JP5363978B2 - 互いに接続されたシールド電極及びゲート電極を有するシールドゲートトレンチｆｅｔの構造及びこれを形成する方法 - Google Patents

互いに接続されたシールド電極及びゲート電極を有するシールドゲートトレンチｆｅｔの構造及びこれを形成する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5363978B2
JP5363978B2 JP2009516615A JP2009516615A JP5363978B2 JP 5363978 B2 JP5363978 B2 JP 5363978B2 JP 2009516615 A JP2009516615 A JP 2009516615A JP 2009516615 A JP2009516615 A JP 2009516615A JP 5363978 B2 JP5363978 B2 JP 5363978B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
trench
fet
forming
gate electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009516615A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009542002A5 (ja
JP2009542002A (ja
Inventor
ナザン クラフト
クリストファー ボグスロー ココン
ポール トールップ
Original Assignee
フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション filed Critical フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション
Publication of JP2009542002A publication Critical patent/JP2009542002A/ja
Publication of JP2009542002A5 publication Critical patent/JP2009542002A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5363978B2 publication Critical patent/JP5363978B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/823437—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
    • H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform

Description

本発明は、半導体パワー電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に関し、特に、互いに接続されたシールド電極及びゲート電極を有するシールドゲートトレンチＦＥＴに関する。
シールドゲートトレンチＦＥＴは、シールド電極がゲート・ドレインキャパシタンス（Ｃｇｄ）を低減し且つトランジスタのブレークダウン電圧を向上させるという従来のＦＥＴに優る利点を有する。図１は、従来のシールドゲートトレンチＭＯＳＦＥＴの簡略化された断面図である。ｎ型エピタキシャル層１０２がｎ＋基板１００上に延在している。ｎ＋ソース領域１０８及びｐ＋高濃度ボディ領域１０６が、ｐ型ボディ領域１０４に形成され、当該ｐ型ボディ領域はエピタキシャル層１０２に形成されている。トレンチ１１０は、ボディ領域１０４を通りドリフト領域まで延在する。トレンチ１１０は、ゲート電極１２２の下にシールド電極１１４を含んでいる。ゲート電極１２２はゲート誘電体１２０により隣接するシリコン領域から絶縁されており、シールド電極１１４は、ゲート誘電体１２０より厚いシールド誘電体１１２により隣接するシリコン領域から絶縁されている。
ゲート電極及びシールド電極は誘電体層１１６により互いから絶縁されており、当該誘電体層１１６は電極間誘電体すなわちＩＥＤと称される。ＩＥＤ層１１６は、シールド電極１１４とゲート電極１２２との間に存在するかもしれない電位差を維持するのに十分な質及び厚さでなければならない。さらに、ＩＥＤ１１６における又はシールド電極１１４とＩＥＤ層１１６との間の境界における境界トラップ電荷及び誘電体トラップ電荷は、ＩＥＤ層を形成する方法に主に関係している。
典型的には、ＩＥＤは様々な処理方法により形成される。しかしながら、要求される電気的特性を与えるのに十分である非常に耐久性及び信頼性がある高品質ＩＥＤを形成することは、シールドゲートトレンチＦＥＴを形成するプロセスを複雑にする。よって、オン抵抗のような電気的特性を維持するか向上させつつ、高品質ＩＥＤを不要にするシールドゲートトレンチＦＥＴの構造及び形成方法が必要とされている。
本発明の実施形態によれば、電界効果トランジスタは、半導体領域に延在する複数のトレンチを含んでいる。各トレンチは、ゲート電極及びシールド電極を含み、ゲート電極とシールド電極との間に電極間誘電体を設けられ、シールド電極及びゲート電極は互いに電気的に接続されている。
ある実施形態において、シールド電極は、各トレンチの下部にあり、シールド誘電体により半導体領域から絶縁されている。電極間誘電体が各シールド電極上に延在する。ゲート電極は、各トレンチの上部にあり、電極間誘電体上に位置し、ゲート誘電体により半導体領域から絶縁されている。
別の実施形態において、半導体領域は第１の導電型のドリフト領域と、ドリフト領域上に延在する第２の導電型のボディ領域と、トレンチに隣接するボディ領域に第１の導電型のソース領域とを含んでいる。
別の実施形態において、半導体領域は、第１の導電型の基板をさらに含み、ドリフト領域は基板上に延在し、トレンチはボディ領域を通りドリフト領域内まで延在する。
別の実施形態において、トレンチはボディ領域及びドリフト領域を通り基板内まで延在する。
別の実施形態において、電界効果トランジスタは、トレンチが形成されるアクティブ領域と非アクティブ領域とをさらに含んでいる。シールド電極及びゲート電極は、各トレンチから外へ延在し、非アクティブ領域に至り、非アクティブ領域において、シールド電極及びゲート電極はゲート相互接続層により互いに電気的に接続される。
別の実施形態において、シールド電極とゲート電極との間の電気的な接続は、非アクティブ領域のゲートランナ領域に形成された所定の間隔で設けられた接触開口部を通りなされる。
さらに別の実施形態において、シールド電極は各トレンチにおける誘電体間（inter-dielectric）層を通るさらなる接続部によりゲート電極に電気的に接続される。
別の実施形態において、非アクティブ領域はＦＥＴを収容するダイの周縁に沿って延在する終端領域を含み、シールド電極及びゲート電極は各トレンチから終端領域に延在し、当該終端領域において、シールド電極及びゲート電極はゲート相互接続層により互いに電気的に接続される。
本発明の別の実施形態によれば、電界効果トランジスタは、次のように形成される。複数のトレンチが半導体領域に延在するように形成される。シールド電極が各トレンチの底部に形成される。ゲート電極は各トレンチの上部に形成され、シールド電極上に位置する。シールド電極及びゲート電極を電気的に接続するゲート相互接続層が形成される。
ある実施形態において、各トレンチの下方側壁及び底面を覆うシールド誘電体層はシールド電極を形成する前に形成される。上方トレンチ側壁及びシールド電極の表面を覆う誘電体層は、ゲート電極を形成する前に形成される。
別の実施形態において、シールド電極及びゲート電極は、当該シールド電極及びゲート電極がトレンチから外に延在し、メサ領域上に至るように形成される。複数の接触開口部が、メサ領域上に延在するゲート電極の所定の部分に形成され、当該接触開口部によりシールド電極の表面領域が露出する。相互接続層は接触開口部を充填するように形成され、従って、シールド電極及びゲート電極を互いに電気的に接続する。
別の実施形態において、メサ領域はＦＥＴを収容するダイの非アクティブ領域に位置する。
別の実施形態において、誘電体層はシリコンの酸化によって形成される。
別の実施形態において、ゲート電極を形成する前に、１つ以上の開口部がシールド電極上に延在する誘電体層の所定の部分に形成され、トレンチにゲート電極を形成すると、ゲート電極は１つ以上の開口部を通りシールド電極に電気的に接触する。
従来のシールドゲートトレンチＭＯＳＦＥＴの断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するステップにおける簡略化された断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するステップにおける簡略化された断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するステップにおける簡略化された断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するステップにおける簡略化された断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するステップにおける簡略化された断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するステップにおける簡略化された断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するステップにおける簡略化された断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するステップにおける簡略化された断面図である。 本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴにおけるゲートランナの部分の等角図である。
図２Ａから図２Ｈは、本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するプロセスの様々なステップにおける概略断面図である。図２Ａから図２Ｈにおいて、左側の断面図はアクティブ領域におけるシールドゲートトレンチＦＥＴ構造を形成するための一連のステップを示し、右側の断面図はアクティブ領域から非アクティブ領域（右から左）への移行領域の対応する図面を示している。この明細書において、「アクティブ領域」はアクティブセルを収容しているダイの領域を示し、「非アクティブ領域」はいかなるアクティブセルをも含んでいないダイの領域を示している。非アクティブ領域は、ダイの周縁に沿って延在する終端領域と、ダイの周縁又は中央に沿って延在するか、ダイの周縁及び中央に沿って延在するゲートランナとを含んでいる。
図２Ａにおいて、従来の技術を用いて、トレンチ２１０が半導体領域２０２に形成され、その後シールド誘電体２１２（例えば、酸化物を含む）がトレンチの側壁及び底面を覆い且つトレンチに隣接するメサ領域上に延在するように形成される。図２Ａから図２Ｈのそれぞれの右側の断面図は、左側の断面図に垂直な方向に沿って、左側の断面図におけるトレンチの中心を通っている。よって、右側の断面図は、アクティブ領域のエッジまで延在する左側の断面図のトレンチを示している。また、断面図は同一の尺度ではなく、特に、右側の断面図と左側の断面図とにおける同一の層又は領域の物理的な寸法（例えば、厚み）は同じではない。例えば、図２Ａにおいて、シールド誘電体２１２は、左側の断面図よりも右側の断面図の方が薄いように示されている。
