JP5368022B2 - Solar cells - Google Patents

Solar cells Download PDF

Info

Publication number
JP5368022B2
JP5368022B2 JP2008185955A JP2008185955A JP5368022B2 JP 5368022 B2 JP5368022 B2 JP 5368022B2 JP 2008185955 A JP2008185955 A JP 2008185955A JP 2008185955 A JP2008185955 A JP 2008185955A JP 5368022 B2 JP5368022 B2 JP 5368022B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
bus bar
bar electrode
solar cell
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008185955A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010027778A (en
Inventor
武紀 渡部
寛之 大塚
直揮 石川
Original Assignee
信越化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越化学工業株式会社 filed Critical 信越化学工業株式会社
Priority to JP2008185955A priority Critical patent/JP5368022B2/en
Publication of JP2010027778A publication Critical patent/JP2010027778A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5368022B2 publication Critical patent/JP5368022B2/en
Application status is Active legal-status Critical
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433Particular geometry of the grid contacts
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell which ensures an improved aspect ratio, high efficiency, and cost reduction without causing a bus bar electrode to be peeled off from a substrate or wiring even when an electrode layer is laminated. <P>SOLUTION: The solar cell comprises at least a semiconductor substrate having a pn junction formed, a finger electrode formed in a comb shape on at least one surface of the semiconductor substrate, and the bus bar electrode connected to the finger electrode, wherein the bus bar electrode has a pattern having an opening portion in the electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明はフィンガー電極とバスバー電極を具備する太陽電池に関する。 The present invention relates to a solar cell having a finger electrode and a bus bar electrode.

太陽電池には、一般的に、PN接合が形成された半導体基板の受光面上に、その半導体基板から電力を取り出すための櫛歯状のフィンガー電極と、そのフィンガー電極に接続して電力を取り出すバスバー電極とが、集電電極として形成される。 The solar cell, in general, on the light receiving surface of the semiconductor substrate PN junction is formed, and the comb-like finger electrode to take out a power from the semiconductor substrate, draws power connected to the finger electrode and the bus bar electrode is formed as a collecting electrode.

単結晶や多結晶シリコン基板を用いた量産用太陽電池の平面図と、電極部の拡大図を図4に示す。 And a plan view of the production for a solar cell using single crystal or polycrystalline silicon substrate, an enlarged view of the electrode portion shown in FIG. 図4に示すように、太陽電池は受光面の集電電極として、半導体基板42にフィンガー電極41を多数有し、また、太陽電池セルを連結するための集電電極としてバスバー電極40を数本有するのが一般的である。 As shown in FIG. 4, as the collector electrode of a solar cell light-receiving surface, it has a number of finger electrodes 41 on the semiconductor substrate 42, also several bus bar electrode 40 as a collector electrode for connecting the solar cells it is common to have. この電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法などを利用してもよいが、コストの面から、Agなどの金属微粒子を有機バインダーに混ぜた金属ペーストを、スクリーン版などを用いて印刷し、数百度で熱処理を行って基板と接着する方法が広く利用されている。 As a method for forming the electrodes, an evaporation method, it may be utilized such as a sputtering method, from the viewpoint of cost, a metal paste obtained by mixing metal fine particles such as organic binder Ag, printed with such screen plate a method of bonding a substrate by heat treatment at several hundred degrees has been widely used.

太陽電池に求められるのは、受光面の配線抵抗を小さくし、かつ、基板表面へできるだけ多くの光を吸収させることである。 What is needed in the solar cells, to reduce the wiring resistance of the light receiving surface, and is to absorb as much light as possible to the substrate surface. フィンガー電極の幅が細ければ、基板へ到達できる光の量が増すが、配線抵抗は増大してしまう。 If the width of the finger electrode is Hosokere, the amount of light that can reach the substrate increases, but the wiring resistance increases. 一方、配線抵抗を小さくするためにフィンガー電極の幅を太くすると、受光面積が減少し、結果的に性能は低下してしまう。 On the other hand, when thickening the width of the finger electrode in order to reduce the wiring resistance, the light receiving area is reduced, resulting in performance decreases. よって、高効率の太陽電池に求められるのは、フィンガー電極の幅を細くして受光面積を確保しながら配線抵抗を小さくすること、具体的には、フィンガー電極の幅を維持しながら、高さを高くすること(アスペクト比の増加)である。 Therefore, what is required of the solar cell of high efficiency, to reduce the wiring resistance while securing a light-receiving area by narrowing the width of the finger electrode, specifically, while maintaining the width of the finger electrode, the height is a high that (increase in aspect ratio).

電極のアスペクト比を増加するための方法はいくつか提案がなされている(たとえば特許文献1、2、3、4)。 The method proposed several to increase the aspect ratio of the electrodes have been made (for example, Patent Documents 1, 2, 3 and 4).
特許文献4に示される方法は印刷を積層していくのみであり、同一装置・同一製版で製造できるため有効である。 The method disclosed in Patent Document 4 is only gradually laminated printing is effective because of the ability to fabricate them in the same apparatus and the same plate-making. しかしながら、電極を積層していくと、フィンガー電極と共にバスバー電極の高さも高くなり、熱処理の際にバスバー電極が基板や配線から剥離してしまうという問題があった。 However, when gradually laminated to the electrode, the height of the bus bar electrode with the finger electrode is also increased, the bus bar electrodes during heat treatment is disadvantageously peeled off from the substrate and wiring.

