JP5396224B2 - Liquid crystal display - Google Patents

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Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に、横電界方式と称される液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device called a lateral electric field method.

横電界方式と称される液晶表示装置は、液晶を挟持する一対の基板の面と平行な面内において、液晶の分子を回転駆動させるようにし、いわゆる広視野角特性に優れたものとして構成することができる。   A liquid crystal display device referred to as a horizontal electric field method is configured to rotate liquid crystal molecules in a plane parallel to the planes of a pair of substrates that sandwich the liquid crystal, and has excellent so-called wide viewing angle characteristics. be able to.

図5は、このような液晶表示装置の一例を示す画素の断面図である。液晶LCを挟持して対向配置される第1基板SUB1、第2基板SUB2のうち、第1基板SUB1の液晶LC側の面に、絶縁膜INを介して配置される画素電極PXと対向電極CTとが配置されている。対向電極CTは、絶縁膜INのたとえば下層に面状のパターンとして形成され、画素電極PXは、絶縁膜INの上層に並設された複数の線状のパターンとして形成されている。なお、画素電極PXの上層には、液晶LCの分子の初期配向方向を決定させる第1配向膜ORI1が形成されている。画素電極PXと対向電極CTとの間には、電界が発生し、この電界によって液晶LCの分子を駆動させるようになっている。   FIG. 5 is a cross-sectional view of a pixel showing an example of such a liquid crystal display device. Of the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 that are disposed to face each other with the liquid crystal LC interposed therebetween, the pixel electrode PX and the counter electrode CT that are disposed on the liquid crystal LC side surface of the first substrate SUB1 via the insulating film IN. And are arranged. The counter electrode CT is formed as a planar pattern, for example, in the lower layer of the insulating film IN, and the pixel electrode PX is formed as a plurality of linear patterns arranged in parallel on the upper layer of the insulating film IN. Note that a first alignment film ORI1 that determines the initial alignment direction of the molecules of the liquid crystal LC is formed on the pixel electrode PX. An electric field is generated between the pixel electrode PX and the counter electrode CT, and the molecules of the liquid crystal LC are driven by this electric field.

なお、図5は、本発明の実施例を示す図1に対応して描いた図となっている。このため、図5の上述した構成以外の他の構成については図1における説明を参照されたい。   FIG. 5 is a diagram drawn corresponding to FIG. 1 showing an embodiment of the present invention. For this reason, refer to the description in FIG. 1 for the configuration other than the configuration described above in FIG.

本願発明に関連する文献としては、たとえば下記特許文献1に示した液晶表示装置が知られている。前記特許文献1には、図5に示した構成において、隣接する画素電極PXの間の絶縁膜INをその下層の対向電極CTが露出するまで除去された構成が開示されている。   As a document related to the present invention, for example, a liquid crystal display device shown in Patent Document 1 below is known. Patent Document 1 discloses a configuration in which the insulating film IN between adjacent pixel electrodes PX is removed in the configuration shown in FIG. 5 until the underlying counter electrode CT is exposed.

特開2007−183299号公報JP 2007-183299 A

しかし、図5に示した液晶表示装置において、第1配向膜ORI1の近傍に前記第1配向膜ORI1の容量および抵抗によって、図6に示す等価回路が形成される。図6において、等価回路は、たとえば画素電極PXから対向電極CTに至る電界の電気力線(図5において矢印EFで示す)に沿って、画素電極PXと第1配向膜ORI1との界面抵抗R1、第1配向膜ORI1の容量C4と抵抗R4との並列接続体、第1配向膜ORI1の抵抗R2および液晶LCの容量C2の並列接続体、第1配向膜ORI1の容量C4と抵抗R4との並列接続体、および絶縁膜INの容量C3が直列接続された回路として把握される。   However, in the liquid crystal display device shown in FIG. 5, the equivalent circuit shown in FIG. 6 is formed in the vicinity of the first alignment film ORI1 by the capacitance and resistance of the first alignment film ORI1. In FIG. 6, the equivalent circuit shows, for example, the interface resistance R1 between the pixel electrode PX and the first alignment film ORI1 along the electric field lines (indicated by an arrow EF in FIG. 5) of the electric field from the pixel electrode PX to the counter electrode CT. The parallel connection body of the capacitor C4 of the first alignment film ORI1 and the resistor R4, the parallel connection body of the resistor R2 of the first alignment film ORI1 and the capacitor C2 of the liquid crystal LC, and the capacitance C4 and the resistor R4 of the first alignment film ORI1 The parallel connection body and the capacitor C3 of the insulating film IN are grasped as a circuit connected in series.

このため、第1配向膜ORI1内にDC電流Iが流れ、このDC電流Iによって絶縁膜INに電荷が蓄積(残留DC)されるようになる。そして、絶縁膜INに、このような残留DCが蓄積されると、いわゆる焼き付け、あるいはフリッカが生じる原因となる。   For this reason, a DC current I flows in the first alignment film ORI1, and charges are accumulated (residual DC) in the insulating film IN by the DC current I. When such residual DC is accumulated in the insulating film IN, so-called burning or flicker occurs.

