JP5396075B2 - A control device for a vehicle lamp - Google Patents

A control device for a vehicle lamp Download PDF

Info

Publication number
JP5396075B2
JP5396075B2 JP2008322216A JP2008322216A JP5396075B2 JP 5396075 B2 JP5396075 B2 JP 5396075B2 JP 2008322216 A JP2008322216 A JP 2008322216A JP 2008322216 A JP2008322216 A JP 2008322216A JP 5396075 B2 JP5396075 B2 JP 5396075B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
light source
current
resistor
operation
ground fault
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008322216A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010147220A (en )
Inventor
浩太郎 松井
隆生 杉山
孝悦 北河
Original Assignee
株式会社小糸製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/08Circuit arrangements not adapted to a particular application
    • H05B33/0803Circuit arrangements not adapted to a particular application for light emitting diodes [LEDs] comprising only inorganic semiconductor materials
    • H05B33/0884Circuit arrangements not adapted to a particular application for light emitting diodes [LEDs] comprising only inorganic semiconductor materials with monitoring or protection
    • H05B33/0887Circuit arrangements not adapted to a particular application for light emitting diodes [LEDs] comprising only inorganic semiconductor materials with monitoring or protection of the conversion stage
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/08Circuit arrangements not adapted to a particular application
    • H05B33/0803Circuit arrangements not adapted to a particular application for light emitting diodes [LEDs] comprising only inorganic semiconductor materials
    • H05B33/0842Circuit arrangements not adapted to a particular application for light emitting diodes [LEDs] comprising only inorganic semiconductor materials with control
    • H05B33/0845Circuit arrangements not adapted to a particular application for light emitting diodes [LEDs] comprising only inorganic semiconductor materials with control of the light intensity
    • H05B33/0848Circuit arrangements not adapted to a particular application for light emitting diodes [LEDs] comprising only inorganic semiconductor materials with control of the light intensity involving load characteristic sensing means

Description

本発明は、車両用灯具の制御装置に関し、半導体発光素子で構成された半導体光源の点灯を制御する車両用灯具の制御装置に関する。 The present invention relates to a controller for a vehicle lamp, a control device of a vehicle lamp for controlling the lighting of semiconductor light sources constructed by the semiconductor light emitting element.

従来、車両用灯具として、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)などの半導体発光素子を半導体光源として用いたものが知られており、この種の車両用灯具には、LEDの点灯を制御する制御装置が実装されている。 Conventionally, as a vehicle lamp, light emitting diode (LED: Light Emitting Diode) and is known in which a semiconductor light-emitting element as a semiconductor light source such as, in this kind of vehicle lamp, control for controlling the lighting of the LED device is mounted.

上記制御装置としては、電力供給部と、LEDに流れるLED駆動電流(光源駆動電流)I を検出する電流検出部と、電力供給部の出力を制御する電流制御部とを含んで構成されているものが知れられている(例えば、特許文献1参照)。 As the control device, a power supply unit, a current detection unit for detecting a LED driving current (light source driving current) I L that flows through the LED, is configured to include a current control section for controlling the output of the power supply unit which are is know (for example, see Patent Document 1). 電力供給部には正極出力を供給するものと負極出力を供給するものとがあり、負極出力を供給する代表的なものとして反転型電力供給部(反転型コンバータ)が知られている。 The power supply unit has a supplies a negative output and supplies a positive electrode output, the inverting power supply unit (inverting converter) is known to the negative output as typical supplies.

以下に、電力供給部として反転型コンバータを用いた制御装置の例について説明する。 The following describes an example of a control apparatus using the inverting converter as the power supply unit.

電流検出部は、シャント抵抗Rsと、NPNトランジスタTr1と、NPNトランジスタTr2と、NPNトランジスタTr1のエミッタに接続された抵抗Raと、NPNトランジスタTr1のコレクタに接続された抵抗Rbとを備えて構成されている。 Current detecting section, and the shunt resistor Rs, an NPN transistor Tr1, an NPN transistor Tr2, is configured to include a resistor Ra connected to the emitter of the NPN transistor Tr1, and a resistor Rb connected to the collector of the NPN transistor Tr1 ing. シャント抵抗Rsの一端はNPNトランジスタTr2のエミッタに接続され、他端は抵抗Raを介してNPNトランジスタTr1のエミッタに接続されている。 One end of the shunt resistor Rs is connected to the emitter of the NPN transistor Tr2, the other end is connected to the emitter of the NPN transistor Tr1 via the resistor Ra.

電流検出部の出力は反転増幅器の負入力に入力されている。 The output of the current detection unit is inputted to the negative input of the inverting amplifier. 電流検出部の出力側における光源駆動電流情報は(−V )である。 Light source driving current information at the output of the current detection unit is (-V 0). 尚、光源駆動電流情報(−V )と反転増幅器の出力電圧V の大きさは同じであるが極性は逆である。 The size of the output voltage V 0 which light source driving current information (-V 0) inverting amplifier are the same polarity is reversed. 反転増幅器の出力は電流制御部の入力に接続され、電流制御部の出力は反転型コンバータのPMOSトランジスタのゲートに接続されている。 The output of the inverting amplifier is connected to the input of the current controller, the output of the current control unit is connected to the gate of the PMOS transistor of the inverting converter.

