JP5254274B2 - Circuit board - Google Patents

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

本発明は、一般に、回路基板およびその製造方法に関し、特に、キャビティーを有する回路基板およびその製造方法に関する。   The present invention generally relates to a circuit board and a manufacturing method thereof, and more particularly to a circuit board having a cavity and a manufacturing method thereof.

今日の市場は、電気製品に、小型で、薄く、軽量で、携帯性が良く設計されていることを要求する。したがって、そのような電気製品の中においては、電子部品と回路基板の組み立て品の厚さも薄くなければならない。   Today's market demands that electrical products be designed to be small, thin, lightweight, and portable. Therefore, in such an electrical product, the thickness of the assembly of the electronic component and the circuit board must also be thin.

従来は、電子部品(例えばチップのパッケージ品)と回路基板の組み立て品の厚さは、回路基板にキャビティーを形成し電子部品をキャビティーの中に配置することで薄くしていた。図1は、従来の回路基板の断面図である。図1を参照すると、回路基板100は、コア層110、並びに、それぞれコア層110の上と下に配置される、回路構造120および130を有する。コア層110は、コア誘電体層112、並びに、それぞれコア誘電体層112の上と下に配置される2つの回路層114および116を有する。キャビティーR1は、回路構造120およびコア誘電体層112を貫通し、回路層116を露出させる。   Conventionally, the thickness of an electronic component (for example, a chip package product) and a circuit board assembly has been reduced by forming a cavity in the circuit board and placing the electronic component in the cavity. FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional circuit board. Referring to FIG. 1, a circuit board 100 has a core layer 110 and circuit structures 120 and 130 disposed above and below the core layer 110, respectively. The core layer 110 has a core dielectric layer 112 and two circuit layers 114 and 116 disposed above and below the core dielectric layer 112, respectively. The cavity R1 penetrates the circuit structure 120 and the core dielectric layer 112 and exposes the circuit layer 116.

回路基板100の従来の製造工程では、コア層110の両側に追加する層を積み上げて、回路構造120および回路構造130を形成するとともに、回路構造120の一部およびコア誘電体層112の一部を除去して、回路層116を露出させる。このようにして、回路層116は回路構造130の誘電体層132の中に埋設される。   In the conventional manufacturing process of the circuit board 100, additional layers are stacked on both sides of the core layer 110 to form the circuit structure 120 and the circuit structure 130, and a part of the circuit structure 120 and a part of the core dielectric layer 112 are formed. The circuit layer 116 is exposed. In this way, the circuit layer 116 is embedded in the dielectric layer 132 of the circuit structure 130.

したがって、本発明は2つの積み重ねられたコア層を有する回路基板を対象とする。   Accordingly, the present invention is directed to a circuit board having two stacked core layers.

本発明は、さらに、2つの積み重ねられたコア層を有する回路基板の製造方法を対象とする。   The present invention is further directed to a method of manufacturing a circuit board having two stacked core layers.

本発明は、キャビティーを有する回路基板を提供する。回路基板は、第1のコア層、第2のコア層および中央誘電体層を含む。第1のコア層はコア誘電体層およびコア回路層を含み、コア回路層はコア誘電体層の上に配置される。第2のコア層は第1のコア層の上に配置される。中央誘電体層は、第1のコア層と第2のコア層の間に配置される。キャビティーは、第2のコア層および中央誘電体層を貫通し、コア回路層の一部を露出させる。   The present invention provides a circuit board having a cavity. The circuit board includes a first core layer, a second core layer, and a central dielectric layer. The first core layer includes a core dielectric layer and a core circuit layer, and the core circuit layer is disposed on the core dielectric layer. The second core layer is disposed on the first core layer. The central dielectric layer is disposed between the first core layer and the second core layer. The cavity penetrates the second core layer and the central dielectric layer and exposes a portion of the core circuit layer.

本発明の実施例によると、コア回路層はコア誘電体層の表面から突出している。   According to an embodiment of the present invention, the core circuit layer protrudes from the surface of the core dielectric layer.

本発明の実施例によると、回路基板は、さらに、第1の回路構造および第2の回路構造を含む。第1の回路構造は第1のコア層の中央誘電体層とは反対側に配置され、第2の回路構造は第2のコア層の中央誘電体層とは反対側に配置され、キャビティーは第2の回路構造を貫通する。   According to an embodiment of the present invention, the circuit board further includes a first circuit structure and a second circuit structure. The first circuit structure is disposed on the opposite side of the first core layer from the central dielectric layer, and the second circuit structure is disposed on the opposite side of the second core layer from the central dielectric layer, and the cavity Penetrates the second circuit structure.

本発明の実施例によると、第1の回路構造は第1の誘電体層および第1の回路層を含み、第1の誘電体層は第1のコア層の上に配置され、第1の回路層は第1の誘電体層の上に配置される。   According to an embodiment of the present invention, the first circuit structure includes a first dielectric layer and a first circuit layer, the first dielectric layer being disposed on the first core layer, The circuit layer is disposed on the first dielectric layer.

本発明の実施例によると、第2の回路構造は第2の誘電体層および第2の回路層を含み、第2の誘電体層は第2のコア層の上に配置され、第2の回路層は第2の誘電体層の上に配置される。   According to an embodiment of the present invention, the second circuit structure includes a second dielectric layer and a second circuit layer, the second dielectric layer being disposed on the second core layer, The circuit layer is disposed on the second dielectric layer.