図２Ａの右側の断面図に示したように、シールド誘電体２１２はトレンチ２１０の底面に沿って延在し、アクティブ領域のエッジにおいて、トレンチ２１０の上方及び外に延在し、シリコン領域２０２上に至る。ある実施形態において、半導体領域２０２は、高濃度にドープされたｎ型基板（図示せず）上に形成されたｎ型エピタキシャル層（図示せず）を含み、トレンチ２０２は、当該エピタキシャル層内まで延在する。別の実施形態では、トレンチ２０２はエピタキシャル層を通り基板内まで延在する。
図２Ｂにおいて、シールド電極２１４が、以下のように、トレンチ２１０の底部に沿って形成され、ダイの非アクティブ領域において電気的にアクセス可能にされる。公知の技術を用いて、導電材料（例えば、ドープされたポリシリコン又はドープされていないポリシリコンを含む）が、トレンチを充填し且つメサ領域上に延在するようにまず形成され、次に、トレンチ２１０内に所定の深さまで凹設され、シールド電極２１４を形成する。
導電材料を凹設する間、マスク２１１が、ダイの非アクティブ領域に延在する導電材料の所定の部分を保護するのに使用される。よって、図２Ｂにおける右側の断面図に示したように、シールド電極２１４は、ダイの非アクティブ領域におけるメサ表面上よりもトレンチ２１０の内側の方が厚い。別のマスク２１１は、アクティブ領域のエッジにおいて、シールド電極がトレンチ２１０から外に延在し、非アクティブ領域のメサ領域上に至るように設けられる。よって、トレンチ２１０の内側のシールド電極２１４は、ダイの非アクティブ領域において電気的な接続に利用できるようにされる。
図２Ｃにおいて、公知の方法を用いて、シールド誘電体２１２は、右側の断面図に示したように、アクティブ領域におけるトレンチの側壁に沿って且つメサ表面上から完全に除去される。よって、シールド誘電体はシールド電極２１４の上面より下に凹設される。ある実施形態において、シールド電極２１４は、上面がシールド誘電体層２１２の上面と同一面になるように凹設される。これにより、ゲート／電極間誘電体層を形成するための平坦な表面が形成される。
図２Ｄにおいて、上方トレンチ側壁に沿って延在するゲート誘電体層２１６は従来の技術を用いて形成される。ある実施形態において、ゲート誘電体２１６は従来のシリコンの酸化を用いて形成される。このプロセスにより、シールド電極２１４が酸化し、ゲート電極２１４上に電極間誘電体（ＩＥＤ）層が形成される。右側の断面図に示したように、誘電体層２１６はアクティブ領域及び非アクティブ領域におけるシールド電極２１４の露出した表面全体に沿って延在する。以下においてさらに説明するように、高品質ＩＥＤを形成するのに典型的に要求されるさらなる処理ステップが不要にされる。
図２Ｅにおいて、凹設されたゲート電極２２２は、以下のように、トレンチ２１０に形成され、非アクティブ領域において電気的にアクセス可能にされる。従来の技術を用いて、第２の導電層（例えばドープされたポリシリコンを含む）が、トレンチ２１０を充填し且つダイのアクティブ領域及び非アクティブ領域におけるメサ面上に延在するように形成される。その後、第２の導電層はトレンチ２１０内に凹設され、ゲート電極２２２を形成する。
第２の導電層を凹設する間、マスク２１９が、ダイの非アクティブ領域に延在する第２の導電材料の所定の部分を保護するのに使用される。よって、ゲート電極２２２は、図２Ｂにおける右側の断面図に示したように、ダイの非アクティブ領域におけるメサ面上よりもトレンチ２１０の内側の方が厚い。別のマスク２１９は、アクティブ領域のエッジにおいて、凹設されたゲート電極２２２がトレンチ２１０からから外に延在し、非アクティブ領域のメサ面上に至るように設けられる。よって、トレンチ２１０内のゲート電極２２２は、ダイの非アクティブ領域における電気的な接続のために利用可能にされる。マスク２１９は非アクティブ領域におけるシールド電極２１４の全体に延在していない。以下において説明するように、これにより、同一の接触開口部を通ってゲート電極及びシールド電極を接続することが容易になる。
図２Ｅにおいて、ｐ型ボディ領域２０４は、従来のボディ注入及びドライブイン技法を用いて、半導体領域２０２に形成される。その後、高濃度にドープされたｎ型ソース領域２０８が、従来のソース注入技法を用いてトレンチ２１０に隣接するボディ領域２１６に形成される。
図２Ｆにおいて、ＢＰＳＧ等の誘電体層２２４が、公知の技法を用いてそれまでに形成されたものの上に形成される。図２Ｇにおいて、誘電体層２２４は、パターン化され、エッチングされ、アクティブ領域にソース／ボディ接触開口部を形成し、その後誘電体を所定の形態に形成する（dielectric flow）。左側の断面図に示したように、ゲート電極２２２上に完全に延在し且つソース領域２０８上に部分的に延在する誘電体ドーム部２２５が形成される。その後、ｐ型高濃度ボディ領域２０６が従来の注入技法を用いて露出した半導体領域２０２に形成される。アクティブ領域に接触開口部を形成する同一のマスキング／エッチングプロセスが、非アクティブ領域における誘電体層２２４に接触開口部２２１を形成するのに使用され、右側の断面図に示したように、ゲート電極２２２の表面領域及び側壁並びにシールド電極２１４の表面領域を露出させる。
図２Ｈにおいて、相互接続層（例えば、金属を含む）がそれまで形成されたものの上に形成され、その後、パターン化されて、ソース／ボディ相互接続部２２６Ａ及びゲート相互接続部２２６Ｂを形成する。左側の断面図に示したように、ソース／ボディ相互接続部２２６Ａはソース領域２０８及び高濃度ボディ領域１０６に接触しているが、誘電体ドーム部２２４によりゲート電極２２２から絶縁されている。右側の断面図に示したように、ゲート金属２２６Ｂは接触開口部２２１を通ってシールド電極２１４及びゲート電極２２２に接触しており、よって、２つの電極を互いに短絡させている。
よって、シールド電極がフロート状態（すなわち電気的にバイアスされていない）であるか、ソースポテンシャル（電位）（例えば、グランドポテンシャル（接地電位））にバイアスされている従来のシールドゲートＦＥＴとは異なり、図２Ｈに示したＦＥＴの実施形態においては、シールド電極はゲート電極と同じポテンシャルに接続され、バイアスされている。シールド電極がフロート状態であるか、グランドポテンシャルに接続される従来のＦＥＴにおいて、典型的には、高品質ＩＥＤが、シールド電極とゲート電極との間の電位差を維持するのに必要とされる。しかし、シールド電極とゲート電極とを互いに電気的に接続することにより、高品質ＩＥＤの必要性が無くなる。シールド電極は、ゲートポテンシャルにバイアスされているが、同一の降伏電圧に対するオン抵抗の低減を可能にする電荷平衡構造部として機能する。よって、高品質ＩＥＤを形成することに関するプロセスステップを不要にしつつ、同一の降伏電圧に対する低いオン抵抗が得られる。理論的には、このような構造はＩＥＤをも必要としないが、当然のことながら、ＩＥＤはゲート誘電体の形成の間に形成される。よって、高性能トランジスタが簡単な製造プロセスを用いて形成される。
ゲート電極とシールド電極との間の電気的な接触部は、任意の非アクティブ領域に形成されてもよい。例えば、当該任意の非アクティブ領域は、ダイの終端若しくはエッジ領域、又はゲートランナが図３に示したように延在するダイの中央である。図３は本発明の実施形態によるシールドゲートトレンチＦＥＴにおけるゲートランナの一部分の等角図である。上部層（例えば、ゲート相互接続層３２６Ｂ及び誘電体層３２４）が剥がされ、下に存在する構造を露出させる。図示したように、アクティブ領域３４１において平行に延在するトレンチ３１０はゲートランナ領域３４０の両側まで延在する。
ゲートランナ領域３４０は線３−３に関して構造的に対称であり、各半分は図２Ｈに示したものに構造的に類似している。シールド誘電体３１２はトレンチ３１０の列から外に延在し、ゲートランナ領域３４０におけるメサ面上に至る。同様に、シールド電極３１４、電極間誘電体３１６、及びゲート電極３２２のそれぞれはトレンチ３１０の列から外に延在し、ゲートランナ領域３４０におけるメサ面上に至る。領域３１１はアクティブ領域３４１において隣接するトレンチ同士の間のメサを示している。
接触開口部３２１はシールド電極３１４の表面領域を露出させ、ゲート相互接続層３２６Ｂ（例えば金属を含む）が当該シールド電極３１４に電気的に接触する。さらに、ゲート相互接続層３２６Ｂは誘電体層３２４を経て露出したゲート電極３２２の表面領域３３２と電気的に接触する。トレンチの内側の各ゲート電極にバイアスを印加する際の遅れを最小にするために、ゲート抵抗を最小にすることが望ましい。同様の理由のために、トレンチの内側の各シールド電極にバイアスを印加する際の遅れを最小にすることが望ましい。よって、ゲートランナ領域３４０における接触開口部３２１の設けられる間隔及び形状は抵抗並びにゲートパッドからゲート電極及びシールド電極のそれぞれへの遅れを最小にするように最適化され得る。シールド電極及びゲート電極にバイアスを印加する際の遅れは、ゲートランナ領域と、ダイの終端又はエッジ領域とにゲート電極対シールド電極接触部を形成することによりさらに低減され得る。
シールド電極及びゲート電極は本発明の別の実施形態による別の手法で電気的に接続されてもよい。例えば、各トレンチにおけるＩＥＤは、ＩＥＤ上にゲート電極を形成する前に所定の場所をエッチングされてもよい。この実施形態において、図２Ｈ及び図３に示した接触開口部は必要ではなく、各トレンチにおけるゲート電極に対するゲート相互接続接触部が、ＩＥＤにおける短絡部により対応するシールド電極に繋げられる。別の実施形態によれば、ゲート及びシールド電極接触部は、ＩＥＤにおける開口部並びに終端及びゲートランナ領域のような非アクティブ領域に形成された接触開口部により形成されてもよい。高品質ＩＥＤを形成する必要性を無くすことにより、改良されたドレイン対ソースオン抵抗ＲDSonを有するシールドゲートトレンチＭＯＳＦＥＴを形成する簡略化され且つより制御自在なプロセスが得られる。
本発明の原理は任意のシールドゲートＦＥＴ構造に適用されてもよく、例えば、シールドゲートＦＥＴ構造は、「パワー半導体デバイス及びその製造方法（Power Semiconductor Devices and Methods of Manufacture）」と題された米国特許出願第１１／０２６，２７６号の図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｃ、図６−図８、図９Ａ−図９Ｃ、図１１、図１２、図１５、図１６、図２４、及び図２６Ａ−図２６Ｃに示されたシールドゲートＦＥＴ構造であり、当該米国特許出願第１１／０２６，２７６号の開示内容は全内容を本出願に含めるものとする。
上記の説明は、本発明の好適な実施形態の完全な説明を与えているが、多くの変形、変更、及び均等物が可能である。当業者は、横型デバイスを含む別の種類のスーパージャンクション構造及びより広くは別の種類のデバイスに適用され得る。例えば、本発明の実施形態はｎチャネルＭＯＳＦＥＴに関して説明されたが、本発明の原理は、様々な領域の導電型を単に反対にすることによるｐチャネルＭＯＳＦＥＴに適用されてもよい。よって、上記の説明は本発明の範囲を限定するようにとられるべきではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲によって画定される。

Claims (27)

  1. 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、
    半導体領域内に延在し、前記ＦＥＴのアクティブ領域に設けられているトレンチと、
    前記トレンチの下部に設けられ且つシールド誘電体により前記半導体領域から絶縁されるシールド電極と、
    前記シールド電極上に設けられた電極間誘電体（ＩＥＤ）と、
    前記トレンチの上部に設けられ、前記ＩＥＤ上に設けられ且つゲート誘電体により前記半導体領域から絶縁されているゲート電極と、を含み、
    前記シールド電極、前記ＩＥＤ及び前記ゲート電極は前記トレンチから外に延在し、前記ＦＥＴの非アクティブ領域に至り、
    前記ＦＥＴは、
    前記シールド電極の表面が露出されるように前記ＩＥＤによって画定された第１部分と少なくとも一部が前記ゲート電極の側壁によって画定された第２部分とを有し、前記ＦＥＴの前記非アクティブ領域に設けられた１つの接触開口部と、
    前記接触開口部内に設けられ、前記シールド電極を前記ゲート電極と電気的に接続する相互接続層と、をさらに含むことを特徴とするＦＥＴ。
  2. 前記半導体領域は、
    第１の導電型のドリフト領域と、
    前記ドリフト領域上に延在する第２の導電型のボディ領域と、
    前記トレンチに隣接する前記ボディ領域に設けられた前記第１の導電型のソース領域と、を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
  3. 前記相互接続層は第１の相互接続層であり、
    前記ゲート電極は、前記トレンチにおいて前記半導体領域の上面より下に凹設され、
    前記ＦＥＴは、
    前記ソース領域及び前記ボディ領域を接続する第２の相互接続層と、
    前記ゲート電極上に設けられて、前記ゲート電極を前記第２の相互接続層から絶縁する誘電体材料と、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のＦＥＴ。
  4. 前記第１の導電型の基板をさらに含み、前記ドリフト領域は前記基板上に延在し、前記トレンチは前記ボディ領域を通って延在して前記ドリフト領域内で終端することを特徴とする請求項２に記載のＦＥＴ。
  5. 前記第１の導電型の基板をさらに含み、前記ドリフト領域は前記基板上に延在し、前記トレンチは前記ボディ領域及び前記ドリフト領域を通って延在して前記基板内で終端することを特徴とする請求項２に記載のＦＥＴ。
  6. 前記接触開口部は前記非アクティブ領域のゲートランナ領域に所定の間隔で設けられた複数の接触開口部のうちの１つであることを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
  7. 前記シールド電極は前記トレンチ内の前記ＩＥＤを介して電気的接続部により前記ゲート電極にさらに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
  8. 前記ゲート電極は、前記トレンチ内の前記ＩＥＤにおける少なくとも１つの開口部を通って前記シールド電極にさらに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
  9. 前記非アクティブ領域は前記ＦＥＴを含む半導体ダイの周縁に沿って延在する終端領域を含み、前記接触開口部は前記終端領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
  10. 半導体ダイにおける電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、
    少なくとも１つのアクティブセルを含むアクティブ領域と、
    非アクティブ領域と、
    第１の導電型のドリフト領域と、
    前記ドリフト領域上に設けられた第２の導電型のボディ領域と、
    前記ボディ領域を通り前記ドリフト領域に延在するトレンチと、を含み、
    前記トレンチは前記トレンチ内に設けられたシールド電極、電極間誘電体（ＩＥＤ）及びゲート電極を有し、前記シールド電極は前記ＩＥＤ上に設けられ、前記ＩＥＤは前記ゲート電極の下に配置されており、
    前記ＦＥＴは、
    前記ＩＥＤによって画定された第１部分と少なくとも一部が前記ゲート電極の端部によって画定された第２部分とを有し、前記非アクティブ領域に設けられた１つの接触開口部と、
    前記接触開口部内に設けられ、前記シールド電極を前記ゲート電極と電気的に接続するゲート相互接続層と、をさらに含むことを特徴とするＦＥＴ。
  11. 前記トレンチに隣接する前記ボディ領域に設けられた前記第１の導電型のソース領域と、
    前記ソース領域に隣接する前記ボディ領域に設けられた前記第２の導電型の高濃度ボディ領域と、をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のＦＥＴ。
  12. 前記ゲート電極は、前記トレンチにおいて前記ソース領域の上面より下に凹設され、
    前記ＦＥＴは、前記ソース領域及び前記高濃度ボディ領域を電気的に接続する別の相互接続層と、
    前記ゲート電極上に設けられて、前記ゲート電極を前記別の相互接続層から絶縁する誘電体材料と、をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のＦＥＴ。
  13. 前記第１の導電型の基板をさらに含み、
    前記ドリフト領域は前記基板上に延在し、前記トレンチは前記ドリフト領域内で終端することを特徴とする請求項１０に記載のＦＥＴ。
  14. 前記第１の導電型の基板をさらに含み、
    前記ドリフト領域は前記基板上に延在し、前記トレンチは前記ドリフト領域を通り前記基板内で終端することを特徴とする請求項１０に記載のＦＥＴ。
  15. 前記シールド電極は前記ＩＥＤを介して電気的接続部により前記ゲート電極にさらに電気的に接続されることを特徴とする請求項１０に記載のＦＥＴ。
  16. 前記非アクティブ領域は前記半導体ダイの中間部分を経て延在するゲートランナ領域を有し、
    前記接触開口部は前記ゲートランナ領域に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載のＦＥＴ。
  17. 前記非アクティブ領域は前記半導体ダイの周縁に沿って延在する終端領域を有し、
    前記接触開口部は前記終端領域に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載のＦＥＴ。
  18. 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、
    半導体領域に延在する複数のトレンチを含み、前記トレンチの各々はゲート電極及びシールド電極と、前記ゲート電極と前記シールド電極との間に設けられた電極間誘電体（ＩＥＤ）とを有し、前記トレンチの各々の前記シールド電極、前記ＩＥＤ及び前記ゲート電極は前記ＦＥＴの非アクティブ領域に延在し、前記トレンチの各々の前記シールド電極及び前記ゲート電極は前記ＦＥＴの前記非アクティブ領域内の１つの接触開口部に設けられた相互接続層を介して互いに電気的に接続され、前記接触開口部は前記ＩＥＤによって画定された第１部分と前記ゲート電極の側壁によって画定された第２部分とを有することを特徴とするＦＥＴ。
  19. 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成する方法であって、前記方法は、
    半導体領域にトレンチを形成するステップと、
    前記トレンチの下方側壁及び底面を覆いかつ前記トレンチから外にメサ領域まで延在するシールド誘電体層を形成するステップと、
    前記トレンチの下部において前記トレンチから外に前記メサ領域まで延在するシールド電極を形成するステップと、
    上方トレンチ側壁に沿って且つ前記シールド電極上に前記トレンチから外に前記メサ領域まで延在する電極間誘電体（ＩＥＤ）を形成するステップと、
    前記トレンチ内において前記ＩＥＤ上に前記トレンチから外に前記メサ領域まで延在するゲート電極を形成するステップと、
    前記シールド電極の表面が露出されるように前記ＩＥＤによって画定された第１部分と少なくとも一部が前記ゲート電極の側壁によって画定された第２部分とを有する１つの接触開口部を前記メサ領域に形成するステップと、
    前記ゲート電極及び前記シールド電極を電気的に接続する相互接続層を前記接触開口部内に形成するステップと、を含むことを特徴とする方法。
  20. 前記メサ領域は前記ＦＥＴを含む半導体ダイの非アクティブ領域に配置されていることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
  21. 前記ＩＥＤを形成するステップはシリコンの酸化を行うステップを含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
  22. 前記半導体領域は第１の導電型の基板上に設けられた前記第１の導電型のエピタキシャル層を含み、前記方法は、
    前記エピタキシャル層に第２の導電型のボディ領域を形成するステップと、
    前記トレンチに隣接する前記第１の導電型のソース領域を前記ボディ領域に形成するステップと、
    前記ボディ領域に、前記ソース領域に隣接する前記第２の導電型の高濃度ボディ領域を形成するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
  23. 前記ゲート電極を形成するステップの前に、前記トレンチ内の前記ＩＥＤの所定の部分に１つ以上の開口部を形成するステップをさらに含み、それにより前記ゲート電極を形成するステップは前記ゲート電極が前記ＩＥＤの前記所定の部分の前記１つ以上の開口部を通って前記シールド電極と電気的に接続される結果となることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
  24. アクティブ領域及び非アクティブ領域を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を半導体ダイに形成する方法であって、前記方法は、
    前記半導体ダイの前記アクティブ領域に半導体領域に延在するトレンチを形成するステップと、
    前記トレンチを充填し且つ前記半導体ダイの前記非アクティブ領域におけるメサ領域上に延在する第１のポリシリコン層を形成するステップと、
    前記トレンチ内において前記第１のポリシリコン層を凹設するステップと、を含み、
    前記トレンチ内において前記第１のポリシリコン層を凹設するステップにより、前記トレンチの底部にシールド電極が形成され、前記シールド電極は前記トレンチから前記メサ領域に連続しており、
    前記方法はさらに、
    シリコンの酸化により誘電体層を形成するステップを含み、
    前記誘電体層は、（ｉ）前記トレンチの露出した上方側壁、（ｉｉ）前記シールド電極の上方表面、及び（ｉｉｉ）前記メサ領域における前記第１のポリシリコン層の表面領域を覆い、
    前記方法はさらに、
    前記トレンチを充填し且つ前記メサ領域における前記誘電体層上に延在する第２のポリシリコン層を形成するステップと、
    前記トレンチ内において前記第２のポリシリコン層を凹設し、前記トレンチの上部にゲート電極を形成するステップと、を含み、
    前記ゲート電極は前記トレンチから前記メサ領域に連続しており、
    前記方法はさらに、
    前記第１のポリシリコン層の表面が露出されるように前記誘電体層によって画定された第１部分と少なくとも一部が前記ゲート電極の端部によって画定された第２部分とを有する１つの接触開口部を前記メサ領域に形成するステップと、
    前記接触開口部を充填するゲート相互接続層を形成し、前記第１のポリシリコン層及び前記第２のポリシリコン層を電気的に接続するステップと、を含むことを特徴とする方法。
  25. 前記第１のポリシリコン層を形成するステップの前に、前記トレンチの側壁及び底部を覆い且つ前記メサ領域上に延在するシールド誘電体層を形成するステップと、
    前記第１のポリシリコン層を前記トレンチ内に凹設するステップの後に、前記トレンチ内に前記シールド誘電体層を凹設して前記トレンチの上方側壁を露出させるステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
  26. 前記半導体領域は第１の導電型の基板上に設けられた前記第１の導電型のエピタキシャル層を含み、
    前記方法は、
    前記エピタキシャル層に第２の導電型のボディ領域を形成するステップと、
    前記トレンチに隣接する前記第１の導電型のソース領域を前記ボディ領域に形成するステップと、
    前記ボディ領域に、前記ソース領域に隣接する前記第２の導電型の高濃度ボディ領域を形成するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
  27. 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成する方法であって、
    半導体領域に延在するトレンチを形成するステップと、
    前記ＦＥＴの非アクティブ領域に延在するシールド電極を前記トレンチの底部に形成するステップと、
    前記トレンチ及び前記ＦＥＴの前記非アクティブ領域内の前記シールド電極上に電極間誘電体（ＩＥＤ）を形成するステップと、
    前記ＦＥＴの前記非アクティブ領域に延在するゲート電極を前記シールド電極上の前記トレンチの上部に形成するステップと、
    前記シールド電極の表面が露出されるように前記ＩＥＤによって画定された第１部分と少なくとも一部が前記ゲート電極の端部によって画定された第２部分とを有する１つの接触開口部を前記ＦＥＴの前記非アクティブ領域に形成するステップと、
    前記シールド電極及び前記ゲート電極を電気的に接続するゲート相互接続層を形成するステップと、を含むことを特徴とする方法。
JP2009516615A 2006-06-19 2007-05-21 互いに接続されたシールド電極及びゲート電極を有するシールドゲートトレンチｆｅｔの構造及びこれを形成する方法 Active JP5363978B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/471,279 US7319256B1 (en) 2006-06-19 2006-06-19 Shielded gate trench FET with the shield and gate electrodes being connected together
US11/471,279 2006-06-19
PCT/US2007/069329 WO2007149666A2 (en) 2006-06-19 2007-05-21 Structure and method for forming a shielded gate trench fet with the shield and gate electrodes being connected together

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009542002A JP2009542002A (ja) 2009-11-26
JP2009542002A5 JP2009542002A5 (ja) 2011-12-15
JP5363978B2 true JP5363978B2 (ja) 2013-12-11

Family

ID=38834205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009516615A Active JP5363978B2 (ja) 2006-06-19 2007-05-21 互いに接続されたシールド電極及びゲート電極を有するシールドゲートトレンチｆｅｔの構造及びこれを形成する方法

Country Status (9)

Country Link
US (4) US7319256B1 (ja)
JP (1) JP5363978B2 (ja)
KR (1) KR101437701B1 (ja)
CN (2) CN101908562B (ja)
AT (1) AT505888A2 (ja)
DE (1) DE112007001454T5 (ja)
MY (1) MY147032A (ja)
TW (1) TWI443824B (ja)
WO (1) WO2007149666A2 (ja)

Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340626A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP4955222B2 (ja) 2005-05-20 2012-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
DE112006001516T5 (de) 2005-06-10 2008-04-17 Fairchild Semiconductor Corp. Feldeffekttransistor mit Ladungsgleichgewicht
TWI400757B (zh) * 2005-06-29 2013-07-01 Fairchild Semiconductor 形成遮蔽閘極場效應電晶體之方法
US8236651B2 (en) * 2009-08-14 2012-08-07 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Shielded gate trench MOSFET device and fabrication
US8618601B2 (en) * 2009-08-14 2013-12-31 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Shielded gate trench MOSFET with increased source-metal contact
US8193580B2 (en) * 2009-08-14 2012-06-05 Alpha And Omega Semiconductor, Inc. Shielded gate trench MOSFET device and fabrication
US7319256B1 (en) 2006-06-19 2008-01-15 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with the shield and gate electrodes being connected together
US7718545B1 (en) * 2006-10-30 2010-05-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabrication process
US20080150013A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd Split gate formation with high density plasma (HDP) oxide layer as inter-polysilicon insulation layer
DE102006062011B4 (de) * 2006-12-29 2008-12-18 Infineon Technologies Ag Feldeffekttransistor und ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors
US8058687B2 (en) * 2007-01-30 2011-11-15 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. Split gate with different gate materials and work functions to reduce gate resistance of ultra high density MOSFET
JP5298432B2 (ja) * 2007-01-31 2013-09-25 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5183959B2 (ja) * 2007-04-23 2013-04-17 新日本無線株式会社 Ｍｏｓｆｅｔ型半導体装置の製造方法
JP5138274B2 (ja) * 2007-05-25 2013-02-06 三菱電機株式会社 半導体装置
US8497549B2 (en) * 2007-08-21 2013-07-30 Fairchild Semiconductor Corporation Method and structure for shielded gate trench FET
CN103762243B (zh) 2007-09-21 2017-07-28 飞兆半导体公司 功率器件
US9484451B2 (en) 2007-10-05 2016-11-01 Vishay-Siliconix MOSFET active area and edge termination area charge balance
US20100013009A1 (en) * 2007-12-14 2010-01-21 James Pan Structure and Method for Forming Trench Gate Transistors with Low Gate Resistance
KR100940643B1 (ko) * 2007-12-24 2010-02-05 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 제조방법
JP2009188294A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Nec Electronics Corp パワーｍｏｓｆｅｔ
US7807576B2 (en) * 2008-06-20 2010-10-05 Fairchild Semiconductor Corporation Structure and method for forming a thick bottom dielectric (TBD) for trench-gate devices
US7936009B2 (en) * 2008-07-09 2011-05-03 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with an inter-electrode dielectric having a low-k dielectric therein
EP2308095A1 (en) * 2008-07-25 2011-04-13 Nxp B.V. A trench-gate semiconductor device
US7893488B2 (en) * 2008-08-20 2011-02-22 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Charged balanced devices with shielded gate trench
US8044459B2 (en) 2008-11-10 2011-10-25 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device with trench field plate including first and second semiconductor materials
US8552535B2 (en) * 2008-11-14 2013-10-08 Semiconductor Components Industries, Llc Trench shielding structure for semiconductor device and method
US7915672B2 (en) * 2008-11-14 2011-03-29 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor device having trench shield electrode structure
US8362548B2 (en) * 2008-11-14 2013-01-29 Semiconductor Components Industries, Llc Contact structure for semiconductor device having trench shield electrode and method
US8304829B2 (en) 2008-12-08 2012-11-06 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics
US8174067B2 (en) 2008-12-08 2012-05-08 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics
US8664713B2 (en) 2008-12-31 2014-03-04 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated power device on a semiconductor substrate having an improved trench gate structure
US8227855B2 (en) * 2009-02-09 2012-07-24 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor devices with stable and controlled avalanche characteristics and methods of fabricating the same
US8148749B2 (en) * 2009-02-19 2012-04-03 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-shielded semiconductor device
US8049276B2 (en) * 2009-06-12 2011-11-01 Fairchild Semiconductor Corporation Reduced process sensitivity of electrode-semiconductor rectifiers
US7952141B2 (en) 2009-07-24 2011-05-31 Fairchild Semiconductor Corporation Shield contacts in a shielded gate MOSFET
WO2011019378A1 (en) * 2009-08-14 2011-02-17 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Shielded gate trench mosfet device and fabrication
US8252647B2 (en) * 2009-08-31 2012-08-28 Alpha & Omega Semiconductor Incorporated Fabrication of trench DMOS device having thick bottom shielding oxide
TWI380448B (en) * 2009-09-16 2012-12-21 Anpec Electronics Corp Overlapping trench gate semiconductor device and manufacturing method thereof
US8105903B2 (en) * 2009-09-21 2012-01-31 Force Mos Technology Co., Ltd. Method for making a trench MOSFET with shallow trench structures
US20110084332A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Vishay General Semiconductor, Llc. Trench termination structure
US9425305B2 (en) 2009-10-20 2016-08-23 Vishay-Siliconix Structures of and methods of fabricating split gate MIS devices
US9419129B2 (en) 2009-10-21 2016-08-16 Vishay-Siliconix Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile
US8138605B2 (en) * 2009-10-26 2012-03-20 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Multiple layer barrier metal for device component formed in contact trench
US8072028B2 (en) 2009-10-26 2011-12-06 Infineon Technologies Austria Ag Method and device including transistor component having a field electrode
KR101102658B1 (ko) * 2009-11-27 2012-01-04 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 및 그 형성 방법
US8129778B2 (en) * 2009-12-02 2012-03-06 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor devices and methods for making the same
WO2011109559A2 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Kyle Terrill Structures and methods of fabricating dual gate devices
JP6008377B2 (ja) * 2010-03-03 2016-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｐチャネル型パワーｍｏｓｆｅｔ
US8431457B2 (en) * 2010-03-11 2013-04-30 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Method for fabricating a shielded gate trench MOS with improved source pickup layout
JP2011199109A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Renesas Electronics Corp パワーｍｏｓｆｅｔ
US8779510B2 (en) * 2010-06-01 2014-07-15 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Semiconductor power devices manufactured with self-aligned processes and more reliable electrical contacts
US9252239B2 (en) * 2014-05-31 2016-02-02 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Semiconductor power devices manufactured with self-aligned processes and more reliable electrical contacts
DE102010034116B3 (de) * 2010-08-12 2012-01-12 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zum Erzeugen einer Isolationsschicht zwischen zwei Elektroden
US8476676B2 (en) 2011-01-20 2013-07-02 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Trench poly ESD formation for trench MOS and SGT
US8598654B2 (en) 2011-03-16 2013-12-03 Fairchild Semiconductor Corporation MOSFET device with thick trench bottom oxide
US8610205B2 (en) * 2011-03-16 2013-12-17 Fairchild Semiconductor Corporation Inter-poly dielectric in a shielded gate MOSFET device
US9570404B2 (en) 2011-04-28 2017-02-14 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Flexible Crss adjustment in a SGT MOSFET to smooth waveforms and to avoid EMI in DC-DC application
WO2012158977A2 (en) 2011-05-18 2012-11-22 Vishay-Siliconix Semiconductor device
US8829603B2 (en) 2011-08-18 2014-09-09 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Shielded gate trench MOSFET package
US8492226B2 (en) * 2011-09-21 2013-07-23 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Trench transistor
US9054133B2 (en) 2011-09-21 2015-06-09 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. High voltage trench transistor
US8872278B2 (en) 2011-10-25 2014-10-28 Fairchild Semiconductor Corporation Integrated gate runner and field implant termination for trench devices
US9431249B2 (en) 2011-12-01 2016-08-30 Vishay-Siliconix Edge termination for super junction MOSFET devices
US9614043B2 (en) * 2012-02-09 2017-04-04 Vishay-Siliconix MOSFET termination trench
US9159786B2 (en) 2012-02-20 2015-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual gate lateral MOSFET
US9842911B2 (en) 2012-05-30 2017-12-12 Vishay-Siliconix Adaptive charge balanced edge termination
KR101893615B1 (ko) * 2012-06-15 2018-08-31 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법
CN103035714A (zh) * 2012-06-21 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 超级结mosfet的元胞结构
ITTO20120742A1 (it) 2012-08-24 2014-02-25 St Microelectronics Srl Dispositivo a semiconduttore con modalita' operative lineare e a commutazione migliorate, metodo di fabbricazione del dispositivo a semiconduttore, e metodo di polarizzazione del dispositivo a semiconduttore
CN103633068B (zh) * 2012-08-26 2016-08-10 万国半导体股份有限公司 在sgt mosfet中灵活调节crss以平滑波形避免直流-直流器件中电磁干扰
JP2014063771A (ja) * 2012-09-19 2014-04-10 Toshiba Corp 半導体装置
US9099419B2 (en) * 2012-10-09 2015-08-04 Infineon Technologies Ag Test method and test arrangement
US9184284B2 (en) 2012-12-31 2015-11-10 Infineon Technologies Ag Method for operating field-effect transistor, field-effect transistor and circuit configuration
US9142655B2 (en) 2013-03-12 2015-09-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
JP6170812B2 (ja) * 2013-03-19 2017-07-26 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US9202910B2 (en) 2013-04-30 2015-12-01 Infineon Technologies Austria Ag Lateral power semiconductor device and method for manufacturing a lateral power semiconductor device
US9570553B2 (en) * 2013-08-19 2017-02-14 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor chip with integrated series resistances
KR20150030799A (ko) 2013-09-12 2015-03-23 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101790818B1 (ko) * 2013-10-28 2017-10-27 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자
US10395970B2 (en) * 2013-12-05 2019-08-27 Vishay-Siliconix Dual trench structure
US20150263139A1 (en) * 2014-03-12 2015-09-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US9595587B2 (en) 2014-04-23 2017-03-14 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Split poly connection via through-poly-contact (TPC) in split-gate based power MOSFETs
US9887259B2 (en) 2014-06-23 2018-02-06 Vishay-Siliconix Modulated super junction power MOSFET devices
KR102026543B1 (ko) 2014-08-19 2019-09-27 비쉐이-실리코닉스 전자 회로
WO2016028944A1 (en) 2014-08-19 2016-02-25 Vishay-Siliconix Super-junction metal oxide semiconductor field effect transistor
JP2016181618A (ja) 2015-03-24 2016-10-13 株式会社デンソー 半導体装置
US9680003B2 (en) 2015-03-27 2017-06-13 Nxp Usa, Inc. Trench MOSFET shield poly contact
DE102015108440B3 (de) * 2015-05-28 2016-10-06 Infineon Technologies Ag Streifenförmige elektrodenstruktur einschliesslich eines hauptteiles mit einer feldelektrode und eines die elektrodenstruktur abschliessenden endteiles
US9673314B2 (en) 2015-07-08 2017-06-06 Vishay-Siliconix Semiconductor device with non-uniform trench oxide layer
US9515178B1 (en) 2015-09-10 2016-12-06 Freescale Semiconductor, Inc. Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods
KR101788415B1 (ko) * 2015-12-30 2017-10-20 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법
US20200295179A1 (en) * 2016-01-14 2020-09-17 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device
JP6472776B2 (ja) 2016-02-01 2019-02-20 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
US9653410B1 (en) 2016-03-15 2017-05-16 Nxp Usa, Inc. Transistor with shield structure, packaged device, and method of manufacture
US9991378B2 (en) * 2016-06-20 2018-06-05 Sinopower Semiconductor, Inc. Trench power semiconductor device
CN107527800B (zh) * 2016-06-22 2021-05-11 无锡华润上华科技有限公司 沟槽栅极结构及其制造方法
CN107871665B (zh) * 2016-09-28 2020-04-10 台湾半导体股份有限公司 利用氧化层与氮化层依序包覆电极部的场效应晶体管及其制造方法
US10211333B2 (en) * 2017-04-26 2019-02-19 Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. Scalable SGT structure with improved FOM
TWI663725B (zh) 2017-04-26 2019-06-21 國立清華大學 溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構
TWI639232B (zh) * 2017-06-30 2018-10-21 帥群微電子股份有限公司 溝槽式功率半導體元件及其製造方法
CN109216450B (zh) * 2017-06-30 2021-11-30 帅群微电子股份有限公司 沟槽式功率半导体元件的制造方法
US10658351B2 (en) 2017-08-22 2020-05-19 Semiconductor Components Industries, Llc Electronic device including a transistor having structures with different characteristics
US10153357B1 (en) 2017-08-28 2018-12-11 Nxp Usa, Inc. Superjunction power semiconductor device and method for forming
US10304933B1 (en) 2018-04-24 2019-05-28 Semiconductor Components Industries, Llc Trench power MOSFET having a trench cavity
US10593619B1 (en) 2018-08-28 2020-03-17 Nsp Usa, Inc. Transistor shield structure, packaged device, and method of manufacture
JP7139232B2 (ja) * 2018-12-07 2022-09-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE102019008556A1 (de) 2019-03-14 2020-09-17 Semiconductor Components Industries, Llc Feldeffekttransistorstruktur mit isoliertem Gate mit abgeschirmter Quelle und Verfahren
US10784373B1 (en) 2019-03-14 2020-09-22 Semiconductor Components Industries, Llc Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method
US11217541B2 (en) 2019-05-08 2022-01-04 Vishay-Siliconix, LLC Transistors with electrically active chip seal ring and methods of manufacture
US10811502B1 (en) 2019-05-30 2020-10-20 Nxp Usa, Inc. Method of manufacture of super-junction power semiconductor device
US11218144B2 (en) 2019-09-12 2022-01-04 Vishay-Siliconix, LLC Semiconductor device with multiple independent gates
CN111403341B (zh) * 2020-03-28 2023-03-28 电子科技大学 降低窄控制栅结构栅电阻的金属布线方法
KR102500888B1 (ko) 2021-05-31 2023-02-17 주식회사 키파운드리 분할 게이트 전력 모스펫 및 제조 방법
CN113990933B (zh) * 2021-10-28 2023-05-26 电子科技大学 一种半导体纵向器件及制备方法
TWI817343B (zh) * 2022-01-28 2023-10-01 新唐科技股份有限公司 溝槽閘極式半導體裝置及其形成方法