シャント抵抗で検出されたLED駆動電流I は電流検出部によって光源駆動電流情報(−V )に変換され、該光源駆動電流情報(−V )は反転増幅器により極性が反転して出力される。 LED drive current I L is detected by the shunt resistor is converted by the current detection unit to the light source driving current information (-V 0), the light source driving current information (-V 0) is the polarity is inverted and output by inverting amplifier that. 反転増幅器の出力電圧V は電流制御部に入力される。 Output voltage V 0 which the inverting amplifier is input to the current controller. 出力電圧V を一定にするために電流制御部は反転型コンバータのPMOSトランジスタのゲートにPWM(Pulse Width Modulation)信号を送出する。 Current control unit to the output voltage V 0 to the constant sends a PWM (Pulse Width Modulation) signal to the gate of the PMOS transistor of the inverting converter.

特開2004−126041号公報 JP 2004-126041 JP

ところで、正常動作時におけるLED駆動電流I と抵抗Raに流れる電流Isとの関係は、 Incidentally, the relationship between the current Is flowing in the LED drive current I L and the resistor Ra in a normal operation,
Is=V /Rb=Rs・I /Ra ・・・・・(1) Is = V 0 / Rb = Rs · I L / Ra ····· (1)
となる。 To become. 尚、NPNトランジスタTr1のベース電圧とNPNトランジスタTr2のベース電圧は等しいものとしている。 The base voltage and the base voltage of the NPN transistor Tr2 of the NPN transistor Tr1 is set to be equal.

従って、LED駆動電流I は、 Thus, LED drive current I L,
=Ra・V /Rs・Rb ・・・・・(2) I L = Ra · V 0 / Rs · Rb ····· (2)
となる。 To become.

一方、反転型コンバータの正極出力側又は負極出力側が地絡した時(以下、「地絡時」と呼ぶ。)には、NPNトランジスタTr2のエミッタ電圧がグラウンド(GND)と同電位となるため、NPNトランジスタTr2はオフ動作しNPNトランジスタTr1はオン動作する。 On the other hand, when the positive output side or the negative output side of the inverting converter is grounded (hereinafter, referred to as "ground fault."), The order emitter voltage of the NPN transistor Tr2 is the same potential as the ground (GND), NPN transistor Tr2 is an NPN transistor Tr1 off operation will be turned on. 従って、出力電圧情報V が一定になるまでLED駆動電流I がシャント抵抗Rsに流れる。 Thus, LED drive current I L to the output voltage information V 0 is constant flows through the shunt resistor Rs. このときのLED駆動電流I をI L−Fault (地絡電流)とすると、地絡電流I L−Faultと抵抗Raに流れる電流Isとの関係は、 If the LED drive current I L at this time is I L-Fault (ground fault current), the relationship between the current Is flowing ground fault current I L-Fault the resistor Ra is
+Is・Ra=I L−Fault・Rs ・・・・・(3) V 0 + Is · Ra = I L-Fault · Rs ····· (3)
となり、電流Isは、 Next, current Is,
Is=Rs・I L−Fault /(Ra+Rb) ・・・・・(4) Is = Rs · I L-Fault / (Ra + Rb) ····· (4)
となる。 To become.

従って、地絡電流I L−Faultは、 Therefore, the ground fault current I L-Fault is,
L−Fault =(Ra+Rb)・V /(Rs・Rb) I L-Fault = (Ra + Rb) · V 0 / (Rs · Rb)
=Ra・V /(Rs・Rb)+V /Rs ・・・・・(5) = Ra · V 0 / (Rs · Rb) + V 0 / Rs ····· (5)
となる。 To become.

上記数式(2)と上記数式(5)を比較すると、地絡時に流れる地絡電流I L−Faultは正常動作時に流れるLED駆動電流I よりもV /Rsの分だけ大きくなる。 Comparing the equation (2) and the equation (5), the ground fault current I L-Fault flowing through the ground fault is increased by the amount of V 0 / Rs than the LED driving current I L flowing during normal operation.

従って、抵抗素子(シャント抵抗)及び半導体光源と直列に接続されている素子の定格電力を地絡電流に合わせて大きくする必要があり製品コストの上昇を来たしてしまう。 Accordingly, the resistance element would Kitashi the (shunt resistor) and increase in product cost must be increased to match the rated power to the ground fault current of the semiconductor light source and the element connected in series.

そこで、本発明は、地絡電流の抑制をすることによって製品コストを低下させることを課題とする。 The present invention aims to reduce the product cost by the suppression of ground fault current.

本発明の一態様による車両用灯具の制御装置は、半導体光源に電力を供給する電力供給手段と、前記半導体光源に直列に接続された第1の抵抗を備え前記半導体光源に流れる光源駆動電流を検出する電流検出手段とを備え、前記電流検出手段は、前記第1の抵抗を介して前記半導体光源に直列に接続された、抵抗値が前記第1の抵抗よりも大きい第2の抵抗と、前記第2の抵抗に並列に接続されたスイッチ部及び前記電力供給手段の正極出力側又は負極出力側が地絡した時に前記スイッチ部をオフ動作させる地絡検出部を備えたバイパス部とを有するようにしたものである。 A control device for a vehicle lamp according to an aspect of the present invention, a power supply means for supplying electric power to the semiconductor light source, the light source driving current flowing through the semiconductor light source comprises a first resistor connected in series to the semiconductor light source and a current detecting means for detecting said current detecting means, via said first resistor connected in series to the semiconductor light source, a second resistor is greater than the resistance value of said first resistor, to have the said bypass portion is positive output side or the negative output side with a unit ground fault detecting turning off operation of the switch unit when the ground fault of the second switch unit and said power supply means connected in parallel with the resistor it is obtained by way.

従って、地絡した時にスイッチ部をオフ動作させることによって光源駆動電流が第1の抵抗を介して第2の抵抗を流れる。 Therefore, the light source driving current by OFF operation of the switch unit when the ground fault flows through the second resistor via the first resistor.

