JP5384037B2 - The polishing composition for a sapphire substrate, and a polishing method of the sapphire substrate - Google Patents

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JP5384037B2 JP2008153253A JP2008153253A JP5384037B2 JP 5384037 B2 JP5384037 B2 JP 5384037B2 JP 2008153253 A JP2008153253 A JP 2008153253A JP 2008153253 A JP2008153253 A JP 2008153253A JP 5384037 B2 JP5384037 B2 JP 5384037B2
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宣勝 加藤
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本発明は、サファイア基板用研磨液組成物、及びサファイア基板用研磨液組成物を用いたサファイア基板の研磨方法に関する。 The present invention is a polishing composition for a sapphire substrate, and a method of polishing a sapphire substrate using a sapphire substrate for a polishing composition. 更に詳しくは、窒化物系半導体発光素子のエピタキシャル膜成長用の基板として用いられるサファイア基板の研磨に有用な研磨液組成物、及びこの研磨液組成物を用いた研磨方法に関するものである。 More particularly, it relates to a polishing method using useful polishing composition for polishing a sapphire substrate used as a substrate for epitaxial film growth of the nitride-based semiconductor light-emitting device, and the polishing composition.

3族窒化物系半導体発光素子の製造に使用されるサファイア基板として、カイロポーラス法、EFG法、チョクラルスキー法で育成されたサファイア結晶を、ワイヤーソーでウェハー状に切断加工し、メカノケミカル研磨(CMP)で鏡面研磨加工したもの等が使用されている。 As the sapphire substrate used in the manufacture of Group III nitride semiconductor light-emitting device, kyropoulos method, EFG method, a sapphire crystal grown by the Czochralski method, and cut into wafer-shaped with a wire saw, mechanochemical polishing such that mirror polishing is used in (CMP). 発光デバイスとして使用される窒化物系半導体発光素子のエピタキシャル膜成長用の基板は、高品質なエピタキシャル膜(3族窒化物系半導体層)を成長させるために、加工歪の残留がなく、清浄で欠陥のない平滑な平面を有することが求められる。 Substrate for epitaxial film growth of the nitride-based semiconductor light-emitting element used as a light emitting device, in order to grow a high quality epitaxial film (group III nitride semiconductor layer), no residual processing strain, clean It is required to have a defect-free smooth surface.

安価なチョクラルスキー法で育成されたサファイア基板を鏡面研磨する研磨方法として、コロイダルシリカにおけるシリカの含有量が35〜50重量%に調製された研磨液を使用する方法が知られている(特許文献1)。 As a polishing method for mirror-polishing a sapphire substrate which is grown by cheap Czochralski method, the content of silica in the colloidal silica is a method of using a polishing liquid prepared in 35 to 50% by weight is known (Patent Document 1).

また、3族窒化物系半導体層の良好な膜を成長させるために、サファイア基板の主面に還元作用を施すことが知られている(特許文献2)。 Further, in order to grow a good film of group III nitride semiconductor layer, it is known to apply a reducing action on the main surface of the sapphire substrate (Patent Document 2).

さらに、サファイアウェハーの厚みを100μm以下にまで加工する場合、サファイアウェハーの側面をダミー材で覆うことで、チッピングの発生を低減することができることが知られている(特許文献3)。 Furthermore, when processing the thickness of the sapphire wafers to a 100μm or less, by covering the side surface of the sapphire wafer with the dummy material, it is known that it is possible to reduce the occurrence of chipping (Patent Document 3).

特開2008−44078号公報 JP 2008-44078 JP 特開2004−111848号公報 JP 2004-111848 JP 特開2003−245847号公報 JP 2003-245847 JP

しかしながら、従来のコロイダルシリカに因るメカノケミカル研磨よる鏡面研磨加工では、基板にピットが発生し、優れた窒化物系半導体発光素子が得られず、また、研磨速度が遅く、生産性に問題があった。 However, the mirror polishing by mechanochemical polishing due to conventional colloidal silica, pits generated in the substrate, not obtained excellent nitride-based semiconductor light-emitting device, also slow polishing rate, a problem in productivity there were. 特許文献1では、コロイダルシリカの機械的研磨で、鏡面研磨加工が可能との記載があるが、被研磨面の表面粗度の記載なく、研磨速度の記載もない。 In Patent Document 1, a mechanical polishing of the colloidal silica, there is a description that can be mirror-polished, no description of the surface roughness of the polished surface, there is no description of the polishing rate.

特許文献2及び特許文献3は、被研磨面及び研磨速度に問題がある。 Patent Documents 2 and 3, there is a problem with the surface to be polished and the polishing rate. 研磨布パッド上でコロイダルシリカを用いる化学機械研磨は、研磨速度が低い。 Chemical mechanical polishing using colloidal silica on a polishing cloth pad has a low polishing rate.

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、高い研磨速度で、被研磨面の表面粗度に優れたサファイア基板を作製することのできるサファイア基板用研磨液組成物を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of such problems, a high polishing rate, provides a polishing composition for a sapphire substrate capable of producing a sapphire substrate having excellent surface roughness of the polished surface it is an object of the present invention. また、該研磨液組成物を使用して、窒化物系半導体発光素子の製造に使用される、高性能で低コストのサファイア基板を製造するためのサファイア基板の研磨方法を提供する。 Further, by using the polishing composition is used for the production of nitride-based semiconductor light-emitting device, to provide a polishing method of the sapphire substrate for the production of low cost of the sapphire substrate with high performance.

本発明者は、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の少なくとも一方と、シリカ粒子、及び水を含有してなるサファイア基板用研磨液組成物を使用することにより、上記課題を解決しうることを見出した。 The present inventor has at least one of fluorine compounds having alkanolamine compounds and perfluoroalkyl group, by using silica particles, and a sapphire substrate polishing composition comprising water, solving the above problems it was found that that may be. すなわち、本発明によれば、サファイア基板を研磨する時に使用する以下のサファイア基板用研磨液組成物、及びサファイア基板の研磨方法が提供される。 That is, according to the present invention, the following polishing composition for a sapphire substrate, and a polishing method of the sapphire substrate to be used when polishing a sapphire substrate is provided.

