JP5233110B2 - Polymer compounds, polymer compositions, an organic thin film and an organic electroluminescent device - Google Patents

Polymer compounds, polymer compositions, an organic thin film and an organic electroluminescent device Download PDF

Info

Publication number
JP5233110B2
JP5233110B2 JP2006305574A JP2006305574A JP5233110B2 JP 5233110 B2 JP5233110 B2 JP 5233110B2 JP 2006305574 A JP2006305574 A JP 2006305574A JP 2006305574 A JP2006305574 A JP 2006305574A JP 5233110 B2 JP5233110 B2 JP 5233110B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
group
preferably
compound
layer
jp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006305574A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007169606A (en )
Inventor
宏一朗 飯田
広典 石川
一毅 岡部
朋行 緒方
敏光 中井
Original Assignee
三菱化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Description

本発明は、電荷輸送性の高い高分子化合物と、これを用いた有機電界発光素子に関するものである。 The present invention includes a charge-transporting high polymer compound, to an organic electroluminescent device using the same.
本発明はまた、この高分子化合物を含むポリマー組成物と、このポリマー組成物により形成された有機薄膜に関する。 The present invention also relates to a polymer composition comprising a polymer compound, an organic thin film formed by the polymer composition.

近年、ZnS等の無機材料に代わり、有機材料を用いた電界発光素子(有機電界発光素子)の開発が行われている。 Recently, instead of inorganic materials such as ZnS, development of electroluminescent devices using organic materials (organic electroluminescence device) have been made. 電界発光素子の高効率化および長寿命化のために、陽極と発光層の間に正孔注入層を設けることが一般的である。 For high efficiency and long life of the electroluminescent device, it is it is common to provide a hole injection layer between the anode and the light emitting layer. そして、正孔注入層を湿式製膜法にて形成することにより、真空蒸着法により形成する場合と比較して、素子の耐熱性や表面平坦性が高められ、発光輝度の低下、定電流駆動時の電圧上昇、非発光部分(ダークスポット)の発生等が抑制されることが報告されている。 By forming the hole injection layer by a wet film-forming method, as compared with the case of forming by the vacuum deposition method, heat resistance and surface flatness of the element is increased, decrease of emission luminance, a constant current drive voltage rise time, occurrence of non-light emitting portions (dark spots) have been reported to be inhibited.

例えば、特許文献1および特許文献2では、ガラス転移温度の高い芳香族アミン含有高分子化合物を電子受容性化合物とともに有機溶媒に溶解させ、湿式製膜法により正孔注入層を形成している。 For example, Patent Document 1 and Patent Document 2, a high aromatic amine-containing polymer glass transition temperature is dissolved in an organic solvent with an electron-accepting compound, to form a hole injection layer by wet film-forming method. しかし、特許文献1および特許文献2に記載の芳香族アミン含有高分子化合物は、単一の繰り返し単位しか有さないため、十分な溶解性が得られない場合があった。 However, aromatic amine-containing polymer compound described in Patent Document 1 and Patent Document 2, because with only a single repeating unit, there are cases where sufficient solubility can not be obtained.

特許文献3では、上記の溶解性の問題を解決するため、2種の繰り返し単位を有する芳香族アミン含有高分子化合物を報告している。 In Patent Document 3, in order to solve the above-mentioned solubility problems, it has reported an aromatic amine-containing polymer having two repeating units. しかし、特許文献3に記載の芳香族アミン含有高分子化合物を合成するためには、2種の芳香族ジアミン含有ビスフェノール(モノマー)を準備する必要があるため、合成経路が煩雑であるという不具合があった。 However, in order to synthesize the aromatic amine-containing polymer compound described in Patent Document 3, since it is necessary to prepare two kinds of aromatic diamine-containing bisphenol (monomer), a problem that the synthetic route is complicated there were.
特開2000−36390号公報 JP 2000-36390 JP 特開2004−2740号公報 JP 2004-2740 JP 特開2005−75948号公報 JP 2005-75948 JP

本発明は、溶解性および耐熱性に優れ、電荷輸送能が高く、さらに合成経路も煩雑でない高分子化合物と、この高分子化合物を含むポリマー組成物、および有機薄膜と、この高分子化合物を用いた、低電圧駆動が可能で、発光効率が高く、駆動安定性が高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。 The present invention is excellent in solubility and heat resistance, use high charge transportability, and a polymer compound not further synthetic routes also complicated, the polymer composition comprising the polymer compound, and an organic thin film, the polymeric compound There was, can be driven at a low voltage, high luminous efficiency, and an object thereof is to provide a high organic electroluminescent device driving stability.

本発明者らが鋭意検討した結果、下記の特定の2種の繰り返し単位を有する芳香族アミン含有高分子化合物は、簡便に合成することが可能で、溶解性および耐熱性に優れ、電荷輸送能が高いこと、そして、この高分子化合物を用いることにより、低電圧駆動が可能で、発光効率が高く、駆動安定性が高い有機電界発光素子を得ることができることを見出した。 The present inventors have studied intensively, aromatic amine-containing polymer compound having a specific two kinds of repeating units of the following, can be conveniently synthesized, excellent solubility and heat resistance, charge transportability it is high, and, by using this polymer compound, can be driven at a low voltage, high luminous efficiency, driving stability and found that it is possible to obtain high organic electroluminescence device.

本発明はこのような知見に基づいて達成されたものであり、本発明の要旨は、下記式(I)で表される繰り返し単位と下記式(II)で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物(請求項1)、に存する。 The present invention has been accomplished based on these findings, the gist of the present invention contains a repeating unit represented by the repeating unit formula represented by the following formula (I) (II) polymer compound (claim 1) consists in.

[式(I)および(II)中、 Ar およびAr は、置換基を有していてもよいフェニレン基、又は置換基を有していてもよいフェニレン基が複数個連結された基であり、 Ar 、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 [In the formulas (I) and (II), Ar 1 and Ar 2, which may have a substituent phenylene group, or a phenylene group which may have a substituent are a plurality linked group There, Ar 3 may have a location substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. 但し、Ar とAr は同一ではない。 However, Ar 1 and Ar 2 are not the same. Xは、下記の連結基を表す X represents a communication Yuimoto below.
(上記連結基において、Ar 11 および Ar 12 は、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す )] (Oite to the linking group, Ar 11 and Ar 12 each independently may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.)]
本発明の別の要旨は、下記式(I)で表される繰り返し単位と下記式(II)で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物であって、下記式(I)および式(II)に含まれる部分構造として下記式(III)で表されるN−カルバゾリル基を有する高分子化合物(請求項2)、に存する。 Another subject of the invention is a polymer compound containing a repeating unit represented by the repeating unit formula (II) represented by the following formula (I), the following formula (I) and formula ( polymer compounds having a N- carbazolyl group represented by the partial structure included in II) by the following formula (III) (claim 2), consists in.
[式(I)および(II)中、Ar 〜Ar は、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 [In the formulas (I) and (II), Ar 1 ~Ar 3 are each independently may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. 但し、Ar とAr は同一ではない。 However, Ar 1 and Ar 2 are not the same. Xは、下記の連結基を表す。 X represents a linking group below.
(上記連結基において、Ar 11 およびAr 12 は、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。)] (In the above linking groups, Ar 11 and Ar 12 each independently may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.)]

本発明の別の要旨は、この高分子化合物を含有するポリマー組成物(請求項 )、に存する。 Another subject of the present invention, the polymer composition containing the polymer compound (claim 4) consists in.

本発明のさらに別の要旨は、このポリマー組成物を用いて、湿式製膜法により形成された有機薄膜(請求項 )、に存する。 Yet another aspect of the present invention, the polymer composition using the organic thin film formed by a wet film-forming method (claim 7) consists in.

本発明のさらに別の要旨は、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子において、この高分子化合物を含有する有機電界発光素子(請求項 )、或いは、この高分子化合物を含有するポリマー組成物を用いて湿式製膜法により形成された層を有する有機電界発光素子(請求項 )、に存する。 Yet another aspect of the present invention, on a substrate, an anode, a cathode, and an organic electroluminescent device having a light-emitting layer provided between the two electrodes, the organic electroluminescent device (claim 8 containing the polymer compound ), or an organic electroluminescent device having a layer formed by a wet film-forming method using a polymer composition containing the polymer compound (claim 9), consists in.

本発明の高分子化合物は、2種の繰り返し単位が配列するため、高分子鎖が折りたたまれて高分子結晶の元となる核が形成されることがなく、十分な溶解性を有し、成膜時の表面平坦性が高められる。 The polymer compound of the present invention, since the two repeating units are arranged, without nuclei collapsed polymeric chain is a source of the polymer crystals are formed, has sufficient solubility, formed surface flatness at the time of film is enhanced. このため、本発明の高分子化合物を用いて製造された有機電界発光素子は、低い電圧で駆動可能であり、高い発光効率を有し、耐熱性が高く、さらに、定電流駆動時の発光輝度の低下、電圧上昇、非発光部分(ダークスポット)の発生、短絡欠陥等が抑制される。 Thus, the organic electroluminescent device produced using the polymer compound of the present invention can be driven at a low voltage, has high luminous efficiency, high heat resistance, further, the light emitting brightness in constant-current driving reduction of voltage increase, the occurrence of non-light emitting portion (dark spot), short-circuit defects can be suppressed.

