JP5237999B2 - マイクロカプセル及びその製造方法 - Google Patents
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Description
真空室内に基板とスパッタリングターゲットを対向させて配置する。スパッタリングターゲットはカソードに取り付けられている。そして、真空室内を高真空に排気し、真空室内にアルゴンガスを導入する。この状態でカソードに電力を供給するとスパッタリングターゲットの近傍でグロー放電が発生し、これにより生成したイオンがスパッタリングターゲットに衝突してターゲット原子をはじき出し、ターゲット材が基板に堆積する。このようにして基板上にターゲット材を成膜する(特許文献1参照)。
このように上記従来のスパッタリング装置では、微粒子の全表面を均一性高くコーティング又は被覆することは非常に困難である。そこで、微粒子の表面に均一性よく被覆できる成膜装置の開発が求められている。
また、スパッタリング装置はCVD装置に比べて成膜速度が遅いという欠点がある。同一の薄膜をスパッタリング装置で成膜する場合とCVD装置で成膜する場合を成膜速度の観点から比較すると、スパッタリング装置はCVD装置に比べて成膜速度が10倍程度遅い。
本発明に係る被覆微粒子は、CVD法によって微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆されたことを特徴とする。
サーマルCVD法又はプラズマCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
本発明に係るCVD成膜方法は、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
前記容器を収容するチャンバーと、
前記容器に載置された微粒子を加熱する加熱機構と、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
サーマルCVD法を用いることにより、前記微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に収容された微粒子を加熱する加熱機構と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらサーマルCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に収容された微粒子を加熱する加熱機構と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらサーマルCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
前記容器を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内に配置され、前記容器に対向するように配置された電極と、
を具備し、
プラズマCVD法を用いることにより、前記微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置された電極と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらプラズマCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置された電極と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらプラズマCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする。
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。
前記第1の超微粒子又は第1の薄膜の内側に形成された第2の超微粒子又は第2の薄膜とを具備するマイクロカプセルであって、
前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜は優れた生体適合性を有するDLCからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とする。
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することが好ましい。
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することが好ましい。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、
前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、
前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とする。
前記超微粒子又は薄膜を被覆させる際、前記容器内に、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを0.5mTorr以上500mTorr以下の圧力下で導入し、高周波電源に接続された電極を前記容器内に配置し、前記電極に電力密度が0.28W/cm2以上の高周波電力を印加してプラズマCVD法により被覆することも可能である。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第1の超微粒子又は第1の薄膜を被覆させ、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に、前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜が被覆された前記微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第2の超微粒子又は第2の薄膜を被覆させ、