Family Cites Families (341)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3404295A (en) 1964-11-30 1968-10-01 Motorola Inc High frequency and voltage transistor with added region for punch-through protection
US3412297A (en) 1965-12-16 1968-11-19 United Aircraft Corp Mos field-effect transistor with a onemicron vertical channel
US3497777A (en) 1967-06-13 1970-02-24 Stanislas Teszner Multichannel field-effect semi-conductor device
US3564356A (en) 1968-10-24 1971-02-16 Tektronix Inc High voltage integrated circuit transistor
US3660697A (en) 1970-02-16 1972-05-02 Bell Telephone Labor Inc Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer
US4003072A (en) 1972-04-20 1977-01-11 Sony Corporation Semiconductor device with high voltage breakdown resistance
US4011105A (en) 1975-09-15 1977-03-08 Mos Technology, Inc. Field inversion control for n-channel device integrated circuits
US4337474A (en) 1978-08-31 1982-06-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US4698653A (en) 1979-10-09 1987-10-06 Cardwell Jr Walter T Semiconductor devices controlled by depletion regions
US4638344A (en) 1979-10-09 1987-01-20 Cardwell Jr Walter T Junction field-effect transistor controlled by merged depletion regions
US4338616A (en) 1980-02-19 1982-07-06 Xerox Corporation Self-aligned Schottky metal semi-conductor field effect transistor with buried source and drain
US4345265A (en) 1980-04-14 1982-08-17 Supertex, Inc. MOS Power transistor with improved high-voltage capability
US4868624A (en) 1980-05-09 1989-09-19 Regents Of The University Of Minnesota Channel collector transistor
US4300150A (en) 1980-06-16 1981-11-10 North American Philips Corporation Lateral double-diffused MOS transistor device
US4326332A (en) 1980-07-28 1982-04-27 International Business Machines Corp. Method of making a high density V-MOS memory array
DE3070786D1 (en) 1980-11-12 1985-07-25 Ibm Deutschland Electrically switchable read-only memory
US4324038A (en) 1980-11-24 1982-04-13 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of fabricating MOS field effect transistors
US4969028A (en) 1980-12-02 1990-11-06 General Electric Company Gate enhanced rectifier
GB2089119A (en) 1980-12-10 1982-06-16 Philips Electronic Associated High voltage semiconductor devices
US4974059A (en) 1982-12-21 1990-11-27 International Rectifier Corporation Semiconductor high-power mosfet device
JPS6016420A (ja) 1983-07-08 1985-01-28 Mitsubishi Electric Corp 選択的エピタキシヤル成長方法
US4639761A (en) 1983-12-16 1987-01-27 North American Philips Corporation Combined bipolar-field effect transistor resurf devices
US4568958A (en) 1984-01-03 1986-02-04 General Electric Company Inversion-mode insulated-gate gallium arsenide field-effect transistors
FR2566179B1 (fr) 1984-06-14 1986-08-22 Commissariat Energie Atomique Procede d'autopositionnement d'un oxyde de champ localise par rapport a une tranchee d'isolement
US5208657A (en) 1984-08-31 1993-05-04 Texas Instruments Incorporated DRAM Cell with trench capacitor and vertical channel in substrate
US4824793A (en) 1984-09-27 1989-04-25 Texas Instruments Incorporated Method of making DRAM cell with trench capacitor
US4673962A (en) 1985-03-21 1987-06-16 Texas Instruments Incorporated Vertical DRAM cell and method
US4774556A (en) 1985-07-25 1988-09-27 Nippondenso Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory device
US5262336A (en) 1986-03-21 1993-11-16 Advanced Power Technology, Inc. IGBT process to produce platinum lifetime control
US4767722A (en) 1986-03-24 1988-08-30 Siliconix Incorporated Method for making planar vertical channel DMOS structures
US5034785A (en) 1986-03-24 1991-07-23 Siliconix Incorporated Planar vertical channel DMOS structure
US4716126A (en) 1986-06-05 1987-12-29 Siliconix Incorporated Fabrication of double diffused metal oxide semiconductor transistor
US5607511A (en) 1992-02-21 1997-03-04 International Business Machines Corporation Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers
US4746630A (en) 1986-09-17 1988-05-24 Hewlett-Packard Company Method for producing recessed field oxide with improved sidewall characteristics
US4941026A (en) 1986-12-05 1990-07-10 General Electric Company Semiconductor devices exhibiting minimum on-resistance
JP2577330B2 (ja) 1986-12-11 1997-01-29 新技術事業団 両面ゲ−ト静電誘導サイリスタの製造方法
JPS63171856A (ja) 1987-01-09 1988-07-15 Hitachi Ltd 耐熱鋼
US5105243A (en) 1987-02-26 1992-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Conductivity-modulation metal oxide field effect transistor with single gate structure
US4821095A (en) 1987-03-12 1989-04-11 General Electric Company Insulated gate semiconductor device with extra short grid and method of fabrication
US5035312A (en) 1987-03-25 1991-07-30 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Apparatus for controlling hydraulic pressure for clutch
US4745079A (en) 1987-03-30 1988-05-17 Motorola, Inc. Method for fabricating MOS transistors having gates with different work functions
US4801986A (en) 1987-04-03 1989-01-31 General Electric Company Vertical double diffused metal oxide semiconductor VDMOS device with increased safe operating area and method
US4823176A (en) 1987-04-03 1989-04-18 General Electric Company Vertical double diffused metal oxide semiconductor (VDMOS) device including high voltage junction exhibiting increased safe operating area
US5164325A (en) 1987-10-08 1992-11-17 Siliconix Incorporated Method of making a vertical current flow field effect transistor
US4893160A (en) 1987-11-13 1990-01-09 Siliconix Incorporated Method for increasing the performance of trenched devices and the resulting structure
US4914058A (en) 1987-12-29 1990-04-03 Siliconix Incorporated Grooved DMOS process with varying gate dielectric thickness
US4967245A (en) 1988-03-14 1990-10-30 Siliconix Incorporated Trench power MOSFET device
US5283201A (en) 1988-05-17 1994-02-01 Advanced Power Technology, Inc. High density power device fabrication process
KR0173111B1 (ko) 1988-06-02 1999-02-01 야마무라 가쯔미 트렌치 게이트 mos fet
US4961100A (en) 1988-06-20 1990-10-02 General Electric Company Bidirectional field effect semiconductor device and circuit
JPH0216763A (ja) 1988-07-05 1990-01-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4853345A (en) 1988-08-22 1989-08-01 Delco Electronics Corporation Process for manufacture of a vertical DMOS transistor
US5268311A (en) 1988-09-01 1993-12-07 International Business Machines Corporation Method for forming a thin dielectric layer on a substrate
US5156989A (en) 1988-11-08 1992-10-20 Siliconix, Incorporated Complementary, isolated DMOS IC technology
US5346834A (en) 1988-11-21 1994-09-13 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device
US5072266A (en) 1988-12-27 1991-12-10 Siliconix Incorporated Trench DMOS power transistor with field-shaping body profile and three-dimensional geometry
US5111253A (en) 1989-05-09 1992-05-05 General Electric Company Multicellular FET having a Schottky diode merged therewith
US4992390A (en) 1989-07-06 1991-02-12 General Electric Company Trench gate structure with thick bottom oxide
WO1991003842A1 (en) 1989-08-31 1991-03-21 Nippondenso Co., Ltd. Insulated gate bipolar transistor
US4982260A (en) 1989-10-02 1991-01-01 General Electric Company Power rectifier with trenches
US5248894A (en) 1989-10-03 1993-09-28 Harris Corporation Self-aligned channel stop for trench-isolated island
US5134448A (en) 1990-01-29 1992-07-28 Motorola, Inc. MOSFET with substrate source contact
US5023196A (en) * 1990-01-29 1991-06-11 Motorola Inc. Method for forming a MOSFET with substrate source contact
US5242845A (en) 1990-06-13 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of production of vertical MOS transistor
KR950006483B1 (ko) * 1990-06-13 1995-06-15 가부시끼가이샤 도시바 종형 mos트랜지스터와 그 제조방법
US5071782A (en) 1990-06-28 1991-12-10 Texas Instruments Incorporated Vertical memory cell array and method of fabrication
US5079608A (en) 1990-11-06 1992-01-07 Harris Corporation Power MOSFET transistor circuit with active clamp
DE69125794T2 (de) 1990-11-23 1997-11-27 Texas Instruments Inc Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate und eines Bipolartransistors
US5065273A (en) 1990-12-04 1991-11-12 International Business Machines Corporation High capacity DRAM trench capacitor and methods of fabricating same
US5684320A (en) 1991-01-09 1997-11-04 Fujitsu Limited Semiconductor device having transistor pair
US5168331A (en) 1991-01-31 1992-12-01 Siliconix Incorporated Power metal-oxide-semiconductor field effect transistor
JP2825004B2 (ja) 1991-02-08 1998-11-18 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 側壁電荷結合撮像素子及びその製造方法
CN1019720B (zh) 1991-03-19 1992-12-30 电子科技大学 半导体功率器件
US5164802A (en) 1991-03-20 1992-11-17 Harris Corporation Power vdmosfet with schottky on lightly doped drain of lateral driver fet
US5250450A (en) 1991-04-08 1993-10-05 Micron Technology, Inc. Insulated-gate vertical field-effect transistor with high current drive and minimum overlap capacitance
JP2603886B2 (ja) 1991-05-09 1997-04-23 日本電信電話株式会社 薄層ｓｏｉ型絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法
US5219793A (en) 1991-06-03 1993-06-15 Motorola Inc. Method for forming pitch independent contacts and a semiconductor device having the same
KR940006702B1 (ko) 1991-06-14 1994-07-25 금성일렉트론 주식회사 모스패트의 제조방법
US5298761A (en) 1991-06-17 1994-03-29 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure process
JP2570022B2 (ja) 1991-09-20 1997-01-08 株式会社日立製作所 定電圧ダイオード及びそれを用いた電力変換装置並びに定電圧ダイオードの製造方法
JPH0613627A (ja) 1991-10-08 1994-01-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5300452A (en) 1991-12-18 1994-04-05 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device
US5366914A (en) 1992-01-29 1994-11-22 Nec Corporation Vertical power MOSFET structure having reduced cell area
US5315142A (en) 1992-03-23 1994-05-24 International Business Machines Corporation High performance trench EEPROM cell
JP2904635B2 (ja) 1992-03-30 1999-06-14 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US5554862A (en) 1992-03-31 1996-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor device
JPH06196723A (ja) 1992-04-28 1994-07-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US5640034A (en) 1992-05-18 1997-06-17 Texas Instruments Incorporated Top-drain trench based resurf DMOS transistor structure
US5233215A (en) 1992-06-08 1993-08-03 North Carolina State University At Raleigh Silicon carbide power MOSFET with floating field ring and floating field plate
US5430324A (en) 1992-07-23 1995-07-04 Siliconix, Incorporated High voltage transistor having edge termination utilizing trench technology
US5558313A (en) 1992-07-24 1996-09-24 Siliconix Inorporated Trench field effect transistor with reduced punch-through susceptibility and low RDSon
US5910669A (en) 1992-07-24 1999-06-08 Siliconix Incorporated Field effect Trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof
US5281548A (en) 1992-07-28 1994-01-25 Micron Technology, Inc. Plug-based floating gate memory
US5294824A (en) 1992-07-31 1994-03-15 Motorola, Inc. High voltage transistor having reduced on-resistance
GB9216599D0 (en) 1992-08-05 1992-09-16 Philips Electronics Uk Ltd A semiconductor device comprising a vertical insulated gate field effect device and a method of manufacturing such a device
US5300447A (en) 1992-09-29 1994-04-05 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing a minimum scaled transistor
JPH06163907A (ja) 1992-11-20 1994-06-10 Hitachi Ltd 電圧駆動型半導体装置
US5275965A (en) 1992-11-25 1994-01-04 Micron Semiconductor, Inc. Trench isolation using gated sidewalls
US5326711A (en) 1993-01-04 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated High performance high voltage vertical transistor and method of fabrication
DE4300806C1 (de) 1993-01-14 1993-12-23 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von vertikalen MOS-Transistoren
US5418376A (en) 1993-03-02 1995-05-23 Toyo Denki Seizo Kabushiki Kaisha Static induction semiconductor device with a distributed main electrode structure and static induction semiconductor device with a static induction main electrode shorted structure
US5341011A (en) 1993-03-15 1994-08-23 Siliconix Incorporated Short channel trenched DMOS transistor
DE4309764C2 (de) 1993-03-25 1997-01-30 Siemens Ag Leistungs-MOSFET
KR960012585B1 (en) 1993-06-25 1996-09-23 Samsung Electronics Co Ltd Transistor structure and the method for manufacturing the same
US5371396A (en) 1993-07-02 1994-12-06 Thunderbird Technologies, Inc. Field effect transistor having polycrystalline silicon gate junction
US5365102A (en) 1993-07-06 1994-11-15 North Carolina State University Schottky barrier rectifier with MOS trench
BE1007283A3 (nl) 1993-07-12 1995-05-09 Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting met een most voorzien van een extended draingebied voor hoge spanningen.
JPH07122749A (ja) 1993-09-01 1995-05-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3400846B2 (ja) 1994-01-20 2003-04-28 三菱電機株式会社 トレンチ構造を有する半導体装置およびその製造方法
US5429977A (en) 1994-03-11 1995-07-04 Industrial Technology Research Institute Method for forming a vertical transistor with a stacked capacitor DRAM cell
US5434435A (en) 1994-05-04 1995-07-18 North Carolina State University Trench gate lateral MOSFET
US5449925A (en) 1994-05-04 1995-09-12 North Carolina State University Voltage breakdown resistant monocrystalline silicon carbide semiconductor devices
DE4417150C2 (de) 1994-05-17 1996-03-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit selbstverstärkenden dynamischen MOS-Transistorspeicherzellen
US5454435A (en) 1994-05-25 1995-10-03 Reinhardt; Lisa Device for facilitating insertion of a beach umbrella in sand
US5405794A (en) 1994-06-14 1995-04-11 Philips Electronics North America Corporation Method of producing VDMOS device of increased power density