特開2004−134656号公報 JP 2004-134656 JP 特開2005−347628号公報 JP 2005-347628 JP 特開2006−54374号公報 JP 2006-54374 JP 特開2008−42095号公報 JP 2008-42095 JP

そこで、本発明は上記の問題を解決するためになされたものであって、電極層を積層させてもバスバー電極の基板や配線との剥離が生じず、アスペクト比が向上され高効率でコストの低減された太陽電池を提供することを目的とする。 The present invention was made in order to solve the above problems, be laminated to the electrode layers without causing delamination between the substrate and the wiring of the bus bar electrode, the aspect ratio is increased cost with high efficiency and to provide a reduced solar cells.

上記課題を解決するため、本発明は、少なくとも、PN接合が形成された半導体基板と、該半導体基板の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガー電極と、該フィンガー電極に接続するバスバー電極を具備する太陽電池であって、前記バスバー電極がその電極内に開口部があるパターンを有するものであることを特徴とする太陽電池を提供する。 To solve the above problems, the present invention includes at least a semiconductor substrate in which PN junction is formed, and the finger electrode formed comb-teeth shape on at least one surface of said semiconductor substrate, a bus bar electrode connected to the finger electrode a solar cell having a, that provides solar cell, wherein the bus bar electrode is one having a pattern with an opening in its electrode.

このように、バスバー電極がその電極内に開口部があるパターンを有するものであれば、熱処理後のバスバー電極の収縮が抑制されるため、半導体基板や配線との熱収縮率の違いによる接合部でのバスバー電極の剥離を防止することができる。 Thus, as long as it has a pattern of bus bar electrodes there is an opening in its electrodes, since the shrinkage of the bus bar electrodes after heat treatment is suppressed, portions bonded by the thermal shrinkage difference between the semiconductor substrate and a wiring it is possible to prevent separation of the bus bar electrodes in. このため、フィンガー電極を積層させて、それに伴ってバスバー電極を積層させることにより剥離が生じやすくなる場合でも、本発明のバスバー電極であれば剥離を防止することができるため、セル連結の信頼性を保ちながらアスペクト比の向上を達成できる。 Therefore, by stacking the finger electrode, even if the peeling by laminating bus bar electrode is likely to occur with it, since it is possible to prevent peeling if the bus bar electrode of the present invention, the reliability of the cell connected the improvement of the aspect ratio can be achieved while maintaining. また、開口部の分の電極ペーストを節約することができるため、コスト低減にも極めて有効である。 Further, it is possible to save the amount of the electrode paste of the opening, it is extremely effective in cost reduction. このため、アスペクト比が向上された高効率で低コストの太陽電池となる。 Therefore, a low-cost solar cells with high efficiency aspect ratio is improved.

このとき、前記バスバー電極の開口部の面積が、前記バスバー電極の形成領域の10〜90%の面積であることが好ましい。 At this time, the area of the opening of the bus bar electrode, it is not preferable from 10 to 90% of the area of the formation region of the bus bar electrode.
このように、開口部の面積がバスバー電極の形成領域の10〜90%の面積であれば、剥離防止と電極ペーストの節約をより効果的に達成することができ、さらには半導体基板及び配線との十分な接合面積を保つことができるためセル連結の際の信頼性がより高くなる。 Thus, if 10 to 90% of the area of ​​the formation region of the area bus bar electrode of the openings, it is possible to achieve savings of peeling prevention and the electrode paste more effectively, and further a semiconductor substrate and wiring It becomes higher reliability when the cell connected it is possible to maintain a sufficient bonding area.

さらに、前記バスバー電極の形状が、二重線状、梯子状、短冊状、格子状のいずれかであることによって前記開口部を有するものであることが好ましい。 Furthermore, the shape of the bus bar electrode, doublet-like, ladder-like, strip-like, it is not preferable by lattice either those having the opening.
このように、バスバー電極の形状が上記のような形状であれば、熱処理後の収縮を抑制しながら、半導体基板及び配線との接合において部分的に弱い接合部分を無くし、セル連結の際の信頼性をより高くすることができる。 Thus, if the shape as the shape of the bus bar electrode, while suppressing the shrinkage after heat treatment, eliminating partially weak junction at the junction between the semiconductor substrate and the wiring, reliability during cell connected it is possible to further increase the sex.

このとき、前記バスバー電極が、スクリーン印刷法により形成されたものであることが好ましい。 At this time, the bus bar electrode, it is not preferable is one formed by screen printing.
このように、スクリーン印刷法により形成すれば、多様な形状のバスバー電極を容易に形成することができ、また、フィンガー電極とも同時に形成することができるため生産性良く作製することができ、低コストの太陽電池にすることができる。 Thus, if formed by the screen printing method, the bus bar electrodes of various shapes can be easily formed, also, the finger electrodes both can be manufactured with high productivity because it can be formed at the same time, low cost it can be to the solar cells.

このとき、前記フィンガー電極が多層構造を有するものであり、少なくとも前記バスバー電極が前記フィンガー電極のいずれかの層と同一ペーストで形成されたものであることができる。 At this time, the finger electrodes are those having a multi-layer structure, Ru can be one in which at least the bus bar electrode is formed in one of the layers of the same paste of the finger electrodes.
このように、フィンガー電極が多層構造を有する場合は、本発明のバスバー電極をフィンガー電極のいずれかの層と同一ペーストで形成することができ、フィンガー電極とバスバー電極の形成において同一のペーストが用いられることにより、本発明のバスバー電極とフィンガー電極との接続において、熱収縮率の違い等で生じる剥離を防止できる。 Thus, if the finger electrodes having a multilayer structure, the bus bar electrode of the present invention can be formed in any layer of the same paste finger electrodes, the same paste used in the formation of the finger electrode and the bus bar electrode by being, in connection with the bus bar electrode and the finger electrode of the present invention, the peeling occurring in the thermal shrinkage difference or the like can be prevented.