前記被覆した第1及び第2の超微粒子又は第1及び第2の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第1の超微粒子又は第1の薄膜を被覆させ、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に、前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜が被覆された前記微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第2の超微粒子又は第2の薄膜を被覆させ、
前記被覆した第1及び第2の超微粒子又は第1及び第2の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とする。
前記第2の超微粒子又は前記第2の薄膜を被覆させる際、前記容器内に、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを0.5mTorr以上500mTorr以下の圧力下で導入し、高周波電源に接続された電極を前記容器内に配置し、前記電極に電力密度が0.28W/cm2以上の高周波電力を印加してプラズマCVD法により被覆することも可能である。
(実施の形態1)
図1は、本発明に係る実施の形態1によるサーマルCVD装置の概略を示す構成図である。このサーマルCVD装置は、微粒子(又は粉体)の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子(ここでの超微粒子とは微粒子より粒径の小さい微粒子をいう)又は薄膜を被覆させるための装置である。
まず、容器2内に多くの微粒子が集まった粉体1を収容する。容器2内に収容する粉体1の量は、微粒子からなる層を2〜3層積層させる程度が好ましい。微粒子からなる層の積層数を多くすると、下層の方の微粒子にはCVD成膜のための原料ガスが到達しにくいため、下層の微粒子表面への薄膜の付きまわりが悪くなるからである。尚、微粒子1を構成する母材は、樹脂でも金属でもセラミックでも良く、種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では例えばTi粉体又はAl2O3粉体を用いる。また、微粒子1は、単一の物質から構成されている必要は必ずしも無く、複数の物質を混合したものから構成されていることも可能である。また、微粒子1の形状は、種々の形状を用いることが可能であり、例えば球又は球に近い形状とすることが好ましい。
被覆微粒子18は、微粒子1の表面に薄膜17が均一性よく被覆されたものである。ただし、前記サーマルCVD装置では、容器2に収容された微粒子1を静止させた状態でサーマルCVD法により薄膜を成膜しているため、微粒子1の底部(容器2と接する側の部分)に被覆される薄膜の厚さは薄くなる。これに対し、従来のスパッタリング装置によって微粒子に薄膜を被覆した場合、CVD装置に比べて付きまわりが悪いために、微粒子の上部(スパッタリングターゲット側の部分)に主に薄膜が覆され、微粒子の側部及び底部には十分に薄膜が被覆されない。
また、本実施の形態では、CVD法を用いるため、スパッタリング法に比べて結晶性がよく緻密な薄膜を微粒子に被覆することができる。
図3(A)は、本発明に係る実施の形態2によるサーマルCVD装置の概略を示す断面図であり、図3(B)は、図3(A)に示す3B−3B線に沿った断面図である。このサーマルCVD装置は、微粒子(又は粉体)の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させるための装置である。
まず、容器19内に多くの微粒子が集まった粉体1を収容する。尚、粉体1としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態1と同様に例えばTi粉体又はAl2O3粉体を用いる。
また、本実施の形態によれば、丸型バレルの容器19自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌できるため、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。
図4(A)は、本発明に係る実施の形態3によるサーマルCVD装置の概略を示す断面図であり、図4(B)は、図4(A)に示す4B−4B線に沿った断面図である。図4において図3と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
まず、容器19内に多くの微粒子が集まった粉体1を収容する。尚、粉体1としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態1と同様に例えばTi粉体又はAl2O3粉体を用いる。
被覆微粒子23は、微粒子1の表面に薄膜17が均一性よく被覆されたものである。前記サーマルCVD装置では、容器22を回転させることで微粒子1を回転させ攪拌しながらサーマルCVD法により薄膜を成膜しているため、微粒子1の表面全体に薄膜を非常に均一性よく被覆することができる。また、微粒子1の表面に凹凸又は窪みがある場合でも、膜の付きまわりが良いというCVD装置の特性上、凹凸又は窪みにカバレージよく薄膜を被覆することができる。これに対し、従来のスパッタリング装置によって凹凸又は窪みがある微粒子に薄膜を被覆した場合、CVD装置に比べて付きまわりが悪いために、凹凸又は窪みには薄膜が十分に被覆されない。
また、本実施の形態によれば、六角型バレル形状の容器22自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌でき、更にバレルを六角型とすることにより、粉体を重力により定期的に落下させることができる。このため、実施の形態2に比べて攪拌効率を飛躍的に向上させることができ、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。つまり回転により攪拌と、凝集した粉体の粉砕を同時かつ効果的に行うことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。具体的には、粒径が50μm以下の微粒子に超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。
図6は、本発明に係る実施の形態4によるプラズマCVD装置の概略を示す構成図である。このプラズマCVD装置は、微粒子(又は粉体)の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させるための装置である。
