JP5347934B2 - Mold package manufacturing method and mold package - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、モールド材中に電子部品が封入され、底面にリードが設けられた形態のモールドパッケージの製造方法、及びこのモールドパッケージに関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a mold package in which an electronic component is enclosed in a mold material and leads are provided on the bottom surface, and the mold package.
一般に、複数の半導体チップ（電子部品）で構成される半導体モジュールは、基板上にこれらの半導体チップが搭載された構造が、樹脂等で構成されたモールド材中に封入されたモールドパッケージの形態とされる場合が多い。モールドパッケージにおける電気端子となるリードは、モールド材の表面に形成され、内部の半導体素子等に接続される。こうしたモールドパッケージの形態は様々であるが、その中に、ノンリード型、例えばＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）型として知られるパッケージがある。図１０は、その一例となるＳＯＮ型パッケージ９０の外観を示す図である。図１０において、（ａ）はその側面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は正面図、（ｄ）は下面図、（ｅ）は斜視図である。このパッケージの特徴は、矩形体形状とされ、半導体チップが内蔵されたモールド材９１の底面の左右端部に、電気端子となる複数のリード９２が設けられている点である。各リード９２は、モールド材９１中に封止されている半導体チップの端子と電気的に接続され、はんだ付けが可能な金属、例えば銅で構成される。この構成においては、底面のリード９２のそれぞれを基板上にはんだで接合することにより、このＳＯＮ型パッケージ９０を基板上に固定し、かつ基板と半導体チップとの電気的接合をとることができる。こうしたノンリード型パッケージの特徴は、この接続を底面と基板との間のみを用いて行うことができるため、電気的接続のためにＳＯＮ型パッケージ９０の底面積よりも大幅に広い面積を必要とすることがなく、高密度に実装することができる点である。このＳＯＮ型パッケージ９０の典型的な大きさは例えば１０ｍｍ×２０ｍｍ程度である。 In general, a semiconductor module composed of a plurality of semiconductor chips (electronic components) has a structure of a mold package in which a structure in which these semiconductor chips are mounted on a substrate is enclosed in a mold material composed of resin or the like. Often done. Leads serving as electrical terminals in the mold package are formed on the surface of the mold material and connected to internal semiconductor elements and the like. There are various types of mold packages. Among them, there is a package known as a non-lead type, for example, a SON (Small Outline Non-lead) type. FIG. 10 is a view showing the appearance of an SON type package 90 as an example. 10, (a) is a side view, (b) is a top view, (c) is a front view, (d) is a bottom view, and (e) is a perspective view. A feature of this package is that it has a rectangular shape and is provided with a plurality of leads 92 serving as electrical terminals at the left and right ends of the bottom surface of the molding material 91 in which the semiconductor chip is built. Each lead 92 is electrically connected to a terminal of a semiconductor chip sealed in the molding material 91 and is made of a solderable metal such as copper. In this configuration, the SON type package 90 can be fixed on the substrate and the substrate and the semiconductor chip can be electrically connected by bonding each of the bottom leads 92 to the substrate with solder. The feature of such a non-lead type package is that this connection can be made only between the bottom surface and the substrate, so that an area significantly larger than the bottom area of the SON type package 90 is required for electrical connection. This is a point that can be mounted with high density. A typical size of the SON package 90 is, for example, about 10 mm × 20 mm.
ただし、このＳＯＮ型パッケージ９０を基板上に実装する際には、各リード９２に充分にはんだが乗っている（付着している）かどうかを作業者が目視、あるいは外観検査装置で確認することが必要になる。このため、実際には、図１０に示されるように、各リード９２をわずかにモールド材９１の側面から突き出した形態とし、この突き出た部分を観察することによって、はんだの有無の確認を行っている。すなわち、実際のＳＯＮ型パッケージ９０においては、各リード９２はモールド材９１の側面からわずかに突き出した形態をとる。なお、この突き出した部分で電気接続をとるのではなく、この部分ははんだの有無の確認のみに用いられるため、この突き出し量は１ｍｍ未満である。従って、この構造はこのＳＯＮ型パッケージ９０を高密度で実装する際の障害とはならない。 However, when mounting the SON package 90 on the substrate, the operator must check whether each lead 92 is sufficiently soldered (attached) by visual inspection or an appearance inspection device. Is required. Therefore, in practice, as shown in FIG. 10, each lead 92 is slightly protruded from the side surface of the molding material 91, and the presence or absence of solder is confirmed by observing the protruding portion. Yes. That is, in the actual SON type package 90, each lead 92 is slightly protruded from the side surface of the molding material 91. It should be noted that this protruding portion is not used for electrical connection, but is used only for checking the presence or absence of solder, so that the protruding amount is less than 1 mm. Therefore, this structure does not become an obstacle when the SON type package 90 is mounted at a high density.
一方、ＳＯＮ型パッケージ以外においても、はんだによってリードを基板に固定する構成のパッケージであれば、リードに充分にはんだが乗っているか否かの確認は同様に重要である。こうした構造の一例として、特許文献１には、リードの先端のはんだ付けされる箇所にスルーホールを設けた構造のパッケージが記載されている。この構造においては、リードの先端部分で基板との接合を行い、このリード先端のスルーホールからリード裏面のはんだを確認することができる。従って、はんだ付けを確実に行うことができる。 On the other hand, in addition to the SON type package, if the package is configured to fix the lead to the substrate with solder, it is equally important to check whether the lead is sufficiently loaded with solder. As an example of such a structure, Patent Document 1 describes a package having a structure in which a through hole is provided in a soldered portion of a lead tip. In this structure, the tip of the lead is joined to the substrate, and the solder on the back surface of the lead can be confirmed from the through hole at the tip of the lead. Therefore, soldering can be performed reliably.
このように、はんだを用いて基板にリードを接合する構成のパッケージにおいては、リードに充分にはんだが乗っていることが確認しやすい構造が用いられている。 As described above, in a package having a structure in which a lead is bonded to a substrate using solder, a structure in which it is easy to confirm that the solder is sufficiently placed on the lead is used.
図１０の構造のＳＯＮ型パッケージ９０をはんだで基板に接合する際には、リード９２の側面のはんだの有無を目視や外観検査装置で確認する。しかしながら、実際に重要なのは、リード９２の側面ではなく、リード９２の裏面（基板に接合される側の面）におけるはんだの有無である。これに対して、図１０の構造では、裏面のはんだを確認することは困難であった。 When the SON package 90 having the structure shown in FIG. 10 is joined to the substrate with solder, the presence or absence of solder on the side surface of the lead 92 is confirmed visually or by an appearance inspection device. However, what is actually important is not the side surface of the lead 92 but the presence or absence of solder on the back surface of the lead 92 (the surface to be bonded to the substrate). On the other hand, in the structure of FIG. 10, it is difficult to confirm the solder on the back surface.