このとき、前記バスバー電極が、少なくとも前記半導体基板に直接接合する第一電極層を構成するものであることが好ましい。 At this time, the bus bar electrode, it is not preferable constitutes a first electrode layer joined directly to at least the semiconductor substrate.
このように、本発明のバスバー電極が、半導体基板に直接接合する第一電極層であれば、熱収縮率の異なる半導体基板との間の熱処理の際の剥離をより効果的に防止することができる。 Thus, the bus bar electrode of the present invention, if the first electrode layer joined directly to the semiconductor substrate, it is possible to prevent peeling at the time of heat treatment between the different semiconductor substrate thermal shrinkage more effectively it can.

このとき、前記バスバー電極が、少なくとも配線と接合する最表層の電極層を構成するものであることが好ましい。 At this time, the bus bar electrode, it is not preferable are those constituting the outermost layer of the electrode layer to be bonded to at least the wiring.
このように、本発明のバスバー電極が、配線と接合する最表層の電極層であれば、熱収縮率の異なる配線との間の熱処理の際の剥離をより効果的に防止することができる。 Thus, the bus bar electrode of the present invention, if the outermost layer of the electrode layer to be bonded to the wiring, it is possible to prevent peeling at the time of heat treatment between the different wiring thermal shrinkage more effectively.

以上のように本発明の太陽電池であれば、バスバー電極がその電極内に開口部があるパターンを有することにより、電極形成の焼成後や、配線との接合の際にバスバー電極の熱収縮が抑制されて、熱収縮率の異なる半導体基板や配線との接合部分における剥離が防止される。 If the solar cell of the present invention as described above, by the bus bar electrode has a pattern with an opening in its electrode, and after firing of the electrode formation, the thermal contraction of the bus bar electrodes in the junction between the wires is suppressed, peeling at the junction between the different semiconductor substrate and a wiring thermal shrinkage can be prevented. これにより、アスペクト比の向上のためにフィンガー電極を積層させる際にバスバー電極も積層させることで剥離が生じやすくなっても、本発明のバスバー電極であれば剥離は防止される。 Accordingly, even if peeling also bus bar electrode is laminated tends to occur when to stack finger electrodes in order to improve the aspect ratio, the peeling if the bus bar electrode of the present invention is prevented. さらに、開口部には電極ペーストが不要であるためコストの低減にもなる。 Further, electrode paste is also to cost reduction because it is not necessary for opening. このため、アスペクト比が向上された高効率の太陽電池を、セル連結の際の信頼性高く、低コストで作製することができる。 Therefore, high efficiency solar cells having an aspect ratio is improved, reliability when the cell connected high, can be manufactured at low cost.

熱処理の際に、バスバー電極が熱収縮率の異なる半導体基板や配線との接合部分において剥離する問題があり、特に、アスペクト比向上のためにフィンガー電極を積層させてそれに伴いバスバー電極も積層させた場合に、より剥離しやすくなる問題があった。 During heat treatment, the bus bar electrodes have a problem of peeling at the junction between the different semiconductor substrate and a wiring thermal shrinkage, in particular, were also busbar electrode along with it by stacking finger electrodes are stacked in order to improve the aspect ratio in the case, there is a problem that becomes more easily peeled off.

これに対して、フィンガー電極を積層させても、バスバー電極については第二電極層以降を形成しないで厚くせずに剥離を回避する方法も考えられるが、基板と接合する第一電極層と、配線と接合する電極層は異なる成分の電極ペーストを用いるため(特許文献4参照)、基板との接合性を重視した電極ペーストを用いる第一電極層に、直接配線を接合するとセルの連結の際の信頼性が低下する恐れがある。 In contrast, it is laminated finger electrodes, for the bus bar electrode can be considered a method of avoiding delamination without thick without forming a second electrode layer after a first electrode layer to be bonded to the substrate, since the electrode layer bonded to the wiring using an electrode paste different components (see Patent Document 4), a first electrode layer using a focused with the electrode paste bonding with the substrate, upon connection of the cell when joining the direct interconnection there is a possibility that the reliability is lowered. また、第一電極層のバスバー電極を形成しないでこの問題を回避しようとした場合、第二電極層目以降と基板の接着力が弱まるため、これもセルの連結の際の信頼性が低下する。 Also, if you try to avoid this problem without forming the bus bar electrode of the first electrode layer, the adhesion strength of the substrate the second electrode layer and subsequent weakens, this reliability during connection of the cell is reduced .

発明者らは、鋭意検討を行った結果、バスバー電極の電極内に開口部を設けることで、熱処理後の熱収縮を抑制することができ、熱収縮率の異なる半導体基板や配線との剥離を防止することができることを見出し、本発明を完成させた。 Inventors have conducted intensive studies were carried out result, by providing the openings in the electrode of the bus bar electrode, it is possible to suppress heat shrinkage after heat treatment, the separation of the different semiconductor substrate and a wiring thermal shrinkage It found that it is possible to prevent, to complete the present invention.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Will be described below in detail with reference to the drawings, embodiments of the present invention, the present invention is not limited thereto.
図1は本発明の太陽電池の一例を示す平面図である。 Figure 1 is a plan view showing an example of a solar cell of the present invention. 図2、3は本発明の太陽電池に形成されるバスバー電極の形状の例を示す拡大平面図である。 Figure 2 is an enlarged plan view showing an example of the shape of the bus bar electrodes formed on the solar cell of the present invention.

図1に示す本発明の太陽電池14は、PN接合が形成された半導体基板13と、半導体基板13の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガー電極11と、フィンガー電極11に接続するバスバー電極10を具備する太陽電池14であって、バスバー電極10がその電極内に開口部12があるパターンを有する。 Solar cell 14 of the present invention shown in FIG. 1 includes a semiconductor substrate 13 in which a PN junction is formed, the finger electrode 11 formed on the comb-teeth shape on at least one surface on a semiconductor substrate 13, a bus bar to be connected to the finger electrode 11 a solar cell 14 comprising an electrode 10, the bus bar electrode 10 has a pattern with an opening 12 in its electrode.

