JP5280718B2 - Heat treatment apparatus - Google Patents

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徹 黒岩
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大日本スクリーン製造株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat treatment apparatus that easily and excellently grasps a heat treatment state of a substrate using a flash lamp. <P>SOLUTION: A first measurement section 78 can be placed on a holding section 7 when a substrate is not heat-treated. A second measurement section 88 can measure the energy of flash emitted by a light irradiating section 5 and guided by a light guide section 89 not only during non-heat treating but during heat treatment in which the substrate is held in the holding section 7 and heat treatment is performd. A decrease rate calculating section 93a calculates a decrease rate DR2n obtained based on the results of measurement of the second measurement section 88 as a decrease rate DR1n of the first measurement section 78. A correction calculating section 93b calculates a flash energy E1n reaching the substrate at n-th flash, based on an initial value E10 of the flash energy to be measured in the first measurement section 78 and the decrease rate DR1n obtained in the decrease rate calculating section 93a. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、半導体ウェハーやガラス基板等(以下、単に「基板」と称する)に閃光を照射することにより、基板を加熱する熱処理装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer or a glass substrate or the like (hereinafter, simply referred to as "substrate") by irradiating a flash light to relates a heat treatment apparatus for heating the substrate.

従来より、フラッシュランプによる熱処理時において、フラッシュランプから基板側に照射される閃光のエネルギーをカロリーメータで計測する技術が知られている(例えば、特許文献1)。 Conventionally, at the time of heat treatment by flash lamp, a technique for measuring the energy of the flash emitted from the flash lamp to the substrate side in the calorimeter is known (for example, Patent Document 1).

特開2005−093750号公報 JP 2005-093750 JP

ここで、特許文献1の熱処理装置において、エネルギー計測の対象となるフラッシュランプからの光は、第1石英ロッド、プリズム、および第2石英ロッド(以下、単に、「導光要素」とも呼ぶ)を介してカロリーメータに導入される。 Here, in the heat treatment device of Patent Document 1, light from the flash lamp to be energy measurement, first quartz rod, a prism, and a second quartz rod (hereinafter, also simply referred to as "light elements") of It is introduced into the calorimeter through. そして、導光要素に入射した光は、この導光要素を通過する際に減衰する。 The light incident on the light guide element is attenuated when passing through the light guide element.

このように、導光要素を介してカロリーメータに到達する光のエネルギーは、熱処理時に基板に到達する光のエネルギーより小さくなる。 Thus, the energy of light reaching the calorimeter via the light guide element is smaller than the energy of light reaching the substrate during the heat treatment. その結果、特許文献1の熱処理装置では、熱処理時に基板に到達する光のエネルギーを正しく検出することができないという問題が生じていた。 As a result, in the heat treatment device of Patent Document 1, a problem that it is impossible to correctly detect the energy of light reaching the substrate during the heat treatment has occurred.

また、上述の問題を解消する手法の1つとして、例えば、導光要素を通過する際に減衰する光エネルギーの減衰率(すなわち、導光要素を通過した光のエネルギー値を導光要素に入射する光のエネルギー値で除したもの)を予め求めるとともに、この減衰率に基づきカロリーメータで計測された光エネルギーを較正することによって、基板に到達する光のエネルギーを演算する手法が考えられる。 Further, the incident as one approach to solve the above problem, for example, the attenuation of the light energy attenuates when passing through the light guide element (i.e., the energy value of light passing through the light guide element to guide element with previously obtained ones) obtained by dividing the energy value of the light, by calibrating the light energy measured by the calorimeter on the basis of this attenuation factor, approaches to calculating the energy of light that reaches the substrate is considered.

しかしながら、導光要素の減衰率には個体差があり、導光要素毎に減衰率が相違する。 However, the attenuation factor of the light guide element there are individual differences, the attenuation factor for each light guide element is different. すなわち、この演算手法を採用するためには、導光要素毎に減衰率を求めることが必要となり、その結果、熱処理装置の製造工数が増大するという問題が生じていた。 That is, in order to employ this calculation method, it is necessary to obtain the attenuation factor for each light guide element, as a result, a problem that manufacturing steps of the heat treatment device increases have occurred.

そこで、本発明では、フラッシュランプによる基板の熱処理状況を、簡便、かつ、良好に把握できる熱処理装置を提供することを目的とする。 Therefore, in the present invention, the heat treatment conditions of the substrate by the flash lamp, simple, and aims to provide a heat treatment apparatus capable of satisfactorily grasped.

上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に閃光を照射することにより、前記基板を加熱する熱処理装置において、前記基板を保持する保持部と、複数のフラッシュランプを有する光源と、前記光源から出射された前記閃光のエネルギーを計測する計測部と、前記計測部の計測結果に基づいて、前記基板に到達する前記閃光の第1エネルギーを演算する演算部とを備え、前記計測部は、前記基板の非熱処理時に前記保持部に載置可能とされており、前記第1エネルギーの第1初期値を計測する第1計測部と、前記保持部の外方に設けられた導光部につき、該導光部により導かれた前記閃光のエネルギーを第2エネルギーとして計測する第2計測部とを有し、前記演算部は、前記第1初期値に対する第n回目発光時の前記第1エネル To solve the above problems, the invention of claim 1, by irradiating a flash light to the substrate, the heat treatment apparatus for heating the substrate, a holding portion for holding the substrate, a light source having a plurality of flash lamps a measuring unit for measuring the energy of the flash light emitted from the light source, based on a measurement result of the measuring unit, and an arithmetic unit for calculating a first energy of the flash light to reach the substrate, the measurement electrical parts, the being and can be placed on the holding portion at the time of non-thermal treatment of the substrate, where the first measuring unit for measuring a first initial value of the first energy, provided on an outer side of the holding portion per light unit, and a second measuring unit for measuring the energy of the flash light guided by the light guiding portion as a second energy, said calculating unit, said the n-th emission with respect to the first initial value the first energy ーの比率を(nは自然数)、第n回目発光時の第1減少率として演算する減少率演算部と、前記減少率演算部により演算された前記第1減少率と、前記第1エネルギーの前記第1初期値と、に基づいて、第n回目の発光時における前記第1エネルギーを演算する補正演算部とを有し、前記第2エネルギーの初期値とされる第2初期値につき、該第2初期値に対する第n回目発光時の前記第2エネルギーの比率を、第n回目発光時の第2減少率とする場合において、前記減少率演算部は、前記第2減少率を第n回目発光時の前記第1減少率として演算することを特徴とする。 The proportion of over (n is a natural number), a reduction rate calculating unit for calculating a first rate of decrease in the n-th light emission, and the first reduction rate computed by the reduction rate calculation section, of the first energy wherein a first initial value, based on, and a correction calculator for calculating the first energy in the n-th time of light emission, every second initial value is the initial value of the second energy, the the second energy ratio of the n-th light emitting time with respect to the second initial value, in a case where the n-th light emitting time of the second reduction rate of the reduction rate calculation section, the n-th of the second decrease ratio characterized by calculating a first reduction rate at the time of emission.