こうした点においては、特許文献１に記載の構造は極めて有効であり、リード裏面のはんだをスルーホールを通して確認することができる。しかしながら、この構造を製造するに際しては、各リードの先端にスルーホールを形成する作業が必要になる。小さな開口をもつスルーホールを形成するためには、ドリル加工等が用いられるが、この作業を各リードにおいて行うことは、リードの本数が多い場合には、特に生産性を大きく低下させる。特許文献１に記載のパッケージは、リードの数が少ないディスクリート素子のパッケージであり、こうしたパッケージにおいてはこうした形状のリードを用いることは比較的容易である。これに対して、ＳＯＮ型パッケージのような大規模なモールドパッケージにこの技術を用いる場合には、特にその製造工程が複雑となるために、生産性が大きく低下した。 In this respect, the structure described in Patent Document 1 is extremely effective, and the solder on the back surface of the lead can be confirmed through the through hole. However, when manufacturing this structure, it is necessary to form a through hole at the tip of each lead. In order to form a through-hole having a small opening, drilling or the like is used. However, performing this operation on each lead greatly reduces the productivity particularly when the number of leads is large. The package described in Patent Document 1 is a discrete element package having a small number of leads. In such a package, it is relatively easy to use leads having such a shape. On the other hand, when this technology is used for a large-scale mold package such as a SON type package, the manufacturing process is particularly complicated, so that productivity is greatly reduced.
すなわち、リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを簡易な製造工程で得ることは困難であった。 That is, it has been difficult to obtain a mold package having a structure in which the presence or absence of solder on the back surface of the lead can be easily confirmed by a simple manufacturing process.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an invention that solves the above problems.
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明のモールドパッケージの製造方法は、モールド材中に電子部品が封止され前記電子部品と電気的に接続されたリードが底面の端部に設けられた構造を具備する複数のモールドパッケージを、単一の金属パターンを用いて構成した後に切断することによって得る、モールドパッケージの製造方法であって、前記金属パターンにおいて、隣接して製造される２つのモールドパッケージとなる部分の間に、２つに分離されることによってそれぞれ前記２つのモールドパッケージの前記リードとなり、凹部が一方の面に形成された共通リードを設け、前記金属パターンにおける前記凹部が形成された側と反対側の面上に前記電子部品を搭載した後に、前記金属パターンにおける前記凹部が形成された側の面が裏面に露出するように、前記モールド材を前記金属パターン上に形成するモールド工程と、前記裏面と反対側から、前記隣接して製造される２つのモールドパッケージとなる部分の間の少なくとも前記凹部を含む領域において、前記モールド材及び前記共通リードを、前記凹部に達しかつ裏面には達さない深さまでハーフカット加工したモールド溝を形成するモールド分離工程と、前記モールド溝の底面を、前記モールド溝よりも狭い幅で、前記モールド溝と略平行に切断して前記共通リードを分断する切断工程と、を具備することを特徴とする。
本発明のモールドパッケージの製造方法において、前記金属パターンは、前記共通リードと略直交し前記共通リードと一体に形成されたセクションバーを具備し、前記切断工程において、前記セクションバーを除去するように切断を行うことを特徴とする。
本発明のモールドパッケージの製造方法は、前記金属パターンにおいて、複数の前記共通リードが並列して形成され、該複数の共通リードは、共通の前記セクションバーで接続されることを特徴とする。
本発明のモールドパッケージの製造方法は、前記切断工程後に、切断された前記複数の共通リード間に残存したモールド材を除去することを特徴とする。
本発明のモールドパッケージは、前記モールドパッケージの製造方法によって製造されたことを特徴とする。
本発明のモールドパッケージは、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）型、パッケージ、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）型パッケージのいずれかであることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configurations.
The method of manufacturing a mold package according to the present invention includes a plurality of mold packages having a structure in which an electronic component is sealed in a mold material and a lead electrically connected to the electronic component is provided at an end of the bottom surface. A method of manufacturing a mold package obtained by cutting after forming with a single metal pattern, wherein two metal packages are formed between two adjacent portions of the mold pattern to be manufactured. Are separated to form the leads of the two mold packages, and a common lead having a concave portion formed on one surface is provided, and the metal pattern has a surface opposite to the side where the concave portion is formed. After mounting the electronic component, the molding is performed so that a surface of the metal pattern on which the concave portion is formed is exposed on the back surface. In a region including at least the concave portion between a mold process for forming a material on the metal pattern, and a portion to be the two mold packages adjacently manufactured from the side opposite to the back surface, and the mold material and A mold separation step of forming a mold groove half-cut to a depth that reaches the recess and does not reach the back surface of the common lead, and the bottom surface of the mold groove is narrower than the mold groove, and the mold groove And a cutting step of cutting the common lead substantially parallel to each other.
In the mold package manufacturing method of the present invention, the metal pattern includes a section bar that is substantially orthogonal to the common lead and formed integrally with the common lead, and the section bar is removed in the cutting step. Cutting is performed.
The mold package manufacturing method of the present invention is characterized in that a plurality of the common leads are formed in parallel in the metal pattern, and the plurality of common leads are connected by the common section bar.
The mold package manufacturing method of the present invention is characterized in that after the cutting step, the mold material remaining between the plurality of cut common leads is removed.
The mold package of the present invention is manufactured by the method for manufacturing a mold package.
The mold package of the present invention is any one of a SON (small outline non-lead) type, a package, and a QFN (quad flat non-lead) type package.
本発明は以上のように構成されているので、リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを簡易な製造工程で得ることができる。 Since this invention is comprised as mentioned above, the mold package of the structure which can confirm easily the presence or absence of the solder of a lead back surface can be obtained with a simple manufacturing process.
以下、本発明の実施の形態となるモールドパッケージの製造方法につき説明する。この製造方法は、ノンリード型のモールドパッケージ、例えばＳＯＮ型パッケージを製造するのに適している。図１は、この製造方法において用いられる金属パターンの単位構造１０の平面図であり、これはＳＯＮ型パッケージ１個に対応する。この単位構造１０は、製造されるＳＯＮ型パッケージのリードフレームやリード等となる。実際にＳＯＮ型パッケージを製造するに際しては、単位構造１０が多数２次元配列された構成の金属パターンを用いて、多数のＳＯＮ型パッケージが配列された構造を製造し、その後でこれらを分断し、個々のＳＯＮ型パッケージを得る。 Hereinafter, a method for manufacturing a mold package according to an embodiment of the present invention will be described. This manufacturing method is suitable for manufacturing a non-lead type mold package, for example, an SON type package. FIG. 1 is a plan view of a unit structure 10 of a metal pattern used in this manufacturing method, which corresponds to one SON type package. This unit structure 10 becomes a lead frame, leads, etc. of the manufactured SON type package. When actually manufacturing a SON type package, a metal pattern having a structure in which a large number of unit structures 10 are two-dimensionally arranged is used to manufacture a structure in which a large number of SON type packages are arranged. Obtain individual SON type packages.