このように、電極内に開口部があるパターンを有するバスバー電極であれば、熱処理後の熱収縮が低減され、半導体基板や配線との接合部分における熱収縮率の違いによる剥離を防止できる。 Thus, if the bus bar electrode having a pattern in the electrode there is an opening, the heat shrinkage after heat treatment is reduced, it is possible to prevent separation due to thermal shrinkage difference in the junction portion between the semiconductor substrate and the wiring. このため、アスペクト比向上のためにフィンガー電極を積層させて、これに伴いバスバー電極が厚くなり、熱収縮による剥離が生じやすい場合であっても剥離を防止できるため、セル特性のばらつきも小さくなる。 Therefore, by stacking finger electrodes in order to improve the aspect ratio, this with the bus bar electrode becomes thick, because even if a reduction in thermal shrinkage is likely to occur can be prevented from peeling off, also small variations in cell characteristics . また、開口部に形成する分の電極ペーストの節約にもなりコストの低減もできる。 Further, it is also becomes reduced in cost savings of minute electrode paste forming the opening. このため、アスペクト比の向上された高効率でセル連結時の信頼性の高い太陽電池が低コストで作製できる。 Therefore, solar cell having high reliability during cell connected can be manufactured at low cost enhanced high efficiency aspect ratio.

このバスバー電極10の開口部12の面積としては、バスバー電極10の形成領域の10〜90%の面積であることが好ましい。 The area of ​​the opening 12 of the bus bar electrode 10 is preferably 10 to 90% of the area of ​​the formation region of the bus bar electrode 10.
このように、開口部がバスバー電極の形成領域の10〜90%の面積であれば、半導体基板や配線との接合面積が十分であるためセル連結時の信頼性を損なうことなく、熱収縮の抑制と、電極ペーストの節約をより確実に行うことができる。 Thus, if 10 to 90% of the area of ​​the formation region of the openings bus bar electrodes, without compromising the cell connected at the reliability for the junction area is sufficient between the semiconductor substrate and the wiring, the heat shrinkage it is possible to perform the suppression, the savings of the electrode paste more reliably. なお、図1の場合では、バスバー電極10の二重線の間の開口部12の面積が、バスバー電極10の形成領域である二重線内(二重線12の面積+開口部10の面積)の面積の10〜90%の面積となることが好ましい。 In the case of Figure 1, the area of ​​the opening area of ​​12 area + opening 10 of a formation region of the bus bar electrode 10 in a double line (doublet 12 between the double lines bus bar electrodes 10 it is preferable that the 10 to 90% of the area of ​​the area of).

また、バスバー電極の形状が、二重線状(図1、2)、梯子状(図3(a))、短冊状(図3(b))、格子状(図3(c))のいずれかであることによって開口部を有するものであることが好ましい。 The shape of the bus bar electrodes, a double linear (FIGS. 1 and 2), ladder (FIG. 3 (a)), rectangular (FIG. 3 (b)), any grid (FIG. 3 (c)) by preferably has an opening by which or.
バスバー電極が上記のような形状であれば、電極としての機能を十分に果たすとともに、熱収縮を効率的に抑制することができ、さらには半導体基板や配線との接合で部分的に弱い接合部分がないため、セル連結時の信頼性をより高くすることができる。 If shaped as a bus bar electrode is described above, with sufficiently serve as electrodes, the thermal shrinkage can be effectively suppressed, and further partially weak junction at the junction between the semiconductor substrate and a wiring because there is no, it is possible to increase the reliability in cell connected.

ここで、本発明の太陽電池の作製方法の一例を以下に述べる。 Here, described an example of a method for manufacturing a solar cell of the present invention are described below. ただし、本発明は以下の方法で作製された太陽電池に限られるものではない。 However, the present invention is not limited to the solar cell produced by the following method.

まず、高純度シリコンにホウ素あるいはガリウムのようなIII族元素をドープし、比抵抗0.1〜5Ω・cmとしたアズカット単結晶の面方位{100}p型シリコン基板を準備し、その表面のスライスダメージを、濃度5〜60%の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのような高濃度のアルカリ、もしくは、ふっ酸と硝酸の混酸などを用いてエッチングする。 First, doped with a Group III element such as boron or gallium in high-purity silicon, to prepare a specific resistance 0.1~5Ω · cm and the surface orientation of Azukatto single crystal {100} p-type silicon substrate, the surface slice damage, high concentration of alkali such as sodium hydroxide or potassium hydroxide in a concentration from 5% to 60%, or etched by using a mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid. 単結晶シリコン基板は、CZ法、FZ法いずれの方法によって作製されてもよい。 Single crystal silicon substrate, CZ method, may be made by any method FZ method.

引き続き、基板表面にテクスチャと呼ばれる微小な凹凸形成を行う。 Subsequently, performing a fine unevenness formed called texture on the substrate surface. テクスチャは太陽電池の反射率を低下させるための有効な方法である。 Texture is an effective method for reducing the reflectance of the solar cell. テクスチャは、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムなどのアルカリ溶液(濃度1〜10%、温度60〜100℃)中に10分から30分程度浸漬することで容易に作製される。 Texture, heated sodium hydroxide, potassium hydroxide, potassium carbonate, sodium carbonate, an alkaline solution (concentration 1-10%, temperature 60 to 100 [° C.), such as sodium hydrogen carbonate by immersing about 10 minutes to 30 minutes in the readily produced. 上記溶液中に、所定量の2−プロパノールを溶解させ、反応を促進させることが多い。 The above solution, dissolved a predetermined amount of 2-propanol, often to promote the reaction.