US5424231A (en) 1994-08-09 1995-06-13 United Microelectronics Corp. Method for manufacturing a VDMOS transistor
US5583368A (en) 1994-08-11 1996-12-10 International Business Machines Corporation Stacked devices
EP0698919B1 (en) 1994-08-15 2002-01-16 Siliconix Incorporated Trenched DMOS transistor fabrication using seven masks
US5581100A (en) 1994-08-30 1996-12-03 International Rectifier Corporation Trench depletion MOSFET
US5583065A (en) 1994-11-23 1996-12-10 Sony Corporation Method of making a MOS semiconductor device
US5674766A (en) 1994-12-30 1997-10-07 Siliconix Incorporated Method of making a trench MOSFET with multi-resistivity drain to provide low on-resistance by varying dopant concentration in epitaxial layer
US5597765A (en) 1995-01-10 1997-01-28 Siliconix Incorporated Method for making termination structure for power MOSFET
JPH08204179A (ja) 1995-01-26 1996-08-09 Fuji Electric Co Ltd 炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔ
US5670803A (en) 1995-02-08 1997-09-23 International Business Machines Corporation Three-dimensional SRAM trench structure and fabrication method therefor
JP3325736B2 (ja) 1995-02-09 2002-09-17 三菱電機株式会社 絶縁ゲート型半導体装置
DE69602114T2 (de) 1995-02-10 1999-08-19 Siliconix Inc Graben-Feldeffekttransistor mit PN-Verarmungsschicht-Barriere
JP3291957B2 (ja) 1995-02-17 2002-06-17 富士電機株式会社 縦型トレンチｍｉｓｆｅｔおよびその製造方法
US5595927A (en) 1995-03-17 1997-01-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for making self-aligned source/drain mask ROM memory cell using trench etched channel
US5592005A (en) 1995-03-31 1997-01-07 Siliconix Incorporated Punch-through field effect transistor
US5554552A (en) 1995-04-03 1996-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company PN junction floating gate EEPROM, flash EPROM device and method of manufacture thereof
US5744372A (en) 1995-04-12 1998-04-28 National Semiconductor Corporation Fabrication of complementary field-effect transistors each having multi-part channel
JPH08306914A (ja) 1995-04-27 1996-11-22 Nippondenso Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5567634A (en) 1995-05-01 1996-10-22 National Semiconductor Corporation Method of fabricating self-aligned contact trench DMOS transistors
US6049108A (en) 1995-06-02 2000-04-11 Siliconix Incorporated Trench-gated MOSFET with bidirectional voltage clamping
US5648670A (en) 1995-06-07 1997-07-15 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Trench MOS-gated device with a minimum number of masks
US5689128A (en) 1995-08-21 1997-11-18 Siliconix Incorporated High density trenched DMOS transistor
US5629543A (en) 1995-08-21 1997-05-13 Siliconix Incorporated Trenched DMOS transistor with buried layer for reduced on-resistance and ruggedness
DE19636302C2 (de) 1995-09-06 1998-08-20 Denso Corp Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung
US5705409A (en) 1995-09-28 1998-01-06 Motorola Inc. Method for forming trench transistor structure
US5879971A (en) 1995-09-28 1999-03-09 Motorola Inc. Trench random access memory cell and method of formation
US5616945A (en) 1995-10-13 1997-04-01 Siliconix Incorporated Multiple gated MOSFET for use in DC-DC converter
US5973367A (en) 1995-10-13 1999-10-26 Siliconix Incorporated Multiple gated MOSFET for use in DC-DC converter
US5949124A (en) 1995-10-31 1999-09-07 Motorola, Inc. Edge termination structure
US6037632A (en) 1995-11-06 2000-03-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
KR0159075B1 (ko) 1995-11-11 1998-12-01 김광호 트렌치 dmos장치 및 그의 제조방법
US5721148A (en) 1995-12-07 1998-02-24 Fuji Electric Co. Method for manufacturing MOS type semiconductor device
US5780343A (en) 1995-12-20 1998-07-14 National Semiconductor Corporation Method of producing high quality silicon surface for selective epitaxial growth of silicon
US5637898A (en) 1995-12-22 1997-06-10 North Carolina State University Vertical field effect transistors having improved breakdown voltage capability and low on-state resistance
GB2309336B (en) 1996-01-22 2001-05-23 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
EP0879481B1 (de) 1996-02-05 2002-05-02 Infineon Technologies AG Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement
US6084268A (en) 1996-03-05 2000-07-04 Semiconductor Components Industries, Llc Power MOSFET device having low on-resistance and method
US5821583A (en) 1996-03-06 1998-10-13 Siliconix Incorporated Trenched DMOS transistor with lightly doped tub
US5814858A (en) 1996-03-15 1998-09-29 Siliconix Incorporated Vertical power MOSFET having reduced sensitivity to variations in thickness of epitaxial layer
DE19611045C1 (de) 1996-03-20 1997-05-22 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
EP0798785B1 (en) 1996-03-29 2003-12-03 STMicroelectronics S.r.l. High-voltage-resistant MOS transistor, and corresponding manufacturing process
US5895951A (en) 1996-04-05 1999-04-20 Megamos Corporation MOSFET structure and fabrication process implemented by forming deep and narrow doping regions through doping trenches
US5770878A (en) 1996-04-10 1998-06-23 Harris Corporation Trench MOS gate device
US5767004A (en) 1996-04-22 1998-06-16 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Method for forming a low impurity diffusion polysilicon layer
US5719409A (en) 1996-06-06 1998-02-17 Cree Research, Inc. Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor
DE69739206D1 (de) 1996-07-19 2009-02-26 Siliconix Inc Hochdichte-graben-dmos-transistor mit grabenbodemimplantierung
US5808340A (en) 1996-09-18 1998-09-15 Advanced Micro Devices, Inc. Short channel self aligned VMOS field effect transistor
DE19638438A1 (de) 1996-09-19 1998-04-02 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares, vertikales Halbleiterbauelement
JP2891205B2 (ja) 1996-10-21 1999-05-17 日本電気株式会社 半導体集積回路の製造方法
US5972741A (en) 1996-10-31 1999-10-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US6168983B1 (en) 1996-11-05 2001-01-02 Power Integrations, Inc. Method of making a high-voltage transistor with multiple lateral conduction layers
US6207994B1 (en) 1996-11-05 2001-03-27 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor with multi-layer conduction region
KR100233832B1 (ko) 1996-12-14 1999-12-01 정선종 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법
US6011298A (en) 1996-12-31 2000-01-04 Stmicroelectronics, Inc. High voltage termination with buried field-shaping region
JPH10256550A (ja) 1997-01-09 1998-09-25 Toshiba Corp 半導体装置
KR100218260B1 (ko) 1997-01-14 1999-09-01 김덕중 트랜치 게이트형 모스트랜지스터의 제조방법
SE9700141D0 (sv) 1997-01-20 1997-01-20 Abb Research Ltd A schottky diode of SiC and a method for production thereof
JP3938964B2 (ja) 1997-02-10 2007-06-27 三菱電機株式会社 高耐圧半導体装置およびその製造方法
US5877528A (en) 1997-03-03 1999-03-02 Megamos Corporation Structure to provide effective channel-stop in termination areas for trenched power transistors
US6057558A (en) 1997-03-05 2000-05-02 Denson Corporation Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100225409B1 (ko) 1997-03-27 1999-10-15 김덕중 트렌치 디-모오스 및 그의 제조 방법
US6163052A (en) 1997-04-04 2000-12-19 Advanced Micro Devices, Inc. Trench-gated vertical combination JFET and MOSFET devices
US5879994A (en) 1997-04-15 1999-03-09 National Semiconductor Corporation Self-aligned method of fabricating terrace gate DMOS transistor
US5972332A (en) 1997-04-16 1999-10-26 The Regents Of The University Of Michigan Wound treatment with keratinocytes on a solid support enclosed in a porous material
US6281547B1 (en) 1997-05-08 2001-08-28 Megamos Corporation Power transistor cells provided with reliable trenched source contacts connected to narrower source manufactured without a source mask
JPH113936A (ja) 1997-06-13 1999-01-06 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3618517B2 (ja) 1997-06-18 2005-02-09 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6096608A (en) 1997-06-30 2000-08-01 Siliconix Incorporated Bidirectional trench gated power mosfet with submerged body bus extending underneath gate trench
US6037628A (en) 1997-06-30 2000-03-14 Intersil Corporation Semiconductor structures with trench contacts
US6110799A (en) 1997-06-30 2000-08-29 Intersil Corporation Trench contact process
US5907776A (en) 1997-07-11 1999-05-25 Magepower Semiconductor Corp. Method of forming a semiconductor structure having reduced threshold voltage and high punch-through tolerance
DE19731495C2 (de) 1997-07-22 1999-05-20 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbarer Bipolartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
US6239463B1 (en) 1997-08-28 2001-05-29 Siliconix Incorporated Low resistance power MOSFET or other device containing silicon-germanium layer
JP3502531B2 (ja) 1997-08-28 2004-03-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
DE19740195C2 (de) 1997-09-12 1999-12-02 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Metall-Halbleiterübergang mit niedrigem Sperrstrom
DE19743342C2 (de) 1997-09-30 2002-02-28 Infineon Technologies Ag Feldeffekttransistor hoher Packungsdichte und Verfahren zu seiner Herstellung
US5776813A (en) 1997-10-06 1998-07-07 Industrial Technology Research Institute Process to manufacture a vertical gate-enhanced bipolar transistor
KR100249505B1 (ko) 1997-10-28 2000-03-15 정선종 수평형 이중 확산 전력 소자의 제조 방법
US6337499B1 (en) 1997-11-03 2002-01-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor component
US6005271A (en) 1997-11-05 1999-12-21 Magepower Semiconductor Corp. Semiconductor cell array with high packing density
US5943581A (en) 1997-11-05 1999-08-24 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of fabricating a buried reservoir capacitor structure for high-density dynamic random access memory (DRAM) circuits
GB9723468D0 (en) 1997-11-07 1998-01-07 Zetex Plc Method of semiconductor device fabrication
US6081009A (en) 1997-11-10 2000-06-27 Intersil Corporation High voltage mosfet structure
US6429481B1 (en) 1997-11-14 2002-08-06 Fairchild Semiconductor Corporation Field effect transistor and method of its manufacture
US6426260B1 (en) 1997-12-02 2002-07-30 Magepower Semiconductor Corp. Switching speed improvement in DMO by implanting lightly doped region under gate
JPH11204782A (ja) 1998-01-08 1999-07-30 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
WO1999038214A1 (fr) 1998-01-22 1999-07-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif semi-conducteur bipolaire de type a porte isolante
US5900663A (en) 1998-02-07 1999-05-04 Xemod, Inc. Quasi-mesh gate structure for lateral RF MOS devices
US5949104A (en) 1998-02-07 1999-09-07 Xemod, Inc. Source connection structure for lateral RF MOS devices
GB9826291D0 (en) 1998-12-02 1999-01-20 Koninkl Philips Electronics Nv Field-effect semi-conductor devices
DE19808348C1 (de) 1998-02-27 1999-06-24 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
US5897343A (en) 1998-03-30 1999-04-27 Motorola, Inc. Method of making a power switching trench MOSFET having aligned source regions
WO1999053550A1 (de) 1998-04-08 1999-10-21 Siemens Aktiengesellschaft Hochvolt-randabschluss für planarstrukturen
US5945724A (en) 1998-04-09 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Trench isolation region for semiconductor device
US6137152A (en) 1998-04-22 2000-10-24 Texas Instruments - Acer Incorporated Planarized deep-shallow trench isolation for CMOS/bipolar devices
US6150697A (en) 1998-04-30 2000-11-21 Denso Corporation Semiconductor apparatus having high withstand voltage
US6303969B1 (en) 1998-05-01 2001-10-16 Allen Tan Schottky diode with dielectric trench
US6048772A (en) 1998-05-04 2000-04-11 Xemod, Inc. Method for fabricating a lateral RF MOS device with an non-diffusion source-backside connection
US6063678A (en) 1998-05-04 2000-05-16 Xemod, Inc. Fabrication of lateral RF MOS devices with enhanced RF properties
DE19820223C1 (de) 1998-05-06 1999-11-04 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Epitaxieschicht mit lateral veränderlicher Dotierung
US6104054A (en) 1998-05-13 2000-08-15 Texas Instruments Incorporated Space-efficient layout method to reduce the effect of substrate capacitance in dielectrically isolated process technologies
US6015727A (en) 1998-06-08 2000-01-18 Wanlass; Frank M. Damascene formation of borderless contact MOS transistors
US6064088A (en) 1998-06-15 2000-05-16 Xemod, Inc. RF power MOSFET device with extended linear region of transconductance characteristic at low drain current
DE19828191C1 (de) 1998-06-24 1999-07-29 Siemens Ag Lateral-Hochspannungstransistor
KR100372103B1 (ko) 1998-06-30 2003-03-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의소자분리방법
US6156611A (en) 1998-07-20 2000-12-05 Motorola, Inc. Method of fabricating vertical FET with sidewall gate electrode
CN1223004C (zh) 1998-07-23 2005-10-12 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法
JP4253374B2 (ja) 1998-07-24 2009-04-08 千住金属工業株式会社 プリント基板のはんだ付け方法および噴流はんだ槽
DE19839970C2 (de) 1998-09-02 2000-11-02 Siemens Ag Randstruktur und Driftbereich für ein Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19841754A1 (de) 1998-09-11 2000-03-30 Siemens Ag Schalttransistor mit reduzierten Schaltverlusten
JP3382163B2 (ja) 1998-10-07 2003-03-04 株式会社東芝 電力用半導体装置
US7462910B1 (en) 1998-10-14 2008-12-09 International Rectifier Corporation P-channel trench MOSFET structure
DE19848828C2 (de) 1998-10-22 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit kleiner Durchlaßspannung und hoher Sperrfähigkeit
US5998833A (en) 1998-10-26 1999-12-07 North Carolina State University Power semiconductor devices having improved high frequency switching and breakdown characteristics
US6194741B1 (en) 1998-11-03 2001-02-27 International Rectifier Corp. MOSgated trench type power semiconductor with silicon carbide substrate and increased gate breakdown voltage and reduced on-resistance
JP3951522B2 (ja) 1998-11-11 2007-08-01 富士電機デバイステクノロジー株式会社 超接合半導体素子