この場合、第1配向膜ORI1の抵抗を大きくすることによって、前記DC電流の発生を抑制することができる。しかし、絶縁膜INにDC電流が発生してしまった場合に、残留DCが抜け難くなり、焼き付けが消え難くなるという不都合が生じる。   In this case, the generation of the DC current can be suppressed by increasing the resistance of the first alignment film ORI1. However, in the case where a DC current is generated in the insulating film IN, there arises a disadvantage that the residual DC is difficult to be removed and the burn-in is difficult to disappear.

また、上述した特許文献1に示した構成を採用することによって、上述した焼き付けを減少させることができるが、対向電極CTの表面と画素電極PXの表面との段差による凹凸が大きくなり、液晶LC側の面の平坦化が損なわれることになる。ことのことは、対向電極CTおよび画素電極PXを被って形成する第1配向膜ORI1の表面に前記凹凸が反映され、信頼性あるラビング処理ができず、配向不良が生じてしまうことになる。   Further, by adopting the configuration shown in Patent Document 1 described above, the above-described burn-in can be reduced, but unevenness due to a step between the surface of the counter electrode CT and the surface of the pixel electrode PX becomes large, and the liquid crystal LC The flattening of the side surface will be impaired. This means that the unevenness is reflected on the surface of the first alignment film ORI1 formed over the counter electrode CT and the pixel electrode PX, and a reliable rubbing process cannot be performed, resulting in an alignment failure.

本発明の目的は、液晶側の面の平坦化を損なうことなく、焼き付きの大幅な減少を図った液晶表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which image sticking is greatly reduced without impairing the flatness of the surface on the liquid crystal side.

本発明の液晶表示装置は、上述した第1配向膜ORI1を、たとえば2層構造で形成し、前記画素電極PX側の層の抵抗を液晶LC側の層の抵抗よりも大きくするようにしたものである。   In the liquid crystal display device of the present invention, the first alignment film ORI1 described above is formed in, for example, a two-layer structure, and the resistance of the layer on the pixel electrode PX side is made larger than the resistance of the layer on the liquid crystal LC side. It is.

本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。   The configuration of the present invention can be as follows, for example.

(1)本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板とを備え、
前記第1基板の前記液晶側の面の画素領域において、前記第1基板側に形成する第1電極を設けるとともに、この第1電極の前記液晶側の面に絶縁膜を介して形成される複数の線状パターンを有する第2電極を設け、
前記第1電極および前記第2電極のうちの何れか一方を画素電極とするとともに、何れか他方を対向電極として構成し、
前記第2電極をも被って前記液晶と接触して形成される第1配向膜を設けてなる液晶表示装置であって、
前記第1配向膜に、
前記第2電極側に設けられる層であって、前記第2電極の前記液晶側の面全体、および、前記複数の第2電極間における前記絶縁膜の前記液晶側の面全体を被って形成する第1の層と、
前記液晶側に設けられる層であって、前記第1の層の前記液晶側の面全体に重畳するとともに、前記液晶側において、この液晶と接触して形成する第2の層と、
を設け、
前記第1の層の抵抗を、前記第2の層の抵抗よりも大きくすることを特徴とする。
(1) A liquid crystal display device of the present invention includes a first substrate and a second substrate that are disposed to face each other with a liquid crystal interposed therebetween.
Oite in a pixel region of the liquid crystal-side surface of the first substrate, wherein together with first providing the first electrode to form on the substrate side, on the surface of the liquid crystal side of the first electrode is formed via an insulating film Providing a second electrode having a plurality of linear patterns ,
With the one pixel electrode of the first electrode and the second electrode, the other one is configured as a counter electrode,
A liquid crystal display device comprising a first alignment film that is formed in contact with the liquid crystal covering the second electrode,
In the first alignment film ,
It is a layer provided on the second electrode side, covering the entire surface on the liquid crystal side of the second electrode and the entire surface on the liquid crystal side of the insulating film between the plurality of second electrodes. A first layer;
A second layer that is provided on the liquid crystal side and overlaps the entire surface of the first layer on the liquid crystal side, and is formed in contact with the liquid crystal on the liquid crystal side;
Provided,
The resistance of the first layer, characterized by greater than the resistance of the second layer.

(2)本発明の液晶表示装置は、(1)において、前記第1配向膜は、前記第1の層の抵抗を、1015〜1016(Ω・cm)のオーダーとし、前記第2の層の抵抗を、1013〜1014(Ω・cm)のオーダーとしたものであることを特徴とする。 (2) The liquid crystal display device of (1), the first alignment film, the resistance of the first layer, and the order of from 1,015 to 1,016 (Omega · cm), the second layer the resistor, characterized in that is obtained by the order of 1013~1014 (Ω · cm).

(3)本発明の液晶表示装置は、(2)において、前記第2基板の前記液晶側の面に前記液晶と接触して形成される第2配向膜を備え、この第2配向膜の抵抗は1013〜1014(Ω・cm)のオーダーで形成されていることを特徴とする。 (3) The liquid crystal display device of the present invention, Oite in (2), a second alignment film formed in contact with the liquid crystal to a surface of the liquid crystal side of the second substrate, the second alignment film Is characterized by being formed on the order of 1013 to 1014 (Ω · cm).