[1] サファイア基板を研磨するときに使用され、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の両方と、シリカ粒子、及び水を含有してなり、(アルカノールアミン化合物)/(パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物)の重量比が、100〜400であり、前記シリカ粒子がコロイダルシリカであり、前記コロイダルシリカの含有量が5〜50重量%、前記コロイダルシリカの平均粒子径が10〜200nmであるサファイア基板用研磨液組成物。 [1] is used when polishing a sapphire substrate, and both the fluorine compound having an alkanolamine compound and a perfluoroalkyl group, and also contains silica particles, and water, (alkanolamine compound) / (perfluoro the weight ratio of the fluorine-based compound) having an alkyl group, 100 to 400 der is, the silica particles are colloidal silica, the content of the colloidal silica is 5-50 wt%, average particle diameter of the colloidal silica 10~200nm der Ru polishing composition for sapphire substrate.

] 前記アルカノールアミン化合物は、一般式(1)である前記[1 ]に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 [2] The alkanolamine compounds have the general formula (1) in which the sapphire substrate polishing composition according to [1].
(H) N[(CH OH] (1) (H) c N [(CH 2) a OH] b (1)
〔式中、aは2〜5のアルキレン基、bは1〜3、cは、0〜2、ただし、b+c=3〕 Wherein, a is 2-5 alkylene group, b is 1 to 3, c is 0 to 2, provided that, b + c = 3]

] 前記アルカノールアミン化合物が、2−ヒドロキシエチルアミン、2,2'−ジヒドロキシジエチルアミン、2,2',2''−トリヒドロキシトリエチルアミンから成る少なくとも1種の化合物を含有する前記[1] または ]に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 [3] The alkanolamine compounds, 2-hydroxyethyl amine, 2,2'-dihydroxy diethylamine, 2,2 ', 2' '- said containing at least one compound consisting of trihydroxy triethylamine [1] or [ sapphire substrate polishing composition according to 2].

] 前記パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物は、一般式(2)である前記[1]〜[ ]のいずれか記載のサファイア基板用研磨液組成物。 [4] The fluorine-based compound having a perfluoroalkyl group, said in formula (2) [1] to [3] sapphire substrate polishing liquid composition according to any one of.
CF (CF (CH X (2) CF 3 (CF 2) n ( CH 2) m X (2)
〔式中、nは3〜10、mは1〜3、Xはアミノ基、カルボン酸塩、アンモニウム塩、アミンオキサイド、ベタイン〕 Wherein, n represents 3 to 10, m is 1 to 3, X is an amino group, carboxylate, ammonium salt, amine oxides, betaines]

] 前記パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物が、パーフルオロアルキルアミノ酸塩、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロアルキルトリアルキルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルアミンオキシド、パーフルオロアルキルベタインからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含有する前記[1]〜[ ]のいずれかに記載のサファイア基板用研磨液組成物。 [5] a fluorine compound having a perfluoroalkyl group, perfluoroalkyl amino acids salts, perfluoroalkyl carboxylate salts, perfluoroalkyl trialkyl ammonium salts, perfluoroalkyl amine oxides, from the group consisting of perfluoroalkyl betaines It said containing at least one compound selected [1] to the polishing composition for a sapphire substrate according to any one of [4].

] pHが9.5以上11.5未満である前記[1]〜[ ]のいずれかに記載のサファイア基板用研磨液組成物。 [6] the pH is less than 9.5 to 11.5 [1] ~ sapphire substrate polishing slurry composition according to any one of [5].

] pHを9.5以上11.5未満に調節するアルカリ成分として、無機アルカリ化合物、有機アミンからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含有する前記[ ]に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 [7] pH as alkaline component is adjusted to less than 9.5 to 11.5, and inorganic alkali compound, for a sapphire substrate according to [6] which contains at least one compound selected from the group consisting of an organic amine polishing composition.

] 前記[1]〜[ ]のいずれかに記載のサファイア基板用研磨液組成物を、前記サファイア基板の研磨工程において研磨パッドに供給し、その研磨パッドを、単位荷重150〜500g/cm で前記サファイア基板に押し当てて研磨するサファイア基板の研磨方法。 [8] above [1] to the sapphire substrate for the polishing liquid composition of any crab described [7], and supplied to the polishing pad in the polishing process of the sapphire substrate, the polishing pad, the unit load 150~500G / the polishing method of the sapphire substrate to be polished by pressing the sapphire substrate in cm 2.

] 前記サファイア基板の前記研磨工程で前記研磨パッドを前記サファイア基板に押し当て研磨加工する際に、前記研磨パッドに供給する前記サファイア基板用研磨液組成物の温度を、20〜30℃とする前記[ ]に記載のサファイア基板の研磨方法。 [9] the polishing pad in the polishing process of the sapphire substrate when pressing polishing the sapphire substrate, the temperature of the sapphire substrate polishing composition supplied to the polishing pad, and 20 to 30 ° C. the polishing method of the sapphire substrate according to [8] to.

本発明のサファイア基板用研磨液組成物を用いることにより、高い研磨速度にて、被研磨面の表面粗度を低減し被研磨面に欠陥がない状態に仕上げることができる。 By using the sapphire substrate polishing composition of the present invention, it is possible to finish high in the polishing rate, the absence of defects on the polished surface to reduce the surface roughness of the polished surface. また、本発明のサファイア基板の研磨方法によれば、研磨速度を高くして良好に研磨することができるため、製造時間を短縮し、低コストで高性能のサファイア基板を製造することができる。 Further, according to the polishing method of the sapphire substrate of the present invention, it is possible to satisfactorily polished by increasing the polishing speed, it is possible to shorten the manufacturing time, to produce a high performance of the sapphire substrate at low cost.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。 Hereinafter, with reference to the drawings, embodiments of the present invention will be described. 本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、変更、修正、改良を加え得るものである。 The present invention is not limited to the following embodiments, without departing from the scope of the invention, changes, modifications, those and improvements may be made.