この単位構造１０の中央部には、半導体チップ（電子部品）を搭載するリードフレーム１１があり、その左右両側に共通リード１２が平行に複数存在し、これらはそれぞれ左右で横セクションバー（セクションバー）１３に接続される。リードフレーム１１も、上下方向でリードフレーム固定バー１４を用いて縦セクションバー（セクションバー）１５と一体化され、全体が一体化されている。ここで用いられる金属パターン１００は、図２に示されるように、この単位構造１０が多数配列した形態となり、全体が一体化されている。左右に隣接する共通リード１２は、これに直交する横セクションバー１３で接続された形態となる。横セクションバー１３、リードフレーム固定バー１４、縦セクションバー１５は、製造された個々のＳＯＮ型パッケージにおいては不要であるが、これらを金属パターン１００として一体化するために用いられている。また、この金属パターン１００は、はんだ付けの可能な金属、例えば銅合金で構成され、平板を例えばプレス加工することによって図２の形状とされる。従って、図２において、リードフレーム１１、共通リード１２、横セクションバー１３、リードフレーム固定バー１４、縦セクションバー１５は同一平面を構成する。この際の平板の厚さは、例えば０．４ｍｍ程度とされる。横セクションバー１３、リードフレーム固定バー１４、縦セクションバー１５の幅は、図２の構造が強固に保たれるように適宜設定される。ただし、後述するように、横セクションバー１３及び縦セクションバー１５の幅は、フルカット加工の際にこれらが完全に除去されるような幅に設定される。 In the central portion of the unit structure 10, there is a lead frame 11 on which a semiconductor chip (electronic component) is mounted, and a plurality of common leads 12 exist in parallel on the left and right sides thereof. ) 13. The lead frame 11 is also integrated with a vertical section bar (section bar) 15 using a lead frame fixing bar 14 in the vertical direction, and is integrated as a whole. As shown in FIG. 2, the metal pattern 100 used here is in a form in which a large number of unit structures 10 are arranged, and the whole is integrated. The common leads 12 adjacent to the left and right are connected by a horizontal section bar 13 orthogonal thereto. The horizontal section bar 13, the lead frame fixing bar 14, and the vertical section bar 15 are not required in each manufactured SON type package, but are used to integrate them as the metal pattern 100. Moreover, this metal pattern 100 is comprised with the metal which can be soldered, for example, a copper alloy, and is made into the shape of FIG. 2 by pressing a flat plate, for example. Therefore, in FIG. 2, the lead frame 11, the common lead 12, the horizontal section bar 13, the lead frame fixing bar 14, and the vertical section bar 15 constitute the same plane. The thickness of the flat plate at this time is, for example, about 0.4 mm. The widths of the horizontal section bar 13, the lead frame fixing bar 14, and the vertical section bar 15 are appropriately set so that the structure of FIG. 2 is maintained firmly. However, as will be described later, the widths of the horizontal section bar 13 and the vertical section bar 15 are set such that they are completely removed during the full cut process.
また、この単位構造１０上に構成されるＳＯＮ型パッケージを上面から見た透視図が図３である。共通リード１２とリードフレーム固定バー１４は切断され、共通リード１２が切断されて分断された後にリード２１となる。リードフレーム１１上には半導体チップ２２が搭載され、半導体チップ２２と各リード２１との接続はボンディングワイヤ２３で行われる。その後、リードフレーム１１周辺がモールド材２４で封入される。リード２１は矩形体のモールド材２４端部から突出し、図１０と同様のＳＯＮ型パッケージとなっている。この矩形体を上面から見た大きさは、例えば７．０ｍｍ×５．２ｍｍ程度である。ただし、各リード２１には、スルーホール２５が形成されている。これにより、リード２１をはんだで接合する際には、このスルーホール２５から裏面のはんだを上側から確認することができる。 FIG. 3 is a perspective view of the SON type package formed on the unit structure 10 as viewed from above. The common lead 12 and the lead frame fixing bar 14 are cut, and the lead 21 is formed after the common lead 12 is cut and divided. A semiconductor chip 22 is mounted on the lead frame 11, and the connection between the semiconductor chip 22 and each lead 21 is made by a bonding wire 23. Thereafter, the periphery of the lead frame 11 is sealed with a molding material 24. The lead 21 protrudes from the end of the rectangular molding material 24, and has the same SON type package as that shown in FIG. The size of the rectangular body as viewed from above is, for example, about 7.0 mm × 5.2 mm. However, a through hole 25 is formed in each lead 21. Thereby, when joining the lead 21 with solder, the solder on the back surface from the through hole 25 can be confirmed from the upper side.
このモールドパッケージの製造方法においては、簡易な工程で、各リード２１にスルーホール２５が形成された構成のＳＯＮ型パッケージを得ることができる。以下では、この製造方法について説明する。 In this mold package manufacturing method, it is possible to obtain an SON type package having a structure in which through holes 25 are formed in each lead 21 by a simple process. Below, this manufacturing method is demonstrated.
まず、前記の金属パターン１００に対してプレス加工を行い、共通リード１２に凹部１６を形成する（プレス加工工程）。この凹部１６は、共通リード１２と横セクションバー１３とが接続された箇所の両側に形成され、前記のスルーホール２５に対応する。このため、凹部１６は、スルーホールが形成される箇所全てに形成される。プレス加工工程後の金属パターン１００の形態を図４に示す。凹部１６の大きさ（正方形の場合は１辺の長さ、円形の場合には直径）は例えば０．２ｍｍ程度とする。その深さは、例えば０．２５ｍｍ程度とする。このプレス加工は、金型を金属パターン１００に当接させて加圧することにより行われ、金属パターン１００上に全ての凹部１６を同時に形成することができる。ただし、ここでは、この凹部１６は共通リード１２を貫通しないものとする。すなわち、この状態では凹部１６が形成されているだけであり、スルーホールは形成されていない。 First, the metal pattern 100 is pressed to form the recess 16 in the common lead 12 (pressing process). The recesses 16 are formed on both sides of the place where the common lead 12 and the horizontal section bar 13 are connected, and correspond to the through hole 25 described above. For this reason, the recessed part 16 is formed in all the places in which a through hole is formed. The form of the metal pattern 100 after the pressing process is shown in FIG. The size of the recess 16 (the length of one side in the case of a square, the diameter in the case of a circle) is about 0.2 mm, for example. The depth is, for example, about 0.25 mm. This pressing is performed by bringing the mold into contact with the metal pattern 100 and applying pressure, so that all the recesses 16 can be formed on the metal pattern 100 at the same time. However, here, it is assumed that the recess 16 does not penetrate the common lead 12. That is, in this state, only the recess 16 is formed, and no through hole is formed.
