の詳細は、国際公開公報WO00/52977号に記載されており、これらをいずれも適用することができる。   (6) The light emitting device 1 in FIG. 1 shows an example of a device in which the light emitting element 11 is mounted on the substrate 14 provided with the single metal layer 12 corresponding to the wiring layer. However, the light emitting element may be mounted on a multilayer wiring board having two or more layers. Details of the method of forming the conductive connection structure in that case are described in International Publication No. WO 00/52977, and any of these can be applied.

本発明の発光装置の一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of the light-emitting device of this invention 本発明の発光装置の一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of the light-emitting device of this invention 本発明の発光装置の一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of the light-emitting device of this invention

符号の説明Explanation of symbols

1 発光装置
11 発光素子
12 金属層
121 金属肉厚部
13 絶縁層
14 基板
15 樹脂基材層
15a 貫通孔
16 反射部
151 樹脂
152 第1パターン金属部
153 第2パターン金属部
154 反射層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting device 11 Light emitting element 12 Metal layer 121 Metal thick part 13 Insulating layer 14 Board | substrate 15 Resin base material layer 15a Through-hole 16 Reflecting part 151 Resin 152 1st pattern metal part 153 2nd pattern metal part 154 Reflective layer

Claims (7)

発光素子と、
前記発光素子が頂部に実装される金属肉厚部が設けられる第1金属層および絶縁層を介して、前記発光素子が実装される導電性材料で構成される基板と、
前記金属肉厚部の頂部に設けた前記発光素子が、その高さの略中央およびその開口中央位置に配置されるように貫通孔が形成され、かつ、前記基板および前記絶縁層上に設けられる樹脂基材層と、を備え、
前記発光素子の電極部と電気的に接続される第1パターン金属部が前記樹脂基材層の上面側に形成され、前記樹脂基材層に形成された層間接続部によって当該第1パターン金属部と電気的に接続される第2パターン金属部が当該樹脂基材層の下面側に形成され、当該第2パターン金属部が、同じ金属層からパターン形成して構成された前記第1金属層および第2金属層のうち、当該第1金属層と電気的に分離されるように前記基板上側に設けられた第2金属層と電気的に接続されるように構成された発光装置。
A light emitting element;
A substrate made of a conductive material on which the light emitting element is mounted, via a first metal layer and an insulating layer provided with a metal thick part on which the light emitting element is mounted on the top;
A through hole is formed so that the light emitting element provided at the top of the thick metal portion is disposed at the approximate center of the height and the center of the opening, and is provided on the substrate and the insulating layer. A resin base material layer,
A first pattern metal part electrically connected to the electrode part of the light emitting element is formed on the upper surface side of the resin base material layer, and the first pattern metal part is formed by an interlayer connection part formed in the resin base material layer. A second pattern metal portion that is electrically connected to the lower surface side of the resin base material layer, and the second pattern metal portion is formed by patterning from the same metal layer; and A light emitting device configured to be electrically connected to a second metal layer provided on the upper side of the substrate so as to be electrically separated from the first metal layer among the second metal layer.
前記基板が黒鉛およびアルミニウム合金の複合材料で構成された請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate is made of a composite material of graphite and an aluminum alloy. 前記基板が黒鉛、セラミックスおよびアルミニウム合金の複合材料で構成された請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate is made of a composite material of graphite, ceramics, and aluminum alloy. 前記貫通孔の表面に、光を反射する反射層が形成された請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein a reflective layer that reflects light is formed on a surface of the through hole. 前記樹脂基材層上に形成され、前記光を反射する反射部を設け、
前記貫通孔の内部を蛍光体を含む樹脂で封止し、反射部を壁として透明樹脂で封止する請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
Formed on the resin base layer, and provided with a reflective portion for reflecting the light,
The light-emitting device according to claim 1, wherein the inside of the through hole is sealed with a resin containing a phosphor, and the reflective portion is sealed with a transparent resin.
前記絶縁層の熱伝導率が、1.0W/mK以上である請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。   The light-emitting device according to claim 1, wherein the insulating layer has a thermal conductivity of 1.0 W / mK or more. 前記基板の熱伝導率が、200W/mK以上である請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate has a thermal conductivity of 200 W / mK or more.
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