本発明車両用灯具の制御装置は、半導体光源に電力を供給する電力供給手段と、前記半導体光源に直列に接続された第1の抵抗を備え前記半導体光源に流れる光源駆動電流を検出する電流検出手段とを備え、前記電流検出手段が、前記第1の抵抗を介して前記半導体光源に直列に接続された第2の抵抗と、前記第2の抵抗に並列に接続されたスイッチ部及び前記電力供給手段の正極出力側又は負極出力側が地絡した時に前記スイッチ部をオフ動作させる地絡検出部を備えたバイパス部とを有し、さらに前記スイッチ部のオンオフ動作を切り替えて前記半導体光源の調光制御を行う切替部を設けているので、前記第2の抵抗の値を調整することにより地絡電流を調整することができる。 Control device of the present invention vehicle lamp, a current detection to detect a power supply means for supplying electric power to the semiconductor light source, the light source driving current flowing through the semiconductor light source comprises a first resistor connected in series to the semiconductor light source and means, said current detection means, said first and second resistors connected in series to the semiconductor light source through a resistor, said second switching unit and the power that is connected in parallel with the resistor and a bypass portion which is positive output side or the negative output side with the switching unit ground fault detection portion for turning off the operation of when the ground fault of the supply means, adjustment of the semiconductor light source further switching on and off operation of the switch unit since there is provided a switching unit which performs light control, it is possible to adjust the ground fault current by adjusting the value of the second resistor.

従って、前記第2の抵抗の値次第で地絡電流を正常動作時の前記光源駆動電流よりも小さくして地絡電流の抑制を行うことにより製品コストを低下させることができる。 Therefore, it is possible to reduce the product cost by performing suppression of the ground fault current to be smaller than the light source driving current during normal operation of the ground fault current depending on the value of the second resistor.

さらに、半導体光源の調光制御を行う機能と地絡電流を抑制する機能をスイッチ部一つで兼用することができる。 Furthermore, it is possible to be combined in a single switch unit function of suppressing the functions and ground fault current to perform the dimming control of the semiconductor light source.

請求項2に記載した発明にあっては、前記地絡検出部が前記地絡時にオフ動作するツェナーダイオードであり、前記スイッチ部が前記ツェナーダイオードのオフ動作時にオフ動作するスイッチ素子であり、前記スイッチ素子のオン動作時に前記光源駆動電流が前記スイッチ素子を流れ、前記スイッチ素子のオフ動作時に前記光源駆動電流が前記第2の抵抗を流れるので、地絡時に前記光源駆動電流が前記第2の抵抗を流れるように確実にスイッチ素子をオフ動作させることができる。 In the invention described in claim 2, a Zener diode which the ground fault detector is OFF operation to the ground fault, a switch element in which the switch unit is turned off operation OFF operation of the Zener diode, the the light source driving current flows through the switching element during the oN operation of the switching element, since the light source driving current to the oFF operation of the switching element flows through the second resistor, the light source driving current to the ground fault is the second reliably switching element to flow resistance can be off operation.

請求項3に記載した発明にあっては、前記ツェナーダイオードのオン電圧が、前記地絡時における前記電力供給手段の出力電圧より大きく、かつ、前記半導体光源の電流が流れ始める順方向電圧以下に設定されるので、正常時には確実にツェナーダイオードをオン動作させることができ、かつ、地絡時には確実にツェナーダイオードをオフ動作させることができる。 In the invention described in claim 3, the on voltage of the Zener diode is greater than the output voltage of said power supply means in the ground fault, and, below the forward voltage current starts flowing in the semiconductor light source since the set, normally reliably zener diode can be an oN operation at the time, and can be off operation reliably Zener diode to ground fault.

以下に、本発明の第1の実施の形態に係る車両用灯具の制御装置について説明する。 The following describes a control device for a vehicle lamp according to a first embodiment of the present invention.

制御装置1は、図1に示すように、電力供給手段としての反転型コンバータ2と、電流検出部3と、電流制御部5と、反転増幅器13とを有して構成されている。 The control device 1, as shown in FIG. 1, the inverting converter 2 serving as power supply means, a current detector 3, a current control unit 5 is configured and an inverting amplifier 13.

反転型コンバータ2は、スイッチングトランジスタを含んで構成され、電流制御部5からのオンオフ信号(PWM信号)を受けて負極出力を半導体光源としてのLED21−1〜21−n(nは1以上の整数)に供給する。 Inverting converter 2 is configured to include a switching transistor, the LED21-1~21-n (n of the negative output receives the OFF signal (PWM signal) from the current control unit 5 as a semiconductor light source 1 or an integer ) to supply.

電流検出部3は、第1の抵抗としてのシャント抵抗Rs、第2の抵抗としてのシャント抵抗Rs'、バイパス部4、NPNトランジスタ11、12を備えて構成され、LED21−1〜21−nに流れる光源駆動電流(LED駆動電流I )を検出する。 Current detecting unit 3, a shunt resistor Rs as a first resistor, a shunt resistor Rs as a second resistor 'is configured to include a bypass section 4, NPN transistors 11 and 12, the LED21-1~21-n a light source driving current flowing (LED drive current I L) detected. LED駆動電流I は電流検出部3によって光源駆動電流情報(−V )に変換される。 LED drive current I L is converted by the current detection unit 3 to the light source driving current information (-V 0).