本発明のサファイア基板用研磨液組成物は、サファイア基板を研磨するときに使用され、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の少なくとも一方と、シリカ粒子、及び水を含有してなる。 Sapphire substrate polishing composition of the present invention is used to polish the sapphire substrate, comprising at least one of fluorine compounds having alkanolamine compounds and perfluoroalkyl group, the silica particles, and water .

ここで、シリカ粒子としては、特に限定されるものではないが、例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、湿式合成シリカからなる群より選ばれる1種又は2種以上が挙げられる。 Here, the silica particles is not particularly limited, for example, colloidal silica, fumed silica, one or more can be mentioned is selected from the group consisting of wet synthetic silica. そのうちコロイダルシリカが好ましい。 Among them colloidal silica is preferred. サファイア基板用研磨液組成物中のコロイダルシリカの含有量は、5重量%未満では研磨速度が低下することがあり、50重量%を超えると研磨速度は向上するが表面品質が低下することがあるから、5〜50重量%の範囲が好ましい。 The content of the colloidal silica in the polishing composition for a sapphire substrate, is less than 5 wt% may be the polishing rate decreases, sometimes although polishing rate exceeds 50 wt% improved to decrease surface quality from preferably in the range of 5 to 50 wt%. より好ましくは10〜40重量%である。 More preferably from 10 to 40 wt%. さらに好ましくは12〜25%である。 More preferably 12 to 25%.

シリカ粒子の平均粒子径は、10nm未満では研磨速度が低下し、200nmを超えると研磨される被研磨面の表面粗度が必ずしも良好でなくなることから、10〜200nmの範囲であることが好ましく、30〜100nmがより好ましい。 The average particle size of the silica particles is less than 10nm reduced polishing rate, since the surface roughness of the polished surface to be polished exceeds 200nm is not necessarily good, it is preferably in the range of 10 to 200 nm, 30~100nm is more preferable. さらに好ましくは、40〜80nmの範囲である。 More preferably, in the range of 40 to 80 nm.

本明細書で平均粒子径とは、コロイダルシリカの場合は、周知のシアーズ滴定法によって測定された値である。 The average particle diameter in the present specification, the case of colloidal silica, is a value measured by a known Sears titration method. シアーズ滴定法とは、アナリティカル・ケミストリ(ANALYTICAL CHEMISTRY)第28巻第12号(1956年12月)第1981頁に説明されているように水酸化ナトリウムを用いた滴定による比表面積から換算される粒子径の測定方法である。 The Sears titration method, is converted from Analytical Chemistry (ANALYTICAL CHEMISTRY) specific surface area by Vol.28, No. 12 (December 1956) titration with sodium hydroxide as described in the 1981 pages it is a method for measuring particle size. また、ヒュームドシリカや湿式合成シリカの平均粒子径(Dp)は、下記の換算式を用いて、BET法比表面積の値(Sa)から算出する。 The average particle diameter of the fumed silica or wet synthetic silica (Dp), using the conversion formula is calculated from the value of the BET specific surface area (Sa).
Dp=6000/ρ・Sa Dp = 6000 / ρ · Sa
(但し、Dp:平均粒子径(nm)、Sa:BET法比表面積(m /g)、ρ:比重(g/cm )) (However, Dp: Mean particle diameter (nm), Sa: BET method specific surface area (m 2 / g), ρ : specific gravity (g / cm 3))

アルカノールアミン化合物としては、一般式(1)のものを使用することができる。 The alkanolamine compounds can be used of the general formula (1).
(H) N[(CH OH] (1) (H) c N [(CH 2) a OH] b (1)
〔式中、aは2〜5のアルキレン基、bは1〜3、cは、0〜2、ただし、b+c=3〕 Wherein, a is 2-5 alkylene group, b is 1 to 3, c is 0 to 2, provided that, b + c = 3]

一般式(1)で表されるアルカノールアミン化合物(以下、化合物(1)という)において、aは、鎖状の炭素数2〜5のアルキレン基を示す。 Formula (1) alkanol amine compound represented by (hereinafter, Compound (1) hereinafter) in, a is shown a chain alkylene group having 2 to 5 carbon atoms. アルキレン基の炭素数は、研磨速度、基板の被研磨面の表面粗度の向上の観点から、2以上であり、また、化合物(1)の塩基度の観点から5以下が好ましい。 Number of carbon atoms in the alkylene group, the polishing rate, in terms of improving the surface roughness of the polished surface of the substrate is 2 or more, preferably 5 or less from the viewpoint of basicity of the compound (1). 具体的には、2−ヒドロキシエチルアミン、2,2'−ジヒドロキシジエチルアミン、2,2'−ジヒドロキシジプロピルアミン、2,2'−ジヒドロキシジブチルアミン、2,2'−ジヒドロキシジペンチルアミン、2,2'−ジヒドロキシジヘキシルアミン2,2',2''−トリヒドロキシトリエチルアミン、2,2',2''−トリヒドロキシトリプロピルアミン、2,2',2''−トリヒドロキシトリブチルアミン、2,2',2''−トリヒドロキシトリペンチルアミン、2,2',2''−トリヒドロキシトリヘキシルアミン等が挙げられる。 Specifically, 2-hydroxyethylamine, 2,2'-dihydroxy diethylamine, 2,2'-dihydroxy-dipropylamine, 2,2'-dihydroxy-dibutyl amine, 2,2'-dihydroxy dipentylamine, 2,2 ' - dihydroxydihexyl amine 2,2 ', 2' '- trihydroxy triethylamine, 2,2', 2 '' - trihydroxy tripropylamine, 2,2 ', 2' '- trihydroxy tributylamine, 2,2' , 2 '' - trihydroxy tripentylamine, 2,2 ', 2' '- trihydroxy trihexylamine and the like. これらの成分は単独で又は2種以上を混合して使用してもよい。 These components may be used alone or in admixture of two or more thereof.