従って、本発明の高分子化合物を用いて製造された有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えら、その技術的価値は高いものである。 Accordingly, the organic electroluminescent device produced using the polymer compound of the present invention includes a light source (e.g., a copying machine utilizing the characteristics as a flat panel display (e.g., for OA computers and wall-mounted televisions) and a surface luminous body light source, the backlight source of liquid crystal displays and instruments), display boards, considered to be applied to a marker lamp, its technical value is high.

また、本発明の高分子化合物は、本質的に優れた溶解性および電気化学的耐久性を有することから、有機電界発光素子に限らず、その他、電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等にも有効に利用することができる。 The polymer compound of the present invention has an essentially better solubility and electrochemical durability is not limited to the organic electroluminescent device, other electrophotographic photoreceptor, an organic electroluminescent device, the photoelectric conversion device, an organic solar cell can be effectively utilized in the organic rectifying element.

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。 Before describing an embodiment of the present invention in detail below, the description of the constituent features described below is an example embodiment of the present invention (representative example), as long as the present invention does not exceed the gist thereof of not being specific in content.

[高分子化合物] [Polymer compound]
まず、本発明の高分子化合物について説明する。 First described polymer compound of the present invention.
本発明の高分子化合物は、下記式(I)で表される繰り返し単位(以下「繰り返し単位(I)」と称す場合がある。)と下記式(II)で表される繰り返し単位(以下「繰り返し単位(II)」と称す場合がある。)とを含有する。 The polymer compound of the present invention, the repeating units (hereinafter represented by (sometimes hereinafter referred to as "repeating unit (I)".) Repeating unit represented by the following formula (I) and formula (II) " sometimes referred to as repeating unit (II) ".) contains a.

本発明の高分子化合物は、このように2種の繰り返し単位が配列するため、高分子鎖が折りたたまれて高分子結晶の元となる核が形成されることがなく、十分な溶解性を有し、成膜時の表面平坦性が高められる。 The polymer compound of the present invention thus for the two repeating units are arranged, without nuclei collapsed polymeric chain is a source of the polymer crystals are formed, they have sufficient solubility and, the surface flatness at the time of film formation is enhanced. このため、本発明の高分子化合物を用いて製造された有機電界発光素子は、低い電圧で駆動可能であり、高い発光効率を有し、耐熱性が高く、さらに、定電流駆動時の発光輝度の低下、電圧上昇、非発光部分(ダークスポット)の発生、短絡欠陥等が抑制される。 Thus, the organic electroluminescent device produced using the polymer compound of the present invention can be driven at a low voltage, has high luminous efficiency, high heat resistance, further, the light emitting brightness in constant-current driving reduction of voltage increase, the occurrence of non-light emitting portion (dark spot), short-circuit defects can be suppressed.

[式(I)および(II)中、Ar 〜Ar は、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 [In the formulas (I) and (II), Ar 1 ~Ar 3 are each independently may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. 但し、Ar とAr は同一ではない。 However, Ar 1 and Ar 2 are not the same. Xは、下記の連結基群X の中から選ばれる連結基を表す。 X represents a linking group selected from the group of linkage groups X 1 below.
〈連結基群X <Linking group group X 1>
(上記連結基群X において、Ar 11 〜Ar 27は、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。R 31およびR 32は、各々独立して、水素原子または任意の置換基を表す。R 33 〜R 35は任意の基を表す。)] (In the group of linkage groups X 1, Ar 11 ~Ar 27 are each independently, may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group .R 31 and R 32 are each independently, .R 33 to R 35 represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent represents any group.)]

{構造上の特徴} {Structural features}
本発明の高分子化合物は、上記繰り返し単位(I),(II)を持つため、高分子鎖の規則性がくずれ、単一の繰り返し単位のみで表される高分子化合物に比べ、種々の有機溶剤に対して高い溶解性を示す。 The polymer compound of the present invention, the repeating unit (I), for having a (II), collapses regularity of the polymer chains, than that of the polymer compound represented only by a single repeat unit, various organic It shows high solubility in a solvent.
有機電界発光素子において高分子を含む層を湿式製膜法にて形成するためには塗布液(溶剤を含むポリマー組成物)の固形分濃度を高めることが必要とされているが、本発明の高分子化合物は、その規則性の低さから、高い溶解性を示すため、容易に固形分濃度を高めることが可能である。 Although a layer comprising a polymer in an organic electroluminescent device to be formed by a wet film-forming method is required to increase the solids concentration of the coating solution (polymer composition containing a solvent), the present invention polymeric compounds, from the regularity of low, to indicate a high solubility, it is possible to easily increase the solid concentration. また、高い溶解性を示すため、塗布液(溶剤を含むポリマー組成物)の保存安定性にも優れると考えられる。 Also, to show the high solubility is believed to be excellent in storage stability of the coating solution (polymer composition containing a solvent).

また、本発明の高分子化合物は、結晶化し難く、高いガラス転移温度を有し、薄膜形成性に優れるため、本発明の高分子化合物を含有する有機電界発光素子は、耐熱性に優れ、長期間安定に駆動(発光)することが可能である。 The polymer compound of the present invention, difficult to crystallize, has a high glass transition temperature, is excellent in film forming property, an organic electroluminescent device containing the polymer compound of the present invention is excellent in heat resistance, long period it is possible to stably drive (emission).

また、本発明の高分子化合物は、優れた正孔注入・輸送性を有するため、本発明の高分子化合物を含有する有機電界発光素子は、低い電圧で駆動することが可能であり、高い発光効率を実現することが可能である。 The polymer compound of the present invention has an excellent hole injecting and transporting organic electroluminescent device containing the polymer compound of the present invention can be driven at a low voltage, high luminous it is possible to achieve efficient.

{Ar 〜Ar ,Ar 11 〜Ar 27 ,R 31 〜R 35 {Ar 1 ~Ar 3, Ar 11 ~Ar 27, R 31 ~R 35}
Ar 〜Ar 、および、Ar 11 〜Ar 27は、任意の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が適用可能であり、各々が同一であっても異なっていてもよく、任意の置換基を有していてもよい。 Ar 1 to Ar 3, and, Ar 11 to Ar 27 may be any aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group are applicable, may each have the same or different and any substituent it may have a group. 但し、Ar とAr は同一ではない。 However, Ar 1 and Ar 2 are not the same.

なお、上記Ar とAr が同一ではないとは、例えば、Ar とAr がいずれもフェニレン基(ベンゼン環)であって、それぞれ窒素原子と酸素原子との結合位置が異なるもの、例えば後掲の例示化合物P−3のように1,4−フェニレン基と1,3−フェニレン基であるような場合も含む。 Incidentally, the above Ar 1 and Ar 2 are not the same, for example, Ar 1 and Ar 2 is a both a phenylene group (a benzene ring), which coupling position of the nitrogen and oxygen atoms respectively are different, for example, If a 1,4-phenylene group as exemplified compound P-3 described subsequently herein and as are 1,3-phenylene group containing.

前記芳香族炭化水素基を例示するならば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環などの、6員環の単環または2〜5縮合環由来の、1価または2価の基が挙げられる。 By way of example the aromatic hydrocarbon group include a benzene ring, a naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, such as fluoranthene ring, from a single ring or 2 to 5 condensed six-membered ring, and a monovalent or divalent radical.

前記芳香族複素環基を例示するならば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合 By way of example the aromatic heterocyclic group, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolo pyrazole ring, pyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, a benzimidazole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, a quinazoline ring, a quinazolinone ring, such as azulene ring, 5 or 6-membered monocyclic or 2-4 fused ring 由来の、1価または2価の基が挙げられる。 Derived include monovalent or divalent radical.

また、Ar 、Ar 、Ar 11 〜Ar 16 、Ar 18 、Ar 19 、Ar 21 〜Ar 26は、1種類または2種類以上の芳香族炭化水素基および/または芳香族複素環基を、直接結合又は任意の2価の基によって、連結したものであってもよい。 Further, Ar 1, Ar 2, Ar 11 ~Ar 16, Ar 18, Ar 19, Ar 21 ~Ar 26 is one or more kinds of aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group, directly by bonding or any divalent group, or it may be linked.

この場合の任意の2価の連結基を例示するならば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリールアミノ基(−N(Ar)−:Arはアリール基)、アルキルアミノ基(−N(R)−:Rはアルキル基)、カルボニル基、エーテル基が挙げられる。 By way of example an optional divalent linking group in this case, the alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, an arylamino group (-N (Ar) -: Ar is an aryl group), an alkylamino group (-N (R ) -: R is an alkyl group), a carbonyl group, and ether group.

31 、R 32は、水素原子または任意の置換基が適用可能であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。 R 31, R 32 is a hydrogen atom or an arbitrary substituent are applicable, may be the same or different from each other. ここで、適用可能な置換基を例示するならば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が挙げられる。 Here, if illustrate applicable substituents, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, silyl group, siloxy group, aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group. 芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、上記Ar 〜Ar 27として例示したものが挙げられる。 The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group, those exemplified as the Ar 1 to Ar 27.