バイパス部4は、シャント抵抗Rs'に並列に接続されたスイッチ部としてのNMOSトランジスタ10と、地絡検出部としてのツェナーダイオードZD1とを有して構成されている。 Bypass section 4 is configured to have an NMOS transistor 10 as a switch portion connected in parallel to the shunt resistor Rs', and a Zener diode ZD1 as a ground fault detection portion. NMOSトランジスタ10のゲートは抵抗R2を介してツェナーダイオードZD1のアノードに接続され抵抗R1、R3を介してNPNトランジスタ11のエミッタに接続されている。 The gate of the NMOS transistor 10 is connected to the emitter of the NPN transistor 11 is connected to the anode of the Zener diode ZD1 via a resistor R2 through a resistor R1, R3. ツェナーダイオードZD1のカソードはグラウンド(GND)に接続されている。 The cathode of the Zener diode ZD1 is connected to ground (GND).

反転増幅器13は光源駆動電流情報(−V )の極性を反転して出力電圧V を出力する。 Inverting amplifier 13 outputs an output voltage V 0 by inverting the polarity of the light source driving current information (-V 0). 反転増幅器13の負入力は抵抗R7を介して出力に接続されると共に抵抗R6を介して電流検出部3のNPNトランジスタ11のコレクタに接続され、正入力は接地されている。 The negative input of the inverting amplifier 13 is connected to the collector of the NPN transistor 11 of the current detection unit 3 via a resistor R6 is connected to the output via a resistor R7, the positive input is grounded.

電流制御部5は、エラーアンプ(図示せず)とPWMコンパレータ(図示せず)を備えて構成され、出力電圧情報V を一定にするために、前記スイッチングトランジスタにPWM信号を送出し反転型コンバータ2の負極出力を制御する。 The current control unit 5 is configured to include an error amplifier (not shown) of the PWM comparator (not shown), to the output voltage information V 0 constant inverting sends a PWM signal to the switching transistor controlling the negative output of the converter 2.

以下に、バイパス部4の動作について、正常動作時と反転型コンバータ2の負極出力側が地絡した時(以下、「地絡時」と呼ぶ。)に分けて説明する。 Hereinafter, the operation of the bypass section 4, when the negative output side of the inverting converter 2 with the normal operation is grounded (hereinafter. Referred to as "ground fault") will be described separately. 図2は、ツェナーダイオードZD1のオン電圧の設定範囲(図2のB領域)を説明するための図であり、ツェナーダイオードZD1のオン電圧は地絡時における反転型コンバータ2の出力電圧(Va)より大きく、かつ、正常動作時にLED駆動電流I が流れ始める反転型コンバータ2の出力電圧(Vb)以下に設定されている。 Figure 2 is a diagram for explaining the setting range of the ON voltage of the Zener diode ZD1 (B region in FIG. 2), inverting converter 2 output voltage on voltage of the Zener diode ZD1 is in the ground fault (Va) larger, and is set below the LED driving current I L flows begin inverting converter 2 output voltage (Vb) during normal operation. 尚、Vcは正常動作時における反転型コンバータ2の出力電圧である。 Incidentally, Vc is the output voltage of the inverting converter 2 in a normal operation.

正常動作時には、反転型コンバータ2の出力電圧(Vc、図2のC領域)は、ツェナーダイオードZD1のオン電圧(>Va、≦Vb)よりも高いのでツェナーダイオードZD1のアノード−カソード間電圧(=Vc)が前記オン電圧よりも高くなりツェナーダイオードZD1がオン動作する。 During normal operation, the output voltage of the inverting converter 2 (Vc, C region in FIG. 2), the on voltage of the Zener diode ZD1 (> Va, ≦ Vb) is higher than the zener diode ZD1 anode - cathode voltage (= Zener diode ZD1 vc) is higher than the oN voltage is turned on. ツェナーダイオードZD1がオン動作すると、NMOSトランジスタ10もオン動作しLED駆動電流I はシャント抵抗Rs及びNMOSトランジスタ10を流れる。 When the zener diode ZD1 is turned on, the NMOS transistor 10 is also turned on LED drive current I L flows through the shunt resistor Rs and the NMOS transistor 10.

従って、LED駆動電流I は、 Thus, LED drive current I L,
=R1・V /Rs・R2 ・・・・・(6) I L = R1 · V 0 / Rs · R2 ····· (6)
となる。 To become. 尚、NMOSトランジスタ10のオン抵抗はシャント抵抗Rsに比べて限りなく小さい。 Note that the on resistance of the NMOS transistor 10 is small as possible in comparison with the shunt resistor Rs.

一方、地絡時には、反転型コンバータ2の出力電圧(≦Va、図2のA領域)はツェナーダイオードZD1のオン電圧よりも低いのでツェナーダイオードZD1のアノード−カソード間電圧(≦Va)が前記オン電圧よりも低くなりツェナーダイオードZD1がオフ動作する。 On the other hand, the ground fault, the output voltage of the inverting converter 2 (≦ Va, A region in FIG. 2) since the lower than the ON voltage of the Zener diode ZD1 of Zener diode ZD1 anode - cathode voltage (≦ Va) is the on Zener diode ZD1 is lower than the voltage is turned oFF. ツェナーダイオードZD1がオフ動作するとNMOSトランジスタ10もオフ動作しLED駆動電流I はシャント抵抗Rs及びシャント抵抗Rs'を流れる。 Zener When diode ZD1 is turned OFF even NMOS transistor 10 turned OFF LED drive current I L flows through the shunt resistor Rs and the shunt resistor Rs'.

従って、地絡時におけるLED駆動電流I を地絡電流I L−Faultとすると、地絡電流I L−Faultは、 Therefore, when the LED drive current I L in the ground fault occurs and the ground fault current I L-Fault, the ground fault current I L-Fault is
L−Fault =(R1+R2)・V /(Rs+Rs')・R2 I L-Fault = (R1 + R2) · V 0 / (Rs + Rs') · R2
=R1・V /(Rs+Rs')・R2+V /(Rs+Rs')・・・・・(7) = R1 · V 0 / (Rs + Rs ') · R2 + V 0 / (Rs + Rs') ····· (7)
となる。 To become.