(4)本発明の液晶表示装置は、(1)において、前記第1電極は、対向電極として構成され、隣接する画素の第1電極と電気的に接続されて構成され、前記第2電極は、画素電極として構成され、隣接する画素の第2電極とは電気的に分離されて構成されていることを特徴とする。 (4) In the liquid crystal display device of the present invention, in (1), the first electrode is configured as a counter electrode, and is configured to be electrically connected to a first electrode of an adjacent pixel, and the second electrode is The pixel electrode is configured to be electrically separated from the second electrode of the adjacent pixel.

(5)本発明の液晶表示装置は、(1)において、前記第1電極は、画素電極として構成され、隣接する画素の第1電極と電気的に分離されて構成され、前記第2電極は、対向電極として構成され、隣接する画素の第2電極とは電気的に接続されて構成されていることを特徴とする。 (5) In the liquid crystal display device of the present invention, in (1), the first electrode is configured as a pixel electrode, and is configured to be electrically separated from the first electrode of an adjacent pixel, and the second electrode is It is configured as a counter electrode, and is configured to be electrically connected to a second electrode of an adjacent pixel.

(6)本発明の液晶表示装置は、(1)において、前記第1電極および前記第2電極は、それぞれ、透光性導電膜で構成されていることを特徴とする。 (6) The liquid crystal display device of the present invention is characterized in that, in (1), each of the first electrode and the second electrode is formed of a light-transmitting conductive film.

なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。   The above-described configuration is merely an example, and the present invention can be modified as appropriate without departing from the technical idea. Further, examples of the configuration of the present invention other than the above-described configuration will be clarified from the entire description of the present specification or the drawings.

上述のように構成した液晶表示装置は、液晶側の面の平坦化を損なうことなく、焼き付きの大幅な減少を図ることができるようになる。   The liquid crystal display device configured as described above can significantly reduce image sticking without impairing the flatness of the liquid crystal side surface.

本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。   Other effects of the present invention will become apparent from the description of the entire specification.

本発明の液晶表示装置の実施例1を示す構成図で、図3のI−I線における断面図である。FIG. 3 is a configuration diagram illustrating a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 本発明の液晶表示装置の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の画素の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の効果を説明するための等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram for demonstrating the effect of the liquid crystal display device of this invention. 従来の液晶表示装置の例を示す構成図で、図1と対応づけて示した断面図である。It is a block diagram which shows the example of the conventional liquid crystal display device, and is sectional drawing shown corresponding to FIG. 従来の液晶表示装置の不都合を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows the inconvenience of the conventional liquid crystal display device.

本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing and each example, the same or similar components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

〈全体の構成〉
図2は、本発明の液晶表示装置の実施例1の概略を示す平面図である。図2において、液晶(図示せず)を挟持して対向配置される第1基板SUB1、第2基板SUB2がある。第2基板SUB2は観察者側に配置されるようになっている。第1基板SUB1の背面にはバックライト(図示しない)が配置されるようになっている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1よりも若干小さな面積となっており、第1基板SUB1の図中下側の辺部SDを露出させるようになっている。第1基板SUB1の図中下側の辺部SDには半導体装置(チップ)SECが搭載されている。この半導体装置SECは後述の表示領域ARにおける各画素を駆動する制御回路となっている。第2基板SUB2の周辺には、第1基板SUB1との固着を図るシール材SLが形成され、このシール材SLは液晶を封止させる機能をも有している。
<Overall configuration>
FIG. 2 is a plan view schematically showing Example 1 of the liquid crystal display device of the present invention. In FIG. 2, there are a first substrate SUB1 and a second substrate SUB2 that are arranged to face each other with a liquid crystal (not shown) interposed therebetween. The second substrate SUB2 is arranged on the viewer side. A backlight (not shown) is arranged on the back surface of the first substrate SUB1. The second substrate SUB2 has a slightly smaller area than the first substrate SUB1, and the lower side SD of the first substrate SUB1 in the figure is exposed. A semiconductor device (chip) SEC is mounted on the lower side SD of the first substrate SUB1 in the drawing. The semiconductor device SEC is a control circuit that drives each pixel in a display area AR described later. A sealing material SL for fixing the first substrate SUB1 is formed around the second substrate SUB2, and the sealing material SL also has a function of sealing liquid crystal.

シール材SLで囲まれた領域は表示領域ARとなっている。第1基板SUB1の前記表示領域ARにおける液晶側の面には、図中x方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線GL、および図中y方向に延在しx方向に並設されるドレイン信号線DLが形成されている。隣接する一対のゲート信号線GLと隣接する一対のドレイン信号線DLとで囲まれる領域は画素領域を構成するようになっている。これにより、表示領域ARにはマトリックス状に配置された多数の画素を有するようになっている。   A region surrounded by the sealing material SL is a display region AR. On the liquid crystal side surface of the display area AR of the first substrate SUB1, gate signal lines GL extending in the x direction in the drawing and juxtaposed in the y direction, and extending in the y direction in the drawing and aligned in the x direction. A drain signal line DL is provided. A region surrounded by a pair of adjacent gate signal lines GL and a pair of adjacent drain signal lines DL constitutes a pixel region. As a result, the display area AR has a large number of pixels arranged in a matrix.