本発明の実施例によると、コア回路層はレーザーレジストパターンを有し、レーザーレジストパターンはコア誘電体層の、キャビティーによって露出させられた一部の周囲に位置する。   According to an embodiment of the present invention, the core circuit layer has a laser resist pattern, and the laser resist pattern is located around a portion of the core dielectric layer exposed by the cavity.

本発明の実施例によると、中央誘電体層はレーザーレジストパターンの一部を覆い、キャビティーはレーザーレジストパターンのその他の部分を露出させる。   According to an embodiment of the present invention, the central dielectric layer covers part of the laser resist pattern and the cavity exposes other parts of the laser resist pattern.

本発明の実施例によると、中央誘電体層とコア誘電体層の間に隙間が存在し、当該隙間はコア誘電体層の、キャビティーによって露出させられた一部の周囲に位置する。   According to an embodiment of the present invention, a gap exists between the central dielectric layer and the core dielectric layer, and the gap is located around a part of the core dielectric layer exposed by the cavity.

本発明は、回路基板の製造方法を提供する。最初に、第1のコア層、第2のコア材料層および中央誘電体材料層が提供される。第1のコア層はコア誘電体層およびコア回路層を含む。コア回路層はコア誘電体層の上に配置され、当該コア回路層は非埋設の回路層である。第2のコア材料層は第1のコア層の上に配置され、中央誘電体材料層は第1のコア層と第2のコア材料層の間に配置される。
次に、第1のコア層、第2のコア材料層および中央誘電体材料層をプレスし、合成回路構造を形成する。当該合成回路構造は事前除去領域を有し、少なくともコア回路層の一部は当該事前除去領域内に位置する。続いて、事前除去領域の周囲に位置する中央誘電体材料層の一部および事前除去領域の周囲に位置する第2のコア材料層の一部が除去される。その後、事前除去領域内に位置する中央誘電体材料層の一部および事前除去領域内に位置する第2のコア材料層の一部が除去され、中央誘電体層および第2のコア層を形成する。
The present invention provides a circuit board manufacturing method. Initially, a first core layer, a second core material layer, and a central dielectric material layer are provided. The first core layer includes a core dielectric layer and a core circuit layer. The core circuit layer is disposed on the core dielectric layer, and the core circuit layer is a non-embedded circuit layer. The second core material layer is disposed on the first core layer, and the central dielectric material layer is disposed between the first core layer and the second core material layer.
Next, the first core layer, the second core material layer, and the central dielectric material layer are pressed to form a composite circuit structure. The composite circuit structure has a pre-removed region, and at least a part of the core circuit layer is located in the pre-removed region. Subsequently, a portion of the central dielectric material layer located around the pre-removed region and a portion of the second core material layer located around the pre-removed region are removed. Thereafter, a portion of the central dielectric material layer located within the pre-removed region and a portion of the second core material layer located within the pre-removed region are removed to form the central dielectric layer and the second core layer To do.

本発明の実施例によると、第1のコア層、第2のコア材料層および中央誘電体材料層をプレスするステップは、さらに以下の工程を含む。最初に、第1の誘電体材料層および第1の導電層が第1のコア層の上にプレスされ、このとき、第1の誘電体材料層は第1のコア層と第1の導電層の間に位置している。第2の誘電体材料層および第2の導電層は第2のコア層の上にプレスされ、このとき、第2の誘電体材料層は第2のコア層と第2の導電層の間に位置する。次に、第1の導電層および第2の導電層はパターニングされ、第1の回路層および第2の回路層を形成する。   According to an embodiment of the present invention, the step of pressing the first core layer, the second core material layer, and the central dielectric material layer further includes the following steps. Initially, a first dielectric material layer and a first conductive layer are pressed over the first core layer, wherein the first dielectric material layer is the first core layer and the first conductive layer. Located between. The second dielectric material layer and the second conductive layer are pressed onto the second core layer, wherein the second dielectric material layer is interposed between the second core layer and the second conductive layer. To position. Next, the first conductive layer and the second conductive layer are patterned to form a first circuit layer and a second circuit layer.

本発明の実施例によると、製造方法は、中央誘電体材料層および事前除去領域の周囲に位置する第2のコア材料層の一部を除去しつつ、事前除去領域の周囲に位置する第2の誘電体材料層の一部を除去するステップ、並びに、中央誘電体材料層および事前除去領域内に位置する第2のコア材料層の一部を除去しつつ、事前除去領域内に位置する第2の誘電体材料層の一部を除去して、第2の誘電体層を形成するステップを、さらに含む   According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method removes a portion of the central dielectric material layer and the second core material layer located around the pre-removed region, while the second material located around the pre-removed region. Removing a portion of the dielectric material layer of the first dielectric material layer, and removing the central dielectric material layer and a portion of the second core material layer located in the pre-removed region, while removing the second dielectric material layer in the pre-removed region. Removing a portion of the second dielectric material layer to form a second dielectric layer;

本発明の実施例によると、中央誘電体材料層の、事前除去領域の周囲に位置する部分および第2のコア材料層の、事前除去領域の周囲に位置する部分を除去する技術は、レーザーエッチングの技術を含む。   According to an embodiment of the present invention, the technique of removing a portion of the central dielectric material layer located around the pre-removed region and a portion of the second core material layer located around the pre-removed region is laser etching. Including technology.