また、請求項2の発明は、請求項1に記載の熱処理装置において、前記減少率演算部は、前記第2減少率の近似直線を演算するとともに、前記近似直線から求められる第n回目発光時の第2減少率を、第n回目発光時の前記第1減少率として演算することを特徴とする。 The invention of claim 2 is the heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the reduction rate calculating unit is configured to calculates the approximate straight line of the second reduction rate, the n-th emission time obtained from the approximate line the second reduction ratio, characterized by calculating a first rate of decrease in the n-th light emission.

また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の熱処理装置において、前記導光部は、前記保持部が収容されているチャンバー内に設けられており、前記第2計測部は、前記チャンバー外に設けられていることを特徴とする。 The invention of claim 3 is the heat treatment apparatus according to claim 1 or claim 2, wherein the light guide unit is provided in the chamber in which the holding portion is accommodated, the second measuring unit It is characterized in that is provided outside the chamber.

請求項1ないし請求項3に記載の発明によれば、導光部は、保持部の外方に設けられており、第2計測部は、基板の熱処理時においても、光源から出射された閃光の第2エネルギーを計測することができる。 According to the invention described in claims 1 to 3, the light guide unit is provided outside of the holding portion, the second measurement unit, even when the heat treatment of the substrate, flash light emitted from the light source it is possible to measure the second energy. また、減少率演算部は、光源の発光回数を考慮に入れた第2エネルギーの減少率を、導光部の個体差の影響を受けずに演算することができる。 Further, reduction rate calculation section, a reduction rate of the second energy put number of light emissions of the light source into consideration, can be calculated without being affected by the individual differences of the light guide portion.

これにより、補正演算部は、導光部の個体差を影響を受けずに演算された第2減少率を第1減少率として使用することができ、第n回目の発光時に基板に到達する閃光の第1エネルギーを良好に演算することができる。 Flash Accordingly, the correction operation unit, the second reduction rate that is calculated individual differences of the light guide portion without being affected can be used as the first reduction rate, to reach the substrate to the n-th emission it can be calculated first energy well. そのため、演算された第1エネルギーに基づいて、フラッシュランプによる基板の熱処理状況を正確に把握することができる。 Therefore, on the basis of the first energy is calculated, it is possible to accurately grasp the heat treatment conditions of the substrate by the flash lamp.

特に、請求項2に記載の発明によれば、減少率演算部は、第2減少率の近似直線から第n回目の発光時における第2減少率を演算し、補正演算部は、この近似演算された第2減少率を第1減少率として使用することができる。 In particular, according to the invention described in claim 2, reduction rate calculation unit, from the approximate straight line of the second reduction rate calculating a second reduction rate in the n-th light emission, the correction operation unit, the approximate calculation a second reduction rate that is can be used as the first reduction rate. そのため、第n回目の発光時に基板に到達する閃光のエネルギーをさらに良好に演算することができ、基板Wの熱処理状況をさらに正確に把握することができる。 Therefore, it is possible to n-th addition can satisfactorily for calculating the energy of the flash reaching the substrate during light emission, more accurately grasp the heat treatment conditions of the substrate W.

特に、請求項3に記載の発明によれば、第2計測部は、基板の熱処理が実行されるチャンバ外に設けられており、熱処理の影響を受けずに第2エネルギーを計測することができる。 In particular, according to the invention described in claim 3, the second measuring unit is provided outside the chamber in which heat treatment of the substrate is performed, it is possible to measure the second energy without being affected by the heat treatment . そのため、第2計測部による計測精度をさらに向上させることができる。 Therefore, it is possible to further improve the measurement accuracy by the second measuring unit.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, with reference to the drawings, embodiments of the present invention will be described in detail.

<1. <1. 熱処理装置の構成> The configuration of the heat treatment apparatus>
図1および図2は、本発明実施の形態における熱処理装置1の構成の一例を示す側断面図である。 1 and FIG. 2 is a sectional side view showing an example of a heat treatment apparatus 1 configured in the form of the present invention embodiment. 熱処理装置1は、基板W(図2参照)に極めて強い閃光を照射することにより、基板Wの表面を加熱する。 Thermal processing apparatus 1, by irradiating a very strong flash to the substrate W (see FIG. 2), heating the surface of the substrate W. また、熱処理装置1の加熱対象となる基板Wは、例えば、イオン注入法により不純物が添加されたものであり、添加された不純物は、この熱処理によって活性化する。 The substrate W to be heat target of the heat treatment apparatus 1 is, for example, are those to which an impurity is added by an ion implantation method, the added impurity is activated by this heat treatment.

図1および図2に示すように、熱処理装置1は、主として、光照射部5と、チャンバー6と、保持部7と、第1計測部78と、第2計測部88と、導光部89と、制御部90と、を備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the heat treatment apparatus 1 mainly includes a light irradiation unit 5, a chamber 6, a holder 7, a first measurement unit 78, and the second measurement unit 88, the light guide portion 89 When, and a control unit 90, a. なお、図1および以降の各図には、それらの方向関係を明確にすべく必要に応じて適宜、Z軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系が付されている。 Note that each of FIGS. 1 and later, as necessary in order to clarify the directional relationship therebetween and the Z-axis direction and the vertical direction, XYZ orthogonal coordinate system with a horizontal plane XY plane is attached .

光照射部5は、図1および図2に示すように、チャンバー6の上部に設けられている。 Light irradiation unit 5, as shown in FIGS. 1 and 2, is provided in the upper portion of the chamber 6. 光照射部5は、主として、複数(本実施の形態においては30本)のキセノンフラッシュランプ(以下、単に「フラッシュランプ」と呼ぶ)69と、リフレクタ52と、光拡散板53と、を有している。 Light irradiation unit 5 mainly includes a xenon flash lamp of a plurality (30 in this preferred embodiment) (hereinafter, simply referred to as "flash lamp") 69, a reflector 52, a light diffusion plate 53, the ing.

各フラッシュランプ69は、長尺円筒状のランプである。 Each flash lamp 69 is an elongated cylindrical lamp. 図2に示すように、各フラッシュランプ69は、その長手方向が保持部7に保持される基板Wの主面と略平行となるように、配列されている。 As shown in FIG. 2, the flash lamp 69 is such that its longitudinal direction becomes the major surface substantially parallel of the substrate W held by the holder 7 are arranged. また、各フラッシュランプ69は、その両端に印加された電圧に応じたエネルギー(閃光エネルギー)を有する閃光(フラッシュ光)を出射する。 Each flash lamp 69 emits a flash (flash light) having an energy (flash energy) corresponding to the voltage applied to both ends.

ここで、光照射部5からチャンバー6内の基板Wに閃光が照射されると、基板Wの表面温度は、瞬間的に1000℃ないし1100℃程度の熱処理温度T2まで急速に上昇し、基板Wに添加された不純物が活性化する。 Here, the flash from the light emitting part 5 to the substrate W in the chamber 6 is irradiated, the surface temperature of the substrate W is rapidly raised to the heat treatment temperature T2 of about 1100 ° C. to not instantaneously 1000 ° C., the substrate W added to the impurity is activated. そして、熱処理温度T2まで急速に昇温した基板Wの表面温度は、その後、急速に下降する。 Then, the surface temperature of the substrate W rapidly raised to the heat treatment temperature T2 is then rapidly lowered. そのため、閃光による熱処理後、基板Wに添加された不純物が熱拡散し、基板W中の不純物のプロファイルがなまることを抑制することができる。 Therefore, it is possible after the heat treatment by flash, impurities added to the substrate W is thermally diffused, to suppress the dull impurity profile in the substrate W.