33 〜R 35は、任意の2価の基が適用可能である。 R 33 to R 35 may be any divalent group can be applied. ここで、適用可能な2価の基を例示するならば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、芳香族炭化水素環由来の2価の基、芳香族複素環由来の2価の基が挙げられ、1種類または2種類以上の2価の基を連結して用いることもできる。 Here, if illustrate applicable divalent group, an alkylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, a divalent group derived from an aromatic hydrocarbon ring, include a divalent group derived from an aromatic heterocyclic , it can also be used in conjunction with one or more kinds of divalent groups. 芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、上記Ar 〜Ar 27として例示したものが挙げられる。 The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group, those exemplified as the Ar 1 to Ar 27.

Ar 〜Ar 、および、Ar 11 〜Ar 27が、有してもよい置換基としては、例えば、下記の置換基群Zより選ばれる1種または2種以上が挙げられる。 Ar 1 to Ar 3, and, Ar 11 to Ar 27 is, as a substituent which may have, for example, one or more selected from the substituent group Z shown below.

〈置換基群Z〉 <Substituent group Z>
メチル基、エチル基等の好ましくは炭素数1〜10、さらに好ましくは炭素数1〜8のアルキル基; Methyl, preferably 1 to 10 carbon atoms such as ethyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms;
ビニル基等の好ましくは炭素数2〜11、さらに好ましくは炭素数2〜5のアルケニル基; Preferably 2 to 11 carbon atoms such as a vinyl group, more preferably an alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms;
エチニル基等の好ましくは炭素数2〜11、さらに好ましくは炭素数2〜5のアルキニル基; Preferably 2 to 11 carbon atoms such as ethynyl group, more preferably an alkynyl group having 2 to 5 carbon atoms;
メトキシ基、エトキシ基等の好ましくは炭素数1〜10、さらに好ましくは炭素数1〜6のアルコキシ基; Methoxy group, preferably 1 to 10 carbon atoms such as an ethoxy group, more preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms;
フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の好ましくは炭素数4〜25、さらに好ましくは炭素数5〜14のアリールオキシ基; Phenoxy group, naphthoxy group, preferably 4 to 25 carbon atoms such as a pyridyloxy group, more preferably an aryloxy group having 5 to 14 carbon atoms;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の好ましくは炭素数2〜11、さらに好ましくは炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基; Methoxycarbonyl group, preferably 2 to 11 carbon atoms such as ethoxycarbonyl group, more preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms;
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の好ましくは炭素数2〜20、さらに好ましくは炭素数2〜12のジアルキルアミノ基; Dimethylamino group, preferably having from 2 to 20 carbon atoms such as a diethylamino group, more preferably a dialkylamino group having 2 to 12 carbon atoms;
ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の好ましくは炭素数10〜30、さらに好ましくは炭素数12〜22のジアリールアミノ基; Diphenylamino group, ditolylamino group, N- preferably 10 to 30 carbon atoms, such as a carbazolyl group, more preferably a diarylamino group having 12 to 22 carbon atoms;
フェニルメチルアミノ基等の好ましくは炭素数6〜25、さらに好ましくは炭素数7〜17のアリールアルキルアミノ基; Preferably 6 to 25 carbon atoms, such as phenylmethyl group, more preferably an aryl alkyl amino group having from 7 to 17 carbon atoms;
アセチル基、ベンゾイル基等の好ましくは炭素数2〜10、好ましくは炭素数2〜7のアシル基; Acetyl group, preferably having from 2 to 10 carbon atoms such as a benzoyl group, preferably an acyl group having 2 to 7 carbon atoms;
フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子; Fluorine atom, a halogen atom such as a chlorine atom;
トリフルオロメチル基等の好ましくは炭素数1〜8、さらに好ましくは炭素数1〜4のハロアルキル基; Preferably 1 to 8 carbon atoms such as a trifluoromethyl group, more preferably a haloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms;
メチルチオ基、エチルチオ基等の好ましくは炭素数1〜10、さらに好ましくは炭素数1〜6のアルキルチオ基; Methylthio group, preferably 1 to 10 carbon atoms such as an ethylthio group, more preferably an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms;
フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の好ましくは炭素数4〜25、さらに好ましくは炭素数5〜14のアリールチオ基; Phenylthio group, naphthylthio group, preferably 4 to 25 carbon atoms, such as pyridylthio group, more preferably an arylthio group having 5 to 14 carbon atoms;
トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の好ましくは炭素数2〜33、さらに好ましくは炭素数3〜26のシリル基; Trimethylsilyl group, preferably 2 to 33 carbon atoms such as a triphenylsilyl group, more preferably a silyl group having 3 to 26 carbon atoms;
トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の好ましくは炭素数2〜33、さらに好ましくは炭素数3〜26のシロキシ基; Trimethylsiloxy groups, preferably 2 to 33 carbon atoms such as triphenyl siloxy group, more preferably siloxy group of 3 to 26 carbon atoms;
シアノ基; A cyano group;
フェニル基、ナフチル基等の好ましくは炭素数6〜30、さらに好ましくは炭素数6〜18の芳香族炭化水素基; Phenyl group, preferably having 6 to 30 carbon atoms such as a naphthyl group, more preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms;
チエニル基、ピリジル基等の好ましくは炭素数3〜28、さらに好ましくは炭素数4〜17の芳香族複素環基 Thienyl, preferably 3 to 28 carbon atoms such as pyridyl group, further preferably an aromatic heterocyclic group having 4 to 17 carbon atoms

上記各置換基の分子量としては、400以下、中でも250以下程度が好ましい。 The molecular weight of each substituent, 400 or less, preferably degree among them 250 or less.

{Ar ,Ar の好適例} {Preferred examples of Ar 1, Ar 2}
高分子化合物の溶解性、耐熱性の点から、Ar およびAr は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環からなる群より選ばれる環由来の2価の基、および、前記群から選ばれる1種または2種以上の環を直接結合により連結した2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。 Solubility of the polymer compound, from the viewpoint of heat resistance, Ar 1 and Ar 2, a benzene ring, a naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, a thiophene ring, a divalent group ring from selected from the group consisting of pyridine ring and said one or a divalent group is preferably linked by a direct bond to two or more rings selected from the group, phenylene group, biphenylene group, terphenylene group, a naphthylene group are more preferred. 特にAr およびAr がともに、置換基を有していてもよいフェニレン基または置換基を有していてもよいフェニレン基が複数個連結された基(例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基等)であること、すなわち、下記式(IV)で表されるフェニレン基、又は、フェニレン基を直接結合により連結した2価の基であることが特に好ましい。 Especially are both Ar 1 and Ar 2, phenylene group which may have an optionally substituted phenylene group or substituent is plural linking group (e.g., biphenylene group, terphenylene group) it is, namely, a phenylene group represented by the following formula (IV), or, and particularly preferably a divalent group linked by a direct bond to phenylene group.

(式(IV)中、pは自然数を表し、1〜3が好ましい。式(IV)中のベンゼン環は任意の置換基を有していても良いが、置換基を有していないことが好ましい。) (In the formula (IV), p represents an integer from 1 to 3 are preferred benzene ring in. Formula (IV) may have any substituent, but may not have a substituent preferable.)

高分子化合物の正孔注入・輸送性の点から、Ar およびAr は、下記式(V)で表されるような、1種又は2種以上の芳香族炭化水素基Ar 41 、Ar 42が、アリールアミノ基(−N(Ar 43 )−)で連結されてなる2価の基であることが好ましい。 From the viewpoint of the hole injecting and transporting polymer compound, Ar 1 and Ar 2 are as represented by the following formula (V), 1 or two or more aromatic hydrocarbon group Ar 41, Ar 42 There, an arylamino group (-N (Ar 43) -) is preferably a divalent group formed by connecting with.

(式(V)中、Ar 41 〜Ar 43は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表す。) (In the formula (V), Ar 41 to Ar 43 each independently represent an optionally substituted aromatic hydrocarbon group.)

Ar 41 〜Ar 43の芳香族炭化水素基としては、Ar 11 〜Ar 27の芳香族炭化水素基として挙げたものを使用できる。 The aromatic hydrocarbon group Ar 41 to Ar 43, may be used those exemplified as the aromatic hydrocarbon group Ar 11 to Ar 27. また、置換基としては、前述の置換基群Zから選ばれた1種又は2種以上が挙げられる。 Further, examples of the substituent include one or more kinds selected from the above-described substituent group Z.

Ar およびAr は、置換基を有する場合はその置換基も含めて、各々、分子量1000以下、特に500以下であることが好ましい。 Ar 1 and Ar 2, if having a substituent including its substituent, respectively, molecular weight of 1000 or less, more preferably 500 or less.