本発明の実施例によると、コア回路層はレーザーレジストパターンを有し、レーザーレジストパターンは事前除去領域の周囲に位置する。   According to an embodiment of the present invention, the core circuit layer has a laser resist pattern, and the laser resist pattern is located around the pre-removed area.

本発明の実施例によると、製造方法は、レーザーレジストパターンを除去するために、さらにエッチング工程または機械的な工程を実行するステップを含む。   According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method further includes performing an etching process or a mechanical process to remove the laser resist pattern.

本発明の実施例によると、中央誘電体材料層の、事前除去領域内に位置する部分および第2のコア材料層の、事前除去領域内に位置する部分を除去する技術には、リフトオフの技術が含まれる。   According to an embodiment of the present invention, a technique for removing a portion of the central dielectric material layer located in the pre-removed region and a portion of the second core material layer located in the pre-removed region includes a lift-off technique. Is included.

本発明の実施例によると、第1のコア層は、さらに保護層を含み、当該保護層はコア回路層の、事前除去層内に位置する部分を覆う。   According to an embodiment of the present invention, the first core layer further includes a protective layer, which covers the portion of the core circuit layer located within the pre-removal layer.

本発明の実施例によると、製造方法は、中央誘電体材料層の、事前除去領域内に位置する部分および第2のコア材料層の、事前除去領域内に位置する部分を除去するステップの後に保護層を除去するステップを、さらに含む。 According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method includes after removing the portion of the central dielectric material layer located in the pre-removed region and the portion of the second core material layer located in the pre-removed region. The method further includes removing the protective layer.

本発明はキャビティーを有する回路基板を提供する。回路基板は多層コア構造を含む。多層コア構造は、ともに交互に積み重ねられた複数のコア層および複数の中央誘電体層を含む。キャビティーはコア層の一部および少なくとも多層コア構造の中央誘電体層の一部を貫通する。コア層のうちの一つはキャビティーの底に位置し、キャビティーは当該キャビティーの底に位置するコア層のコア回路層を露出させる。   The present invention provides a circuit board having a cavity. The circuit board includes a multilayer core structure. The multilayer core structure includes a plurality of core layers and a plurality of central dielectric layers that are alternately stacked together. The cavity extends through a portion of the core layer and at least a portion of the central dielectric layer of the multilayer core structure. One of the core layers is located at the bottom of the cavity, and the cavity exposes the core circuit layer of the core layer located at the bottom of the cavity.

本発明の実施例によると、回路基板は、さらに、第1の回路構造および第2の回路構造を含む。第1の回路構造は多層コア構造の第1の面に配置される。第2の回路構造は多層コア構造の第2の面に配置される。第1の面は第2の面の反対側であり、キャビティーは第2の回路構造を貫通する。   According to an embodiment of the present invention, the circuit board further includes a first circuit structure and a second circuit structure. The first circuit structure is disposed on the first surface of the multilayer core structure. The second circuit structure is disposed on the second surface of the multilayer core structure. The first side is the opposite side of the second side and the cavity penetrates the second circuit structure.

本発明の実施例によると、第1の回路構造は第1の誘電体層および第1の回路層を含む。第1の誘電体層は多層コア構造の第1の面に配置される。第1の回路層は第1の誘電体層の上に配置される。   According to an embodiment of the present invention, the first circuit structure includes a first dielectric layer and a first circuit layer. The first dielectric layer is disposed on the first surface of the multilayer core structure. The first circuit layer is disposed on the first dielectric layer.

本発明の実施例によると、第2の回路構造は第2の誘電体層および第2の回路層を含む。第2の誘電体層は多層コア構造の第2の面に配置される。第2の回路層は第2の誘電体層の上に配置される。   According to an embodiment of the present invention, the second circuit structure includes a second dielectric layer and a second circuit layer. The second dielectric layer is disposed on the second surface of the multilayer core structure. The second circuit layer is disposed on the second dielectric layer.

上記のように、本発明で提供される回路基板は、ともに交互に積み重ねられた複数のコア層および複数の中央誘電体層を有する。したがって、キャビティーが誘電体層の半分以上を貫通したときに、キャビティーは、いくつかのコア層および少なくともいくつかの中央誘電体層を貫通し、キャビティーの底に位置するコア層のコア回路層を露出させる。   As described above, the circuit board provided in the present invention has a plurality of core layers and a plurality of central dielectric layers that are alternately stacked together. Thus, when the cavity penetrates more than half of the dielectric layer, the cavity penetrates several core layers and at least some central dielectric layers, and the core of the core layer located at the bottom of the cavity Expose the circuit layer.

添付図面は、本発明のさらなる理解を提供するために含まれており、この明細書に含まれ、この明細書の一部を構成する。図面は本発明の実施例を説明し、明細書とともに、本発明の本質を説明することに役立つ。   The accompanying drawings are included to provide a further understanding of the invention, and are included in and constitute a part of this specification. The drawings illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the nature of the invention.

従来の回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the conventional circuit board. 本発明の一実施例に係る回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the circuit board based on one Example of this invention. 図2Aの回路基板の変形例である。It is a modification of the circuit board of FIG. 2A. 本発明の一実施例に係る回路基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit board based on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係る回路基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit board based on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係る回路基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit board based on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係る回路基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit board based on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係る回路基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the circuit board based on one Example of this invention. 図3Eの回路基板の変形例である。It is a modification of the circuit board of FIG. 3E. 図3Eの回路基板の変形例である。It is a modification of the circuit board of FIG. 3E.