リフレクタ52は、複数のフラッシュランプ69の上方に配置されており、各フラッシュランプ69の全体を覆うように設けられている。 The reflector 52 is disposed above the plurality of flash lamps 69, is provided so as to cover the whole of each flash lamp 69. また、リフレクタ52の表面は、ブラスト処理により粗面化加工が施されており、梨地模様を呈している。 The surface of the reflector 52, roughening processing has been performed by blasting, and has a satin finish.

光拡散板53は、石英ガラスによって形成されており、光拡散板53の表面には、光拡散加工が施されている。 The light diffusion plate 53 is formed of quartz glass, the surface of the light diffusing plate 53, the light diffusion processing is given. これにより、フラッシュランプ69から出射された光は、光拡散板53に入射して拡散される。 Thus, light emitted from the flash lamp 69 is spread incident on the light diffusing plate 53. そして、光拡散板53を透過した光は、チャンバー6内に到達する。 The light transmitted through the light diffusion plate 53 reaches into the chamber 6. このように、本実施の形態において、光照射部5は、各フラッシュランプ69に印加された電圧に応じた閃光を基板W側に出射する光源として使用される。 In this manner, in the present embodiment, the light irradiation unit 5 is used to flash in response to the voltage applied to each of the flash lamp 69 as a light source for emitting the substrate W side.

チャンバー6は、略円筒形状を有しており、熱処理室として使用される。 Chamber 6 has a substantially cylindrical shape, is used as the heat treatment chamber. チャンバー6の内部空間(熱処理空間65)には、熱処理対象となる基板Wが収納可能とされている。 The inner space of the chamber 6 (the heat treatment space 65), the substrate W to be heat treated subject is capable accommodated. 図1および図2に示すように、チャンバー6は、透光板61を有している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the chamber 6 has a transparent plate 61.

透光板61は、例えば、石英等により形成された円盤体であり、図1および図2に示すように、光照射部5の下方であって、チャンバー6上部の開口60に設けられている。 Transparent plate 61 is, for example, a disk body made of quartz or the like, as shown in FIGS. 1 and 2, a lower light irradiation unit 5 is provided in the chamber 6 the upper portion of the opening 60 . また、透光板61と光拡散板53との間には、所定の間隙が設けられている。 Between the transparent plate 61 and the light diffusion plate 53, a predetermined gap is provided. 光照射部5から出射された光は、透光板61を透過して窒素ガス(不活性ガス)雰囲気とされた熱処理空間65に到達し、基板Wに照射される。 Light emitted from the light emitting part 5 reaches the heat treatment space 65 which is a nitrogen gas (inert gas) atmosphere through the transparent plate 61, is irradiated onto the substrate W.

保持部7は、チャンバー6内に収容されており、加熱対象となる基板Wを保持する。 Holder 7 is housed in the chamber 6, for holding a substrate W to be heat target. また、保持部7は、受け渡し位置(基板Wがピン75によって支持される高さ位置)と、熱処理位置(基板Wが透光板61と近接する高さ位置:図2参照)と、の間で基板Wを昇降させる。 The holding unit 7, a transfer position (height position where the substrate W is supported by the pin 75), a heat treatment position (height position the substrate W is close to the transparent plate 61: see FIG. 2) and, during the in raising and lowering the substrate W. 図1および図2に示すように、保持部7は、主として、ホットプレート71と、サセプタ72と、ピン75と、を有している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the holding unit 7 mainly includes a hot plate 71, and a susceptor 72, a pin 75, a.

ホットプレート71は、サセプタ72の下面に密着して設けられている。 Hot plate 71 is provided in close contact with the lower surface of the susceptor 72. 図1および図2に示すように、ホットプレート71の上面(基板W側の面)は、サセプタ72によって覆われている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the upper surface of the hot plate 71 (the surface of the substrate W side) is covered by the susceptor 72. また、ホットプレート71は、光照射部5からの閃光による熱処理が施される前の基板を予備加熱する。 Moreover, the hot plate 71, a substrate before heat treatment by flash from the light emitting part 5 is subjected to preheating.

これにより、基板Wに添加された不純物の拡散が防止されつつ、保持部7の基板W温度は予備加熱温度T1まで昇温する。 Thus, while the diffusion of added impurities are prevented to the substrate W, the substrate W the temperature of the holder 7 is raised to the preheating temperature T1. また、予備加熱された基板Wの表面温度は、フラッシュランプ69による熱処理時において、熱処理温度T2(>T1)まで速やかに上昇する。 The surface temperature of the preheated substrate W during heat treatment by flash lamp 69, rises rapidly to the heat treatment temperature T2 (> T1).

サセプタ72は、石英(あるいは、窒化アルミニウム(AlN)等であっても良い)によって形成されており、光照射部5による熱処理時において基板Wを保持する。 The susceptor 72, a quartz (or aluminum nitride (which may be AlN) or the like) is formed by, for holding a substrate W during heat treatment by light irradiation unit 5. 図1および図2に示すように、サセプタ72の上部周縁付近には、基板Wの位置ズレを防止するピン75が設けられている。 As shown in FIGS. 1 and 2, in the vicinity of the upper peripheral edge of the susceptor 72, the pin 75 is provided to prevent the displacement of the substrate W.

ここで、図1および図2に示すように、チャンバー6の底部62には、複数の支持ピン70が固定されている。 Here, as shown in FIGS. 1 and 2, the bottom 62 of the chamber 6, a plurality of support pins 70 are fixed. 各支持ピン70は、例えば石英によって形成された棒状体であり、略垂直方向(Z軸方向)に立設されている。 Each support pin 70 is, for example, a rod-like body formed of quartz, are erected in a substantially vertical direction (Z axis direction). また、保持部7には複数の貫通孔77が設けられている。 Further, a plurality of through holes 77 are provided in the holding part 7. 各貫通孔77には対応する支持ピン70が挿通可能とされている。 Corresponding support pins 70 are can be inserted in each through hole 77.

また、保持部7の下部には、略円筒状のシャフト41が接続されている。 Further, the lower portion of the holding portion 7, substantially cylindrical shaft 41 is connected. さらに、シャフト41、およびこれに固定された保持部7は、昇降部42によってZ軸方向に昇降可能とされている。 Further, the shaft 41 holding portion 7 and secured thereto, is movable up and down in the Z axis direction by the elevating unit 42.