次に、凹部１６が形成された金属パターン１００において、各リードフレーム１１上に半導体チップ２２を搭載し、半導体チップ２２と共通リード１２とを、ボンディングワイヤ２３で接続する。ただし、金属パターン１００における半導体チップ２２を搭載するリードフレーム１１の面、及びボンディングワイヤ２３を接続する共通リード１２の面は、凹部１６が形成された側（以降、この側の面を裏面と呼称する）と反対側の面とする。この作業は、周知の方法により行われる。すなわち、各半導体チップ２２の裏面ははんだ等で各リードフレーム１１に接続され、各ボンディングワイヤ２３は、各半導体チップ２２上にあるパッド（電極）と共通リード１２とを接続するように、超音波接合等によって接続される。その後、この構造全体は、モールド材２４中に封入される（モールド工程）。この状態でのモールド材２４を通して透視した平面図を図５（ａ）に、この構造のＡ−Ａ方向の断面図を図５（ｂ）に示す。モールド材２４としては、例えば１ｍｍ程度の厚さのシート状のモールド樹脂材料を用いることができる。これを加熱して上側（半導体チップ２２がある側）から加圧することにより、図５（ｂ）のような断面構造とすることができる。この構造においては、金属パターン１００の裏面（凹部１６が形成された側の面）がその裏面に露出した形態となっている。なお、図５（ａ）においては、凹部１６はこの反対側の面に形成されているため、その記載は省略している。 Next, in the metal pattern 100 in which the recess 16 is formed, the semiconductor chip 22 is mounted on each lead frame 11, and the semiconductor chip 22 and the common lead 12 are connected by the bonding wire 23. However, the surface of the lead frame 11 on which the semiconductor chip 22 is mounted in the metal pattern 100 and the surface of the common lead 12 to which the bonding wire 23 is connected are on the side where the recess 16 is formed (hereinafter, this surface is referred to as the back surface). On the opposite side. This operation is performed by a known method. That is, the back surface of each semiconductor chip 22 is connected to each lead frame 11 with solder or the like, and each bonding wire 23 is ultrasonically connected to the pad (electrode) on each semiconductor chip 22 and the common lead 12. Connected by joining or the like. Thereafter, the entire structure is enclosed in a molding material 24 (molding process). FIG. 5A shows a plan view seen through the molding material 24 in this state, and FIG. 5B shows a cross-sectional view of this structure in the AA direction. As the mold material 24, for example, a sheet-like mold resin material having a thickness of about 1 mm can be used. By heating this and pressurizing from the upper side (side with the semiconductor chip 22), the cross-sectional structure as shown in FIG. 5B can be obtained. In this structure, the back surface of the metal pattern 100 (the surface on which the concave portion 16 is formed) is exposed on the back surface. In addition, in FIG. 5A, since the recessed part 16 is formed in the surface on the opposite side, the description is abbreviate | omitted.
以上で用いられる金属パターン１００の構成やモールド工程の内容については、図１０に示された従来のＳＯＮ型パッケージを製造する場合、すなわち、リードにスルーホールが設けられていない場合と同様である。ここで異なる点は、凹部１６が設けられた点（プレス加工工程）のみである。 The configuration of the metal pattern 100 and the contents of the molding process used above are the same as when the conventional SON type package shown in FIG. 10 is manufactured, that is, when the lead is not provided with a through hole. The only difference here is the point where the recess 16 is provided (pressing process).
このモールドパッケージの製造方法におけるその後の製造工程について、以下に、図４、５中の点線で囲まれた領域（対象領域Ｋ）に対応する箇所についてのみ示す。この領域は、左右に隣接して製造される２つのＳＯＮ型パッケージとなる部分の間であり、その左右に形成されるＳＯＮ型パッケージのリードが形成される箇所に対応する。この領域における共通リード１２は、２つに分断されることによって各ＳＯＮ型モールドパッケージのリードとなる。ただし、図５の状態（モールド工程後）においては、リード中のスルーホールは形成されていない。 Only the location corresponding to the area (target area K) surrounded by a dotted line in FIGS. This region is between the portions to be the two SON type packages manufactured adjacent to the left and right, and corresponds to the place where the leads of the SON type package formed on the left and right are formed. The common lead 12 in this region is divided into two to become leads of each SON mold package. However, in the state of FIG. 5 (after the molding process), no through-hole in the lead is formed.
図６（ａ）〜（ｅ）は、このモールドパッケージの製造方法の各工程におけるこの対象領域Ｋの側面、上面、正面、下面から見た形状をそれぞれ示す。また、同様に、図７（ａ）〜（ｅ）はその斜視図を示す。 FIGS. 6A to 6E show the shapes of the target region K viewed from the side, top, front, and bottom surfaces in each step of the mold package manufacturing method. Similarly, FIGS. 7A to 7E are perspective views.
図６（ａ）、図７（ａ）においては、図５の状態（モールド封止後）の形態が示されている。すなわち、モールド材２４中に、金属パターン１００の一部（共通リード１２と横セクションバー１３からなる十字型の構造）が埋め込まれており、下面（裏面）ではこの十字型の構造が露出している。この裏面においては、横セクションバー１３を挟んだ共通リード１２の裏面の２箇所において、凹部１６が形成されている。 6 (a) and 7 (a) show the state of FIG. 5 (after mold sealing). That is, a part of the metal pattern 100 (a cross-shaped structure including the common lead 12 and the horizontal section bar 13) is embedded in the molding material 24, and the cross-shaped structure is exposed on the lower surface (back surface). Yes. On this back surface, recesses 16 are formed at two locations on the back surface of the common lead 12 with the horizontal section bar 13 interposed therebetween.
次に、図６（ｂ）、図７（ｂ）に示されるように、上方のモールド材２４側（裏面と反対側）から、横セクションバー１３があり、かつ凹部１６を含む領域（隣接して製造される２つのＳＯＮ型パッケージとなる部分の間）で、横セクションバー１３と平行に、ブレード１０１を用いたハーフカット加工を行う（モールド分離工程）。ここで、ハーフカット加工とは、この構造を切断によって分離するのではなく、ある決まった深さまでの切断加工を行うことを意味する。ブレード１０１は、その切断深さが一定となるように図５の構造の上側から、その刃面の方向（回転軸と垂直な方向）に走査される。その切断深さは、凹部１６に達する程度とし、かつ横セクションバー１３を完全に切断はしない深さとする。例えば、シート状のモールド材２４の厚さが１ｍｍ、共通リード１２（金属パターン１００）の厚さが０．４ｍｍ、凹部１６の深さが０．２５ｍｍである場合には、この切断深さは０．８ｍｍ程度とする。その幅（ブレード１０２の厚さ）は、横セクションバー１３の幅よりも広くし、かつ２つの凹部１６がこの幅の中に含まれるようにする。具体的には、この幅を３．２ｍｍ程度とすることができる。 Next, as shown in FIG. 6B and FIG. 7B, from the upper molding material 24 side (opposite side to the back surface), there is a region (adjacent to the region where the horizontal section bar 13 is provided and the recess 16 is included. The half-cut process using the blade 101 is performed in parallel with the horizontal section bar 13 (between the parts to be the two SON type packages manufactured in this manner) (mold separation step). Here, half-cut processing means that this structure is not separated by cutting, but is cut to a certain depth. The blade 101 is scanned from the upper side of the structure of FIG. 5 in the direction of the blade surface (direction perpendicular to the rotation axis) so that the cutting depth is constant. The cutting depth is such that it reaches the recess 16 and does not completely cut the transverse section bar 13. For example, when the thickness of the sheet-shaped molding material 24 is 1 mm, the thickness of the common lead 12 (metal pattern 100) is 0.4 mm, and the depth of the recess 16 is 0.25 mm, the cutting depth is It is about 0.8 mm. The width (thickness of the blade 102) is wider than the width of the transverse section bar 13, and the two recesses 16 are included in this width. Specifically, this width can be set to about 3.2 mm.