ここで、本発明の好適な実施例を詳細に参照し、その例を添付の図面に示す。同一又は類似の部分を参照するために、可能な限り、同じ参照番号を図面と明細書に対して用いる。   Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Wherever possible, the same reference numbers are used in the drawings and the description to refer to the same or like parts.

図2Aは、本発明の一実施例における回路基板の断面図である。図2Bは、図2Aの回路基板の他の実施例を示す。図2Aを参照すると、本実施例の回路基板200はキャビティーRを有する。回路基板200は、第1のコア層210、第2のコア層220、中央誘電体層230、第1の回路構造240、および第2の回路構造250を含む。   FIG. 2A is a cross-sectional view of a circuit board in one embodiment of the present invention. FIG. 2B shows another embodiment of the circuit board of FIG. 2A. Referring to FIG. 2A, the circuit board 200 of this embodiment has a cavity R. The circuit board 200 includes a first core layer 210, a second core layer 220, a central dielectric layer 230, a first circuit structure 240, and a second circuit structure 250.

第1のコア層210は、コア誘電体層212並びに2つのコア回路層214および216を含む。コア回路層214および216は、それぞれ、コア誘電体層212の上面212aおよび下面212bに配置され、お互いに電気的に接続される。コア回路層214および216は、それぞれ、コア誘電体層212の表面212aおよび212bから突出している。   The first core layer 210 includes a core dielectric layer 212 and two core circuit layers 214 and 216. The core circuit layers 214 and 216 are disposed on the upper surface 212a and the lower surface 212b of the core dielectric layer 212, respectively, and are electrically connected to each other. Core circuit layers 214 and 216 protrude from surfaces 212a and 212b of core dielectric layer 212, respectively.

第2のコア層220は、第1のコア層210の上に配置される。第2のコア層220は、コア誘電体層222並びに2つのコア回路層224および226を含む。コア回路層224および226は、それぞれ、コア誘電体層222の上面222aおよび下面222bに配置され、お互いに電気的に接続される。中央誘電体層230は、第1のコア層210と第2のコア層220の間に配置される。   The second core layer 220 is disposed on the first core layer 210. The second core layer 220 includes a core dielectric layer 222 and two core circuit layers 224 and 226. The core circuit layers 224 and 226 are disposed on the upper surface 222a and the lower surface 222b of the core dielectric layer 222, respectively, and are electrically connected to each other. The central dielectric layer 230 is disposed between the first core layer 210 and the second core layer 220.

第1の回路構造240は、第1のコア層210の中央誘電体層230と反対側の面218の上に配置される。本実施例では、第1の回路構造240は、ともに積み重ねられた2つの誘電体層242および246、並びに、2つの回路層244および248を含む。誘電体層242は第1のコア層210の上に配置され、回路層244は誘電体層242上で誘電体層242と246の間に配置され、回路層248は誘電体層246の回路層244と反対側の面の上に配置される。しかしながら、本実施例では、第1の回路構造240の回路層および誘電体層の数は制限されない。つまり、1つまたは複数の回路層および誘電体層があり得る。   The first circuit structure 240 is disposed on the surface 218 of the first core layer 210 opposite the central dielectric layer 230. In this example, the first circuit structure 240 includes two dielectric layers 242 and 246 and two circuit layers 244 and 248 stacked together. The dielectric layer 242 is disposed on the first core layer 210, the circuit layer 244 is disposed on the dielectric layer 242 between the dielectric layers 242 and 246, and the circuit layer 248 is a circuit layer of the dielectric layer 246. It is disposed on the surface opposite to 244. However, in this embodiment, the number of circuit layers and dielectric layers of the first circuit structure 240 is not limited. That is, there can be one or more circuit layers and dielectric layers.

第2の回路構造250は、第2のコア層220の中央誘電体層230と反対側の面228に配置される。本実施例では、第2の回路構造250は、ともに積み重ねられた2つの誘電体層252および256、並びに、2つの回路層254および258を含む。誘電体層252は第2のコア層220の上に配置され、回路層254は誘電体層252上で誘電体層252と256の間に配置され、回路層258は誘電体層256の回路層254と反対側の面の上に配置される。しかしながら、本実施例では、第2の回路構造250の回路層および誘電体層の数は制限されない。つまり、1つまたは複数の回路層および誘電体層があり得る。   The second circuit structure 250 is disposed on the surface 228 of the second core layer 220 opposite to the central dielectric layer 230. In this example, the second circuit structure 250 includes two dielectric layers 252 and 256 and two circuit layers 254 and 258 stacked together. The dielectric layer 252 is disposed on the second core layer 220, the circuit layer 254 is disposed on the dielectric layer 252 between the dielectric layers 252 and 256, and the circuit layer 258 is a circuit layer of the dielectric layer 256. It is disposed on the surface opposite to 254. However, in this embodiment, the number of circuit layers and dielectric layers of the second circuit structure 250 is not limited. That is, there can be one or more circuit layers and dielectric layers.