また、アルカノールアミン化合物の含有量は、研磨速度の向上、被研磨面の表面粗度の向上、及び経済性の観点から、好ましくはサファイア基板用研磨液組成物中に0.1〜20重量%、より好ましくは0.5〜10重量%、さらに好ましくは1〜5重量%の範囲である。 The content of alkanol amine compound, improvement of the polishing rate, improve the surface roughness of the polished surface, and from the viewpoint of economy, preferably from 0.1 to 20 wt% in the polishing composition for a sapphire substrate , more preferably from 0.5 to 10 wt%, more preferably in the range of 1 to 5 wt%.

パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物としては、一般式(2)のものを利用することができる。 The fluorine-based compound having a perfluoroalkyl group, can be utilized the general formula (2).
CF (CF (CH X (2) CF 3 (CF 2) n ( CH 2) m X (2)
〔式中、nは3〜10、mは1〜3、Xはアミノ基、カルボン酸塩、アンモニウム塩、アミンオキサイド、ベタイン〕 Wherein, n represents 3 to 10, m is 1 to 3, X is an amino group, carboxylate, ammonium salt, amine oxides, betaines]

一般式(2)で表されるパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物(以下、化合物(2)という)において、nは鎖上の炭素数3〜10のフルオロエチル基を示す。 Fluorine compounds having a perfluoroalkyl group represented by the general formula (2) (hereinafter, compound (2) hereinafter) in, n represents shows the fluoroethyl group having 3 to 10 carbon atoms in the chain. フルオロエチル基の炭素数は、研磨速度の観点から、3以上であり、化合物(2)の水への溶解速度、気泡性の観点から10以下が好ましい。 The number of carbon atoms of fluoroethyl group, from the viewpoint of polishing rate, is 3 or more, the dissolution rate in water of the compound (2), preferably 10 or less from the viewpoint of foaming. mは、アルキレン基の炭素数を示す。 m indicates the number of carbon atoms of the alkylene group. アルキレン基の炭素数はパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の合成の観点から1〜3が好ましい。 The number of carbon atoms in the alkylene group is 1 to 3 from the viewpoint of synthesis of a fluorine compound having a perfluoroalkyl group is preferred. Xは、アミノ基、カルボン酸塩、アンモニウム塩、アミンオキシド、ベタインである。 X is an amino group, carboxylate, ammonium salt, amine oxides, betaines.

パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の含有量は、研磨速度の向上、被研磨面の表面粗度の向上、及び経済性の観点から、サファイア基板用研磨液組成物中に0.0001〜2重量%が好ましく、より好ましくは0.0005〜1重量%、さらに好ましくは、0.001〜0.1重量%、さらにより好ましくは0.005〜0.01重量%である。 The content of fluorine compounds having a perfluoroalkyl group, improvement of the polishing rate, improve the surface roughness of the polished surface, and from the viewpoint of economy, the polishing composition for a sapphire substrate 0.0001 preferably wt%, more preferably 0.0005 wt%, more preferably 0.001 to 0.1 wt%, still more preferably from 0.005 to 0.01 wt%.

本発明のサファイア基板用研磨液組成物は、アルカノールアミン化合物と、パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物との少なくとも一方を含有する。 Sapphire substrate polishing composition of the present invention contains at least one of the fluorine-based compound having a alkanolamine compound, a perfluoroalkyl group. アルカノールアミン化合物は、サファイア基板上のサファイア研磨屑を捕捉しサファイア研磨屑のサファイア基板上からの排出速度を向上させたり、コロイダルシリカの分散性を向上させたりし、これらの効果により研磨速度の向上、被研磨面の表面粗度の低減に寄与するものと推察される。 Alkanolamine compound or increase the discharge speed of the sapphire polishing debris on the sapphire substrate from the captured sapphire polishing debris of the sapphire substrate, or to improve the dispersibility of the colloidal silica, the improvement of the polishing rate by these effects It is inferred to contribute to the reduction of the surface roughness of the polished surface. パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物は、サファイア基板の表面と研磨パッドとの摩擦抵抗の低減に寄与すると推察される。 Fluorine compounds having a perfluoroalkyl group is presumed to contribute to the reduction of frictional resistance between the surface of the sapphire substrate and the polishing pad.

しかしながら、アルカノールアミン化合物のみでは、サファイア研磨基板と研磨パッドとの摩擦抵抗で、サファイア研磨液組成物の両者間隙への循環性が充分でなく、アルカノールアミン化合物の作用が効果的と言えない。 However, with only the alkanolamine compound, in the frictional resistance between the sapphire polished substrate and the polishing pad, is not sufficient circulation of the two gap sapphire polishing composition, the effect of alkanolamine compounds can not be said effective. そこでアルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物とを組み合わせた場合、パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物のパーフルオロアルキル基がサファイア基板の表面と研磨パッドとの摩擦抵抗を低減し、サファイア研磨液組成物の両者間隙への循環性が改善されることにより研磨速度が向上し、サファイア基板の被研磨面の表面粗度も低減するものと考えられる。 So if a combination of a fluorine compound having an alkanolamine compound and perfluoroalkyl group, a perfluoroalkyl group of fluorine compounds having a perfluoroalkyl group is reduced frictional resistance between the polishing pad and the surface of the sapphire substrate, polishing rate is improved by the circulation of the two gap sapphire polishing composition is improved, the surface roughness of the polished surface of the sapphire substrate is also believed to reduce.

また、研磨液組成物には、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の少なくとも一方を配合することにより、研磨速度を向上させ、表面粗度を低減させることが可能であるが、これらを組み合わせることが好ましく、好ましいアルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有する含有比率(アルカノールアミン化合物/パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物(重量比))は、コロイダル粒子の平均粒子径、研磨液組成中のコロイダルシリカ濃度に関係する。 Further, the polishing composition, by blending at least one of fluorine compounds having alkanolamine compounds and perfluoroalkyl group, the polishing rate is improved, it is possible to reduce surface roughness, it is preferable to combine these, content ratio with preferred alkanolamine compounds and perfluoroalkyl group (alkanolamine compound / fluorine compound having a perfluoroalkyl group (weight ratio)) has an average particle diameter of the colloidal particles, the polishing liquid related to the colloidal silica concentration in the composition. これらの効果を充分に発現させる観点から、アルカノールアミン化合物/パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物(重量比)は、100〜400が好ましい。 These effects from the viewpoint of sufficiently expressed, fluorine-based compound having alkanolamine compound / perfluoroalkyl group (weight ratio), 100 to 400 are preferred.