テクスチャ形成後、塩酸、硫酸、硝酸、ふっ酸等、もしくはこれらの混合液の酸性水溶液中で洗浄する。 After texturing, washed hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, or in an acidic aqueous solution of a mixture thereof. 経済的及び効率的見地から、塩酸中での洗浄が好ましい。 For economic and efficiency point of view, washing with hydrochloric acid is preferred. 清浄度を向上するため、塩酸溶液中に、0.5〜5%の過酸化水素を混合させ、60〜90℃に加温して洗浄してもよい。 To improve cleanliness, the hydrochloric acid solution, is mixed with 0.5% to 5% of hydrogen peroxide may be warmed washing 60 to 90 ° C..

この基板上に、オキシ塩化リンを用いた気相拡散法によりエミッタ層を形成する。 On this substrate to form an emitter layer by vapor phase diffusion method using phosphorus oxychloride. 一般的なシリコン太陽電池は、PN接合を受光面にのみ形成する必要があり、これを達成するために基板同士を2枚重ね合わせた状態で拡散したり、拡散前に裏面にSiO 膜やSiNx膜などを拡散マスクとして形成して、裏面にPN接合ができないような工夫を施す必要がある。 Common silicon solar cell, it is necessary to form only on the light receiving surface of the PN junction, or diffused in a state superimposed two substrates to each other in order to achieve this, SiO 2 film Ya on the back surface before spreading forming SiNx film or the like as a diffusion mask, it is necessary to devising which can not PN junction on the back surface. 拡散後、表面にできたガラスをふっ酸などで除去する。 After diffusion is removed by hydrofluoric acid glass made in the surface.

次に、受光面の反射防止膜形成を行う。 Next, the antireflection film formed of the light-receiving surface. 製膜としては、プラズマCVD装置を用いSiNx膜を約100nm製膜する。 The film is about 100nm Film a SiNx film with a plasma CVD apparatus. 反応ガスとして、モノシラン(SiH )およびアンモニア(NH )を混合して用いることが多いが、NH の代わりに窒素を用いることも可能であり、また、プロセス圧力の調整、反応ガスの希釈、さらには、基板に多結晶シリコンを用いた場合には基板のバルクパッシベーション効果を促進するため、反応ガスに水素を混合することもある。 As the reaction gas, is often used as a mixture of monosilane (SiH 4) and ammonia (NH 3), it is also possible to use nitrogen instead of NH 3, The adjustment process pressure, dilution of the reaction gas further, when using polycrystalline silicon substrate in order to facilitate bulk passivation effect of the substrate may also be mixed with hydrogen into the reaction gas.

次いで、裏面電極および受光面の電極をスクリーン印刷法で形成する。 Then, the back electrode and the light-receiving surface electrode is formed by screen printing method. 上記基板の裏面に、Al粉末を有機物バインダで混合したペーストをスクリーン印刷する。 The back surface of the substrate, a paste obtained by mixing Al powder with an organic binder by screen printing. 印刷後、5〜30分間700〜800℃の温度で焼成して、裏面電極が形成される。 After printing, and fired at a temperature of 5 to 30 minutes 700 to 800 ° C., the backside electrode is formed.

受光面電極もスクリーン印刷法を用いて電極層を形成する。 Forming an electrode layer by using a well screen printing light-receiving surface electrode. スクリーン製版には本発明の開口部を設けたバスバー電極の形状(例えば図1に示される形状)を有する製版を用いる。 The screen plate used platemaking having the shape of the bus bar electrode having an opening portion of the present invention (e.g. shape shown in Figure 1). Ag粉末とガラスフリットを有機物バインダと混合したAgペーストをスクリーン印刷した後、熱処理によりSiNx膜にAg粉末を貫通させ(ファイアースルー)、電極とシリコンを導通させる。 After the Ag powder and the glass frit Ag paste mixed with organic binder by screen printing, to penetrate the Ag powder in the SiNx film by heat treatment (fire-through), to conduct the electrode and the silicon. 裏面電極および受光面電極の焼成は一度に行うことも可能である。 Calcination of the back electrode and the light-receiving surface electrode can also be carried out at once.

このように、スクリーン印刷により本発明のバスバー電極を形成すれば、フィンガー電極とも同時に形成することができ、また、所望の形状に容易に形成することができるため、生産性良く低コストで太陽電池を作製することができる。 Thus, by forming the bus bar electrode of the present invention by screen printing, with finger electrodes can be formed at the same time, also, it is possible to easily form a desired shape, the solar cell with good productivity low cost it can be prepared. なお、電極形成はスクリーン印刷法による方が好ましいが、蒸着法、スパッタ法等で形成することも可能である。 The electrode formation is preferably better by screen printing, vapor deposition, can be formed by sputtering or the like.

このとき、フィンガー電極を多層構造を有するように形成し、少なくともフィンガー電極のいずれかの層と同一ペーストで本発明のバスバー電極を形成することができる。 In this case, to form the finger electrodes so as to have a multilayer structure, it is possible to form the bus bar electrode of the present invention in any of the layers and the same paste of at least finger electrodes.
このように、アスペクト比を向上させるためにフィンガー電極を積層させる際に、スクリーン印刷法等でいずれかの層と本発明のバスバー電極を同一ペーストで形成することができ、また、例えば第一電極層に従来の形状のバスバー電極(図4に示される形状)を形成して、その上に開口部があるパターンを有する本発明のバスバー電極を形成する等して、従来の形状のバスバー電極と組み合わせて積層させることもできる。 Thus, when to stack finger electrodes in order to improve the aspect ratio can be formed in the same paste busbar electrode of one of the layers and the present invention by a screen printing method or the like, also, eg, the first electrode forming a bus bar electrode of the conventional shape (shape shown in FIG. 4) in the layer, and the like to form a bus bar electrode of the present invention having a pattern there is an opening thereon, the bus bar electrode of the conventional shape combination can be laminated. バスバー電極を積層させて厚くなった場合でも本発明のバスバー電極を形成することで、剥離の防止されたセル特性のばらつきの小さい太陽電池にすることができる。 By forming the bus bar electrode of the present invention even when thickened by stacking the bus bar electrode can be made small solar cell variation in preventing the cell characteristics of the release. また、フィンガー電極とバスバー電極を例えばスクリーン印刷により同一のペーストで形成することで、両者間での剥離を防止することができる。 Further, by forming the finger electrodes and the bus bar electrode in the same paste for example by screen printing, it is possible to prevent peeling between them.