この工程により、図６（ｃ）、図７（ｃ）に示されるように、中心付近でモールド材２４が大きく除去されたモールド溝３１が形成される。このモールド溝３１の底面には、薄くなった共通リード１２と横セクションバー１３が露出する。例えば、モールド材２４の厚さが１ｍｍ、モールド溝３１の切断深さが０．８ｍｍであった場合には、この領域での共通リード１２の厚さは０．２ｍｍ程度となる。凹部１６が形成されていた領域は、モールド分離工程で凹部１６と反対側からハーフカット加工されたために、貫通した状態となり、スルーホール４０が形成される。 By this step, as shown in FIGS. 6C and 7C, a mold groove 31 is formed in which the molding material 24 is largely removed near the center. The thin common lead 12 and the lateral section bar 13 are exposed on the bottom surface of the mold groove 31. For example, when the thickness of the mold material 24 is 1 mm and the cutting depth of the mold groove 31 is 0.8 mm, the thickness of the common lead 12 in this region is about 0.2 mm. Since the region where the recess 16 was formed was half-cut from the side opposite to the recess 16 in the mold separation step, the region was penetrated and the through hole 40 was formed.
次に、図６（ｄ）、図７（ｄ）に示されるように、モールド溝３１の底面において、２つのスルーホール４０（凹部１６）間を、横セクションバー１３あるいはモールド溝３１と平行に、ブレード１０２でフルカット加工する（切断工程）。この加工は、モールド分離工程とは異なり、共通リード１２あるいは図６（ｃ）に示された構造が左右で完全に分断されるように行う。その切断幅（ブレード１０２の厚さ）は、２つのスルーホール４０（凹部１６）間よりも狭くかつ横セクションバー１３よりも広く設定する。従って、モールド溝３１の中で、この構造は左右に分離され、各々においてスルーホール４０はそのまま維持される。例えば、モールド溝３１の幅（ブレード１０２の厚さ）を３．２ｍｍとした場合には、ブレード１０３の厚さは２．２ｍｍ程度とする。また、この工程により横セクションバー１３は除去される。なお、ここではフルカット加工を行うため、ブレード１０３は、図６中の上側、下側どちらから当接させてもよい。 Next, as shown in FIGS. 6 (d) and 7 (d), between the two through holes 40 (recesses 16) on the bottom surface of the mold groove 31, parallel to the horizontal section bar 13 or the mold groove 31. Then, full cutting is performed with the blade 102 (cutting step). Unlike the mold separation step, this processing is performed so that the common lead 12 or the structure shown in FIG. The cutting width (thickness of the blade 102) is set to be narrower than that between the two through holes 40 (recesses 16) and wider than the horizontal section bar 13. Therefore, this structure is separated into right and left in the mold groove 31, and the through hole 40 is maintained as it is in each. For example, when the width of the mold groove 31 (the thickness of the blade 102) is 3.2 mm, the thickness of the blade 103 is about 2.2 mm. Moreover, the horizontal section bar 13 is removed by this process. Here, in order to perform full cut processing, the blade 103 may be brought into contact with either the upper side or the lower side in FIG.
従って、切断工程後には、図６（ｅ）、図７（ｅ）に示される形態が実現される。この構造においては、左右がそれぞれ独立したＳＯＮ型パッケージの端部となり、それぞれにおいて、共通リード１２が左右に分割されてリード５０、５１となる。また、横セクションバー１３は除去されたため、隣接するリード５０は電気的に独立した構成となる。なお、図７（ｅ）においては、切断工程後の左側の構造のみについて示されているが、右側の構造はこれと左右対称である。このリード５０、５１の中央には、スルーホール４０が形成されている。 Therefore, after the cutting step, the form shown in FIGS. 6E and 7E is realized. In this structure, the left and right are the ends of independent SON type packages, and in each, the common lead 12 is divided into left and right to become leads 50 and 51. Further, since the horizontal section bar 13 is removed, the adjacent leads 50 are configured to be electrically independent. In FIG. 7E, only the structure on the left side after the cutting step is shown, but the structure on the right side is symmetrical to this. A through hole 40 is formed in the center of the leads 50 and 51.
リード５０、５１の長さＬは、モールド分離工程で用いられたブレード１０１の厚さと、切断工程で用いられたブレード１０２の厚さの差分の１／２となる。すなわち、リード５０、５１の長さＬは、ブレード１０１、１０２の厚さによって設定できる。リード５０、５１の厚さｔは、プレス加工工程における凹部１６の深さとモールド分離工程における切断深さで設定できる。リード５０、５１の幅Ｗは初めの金属パターン１００中の共通リード１２の幅と等しい。従って、スルーホール４０が形成されたリード５０、５１の構造は、これらの調整によって設定することが可能である。具体的には、各パラメータを前記の値とした場合には、Ｌ＝０．５ｍｍ、ｔ＝０．２ｍｍ、Ｗ＝０．４ｍｍ程度となる。スルーホール４０の大きさは、０．２ｍｍ程度とすることができる。 The length L of the leads 50 and 51 is ½ of the difference between the thickness of the blade 101 used in the mold separation process and the thickness of the blade 102 used in the cutting process. That is, the length L of the leads 50 and 51 can be set by the thickness of the blades 101 and 102. The thickness t of the leads 50 and 51 can be set by the depth of the recess 16 in the press working process and the cutting depth in the mold separating process. The width W of the leads 50 and 51 is equal to the width of the common lead 12 in the first metal pattern 100. Therefore, the structure of the leads 50 and 51 in which the through hole 40 is formed can be set by these adjustments. Specifically, when each parameter is set to the above value, L = 0.5 mm, t = 0.2 mm, and W = 0.4 mm. The size of the through hole 40 can be about 0.2 mm.