したがって、ゲートバルブ185が開放されて、チャンバー6内に基板Wが搬入されると、基板Wは、受け渡し位置にて各支持ピン70により支持される。 Therefore, the gate valve 185 is opened, the substrate W is carried into the chamber 6, the substrate W is supported by the support pins 70 at the transfer position. 次に、基板Wが各支持ピン70に受け渡された後に、昇降部42によって保持部7が昇降させられると、各支持ピン70に支持された基板Wは、保持部7のサセプタ72に受け渡される。 Then, after the substrate W is transferred to the respective support pins 70, the holder 7 by the elevating unit 42 is moved up and down, the substrate W supported on the support pins 70 are received in the susceptor 72 of the holder 7 It is passed. そして、さらに保持部7が昇降させられると、基板Wは、熱処理位置まで移動させられる(図2参照)。 When brought further holding part 7 up and down, the substrate W is moved to the heat treatment position (see FIG. 2). 一方、熱処理が完了すると、熱処理位置の基板Wは、下降させられる。 On the other hand, the heat treatment is completed, the substrate W in the heat treatment position, is lowered. これにより、基板Wは、受け渡し位置付近でサセプタ72から離隔し、各支持ピン70に受け渡される。 Thus, the substrate W is spaced apart from the susceptor 72 in the vicinity of the delivery position is delivered to each of the support pins 70.

第1計測部78は、いわゆるカロリーメータによって構成されており、光照射部5から出射された閃光のエネルギーを計測する。 The first measurement unit 78 is configured by a so-called calorimeter to measure the energy of the flash light emitted from the light emitting part 5. 図1および図2に示すように、第1計測部78は、基板Wが保持部7に保持されていない場合に(例えば、基板Wの非熱処理時に)、保持部7に載置可能とされている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the first measuring unit 78, when the substrate W is not held in the holding section 7 (e.g., during non-thermal treatment of the substrate W), is capable placed on the holder 7 ing. また、第1計測部78の上面(光照射部5側の面)の高さ位置は、基板Wの熱処理位置と略同一高さとなるように設定されている。 The height position of the upper surface (the surface of the light emitting part 5 side) of the first measurement unit 78 is set so as to be heat treated location substantially the same height of the substrate W.

したがって、第1計測部78に到達(入射)する閃光のエネルギーは、基板Wに到達(入射)する閃光のエネルギーと略同一となる。 Therefore, the energy of the flash reaching the first measurement unit 78 (incident) is an energy substantially the same flash reaching the substrate W (incident). そのため、保持部7の第1計測部78により計測される閃光のエネルギーを、基板Wに到達する閃光のエネルギーとして使用することができる。 Therefore, the energy of the flash, which is measured by the first measuring unit 78 of the holder 7 can be used as energy of the flash that reaches the substrate W.

第2計測部88は、第1計測部78と同様に、いわゆるカロリーメータによって構成されており、光照射部5から出射された閃光のエネルギーを計測する。 The second measurement unit 88, like the first measurement unit 78 is configured by a so-called calorimeter to measure the energy of the flash light emitted from the light emitting part 5. 図1および図2に示すように、第2計測部88は、チャンバー6の底部62であって、チャンバー6外に設けられている。 As shown in FIGS. 1 and 2, second measuring unit 88, a bottom 62 of the chamber 6, it is provided in the outer chamber 6.

導光部89は、例えば石英によって形成された棒状体であり、図1および図2に示すように、保持部7の径方向外方に設けられている。 The light guide portion 89 is a rod-like body formed by, for example, quartz, as shown in FIGS. 1 and 2, are provided radially outward of the holder 7. また、導光部89は、チャンバー6内の底部62から熱処理空間65側に立設されており、略垂直方向(Z軸方向)に伸びている。 Further, the light guide portion 89 is erected from the bottom 62 of the chamber 6 to the heat treatment space 65 side, it extends in a substantially vertical direction (Z axis direction).

また、導光部89の上端には、光照射部5から出射された閃光を受光する受光部88aが設けられている。 Further, the upper end of the light guide 89, the light receiving portion 88a for receiving the flash emitted from the light emitting part 5 is provided. 図1に示すように、受光部88aは、熱処理時において保持部7に保持された基板Wの高さ位置(熱処理位置)と略同一となるように、その長さ方向(Z軸方向)のサイズが設定されている。 As shown in FIG. 1, the light receiving portion 88a is so as to be substantially the same as the height position of the substrate W held by the holder 7 (the heat treatment position) at the time of heat treatment, the longitudinal direction of the (Z-axis direction) size has been set.

さらに、図1および図2に示すように、導光部89は、チャンバー6の底部62に設けられた貫通孔88bに挿通されており、導光部89の下端は、チャンバー6外の第2計測部88と接続されている。 Furthermore, as shown in FIGS. 1 and 2, the light guide part 89 is inserted into the through hole 88b provided in the bottom portion 62 of the chamber 6, the lower end of the light guide part 89, the second outer chamber 6 It is connected to the measuring unit 88.

したがって、光照射部5から出射されて熱処理位置に到達した閃光は、受光部88aから導光部89内に入射する。 Therefore, flash light has been emitted from the light emitting part 5 reaches the heat treatment position, incident from the light receiving portion 88a in the light guide portion 89. そして、導光部89内に入射した閃光は、第2計測部88に導かれる。 The flash light incident on the light guide portion 89 is guided to the second measurement unit 88. これにより、第2計測部88は、保持部7に基板Wが保持されているか否かに関わらず、光照射部5から出射された閃光のエネルギーを計測することができる。 Thus, the second measurement unit 88, whether or not the substrate W is held by the holding unit 7, it is possible to measure the energy of the flash light emitted from the light emitting part 5.

そのため、第2計測部88は、非熱処理時だけでなく、保持部7に基板Wが保持されて熱処理が実行される熱処理時においても、光照射部5から出射されて導光部89により導かれた閃光のエネルギー(第2エネルギー)を計測することができる。 Therefore, the second measurement unit 88, not only during non-heat, even at the time of heat treatment heat treatment held the substrate W is in the holder 7 is performed, guiding the light guiding portion 89 is emitted from the light emitting part 5 it was flash energy (second energy) can be measured.

また、第2計測部88は、チャンバー6外に設けられており、熱処理の影響を受けずに閃光のエネルギー(第2エネルギー)を計測することができる。 The second measurement unit 88 is provided outside the chamber 6, it is possible to measure the flash of energy (second energy) without being affected by the heat treatment. そのため、第2計測部88による計測精度をさらに向上させることができる。 Therefore, it is possible to further improve the measurement accuracy by the second measuring unit 88.

ここで、カロリーメータとは、光子のエネルギーを計測する粒子検出器を言う。 Here, the calorimeter refers to particle detector for measuring the energy of the photon. カロリーメータは、入射する光子によって電子陽電子対生成と制動輻射とを繰り返し生じさせる。 Calorimeter causes repeated and bremsstrahlung and electron positron pair production by photons incident. そして、カロリーメータからは、光照射部5からの閃光エネルギーに応じた電気信号が出力される。 Then, the calorimeter, electrical signal corresponding to the flash energy from the light irradiation unit 5 is outputted.