また、このときバスバー電極が、少なくとも半導体基板と直接接合する第一電極層を構成するものであることが好ましい。 At this time the bus bar electrode is preferably one constituting the first electrode layer for bonding at least a semiconductor substrate and directly.
このように、熱収縮率の異なる半導体基板と直接接合する第一電極層を本発明のバスバー電極とすれば、より直接的に剥離を防止することができる。 Thus, if the first electrode layer joined directly to the different semiconductor substrate thermal shrinkage and the bus bar electrode of the present invention, it is possible to prevent more directly peeling.

また、このとき開口部があるパターンを有するバスバー電極が少なくとも配線と接合する最表層の電極層を構成するものであることが好ましい。 Further, it is preferable bus bar electrode having a pattern at this time there is an opening that constitutes a top surface of the electrode layer to be bonded to at least the wiring.
このように、配線と接合する最表層の電極層を本発明のバスバー電極とすれば、配線との熱収縮率の違いによる剥離をより効果的に防止することができる。 Thus, the outermost layer of the electrode layer to be bonded to the wiring if the bus bar electrode of the present invention, it is possible to prevent peeling due to the thermal shrinkage difference between the wiring more effectively.

このように作製された太陽電池は、電極の剥離が防止されてセル特性のばらつきが小さい、アスペクト比が向上され高効率で低コストの太陽電池となる。 Thus manufactured solar cells, variations in cell characteristics are prevented peeling of the electrode is small, the aspect ratio is increased the cost of the solar cell with high efficiency.

以下、本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Will now be described examples more specifically by way of the present invention, the present invention is not limited thereto.
(実施例1、比較例) (Example 1, Comparative Example)
本発明の有効性を確認するため、本発明のバスバー電極A(図3(a)に示す)と、従来の一般的に用いられるバスバー電極B(図4に示す)で太陽電池を作製し、バスバー剥離の発生頻度を調査した。 To confirm the effectiveness of the present invention, the bus bar electrode A of the present invention (shown in FIG. 3 (a)), to prepare the solar cell in the conventional general bus bar electrode B used (shown in FIG. 4), It was investigated the frequency of occurrence of the bus bar peeling.

まず、拡散厚さ250μm、比抵抗1Ω・cmの、ホウ素ドープ{100}p型アズカットシリコン基板60枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2−プロパノール水溶液中に浸漬しテクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。 First, the diffusion thickness 250 [mu] m, a specific resistance of 1 [Omega · cm, to boron-doped {100} p-type as-cut silicon substrate 60 sheets, after removal of the damaged layer by Netsuko aqueous potassium hydroxide, potassium hydroxide / 2-propanol It performed dipped texturing in an aqueous solution and subsequently subjected to washing with hydrochloric acid / hydrogen peroxide mixed solution. 次に、オキシ塩化リン雰囲気下、870℃で裏面同士を重ねた状態で熱処理し、エミッタ層を形成した。 Then, under phosphorus oxychloride atmosphere, and heat treated in a state of overlapping the rear surface together at 870 ° C., to form the emitter layer. 拡散後、ふっ酸にてガラスを除去し、洗浄、乾燥させた。 After diffusion, and removing the glass by hydrofluoric acid, washed and dried.
以上の処理の後、プラズマCVD装置を用いてSiNx膜を受光面反射防止膜として全試料に対し形成した。 After the above treatment to form the total sample as a light-receiving surface an antireflection film SiNx film by using the plasma CVD apparatus.

次に、裏面電極としてAlペーストを裏面全面にスクリーン印刷し乾燥した。 Were then screen printed the Al paste as the back electrode on the entire back surface drying. 次いで、受光面の第一電極層としてAgペーストを、バスバー電極Bの製版を使用し全試料に印刷して乾燥した。 Then, an Ag paste as the first electrode layer of the light receiving surface, using a plate-making of the bus bar electrode B and dried printed on all samples. この後、30枚はバスバー電極Bの製版を用いてAgペーストを第二電極層として印刷し乾燥した(第一電極層、第二電極層ともに従来の形状のバスバー電極)。 Thereafter, 30 sheets were printed with Ag paste by using a plate making of the bus bar electrode B as a second electrode layer dried (first electrode layer, second electrode layer both to the bus bar electrode of the conventional shape).
また、残り30枚に対してはバスバー電極Aの製版を用いてスクリーン印刷後乾燥した(第一電極層は従来の形状のバスバー電極で、第二電極層は本発明の形状のバスバー電極)。 Further, for the 30 sheets remaining dried after screen printing using a plate making of the bus bar electrode A (the first electrode layer bus bar electrode of the conventional shape, the second electrode layer bus bar electrode of the shape of the present invention).