前記のプレス加工工程において、金属パターン１００中には凹部１６が形成されており、凹部１６が形成された側と反対側の面においては凸部が形成されるが、この有無に関わらずモールド工程を行うことができる。モールド工程前の金属パターン１００に凹部１６ではなくスルーホールを形成することも可能であるが、この場合には、モールド工程においてこのスルーホール中にモールド材２４が入り込む。従って、モールド工程を上記の通りに行うことができない、あるいは、スルーホール中に入り込んだモールド材２４を除去する工程がモールド分離工程以降で必要になる。上記の製造方法においては、プレス加工工程において、スルーホールではなく、貫通していない凹部１６を形成するために、モールド工程以降を上記の通りに行うことができ、モールド分離工程でスルーホール４０を形成することができる。 In the press working step, a concave portion 16 is formed in the metal pattern 100, and a convex portion is formed on the surface opposite to the side where the concave portion 16 is formed. It can be performed. Although it is possible to form a through hole instead of the recess 16 in the metal pattern 100 before the molding process, in this case, the molding material 24 enters the through hole in the molding process. Therefore, the molding process cannot be performed as described above, or a process of removing the molding material 24 that has entered the through hole is required after the mold separation process. In the above manufacturing method, in the press working process, in order to form the recess 16 which is not penetrating instead of the through hole, the molding process and the subsequent steps can be performed as described above, and the through hole 40 is formed in the mold separating process. Can be formed.
上記の工程において用いられるブレード１０１、１０２は、図５における対象領域Ｋ以外の領域にも当接され、切断加工が行われるが、ブレード１０１、１０２は、隣接するＳＯＮ型パッケージ間においてのみ図５の構造に当接する。従って、これらは前記の構造のリード５０（５１）を形成するためにのみ寄与し、これらは、リードフレーム１１やその上の半導体チップ２２等には全く影響を及ぼさない。このため、少なくとも半導体チップ２２が搭載された側の面は上記の工程によって全く影響を受けない。 The blades 101 and 102 used in the above-described process are also brought into contact with a region other than the target region K in FIG. 5 and are subjected to cutting. However, the blades 101 and 102 are illustrated in FIG. 5 only between adjacent SON type packages. Abuts the structure. Therefore, these contribute only to the formation of the lead 50 (51) having the above-described structure, and they have no influence on the lead frame 11, the semiconductor chip 22 thereon, or the like. For this reason, at least the surface on which the semiconductor chip 22 is mounted is not affected at all by the above process.
凹部１６が浅い場合には、モールド分離工程における切断深さを大きく設定しなければスルーホール４０が形成されない。この場合には、最終的に形成されたリード５０、５１の厚さｔが小さくなり、リード５０、５１の機械的強度が低下する。これらを考慮して、凹部１６の深さ及びモールド分離工程における切断深さは適宜設定される。 When the recess 16 is shallow, the through hole 40 is not formed unless the cutting depth in the mold separation process is set large. In this case, the thickness t of the leads 50 and 51 finally formed is reduced, and the mechanical strength of the leads 50 and 51 is reduced. Considering these, the depth of the recess 16 and the cutting depth in the mold separation step are set as appropriate.
なお、上記の工程においては、図５の構造中において隣接するＳＯＮ型パッケージが切断工程で左右方向に分離される。独立した個々のＳＯＮ型パッケージを得るためには、図５中における上下方向の分離を行うことも必要である。
上下方向に隣接するＳＯＮ型パッケージを分離するためには、図５の構造における縦セクションバー１５と平行に、縦セクションバー１５の存在する箇所においてフルカット加工を別途行う。この際、上記の切断工程と同様に、その幅よりも厚いブレードを用いてこのフルカット加工を行うことにより、縦セクションバー１５を除去することができる。この工程においては、図６、７に示された構造は全く影響を受けない。
In the above process, adjacent SON type packages in the structure of FIG. 5 are separated in the horizontal direction in the cutting process. In order to obtain independent individual SON type packages, it is also necessary to perform vertical separation in FIG.
In order to separate the SON-type packages adjacent in the vertical direction, a full cut process is separately performed at a position where the vertical section bar 15 exists in parallel with the vertical section bar 15 in the structure of FIG. At this time, the vertical section bar 15 can be removed by performing this full-cutting process using a blade thicker than the width, as in the above-described cutting step. In this step, the structure shown in FIGS. 6 and 7 is not affected at all.
以上の工程により、金属パターン１００を用いて、図８に示す形態のＳＯＮ型パッケージ７０が複数製造される。その内部構造は、図３に示した通りである。図８において，（ａ）は側面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は正面図、（ｄ）は下面図、（ｅ）は斜視図である。側面の底面側で突出して形成されたリード５０間にはモールド材２４がリード５０と同じ厚さ（ｔ）だけ残っているが、リード５０をはんだ付けする際の障害となることはない。また、仮にこのモールド材２４が何らかの障害となる場合でも、金属で構成されたリード５０に対してこの部分のモールド材２４は機械的に脆いため、これを機械的に除去することは容易である。 Through the above steps, a plurality of SON type packages 70 of the form shown in FIG. Its internal structure is as shown in FIG. 8, (a) is a side view, (b) is a top view, (c) is a front view, (d) is a bottom view, and (e) is a perspective view. Although the molding material 24 remains in the same thickness (t) as the lead 50 between the leads 50 formed to protrude from the bottom side of the side surface, it does not become an obstacle when soldering the lead 50. Even if the molding material 24 becomes an obstacle, the molding material 24 in this portion is mechanically fragile with respect to the lead 50 made of metal, so that it is easy to remove it mechanically. .
このＳＯＮ型パッケージ７０においては、特許文献１に記載の構造と同様に、各リード５０にスルーホール４０が形成されている。従って、このＳＯＮ型パッケージ７０を基板上にはんだで接続する際に、上側から目視あるいは外観検査装置でリード５０下部のはんだを確認することができる。従って、この接続作業を確実に行うことができる。 In the SON type package 70, the through hole 40 is formed in each lead 50 as in the structure described in Patent Document 1. Therefore, when this SON package 70 is connected to the substrate with solder, the solder under the leads 50 can be confirmed visually from above or with an appearance inspection device. Therefore, this connection work can be performed reliably.
また、スルーホール４０が存在することにより、接合時にスルーホール４０中にはんだが入り込むことによって特に強固な接合が得られる、いわゆるアンカー効果が発生する。更に、隣接するリード５０の間隔が狭くなった場合には、これらがはんだによってショートする可能性があるが、スルーホール４０間にはんだが入り込みやすくなれば、この可能性は低くなる。すなわち、このＳＯＮ型パッケージ７０を基板上に接続する際の信頼性が向上する。 In addition, the presence of the through hole 40 causes a so-called anchor effect in which particularly strong bonding is obtained when solder enters the through hole 40 during bonding. Further, when the interval between the adjacent leads 50 becomes narrow, they may be short-circuited by the solder. However, if the solder easily enters between the through holes 40, this possibility is reduced. That is, the reliability when the SON package 70 is connected to the substrate is improved.