US6291856B1 (en) 1998-11-12 2001-09-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device with alternating conductivity type layer and method of manufacturing the same
JP3799888B2 (ja) 1998-11-12 2006-07-19 富士電機デバイステクノロジー株式会社 超接合半導体素子およびその製造方法
US6156606A (en) 1998-11-17 2000-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Method of forming a trench capacitor using a rutile dielectric material
JP2000156978A (ja) 1998-11-17 2000-06-06 Fuji Electric Co Ltd ソフトスイッチング回路
US6084264A (en) 1998-11-25 2000-07-04 Siliconix Incorporated Trench MOSFET having improved breakdown and on-resistance characteristics
DE19854915C2 (de) 1998-11-27 2002-09-05 Infineon Technologies Ag MOS-Feldeffekttransistor mit Hilfselektrode
US6452230B1 (en) 1998-12-23 2002-09-17 International Rectifier Corporation High voltage mosgated device with trenches to reduce on-resistance
US6222229B1 (en) 1999-02-18 2001-04-24 Cree, Inc. Self-aligned shield structure for realizing high frequency power MOSFET devices with improved reliability
US6351018B1 (en) 1999-02-26 2002-02-26 Fairchild Semiconductor Corporation Monolithically integrated trench MOSFET and Schottky diode
US6204097B1 (en) 1999-03-01 2001-03-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device and method of manufacture
JP3751463B2 (ja) 1999-03-23 2006-03-01 株式会社東芝 高耐圧半導体素子
DE19913375B4 (de) 1999-03-24 2009-03-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer MOS-Transistorstruktur
JP3417336B2 (ja) 1999-03-25 2003-06-16 関西日本電気株式会社 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
US6316806B1 (en) 1999-03-31 2001-11-13 Fairfield Semiconductor Corporation Trench transistor with a self-aligned source
US6188105B1 (en) 1999-04-01 2001-02-13 Intersil Corporation High density MOS-gated power device and process for forming same
TW425701B (en) 1999-04-27 2001-03-11 Taiwan Semiconductor Mfg Manufacturing method of stack-type capacitor
US6313482B1 (en) 1999-05-17 2001-11-06 North Carolina State University Silicon carbide power devices having trench-based silicon carbide charge coupling regions therein
US6198127B1 (en) 1999-05-19 2001-03-06 Intersil Corporation MOS-gated power device having extended trench and doping zone and process for forming same
US6433385B1 (en) 1999-05-19 2002-08-13 Fairchild Semiconductor Corporation MOS-gated power device having segmented trench and extended doping zone and process for forming same
US6291298B1 (en) 1999-05-25 2001-09-18 Advanced Analogic Technologies, Inc. Process of manufacturing Trench gate semiconductor device having gate oxide layer with multiple thicknesses
US6191447B1 (en) 1999-05-28 2001-02-20 Micro-Ohm Corporation Power semiconductor devices that utilize tapered trench-based insulating regions to improve electric field profiles in highly doped drift region mesas and methods of forming same
EP1058318B1 (en) 1999-06-03 2008-04-16 STMicroelectronics S.r.l. Power semiconductor device having an edge termination structure comprising a voltage divider
EP1192640A2 (en) 1999-06-03 2002-04-03 GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. Power mosfet and method of making the same
WO2001001484A2 (de) 1999-06-25 2001-01-04 Infineon Technologies Ag Trench-mos-transistor
JP3851744B2 (ja) 1999-06-28 2006-11-29 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6274905B1 (en) 1999-06-30 2001-08-14 Fairchild Semiconductor Corporation Trench structure substantially filled with high-conductivity material
GB9917099D0 (en) 1999-07-22 1999-09-22 Koninkl Philips Electronics Nv Cellular trench-gate field-effect transistors
JP3971062B2 (ja) 1999-07-29 2007-09-05 株式会社東芝 高耐圧半導体装置
TW411553B (en) 1999-08-04 2000-11-11 Mosel Vitelic Inc Method for forming curved oxide on bottom of trench
JP4774580B2 (ja) 1999-08-23 2011-09-14 富士電機株式会社 超接合半導体素子
US6077733A (en) 1999-09-03 2000-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of manufacturing self-aligned T-shaped gate through dual damascene
US6566804B1 (en) 1999-09-07 2003-05-20 Motorola, Inc. Field emission device and method of operation
US6228727B1 (en) 1999-09-27 2001-05-08 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Method to form shallow trench isolations with rounded corners and reduced trench oxide recess
GB9922764D0 (en) 1999-09-28 1999-11-24 Koninkl Philips Electronics Nv Manufacture of trench-gate semiconductor devices
JP3507732B2 (ja) 1999-09-30 2004-03-15 株式会社東芝 半導体装置
US6222233B1 (en) 1999-10-04 2001-04-24 Xemod, Inc. Lateral RF MOS device with improved drain structure
US6271552B1 (en) 1999-10-04 2001-08-07 Xemod, Inc Lateral RF MOS device with improved breakdown voltage
US6103619A (en) 1999-10-08 2000-08-15 United Microelectronics Corp. Method of forming a dual damascene structure on a semiconductor wafer
JP4450122B2 (ja) 1999-11-17 2010-04-14 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置
US6461918B1 (en) * 1999-12-20 2002-10-08 Fairchild Semiconductor Corporation Power MOS device with improved gate charge performance
US6285060B1 (en) 1999-12-30 2001-09-04 Siliconix Incorporated Barrier accumulation-mode MOSFET
US6346469B1 (en) 2000-01-03 2002-02-12 Motorola, Inc. Semiconductor device and a process for forming the semiconductor device
JP2001192174A (ja) 2000-01-12 2001-07-17 Occ Corp 誘導巻取り装置
GB0002235D0 (en) 2000-02-02 2000-03-22 Koninkl Philips Electronics Nv Trenched schottky rectifiers
JP4765012B2 (ja) 2000-02-09 2011-09-07 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6376878B1 (en) 2000-02-11 2002-04-23 Fairchild Semiconductor Corporation MOS-gated devices with alternating zones of conductivity
GB0003184D0 (en) 2000-02-12 2000-04-05 Koninkl Philips Electronics Nv A semiconductor device and a method of fabricating material for a semiconductor device
US6271100B1 (en) 2000-02-24 2001-08-07 International Business Machines Corporation Chemically enhanced anneal for removing trench stress resulting in improved bipolar yield
JP2001244461A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 縦型半導体装置
TW439176B (en) 2000-03-17 2001-06-07 United Microelectronics Corp Manufacturing method of capacitors
EP1269549B1 (en) 2000-03-17 2009-11-04 GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. DMOS transistor cell having a trench gate electrode, and corresponding DMOS transistor and method of making the same
JP3636345B2 (ja) 2000-03-17 2005-04-06 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体素子および半導体素子の製造方法
US6376315B1 (en) 2000-03-31 2002-04-23 General Semiconductor, Inc. Method of forming a trench DMOS having reduced threshold voltage
US6580123B2 (en) 2000-04-04 2003-06-17 International Rectifier Corporation Low voltage power MOSFET device and process for its manufacture
JP4534303B2 (ja) 2000-04-27 2010-09-01 富士電機システムズ株式会社 横型超接合半導体素子
JP4240752B2 (ja) 2000-05-01 2009-03-18 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置
US6509240B2 (en) 2000-05-15 2003-01-21 International Rectifier Corporation Angle implant process for cellular deep trench sidewall doping
DE10026924A1 (de) 2000-05-30 2001-12-20 Infineon Technologies Ag Kompensationsbauelement
US6627949B2 (en) 2000-06-02 2003-09-30 General Semiconductor, Inc. High voltage power MOSFET having low on-resistance
US6479352B2 (en) 2000-06-02 2002-11-12 General Semiconductor, Inc. Method of fabricating high voltage power MOSFET having low on-resistance
US6635534B2 (en) 2000-06-05 2003-10-21 Fairchild Semiconductor Corporation Method of manufacturing a trench MOSFET using selective growth epitaxy
EP1170803A3 (en) * 2000-06-08 2002-10-09 Siliconix Incorporated Trench gate MOSFET and method of making the same
US6472678B1 (en) 2000-06-16 2002-10-29 General Semiconductor, Inc. Trench MOSFET with double-diffused body profile
JP4984345B2 (ja) 2000-06-21 2012-07-25 富士電機株式会社 半導体装置
JP4528460B2 (ja) 2000-06-30 2010-08-18 株式会社東芝 半導体素子
US6555895B1 (en) 2000-07-17 2003-04-29 General Semiconductor, Inc. Devices and methods for addressing optical edge effects in connection with etched trenches
US6921939B2 (en) 2000-07-20 2005-07-26 Fairchild Semiconductor Corporation Power MOSFET and method for forming same using a self-aligned body implant
JP2002043571A (ja) 2000-07-28 2002-02-08 Nec Kansai Ltd 半導体装置
US6472708B1 (en) 2000-08-31 2002-10-29 General Semiconductor, Inc. Trench MOSFET with structure having low gate charge
FR2816113A1 (fr) 2000-10-31 2002-05-03 St Microelectronics Sa Procede de realisation d'une zone dopee dans du carbure de silicium et application a une diode schottky
EP1205980A1 (en) 2000-11-07 2002-05-15 Infineon Technologies AG A method for forming a field effect transistor in a semiconductor substrate
US6362112B1 (en) 2000-11-08 2002-03-26 Fabtech, Inc. Single step etched moat
US6525372B2 (en) 2000-11-16 2003-02-25 Silicon Wireless Corporation Vertical power devices having insulated source electrodes in discontinuous deep trenches
US6573128B1 (en) 2000-11-28 2003-06-03 Cree, Inc. Epitaxial edge termination for silicon carbide Schottky devices and methods of fabricating silicon carbide devices incorporating same
US6608350B2 (en) 2000-12-07 2003-08-19 International Rectifier Corporation High voltage vertical conduction superjunction semiconductor device
US6713813B2 (en) 2001-01-30 2004-03-30 Fairchild Semiconductor Corporation Field effect transistor having a lateral depletion structure
US6677641B2 (en) * 2001-10-17 2004-01-13 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor structure with improved smaller forward voltage loss and higher blocking capability
US6870220B2 (en) * 2002-08-23 2005-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Method and apparatus for improved MOS gating to reduce miller capacitance and switching losses
US7345342B2 (en) * 2001-01-30 2008-03-18 Fairchild Semiconductor Corporation Power semiconductor devices and methods of manufacture
JP4785335B2 (ja) 2001-02-21 2011-10-05 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW543146B (en) 2001-03-09 2003-07-21 Fairchild Semiconductor Ultra dense trench-gated power device with the reduced drain-source feedback capacitance and miller charge
KR100393201B1 (ko) 2001-04-16 2003-07-31 페어차일드코리아반도체 주식회사 낮은 온 저항과 높은 브레이크다운 전압을 갖는 고전압수평형 디모스 트랜지스터
DE10127885B4 (de) 2001-06-08 2009-09-24 Infineon Technologies Ag Trench-Leistungshalbleiterbauelement
JP3312905B2 (ja) 2001-06-25 2002-08-12 株式会社リコー 画像形成装置
US7033876B2 (en) 2001-07-03 2006-04-25 Siliconix Incorporated Trench MIS device having implanted drain-drift region and thick bottom oxide and process for manufacturing the same
US6524900B2 (en) 2001-07-25 2003-02-25 Abb Research, Ltd Method concerning a junction barrier Schottky diode, such a diode and use thereof
US6621107B2 (en) 2001-08-23 2003-09-16 General Semiconductor, Inc. Trench DMOS transistor with embedded trench schottky rectifier
US6762127B2 (en) 2001-08-23 2004-07-13 Yves Pierre Boiteux Etch process for dielectric materials comprising oxidized organo silane materials
US7045859B2 (en) * 2001-09-05 2006-05-16 International Rectifier Corporation Trench fet with self aligned source and contact
US6444574B1 (en) 2001-09-06 2002-09-03 Powerchip Semiconductor Corp. Method for forming stepped contact hole for semiconductor devices
US6465304B1 (en) 2001-10-04 2002-10-15 General Semiconductor, Inc. Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer
US6657254B2 (en) 2001-11-21 2003-12-02 General Semiconductor, Inc. Trench MOSFET device with improved on-resistance
TWI248136B (en) 2002-03-19 2006-01-21 Infineon Technologies Ag Method for fabricating a transistor arrangement having trench transistor cells having a field electrode
DE10212144B4 (de) 2002-03-19 2005-10-06 Infineon Technologies Ag Transistoranordnung mit einer Struktur zur elektrischen Kontaktierung von Elektroden einer Trench-Transistorzelle
US7091573B2 (en) * 2002-03-19 2006-08-15 Infineon Technologies Ag Power transistor
DE10214151B4 (de) 2002-03-28 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung im Randbereich
TW573344B (en) 2002-05-24 2004-01-21 Nanya Technology Corp Separated gate flash memory and its manufacturing method
GB0212564D0 (en) * 2002-05-31 2002-07-10 Koninkl Philips Electronics Nv Trench-gate semiconductor device
US6878994B2 (en) 2002-08-22 2005-04-12 International Rectifier Corporation MOSgated device with accumulated channel region and Schottky contact
DE10259373B4 (de) 2002-12-18 2012-03-22 Infineon Technologies Ag Überstromfeste Schottkydiode mit niedrigem Sperrstrom
DE10324754B4 (de) * 2003-05-30 2018-11-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement
US7405452B2 (en) * 2004-02-02 2008-07-29 Hamza Yilmaz Semiconductor device containing dielectrically isolated PN junction for enhanced breakdown characteristics
US6951112B2 (en) 2004-02-10 2005-10-04 General Electric Company Methods and apparatus for assembling gas turbine engines
US7087959B2 (en) * 2004-08-18 2006-08-08 Agere Systems Inc. Metal-oxide-semiconductor device having an enhanced shielding structure
DE102004057235B4 (de) 2004-11-26 2007-12-27 Infineon Technologies Ag Vertikaler Trenchtransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
US7453119B2 (en) * 2005-02-11 2008-11-18 Alphs & Omega Semiconductor, Ltd. Shielded gate trench (SGT) MOSFET cells implemented with a schottky source contact
JP4955222B2 (ja) * 2005-05-20 2012-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN101542731B (zh) * 2005-05-26 2012-07-11 飞兆半导体公司 沟槽栅场效应晶体管及其制造方法
DE112006001516T5 (de) * 2005-06-10 2008-04-17 Fairchild Semiconductor Corp. Feldeffekttransistor mit Ladungsgleichgewicht
US7385248B2 (en) * 2005-08-09 2008-06-10 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate field effect transistor with improved inter-poly dielectric
US7319256B1 (en) 2006-06-19 2008-01-15 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with the shield and gate electrodes being connected together