各画素領域には、図中の点線楕円枠内の等価回路図である図Aに示すように、ゲート信号線GLからの信号(走査信号)によってオンされる薄膜トランジスタTFTと、この薄膜トランジスタTFTを通してドレイン信号線DLからの信号(映像信号)が供給される画素電極PXと、この画素電極PXとの間に電界を生じさせる対向電極CTとが形成されている。前記電界は第1基板SUB1の面に平行な成分を有し、液晶の分子は第1基板SUB1の面に水平な状態のままで配向状態が変化するようになっている。この種の液晶表示装置はたとえば横電界方式と称される。なお、対向電極CTはたとえばゲート信号線GLに平行して走行するコモン信号線CLを介して映像信号に対して基準となる基準信号が供給されるようになっている。   In each pixel region, as shown in FIG. A which is an equivalent circuit diagram within a dotted elliptic frame in the figure, a thin film transistor TFT which is turned on by a signal (scanning signal) from the gate signal line GL, and a drain through this thin film transistor TFT A pixel electrode PX to which a signal (video signal) from the signal line DL is supplied and a counter electrode CT for generating an electric field between the pixel electrode PX are formed. The electric field has a component parallel to the surface of the first substrate SUB1, and the alignment state of the molecules of the liquid crystal changes while remaining horizontal to the surface of the first substrate SUB1. This type of liquid crystal display device is called, for example, a horizontal electric field method. The counter electrode CT is supplied with a reference signal serving as a reference for the video signal, for example, via a common signal line CL that runs parallel to the gate signal line GL.

なお、ゲート信号線GL、ドレイン信号線DL、およびコモン信号線CLは、それぞれ図示しない引き出し線によって前記半導体装置SECに接続され、ゲート信号線GLには走査信号、ドレイン信号線DLには映像信号、コモン信号線CLには基準信号が供給されるようになっている。 Note that the gate signal line GL, the drain signal line DL, and the common signal line CL are connected to the semiconductor device SEC by unillustrated lead lines, respectively. The gate signal line GL has a scanning signal, and the drain signal line DL has a video signal. The reference signal is supplied to the common signal line CL.

〈画素の構成〉
図3は、図2の図Aに示す画素の構成を示し、第1基板SUB1の液晶側に形成された画素の平面図である。また、図1は、図3のI−I線における断面図で、第2基板SUB2とともに描画している。
<Pixel configuration>
FIG. 3 is a plan view of the pixel formed on the liquid crystal side of the first substrate SUB1, showing the configuration of the pixel shown in FIG. 2A. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line II in FIG. 3 and is drawn together with the second substrate SUB2.

図3において、第1基板SUB1(図1参照)の液晶側の面(表面)に、図中x方向に延在しy方向に並設されるゲート信号線GLが形成されている。これらゲート信号線GLは後述のドレイン信号線DLとともに画素の領域を画するようになっている。ゲート信号線GLには、画素領域側に突出する突出部PJが形成され、この突出部PJは後述の薄膜トランジスタTFTのゲート電極GTを構成するようになっている。   In FIG. 3, a gate signal line GL extending in the x direction and arranged in parallel in the y direction is formed on the liquid crystal side surface (front surface) of the first substrate SUB1 (see FIG. 1). These gate signal lines GL define pixel regions together with drain signal lines DL described later. The gate signal line GL is formed with a protruding portion PJ protruding to the pixel region side, and this protruding portion PJ constitutes a gate electrode GT of a thin film transistor TFT described later.

第1基板SUB1の表面には、ゲート信号線GL(ゲート電極GT)をも被って、絶縁膜GI(図1参照)が形成されている。この絶縁膜GIは、薄膜トランジスタTFTの形成領域において前記薄膜トランジスタTFTのゲート絶縁膜として機能し、ゲート信号線GLとドレイン信号線DLとの交差部においてこれら信号線の層間絶縁膜として機能するようになっている。   An insulating film GI (see FIG. 1) is formed on the surface of the first substrate SUB1 so as to cover the gate signal line GL (gate electrode GT). This insulating film GI functions as a gate insulating film of the thin film transistor TFT in the formation region of the thin film transistor TFT, and functions as an interlayer insulating film of these signal lines at the intersection of the gate signal line GL and the drain signal line DL. ing.

絶縁膜GIの上面であって少なくともゲート電極GTと重なる個所に、たとえばアモルファスシリコンからなる島状の半導体層ASが形成されている。この半導体層ASは薄膜トランジスタTFTの半導体層となるものである。この半導体層ASの上面にドレイン電極DT、ソース電極STが対向配置されて形成されることにより、いわゆるボトムゲート構造のMIS(Metal Insulator Semiconductor)型の薄膜トランジスタTFTが構成されるようになる。   An island-shaped semiconductor layer AS made of, for example, amorphous silicon is formed on the upper surface of the insulating film GI at least at a position overlapping with the gate electrode GT. The semiconductor layer AS is a semiconductor layer of the thin film transistor TFT. By forming the drain electrode DT and the source electrode ST so as to face each other on the upper surface of the semiconductor layer AS, a so-called bottom gate structure MIS (Metal Insulator Semiconductor) type thin film transistor TFT is formed.