{Ar の好適例} {Preferred examples of Ar 3}
高分子化合物の溶解性、耐熱性の点から、Ar は、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基が好ましく、1または2置換のフェニル基、無置換のフェニル基がさらに好ましく、ビフェニル基が特に好ましい。 Solubility of the polymer compound, from the viewpoint of heat resistance, Ar 3 is an optionally substituted phenyl group, a naphthyl group are preferred which may have a substituent, 1 or 2-substituted phenyl group , a phenyl group is more preferred unsubstituted biphenyl group is particularly preferred. また、Ar は、電荷輸送性の点から、ジフェニルアミノ基、N−カルバゾリル基等のジアリールアミノ基を置換基として有する、フェニル基、ビフェニル基が好ましい。 Moreover, Ar 3, from the viewpoint of charge transporting property, a diphenylamino group, a diarylamino group such as a N- carbazolyl group as a substituent, a phenyl group, biphenyl group.
また、Ar の分子量は、置換基も含めて、1000以下、特に500以下であることが好ましい。 The molecular weight of Ar 3, including the substituent is preferably 1000 or less, in particular 500 or less.

{Xの好適例} {Preferred examples of X}
高分子化合物の溶解性、耐熱性の点から、Xは、下記の連結基群X の中から選ばれる連結基であることが好ましい。 Solubility of the polymer compound, from the viewpoint of heat resistance, X is preferably a linking group selected from the group of linkage groups X 2 below.

〈連結基群X <Linking group group X 2>
(上記連結基群X において、Ar 11 〜Ar 16 、R 31 ,R 32は連結基群X におけると同義である。) (In the group of linkage groups X 2, Ar 11 ~Ar 16, R 31, R 32 has the same meaning as in the linking group group X 1.)

特に、Ar 11 〜Ar 16は、置換基を有していてもよいp−フェニレン基であることが好ましく、Ar 17は、置換基を有していてもよいフェニル基であることが好ましい。 In particular, Ar 11 to Ar 16 is preferably also may p- phenylene group optionally having a substituent, Ar 17 is preferably substituted is also a phenyl group. また、R 31 、R 32は、各々独立して、置換基を有していてもよい、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基であることが特に好ましい。 Also, R 31, R 32 are each independently may have a substituent group, and particularly preferably an alkyl group or a phenyl group having 1 to 6 carbon atoms.

{好適な部分構造} {Suitable substructure}
溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、本発明の高分子化合物は、繰り返し単位(I)および(II)のそれぞれに、部分構造として、下記式(III)で表されるN−カルバゾリル基を有することが好ましい。 Solubility, heat resistance, hole injecting and transporting point, the polymer compound of the present invention, each of the repeating units (I) and (II), as a partial structure represented by the following formula (III) it is preferred to have an N- carbazolyl group.

なお、上記N−カルバゾリル基は任意の位置に任意の置換基を有していても良く、その置換基としては、前述の置換基群Zから選ばれるものが挙げられる。 The above N- carbazolyl group may have any substituent at any position, as the substituent, include those selected from the aforementioned substituent group Z.

{繰り返し単位(I),(II)の好適例} {Repeating unit (I), preferred examples of (II)}
以下に、本発明の高分子化合物の単位の繰り返し単位(I),(II)として好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, the repeating units of the unit of the polymer compound of the present invention (I), are preferred specific examples as (II), the present invention is not limited thereto.

{繰り返し単位(I),(II)の配列および割合} {Repeating unit (I), the sequence and proportion of (II)}
本発明の高分子化合物は、繰り返し単位(I)および繰り返し単位(II)を有するものであればよく、高分子化合物における繰り返し単位(I),(II)の入り方は、規則的であってもランダムであってもよいが、溶解性の点からランダムであることが好ましい。 The polymer compound of the present invention, may be those having repeating units (I) and the repeating unit (II), the repeating units in the polymer compound (I), on entering and (II) is a regular also may be a random, it is preferably a random view of solubility.
また、繰り返し単位(I)と繰り返し単位(II)以外の他の繰り返し単位が含まれていてもよい。 It may also contain repeating units (I) and repeating unit (II) other than the other recurring units.

繰り返し単位(I)、(II)の入り方が規則的である場合、例えば、繰り返し単位(I)と繰り返し単位(II)とが、1ずつ交互に連結しているもの、複数ずつ交互に連結しているものなどが挙げられる。 Repeating units (I), when it is Entering a regular of (II), for example, a repeating unit (I) and repeating unit (II), but which are connected alternately one by one, alternately connected plurality by like those you are.
また、繰り返し単位(I)と繰り返し単位(II)以外の他の繰り返し単位が含まれている場合、他の繰り返し単位としては、例えば、次のような繰り返し単位群Kの中から選ばれる1種または2種以上が挙げられる。 Also, if it contains a repeating unit (I) and repeating unit (II) other than the other recurring units, other recurring units, for example, one selected from the group consisting of the repeating unit group K, such as: or two or more thereof.

〈繰り返し単位群K〉 <Group of Repeating Units of K>
(Xは、前記連結基群X の中から選ばれる連結基を表す。) (X represents a linking group selected from the group of linkage groups X 1.)

電荷輸送性、電気化学的耐久性の点から、高分子化合物中の、繰り返し単位(I)および繰り返し単位(II)の含有量は、合計で通常20モル%以上、好ましくは50モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上、最も好ましくは100モル%である。 Charge transport, in terms of electrochemical durability, in the polymer compound, the content of the repeating unit (I) and the repeating unit (II) is usually 20 mol% or more in total, preferably 50 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, most preferably 100 mol%. すなわち、本発明の高分子化合物は、繰り返し単位(I)および繰り返し単位(II)からなる化合物であることが最も好ましい。 That is, the polymer compound of the present invention is most preferably a compound consisting of repeating units (I) and the repeating unit (II).

また、繰り返し単位(I)と繰り返し単位(II)の比(繰り返し単位(I)/繰り返し単位(II))は、溶解性の点から、1であることが最も好ましく、0.5〜2であることが好ましい。 The ratio of the repeating units (I) and repeating unit (II) (repeating unit (I) / repeating unit (II)), from the viewpoint of solubility, and most preferably 1, with 0.5-2 there it is preferable.

{高分子化合物の分子量} {Molecular weight of the polymer compound}
本発明の高分子化合物の重量平均分子量は、通常1,000,000以下、好ましくは300,000以下、より好ましくは100,000以下であり、また通常1,000以上、好ましくは3,000以上、より好ましくは10,000以上である。 The weight average molecular weight of the polymer compound of the present invention is generally 1,000,000 or less, preferably 300,000 or less, more preferably 100,000 or less, and is generally 1,000 or more, preferably 3,000 or more , more preferably 10,000 or more.

通常、この重量平均分子量はSEC(サイズ排除クロマトグラフィー)測定により決定される。 Usually, the weight average molecular weight is determined by SEC (size exclusion chromatography) measurement. SEC測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン(標準試料)の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量が算出される。 Shorter elution time as the high molecular weight component in the SEC measurement, but the elution time as the low molecular weight component is increased, by using a calibration curve calculated from the elution time of a known molecular weight polystyrene (standard sample), the elution time of the sample to the molecular weight by converting a weight-average molecular weight is calculated.

分子量がこの上限値を超えると、不純物の高分子量化によって精製が困難となる場合があり、また分子量がこの下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。 If the molecular weight exceeds the upper limit, there are cases where purification by high molecular weight impurities becomes difficult, and when the molecular weight is below this lower limit, the glass transition temperature and melting point, such as vaporization temperature is lowered, heat there is a risk that gender is significantly impaired.

{高分子化合物の物性等} {Physical properties of the polymer compound and the like}
本発明の高分子化合物のガラス転移温度は、通常90℃以上であり、有機電界発光素子の耐熱性を含めた駆動安定性の点で好ましくは110℃以上、さらに好ましくは130℃以上である。 The glass transition temperature of the polymer compound of the present invention is usually 90 ° C. or higher, preferably in view of driving stability including heat resistance of the organic electroluminescent device 110 ° C. or higher, further preferably 130 ° C. or higher.

また、酸化される電位は、通常+0.3〜+1.3Vvs.SCEであり、正孔注入・輸送性の点で、好ましくは+0.5〜+1.1Vvs.SCEであり、イオン化ポテンシャルは、通常4.6〜5.6eVであり、正孔注入・輸送性の点で、好ましくは4.9〜5.4eVである。 The potential to be oxidized, usually + 0.3~ + 1.3Vvs.SCE, in terms of hole injecting and transporting properties, preferably + 0.5~ + 1.1Vvs.SCE, ionization potential, usually a 4.6~5.6EV, in terms of hole injecting and transporting properties, preferably 4.9~5.4EV.

〔合成方法〕 Synthesis Method]
本発明の高分子化合物は、例えば、下記一般式(VI)で表されるジヒドロキシ化合物と下記一般式(VII)で表される二ハロゲン化物とを反応させることによって合成される。 The polymer compound of the present invention, for example, be synthesized by reacting a dihalide represented by the dihydroxy compounds with the following general formula represented by the following general formula (VI) (VII). 通常、反応は、炭酸カリウム、tert−ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基存在下で行い、必要に応じて、銅やパラジウム錯体等の遷移金属触媒存在下で行うこともできる。 Usually, the reaction is potassium carbonate, tert- butoxy sodium, carried out in the presence of a base such as triethylamine, optionally, can also be carried out in the presence of a transition metal catalyst such as copper or palladium complex.