さらに、コロイダル粒子の平均粒子径が8nm、15nmの研磨液組成物、及びコロイダル粒子の平均粒子径が80nmの研磨液組成物のアルカノール化合物/パーフルオロアルキル基を有するフッソ系化合物(重量比)は、100〜200がより好ましい。 Further, the average particle diameter is 8nm colloidal particles, the polishing composition of 15 nm, and a fluorine-based compound having an average particle size of the colloidal particles have a alkanol compound / perfluoroalkyl group polishing composition of 80 nm (weight ratio) , 100 to 200 is more preferable. コロイダル粒子の平均粒子径が40nmの研磨液組成物は、研磨液組成物中のコロイダルシリカ濃度が20%より低い場合は、200〜400が好ましい。 Average particle diameter of the polishing composition of 40nm colloidal particles, if the colloidal silica concentration of the polishing composition is less than 20%, preferably 200 to 400. コロイダルシリカ濃度が25%より高い場合は、100〜200が好ましい。 If the colloidal silica concentration is higher than 25%, 100-200 is preferred.

本発明のサファイア基板用研磨液組成物に用いられる水としては、蒸留水、イオン交換水等が挙げられる。 The water used in the sapphire substrate for the polishing composition of the present invention, distilled water, and ion-exchange water or the like. サファイア基板の表面洗浄性を考慮するとイオン交換水が好ましい。 Consider the surface cleaning of the sapphire substrate and the ion exchange water is preferred. その含有量はサファイア基板を研磨するうえで各種の含有成分が適切な濃度になると共に適切な粘度となるように定めればよい。 Its content may be determined so that suitable viscosity together with various content components in order to polish the sapphire substrate becomes appropriate concentration. サファイア基板用研磨液組成物中の水の含有量としては、60〜90重量%が好ましい。 The content of water in the polishing composition for the sapphire substrate, preferably 60 to 90 wt%. なお、本発明サファイア基板用研磨液組成物は、サファイア基板を研磨するのに適する濃度に調製したものを製造してもよいが、濃厚液として製造したものを使用時に適切な濃度に調整してもよい。 The polishing liquid composition for the present invention a sapphire substrate, may be produced that prepared to a concentration suitable for grinding sapphire substrate, but to adjust to the appropriate concentration at the time of use those produced as a concentrated solution it may be.

本発明のサファイア基板用研磨液組成物のpHは、9.5以上11.5未満の範囲に調製することが好ましいが、このpHの数値範囲は研磨されるサファイア基板の研磨速度、被研磨面の特性のほか、サファイア基板用研磨液組成物の安定性の観点から決定したものである。 pH of the sapphire substrate for the polishing composition of the present invention is preferably prepared in the range of less than 9.5 to 11.5, the polishing rate, the polished surface of the sapphire substrate the numerical range of the pH is to be polished in addition to the properties, it is those determined from the viewpoint of stability for the sapphire substrate polishing composition. 該pHは、必要によりアンモニア、無機アルカリ化合物(水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等)、有機アミン等の塩基性物質を、pHを調節するアルカリ成分として、適宜、所望量で配合することで調製することができる。 The pH, ammonia necessary, inorganic alkali compound (sodium hydroxide, potassium hydroxide, etc.), a basic substance such as organic amines, as alkaline component to adjust the pH, as appropriate, are prepared by blending the desired amount be able to.

本発明のサファイア基板用研磨液組成物は、必要に応じて、通常のこの種の基板用研磨液組成物に含まれる成分を含有していてもよい。 Sapphire substrate polishing composition of the present invention, if necessary, component may contain contained in normal substrate for the polishing composition of this kind. そのような成分としては、界面活性剤、清浄剤、防錆剤、表面改質剤、粘度調製剤、抗菌剤、分散剤などが挙げられる。 Such ingredients include surfactants, detergents, rust inhibitors, surface modifiers, viscosity modifier, an antimicrobial agent, dispersants, and the like.

本発明のサファイア基板用研磨液組成物は、片面及び両面研磨機でサファイア基板を研磨する際に用いることができる。 Sapphire substrate polishing composition of the present invention can be used when polishing a sapphire substrate on one side and double-side polishing machine. 例えば、片面研磨機として、回転テーブルに研磨パッドを貼り合わせた定盤と、下面にサファイア基板を吸着保持して定盤の研磨面にそのサファイア基板を押し付けるように定盤の上方に回転可能且つ上下動可能に設けられた保持装置と、を備えたものを使用することができる。 For example, a single-side polishing machine, the platen was attached to a polishing pad on the turntable, rotatably sapphire substrate on the lower surface to the upper surface plate so as to press the sapphire substrate to the polishing surface of the platen to hold adsorbed and it can be used those with a holding device which is vertically movable. この場合には、この研磨パッドに本発明のサファイア基板用研磨液組成物を供給しながら、保持装置に吸着保持されたサファイア基板を所定の単位荷重で研磨パッドに押し付けて研磨を行う。 In this case, while supplying the sapphire substrate polishing composition of the present invention, the polishing against the polishing pad sapphire substrate sucked and held by the holding device in a predetermined unit load carried on the polishing pad. 研磨パッドは、ウレタンタイプ、スウェードタイプ、不織布タイプ、その他いずれのタイプも使用することができる。 Polishing pad can be a urethane type, suede type, a nonwoven fabric type, other either type to use. 本発明のサファイア基板用研磨液組成物は、第1研磨(ラッピング)、第2研磨(仕上げ研磨、ポリシング)のいずれも使用することが出来る。 Sapphire substrate polishing composition of the present invention, the first polishing (lapping), the second polishing (final polishing, polishing) can be any of the use. 本発明のサファイア基板用研磨液組成物を使用すれば、研磨速度を高くして、被研磨面にスクラッチ、ピットが無く、被研磨面の表面粗度に優れた鏡面研磨をすることができる。 With sapphire substrate polishing composition of the present invention, by increasing the polishing rate, scratches on the polished surface, pit without, it is possible to mirror polishing with excellent surface roughness of the polished surface.