上記数式(7)に示すように、地絡電流I L−Faultは、シャント抵抗Rs'の値を大きくすると小さくなる。 As shown in the equation (7), the ground fault current I L-Fault is smaller when increasing the value of the shunt resistor Rs'.

一例として、正常動作時のLED駆動電流I を100ミリアンペア(mA)、シャント抵抗Rsを1オーム(Ω)、シャント抵抗Rs'を19オーム(Ω)、出力電圧情報V を1ボルト(V)として、上記数式(7)を計算すると地絡電流I L−Faultは55mAとなる。 As an example, 100 mA LED drive current I L during the normal operation (mA), 1 ohm shunt resistor Rs (Ω), 19 Ohm shunt resistor Rs' (Omega), the output voltage information V 0 to 1 volt (V ) as a ground fault current I L-Fault When calculating the equation (7) becomes 55mA. ここで、上記と同様の条件(I を100(mA)、Rs=1(Ω)、V =1(V))を上記した従来技術における数式(5)に適用して地絡電流I L−Faultを計算すると、地絡電流I L−Faultは1.1アンペア(A)となる。 Here, similar to the above conditions (I L to 100 (mA), Rs = 1 (Ω), V 0 = 1 (V)) ground fault current is applied to Equation (5) in the above prior art I calculating the L-Fault, the ground fault current I L-Fault becomes 1.1 amperes (a).

従って、シャント抵抗Rs'の値を調整することにより地絡電流I L−Faultを調整することができ、シャント抵抗Rs'の値次第で地絡電流I L−Faultを正常動作時のLED駆動電流I よりも小さくすることができる。 Therefore, 'it is possible to adjust the ground fault current I L-Fault by adjusting the value of the shunt resistor Rs' shunt resistor Rs LED drive current during normal operation of the ground fault current I L-Fault Depending value of it can be made smaller than I L.

また、ツェナーダイオードZD1のオン電圧が、地絡時における反転型コンバータ2の出力電圧(Va)より大きく、かつ、LED駆動電流ILの送出開始時における反転型コンバータ2の出力電圧(Vb)以下に設定されているので、地絡時には確実にツェナーダイオードZD1のオン電圧よりも反転型コンバータ2の出力電圧の方が低くなる。 The on voltage of the Zener diode ZD1 is larger than the output voltage of the inverting converter 2 (Va) in the ground fault, and, below the output voltage of the inverting converter 2 (Vb) at the transmission start time of the LED driving current IL since it is set, the direction of the output voltage of the inverting converter 2 is lower than reliably on voltage of the Zener diode ZD1 in the ground fault. 従って、地絡時には、確実にツェナーダイオードZD1をオフ動作させることができ、NMOSトランジスタ10をオフ動作させることができる。 Therefore, the ground fault, surely the Zener diode ZD1 can be off operation, the NMOS transistor 10 can be turned OFF operation.

以上に説明したように、本第1の実施の形態によれば、地絡電流の抑制をすることによって製品コストを低下させることができる。 As described above, according to the first embodiment, it is possible to reduce the product cost by the suppression of ground fault current.

尚、本第1の実施の形態では、電力供給手段として負極出力コンバータである反転型コンバータ2を含む制御装置について説明したが、電力供給手段として正極出力コンバータを用いても上記と同様の効果を得ることができる。 Incidentally, in the first embodiment has been described control device comprising inverting converter 2 is negative output converter as the power supply means, the same effect as also described above using the positive output converter as the power supply unit it is possible to obtain. 具体的には、制御装置は、電力供給手段としての正極出力コンバータと、上記第1の実施の形態と同様の回路構成を有する電流検出部及び電流制御部とを有して構成され、前記電流検出部の出力が前記電流制御部に直接送出される。 Specifically, the control unit is configured to have a positive output converter as the power supply means, a current detection unit and a current control unit has the same circuit configuration as the first embodiment, the current the output of the detector is sent directly to the current control unit. 尚、前記正極出力コンバータから正極出力が出力され前記電流検出部の出力は正極出力となるので反転増幅器は不要である。 Note that the inverting amplifier so the output of the positive output from the positive output converter output the current detection section becomes a positive output is not required.

以下に、本発明の第2の実施の形態に係る車両用灯具の制御装置について説明する(図3参照)。 The following describes a control device for a vehicle lamp according to a second embodiment of the present invention (see FIG. 3). 本第2の実施の形態に係る制御装置30は、上記した第1の実施の形態における動作に加え、正常時に切替部36によってツェナーダイオードZD10のオンオフ動作を切り替えることによって、NMOSトランジスタ40のオンオフ動作を切り替えてLED51−1〜51−nの調光制御を行う装置である。 Control apparatus according to the second embodiment 30, in addition to the operation in the first embodiment described above, by switching the on-off operation of the Zener diode ZD10 by the switching unit 36 ​​in the normal, off operation of the NMOS transistor 40 a device for performing dimming control LED51-1~51-n by switching.

制御装置30は、反転型コンバータ32と、電流検出部33と、電流制御部35と、切替部36と、反転増幅器43とを有して構成されている。 Controller 30, the inverting converter 32, a current detector 33, a current control section 35, a switching unit 36 ​​is configured and an inverting amplifier 43. 尚、制御装置30を構成する反転型コンバータ32、電流検出部33、電流制御部35、反転増幅器43は、図1に示した制御装置1を構成する反転型コンバータ2、電流検出部3、電流制御部5、反転増幅器13とそれぞれ同様の構成であるので説明を省略する。 Note that inverting converter 32 of the control device 30, current detector 33, current control unit 35, the inverting amplifier 43 has an inverting converter 2 constituting the control apparatus 1 shown in FIG. 1, the current detecting unit 3, the current control unit 5, since the inverting amplifier 13 is the same configuration omitted.