尚、ガスシャワー電極24及び容器2のいずれか一方にプラズマ電源が接続され、他方に接地電位が接続されていても良いし、ガスシャワー電極24及び容器2の両方にプラズマ電源が接続されていても良い。
まず、複数の微粒子からなる粉体1を容器2内に収容する。容器2内に収容する粉体1の量及び粉体の材質は実施の形態1と同様である。この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー3内を所定の圧力(例えば2×10−3Torr程度)まで減圧する。
また、本実施の形態では、プラズマCVD装置を用いるため、スパッタリング装置を用いる場合に比べてターゲット交換が不要であり、メンテナンス性が良い。
図7(A)は、本発明に係る実施の形態5によるプラズマCVD装置の概略を示す断面図であり、図7(B)は、図7(A)に示す7B−7B線に沿った断面図である。このプラズマCVD装置は、微粒子(又は粉体)の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させるための装置である。
まず、複数の微粒子からなる粉体1を容器2内に収容する。尚、粉体1としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態1と同様に例えばTi粉体又はAl2O3粉体を用いる。この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー3内を所定の圧力(例えば2×10−3Torr程度)まで減圧する。これと共に、回転機構により容器29を回転させることで、その内部に収容された粉末(微粒子)1が容器内面において重力方向30とそれに対して回転方向に90°の間を転がりながら動く。
また、本実施の形態によれば、丸型バレルの容器29自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌できるため、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を均一性よく被覆することが可能となる。
図8(A)は、本発明に係る実施の形態6によるプラズマCVD装置の概略を示す断面図であり、図8(B)は、図8(A)に示す8B−8B線に沿った断面図である。図8において図7と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
まず、複数の微粒子からなる粉体1を容器30内に収容する。尚、粉体1としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態1と同様に例えばTi粉体又はAl2O3粉体を用いる。この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー3内を所定の圧力(例えば2×10−3Torr程度)まで減圧する。これと共に、回転機構により容器30を回転させることで、その内部に収容された粉末(微粒子)1が容器内面において攪拌又は回転される。
また、本実施の形態によれば、六角型バレル形状の容器30自体を回転させることで粉体自体を回転させ攪拌でき、更にバレルを六角型とすることにより、粉体を重力により定期的に落下させることができる。このため、実施の形態5に比べて攪拌効率を飛躍的に向上させることができ、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。つまり回転により攪拌と、凝集した粉体の粉砕を同時かつ効果的に行うことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子に該微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。具体的には、粒径が50μm以下の微粒子に超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。
本発明の実施の形態7によるマイクロカプセルについて説明する。
第1のマイクロカプセルは、微粒子の表面に優れた生体適合性を有するDLCからなる超微粒子又は薄膜を被覆し、この被覆された超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除いたものである。また、他の例である第2のマイクロカプセルは、微粒子の表面に第1の超微粒子又は第1の薄膜を被覆し、第1の超微粒子又は第1の薄膜の表面に優れた生体適合性を有するDLCからなる第2の超微粒子又は第2の薄膜を被覆し、この被覆された第1及び第2の超微粒子又は第1及び第2の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除いたものである。このようなマイクロカプセルは、医薬としてのドラッグデリバリーなどに適用するものである。尚、DLC(Diamond Like Carbon)膜は、炭素間のSP3結合を主体としたアモルファスな炭素で、非常に硬く、絶縁性に優れ、高屈折率で非常に滑らかなモルフォロジを有する硬質炭素膜である。
細胞毒性とは、本来、増殖・分化していく細胞が、ある物質と直接又は間接的に接触し、破壊されることをいう。
血液適合性とは、DLC膜を血液と接触する部位で使用する際、不必要な血液の凝固(血栓形成)や破壊(溶血)を起こさないことをいう。血液凝固にはいくつかの要因があるが、その一つに血小板の吸着が挙げられる。血液中のアルブミンが吸着した材料表面は血小板の吸着が起こりにくいため、血栓形成を抑制することになる。
まず、細胞を培養するポリスチレン製ディッシュを準備する。このディッシュは、平面が四角形状を有しており、縦8列、横12列の合計96個の穴(窪み)が設けられ、この穴の中に培養液と細胞を入れて細胞を培養するものである。これらの穴の底(底面)には次のような処理が施されている。すなわち、C7H8の使用ガス、20sccmのガス流量、5mmTorrのガス圧、下記A〜IのRF出力と成膜時間で穴底にDLC膜をコーティングしたもの、ポリスチレン(PS)のままのもの、TCD(ティッシュカルチャーポリスチレンディッシュ)処理を施したものが各々8個ずつ設けられている。TCDは組織培養用ディッシュである。
成膜条件B:300WのRF出力、60秒の成膜時間