したがって、第1計測部78に閃光が入射すると、第1計測部78からは、入射した閃光のエネルギー(第1エネルギー)に対応する電気信号が出力される。 Therefore, the flash in the first measurement unit 78 is incident, from the first measurement unit 78, an electric signal corresponding to the energy (first energy) of the incident flash is output. また同様に、導光部89を介して第2計測部88に閃光が入射すると、第2計測部88からは、導光部89を通過する際に減衰した閃光に対応する電気信号が出力される。 Similarly, when the flashlight to the second measurement unit 88 through the light guide portion 89 is incident, from the second measurement unit 88, an electric signal corresponding to the flash that is attenuated when passing through the light guide section 89 is outputted that.

制御部90は、熱処理装置1の各構成要素の動作制御(例えば、光照射部5による閃光の照射制御や、昇降部42による保持部7の昇降制御等)、およびデータ演算を実現する。 Controller 90, the operation control of the components of the thermal processing apparatus 1 (e.g., the irradiation control of the flash by light irradiation unit 5, the lift control and the like of the holder 7 by the elevating unit 42), and to realize a data operation. 図1および図2に示すように、制御部90は、主として、RAM91と、ROM(Read Only Member)92と、CPU(Central Processing Unit)93と、を有している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the control unit 90 mainly includes a RAM 91, a ROM (Read Only Member) 92, has a CPU (Central Processing Unit) 93, a.

RAM(Random Access Memory)91は、揮発性の記憶部であり、例えば、CPU93の演算で使用されるデータが格納される。 RAM (Random Access Memory) 91 is a volatile memory unit, for example, data used in calculation of the CPU93 is stored. ROM(Read Only Memory)92は、いわゆる不揮発性の記憶部であり、例えば、プログラム92aが格納される。 ROM (Read Only Memory) 92 is a so-called non-volatile memory unit, for example, the program 92a is stored. なお、ROM92としては、読み書き自在の不揮発性メモリであるフラッシュメモリが使用されてもよい。 As the ROM 92, the flash memory may be used is a readable and writable nonvolatile memory.

CPU93は、ROM92のプログラム92aに従った動作制御やデータ演算を実行する演算部である。 CPU93 is an arithmetic unit that executes the operation control and data operations according to the program 92a in the ROM 92. 例えば、CPU93は、第1および第2計測部78、88の計測結果に基づいて、基板Wに到達する閃光のエネルギーを演算する。 For example, CPU 93, based on the measurement results of the first and second measurement unit 78 and 88 calculates the energy of the flash that reaches the substrate W. また、図1および図2中のCPU93内に記載されている各演算部93a、93bに対応する演算機能は、CPU93によって実現される。 Further, each operation unit 93a that is described in the CPU 93 in FIG. 1 and FIG. 2, operation function corresponding to 93b is realized by CPU 93.

<2. <2. 第1および第2計測部により計測された閃光エネルギーの関係と演算機能> Related to arithmetic functions of the flash energy measured by the first and second measurement unit>
ここでは、第1および第2計測部78、88により計測された閃光エネルギーの関係を説明するとともに、CPU93によって実現される演算機能について説明する。 Here, along with illustrating the relationship of the measured flash energy by the first and second measurement unit 78 and 88, it will be described operation functions implemented by CPU 93.

ここで、光照射部5のフラッシュランプ69は、繰り返し発光されると劣化し、基板に照射される閃光のエネルギーが低下する。 Here, the flash lamp 69 of the light irradiation unit 5, degraded to be repeated emission, the energy of the flash light is irradiated to the substrate is reduced. すなわち、光照射部5からの閃光エネルギーは、発光回数の増大に従って低下する。 That is, the flash energy from the light irradiation unit 5 is reduced with increasing number of emission. また、基板Wの表面は、照射される閃光のエネルギーに応じて昇温する。 The surface of the substrate W, the temperature is raised in accordance with the energy of the flash emitted.

したがって、フラッシュランプ69を使用した熱処理において、基板Wの熱処理状況を正しく把握するためには、熱処理時に光照射部5側から基板W側に照射される閃光のエネルギーを正確に把握することが必要となる。 Accordingly, in the heat treatment using a flash lamp 69, in order to correctly grasp the heat treatment conditions of the substrate W it is necessary to accurately grasp the energy of the flash emitted from the light irradiation unit 5 side to the substrate W side during thermal treatment to become.

また、第2計測部88で計測される閃光は、導光要素として使用される導光部89を介して第2計測部88に導入され、導光部89を通過する際に減衰する。 Moreover, flash is measured by the second measurement unit 88 is introduced into the second measurement unit 88 through the light guide portion 89 which is used as a light guide element, it is attenuated when passing through the light guide portion 89. したがって、第2計測部88の計測結果を使用して基板Wに到達する閃光のエネルギーを演算するためには、何らかの補正演算が必要となる。 Therefore, in order to use the measurement result of the second measurement unit 88 calculates the energy of the flash that reaches the substrate W, it is necessary to some correction operation.

なお、基板Wに到達する閃光のエネルギーは、導光部89を通過する際に減衰する閃光エネルギーの減衰率を予め求め、この減衰率と、第2計測部88の計測結果と、に基づいて演算することも可能である。 Incidentally, the energy of the flash that reaches the substrate W previously determined attenuation factor of the flash energy attenuated when passing through the light guide portion 89, and the attenuation rate, a measurement result of the second measurement unit 88, on the basis it is also possible to calculate. しかし、導光部89の減衰率は、個体差を有しており、導光部89毎に相違する値となる。 However, the attenuation factor of the light guide part 89 has individual difference, a value which differs for each light guide unit 89. その結果、減衰率を使用した演算手法では、熱処理装置1の製造工数が増大するという問題が生ずることになる。 As a result, the calculation method using the attenuation factor, so that the problem that the manufacturing steps of the heat treatment apparatus 1 is increased occurs.

そこで、本実施の形態では、以下の手法を採用することによって、各導光部89の個体差の影響を抑制しつつ、基板Wに到達する閃光のエネルギーを演算している。 Therefore, in this embodiment, by employing the following method, while suppressing the influence of the individual difference of each light guide section 89, which calculates the energy of the flash that reaches the substrate W.

図3は、フラッシュランプ69への印加電圧を一定とした場合おいて、第n回目の発光時における閃光エネルギーの減少率と発光回数nとの関係を示すグラフである。 3, at the case where the voltage applied to the flash lamp 69 constant, is a graph showing the relationship between the reduction rate and the number of light emission times n of flash energy in the n-th light emission. 図3の横軸は、発光回数nを示す。 The horizontal axis of FIG. 3 shows the number of light emissions n. また、図3の縦軸は、第n回目の発光時における減少率DR1n(図3中の「●」(黒塗り丸))、DR2n(図3中の「◇」(白抜き菱形))を示す。 The vertical axis of FIG. 3, the reduction rate in the n-th light emitting DR1n (in Figure 3 of "●" (black circles)), DR2n the ( "◇" in Fig. 3 (open diamonds)) show. また、図3中の実線AL1、AL2は、それぞれ減少率DR1n、DR2nの近似直線(第1次近似直線)を示す。 The solid line AL1, AL2 in Fig. 3, respectively reduction rate DR1n, approximation DR2n straight line (first order approximation straight line).