本発明は、サファイア基板の研磨方法にも関する。 The present invention also relates to a method of polishing a sapphire substrate. 上記に記載した本発明のサファイア基板用研磨液組成物を用いてサファイア基板を研磨することにより、研磨速度を高くして、被研磨面にスクラッチ、ピットが無く、被研磨面の表面粗度に優れた基板を製造することができる。 By polishing the sapphire substrate using a sapphire substrate for the polishing composition of the present invention described above, by increasing the polishing rate, scratches on the polished surface, pits without the surface roughness of the polished surface it is possible to manufacture an excellent substrate. 具体的には、研磨パッドを貼り付けた定盤の研磨パット上から、保持装置にて保持したサファイア基板を押し付け、本発明のサファイア基板用研磨液組成物が供給される研磨パッドによる研磨圧力がサファイア基板1cm 当たり150〜500g/cm となるようにして、研磨定盤とサファイア基板を動かして研磨する。 Specifically, from the polishing pad surface plate pasted a polishing pad, pressing the sapphire substrate held by the holding device, the polishing pressure with the polishing pad for a sapphire substrate polishing composition of the present invention is supplied as a sapphire substrate 1 cm 2 per 150~500g / cm 2, is polished by moving the polishing plate and the sapphire substrate.

本発明の研磨方法で、研磨圧力とは、研磨時にサファイア被研磨基板の研磨面に加えられる研磨定盤の圧力である。 In the polishing method of the present invention, the polishing pressure is the pressure of the polishing platen to be added to the polishing surface of the sapphire substrate to be polished during polishing. 研磨圧力が150g/cm 未満であると、研磨速度が低く、500g/cm を超えると被研磨面の表面粗度に影響する。 When polishing pressure is less than 150 g / cm 2, the polishing rate low, affecting the surface roughness of the polished surface exceeds 500 g / cm 2. 好ましくは、200〜400g/cm である。 Preferably, a 200 to 400 g / cm 2.

また、研磨工程で研磨パッドをサファイア基板に押し当て研磨加工する際に、研磨パッドに供給するサファイア基板用研磨液組成物の温度は、20〜30℃とすることが好ましい。 The temperature of the polishing a polishing pad during the polishing pressed against the sapphire substrate in the step, the polishing composition for a sapphire substrate is supplied to the polishing pad is preferably set to 20 to 30 ° C.. サファイア基板の表面の研磨は、サファイアの加水分解で進行すると考えられる。 Polishing the surface of the sapphire substrate is believed to proceed in sapphire hydrolysis. 酸化アルミニウムから水酸化アルミニウムへの反応であるから、加水分解温度が高いほど、反応速度は、高くなる。 Since the reaction of aluminum oxide to aluminum hydroxide, as the hydrolysis temperature is high, the reaction rate is higher. このため、研磨液組成物の温度は、20℃以上が好ましく、20℃未満では、研磨速度が遅くなる。 Therefore, the temperature of the polishing composition is preferably at least 20 ° C., is less than 20 ° C., the polishing rate becomes slow. つまり、研磨液組成物の温度は、高いほど好ましい。 That is, the temperature of the polishing composition, preferably as high as possible. 但し、研磨液組成物の温度が30℃を超えると、コロイダルシリカの凝集、ゲル化の発生の恐れがあり、35℃を超えると著しく安定性が悪くなる。 However, if it exceeds the temperature 30 ° C. of the polishing composition, aggregation of colloidal silica, there is a risk of occurrence of gelation, significantly stability is deteriorated when it exceeds 35 ° C.. また、研磨液組成物の温度が30℃を超えると、研磨パット上の研磨液組成物から水の蒸発が起こり、研磨液組成物の濃度が高くなり、不安定になる。 In addition, when the temperature of the polishing composition is more than 30 ° C., occurs the evaporation of water from the polishing composition on the polishing pad, the concentration of the polishing composition increases, becomes unstable. また、サファイア基板の熱による歪みの問題がある。 In addition, there is a distortion of the problems caused by the sapphire substrate heat. したがって、研磨液組成物は、20℃〜30℃になるようにチラー等を使用して調整し、それを研磨パッドに供給して研磨工程を行うことが好ましい。 Accordingly, the polishing solution composition was adjusted using chiller or the like to be 20 ° C. to 30 ° C., it is preferable to perform the polishing process by supplying it to the polishing pad.

以上のように、本発明のサファイア基板用研磨液組成物を用いることにより、従来よりも研磨速度を向上させることができる。 As described above, by using a sapphire substrate for the polishing composition of the present invention, it is possible than the conventional improving the polishing rate. そして、従来よりも表面粗度を低減させ、高品質のサファイア基板を製造することができる。 Then, to reduce the surface roughness than conventionally, it is possible to produce a high quality sapphire substrate.

次に、本発明のサファイア基板用研磨液組成物を、実施例を用いて具体的に説明する。 Next, the sapphire substrate polishing composition of the present invention will be specifically described with reference to examples. なお、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものでなく、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の態様で実施できることはいうまでもない。 The present invention is not in any way limited to the following Examples, within the technical scope of the present invention, it goes without saying that practiced in various forms.

(実施例1〜 14 、参考例1〜 、比較例1〜4) (Example 1-14, Example 1-8, Comparative Example 1-4)
表3に示すコロイダルシリカと、表4に示すアルカノールアミン化合物と、表5に示すパーフルオロアルキルフッ素化合物と、表6に示すアルカリ性化合物と、純水(残部)とを混合、攪拌し、表1、2に示す組成からなる研磨液組成物(実施例1〜 14 、参考例1〜 、比較例1〜4)を得た。 Colloidal silica shown in Table 3, mixed with alkanolamine compounds shown in Table 4, a perfluoroalkyl fluorine compounds shown in Table 5, and the alkaline compound shown in Table 6, and pure water (the balance), and stirred, Table 1 , the polishing composition having the composition shown in 2 (example 1-14, example 1-8, Comparative example 1-4) was obtained.