(式(VI),(VII)中、Ar 〜Ar ,Xは、式(I),(II)におけると同義であり、X'はフッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子を表す。) (In the formula (VI), (VII), Ar 1 ~Ar 3, X of formula (I), has the same meaning as in (II), X 'is a fluorine atom, a chlorine atom, a halogen atom such as a bromine atom represent.)

[ポリマー組成物] Polymer Composition]
次に、本発明のポリマー組成物について説明する。 It will now be described polymer composition of the present invention.
本発明のポリマー組成物は、前記本発明の高分子化合物を含有する。 The polymer composition of the present invention contains a polymer compound of the present invention. 通常、本発明のポリマー組成物は、溶媒を含有し、好ましくはさらに電子受容性化合物を含有する。 Usually, the polymer composition of the present invention, the solvent contains preferably further contains an electron accepting compound. また、ポリマー組成物にはレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいても良い。 Further, the polymer composition may contain various additives such as a leveling agent and a defoamer.

本発明のポリマー組成物を用いて形成される有機薄膜は、耐熱性、電荷輸送性に優れるため、本発明のポリマー組成物は、電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。 The organic thin film formed by using the polymer composition of the present invention, heat resistance, is excellent in charge transporting property, the polymer composition of the present invention relates to an electrophotographic photoreceptor, an organic electroluminescent device, a photoelectric conversion element, an organic solar battery can be suitably used in the organic rectifying element. 本発明のポリマー組成物は、特に有機電界発光素子に使用することが好ましい。 The polymer composition of the present invention, it is particularly preferred to use the organic electroluminescent device.

{溶媒} {solvent}
本発明のポリマー組成物に含まれる溶媒は、本発明のポリマー組成物に含まれる前記本発明の高分子化合物を溶解する溶媒であれば特に限定されることはない。 The solvent contained in the polymer compositions of the present invention are not particularly limited so long as the solvent dissolves the polymer compound of the present invention contained in the polymer composition of the present invention. ここで、該高分子化合物を溶解する溶媒とは、該高分子化合物を通常0.05重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、さらに好ましくは1重量%以上溶解する溶媒であるが、本発明の高分子化合物は高い溶媒溶解性を有するため、種々の溶媒が適用可能である。 Here, the solvent for dissolving the polymer compound, the polymer compound usually 0.05 wt% or more, preferably 0.5 wt% or more, and more preferably from a solvent which dissolves less than 1% by weight, the polymer compound of the present invention has a high solubility in a solvent, various solvents are applicable.

また、特に、有機電界発光素子においては、正孔注入・輸送性を高くし、有機電界発光素子の駆動電圧を低下させるためには、電子受容性化合物を含有する正孔注入層を形成することが好ましい。 In particular, in the organic electroluminescent device, a higher hole injecting and transporting properties, in order to reduce the driving voltage of the organic electroluminescent device includes forming a hole injection layer containing an electron-accepting compound It is preferred. このため、有機電界発光素子の正孔注入層を湿式製膜法にて形成するためのポリマー組成物にあっては、用いる溶媒は、この電子受容性化合物を0.005重量%以上溶解することが好ましく、0.05重量%以上溶解することがより好ましく、0.5重量%以上溶解することがさらに好ましい。 Therefore, in the polymer composition for forming the hole injection layer of the organic electroluminescent device by a wet film forming method, solvent to be used is to dissolve the electron-accepting compound 0.005 wt% or more more preferably from dissolving 0.05 wt% or more, more preferably it is dissolved 0.5% by weight or more.

さらに、前述したように、有機電界発光素子の正孔注入層を湿式製膜法にて形成するために用いる溶媒は、本発明のポリマー組成物に含まれる、本発明の高分子化合物などの正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、それらの混合から生じる正孔輸送性化合物のカチオンラジカルを失活させる失活物質または失活物質を発生させるものを含まないものが好ましい。 Further, as described above, the solvent used to form the hole injection layer of the organic electroluminescent device by a wet film forming method is included in the polymer composition of the present invention, the positive, such as the polymer compound of the present invention hole-transporting compound, electron-accepting compound, it is preferable that do not include those causing deactivation agent or inactivating agent to inactivate the cation radical of them mixed hole transporting compound resulting from the.

なお、正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、それらの混合から生じる正孔輸送性化合物のカチオンラジカルは変質することがある。 The hole-transporting compound, electron-accepting compound, the cation radical of the hole-transporting compound resulting from a mixture thereof may be altered. この変質は、有機電界発光素子中に形成された同じ層に含まれる他の化合物との電荷移動などの相互作用により起こると考えられる。 This alteration is considered to occur by interactions such as charge transfer with other compounds contained in the same layer formed in the organic electroluminescent device. これらが変質すると、これらの材料等により形成された層の正孔注入・輸送性が低下するという問題がある。 When they are altered, hole injecting and transporting layer formed by these materials is lowered. これらの変質の多くは、溶媒または溶媒に含まれる不純物に起因すると考えられ、正孔注入・輸送性の高い層を形成するためには、ポリマー組成物の溶媒として変質の原因とならない適切な溶媒を選択する必要がある。 Many of these altered, attributed to impurities contained in the solvent or solvents, to form a hole injecting and transporting layer with high is carried out in a suitable solvent which does not cause alteration as the solvent of the polymer composition it is necessary to select. また、上述した変質のため、湿式製膜法用に調製したポリマー組成物中にさらに不純物が生成しやすい傾向があり、ポリマー組成物の保存安定性が低くなるという問題点がある。 Further, since the alteration described above, further tend to easily generate impurities in the polymeric compositions prepared for wet film forming method, there is a problem that storage stability of the polymer composition is low.

上記の条件を満たす好ましい溶媒としては、例えば、エーテル系溶媒およびエステル系溶媒が挙げられる。 As the condition is satisfied preferred solvents, for example, ether solvents and ester solvents. 具体的には、エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。 Specific examples of the ether solvents, such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-aliphatic ether monomethyl ether acetate (PGMEA) and the like; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3 - dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxy toluene, 4-methoxy toluene, 2,3-dimethyl anisole, and aromatic ethers such as 2,4-dimethyl anisole and the like. エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。 Examples of the ester solvents such as ethyl acetate, n- butyl, ethyl lactate, aliphatic esters such as lactic acid n- butyl; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, benzoic acid aromatic esters such as n- butyl. これらの溶媒は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。 These solvents may be used singly or may be used in combination of two or more.

これらの溶媒のポリマー組成物中の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50%重量以上、また、通常99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下の範囲である。 The concentration of the polymer compositions of these solvents are usually 10 wt% or more, preferably 30 wt% or more, more preferably 50% by weight or higher, and usually 99.999 weight% or less, preferably 99.99 wt% or less, and more preferably in the range of 99.9 wt% or less.

なお、溶媒として、前述した溶媒以外にも、必要に応じて、各種の他の溶媒を含んでいてもよい。 Incidentally, as the solvent, in addition to the solvent described above, if necessary, may contain various other solvents. このような他の溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。 Such other solvents include, for example, benzene, toluene, aromatic hydrocarbon solvents such as xylene, N, N-dimethylformamide, N, N-amide solvents dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide . ただし、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒は、正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、それらの混合から生じる正孔輸送性化合物のカチオンラジカルを溶解する能力が低いため、エーテル系溶媒およびエステル系溶媒等と混合して用いることが好ましい。 However, benzene, toluene, aromatic hydrocarbon solvents such as xylene, a hole transporting compound, an electron accepting compound, is low ability to dissolve the cation radical of the hole-transporting compounds resulting from their mixtures, ethers it is preferable to use a mixture with the system solvent and ester type solvents.

本発明の高分子化合物などの正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、それらの混合から生じる正孔輸送性化合物のカチオンラジカルを失活させる失活物質またはこのような失活物質を発生させる化合物としては、例えば、エチルアルコール等のアルコール系溶媒が挙げられる。 Hole transporting compound such as a polymer compound of the present invention, an electron-accepting compound, hole transporting deactivating agent to deactivate cation radical compound or such deactivation material compound generating arising from their mixtures the, for example, alcohol solvents such as ethyl alcohol. 本発明の高分子化合物などの正孔輸送性化合物および電子受容性化合物を含有する層を、本発明のポリマー組成物を用いた湿式製膜法にて形成する場合、ポリマー組成物中にこれらが含まれることにより、上記アルコール系溶媒等の酸化を受けやすい溶媒と電子受容性化合物が反応する。 The hole transporting compound and a layer containing an electron-accepting compound such as a polymer compound of the present invention, when forming by a wet film-forming method using the polymer composition present invention, these in the polymer composition the inclusion susceptible solvent and an electron-accepting compound oxide such as the alcohol solvent reacts.