回路基板200のキャビティーRは、第2のコア層220、中央誘電体層230、および第2の回路構造250を貫通し、コア回路層214の一部を露出させる。本実施例においては、キャビティーRが貫通する誘電体層の数(中央誘電体層230、コア誘電体層222、並びに、誘電体層242および246を含む)は、キャビティーRが貫通しない誘電体層の数(コア誘電体層212並びに誘電体層242および246を含む)より多いことに注意しなければならない。つまり、キャビティーRは、(回路基板200の)誘電体層の半分以上を貫通する。しかしながら、他の実施例では、キャビティーRが誘電体層の半分以下を貫通してもよい。本実施例では、回路基板200はともに積み重ねられた第1のコア層210および第2のコア層220を有するため、キャビティーRは、誘電体層の半分以上を貫通するときに、第2のコア層220を貫通し第1のコア層210のコア回路層214を露出させる。   The cavity R of the circuit board 200 penetrates the second core layer 220, the central dielectric layer 230, and the second circuit structure 250 and exposes a part of the core circuit layer 214. In this embodiment, the number of dielectric layers that the cavity R penetrates (including the central dielectric layer 230, the core dielectric layer 222, and the dielectric layers 242 and 246) is the dielectric that the cavity R does not penetrate. Note that there are more body layers (including core dielectric layer 212 and dielectric layers 242 and 246). That is, the cavity R penetrates more than half of the dielectric layer (of the circuit board 200). However, in other embodiments, the cavity R may penetrate less than half of the dielectric layer. In this embodiment, the circuit board 200 has the first core layer 210 and the second core layer 220 stacked together, so that the cavity R passes through the second dielectric layer when more than half of the dielectric layer is passed through. The core circuit layer 214 of the first core layer 210 is exposed through the core layer 220.

本実施例では、コア層の数が制限されないことに注意しなければならない。つまり、3層以上コア層がある場合もある。キャビティーは、コア層の一部および中央誘電体層の少なくとも一部を貫通し、1つのコア層はキャビティーの底に位置し、キャビティーは、当該キャビティーの底に位置するコア層の回路層を露出させる場合がある。例えば、図2Bに示されるように、本実施例の回路基板200aは、多層コア構造Mを含む。
多層コア構造Mは、第1のコア層210、第2のコア層220、第3のコア層270、第1のコア層210と第2のコア層220の間に配置される中央誘電体層230、および、第2のコア層220と第3のコア層270の間に配置される中央誘電体層280を有する。キャビティーRは、第2のコア層220、第3のコア層270、中央誘電体層230、および中央誘電体層280を貫通し、キャビティーRの底に位置する第1のコア層210のコア回路層214を露出させる。本実施例では、多層コア構造Mの中のキャビティーRが貫通するコア層の数および貫通しないコア層の数は制限されないことに注意しなければならない。つまり、キャビティーRは第3のコア層270のみを貫通してもよい。
It should be noted that in this embodiment, the number of core layers is not limited. That is, there may be three or more core layers. The cavity penetrates a part of the core layer and at least a part of the central dielectric layer, and one core layer is located at the bottom of the cavity, and the cavity is formed of the core layer located at the bottom of the cavity. The circuit layer may be exposed. For example, as shown in FIG. 2B, the circuit board 200a of the present embodiment includes a multilayer core structure M.
The multi-layer core structure M includes a first core layer 210, a second core layer 220, a third core layer 270, and a central dielectric layer disposed between the first core layer 210 and the second core layer 220. 230 and a central dielectric layer 280 disposed between the second core layer 220 and the third core layer 270. The cavity R penetrates the second core layer 220, the third core layer 270, the central dielectric layer 230, and the central dielectric layer 280, and the first core layer 210 is located at the bottom of the cavity R. The core circuit layer 214 is exposed. In this embodiment, it should be noted that the number of core layers through which the cavity R in the multilayer core structure M penetrates and the number of core layers that do not penetrate are not limited. That is, the cavity R may penetrate only the third core layer 270.

再び図2Aを参照すると、本実施例では、コア回路層214はキャビティーRによって露出させられるコア誘電体層212の周囲に位置するレーザーレジストパターン214aを有する。中央誘電体層230は、レーザーレジストパターン214aの一部を覆い、キャビティーRはレーザーレジストパターン214aの他の部分を露出させる。さらに、本実施例では、ソルダーレジスト層260が、第1の回路構造240、第2の回路構造250、および第1のコア層210のそれぞれについて形成され、回路層248、回路層258、およびコア回路層214の一部を覆って保護する。   Referring again to FIG. 2A, in this example, the core circuit layer 214 has a laser resist pattern 214a located around the core dielectric layer 212 exposed by the cavity R. The central dielectric layer 230 covers a part of the laser resist pattern 214a, and the cavity R exposes the other part of the laser resist pattern 214a. Further, in this embodiment, the solder resist layer 260 is formed for each of the first circuit structure 240, the second circuit structure 250, and the first core layer 210, and the circuit layer 248, the circuit layer 258, and the core are formed. A part of the circuit layer 214 is covered and protected.

以下に、本実施例における回路基板200の製造方法を詳細に記述する。   Below, the manufacturing method of the circuit board 200 in a present Example is described in detail.

図3A〜3Eは、本発明の一実施例における、回路基板の製造工程を示す断面図である。図3Fは、図3Eに示す回路基板の他の実施例である。図3Gは、図3Eに示す回路基板の他の実施例である。   3A to 3E are cross-sectional views illustrating a circuit board manufacturing process according to an embodiment of the present invention. FIG. 3F is another example of the circuit board shown in FIG. 3E. FIG. 3G is another example of the circuit board shown in FIG. 3E.