切替部36は、NPNトランジスタ44、PNPトランジスタ45、抵抗R18、R19、R20、R21を備えて構成され、NPNトランジスタ44のベースには抵抗R18を介して調光信号が入力される。 Switching unit 36 ​​is configured to include an NPN transistor 44, PNP transistor 45, resistors R18, R19, R20, R21, to the base via a resistor R18 dimming signal NPN transistor 44 is inputted.

NPNトランジスタ44のコレクタは抵抗R20を介してPNPトランジスタ45のベースに接続されている。 The collector of the NPN transistor 44 is connected to the base of the PNP transistor 45 via a resistor R20. PNPトランジスタ45のエミッタは基準電源Vccに接続され、コレクタはツェナーダイオードZD10のカソードに接続されている。 The emitter of the PNP transistor 45 is connected to the reference power supply Vcc, the collector is connected to the cathode of the Zener diode ZD10.

以下に、切替部36の動作について、正常動作時及び地絡時のそれぞれにおいて前記調光信号がローレベル信号の場合とハイレベル信号の場合に分けて説明する。 Hereinafter, the operation of the switching portion 36, the dimming signal in each of the normal operation and the ground fault is described separately in the case where the low-level signal and a high level signal. また、以下では、LED51−1〜51−nが車幅灯として機能するポジショニングランプ(クリアランスランプ)及び夜間以外の時間帯において点灯して標識機能を発揮するデイタイムランニングランプに用いられている場合を一例として説明し、ポジショニングランプの点灯中には前記調光信号としてローレベル信号が送出され、デイタイムランニングランプの点灯中には前記調光信号としてハイレベル信号が送出されるものとして説明する。 In the following, if LED51-1~51-n is used for positioning the lamp (clearance lamp) and nighttime non illuminated in a time zone daytime running lamp which exhibits labeled ability to function as a side marker lamp was described as an example, during the lighting of the positioning ramp low level signal is sent as the dimming signal, during lighting of the daytime running lamp is described as a high level signal is sent as the dimming signal .

尚、ツェナーダイオードZD10のオン電圧は、基準電源Vccの基準電源電圧より大きく、かつ、正常時にLED駆動電流I が流れ始める反転型コンバータ32の出力電圧以下に設定されている。 Incidentally, the ON voltage of the Zener diode ZD10 is greater than the reference power supply voltage of the reference power supply Vcc, and is set below the output voltage of the inverting converter 32 LED drive current I L starts flowing at normal.

正常動作時にNPNトランジスタ44のベースにローレベルの調光信号が入力されると、NPNトランジスタ44がオフ動作しPNPトランジスタ45がオフ動作する。 When the dimming signal based on the low level of the NPN transistor 44 during normal operation is input, the NPN transistor 44 is a PNP transistor 45 off operation is turned OFF. PNPトランジスタ45がオフ動作すると、ツェナーダイオードZD10のアノードがハイインピーダンスになるので、アノード−カソード間電圧が前記オン電圧より低くなりツェナーダイオードZD10がオフ動作し、NMOSトランジスタ40がオフ動作して、LED駆動電流I (=R1・V /(Rs+Rs')・R2+V /(Rs+Rs'))が流れ、シャント抵抗Rs'を大きく設定することによりLED駆動電流I が減少する。 When the PNP transistor 45 is turned OFF, since the anode of the Zener diode ZD10 becomes high impedance, anode - Zener diode ZD10 becomes cathode voltage is lower than the ON voltage turned OFF, NMOS transistor 40 is turned OFF, LED drive current I L (= R1 · V 0 / (Rs + Rs') · R2 + V 0 / (Rs + Rs')) flows, LED drive current I L is reduced by setting larger the shunt resistor Rs'.

地絡時にNPNトランジスタ44のベースにローレベルの調光信号が入力される場合にも上記と同様の動作が行われ、NMOSトランジスタ40がオフ動作し上記と同様のシャント抵抗Rs'の設定によりLED駆動電流I が減少する。 Similar to the above operation is performed even when the dimming signal based on the low level of the NPN transistor 44 to the ground fault is input, NMOS transistor 40 is turned OFF LED by setting of the same shunt resistor Rs' the drive current I L is reduced.

従って、大きなLED駆動電流I を必要としないポジショニングランプの点灯中においては、前記ローレベルの調光信号をNPNトランジスタ44のベースに入力し、シャント抵抗Rs'を大きく設定することによりLED駆動電流I を減少させることができるので、ポジショニングランプの適切な調光制御を行うことができると共に地絡電流の抑制を図ることができる。 Accordingly, in the positioning illuminating lamp that does not require a large LED drive current I L, and inputs the dimming signal of the low level to the base of NPN transistor 44, the LED drive current by setting a large shunt resistor Rs' it is possible to reduce the I L, it is possible to suppress the ground fault current it is possible to perform appropriate dimming control of positioning the lamp.

正常動作時にNPNトランジスタ44のベースにハイレベルの調光信号が入力されると、NPNトランジスタ44がオン動作しPNPトランジスタ45がオン動作する。 When the dimming signal based on the high level of the NPN transistor 44 during normal operation is input, PNP transistor 45 an NPN transistor 44 is turned on is turned on. PNPトランジスタ45がオン動作すると、ツェナーダイオードZD10のアノード−カソード間電圧が前記オン電圧よりも高くなりツェナーダイオードZD10がオン動作し、NMOSトランジスタ40がオン動作してLED駆動電流I (=R1・V /Rs・R2)が流れる。 When the PNP transistor 45 is turned on, the anode of the Zener diode ZD10 - Zener diode ZD10 cathode voltage becomes higher than the on-voltage is turned on, NMOS transistor 40 turns on operating LED drive current I L (= R1 · V 0 / Rs · R2) flows. このLED駆動電流I は上記したツェナーダイオードZD10がオフ動作した時のLED駆動電流I よりも大きい電流である。 The LED drive current I L Zener diode ZD10 described above is a current larger than the LED drive current I L when the off operation.