ここで、ドレイン電極DT、ソース電極STは、たとえばドレイン信号線DLの形成と同時に形成されるようになっている。ドレイン信号線DLは図中y方向に延在されx方向に並設して形成され、ドレイン電極DTは、前記ドレイン信号線DLの一部が半導体層AS上に延在することによって形成されている。ソース電極STは、半導体層ASの形成領域の外側にまで延在され、前記半導体層ASに隣接して配置されるパッド部PDと一体に形成されている。このパッド部PDは面積が比較的大きく形成され、後述の画素電極PXとのコンタクト部として機能するようになっている。   Here, the drain electrode DT and the source electrode ST are formed simultaneously with the formation of the drain signal line DL, for example. The drain signal line DL extends in the y direction in the drawing and is formed side by side in the x direction, and the drain electrode DT is formed by extending a part of the drain signal line DL on the semiconductor layer AS. Yes. The source electrode ST extends to the outside of the region where the semiconductor layer AS is formed, and is formed integrally with a pad portion PD disposed adjacent to the semiconductor layer AS. The pad portion PD has a relatively large area, and functions as a contact portion with a pixel electrode PX described later.

第1基板SUB1の表面には、ドレイン信号線DL、薄膜トランジスタTFT、パッド部PDをも被って保護膜PASが形成されている。この保護膜PASは、薄膜トランジスタTFTの液晶との直接の接触を回避させ、薄膜トランジスタTFTの特性の安定化を図っている。保護膜PASは、たとえば、無機絶縁膜からなる第1保護膜PAS1と有機絶縁膜からなる第2保護膜PAS2の順次積層体によって形成されている。保護膜PASの上層に塗布によって形成できる有機絶縁膜を用いることにより、表面の平坦化を図ることができる。   A protective film PAS is formed on the surface of the first substrate SUB1 so as to cover the drain signal line DL, the thin film transistor TFT, and the pad portion PD. This protective film PAS avoids direct contact with the liquid crystal of the thin film transistor TFT, and stabilizes the characteristics of the thin film transistor TFT. The protective film PAS is formed, for example, by sequentially stacking a first protective film PAS1 made of an inorganic insulating film and a second protective film PAS2 made of an organic insulating film. By using an organic insulating film that can be formed by coating on the upper layer of the protective film PAS, the surface can be planarized.

保護膜PASの上面には、たとえばITO(Indium Tin Oxide)の透光性導電膜からなる対向電極CTが形成されている。この対向電極CTは、表示領域ARの全域にわたって形成され、各画素において共通の信号(基準信号)が供給される電極として形成されている。ただし、対向電極CTは、前記パッド部PDが形成されている領域に重なるようにして開口OPが形成されている。パッド部PDは、上述したように画素電極PXとのコンタクト部となることから、この部分において画素電極PXと対向電極CTとの短絡が生じてしまうのを前記開口OPによって回避させるようになっている。このように形成される対向電極CTは各画素において面状のパターンで形成されることになる。   On the upper surface of the protective film PAS, for example, a counter electrode CT made of a light-transmitting conductive film made of ITO (Indium Tin Oxide) is formed. The counter electrode CT is formed over the entire display area AR, and is formed as an electrode to which a common signal (reference signal) is supplied to each pixel. However, the counter electrode CT has an opening OP so as to overlap the region where the pad portion PD is formed. Since the pad portion PD serves as a contact portion with the pixel electrode PX as described above, a short circuit between the pixel electrode PX and the counter electrode CT in this portion is prevented by the opening OP. Yes. The counter electrode CT formed in this way is formed in a planar pattern in each pixel.

第1基板SUB1の表面には、対向電極CTをも被って絶縁膜INが形成されている。この絶縁膜INは対向電極CTと後述する画素電極PXとの層間絶縁膜として機能するようになっている。   An insulating film IN is formed on the surface of the first substrate SUB1 so as to cover the counter electrode CT. This insulating film IN functions as an interlayer insulating film between the counter electrode CT and a pixel electrode PX described later.

画素領域における前記絶縁膜IN上には、たとえばITO(Indium Tin Oxide)の透光性導電膜からなる画素電極PXが形成されている。画素電極PXは、たとえば図中y方向に延在されx方向に並設(たとえば4個)された線状パターンの電極によって形成されている。画素電極PXの各電極は、それぞれの両端において互いに接続されたパターンとして形成されている。そして、画素電極PXの薄膜トラジスタTFT側の端部は前記パッド部PDの形成個所を被って形成され、絶縁膜IN、保護膜PASに形成されたスルーホールTHを通して、前記パッド部PDに接続されるようになっている。これにより、画素電極PXは、薄膜トランジスタTFTのソース電極STと電気的に接続されるようになる。なお、スルーホールTHは、対向電極CTの開口OP内において形成され、スルーホールTHの側壁に対向電極CTが露出されないようになっている。   On the insulating film IN in the pixel region, a pixel electrode PX made of, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) translucent conductive film is formed. The pixel electrode PX is formed by, for example, a linear pattern of electrodes extending in the y direction in the figure and arranged in parallel (for example, four) in the x direction. Each electrode of the pixel electrode PX is formed as a pattern connected to each other at both ends. The end of the pixel electrode PX on the thin film transistor TFT side is formed so as to cover the formation part of the pad part PD, and is connected to the pad part PD through the through hole TH formed in the insulating film IN and the protective film PAS. It has become so. As a result, the pixel electrode PX is electrically connected to the source electrode ST of the thin film transistor TFT. The through hole TH is formed in the opening OP of the counter electrode CT so that the counter electrode CT is not exposed on the side wall of the through hole TH.