最初に、図3Aを参照すると、第1のコア層210、第2のコア材料層220a、中央誘電体材料層230a、誘電体層242、導電層244a、誘電体材料層252a、および導電層254aが設けられている。   First, referring to FIG. 3A, a first core layer 210, a second core material layer 220a, a central dielectric material layer 230a, a dielectric layer 242, a conductive layer 244a, a dielectric material layer 252a, and a conductive layer 254a. Is provided.

第1のコア層210は、図2Aの第1のコア層210と同じ構造を有する。第2のコア材料層220aは、第1のコア層210の上に配置される。中央誘電体材料層230aは、第1のコア層210と第2のコア材料層220aの間に配置される。誘電体層242は、第1のコア層210の中央誘電体材料層230aと反対側の面に配置され、第1のコア層210と導電層244aの間に配置される。誘電体材料層252aは、第2のコア材料層220aの中央誘電体材料層230aと反対側の面に配置され、導電層254aと第2のコア材料層220aの間に配置される。   The first core layer 210 has the same structure as the first core layer 210 of FIG. 2A. The second core material layer 220 a is disposed on the first core layer 210. The central dielectric material layer 230a is disposed between the first core layer 210 and the second core material layer 220a. The dielectric layer 242 is disposed on the surface of the first core layer 210 opposite to the central dielectric material layer 230a, and is disposed between the first core layer 210 and the conductive layer 244a. The dielectric material layer 252a is disposed on the surface of the second core material layer 220a opposite to the central dielectric material layer 230a, and is disposed between the conductive layer 254a and the second core material layer 220a.

次に、図3Bを参照すると、第1のコア層210、第2のコア材料層220a、中央誘電体材料層230a、誘電体層242、導電層244a、誘電体材料層252a、および導電層254aが、ともにプレスされ、合成回路構造Cを形成する。合成回路構造Cは、事前除去領域Pを有し、コア回路層214の一部は事前除去領域P内に位置する。
続いて、導電層244および導電層254aがそれぞれパターニングされ、回路層244および回路層254を形成し、複数の導電チャネルV1およびV2が、回路層244および回路層254が、それぞれ、第1のコア層210および第2のコア材料層220aに電気的に接続されるように形成される。
Next, referring to FIG. 3B, the first core layer 210, the second core material layer 220a, the central dielectric material layer 230a, the dielectric layer 242, the conductive layer 244a, the dielectric material layer 252a, and the conductive layer 254a. Are pressed together to form a composite circuit structure C. The synthetic circuit structure C has a pre-removal region P, and a part of the core circuit layer 214 is located in the pre-removal region P.
Subsequently, the conductive layer 244 and the conductive layer 254a are respectively patterned to form the circuit layer 244 and the circuit layer 254. The plurality of conductive channels V1 and V2 are the first core and the circuit layer 244 and the circuit layer 254 are respectively the first core. It is formed so as to be electrically connected to the layer 210 and the second core material layer 220a.

その後、図3Cを参照すると、誘電体層242、回路層244、誘電体材料層252a、および回路層254を形成する技術と同じ技術で、誘電体層246aおよび回路層248が、誘電体層242の上に選択的に形成され、誘電体材料層256aおよび回路層258が、誘電体材料層252aの上に形成される。   Thereafter, referring to FIG. 3C, the dielectric layer 246a and the circuit layer 248 are formed by the same technique as that for forming the dielectric layer 242, the circuit layer 244, the dielectric material layer 252a, and the circuit layer 254. A dielectric material layer 256a and a circuit layer 258 are formed over the dielectric material layer 252a.

続いて、図3Dを参照すると、事前除去領域Pの周囲に位置する、中央誘電体材料層230a、第2のコア材料層220a、並びに、誘電体材料層252aおよび256aは、前述の材料層230a、220a、252a、および256を貫通する隙間Gを形成するために、レーザーエッチング工程で除去される。本実施例では、コア誘電体層212がレーザーエッチング工程によってダメージを受けないよう保護するために、コア回路層214が、事前除去領域Pの表面に位置するレーザーレジストパターン214aを有することができる。
さらに、第1のコア層210は保護層Aを有することができる。その後の除去工程においてコア回路層214を保護するために、保護層Aは、事前除去領域P内に位置するコア回路層214の一部を覆う。また、事前除去領域P内に位置する中央誘電体材料層230aが容易に除去できるように、保護層Aは、剥離層とすることができる。
Subsequently, referring to FIG. 3D, the central dielectric material layer 230a, the second core material layer 220a, and the dielectric material layers 252a and 256a, which are located around the pre-removed region P, are formed of the material layer 230a described above. , 220a, 252a, and 256 to form a gap G that is removed by a laser etching process. In this embodiment, in order to protect the core dielectric layer 212 from being damaged by the laser etching process, the core circuit layer 214 may have a laser resist pattern 214a located on the surface of the pre-removed region P.
Further, the first core layer 210 may have a protective layer A. In order to protect the core circuit layer 214 in the subsequent removal step, the protective layer A covers a part of the core circuit layer 214 located in the pre-removed region P. Further, the protective layer A can be a release layer so that the central dielectric material layer 230a located in the pre-removed region P can be easily removed.