上記のように作製した二層構造のバスバー電極を形成した基板をそれぞれ30枚ずつ780℃の空気雰囲気下で焼成したところ、バスバー電極Bを二層形成したもの(第一電極層、第二電極層ともに従来の形状のバスバー電極)では30枚中22枚でバスバー電極の剥離が確認された。 It was fired at fabricated air atmosphere of the substrate 780 ° C. by 30 sheets each formed with the bus bar electrode having a two-layer structure as described above, obtained by forming the bus bar electrode B bilayer (first electrode layer, second electrode separation of the bus bar electrode was confirmed by the bus bar electrode) in 22 sheets of 30 sheets of conventional shape in both layers. このため、剥離が生じたセルの特性は著しく低下した。 Therefore, the characteristics of the cell exfoliation occurred was significantly reduced.
一方、バスバー電極B上にバスバー電極Aを形成したもの(第一電極層は従来の形状のバスバー電極で、第二電極層は本発明の形状のバスバー電極)は30枚中1枚も剥離が確認されず、セル特性も極めて安定してばらつきが小さかった。 While those forming the bus bar electrode A on the bus bar electrode B (first electrode layer is a bus bar electrode of the conventional shape, the second electrode layer bus bar electrode of the shape of the present invention) peeling one sheet of 30 sheets not confirmed, the cell characteristics variation is less extreme stability.

(実施例2) (Example 2)
実施例1と同様に、ただし、本発明のバスバー電極Aを受光面に1層のみスクリーン印刷して乾燥させた基板30枚を780℃の空気雰囲気下で焼成した。 As in Example 1, except that the 30 sheets board the bus bar electrode A was dried by screen printing only one layer on the light receiving surface of the present invention and calcined in an air atmosphere of 780 ° C..
この場合でも、30枚中1枚も剥離が確認されず、セル特性も極めて安定してばらつきが小さかった。 In this case, peeling is not verified one in 30 sheets, the cell characteristics variation is less extreme stability.

尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。 The present invention is not limited to the above embodiment. 上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The above-described embodiments are merely illustrative, have the technical idea substantially the same configuration described in the claims of the present invention, which achieves the same effects are present be any one It is included in the technical scope of the invention.

本発明の実施形態の一例を示す太陽電池の平面図である。 It is a plan view of a solar cell of an example embodiment of the present invention. 本発明の実施形態における二重線状のバスバー電極の一例を示す平面拡大図である。 It is a plan enlarged view showing an example of a double line-shaped bus bar electrodes in the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態におけるバスバー電極の一例を示す平面拡大図である((a)梯子状、(b)短冊状、(c)格子状)。 It is a plan enlarged view showing an example of a bus bar electrode in the embodiment of the present invention ((a) ladder, (b) strip, (c) lattice). 従来の太陽電池を示す平面図(A)と、その拡大図(B)である。 Plan view of a conventional solar cell (A), which is an enlarged view (B).

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10、40…バスバー電極、 11、41…フィンガー電極、 10, 40 ... the bus bar electrodes, 11 and 41 ... finger electrode,
12…開口部、 13、42…半導体基板、 14…太陽電池。 12 ... opening, 13, 42 ... semiconductor substrate, 14 ... solar battery.

Claims (3)

  1. 少なくとも、PN接合が形成された半導体基板と、該半導体基板の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガー電極と、該フィンガー電極に接続するバスバー電極を具備する太陽電池であって、前記バスバー電極がその電極内に開口部があるパターンを有するものであり、 At least, a solar cell comprising a semiconductor substrate having a PN junction is formed, and the finger electrode formed comb-teeth shape on at least one surface on said semiconductor substrate, a bus bar electrode connected to the finger electrodes, the bus bar electrode is one having a pattern with an opening in its electrodes,
    前記バスバー電極は多層構造を有するものであり、 The bus bar electrode are those having a multilayer structure,
    前記バスバー電極の開口部の面積が、前記バスバー電極の形成領域の10〜90%の面積であり、 Area of ​​the opening of the bus bar electrode is 10 to 90% of the area of ​​the formation region of the bus bar electrode,
    前記バスバー電極の形状が、二重線状、梯子状、短冊状、格子状のいずれかであることによって前記開口部を有するものであり、 The shape of the bus bar electrode, doublet-like, ladder-like, are those having the opening by a strip, either lattice,
    前記バスバー電極が、スクリーン印刷法により形成されたものであり、 The bus bar electrode, which is formed by a screen printing method,
    前記フィンガー電極が多層構造を有するものであり、少なくとも前記バスバー電極の各層が前記フィンガー電極の接続されている層と同一ペーストで形成されたものであることを特徴とする太陽電池。 The finger electrodes are those having a multi-layer structure, a solar cell which is characterized in that one formed by a layer of the same paste layers of at least the bus bar electrode is connected to the finger electrode.
  2. 前記バスバー電極が、少なくとも前記半導体基板に直接接合する第一電極層を構成するものであることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 The solar cell of claim 1, wherein the bus bar electrode, characterized in that it constitutes a first electrode layer joined directly to at least the semiconductor substrate.
  3. 前記バスバー電極が、少なくとも配線と接合する最表層の電極層を構成するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の太陽電池。 The bus bar electrode, the solar cell according to claim 1 or claim 2, characterized in that constitutes the outermost layer of the electrode layer to be bonded to at least the wiring.
JP2008185955A 2008-07-17 2008-07-17 Solar cells Active JP5368022B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008185955A JP5368022B2 (en) 2008-07-17 2008-07-17 Solar cells

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008185955A JP5368022B2 (en) 2008-07-17 2008-07-17 Solar cells

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010027778A JP2010027778A (en) 2010-02-04
JP5368022B2 true JP5368022B2 (en) 2013-12-18

Family

ID=41733338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008185955A Active JP5368022B2 (en) 2008-07-17 2008-07-17 Solar cells