また、本発明の高分子化合物などの正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、それらの混合から生じる正孔輸送性化合物のカチオンラジカルを失活させる失活物質またはこのような失活物質を発生させる化合物として、プロトン酸およびハロゲン系溶媒が挙げられる。 Further, hole transporting compound such as a polymer compound of the present invention, an electron-accepting compound, a hole deactivating agent to inactivate the cation radical of transporting compound or such deactivation substances resulting from their mixing generation as compounds which include protonic acids, and halogenated solvents. 具体的には、プロトン酸としては、例えば、塩酸、臭化水素酸等の無機酸;ギ酸、酢酸、乳酸等の有機酸が挙げられる。 Specific examples of the protonic acid, such as hydrochloric acid, inorganic acids such as hydrobromic acid; formic acid, acetic acid, and organic acids such as lactic acid. ハロゲン系溶媒としては、例えば、塩素溶媒、含臭素溶媒、含ヨウ素溶媒等が挙げられる。 The halogen-based solvents, e.g., chlorinated solvents, bromine-containing solvents, iodine-containing solvents.

本発明の高分子化合物などの正孔輸送性化合物および電子受容性化合物を含有するポリマー組成物を用いて、湿式製膜法にて層を形成する場合、ポリマー組成物中に有機酸やハロゲン系溶媒が含まれていると、例えば、有機酸は、正孔注入・輸送性部位と反応し、アンモニウム塩に変質させてしまうため、得られた層の正孔注入・輸送性が低下する。 Using a hole-transporting compound and the polymer composition containing an electron-accepting compound such as a polymer compound of the present invention, when forming a layer by a wet film-forming method, an organic acid or a halogen-based in the polymer composition When contains solvent, for example, an organic acid reacts with the hole injecting and transporting site, since thus is transformed into ammonium salts, hole injecting and transporting properties of the resulting layer is reduced. また、ハロゲン系溶媒が含まれている場合、これらのハロゲン系溶媒には、これに対応する酸が混入している場合が多く、この酸が上記の有機酸と同様に、正孔注入・輸送性部位を変質させるため、やはり得られた層の正孔注入・輸送性が低下する。 Also, if it contains a halogen-based solvents, these halogen-based solvents, often the acid corresponding thereto are mixed, as the acid and the organic acid, hole injecting and transporting in order to alter the sex site, also the hole injecting and transporting properties of the resulting layer is reduced. また、ハロゲン化物は環境負荷が大きい点でも、混入することは好ましくない。 Moreover, in terms halide environmental load is large, it is not preferable to contamination.

なお、有機電界発光素子は、多数の有機化合物からなる層を積層して形成するため、各層がいずれも均一な層であることが要求される。 Note that the organic electroluminescent device, in order to form laminated layers of many organic compounds, each layer is required to be both a uniform layer. 湿式製膜法で層形成する場合、層形成用の溶液(組成物)に水分が混入することにより、塗膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、ポリマー組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。 If layers formed by a wet film-forming method, by which moisture is mixed in the solution for the layer formation (composition), since the uniformity of film moisture is mixed into the coating film is impaired, the moisture in the polymer composition content is preferably as small as possible.

具体的には、本発明のポリマー組成物を用いて湿式製膜法にて層形成する場合、このポリマー組成物中に含まれる水分量は、1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下、さらに好ましくは0.05重量%以下である。 More specifically, in the case of layer formation by a wet film-forming method using the polymer composition of the present invention, the amount of water contained in the polymer composition is 1 wt% or less, preferably 0.1 wt% , still more preferably 0.05 wt% or less.

また、一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、素子の劣化の観点からも、水分の存在は好ましくない。 In general, the organic electroluminescent device, because it is significantly degraded the material to a number used by the moisture of the cathode such as, from the viewpoint of deterioration of the device, the presence of moisture is not preferred.

ポリマー組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶媒を予め脱水する、水の溶解度が低い溶媒を使用する等の方法が挙げられる。 As a method for reducing the water content of the polymer composition, for example, nitrogen blanket, the use of drying agents, solvents beforehand dehydrated, solubility of water and a method such as the use of low solvent. なかでも、水の溶解度が低い溶媒を使用する場合は、湿式製膜工程中に、形成された膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。 Above all, if the solubility of water uses low solvent, in the wet film process, the formed film is preferable because it can prevent the phenomenon of whitening by absorbing moisture in the air.

この様な観点からは、本発明のポリマー組成物を用いて、特に湿式製膜法により膜形成する用途に用いる場合、該ポリマー組成物は、例えば、25℃における水の溶解度が1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下である溶媒を、組成物中に10重量%以上含有することが好ましい。 From such a point of view, by using the polymer composition of the present invention, especially when used in applications that film formation by a wet film-forming method, the polymer composition may, for example, 1 wt% or less solubility in water at 25 ° C. , it preferably contains a solvent is 0.1 wt% or less, in the composition 10 wt% or more. なお、この水溶解度条件を満たす溶媒がポリマー組成物中に30重量%以上であればより好ましく、50重量%以上であれば特に好ましい。 Incidentally, more preferably as long as 30 wt% or more to the water solubility satisfying solvent polymer composition, particularly preferably in the range from 50% by weight or more.

{電子受容性化合物} {Electron-accepting compound}
次に、本発明のポリマー組成物に含まれることが好ましい電子受容性化合物について説明する。 Will now be described contained in the polymer composition is preferably an electron-accepting compound of the present invention.

電子受容性化合物とは、酸化力を有し、本発明の高分子化合物などの正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。 The electron-accepting compound, having oxidizing power, is preferably a compound which has the ability to one-electron accepting a positive hole transporting compound such as a polymer compound of the present invention, specifically, is the electron affinity 4eV or more preferably compounds, more preferred compounds are more compounds 5 eV.

例としては、4−イソプロピル−4'−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。 Examples include 4-isopropyl-4'-onium salts substituted with organic group such as a methyl diphenyl iodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) (JP-A-11-251067), a high, such as ammonium peroxodisulfate valence inorganic compounds, cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pentafluorophenyl) borane (JP 2003-31365) aromatic boron compounds such as fullerene derivatives, and iodine.

上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。 Of the above compounds, the substitution of a strong onium salts substituted with organic groups in having oxidizing power, high-valence inorganic compounds are preferred, organic groups in that they are applicable to the wet coating soluble in various solvents onium salts, cyano compounds, aromatic boron compounds are preferred. 特に、有機基の置換したオニウム塩が好ましく、中でもヨードニウム塩が好ましい。 In particular, onium salts substituted with organic groups are preferable, among them an iodonium salt.

電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であるが、何らそれらに限定されるものではない。 Onium salts substituted with suitable organic group as an electron-accepting compound, cyano compounds, specific examples of the aromatic boron compounds include those described in JP WO2005 / 089024, but the same applies to its preferred embodiment, not in any way intended to be limited to them.

電子受容性化合物は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。 Electron-accepting compounds may be used singly or may be used in combination of two or more.

{正孔輸送性化合物} {Hole-transporting compound}
本発明のポリマー組成物は、前述した本発明の高分子化合物の他に正孔輸送性化合物を含んでいても良い。 The polymeric compositions of the present invention may contain a hole-transporting compound in addition to the polymer compound of the present invention described above. 以下に、該正孔輸送性化合物について説明する。 The following describes the hole transporting compound.

上記の正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜5.5eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が正孔輸送性の点で好ましく、例えば、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体またはポルフィリン誘導体、ジアリールアミノ基を有する8−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体、オリゴチオフェン誘導体等が挙げられる。 Examples of the hole transporting compound, preferably in that a compound having an ionization potential of 4.5eV~5.5eV is a hole transporting property, for example, aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives or porphyrin derivatives, a diarylamino group 8-hydroxyquinoline derivative of a metal complex having, oligothiophene derivatives, and the like.

また、上記の正孔輸送材料としては、種々の溶媒に溶解し易い正孔輸送性化合物が好ましい。 As the hole transport material of the hole transport compound easily dissolved in various solvents it is preferred.

芳香族三級アミン化合物としては、例えば、ビナフチル系化合物(特開2004−014187)および非対称1,4−フェニレンジアミン化合物(特開2004−026732)が好ましい。 Examples of the aromatic tertiary amine compounds, e.g., binaphthyl compound (JP 2004-014187) and unsymmetrical 1,4-phenylenediamine compound (JP 2004-026732) is preferable. また、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜形成材料として利用されてきた化合物の中から、種々の溶剤に溶解し易い化合物を適宜選択しても良い。 Conventionally, among the compounds that have been used as a hole injecting and transporting film forming material in the organic electroluminescent device may be appropriately selected from various dissolved in a solvent the compound liable.