地絡時にNPNトランジスタ44のベースにハイレベルの調光信号が入力されると、上記と同様にPNPトランジスタ45がオン動作する。 When the dimming signal based on the high level of the NPN transistor 44 to the ground fault is input, similarly to the PNP transistor 45 is turned on. PNPトランジスタ45がオン動作した場合でもツェナーダイオードZD10のアノード−カソード間電圧が前記オン電圧より低くなるので、ツェナーダイオードZD10がオフ動作してLED駆動電流I (=R1・V /(Rs+Rs')・R2+V /(Rs+Rs'))が流れ、シャント抵抗Rs'を大きく設定することによりLED駆動電流I が減少する。 The anode of the Zener diode ZD10 even when PNP transistor 45 is turned on - since the cathode voltage becomes lower than the ON voltage, the Zener diode ZD10 turns off operating LED drive current I L (= R1 · V 0 / (Rs + Rs' ) · R2 + V 0 / ( Rs + Rs ')) flows, the shunt resistor Rs' LED drive current I L is reduced by setting larger.

従って、大きなLED駆動電流I (=R1・V /Rs・R2)を必要とするデイタイムランニングランプの点灯中においては、前記ハイレベルの調光信号をNPNトランジスタ44のベースに入力することによってLED駆動電流I を減少させることなくデイタイムランニングランプの適切な調光制御を行うことができると共に地絡電流の抑制を図ることができる。 Accordingly, in a large LED drive current I L (= R1 · V 0 / Rs · R2) is lit daytime running lamp which requires, to enter a dimming signal of the high level to the base of NPN transistor 44 it is possible to suppress the ground fault current with the LED drive current I L can be appropriately performed dimming control of daytime running lamp without reducing the.

上記した各実施の形態は、本発明を好適に実施した形態の一例に過ぎず、本発明は、その主旨を逸脱しない限り、種々変形して実施することが可能なものである。 The embodiments described above is only one example of a suitably implemented to form the present invention, the present invention is, without departing from the scope of the invention are those that can be modified in various ways.

本発明の第1の実施の形態に係る車両用灯具の制御装置の構成を示した図である。 It is a diagram showing a configuration of a control apparatus of a vehicular lamp according to a first embodiment of the present invention. ツェナーダイオードのオン電圧の設定範囲を説明するための図である。 It is a diagram for explaining the setting range of the ON voltage of the Zener diode. 本発明の第2の実施の形態に係る車両用灯具の制御装置の構成を示した図である。 It is a diagram showing a configuration of a controller for a vehicle lamp according to a second embodiment of the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1、30…制御装置、2、32…反転型コンバータ(電力供給手段)、3、33…電流検出部、4、34…バイパス部、5、35…電流制御部、10、40…NMOSトランジスタ(スイッチ部)、21−1〜21−n、51−1〜51−n…LED、36…切替部 1,30 ... controller, 2,32 ... inverting converter (power supply means), 3,33 ... current detection unit, 4, 34 ... bypass section, 5 and 35 ... current control unit, 10, 40 ... NMOS transistor ( switch unit), 21-1~21-n, 51-1~51-n ... LED, 36 ... switching unit

Claims (4)

  1. 半導体光源に電力を供給する電力供給手段と、 A power supply means for supplying electric power to the semiconductor light source,
    前記半導体光源に直列に接続された第1の抵抗を備え前記半導体光源に流れる光源駆動電流を検出する電流検出手段とを備え、 And a current detecting means for detecting the light source driving current flowing through the semiconductor light source comprises a first resistor connected in series to the semiconductor light source,
    前記電流検出手段は、前記第1の抵抗を介して前記半導体光源に直列に接続された、抵抗値が前記第1の抵抗よりも大きい第2の抵抗と、前記第2の抵抗に並列に接続されたスイッチ部及び前記電力供給手段の正極出力側又は負極出力側が地絡した時に前記スイッチ部をオフ動作させる地絡検出部を備えたバイパス部とを有する ことを特徴とする車両用灯具の制御装置。 Said current detecting means, the first through the resistor connected in series to the semiconductor light source, a second resistor resistance value is greater than the first resistor, connected in parallel with the second resistor and a switch unit and control of the vehicle lamp is positive output side or the negative polarity output side and having a bypass section having a portion ground fault detecting turning off operation of the switch unit when the ground fault of the power supply unit apparatus.
  2. 前記地絡検出部は前記地絡時にオフ動作するツェナーダイオードであり、 The ground fault detection portion is a Zener diode to OFF operation to the ground fault,
    前記スイッチ部は前記ツェナーダイオードのオフ動作時にオフ動作するスイッチ素子であり、 The switch unit is a switching element for turning off operation upon OFF operation of the Zener diode,
    前記スイッチ素子のオン動作時に前記光源駆動電流が前記スイッチ素子を流れ、前記スイッチ素子のオフ動作時に前記光源駆動電流が前記第2の抵抗を流れる ことを特徴とする請求項1に記載の車両用灯具の制御装置。 Wherein the light source driving current during on operation of the switching element flows through the switching element, for a vehicle of claim 1, wherein the light source driving current to the OFF operation of the switching element, characterized in that the flow through the second resistor the control device of the lamp.
  3. 前記ツェナーダイオードは、前記スイッチ部の制御端子と接地線の間に接続され、 The zener diode is connected between the control terminal and the ground line of the switch unit,
    前記ツェナーダイオードのオン電圧は、前記地絡時における前記電力供給手段の出力電圧より大きく、かつ、前記半導体光源の電流が流れ始める順方向電圧以下に設定される ことを特徴とする請求項2に記載の車両用灯具の制御装置。 On voltage of the Zener diode is greater than the output voltage of said power supply means in the ground fault, and said the current of the semiconductor light source is set below the forward voltage starts to flow in claim 2, wherein a control device for a vehicle lamp according.
  4. 前記ツェナーダイオードは、前記スイッチ部の制御端子と切替部の間に接続され、 The zener diode is connected between the control terminal and the switching unit of the switch unit,
    前記切替部は、非地絡時である正常動作時において、調光信号に応じて前記ツェナーダイオードのアノード−カソード間電圧を制御することで前記ツェナーダイオードのオンオフ動作を切り替え、該ツェナーダイオードのオンオフ動作によって前記スイッチ部のオンオフ動作が切り替えられて前記半導体光源の調光制御が行なわれる ことを特徴とする請求項2に記載の車両用灯具の制御装置。 The switching unit, in the normal operation is non-ground fault, the anode of the Zener diode in accordance with a dimming signal - switch on and off operation of the Zener diode by controlling the cathode voltage, on-off of the Zener diode a control device for a vehicle lamp according to claim 2, characterized in that the on-off operation is switched dimming control of the semiconductor light source of the switch unit is performed by the operation.
JP2008322216A 2008-12-18 2008-12-18 A control device for a vehicle lamp Active JP5396075B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008322216A JP5396075B2 (en) 2008-12-18 2008-12-18 A control device for a vehicle lamp