なお、コロイダルシリカの粒径と累積%の関係において、累積50%におけるコロイダルシリカの粒子径をD 50 (コロイダルシリカの平均粒子径)と表す。 Note that in the cumulative percent relationship between the particle diameter of the colloidal silica, expressed as the particle size of the colloidal silica in a cumulative 50% D 50 (average particle size of colloidal silica).

得られた研磨液組成物を用い、以下の研磨条件で片面研磨加工機を用いて研磨した。 Using the obtained polishing composition were polished with single-side polishing machine under the following polishing conditions.

(研磨条件) (Polishing conditions)
研磨加工機:不二越機械(株)製 SLM−100 片面研磨加工機 研磨圧力:250g/cm ,350g/cm Polishing machine: Fujikoshi Machinery Corp. SLM-100 single-side polishing machine polishing pressure: 250g / cm 2, 350g / cm 2
研磨パッド:SUBA−800(ロデールニッタ(株)社製) Polishing pad: SUBA-800 (Rodel Nitta Co., Ltd.)
定盤回転数:60rpm Platen rotational speed: 60rpm
研磨液組成物の供給量:100ml/min Supply amount of the polishing composition: 100 ml / min
研磨時間:60分間 Polishing time: 60 minutes

(被研磨面の特性評価) (Evaluation of the surface to be polished)
被研磨面の特性評価は、研磨速度、表面粗度(表面粗さ(Ra))、スクラッチ・傷の有無の3項目について行った。 Characterization of the surface to be polished, the polishing rate, the surface roughness (surface roughness (Ra)), were performed on three items of the presence or absence of scratch wounds. 研磨速度は、下記(式1)式により求めた。 The polishing rate was determined by the following equation (1) below. また、表面粗さ(Ra)は、算術平均粗さであり、光干渉式非接触3次元表面形状計測装置であるZYGO NEW VIEW(ザイゴ社)を用いて測定した。 The surface roughness (Ra) is the arithmetic average roughness was measured using a an optical interference type non-contact three-dimensional surface shape measurement apparatus ZYGO NEW VIEW (Zygo Corporation). この測定は、0.08mm以上の周波数をカットして行った。 This measurement was carried out by cutting the frequency of more than 0.08mm. スクラッチ・傷の有無は、光学顕微鏡を用い、倍率200倍で調べた。 The presence or absence of scratch wound, using an optical microscope were examined at a magnification of 200 times. 各実施例、各比較例の評価結果を表7に示す。 Each example, the evaluation results of Comparative Examples are shown in Table 7.

研磨速度(μm/min)=(サファイア基板の研磨前重量−サファイア基板の研磨後重量)(g)÷サファイア基板の研磨面積(cm )÷サファイア基板の比重(g/cm )÷研磨時間(min) ・・・(式1) Polishing rate (μm / min) = (before polishing weight of the sapphire substrate - weight after polishing of sapphire substrate) (g) ÷ polishing area of the sapphire substrate (cm 2) ÷ sapphire substrate specific gravity (g / cm 3) ÷ polishing time (min) ··· (equation 1)

アルカノールアミン化合物と、パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物との少なくとも一方を含有することにより、研磨速度が向上させ、サファイア基板の被研磨面の表面粗度を低減させることができた。 And alkanolamine compounds, by containing at least one of the fluorine compounds having a perfluoroalkyl group, the polishing rate is improved, it was possible to reduce the surface roughness of the polished surface of the sapphire substrate. また、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物とを組み合わせた場合、さらに効果的である傾向を示した。 Further, when a combination of a fluorine compound having an alkanolamine compound and perfluoroalkyl group shows a tendency to be more effective.

しかし、コロイダルシリカの平均粒子径、コロイダルシリカ濃度、アルカノールアミンの種類と濃度、パーフルオロアルキル基を有するフッ素化合物の種類と濃度、研磨液組成物のpHの要因が作用し、研磨機構は複雑である。 However, the average particle diameter, the colloidal silica concentration of the colloidal silica, the type and concentration of the alkanolamine, type and concentration of the fluorine compound having a perfluoroalkyl group, acts factors pH of the polishing composition, the polishing mechanism is complex is there. 例えば、実施例10〜11では、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物とを組み合わせているが、一方のみの実施例よりも表面粗度の低減効果は、低かった。 For example, in Example 10-11, but a combination of a fluorine compound having an alkanolamine compound and perfluoroalkyl group, the effect of reducing the surface roughness than the embodiment of only one was low. これは、一般にコロイダルシリカの平均粒子径が大きくなるほど、研磨粗度は、悪くなる傾向にあるためだと考えられる。 This is generally the more the average particle diameter of the colloidal silica is large, the polishing roughness is considered to be because there is a tendency to deteriorate. 実施例10〜11のコロイダルシリカの平均粒子径は、80nmであり、参考例のコロイダルシリカの平均粒子径は、40nmで、コロイダルシリカの濃度は、10〜20重量%である。 The average particle diameter of the colloidal silica of Example 10-11 is 80 nm, the average particle diameter of the colloidal silica of Reference Example 6-8, at 40 nm, the concentration of the colloidal silica is 10 to 20 wt%. コロイダルシリカの作用で、機械的研磨力が化学的研磨力よりも大きく、表面粗度がやや悪くなる傾向にあると考えられる。 By the action of the colloidal silica, the mechanical polishing force is greater than the chemical polishing force, the surface roughness is considered to be slightly inferior tends.