このＳＯＮ型パッケージ７０を製造するに際しては、図２の構成の金属パターン１００に対して、プレス加工工程、モールド工程、モールド分離工程、切断工程を行う。ここで、モールド工程、モールド分離工程、切断工程については、図１０に示されるような、リードにスルーホールのない構造の従来のＳＯＮ型パッケージを製造する際にも、類似の工程が必要であることが明らかである。従って、上記の製造方法において最も特徴的なのは、プレス加工工程である。上記の製造方法においては、このプレス加工工程を追加するだけで、リードにスルーホールが形成されたＳＯＮ型パッケージを得ることができる。また、前記の通り、金属パターン１００は、従来のＳＯＮ型パッケージを製造する場合と同様とすることができる。すなわち、簡易な製造工程で、リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを得ることができる。 When the SON package 70 is manufactured, a press working process, a molding process, a mold separating process, and a cutting process are performed on the metal pattern 100 having the configuration shown in FIG. Here, with respect to the molding process, the mold separation process, and the cutting process, similar processes are required when manufacturing a conventional SON type package having a structure having no through hole in the lead as shown in FIG. It is clear. Therefore, the most characteristic of the above manufacturing method is the press working process. In the manufacturing method described above, an SON type package in which through holes are formed in the leads can be obtained simply by adding this pressing process. Further, as described above, the metal pattern 100 can be the same as in the case of manufacturing a conventional SON type package. That is, it is possible to obtain a mold package having a structure in which the presence or absence of solder on the back surface of the lead can be easily confirmed by a simple manufacturing process.
ただし、プレス加工以外の方法によって、凹部が形成された金属パターンを生産することも可能である。例えば、図２の形態の金属パターンを製造する際に、同時に凹部も形成すれば、改めてプレス加工工程を行う必要はない。また、凹部をエッチング等によって一括して形成することも可能である。これらの場合には、半導体デバイス等を搭載する際に使用する金属パターンを予め図４の形態とするだけで、その後にモールド分離工程、切断工程を行うことにより、上記の構造のＳＯＮ型パッケージを製造することができる。 However, it is also possible to produce a metal pattern having recesses formed by a method other than press working. For example, when manufacturing the metal pattern of the form of FIG. 2, if a recessed part is formed simultaneously, it is not necessary to perform a press work process again. It is also possible to form the recesses collectively by etching or the like. In these cases, the metal pattern used when mounting a semiconductor device or the like is simply formed in the form of FIG. 4 in advance, and then the SON type package having the above structure is obtained by performing a mold separation process and a cutting process. Can be manufactured.
また、上記の例では、凹部１６の構成を図４等に記載の通りとしたが、他の構成とすることもできる。例えば、図４における対象領域Ｋ中の凹部１６の形状を、図９（ａ）のように、横セクションバー１３をまたいだ横長の形状とすることもできる。この場合には、凹部１６は、共通リード１２と横セクションバー１３とが接続された箇所を横断し、共通リード１２と横セクションバー１３とが接続された箇所の両側における共通リード１２に達する形状となる。この場合に形成されるＳＯＮ型パッケージの端部の裏面構造（図６（ｅ）下面図に対応）を図９（ｂ）に示す。この場合には、スルーホール４０ではなく、リード５０、５１にスリット４１が形成される。この場合には、切断工程における切断箇所にずれが生じた場合でも、スリット４１の形状は大きな影響を受けない。従って、切断工程に高い精度を要しない。こうしたスリット４１もスルーホール４０と同様の効果を奏することは明らかである。このように、凹部１６の形状は適宜設定することができ、これに応じてスルーホールやスリットの形状を適宜設定することができる。 Further, in the above example, the configuration of the recess 16 is as described in FIG. 4 and the like, but other configurations may be used. For example, the shape of the concave portion 16 in the target region K in FIG. 4 may be a horizontally long shape across the horizontal section bar 13 as shown in FIG. 9A. In this case, the recess 16 has a shape that crosses the portion where the common lead 12 and the horizontal section bar 13 are connected and reaches the common lead 12 on both sides of the portion where the common lead 12 and the horizontal section bar 13 are connected. It becomes. FIG. 9B shows the back surface structure (corresponding to the bottom view of FIG. 6E) of the end portion of the SON type package formed in this case. In this case, slits 41 are formed not in the through hole 40 but in the leads 50 and 51. In this case, the shape of the slit 41 is not greatly affected even when a deviation occurs in the cutting part in the cutting process. Therefore, the cutting process does not require high accuracy. It is obvious that the slit 41 has the same effect as the through hole 40. Thus, the shape of the recess 16 can be set as appropriate, and the shape of the through hole or slit can be set as appropriate accordingly.
あるいは、図６、７の例のように、共通リード１２と横セクションバー１３とが接続された箇所を挟んだ２つの凹部１６を形成した場合においても、切断工程における切断領域がスルーホール４０に達する場合には、スルーホール４０が途中で切断されることにより、リード５０、５１の先端は図９と同様にスリットが設けられた形状となる。この場合でも、スリットの幅（凹部１６の切断方向における長さ）を適度に設定すれば、同様の効果を奏することは明らかである。この場合、切断工程における切断幅の制御に高い精度を要しない。 Alternatively, as in the example of FIGS. 6 and 7, even when two recesses 16 are formed sandwiching the location where the common lead 12 and the horizontal section bar 13 are connected, the cutting region in the cutting process is formed in the through hole 40. When reaching, the through-hole 40 is cut in the middle, so that the tips of the leads 50 and 51 are provided with slits as in FIG. Even in this case, it is obvious that the same effect can be obtained if the width of the slit (the length of the recess 16 in the cutting direction) is set appropriately. In this case, high accuracy is not required for controlling the cutting width in the cutting process.
このように、スルーホール４０の位置と切断加工における切断箇所との位置に多少のずれが生じた場合においても上記と同様の効果を奏するため、プレス加工工程におけるプレス加工（凹部１６を形成する工程）や切断加工においては、高い精度を要求されず、これらの工程を容易に行うことができる。 Thus, in order to achieve the same effect as described above even when there is a slight shift between the position of the through hole 40 and the position of the cut portion in the cutting process, the pressing process in the pressing process (the step of forming the recess 16) ) And the cutting process, high accuracy is not required, and these steps can be easily performed.
また、上記の例において、ＳＯＮ型パッケージの構造を図３の通りとしたが、他の構造でも同様に上記の製造方法を適用できることは明らかである。例えば、一つのパッケージ中で複数のリードフレームや複数の半導体チップが設けられた構成としても同様である。また、リードフレームに半導体チップ以外の電子部品を搭載する場合でも同様である。 Further, in the above example, the structure of the SON type package is shown in FIG. For example, the same applies to a configuration in which a plurality of lead frames and a plurality of semiconductor chips are provided in one package. The same applies when electronic components other than semiconductor chips are mounted on the lead frame.