Also Published As

Publication number Publication date
CN101473443A (zh) 2009-07-01
KR101437701B1 (ko) 2014-09-03
TW200810113A (en) 2008-02-16
MY147032A (en) 2012-10-15
US20110204436A1 (en) 2011-08-25
KR20090018638A (ko) 2009-02-20
CN101908562B (zh) 2012-08-29
AT505888A2 (de) 2009-04-15
US20070290257A1 (en) 2007-12-20
US20080064168A1 (en) 2008-03-13
CN101908562A (zh) 2010-12-08
US7473603B2 (en) 2009-01-06
WO2007149666A3 (en) 2008-07-24
CN101473443B (zh) 2010-09-01
US20090057754A1 (en) 2009-03-05
US7859047B2 (en) 2010-12-28
JP2009542002A (ja) 2009-11-26
US7319256B1 (en) 2008-01-15
DE112007001454T5 (de) 2009-04-30
WO2007149666A2 (en) 2007-12-27
TWI443824B (zh) 2014-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5363978B2 (ja) 互いに接続されたシールド電極及びゲート電極を有するシールドゲートトレンチｆｅｔの構造及びこれを形成する方法
US7452777B2 (en) Self-aligned trench MOSFET structure and method of manufacture
US9450091B2 (en) Semiconductor device with enhanced mobility and method
TWI591789B (zh) 用於製造具有一屏蔽電極結構之一絕緣閘極半導體裝置之方法
US8907394B2 (en) Insulated gate semiconductor device having shield electrode structure
TWI389199B (zh) 用於形成具有自行對準特徵之溝槽金屬氧化物半導體場效電晶體之結構及方法
JP4005019B2 (ja) パワー半導体デバイス
JP4860821B2 (ja) 半導体デバイス製造方法
KR101277519B1 (ko) 저 저항 반도체 접촉 및 이에 따른 구조를 형성하는 방법
US8748261B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9257517B2 (en) Vertical DMOS-field effect transistor
US20060160320A1 (en) Method of fabricating a semiconductor device
TW202308167A (zh) 帶有遮罩電極的底部源極溝槽mosfet
WO2007014321A2 (en) Split electrode gate trench power device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100506

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111026

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130813

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5363978

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250