成膜条件C:300WのRF出力、90秒の成膜時間
成膜条件D:500WのRF出力、30秒の成膜時間
成膜条件E:500WのRF出力、60秒の成膜時間
成膜条件F:500WのRF出力、90秒の成膜時間
成膜条件G:900WのRF出力、30秒の成膜時間
成膜条件H:900WのRF出力、60秒の成膜時間
成膜条件I:900WのRF出力、90秒の成膜時間
まず、ラット頭蓋冠由来骨芽細胞をDMEM培地にて8×104cells/mlに調整し、この細胞懸濁液100μlを上記ディッシュの各々の穴に入れる。そして、24時間のインキュベート後、穴の底面部に接着している細胞数をMTT assayにて算出した。
まず、ラット頭蓋冠由来骨芽細胞をDMEM培地にて8×104cells/mlに調整し、この細胞懸濁液100μlを上記ディッシュの各々の穴に入れる。そして、24時間のインキュベート後、細胞膜障害性試験であるLDH漏出測定法にて細胞毒性を定量的に測定した。
まず、ポリスチレン製ディッシュを準備する。このディッシュは前述した細胞実験に用いたものと同様である。
次に、タンパク溶液をディッシュの各々の穴に入れ、酵素免疫測定法(ELISA法)を用いて、穴の底面部に吸着したタンパク質を検出する。なお、ELISA法は、enzyme-liked immunosorbentassayの略で酵素活性を標識して抗原抗体応を追跡し、抗原又は抗体の量を定量するという方法であって、検出感度が非常に高く、ナノグラム・オーダーのタンパク質を検出することが可能である。
高周波電源に接続された電極上に基板を固定し、この電極に高周波電力を印加し、プラズマCVD法により基板表面にDLC膜を成膜することによりサンプルを作製した。この際の成膜条件として、使用ガスにC7H8を用い、ガス流量を15sccmとし、ガス圧を5mTorrとし、RF出力を100W〜900Wで変化させた。このようにして作製した各々のサンプルにラマンスペクトル分析を行った。その結果得られた各々のサンプルのラマンスペクトル曲線において、Gピークベースライン強度BとGピーク補正後強度Aを測定し、各々のサンプルにおいてB/Aの値を計算した。その結果を図13に示す。
図13に示すように、100W以上のRF出力で成膜したサンプルのB/A値は1.9程度となっているが、200WのRF出力から急激にB/A値が下がり、300W以上のRF出力でのB/A値はほぼ1.6以下となっている。また、図15に示すように、RF出力が高いほどDLC膜の膜密度が高くなっている。図13及び図15の結果から、B/A値が低いほどDLC膜の密度が高くなり緻密な膜が形成されているので、B/A値がより低いほど生体適合性に優れたDLC膜となる。したがって、DLC膜が生体適合性に優れているためには、B/A値が1.9未満であることがこのましい。
高周波電源に接続された電極上にSi基体を固定し、この電極に高周波電力を印加し、プラズマCVD法によりSi基体表面にDLC膜を成膜することによりサンプルを作製した。この際の成膜条件として、使用ガスにC7H8を用い、RF出力を100W〜500Wで変化させた。このようにして作製した各々のサンプルを10%KOH溶液に浸漬し、アノード分極測定を行った。その結果を図16及び図17に示している。
図17は、200WのRF出力でDLC膜を成膜したサンプルのアノード分極測定結果を示すものであって、電位と電流密度の関係を示すグラフである。
図18は、DLC膜を成膜していないSi基体のアノード分極測定結果を示すものであって、電位と電流密度の関係を示すグラフである。
図8に示すプラズマCVD装置を用いて、実施の形態6で説明した方法により微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させる。この際、超微粒子又は薄膜の材料はマイクロカプセルとして使用する場合に適したものを用いる。微粒子としては例えばNaClを用い、超微粒子又は薄膜の材料としては例えばDLCを用いる。
図8に示すプラズマCVD装置を用いて、実施の形態6で説明した方法により微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第1の超微粒子又は第1の薄膜を被覆させる。この際、第1の超微粒子又は第1の薄膜の材料はマイクロカプセルとして使用する場合に適したものであれば金属でも良いし絶縁物でも良い。次いで、図8に示すプラズマCVD装置を用いて、実施の形態6で説明した方法により第1の超微粒子又は第1の薄膜の表面に該微粒子より粒径の小さい第2の超微粒子又は第2の薄膜を被覆させる。この際、第2の超微粒子又は第2の薄膜の材料はマイクロカプセルとして使用する場合に適したものであれば良い。微粒子としては例えばNaClを用い、第2の超微粒子又は第2の薄膜の材料としては例えばDLCを用いる。
Claims (12)
- 優れた生体適合性を有するDLCからなる超微粒子又は薄膜により形成されたマイクロカプセルであって、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有し、
前記DLCのラマンスペクトル曲線において、Gピークベースライン強度をBとし、Gピーク補正後強度をAとした場合のB/Aの値が1.9未満であることを特徴とするマイクロカプセル。 - 外表面を構成する第1の超微粒子又は第1の薄膜と、
前記第1の超微粒子又は第1の薄膜の内側に形成された第2の超微粒子又は第2の薄膜とを具備するマイクロカプセルであって、
前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜は優れた生体適合性を有するDLCからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とするマイクロカプセル。 - 内部の断面形状が略円形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆され、この被覆された超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであり、
前記超微粒子又は前記薄膜が優れた生体適合性を有するDLCからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有し、