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008322216A JP5396075B2 (en) 2008-12-18 2008-12-18 A control device for a vehicle lamp
EP20090178666 EP2200406B1 (en) 2008-12-18 2009-12-10 Controller for vehicular lamp

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010147220A true JP2010147220A (en) 2010-07-01
JP5396075B2 true JP5396075B2 (en) 2014-01-22

Family

ID=42077806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008322216A Active JP5396075B2 (en) 2008-12-18 2008-12-18 A control device for a vehicle lamp

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP2200406B1 (en)
JP (1) JP5396075B2 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5449842B2 (en) * 2009-04-23 2014-03-19 株式会社小糸製作所 Vehicle lamp lighting control device
CN103200726B (en) * 2012-01-05 2016-08-24 欧司朗股份有限公司 Led lighting device and power supply circuit control circuit Led lighting device
JP2013201019A (en) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp Lighting circuit and lighting device
JP6051909B2 (en) 2013-02-12 2016-12-27 株式会社デンソー Power supply
JP5958407B2 (en) 2013-04-12 2016-08-02 株式会社デンソー Led drive
JP2018018774A (en) 2016-07-29 2018-02-01 株式会社小糸製作所 Lightning circuit and lamp fitting for vehicle

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5836132A (en) * 1981-08-28 1983-03-03 Fujitsu Ltd Rush current preventing circuit
JPH0447957B2 (en) * 1984-12-10 1992-08-05 Hayashibara Takeshi
JPH04334898A (en) * 1991-05-13 1992-11-20 Matsushita Electric Works Ltd Dimming device
JP4094477B2 (en) * 2003-04-28 2008-06-04 株式会社小糸製作所 The vehicle lamp
JP4451376B2 (en) * 2005-11-04 2010-04-14 株式会社小糸製作所 Vehicle lamp lighting control device
JP4952292B2 (en) * 2007-02-21 2012-06-13 東芝ライテック株式会社 Led lighting device and a lighting system
JP5007811B2 (en) * 2007-05-31 2012-08-22 東芝ライテック株式会社 Lighting device

Also Published As

Publication number Publication date Type
EP2200406A3 (en) 2014-09-10 application
JP2010147220A (en) 2010-07-01 application
EP2200406B1 (en) 2017-08-16 grant
EP2200406A2 (en) 2010-06-23 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20090322235A1 (en) Led driving circuit, led driving control unit and transistor switch module thereof
US20040179366A1 (en) Vehicular lamp
US7327051B2 (en) Lighting control circuit for vehicle lamps
US20040178737A1 (en) Vehicular lamp
EP1322139A1 (en) LED lamp apparatus for vehicles
US7479743B2 (en) Vehicle lighting apparatus
US7528553B2 (en) Lighting control apparatus for vehicle lighting device
US20100301762A1 (en) Led driving circuit and backlight module
JP2011003467A (en) Lighting system
JP2007096287A (en) Led lighting device and led substrate module
US20040095234A1 (en) Vehicular turn signal indicator system and flasher circuit for the same
US20040066154A1 (en) Lighting circuit
JP2003187614A (en) Rear combination lamp device for vehicle
US20120074845A1 (en) Automobile led driving device
JP2004136719A (en) Lighting circuit
JP2004051014A (en) Led headlamp device for vehicle
JP2004134147A (en) Lighting circuit
JP2000132133A (en) Display element driving device
JP2007112237A (en) Lighting control device of lighting fixture for vehicle
US20120126858A1 (en) Load driving apparatus
US20090154188A1 (en) Vehicle lamp
CN102098826A (en) Light emitting diode light source driving circuit
JP2006085993A (en) Light emitting diode lighting device
JP2007318879A (en) Power Supply
US7579880B2 (en) Circuit for driving a semiconductor element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110914

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121023

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130423

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130513

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131001

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131021

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150