また、セクションバー（横セクションバー、縦セクションバー）やリードフレーム固定バー等の、製造後のＳＯＮ型パッケージにおいては存在しない、あるいは存在しても機能を有しない構成要素についても同様である。例えば、上記の例では、横セクションバー１３が用いられていたが、横セクションバー１３が用いられなくとも、金属パターンとして一体化された構成であれば、同様に上記の製造方法を適用できる。この場合においても、モールド分離工程におけるハーフカット加工と切断工程におけるフルカット加工は、隣接して製造される２つのＳＯＮ型パッケージとなる部分の間において行うことには変わりがない。切断工程における切断はモールド溝の中で行い、切断工程における切断幅（ブレード１０２の厚さ）を、モールド分離工程におけるハーフカット幅（ブレード１０１の厚さ）よりも狭く（薄く）することにより、リードの長さＬを確保することができる。 The same applies to components that do not exist in the manufactured SON package, such as section bars (horizontal section bars, vertical section bars) and lead frame fixing bars, or that do not have functions even if they exist. For example, in the above example, the horizontal section bar 13 is used. However, even if the horizontal section bar 13 is not used, the above manufacturing method can be similarly applied as long as the configuration is integrated as a metal pattern. Even in this case, the half-cut process in the mold separation process and the full-cut process in the cutting process are not changed between the two SON type packages that are manufactured adjacent to each other. Cutting in the cutting process is performed in the mold groove, and by making the cutting width (thickness of the blade 102) in the cutting process narrower (thinner) than the half-cut width (thickness of the blade 101) in the mold separation process, The lead length L can be secured.
また、モールド溝（ブレード１０１）と切断工程における切断方向とが平行であるとしたが、上記の構造が形成できる限りにおいて、厳密に平行である必要はない。共通リードと横セクションバーとは直交する設定としたが、上記の構造が製造できる限りにおいて、厳密に直交する必要もない。 In addition, the mold groove (blade 101) and the cutting direction in the cutting process are parallel to each other, but it is not necessary to be strictly parallel as long as the above structure can be formed. Although the common lead and the horizontal section bar are set to be orthogonal, it is not necessary to be strictly orthogonal as long as the above structure can be manufactured.
なお、上記の例では、切断後に同一構成のＳＯＮ型パッケージが複数得られるものとしたが、本発明はこれに限定されない。上記の裏面溝形成工程、モールド分離工程、切断工程が行える限りにおいて、例えば隣接するＳＯＮ型パッケージの構成（リードフレーム形状、構成等）を異なるものとすることもできる。 In the above example, a plurality of SON type packages having the same configuration are obtained after cutting, but the present invention is not limited to this. As long as the above-described back surface groove forming step, mold separation step, and cutting step can be performed, for example, the configuration (lead frame shape, configuration, etc.) of the adjacent SON type packages can be different.
また、モールド材で構成された底面端部にリードが形成された他の構成のモールドパッケージ、例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄ）型パッケージも同様に製造できる。ＱＦＮ型パッケージの場合には、モールド分離工程と切断工程を上記の例と直交方向においても行うことが必要になるが、同様に、スルーホールやスリットが形成されたリードが形成されることは明らかである。また、モールドパッケージに用いられているリードの数に依存せずにこの製造方法が適用できることも明らかである。 In addition, a mold package having another structure in which leads are formed on the bottom end portion made of a mold material, for example, a QFN (Quad Flat Non-lead) type package can be manufactured in the same manner. In the case of the QFN type package, it is necessary to perform the mold separation process and the cutting process in the direction orthogonal to the above example, but it is clear that leads with through holes and slits are formed similarly. It is. It is also clear that this manufacturing method can be applied without depending on the number of leads used in the mold package.
１０ 単位構造
１１ リードフレーム
１２ 共通リード
１３ 横セクションバー（セクションバー）
１４ リードフレーム固定バー
１５ 縦セクションバー（セクションバー）
１６ 凹部
２１、５０、５１、９２ リード
２２ 半導体チップ
２３ ボンディングワイヤ
２４、９１ モールド材
２５、４０ スルーホール
４１ スリット
３１ モールド溝
７０、９０ ＳＯＮ型パッケージ
１００ 金属パターン
１０１、１０２ ブレード
10 Unit structure 11 Lead frame 12 Common lead 13 Horizontal section bar (section bar)
14 Lead frame fixing bar 15 Vertical section bar (section bar)
16 Recess 21, 50, 51, 92 Lead 22 Semiconductor chip 23 Bonding wire 24, 91 Mold material 25, 40 Through hole 41 Slit 31 Mold groove 70, 90 SON type package 100 Metal pattern 101, 102 Blade
Claims (6)
前記金属パターンにおいて、隣接して製造される２つのモールドパッケージとなる部分の間に、２つに分離されることによってそれぞれ前記２つのモールドパッケージの前記リードとなり、凹部が一方の面に形成された共通リードを設け、
前記金属パターンにおける前記凹部が形成された側と反対側の面上に前記電子部品を搭載した後に、前記金属パターンにおける前記凹部が形成された側の面が裏面に露出するように、前記モールド材を前記金属パターン上に形成するモールド工程と、
前記裏面と反対側から、前記隣接して製造される２つのモールドパッケージとなる部分の間の少なくとも前記凹部を含む領域において、前記モールド材及び前記共通リードを、前記凹部に達しかつ裏面には達さない深さまでハーフカット加工したモールド溝を形成するモールド分離工程と、
前記モールド溝の底面を、前記モールド溝よりも狭い幅で、前記モールド溝と略平行に切断して前記共通リードを分断する切断工程と、
を具備することを特徴とするモールドパッケージの製造方法。 A plurality of mold packages having a structure in which an electronic component is sealed in a mold material and leads electrically connected to the electronic component are provided at the end of the bottom surface are configured using a single metal pattern. A method of manufacturing a mold package obtained by cutting later,
In the metal pattern, the leads of the two mold packages are formed by being separated into two parts between two parts to be manufactured adjacent to each other, and a recess is formed on one surface. A common lead,
After mounting the electronic component on the surface of the metal pattern opposite to the side where the recess is formed, the mold material so that the surface of the metal pattern where the recess is formed is exposed on the back surface. Forming a mold on the metal pattern;
The mold material and the common lead reach the recess and reach the back surface in a region including at least the recess between the two mold package parts adjacently manufactured from the side opposite to the back surface. A mold separation step for forming a mold groove half-cut to a depth that does not,
A cutting step of cutting the bottom surface of the mold groove with a width narrower than the mold groove and substantially parallel to the mold groove to divide the common lead;
A mold package manufacturing method comprising:
前記切断工程において、前記セクションバーを除去するように切断を行うことを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージの製造方法。 The metal pattern includes a section bar that is substantially orthogonal to the common lead and formed integrally with the common lead.
2. The method of manufacturing a mold package according to claim 1, wherein in the cutting step, cutting is performed so as to remove the section bar.
複数の前記共通リードが並列して形成され、該複数の共通リードは、共通の前記セクションバーで接続されることを特徴とする請求項２に記載のモールドパッケージの製造方法。 In the metal pattern,
3. The method of manufacturing a mold package according to claim 2, wherein the plurality of common leads are formed in parallel, and the plurality of common leads are connected by the common section bar.
切断された前記複数の共通リード間に残存したモールド材を除去することを特徴とする請求項３に記載のモールドパッケージの製造方法。 After the cutting step,
4. The method of manufacturing a mold package according to claim 3, wherein a mold material remaining between the plurality of cut common leads is removed.
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