前記DLCのラマンスペクトル曲線において、Gピークベースライン強度をBとし、Gピーク補正後強度をAとした場合のB/Aの値が1.9未満であることを特徴とするマイクロカプセル。 - 内部の断面形状が多角形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜が被覆され、この被覆された超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであり、
前記超微粒子又は前記薄膜が優れた生体適合性を有するDLCからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有し、
前記DLCのラマンスペクトル曲線において、Gピークベースライン強度をBとし、Gピーク補正後強度をAとした場合のB/Aの値が1.9未満であることを特徴とするマイクロカプセル。 - 内部の断面形状が略円形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第1の超微粒子又は第1の薄膜が被覆され、前記CVD法を用いることで、該第1の超微粒子又は該第1の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第2の超微粒子又は第2の薄膜が被覆され、この被覆された第1及び第2の超微粒子又は第1及び第2の薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであり、
前記第2の超微粒子又は前記第2の薄膜が優れた生体適合性を有するDLCからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とするマイクロカプセル。 - 内部の断面形状が多角形である容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第1の超微粒子又は第1の薄膜が被覆され、前記CVD法を用いることで、該第1の超微粒子又は該第1の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第2の超微粒子又は第2の薄膜が被覆され、この被覆された第1及び第2の超微粒子又は第1及び第2の薄膜の母体となっている前記微粒子が取り除かれたものであり、
前記第2の超微粒子又は前記第2の薄膜が優れた生体適合性を有するDLCからなり、
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない性質を有することを特徴とするマイクロカプセル。 - 重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、
前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。 - 重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させ、
前記被覆した超微粒子又は薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。 - 請求項7又は8において、前記超微粒子又は薄膜は、優れた生体適合性を有するDLCからなり、
前記超微粒子又は薄膜を被覆させる際、前記容器内に、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを0.5mTorr以上500mTorr以下の圧力下で導入し、高周波電源に接続された電極を前記容器内に配置し、前記電極に電力密度が0.28W/cm2以上の高周波電力を印加してプラズマCVD法により被覆することを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。 - 重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第1の超微粒子又は第1の薄膜を被覆させ、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形である容器内に、前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜が被覆された前記微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第2の超微粒子又は第2の薄膜を被覆させ、
前記被覆した第1及び第2の超微粒子又は第1及び第2の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。 - 重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい第1の超微粒子又は第1の薄膜を被覆させ、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である容器内に、前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜が被覆された前記微粒子を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらCVD法を用いることで、前記第1の超微粒子又は前記第1の薄膜の表面に前記微粒子より粒径の小さい第2の超微粒子又は第2の薄膜を被覆させ、
前記被覆した第1及び第2の超微粒子又は第1及び第2の薄膜の母体となっている前記微粒子を取り除くことを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。 - 請求項10又は11において、前記第2の超微粒子又は前記第2の薄膜は、優れた生体適合性を有するDLCからなり、
前記第2の超微粒子又は前記第2の薄膜を被覆させる際、前記容器内に、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを0.5mTorr以上500mTorr以下の圧力下で導入し、高周波電源に接続された電極を前記容器内に配置し、前記電極に電力密度が0.28W/cm2以上の高周波電力を印加してプラズマCVD法により被覆することを特徴とするマイクロカプセルの製造方法。
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