続いて、図3Eを参照すると、中央誘電体層230、第2のコア層220、並びに、誘電体層252および256、およびキャビティーRを形成するために、事前除去領域P内に位置する、中央誘電体材料層230a、第2のコア材料層220a、並びに、誘電体材料層252aおよび256aは、リフトオフ技術により除去される。誘電体層252および256、並びに、回路層254および258は、第2の回路構造250を形成し、キャビティーRは、第2の回路構造250、第2のコア層220、および中道誘電体層230を貫通する。続いて、保護層Aが除去される。
他の実施例では、事前除去領域P内に位置する、保護層A、並びに、中央誘電体材料層230a、第2のコア材料層220a、および誘電体材料層252aと256aは、すべてともに除去することができる。次いで、本実施例では、回路層248および258、並びに、コア回路層214の一部を覆い保護するために、ソルダーレジスト層260が、それぞれ、第1の回路構造240、第2の回路構造250、および第1のコア層210の上に形成される。
Subsequently, referring to FIG. 3E, the central dielectric layer 230, the second core layer 220, and the dielectric layers 252 and 256 and the cavity R are located in the pre-removed region P. The central dielectric material layer 230a, the second core material layer 220a, and the dielectric material layers 252a and 256a are removed by a lift-off technique. Dielectric layers 252 and 256, and circuit layers 254 and 258 form second circuit structure 250, and cavity R includes second circuit structure 250, second core layer 220, and middle-dielectric. It penetrates layer 230. Subsequently, the protective layer A is removed.
In another embodiment, the protective layer A, the central dielectric material layer 230a, the second core material layer 220a, and the dielectric material layers 252a and 256a, which are located in the pre-removed region P, are all removed together. be able to. Next, in this embodiment, in order to cover and protect the circuit layers 248 and 258 and a part of the core circuit layer 214, the solder resist layer 260 is provided with the first circuit structure 240 and the second circuit structure 250, respectively. , And on the first core layer 210.

他の実施例では、図3Fを参照すると、ソルダーレジスト層260を形成する前に、キャビティーRによって露出させられるレーザーレジストパターン214aの一部が、機械的な工程により除去される。   In another embodiment, referring to FIG. 3F, before forming the solder resist layer 260, a part of the laser resist pattern 214a exposed by the cavity R is removed by a mechanical process.

さらに他の実施例では、図3Gを参照すると、ソルダーレジスト層260を形成する前に、レーザーレジストパターン214aがエッチング工程により除去される。この点については、隙間Gは、中央誘電体層230とコア誘電体層212の間に存在し、当該隙間Gは、コア誘電体層212の、キャビティーRによって露出させられる部分の周囲に位置する。   In yet another embodiment, referring to FIG. 3G, before forming the solder resist layer 260, the laser resist pattern 214a is removed by an etching process. In this regard, the gap G exists between the central dielectric layer 230 and the core dielectric layer 212, and the gap G is located around the portion of the core dielectric layer 212 exposed by the cavity R. To do.

要約すれば、本発明により提供される回路基板は、ともに交互に積み重ねられる複数のコア層および複数の中央誘電体層を有する。したがって、キャビティーが誘電体層の半分以上を貫通するときは、キャビティーはコア層の一部および少なくとも中央誘電体層の一部を貫通し、当該キャビティーの底に位置するコア層のコア回路層を露出させる。   In summary, the circuit board provided by the present invention has a plurality of core layers and a plurality of central dielectric layers that are alternately stacked together. Thus, when the cavity penetrates more than half of the dielectric layer, the cavity penetrates part of the core layer and at least part of the central dielectric layer, and the core of the core layer located at the bottom of the cavity. Expose the circuit layer.

本発明の範囲や精神から外れずに、様々な改良や変形が本発明の構造に対しされ得ることは、当業者にとっては明らかである。上述を考慮すると、本発明は、以下の請求項やそれと同等のものの範囲に含まれる、この発明の改良や変形に及ぶことを意図している。   It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made to the structure of the present invention without departing from the scope or spirit of the invention. In view of the above, the present invention is intended to cover improvements and modifications of the invention which fall within the scope of the following claims and their equivalents.

Claims (6)