第1基板SUB1の表面には、画素電極PXをも被って第1配向膜ORI1が形成されている。ここで、第1配向膜ORI1は、この実施例1の場合、たとえば液晶層側に配置した上層配向膜URIと第1基板側(又は画素電極PX側)に配置した下層配向膜DRIとの2層構造として形成されている。そして、第1配向膜ORI1において、液晶LC側の上層配向膜(図中符号URIで示す)に対して、画素電極PX側の下層配向膜(図中符号DRIで示す)は抵抗が高い材料で形成されている。たとえば、上層配向膜URIの抵抗が1013〜1014(Ω・cm)のオーダーに対し、下層配向膜DRIの抵抗が1015〜1016(Ω・cm)のオーダーで高抵抗となっている。   A first alignment film ORI1 is formed on the surface of the first substrate SUB1 so as to cover the pixel electrode PX. Here, in the first embodiment, the first alignment film ORI1 is, for example, 2 of the upper alignment film URI disposed on the liquid crystal layer side and the lower alignment film DRI disposed on the first substrate side (or the pixel electrode PX side). It is formed as a layer structure. In the first alignment film ORI1, the lower alignment film (indicated by symbol DRI in the drawing) on the pixel electrode PX side is a material having a higher resistance than the upper alignment film (indicated by symbol URI in the drawing) on the liquid crystal LC side. Is formed. For example, the resistance of the upper alignment film URI is on the order of 1013 to 1014 (Ω · cm), whereas the resistance of the lower alignment film DRI is high on the order of 1015 to 1016 (Ω · cm).

第1配向膜ORI1は、たとえば、抵抗の高い樹脂膜を塗布によって下層配向膜DRIを形成した後に、抵抗の低い樹脂膜を塗布によって上層配向膜URIを形成し、その後、上層配向膜URIの表面をラビング処理することによって形成する。この場合、抵抗の高い樹脂膜は、たとえば、可溶性のポリイミドを塗布することで形成でき、また抵抗の低い樹脂膜は、例えばポリアミック酸を成分とする樹脂を塗布した後焼成することによって形成することができる。   The first alignment film ORI1 is formed by, for example, forming a lower alignment film DRI by applying a high-resistance resin film, and then forming an upper alignment film URI by applying a low-resistance resin film, and then the surface of the upper alignment film URI Is formed by rubbing. In this case, the resin film having a high resistance can be formed by, for example, applying a soluble polyimide, and the resin film having a low resistance is formed by, for example, applying a resin containing polyamic acid and then baking the resin. Can do.

なお、このように構成した第1基板SUB1は、液晶LCを介して第2基板SUB2が対向配置され、この第2基板SUB2の液晶LC側の面には該液晶LCと接触するようにして第2配向膜ORI2が形成されている。この第2配向膜ORI2の抵抗は、たとえば1013〜1014(Ω・cm)のオーダーとなっており、前記第1配向膜ORI1の上層配向膜URIの抵抗とほぼ同じとなっている。図1に示す第2基板SUB2の液晶LC側の面には、通常、ブラックマトリックス、カラーフィタル等が形成されるが、これらの描画は省略している。   Note that the first substrate SUB1 configured in this manner is arranged so that the second substrate SUB2 is opposed to the liquid crystal LC via the liquid crystal LC, and the surface of the second substrate SUB2 on the liquid crystal LC side is in contact with the liquid crystal LC. A two-alignment film ORI2 is formed. The resistance of the second alignment film ORI2 is, for example, on the order of 1013 to 1014 (Ω · cm), and is substantially the same as the resistance of the upper alignment film URI of the first alignment film ORI1. A black matrix, a color physical, and the like are usually formed on the surface of the second substrate SUB2 shown in FIG. 1 on the liquid crystal LC side, but these drawings are omitted.

このように構成した液晶表示装置において、たとえば画素電極PXから対向電極CTに至る電界の電気力線EFに沿った第1配向膜ORI1の等価回路を図4に示す。なお、図4には、下層配向膜DRIおよび上層配向膜URIからなる第1配向膜ORI1を点線で示している。図4に示すように、等価回路は、画素電極PXと下層配向膜DRIとの界面抵抗R1、下層配向膜DRIの容量C1、上層配向膜URIの抵抗R2および液晶の容量C2の並列接続体、下層配向膜DRIの容量C1、および絶縁膜INの容量C3が直列接続された回路として把握できる。この場合、下層配向膜DRIは、上述したように抵抗が高く形成されていることから、この部分において図6に示した抵抗がないものと想定でき、図6に示したDC電流の流れを発生させることなく構成できる。このため、絶縁膜INに残留DCが蓄積されることがなく、いわゆる焼き付け、あるいはフリッカの発生を抑制させることができる。また、仮に、絶縁膜INにDC電流が発生してしまうようなことがあっても、絶縁膜INに発生する残留DCは抵抗の低い上層配向膜URIを通して抜けるようになり、焼き付けが消え易くなる(回復する)ようにできる。   FIG. 4 shows an equivalent circuit of the first alignment film ORI1 along the electric field line EF of the electric field from the pixel electrode PX to the counter electrode CT, for example, in the liquid crystal display device configured as described above. In FIG. 4, the first alignment film ORI1 including the lower alignment film DRI and the upper alignment film URI is indicated by a dotted line. As shown in FIG. 4, the equivalent circuit includes an interface resistance R1 between the pixel electrode PX and the lower alignment film DRI, a capacitance C1 of the lower alignment film DRI, a resistance R2 of the upper alignment film URI, and a parallel connection of the capacitance C2 of the liquid crystal. It can be grasped as a circuit in which the capacitor C1 of the lower alignment film DRI and the capacitor C3 of the insulating film IN are connected in series. In this case, since the lower alignment film DRI has a high resistance as described above, it can be assumed that there is no resistance shown in FIG. 6 in this portion, and the flow of the DC current shown in FIG. 6 is generated. It can be configured without making it. For this reason, residual DC is not accumulated in the insulating film IN, and so-called burning or flicker generation can be suppressed. Further, even if a DC current is generated in the insulating film IN, the residual DC generated in the insulating film IN can pass through the upper alignment film URI having a low resistance, and the baking is likely to disappear. (Recover).