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5368022B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180090510A (en) * 2017-02-03 2018-08-13 엘지전자 주식회사 Solar cell

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5479228B2 (en) * 2010-05-28 2014-04-23 三洋電機株式会社 Solar cell module
EP2398061A3 (en) 2010-06-21 2013-09-18 Lg Electronics Inc. Solar cell
US9337361B2 (en) * 2010-11-26 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
KR101275576B1 (en) * 2010-12-28 2013-06-14 엘지전자 주식회사 Solar cell and a method for their preparation
WO2012105381A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-09 信越化学工業株式会社 Screen printing plate for solar cell and method for printing solar cell electrode
WO2012121348A1 (en) * 2011-03-08 2012-09-13 日立化成工業株式会社 Solar cell, solar cell module, method for producing solar cell, and method for producing solar cell module
US20140102523A1 (en) * 2011-04-07 2014-04-17 Newsouth Innovations Pty Limited Hybrid solar cell contact
MY166275A (en) * 2011-05-31 2018-06-22 Hitachi Chemical Co Ltd Solar battery cell, solar battery module, and solar battery module manufacturing method
US9455359B2 (en) 2011-05-31 2016-09-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Solar battery cell, solar battery module and method of making solar battery module
JP5289625B1 (en) * 2011-09-13 2013-09-11 京セラ株式会社 Solar cell module
KR20130096822A (en) * 2012-02-23 2013-09-02 엘지전자 주식회사 Solar cell and method for manufacturing the same
JP2014060311A (en) * 2012-09-19 2014-04-03 Sharp Corp Solar cell
WO2014076972A1 (en) * 2012-11-19 2014-05-22 三洋電機株式会社 Solar cell and method for calculating resistance of solar cell
JP2014107457A (en) * 2012-11-28 2014-06-09 Hitachi High-Technologies Corp Solar cell module and process of manufacturing the same
CN102969368B (en) * 2012-12-10 2015-06-10 常州天合光能有限公司 Electrode structure of solar cell piece
CN102983179B (en) * 2012-12-10 2016-02-10 常州天合光能有限公司 Upper and lower electrode structure of the solar cell sheet
KR20150000065A (en) * 2013-06-21 2015-01-02 엘지전자 주식회사 Solar cell
DE102014110526B4 (en) 2014-07-25 2018-03-15 Hanwha Q Cells Gmbh Solar cell string and the solar cell string manufacturing method
KR101613364B1 (en) * 2014-09-05 2016-04-18 현대중공업 주식회사 Front electrode structure of solar cell
KR101772542B1 (en) * 2015-04-30 2017-08-29 엘지전자 주식회사 Solar cell and solar cell panel including the same
JP2018137250A (en) * 2015-06-30 2018-08-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 Solar cell module
WO2017119036A1 (en) * 2016-01-05 2017-07-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 Solar cell module
WO2018235202A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-27 三菱電機株式会社 Solar battery cell and solar battery module

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09283781A (en) * 1996-04-09 1997-10-31 Sanyo Electric Co Ltd Photovoltaic device
JP2001068699A (en) * 1999-08-30 2001-03-16 Kyocera Corp Solar cell
JP4578123B2 (en) * 2004-03-05 2010-11-10 京セラ株式会社 Solar cell module
US8106291B2 (en) * 2004-05-07 2012-01-31 Mitsubishi Electric Corporation Solar battery and manufacturing method therefor
JP2006339342A (en) * 2005-06-01 2006-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd Solar cell and method of manufacturing same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180090510A (en) * 2017-02-03 2018-08-13 엘지전자 주식회사 Solar cell
KR101890291B1 (en) * 2017-02-03 2018-08-22 엘지전자 주식회사 Solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010027778A (en) 2010-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102763225B (en) Efficient use of the semiconductor wafer back junction photovoltaic solar cell back contact structure and manufacturing method
JP3803133B2 (en) Preparation of the contact pattern of solar cells
JP4429306B2 (en) Solar cell and a solar cell module
US8049099B2 (en) Solar cell and solar cell module including the same
CN202094163U (en) On the front and back surfaces of the conductive layer having a shaped front contact solar cell
JP5203450B2 (en) Solar cells, solar cell string and a solar cell module
US9293635B2 (en) Back junction back contact solar cell module and method of manufacturing the same
JP3924327B2 (en) Solar cell and a manufacturing method thereof slight shading
CN101399293B (en) Solar cell, solar cell module, and method of manufacturing the solar cell
JP4287473B2 (en) Method of manufacturing a solar cell element
JP5528653B2 (en) Method for manufacturing a forming method and a solar cell of the semiconductor substrate and the electrode
JP5025184B2 (en) Solar cell element and a solar cell module using the same, and a method for their preparation
EP1887633B1 (en) Solar cell and solar cell manufacturing method
JP5236914B2 (en) Method of manufacturing a solar cell
CN102077359B (en) Solar battery cell and process for producing the same
JP5118044B2 (en) Method for manufacturing a forming method and a solar cell of the semiconductor substrate and the electrode
AU2009238329A1 (en) Back-contact solar cells and methods for fabrication
JP2010171464A (en) Semiconductor device with heterojunction and interdigitated structure
JPWO2005109524A1 (en) Solar cell and a method of manufacturing the same
JP2012525703A (en) Sided solar cell comprising a back surface reflector
JP2011512661A (en) Manufacturing solar cells according to the manufacturing method and the method of single crystal n-type silicon solar cell
JP4738149B2 (en) Solar cell module
JP4334455B2 (en) Solar cell module
EP2214214A1 (en) Photoelectric conversion element and method for manufacturing the same
CN101164173A (en) Solar cell manufacturing method and solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100727

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120710

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120907

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130326

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130606

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20130613

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130806

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130912

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150