しかしながら表7に示したように、実施例1〜 14 、参考例1〜 は、従来例(比較例1)及び比較例2〜4に比較し、研磨速度、表面粗度及びスクラッチ・傷の特性は、全て良好であり優れている。 However, as shown in Table 7, Examples 1-14, Reference Example 1 to 8, compared with the conventional example (Comparative Example 1) and Comparative Example 2-4, the polishing rate, the surface roughness and scratch wounds properties are all a good good. つまり、本発明のサファイア基板用研磨液組成物によれば、従来の研磨液組成物に比較し、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素化合物の相乗効果により、機械的研磨作用と化学的研磨作用の相互作用で、研磨速度が改善され、被研磨面の表面粗度を低減し、スクラッチ・傷の無い優れた品質の研磨面が得られる。 That is, according to the sapphire substrate for the polishing composition of the present invention, compared with the conventional polishing composition, a synergistic effect of the fluorine compound having an alkanolamine compound and perfluoroalkyl group, the mechanical polishing action and chemical interaction of the polishing action improves the polishing rate, and reduce the surface roughness of the polished surface, excellent polishing surface quality without scratch flaw can be obtained. なお、本発明は、実施例に用いたアルカノールアミン化合物、パーフルオロアルキル基を有するフッ素化合物に限定されるものでない。 The present invention is an alkanolamine compounds used in Examples, not intended to be limited to the fluorine compound having a perfluoroalkyl group.

本発明のサファイア基板用研磨液組成物、及びサファイア基板の研磨方法は、例えば、窒化物系半導体発光素子のエピタキシャル膜成長用の基板として用いられるサファイア基板の研磨に利用することができる。 The polishing method of the sapphire substrate for a polishing composition, and the sapphire substrate of the present invention, for example, can be used for polishing sapphire substrate used as a substrate for epitaxial film growth of the nitride-based semiconductor light-emitting device.

Claims (9)

  1. サファイア基板を研磨するときに使用され、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の両方と、シリカ粒子、及び水を含有してなり、 Is used when polishing a sapphire substrate, and also contains the both fluorine compound having an alkanolamine compound and perfluoroalkyl group, the silica particles, and water,
    (アルカノールアミン化合物)/(パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物)の重量比が、100〜400であり、 The weight ratio of (alkanolamine compound) / (fluorine-based compound having a perfluoroalkyl group) is, Ri 100-400 der,
    前記シリカ粒子がコロイダルシリカであり、前記コロイダルシリカの含有量が5〜50重量%、前記コロイダルシリカの平均粒子径が10〜200nmであるサファイア基板用研磨液組成物。 The silica particles are colloidal silica, the content of 5 to 50% by weight of the colloidal silica, the average particle diameter of the polishing composition for a sapphire substrate Ru 10~200nm der of the colloidal silica.
  2. 前記アルカノールアミン化合物は、一般式(1)である請求項1に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 The alkanolamine compounds have the general formula (1) sapphire substrate polishing slurry composition according to claim 1 is.
    (H) N[(CH OH] (1) (H) c N [(CH 2) a OH] b (1)
    〔式中、aは2〜5のアルキレン基、bは1〜3、cは、0〜2、ただし、b+c=3〕 Wherein, a is 2-5 alkylene group, b is 1 to 3, c is 0 to 2, provided that, b + c = 3]
  3. 前記アルカノールアミン化合物が、2−ヒドロキシエチルアミン、2,2'−ジヒドロキシジエチルアミン、2,2',2''−トリヒドロキシトリエチルアミンから成る少なくとも1種の化合物を含有する請求項1 または2に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 The alkanolamine compounds, 2-hydroxyethyl amine, 2,2'-dihydroxy diethylamine, 2,2 ', 2' '- Sapphire of claim 1 or 2 containing at least one compound consisting of trihydroxy triethylamine polishing composition for a substrate.
  4. 前記パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物は、一般式(2)である請求項1〜 のいずれか1項に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 The fluorine compounds having a perfluoroalkyl group of the general formula (2) in which claim 1 sapphire substrate polishing composition according to any one of 3.
    CF (CF (CH X (2) CF 3 (CF 2) n ( CH 2) m X (2)
    〔式中、nは3〜10、mは1〜3、Xはアミノ基、カルボン酸塩、アンモニウム塩、アミンオキサイド、ベタイン〕 Wherein, n represents 3 to 10, m is 1 to 3, X is an amino group, carboxylate, ammonium salt, amine oxides, betaines]
  5. 前記パーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物が、パーフルオロアルキルアミノ酸塩、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロアルキルトリアルキルアンモニウム塩、パーフルオロアルキルアミンオキシド、パーフルオロアルキルベタインからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含有する請求項1〜 のいずれか1項に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 Fluorine-based compound having a perfluoroalkyl group, perfluoroalkyl amino acids salts, perfluoroalkyl carboxylate salts, perfluoroalkyl trialkyl ammonium salts, perfluoroalkyl amine oxides, at least selected from the group consisting of perfluoroalkyl betaines one compound containing claim 1 or a sapphire substrate polishing composition according to one of 4.
  6. pHが9.5以上11.5未満である請求項1〜 のいずれか1項に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 pH sapphire substrate polishing liquid composition according to any one of claims 1 to 5 which is less than 9.5 to 11.5.
  7. pHを9.5以上11.5未満に調節するアルカリ成分として、無機アルカリ化合物、有機アミンからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含有する請求項に記載のサファイア基板用研磨液組成物。 As alkaline component to adjust the pH to less than 9.5 to 11.5, an inorganic alkali compound, sapphire substrate polishing composition of claim 6 which contains at least one compound selected from the group consisting of an organic amine .
  8. 請求項1〜 のいずれか1項に記載のサファイア基板用研磨液組成物を、前記サファイア基板の研磨工程において研磨パッドに供給し、その研磨パッドを、単位荷重150〜500g/cm で前記サファイア基板に押し当てて研磨するサファイア基板の研磨方法。 Claims 1-7 for the sapphire substrate polishing composition according to any one of, and supplied to the polishing pad in the polishing process of the sapphire substrate, the polishing pad, wherein the unit load 150~500g / cm 2 the polishing method of the sapphire substrate to be polished by pressing the sapphire substrate.
  9. 前記サファイア基板の前記研磨工程で前記研磨パッドを前記サファイア基板に押し当て研磨加工する際に、前記研磨パッドに供給する前記サファイア基板用研磨液組成物の温度を、20〜30℃とする請求項に記載のサファイア基板の研磨方法。 Claim wherein the polishing pad in the polishing process of the sapphire substrate when polishing pressed against the sapphire substrate, the temperature of the sapphire substrate polishing composition supplied to the polishing pad, and 20 to 30 ° C. the polishing method of the sapphire substrate according to 8.
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