上述した実施例1では、第1配向膜ORI1は、2層構造となっており、下層配向膜DRIは高抵抗層に、上層配向膜URIは低抵抗層に形成するようにしたものである。しかし、第1配向膜ORI1は必ずしも2層構造に限定されることはなく、2層よりも多層に形成するようにしてもよい。この場合、液晶LC側の層よりも画素電極PX側の層において抵抗の大きな層を存在させることによって実施例1に示したと同様の効果を奏することができる。   In the first embodiment described above, the first alignment film ORI1 has a two-layer structure, and the lower alignment film DRI is formed in the high resistance layer and the upper alignment film URI is formed in the low resistance layer. However, the first alignment film ORI1 is not necessarily limited to the two-layer structure, and may be formed in a multilayer rather than two layers. In this case, an effect similar to that shown in the first embodiment can be obtained by making a layer having higher resistance in the layer on the pixel electrode PX side than the layer on the liquid crystal LC side.

また、このように第1配向膜ORI1を多層構造で構成した場合、それぞれの層の界面において抵抗は段差的な変化をともなうものとなる。しかし、第1配向膜ORI1は画素電極PX側の抵抗が液晶LC側の抵抗よりも滑らかに大きくなっている場合でも実施例1に示したと同様の効果を奏することができる。このことから、第1配向膜ORI1は、その膜厚方向に滑らかな抵抗分布を形成できるならば、必ずしも多層で構成しなくてもよい。   In addition, when the first alignment film ORI1 is configured in a multilayer structure in this way, the resistance is accompanied by a step change at the interface of each layer. However, even when the resistance on the pixel electrode PX side is smoothly larger than the resistance on the liquid crystal LC side, the first alignment film ORI1 can achieve the same effect as shown in the first embodiment. For this reason, the first alignment film ORI1 does not necessarily have to be composed of multiple layers as long as a smooth resistance distribution can be formed in the film thickness direction.

上述した実施例1では、液晶表示装置の画素において、面状のパターンからなる対向電極CTの上面に絶縁膜INを介して複数の線状のパターンからなる画素電極PXを具備した構成としたものである。しかし、これに限らず、上述の面状のパターンとして構成した電極を画素電極PXとし、上述の複数の線状のパターンとして構成した電極を対向電極CTとして構成するようにしてもよい。面状のパターンの電極と複数の線状のパターンの電極のうち、いずれを画素電極PXとしても画素電極PXと対向電極CTの間に発生する電界の分布に変化がないからである。この場合、画素電極PXは、画素ごとに独立した映像信号が供給されることから、隣接する画素の画素電極PXとは電気的に分離させて構成し、対向電極CTは、各画素に共通の基準信号が供給されることから、隣接する画素の対向電極CTと電気的に接続させて構成するようにする。また、画素電極PXと対向電極CTの両方を線状の電極としてもよい。   In the first embodiment described above, the pixel of the liquid crystal display device has a configuration in which the pixel electrode PX having a plurality of linear patterns is provided on the upper surface of the counter electrode CT having a planar pattern via the insulating film IN. It is. However, the present invention is not limited thereto, and the electrode configured as the above-described planar pattern may be configured as the pixel electrode PX, and the electrode configured as the above-described plurality of linear patterns may be configured as the counter electrode CT. This is because there is no change in the distribution of the electric field generated between the pixel electrode PX and the counter electrode CT regardless of which of the planar pattern electrode and the plurality of linear pattern electrodes is the pixel electrode PX. In this case, since an independent video signal is supplied to each pixel, the pixel electrode PX is configured to be electrically separated from the pixel electrode PX of an adjacent pixel, and the counter electrode CT is common to each pixel. Since the reference signal is supplied, it is configured to be electrically connected to the counter electrode CT of the adjacent pixel. Further, both the pixel electrode PX and the counter electrode CT may be linear electrodes.

以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。   The present invention has been described using the embodiments. However, the configurations described in the embodiments so far are only examples, and the present invention can be appropriately changed without departing from the technical idea. Further, the configurations described in the respective embodiments may be used in combination as long as they do not contradict each other.