ここで、本実施の形態において閃光エネルギーの減少率DR1n、DR2nとは、第1計測部78、88で計測される閃光エネルギーの初期値をE10、E20と、第n回目の閃光時に第1計測部78、88で計測される閃光エネルギーをE1n、E2nと、それぞれする場合、初期値E10、E20に対する閃光エネルギーE1n、E2nの比率であり、数1および数2によって表される。 Here, the reduction rate DR1n the present embodiment the flash energy in the form of, and DR2n, the initial value of the flash energy measured by the first measuring unit 78 and 88 and E10, E20, first measured the n-th flash E1n the flash energy to be measured in parts 78 and 88, and E2n, if respectively, flash energy E1n to the initial value E10, E20, is the ratio of E2n, represented by equations 1 and 2.

DR1n = E1n / E10 ・・・ 数1 DR1n = E1n / E10 ··· number 1
DR2n = E2n / E20 ・・・ 数2 DR2n = E2n / E20 ··· number 2
なお、初期値E10、E20としては、例えば、第1回目の閃光時に計測された閃光エネルギーや、光照射部5のフラッシュランプ69を交換した際において複数回照射された閃光エネルギーの平均値等が使用される。 As the initial value E10, E20, for example, flash energy and which is measured during the first flash, average value of a plurality of times irradiated flash energy at time of replacing the flash lamp 69 of the light emitting part 5 is used.

また、上述の閃光エネルギーE1n(第1エネルギー)、E2n(第2エネルギー)は、第1計測部78が保持部7に載置された状態において、光照射部5から照射され、第1および第2計測部78、88で略同一タイミングで計測されたものである。 Further, the above-described flash energy E1n (first energy), E2n (second energy), in a state where the first measurement unit 78 is placed on the holder 7, is irradiated from the light irradiation unit 5, first and second in second measuring unit 78, 88 are those which are measured at substantially the same timing.

ここで、近似直線AL1の傾きをA1、縦軸に対する切片をB1と、近似直線AL2の傾きをA2、縦軸に対する切片をB2と、それぞれ定義する。 Here, the gradient of the approximate straight line AL1 A1, sections with respect to the longitudinal axis B1, the slope of the approximate line AL2 A2, and sections for vertical axis B2, defined respectively. 図3に示すように、第1計測部78に基づく近似直線AL1と、第2計測部88に基づく近似直線AL2と、について、切片B1(=103.8)、B2(=104.0)が略同一値となり、傾きA1(=−0.00072)、A2(=−0.00076)も略同一値となる。 As shown in FIG. 3, the approximate straight line AL1 based on the first measurement unit 78, an approximate straight line AL2 based on the second measurement unit 88, the intercept B1 (= 103.8), B2 (= 104.0) is it becomes substantially the same value, the slope A1 (= - 0.00072), A2 (= - 0.00076) becomes substantially the same value. すなわち、近似直線AL1、AL2は、略同一形状を有する直線となり、第n回目の発光時において近似直線AL1、AL2から求められる減少率DR1n、DR2nは、略同一値となる。 That is, the approximate straight line AL1, AL2 becomes a straight line having substantially the same shape, the n-th reduction rate DR1n obtained from the approximate straight line AL1, AL2 during emission, DR2n becomes substantially the same value.

したがって、第n回目の発光時における減少率DR1n、DR2nは、近似直線AL2の傾きA2および切片B2と、発光回数nとを使用して、数3のように表される。 Therefore, reduction rate DR1n in the n-th light emission, DR2n includes a slope A2 and intercept B2 of approximate straight line AL2, using the number of light emissions n, is expressed as Equation 3.

DR1n = DR2n = B2 − A2 × n(nは自然数)・・・ 数3 DR1n = DR2n = B2 - A2 × n (n is a natural number) ... number 3
よって、数3を数1に代入して整理することにより、第n回目の発光時において基板Wに到達する閃光のエネルギー(すなわち、第1計測部78の計測値E1n)は、数4のように表される。 Thus, by organizing by substituting equation 3 into equation 1, the flash of energy that reaches the substrate W in the n-th light emission (i.e., the measured value of the first measuring unit 78 E1n) is as in equation 4 represented in.

E1n = E10 × DR1n E1n = E10 × DR1n
= E10 ×(B2 − A2 × n) ・・・ 数4 = E10 × (B2 - A2 × n) ··· number 4
このように、第1計測部78によって計測される閃光エネルギー(第1エネルギー)の初期値(第1初期値)が予め求められると、第2計測部88の計測値に基づいた近似直線AL2の傾きA2および切片B2によって、第n回目の発光時に基板Wに到達する閃光のエネルギーを演算することが可能となる。 Thus, the initial value of the flash energy measured by the first measurement unit 78 (first energy) (first initial value) is determined in advance, approximate lines AL2 based on the measurement values ​​of the second measurement unit 88 the slope A2 and intercept B2, it is possible to calculate the energy of the flash arriving at the substrate W to the n-th light emission.

減少率演算部93aは、数3に基づいた演算を実行する。 Reduction rate calculation unit 93a executes a calculation based on the number 3. すなわち、減少率演算部93aは、第2計測部88の計測結果により求められる減少率DR2n(第2減少率)を、第n回目発光時の減少率DR1n(第1減少率)として演算する。 That is, the reduction rate calculation section 93a calculates the reduction rate determined by the measurement result of the second measurement unit 88 DR2n (second reduction rate), as the reduction rate of the n-th light emitting DR1n (first reduction ratio).

具体的には、まず、第2計測部88により計測された複数の閃光エネルギーと、初期値E20(第2初期値)と、から複数の減少率DR2nが演算される。 More specifically, first, a plurality of flash energy measured by the second measuring unit 88, an initial value E20 (second initial value), a plurality of reduction rate DR2n from is calculated. 続いて、求められた減少率DR2nの近似直線AL2が求められ、傾きA2と切片B2とがRAM91に記憶される。 Subsequently, a demand is approximated straight line AL2 reduction rate DR2n obtained, the slope A2 and intercept B2 are stored in the RAM 91.

そして、発光回数nと、RAM91に記憶された傾きA2および切片B2とが、数3に代入されることによって、第n回目発光時の減少率DR1nが演算される。 Then, the number of light emissions n, the slope A2 and intercept B2 stored in the RAM91 is by being substituted into Equation 3, the reduction rate of the n-th light emitting DR1n is calculated. なお、第2計測部88により計測結果に基づいて演算された閃光エネルギーの初期値E20は、予めRAM91等に記憶されている。 The initial value E20 of the computed flash energy based on the measurement results by the second measurement unit 88 is stored in advance in RAM91, and the like.

なお、近似直線AL2の傾きA2および切片B2は、光照射部5から閃光が出射されて熱処理が実行される毎に再演算されてもよいし、光照射部5の発光が所定回数行われる毎に再演算されてもよい。 Incidentally, the inclination A2 and intercept B2 of approximate straight line AL2 may be be recalculated each time the heat treatment from the light emitting part 5 flash is emitted is performed, each time the emission of the light emitting part 5 is performed a predetermined number of times it may be re-calculation to. さらに、基板Wの熱処理に先立って演算された傾きA2および切片B2が、熱処理時の閃光エネルギーE1nの演算に使用されてもよい。 Furthermore, the slope A2 and intercept B2 computed prior to the heat treatment of the substrate W may be used in the calculation of the flash energy E1n during the heat treatment.