正孔注入・輸送性の薄膜形成材料として利用されてきた、従来公知の化合物としては、例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59−194393号公報);4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン化合物(特開平5−234681号公報);トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン化合物(米国特許第4,923,774号);N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−4,4'−ジアミン等の芳香族ジアミン化合物(米 It has been used as a hole injecting and transporting film materials, conventional known compounds, for example, 1,1-bis (4-di -p- tolyl-aminophenyl) tertiary aromatic amine units of cyclohexane aromatic diamine compounds of concatenating (JP 59-194393 JP); 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] two or more tertiary amines typified by biphenyl aromatic amine compounds in which two or more fused aromatic rings substituted on the nitrogen atom include (JP-a-5-234681); aromatic triamine compounds having a starburst structure a derivative of triphenylbenzene (US 4 , No. 923,774); N, N'- diphenyl -N, N'-bis (3-methylphenyl) biphenyl-4,4'-aromatic diamine compounds such as diamines (US 国特許第4,764,625号);α,α,α',α'−テトラメチル−α,α'−ビス(4−ジ(p−トリル)アミノフェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公報);分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−129271号公報);ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開平4−175395号公報);エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開平4−264189号公報);スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4−290851号公報);チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結した化合物(特開平4−304466号公報);スターバースト型芳香族トリアミン化合物(特開平4−308688号公報);ベンジル Country Patent No. 4,764,625); α, α, α ', α'- tetramethyl-.alpha.,. Alpha .'- bis (4-di (p- tolyl) aminophenyl)-p-xylene (JP 3 -269084 JP); molecular whole sterically asymmetric triphenylamine derivative (JP-a-4-129271); compounds in which an aromatic diamino groups have a plurality substituted pyrenyl group (JP-a-4-175395) ; aromatic diamine compound connected tertiary aromatic amine units ethylene group (JP-a-4-264189); aromatic diamines having styryl structures (Japanese Unexamined 4-290851 JP); aromatic 3 thiophene group compound connected to Kyu amine unit (JP-a-4-304466); starburst aromatic triamine compounds (JP-a 4-308688 JP); benzyl ェニル化合物(特開平4−364153号公報);フルオレン基で3級アミンを連結した化合物(特開平5−25473号公報);トリアミン化合物(特開平5−239455号公報);ビスジピリジルアミノビフェニル(特開平5−320634号公報);N,N,N−トリフェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報);フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特開平7−138562号公報);ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公報);ヒドラゾン化合物(特開平2−311591号公報);シラザン化合物(米国特許第4,950,950号公報); Eniru compound (JP-A-4-364153); compounds in which tertiary amine linked with a fluorene group (JP-A-5-25473); triamine compound (JP-A 5-239455 JP); bis dipyridyl aminobiphenyl (JP No. 5-320634 JP); N, N, N-triphenylamine derivatives (JP-a-6-1972); aromatic diamines having phenoxazine structures (Japanese Unexamined 7-138562 JP); diaminophenyl phenanthridine lysine derivative (JP-a-7-252474); hydrazone compound (JP-a-2-311591 publication); silazane compound (U.S. Pat. No. 4,950,950);
シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報);ホスファミン誘導体(特開平6−25659号公報);キナクリドン化合物等が挙げられる。 Silanamine derivatives (JP-A-6-49079); phosphamine derivatives (JP-A-6-25659 JP); quinacridone compounds, and the like. また、フタロシアニン誘導体又はポルフィリン誘導体の好ましい具体例としては、ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンコバルト(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン銅(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンバナジウム(IV)オキシド、5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)−21H,23H−ポルフィリン、29H,31H−フタロシアニン銅(II)、フタロシアニン亜鉛(II)、フタロシアニンチタン、フタロシアニンオキシド Preferable examples of phthalocyanine derivatives or porphyrin derivatives, porphyrin, 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin, 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin cobalt (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin copper (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin zinc (II), 5,10, 15,20- tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin vanadium (IV) oxide, 5,10,15,20-tetra (4-pyridyl)-21H, 23H-porphyrin, 29H, 31H-phthalocyanine copper (II), phthalocyanine zinc (II), phthalocyanine titanium, phthalocyanine oxide グネシウム、フタロシアニン鉛、フタロシアニン銅(II)、4,4',4”,4'''−テトラアザ−29H,31H−フタロシアニン等が挙げられる。 Magnesium, phthalocyanine lead, phthalocyanine copper (II), 4,4 ', 4 ", 4' '' - tetraaza-29H, 31H-phthalocyanine, and the like.

また、オリゴチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、α−ターチオフェンとその誘導体、α−セキシチオフェンとその誘導体、ナフタレン環を含有するオリゴチオフェン誘導体(特開6−256341)等が挙げられる。 Further, preferred examples of oligothiophene derivatives, alpha-terthiophene and its derivatives, alpha-sexithiophene and derivatives thereof, oligothiophene derivatives (JP 6-256341) and the like containing a naphthalene ring.

これらの正孔輸送性化合物は、必要に応じて2種以上を混合して用いても良い。 These hole transporting compound may be used as a mixture of two or more as necessary.

{材料濃度と配合比} {Material concentration compounding ratio}
本発明のポリマー組成物中の本発明の高分子化合物、電子受容性化合物および必要に応じて添加可能な成分(正孔輸送性化合物、レベリング剤など)などの固形分濃度は、通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、最も好ましくは1重量%以上であり、通常80重量%以下、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下、最も好ましくは20重量%以下である。 The polymer compound of the present invention in the polymer composition of the present invention, the solid concentration of such an electron-accepting compound and if necessary with the addition moiety (hole-transporting compound, such as a leveling agent) is usually 0.01 wt% or more, preferably 0.05 wt% or more, more preferably 0.1 wt% or more, more preferably 0.5 wt% or more, and most preferably at least 1 wt%, usually 80 wt% or less, preferably 50 wt% or less, 40 wt% and more preferably less, more preferably 30 wt% or less, most preferably 20 wt% or less. この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる。 When the concentration is below the lower limit, the case of forming a thin film, it is difficult to form a thick film, exceeds the upper limit, it becomes difficult to form a thin film.

また、本発明のポリマー組成物において、電子受容性化合物/高分子化合物の重量混合比は、通常0.1/99.9以上であり、より好ましくは0.5/99.5以上であり、さらに好ましくは1/99以上であり、最も好ましくは2/98以上で、通常90/10以下であり、より好ましくは70/30以下であり、さらに好ましくは50/50以下である。 Further, in the polymer composition of the present invention, the weight mixing ratio of the electron accepting compound / polymer compound is usually 0.1 / 99.9 or more, more preferably 0.5 / 99.5 or more, still more preferably 1/99 or more, and most preferably at 2/98 or more, and usually 90/10 or less, more preferably 70/30 or less, further preferably 50/50 or less. この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、正孔注入性や耐熱性が低下するおそれがある。 Or below this ratio the lower limit, when or exceeds the upper limit, the hole injection property and heat resistance may be deteriorated.

{調製方法} {Preparation}
本発明のポリマー組成物は、本発明の高分子化合物、電子受容性化合物および必要に応じて添加可能な成分よりなる溶質を、適当な溶媒に溶解させることにより調製される。 The polymeric compositions of the present invention, the polymer compound of the present invention, an electron-accepting compound and formed of the addition moiety optionally solute is prepared by dissolving in a suitable solvent. 溶解工程に要する時間を短縮するため、および組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常液を撹拌しながら溶質を溶解させる。 To reduce the dissolution process takes time, and to maintain the solute concentration in the composition uniformly, to dissolve the solute with stirring usually liquid. 溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。 Dissolution step may be performed at room temperature, but if the dissolution rate is low can also be dissolved by heating. 溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。 After dissolution process is completed, if necessary, it may be via filtration step such as filtering.

{ポリマー組成物の性状、物性等} {Properties of the polymer composition, physical properties, etc.}
〈水分濃度〉 <Moisture concentration>
本発明のポリマー組成物を用いた湿式製膜法により層形成して有機電界発光素子を製造する場合、用いるポリマー組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、本発明のポリマー組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。 When manufacturing the organic electroluminescent element by a layer formed by a wet film-forming method using the polymer composition of the present invention, used when moisture is present in the polymer composition, formed film moisture mixed in the film uniformity of because sex is impaired, the moisture content of the polymer composition of the present invention is preferably as small as possible. また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、ポリマー組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。 Also in general, the organic electroluminescent device, since it is a material much used for significantly degraded by moisture of the cathode such as when water is present in the polymer composition, moisture may remain in the film after drying, the element It may degrade the characteristics considered undesirable.

具体的には、本発明のポリマー組成物中に含まれる水分量は、通常1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下、より好ましくは0.01重量%以下である。 Specifically, the amount of water contained in the polymer composition of the present invention is usually 1 wt% or less, preferably 0.1 wt% or less, and more preferably not more than 0.01 wt%.

ポリマー組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」(JIS K0068:2001)に記載の方法が好ましく、例えば、カールフィッシャー試薬法(JIS K0211−1348)等により分析することができる。 The method of measuring the water concentration in the polymeric composition, Japanese Industrial Standard "moisture measurement of chemicals": Preferably the method described in (JIS K0068 2001), for example, Karl Fischer reagent method (JIS K0211-1348) or the like it can be analyzed by.

〈均一性〉 <Uniformity>
本発明のポリマー組成物は、湿式製膜プロセスでの安定性、例えば、インクジェット製膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるためには、常温で均一な液状であることが好ましい。 The polymeric compositions of the present invention, stability in the wet film process, for example, in order to improve the ejection stability from the nozzle of the ink jet film forming method is preferably a homogeneous liquid at room temperature. 常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ組成物中に粒径0.1μm以上の粒子成分を含有しないことをいう。 In a homogeneous liquid normal temperature, a liquid composition consisting of a homogeneous phase, and means that do not contain a particle diameter 0.1μm or more particle component in the composition.