キャビティーを有する回路基板であって、
コア誘電体層およびコア回路層を備え、前記コア回路層が前記コア誘電体層の上に配置される第1のコア層と、
前記第1のコア層の上に配置される第2のコア層と、
前記第1のコア層と前記第2のコア層との間に配置される中央誘電体層と、
前記第1のコア層上の前記中央誘電体層と反対側に配置される第1の回路構造と、
前記第2のコア層上の前記中央誘電体層と反対側に配置される第2の回路構造と、
を備え、
前記キャビティーが、前記第2の回路構造、前記第2のコア層および前記中央誘電体層を貫通し、前記コア回路層の一部を露出させ、
前記第1の回路構造が、
前記第1のコア層の上に配置される第1の誘電体層と、
前記第1の誘電体層の上に配置される第1の回路層と、を備え、
前記コア回路層がレーザーレジストパターンを有し、
前記レーザーレジストパターンが、前記コア誘電体層の、前記キャビティーによって露出させられる部分の周囲に位置し、前記コア回路層の一部を露出させる、
ことを特徴とする、回路基板。
A circuit board having a cavity,
A first core layer comprising a core dielectric layer and a core circuit layer, wherein the core circuit layer is disposed on the core dielectric layer;
A second core layer disposed on the first core layer;
A central dielectric layer disposed between the first core layer and the second core layer;
A first circuit structure disposed on the first core layer opposite to the central dielectric layer;
A second circuit structure disposed on the second core layer opposite to the central dielectric layer;
With
The cavity penetrates through the second circuit structure, the second core layer and the central dielectric layer, exposing a portion of the core circuit layer;
The first circuit structure is:
A first dielectric layer disposed on the first core layer;
A first circuit layer disposed on the first dielectric layer,
The core circuit layer has a laser resist pattern;
The laser resist pattern is located around a portion of the core dielectric layer exposed by the cavity to expose a portion of the core circuit layer;
A circuit board characterized by that.
前記第2の回路構造が、
前記第2のコア層の上に配置される第2の誘電体層と、
前記第2の誘電体層の上に配置される第2の回路層と、
を備える、請求項1に記載の回路基板。
The second circuit structure is:
A second dielectric layer disposed on the second core layer;
A second circuit layer disposed on the second dielectric layer;
The circuit board according to claim 1, comprising:
前記中央誘電体層が前記レーザーレジストパターンの一部を覆い、
前記キャビティーが前記レーザーレジストパターンのその他の部分を露出させる、
請求項1に記載の回路基板。
The central dielectric layer covers a portion of the laser resist pattern;
The cavity exposes other portions of the laser resist pattern;
The circuit board according to claim 1.
キャビティーを有する回路基板であって、
コア誘電体層およびコア回路層を備え、前記コア回路層が前記コア誘電体層の上に配置される第1のコア層と、
前記第1のコア層の上に配置される第2のコア層と、
前記第1のコア層と前記第2のコア層との間に配置される中央誘電体層と、
前記第1のコア層上の前記中央誘電体層と反対側に配置される第1の回路構造と、
前記第2のコア層上の前記中央誘電体層と反対側に配置される第2の回路構造と、
を備え、
前記キャビティーが、前記第2の回路構造、前記第2のコア層および前記中央誘電体層を貫通し、前記コア回路層の一部を露出させ、
前記第1の回路構造が、
前記第1のコア層の上に配置される第1の誘電体層と、
前記第1の誘電体層の上に配置される第1の回路層と、を備え、
前記中央誘電体層と前記コア誘電体層の間に隙間が存在し、
前記隙間が、前記コア誘電体層の、前記キャビティーによって露出させられる部分の周囲に位置する、
ことを特徴とする、回路基板。
A circuit board having a cavity,
A first core layer comprising a core dielectric layer and a core circuit layer, wherein the core circuit layer is disposed on the core dielectric layer;
A second core layer disposed on the first core layer;
A central dielectric layer disposed between the first core layer and the second core layer;
A first circuit structure disposed on the first core layer opposite to the central dielectric layer;
A second circuit structure disposed on the second core layer opposite to the central dielectric layer;
With
The cavity penetrates through the second circuit structure, the second core layer and the central dielectric layer, exposing a portion of the core circuit layer;
The first circuit structure is:
A first dielectric layer disposed on the first core layer;
A first circuit layer disposed on the first dielectric layer,
There is a gap between the central dielectric layer and the core dielectric layer;
The gap is located around a portion of the core dielectric layer exposed by the cavity;
A circuit board characterized by that.
キャビティーを有する回路基板であって、
ともに積み重ねられた複数のコア層および複数の中央誘電体層を備える多層コア構造と、
前記多層コア構造の第1の面に配置される第1の回路構造と、
前記多層コア構造の前記第1の面の反対側の第2の面に配置される第2の回路構造と、
を備え、
前記キャビティーは、前記第2の回路構造、前記コア層の一部および少なくとも前記多層コア構造の前記中央誘電体層の一部を貫通し、
前記コア層のうちの一層は、前記キャビティーの底に位置し、
前記キャビティーは、前記キャビティーの底に位置する前記コア層のコア回路層を露出させ、
前記第1の回路構造が、前記多層コア構造の前記第1の面に配置される第1の誘電体層および前記第1の誘電体層の上に配置される第1の回路層を備え、
前記コア回路層がレーザーレジストパターンを有し、
前記レーザーレジストパターンが、前記コア層の誘電体層の、前記キャビティーによって露出させられる部分の周囲に位置し、前記コア回路層の一部を露出させる、
ことを特徴とする回路基板。
A circuit board having a cavity,
A multilayer core structure comprising a plurality of core layers and a plurality of central dielectric layers stacked together;
A first circuit structure disposed on a first surface of the multilayer core structure;
A second circuit structure disposed on a second surface opposite to the first surface of the multilayer core structure;
With
The cavity penetrates through the second circuit structure, a portion of the core layer and at least a portion of the central dielectric layer of the multilayer core structure;
One of the core layers is located at the bottom of the cavity;
The cavity exposes a core circuit layer of the core layer located at a bottom of the cavity;
The first circuit structure comprises a first dielectric layer disposed on the first surface of the multilayer core structure and a first circuit layer disposed on the first dielectric layer;
The core circuit layer has a laser resist pattern;
The laser resist pattern is positioned around a portion of the dielectric layer of the core layer that is exposed by the cavity, exposing a portion of the core circuit layer;
A circuit board characterized by that.
前記第2の回路構造が、前記多層コア構造の前記第2の面に配置される第2の誘電体層および前記第2の誘電体層の上に配置される第2の回路層を備える、
請求項に記載の回路基板。
The second circuit structure comprises a second dielectric layer disposed on the second surface of the multilayer core structure and a second circuit layer disposed on the second dielectric layer;
The circuit board according to claim 5 .
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