SUB1……第1基板、SUB2……第2基板、SL……シール材、AR……表示領域、SEC……半導体装置(チップ)、GL……ゲート信号線、DL……ドレイン信号線、CL……コモン信号線、TFT……薄膜トランジスタ、PX……画素電極、CT……対向電極、GI……絶縁膜、PAS……保護膜、PAS1……無機絶縁膜、PAS2……有機絶縁膜、IN……絶縁膜、ORI1……第1配向膜、URI……上層配向膜、DRI……下層配向膜、LC……液晶、ORI2……第2配向膜、EF……電気力線。 SUB1 ... first substrate, SUB2 ... second substrate, SL ... seal material, AR ... display region, SEC ... semiconductor device (chip), GL ... gate signal line, DL ... drain signal line, CL ...... Common signal line, TFT ... Thin film transistor, PX ... Pixel electrode, CT ... Counter electrode, GI ... Insulating film, PAS ... Protective film, PAS1 ... Inorganic insulating film, PAS2 ... Organic insulating film, IN ...... Insulating film, ORI1 ... first alignment film, URI ... upper alignment film, DRI ... lower alignment film, LC ... liquid crystal, ORI2 ... second alignment film, EF ... electric field lines.

Claims (7)

液晶を挟持して対向配置される第1基板と第2基板とを備え、
前記第1基板の前記液晶側の面の画素領域において、前記第1基板側に形成する第1電極を設けるとともに、この第1電極の前記液晶側の面に絶縁膜を介して形成される複数の線状パターンを有する第2電極を設け、
前記第1電極および前記第2電極のうちの何れか一方を画素電極とするとともに、何れか他方を対向電極として構成し、
前記第2電極をも被って前記液晶と接触して形成される第1配向膜を設けてなる液晶表示装置であって、
前記第1配向膜に、
前記第2電極側に設けられる層であって、前記第2電極の前記液晶側の面全体、および、前記複数の第2電極間における前記絶縁膜の前記液晶側の面全体を被って形成する第1の層と、
前記液晶側に設けられる層であって、前記第1の層の前記液晶側の面全体に重畳するとともに、前記液晶側において、この液晶と接触して形成する第2の層と、
を設け、
前記第1の層の抵抗を、前記第2の層の抵抗よりも大きくすることを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate and a second substrate disposed to face each other with a liquid crystal sandwiched therebetween,
Oite in a pixel region of the liquid crystal-side surface of the first substrate, wherein together with first providing the first electrode to form on the substrate side, on the surface of the liquid crystal side of the first electrode is formed via an insulating film Providing a second electrode having a plurality of linear patterns ,
With the one pixel electrode of the first electrode and the second electrode, the other one is configured as a counter electrode,
A liquid crystal display device comprising a first alignment film that is formed in contact with the liquid crystal covering the second electrode,
In the first alignment film ,
It is a layer provided on the second electrode side, covering the entire surface on the liquid crystal side of the second electrode and the entire surface on the liquid crystal side of the insulating film between the plurality of second electrodes. A first layer;
A second layer that is provided on the liquid crystal side and overlaps the entire surface of the first layer on the liquid crystal side, and is formed in contact with the liquid crystal on the liquid crystal side;
Provided,
The liquid crystal display device, wherein a resistance of said first layer is greater than the resistance of the second layer.
前記第1配向膜は、
前記第1の層の抵抗を、1015〜1016(Ω・cm)のオーダーとし、
前記第2の層の抵抗を、1013〜1014(Ω・cm)のオーダーとしたものであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
The first alignment film includes:
The resistance of the first layer is on the order of 1015 to 1016 (Ω · cm) ,
The liquid crystal display device according to claim 1 in which the resistance of the second layer, and characterized in that that the order of 1013~1014 (Ω · cm).
前記第2基板の前記液晶側の面に前記液晶と接触して形成される第2配向膜を備え、この第2配向膜の抵抗は1013〜1014(Ω・cm)のオーダーで形成されていることを特徴とする請求項に記載の液晶表示装置。 A second alignment film formed in contact with the liquid crystal is provided on the liquid crystal side surface of the second substrate, and the resistance of the second alignment film is formed on the order of 1013 to 1014 (Ω · cm) . The liquid crystal display device according to claim 2 . 前記第1電極は、対向電極として構成され、隣接する画素の第1電極と電気的に接続されて構成され、前記第2電極は、画素電極として構成され、隣接する画素の第2電極とは電気的に分離されて構成されていることを特徴とする請求項に記載の液晶表示装置。 The first electrode is configured as a counter electrode, and is configured to be electrically connected to a first electrode of an adjacent pixel, and the second electrode is configured as a pixel electrode, and the second electrode of the adjacent pixel is The liquid crystal display device according to claim 1 , wherein the liquid crystal display device is configured to be electrically separated . 前記第1電極は、画素電極として構成され、隣接する画素の第1電極と電気的に分離されて構成され、前記第2電極は、対向電極として構成され、隣接する画素の第2電極とは電気的に接続されて構成されていることを特徴とする請求項に記載の液晶表示装置。 The first electrode is configured as a pixel electrode, and is configured to be electrically separated from a first electrode of an adjacent pixel, and the second electrode is configured as a counter electrode, and the second electrode of the adjacent pixel is The liquid crystal display device according to claim 1 , wherein the liquid crystal display device is configured to be electrically connected . 前記第1電極および前記第2電極は、それぞれ、透光性導電膜で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein each of the first electrode and the second electrode is made of a light-transmitting conductive film . 前記第1電極は面状パターンに形成され、前記第2電極は線状パターンに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first electrode is formed in a planar pattern, and the second electrode is formed in a linear pattern .
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