補正演算部93bは、減少率DR1nと、初期値E10と、に基づいて、第n回目の発光時に基板Wに到達する閃光エネルギーE1nを演算する。 Correction calculation unit 93b includes a reduction rate DR1n, the initial value E10, on the basis, calculates the flash energy E1n reaching the substrate W in the n-th light emission. 具体的には、補正演算部93bは、減少率演算部93aにより近似演算された減少率DR1nと、初期値E10と、を数4に代入することによって求める。 Specifically, the correction calculation unit 93b calculates a reduction rate DR1n approximated calculated by reduction rate calculation section 93a, by substituting the initial value E10, the number 4. なお、第1計測部78により計測結果に基づいて演算された閃光エネルギーの初期値E10は、初期値E20と同様に、予めRAM91等に記憶されている。 The initial value E10 flash energy is calculated based on the measurement result by the first measurement unit 78, similarly to the initial value E20, it is stored in advance in RAM91, and the like.

図4は、フラッシュランプ69への印加電圧を一定とした場合において、第1計測部78により計測された閃光エネルギーの計測値と、数4による演算値との関係を示すグラフである。 4, in the case where the voltage applied to the flash lamp 69 is constant, the measured value of the flash energy measured by the first measurement unit 78 is a graph showing the relationship between the calculated value by the number 4. 図4の横軸は、発光回数nを示す。 The horizontal axis of FIG. 4 shows the emission number n. また、図4の縦軸は、数4よる閃光エネルギー(第1エネルギー)の演算値を、第1計測部78による計測値で除した値(比率R1)である。 The vertical axis of FIG. 4, the calculated value of the number 4 by flash energy (first energy) is divided by the measured value by the first measurement unit 78 (ratio R1). また、図4中の「◆」(黒塗り菱形)は、比率R1をプロットしたものである。 Further, "◆" (black rhombuses) in Fig. 4 is a plot of the ratio R1.

図4に示すように、比率R1は、各発光回数nとも、概ね99.5〜100.5(%)の範囲となった。 As shown in FIG. 4, the ratio R1 is in each emission count n, taken generally a range of 99.5 to 100.5 (%). したがって、第n回目の発光時において基板Wに到達する閃光エネルギーは、数4に基づいた演算によって、良好に求められる。 Thus, flash energy reaching the substrate W in the n-th light emission, by a calculation based on the number 4, it is well determined.

<3. <3. 本実施の形態の熱処理装置の利点> An advantage of the heat treatment apparatus of the present embodiment>
以上のように、本実施の形態の熱処理装置1において、導光部89は、保持部7の外方に設けられており、第2計測部88は、基板Wの熱処理時においても光照射部5からの閃光のエネルギー(第2エネルギー)を計測することができる。 As described above, in the heat treatment apparatus 1 of this embodiment, the light guide portion 89 is provided on the outside of the holder 7, the second measurement unit 88, the light irradiation unit even when the heat treatment of the substrate W flash of energy from 5 (second energy) can be measured. また、減少率演算部93aは、光源の発光回数を考慮に入れた減少率DR2nを、導光部89の個体差の影響を受けず、良好に演算することができる。 Further, reduction rate calculation unit 93a is the reduction rate DR2n containing the number of light emissions of the light source into consideration, without being affected by the individual differences of the light guide portion 89 can be satisfactorily calculated.

これにより、補正演算部93bは、導光部89の個体差を影響を受けずに演算された減少率DR2nを減少率DR1nとして使用することができ、第n回目の発光時において基板に到達する閃光のエネルギー(第1エネルギー)を良好に演算することができる。 Accordingly, the correction operation unit 93b is the computed decrease rate DR2n unaffected individual differences of the light guide section 89 can be used as a reduction rate DR1n, reaches the substrate in the n-th emission flash of energy (first energy) can be satisfactorily calculated. そのため、補正演算部93bの演算結果に基づいて、基板Wの熱処理状況を正確に把握することができる。 Therefore, according to the result of the correction calculation unit 93 b, the heat treatment conditions of the substrate W can be accurately grasped.

また、減少率演算部93aは、減少率DR2nの近似直線AL2から、第n回目の発光時における減少率DR2nを近似演算する。 Further, reduction rate calculating unit 93a, from the approximate straight line AL2 reduction rate DR2n, approximate calculation of the reduction rate DR2n in the n-th light emission. また、補正演算部93bは、この近似演算された減少率DR2nを減少率DR1nとして使用することにより、第n回目の発光時に基板Wに到達するエネルギー(第1エネルギー)を演算する。 The correction calculation unit 93b, by using this approximation computed reduction rate DR2n as reduction rate DR1n, calculates the energy (first energy) which reaches the substrate W in the n-th light emission. そのため、第n回目の発光時に基板Wに到達する閃光のエネルギーをさらに良好に演算することができ、基板Wの熱処理状況をさらに正確に把握することができる。 Therefore, it is possible to n-th addition can satisfactorily for calculating the energy of the flash reaching the substrate W during light emission, more accurately grasp the heat treatment conditions of the substrate W.

<4. <4. 変形例> Modification>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。 Having thus described the embodiments of the present invention, the present invention is susceptible to various modifications without being limited to the above embodiment.

(1)本実施の形態において、補正演算部93bは、近似直線AL2に基づいて求められた減少率DR2nに基づいて、基板Wに到達する閃光のエネルギーE1nを演算するものとして説明したが、閃光エネルギーE1nの演算手法はこれに限定されるものでない。 (1) In this embodiment, the correction calculation unit 93b, based on the reduction rate DR2n determined based on the approximate straight line AL2, has been described as calculating the energy E1n flash to reach the substrate W, flash method of calculating energy E1n is not limited thereto. 例えば、数1および数2を整理することにより導かれる数5が、数4の代わりに使用されてもよい。 For example, the number 5 derived by organizing Equations 1 and 2 may be used in place of 4.

E1n = E10 × DR2n E1n = E10 × DR2n
= E2n × E10 / E20 ・・・ 数5 = E2n × E10 / E20 ··· number 5
ただし、数4が使用されると、第2計測部88による閃光エネルギーの計測誤差を丸めて、減少率DR2n、および基板Wに到達する閃光のエネルギーE1nを演算することができる。 However, the number 4 is used, it is possible to round the measurement error of the flash energy by the second measurement unit 88, calculates the energy E1n flash reaching the reduction rate DR2n, and the substrate W. そのため、数4に基づいた演算の場合には、第n回目の発光時に基板Wに到達する閃光のエネルギーE1nをさらに良好に演算することができ、基板Wの熱処理状況をさらに正確に把握することができる。 Therefore, in the case of calculation based on the number 4 is the n-th further can favorably for calculating the energy E1n flash reaching the substrate W during light emission, more accurately grasp the heat treatment conditions of the substrate W can.

(2)また、本実施の形態において、複数の演算機能は、ROM92に格納されたプログラム92aに従いCPU93によって実現されるものとして説明したが、これに限定されるものでない。 (2) In the present embodiment, the plurality of arithmetic functions have been described as being implemented by the CPU93 in accordance with the program 92a stored in the ROM 92, it is not limited thereto. 例えば、演算回路(ハードウェア)によって、これら演算機能が実現されてもよい。 For example, the arithmetic circuit (hardware) may be those arithmetic function is realized.

(3)また、本実施の形態において、第2計測部88は、チャンバー6の底部62であって、チャンバー6外に設けられているものとして説明したが、これに限定されるものでない。 (3) In the present embodiment, the second measurement unit 88 is at the bottom 62 of the chamber 6 has been described as being provided outside the chamber 6, it is not limited thereto. すなわち、第2計測部88の設置場所の条件としては、チャンバー6内で熱処理が施される場合において、この熱処理に起因した熱影響を受けない場所であれば、十分である。 That is, the condition of the installation location of the second measurement unit 88, when the heat treatment in the chamber 6 is performed, if the location that is not affected by heat due to the heat treatment, is sufficient. なお、導光部89と第2計測部88とが離隔して配置される場合、第2計測部88と導光部89とは、光伝達要素(例えば光ファイバー)によって接続されてもよい。 In the case where the light guide portion 89 and the second measuring unit 88 are spaced apart, the second measuring unit 88 and the light guide portion 89 may be connected by an optical transmission element (e.g., optical fiber). この場合、導光部89および光ファイバーを介して導かれた閃光が、第2計測部88で計測される。 In this case, flashlight guided through the light guide portion 89 and the optical fiber is measured by the second measurement unit 88.

本発明の実施の形態における熱処理装置の構成の一例を示す側断面図である。 It is a side sectional view showing an example of a configuration of a heat treatment apparatus in an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態における熱処理装置の構成の一例を示す側断面図である。 It is a side sectional view showing an example of a configuration of a heat treatment apparatus in an embodiment of the present invention. 第n回目の発光時における閃光エネルギーの減少率と発光回数との関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the reduction rate of the flash energy and number of light emissions in the n-th light emission. 第1計測部によって計測された閃光エネルギーの計測値と、演算値との関係を示すグラフである。 The measured value of the flash energy measured by the first measurement unit, a graph showing the relationship between the calculated value.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 熱処理装置 5 光照射部(光源) 1 the heat treatment apparatus 5 light irradiator (light source)
6 チャンバー 7 保持部 69 フラッシュランプ 78 第1計測部 88 第2計測部 89 導光部 90 制御部 93 CPU 6 chamber 7 holding portion 69 flash lamp 78 first measuring unit 88 second measuring unit 89 the light guide portion 90 the control unit 93 CPU
93a 減少率演算部 93b 補正演算部 E1n 閃光エネルギー(第1エネルギー) 93a decrease rate calculating unit 93b correction calculator E1n flash energy (first energy)
E2n 閃光エネルギー(第2エネルギー) E2n flash energy (second energy)
E10、E20 初期値(第1初期値、第2初期値) E10, E20 initial value (first initial value, the second initial value)
DR1n、DR2n 減少率(第1減少率、第2減少率) DR1n, DR2n reduction rate (first reduction ratio, the second decrease ratio)
W 基板 W board

Claims (3)

  1. 基板に閃光を照射することにより、前記基板を加熱する熱処理装置において、 By irradiating the flash light to the substrate, the heat treatment apparatus for heating the substrate,
    (a)前記基板を保持する保持部と、 (A) a holder for holding said substrate,
    (b)複数のフラッシュランプを有する光源と、 (B) a light source having a plurality of flash lamps,
    (c)前記光源から出射された前記閃光のエネルギーを計測する計測部と、 (C) a measuring unit for measuring the energy of the flash light emitted from the light source,
    (d)前記計測部の計測結果に基づいて、前記基板に到達する前記閃光の第1エネルギーを演算する演算部と、 And (d) on the basis of the measurement portion of the measurement result calculating unit for calculating a first energy of the flash light to reach the substrate,
    を備え、 Equipped with a,
    前記計測部は、 The measurement unit,
    (c-1)前記基板の非熱処理時に前記保持部に載置可能とされており、前記第1エネルギーの第1初期値を計測する第1計測部と、 (C-1) it is capable placed on the holding portion during non-heat of the substrate, a first measuring unit for measuring a first initial value of the first energy,
    (c-2)前記保持部の外方に設けられた導光部につき、該導光部により導かれた前記閃光のエネルギーを第2エネルギーとして計測する第2計測部と、 (C-2) per light guide portion provided on the outer side of the holding portion, and a second measuring unit for measuring the energy of the flash light guided by the light guiding portion as a second energy,
    を有し、 Have,
    前記演算部は、 The arithmetic unit,
    (d-1)前記第1初期値に対する第n回目発光時の前記第1エネルギーの比率を(nは自然数)、第n回目発光時の第1減少率として演算する減少率演算部と、 (D-1) n-th ratio of the emission time of the first energy (n is a natural number) with respect to the first initial value, the reduction rate calculating unit for calculating a first rate of decrease in the n-th light emission,
    (d-2)前記減少率演算部により演算された前記第1減少率と、前記第1エネルギーの前記第1初期値と、に基づいて、第n回目の発光時における前記第1エネルギーを演算する補正演算部と、 And (d-2) the reduction rate of the first reduction rate calculated by the calculation unit, said first initial value of the first energy, based on, calculates the first energy in the n th time of light emission a correction calculation unit for,
    を有し、 Have,
    前記第2エネルギーの初期値とされる第2初期値につき、該第2初期値に対する第n回目発光時の前記第2エネルギーの比率を、第n回目発光時の第2減少率とする場合において、前記減少率演算部は、前記第2減少率を第n回目発光時の前記第1減少率として演算することを特徴とする熱処理装置。 Wherein every second energy second initial value is the initial value of the second energy ratio of the n-th light emitting time with respect to the second initial value, in a case where the n-th light emitting time of the second reduction rate of the reduction rate calculating unit, a heat treatment apparatus, characterized by calculating said second reduction ratio as the first reduction rate of the n-th light emission.
  2. 請求項1に記載の熱処理装置において、 The heat treatment apparatus according to claim 1,
    前記減少率演算部は、前記第2減少率の近似直線を演算するとともに、前記近似直線から求められる第n回目発光時の第2減少率を、第n回目発光時の前記第1減少率として演算することを特徴とする熱処理装置。 The reduction rate calculating unit is configured to calculates the approximate straight line of the second reduction rate, the second rate of decrease in the n-th emission time obtained from the approximate line, as the first reduction rate of the n-th emission thermal processing apparatus characterized by computing.
  3. 請求項1または請求項2に記載の熱処理装置において、 The heat treatment apparatus according to claim 1 or claim 2,
    前記導光部は、前記保持部が収容されているチャンバー内に設けられており、 The light guide portion is provided in the chamber in which the holding portion is accommodated,
    前記第2計測部は、前記チャンバー外に設けられていることを特徴とする熱処理装置。 The second measurement unit, a heat treatment apparatus, characterized in that provided outside the chamber.
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