〈物性〉 <Properties>
本発明のポリマー組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば製膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット製膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット製膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。 The viscosity of the polymer composition of the present invention, an extremely case of low viscosity, for example, film excessive liquid film coating surface uneven due to the flow in the process, becomes defective nozzle discharge or the like is likely to occur in the ink jet casting, extreme for high viscosity, nozzle clogging and the like in the ink-jet film forming is likely to occur. このため、本発明の組成物の25℃における粘度は、通常1mPa・s以上、好ましくは3mPa・s以上、より好ましくは5mPa・s以上であり、通常1000mPa・s以下、好ましくは100mPa・s以下、より好ましくは50mPa・s以下である。 Thus, a viscosity at 25 ° C. of the composition of the present invention is usually 1 mPa · s or more, preferably 3 mPa · s or more, more preferably 5 mPa · s or more, usually less than 1000 mPa · s, preferably not more than 100 mPa · s , more preferably not more than 50mPa · s.

また、本発明のポリマー組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する製膜用液の濡れ性が低下する、液膜のレベリング性が悪く、乾燥時の製膜面乱れが起こりやすくなる等の問題が発生するため、本発明の組成物の20℃における表面張力は、通常50mN/m未満、好ましくは40mN/m未満である。 Further, the present invention if the surface tension is high for the polymer composition, is reduced wettability of the film for a liquid to the substrate, leveling of the liquid film is poor, film surface disruption during drying, such as tends to occur a problem occurs, the surface tension at 20 ° C. of the composition of the present invention is usually less than 50 mN / m, preferably less than 40 mN / m.

さらに、本発明のポリマー組成物の蒸気圧が高い場合は、溶媒の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる。 Furthermore, if the vapor pressure of the polymer composition of the present invention is high, problems such as changes in solute concentration due to evaporation of the solvent tends to occur. このため、本発明の組成物の25℃における蒸気圧は、通常50mmHg以下、好ましくは10mmHg以下、より好ましくは1mmHg以下である。 Thus, vapor pressure at 25 ° C. of the composition of the present invention is normally less than 50 mmHg, preferably 10mmHg or less, and more preferably not more than 1 mmHg.

{ポリマー組成物の保存方法} {Save method of a polymer composition}
本発明のポリマー組成物は、紫外線の透過を防ぐことのできる容器、例えば、褐色ガラス瓶等に充填し、密栓して保管することが好ましい。 The polymeric compositions of the present invention, a container capable of preventing the transmission of ultraviolet light, for example, filled into brown glass bottles or the like, it is preferable to keep sealed. 保管温度は、通常−30℃以上、好ましくは0℃以上で、通常35℃以下、好ましくは25℃以下である。 Storage temperature is usually -30 ° C. or higher, preferably at 0 ℃ or higher, usually 35 ° C. or lower, preferably 25 ° C. or less.

[有機薄膜] [Organic Thin Film]
本発明のポリマー組成物を用いて湿式製膜法により形成された本発明の有機薄膜は、結晶化しにくく、発光特性、耐熱性に優れた膜であり、通常有機電界発光素子の陰極と陽極との間の層として使用される。 The organic thin film using the polymer composition present invention formed by a wet film-forming method of the present invention hardly crystallizes, emission characteristics, an excellent film in heat resistance, the cathode and anode of a normal organic EL device It is used as a layer between.

ここで、本発明における湿式製膜法とは、溶媒を含む組成物を、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ダイコート法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法などの塗布法を用いて製膜することを言う。 Here, the wet film forming method in the present invention, a composition comprising a solvent, spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing method, screen printing method, a coating method such as an inkjet method It refers to the film by using.

本発明の有機薄膜の膜厚は用途に応じて適宜決定され、例えば、有機電界発光素子の発光層であれば、後述の如く、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下、或いは、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。 The film thickness of the organic thin film of the present invention is appropriately determined depending on the application, for example, if the light-emitting layer of an organic electroluminescent device, as described later, usually 10nm or more, preferably 20nm or more, usually 300nm or less, preferably 200nm or less, or usually 30nm or more, preferably 50nm or more, usually 500nm or less, preferably 300nm or less.

[有機電界発光素子] [Organic electroluminescence device]
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有し、陽極と陰極の間に、本発明の高分子化合物を含有することを特徴とする。 The organic electroluminescent device of the present invention has an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between the two electrodes, between an anode and a cathode, characterized in that it contains a polymer compound of the present invention. すなわち本発明の高分子化合物を含有する層を有することが好ましい。 That it is preferred to have a layer containing a polymer compound of the present invention. 該層はさらに電子受容性化合物を含有することが好ましい。 It said layer preferably further contains an electron accepting compound. 特に、前記本発明のポリマー組成物を用いて湿式製膜法により形成された層を有する有機電界発光素子であることが好ましい。 In particular, it is preferable that the organic electroluminescent device having a layer formed by a wet film-forming method using the polymer composition present invention.

前記陽極と陰極の間の本発明の高分子化合物が含有される層とは、正孔注入層および/または正孔輸送層であることが好ましい。 Wherein the anode and a layer polymer compound of the present invention during the cathode is contained is preferably a hole injection layer and / or hole transport layer. 特に、本発明の高分子化合物は、陽極と接する位置に、湿式製膜法にて形成された正孔注入層として用いる場合が、陽極の表面粗さが緩和され、素子作製時の短絡欠陥の防止に効果的であるというこの層の長所が十分に生かされるため好ましい。 In particular, the polymer compound of the present invention, in a position in contact with the anode, is used as a hole injection layer formed by a wet film-forming method is, is relieved surface roughness of the anode, the short-circuit defects during device fabrication preferred for the advantages of this layer that it is effective is exploited sufficiently to prevent. また、本発明の高分子化合物は、適度なイオン化ポテンシャルを有し、高い酸化還元安定性、高い正孔注入・輸送性を示し、有機電界発光素子の正孔注入・輸送材料として好ましい。 The polymer compound of the present invention, has an appropriate ionization potential, high redox stability, shows high hole injecting and transporting, preferable as the hole injecting and transporting material for an organic electroluminescent device. もちろん、本発明の高分子化合物は発光層に使用してもよい。 Of course, the polymer compound of the present invention may be used in the light emitting layer.

図1〜6は本発明の有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は発光層、5は電子注入層、6は陰極を各々表す。 Figure 1-6 is a schematic cross-sectional view showing a preferred structure examples The organic electroluminescent element of the present invention, in FIG. 1, 1 is a substrate, 2 anode, 3 hole-injecting layer, the fourth light emitting layer, 5 the electron injection layer, 6 represents each cathode.

[1]基板 基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。 [1] Substrate The substrate 1 is to be a support for an organic electroluminescent device, a quartz or glass plate, a metal plate or foil, or a plastic film or sheet. 特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。 In particular, a glass plate, polyester, polymethacrylate, polycarbonate, transparent synthetic resin plate such as polysulfone preferred. 合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。 When a synthetic resin substrate is used it is necessary to pay attention to the gas barrier property. 基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。 When the gas barrier property of the substrate is too small, undesirable organic electroluminescent device may deteriorate by the outside air passing through the substrate. このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。 Therefore, a method of securing the gas barrier property provide a dense silicon oxide film on at least one surface of the synthetic resin substrate is also one of preferred methods.

[2]陽極 基板1上には陽極2が設けられる。 [2] The anode 2 is provided on the anode substrate 1. 陽極2は発光層側の層(正孔注入層3又は発光層4など)への正孔注入の役割を果たすものである。 The anode 2 plays a role of hole injection into the layer of luminescent layer side (such as the hole injection layer 3 or the light-emitting layer 4).

この陽極2は、通常アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。 The anode 2 is usually of aluminum, gold, silver, nickel, palladium, a metal such as platinum, a metal oxide such as indium and / or tin oxide, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or poly (3-methylthiophene), polypyrrole, etc. an electrically conductive polymer such as polyaniline.

陽極2の形成は通常スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。 Formation of the anode 2 is usually sputtering, is often performed by a vacuum deposition method. また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。 The metal particles such as silver, fine particles of copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, in the case of forming the anode by using a conductive polymer fine powder, in a suitable binder resin solution dispersed, it is also possible to form the anode 2 by coating on the substrate 1. さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。 Furthermore, in the case of a conductive polymer, it may be formed a thin film directly on the substrate 1 by electrolytic polymerization, also for forming the anode 2 by coating a conductive polymer on a substrate 1 (Appl ., Vol. 60, pp. 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 Although the anode 2 is usually a single-layer structure, it is possible to a laminated structure comprising a plurality of materials as desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。 The thickness of the anode 2 varies with the requirement for transparency. 透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。 When transparency is required, the transmittance of visible light, usually 60% or more, preferably it is desirable that 80% or more. この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。 In this case, the thickness of the anode is typically 5nm or more, preferably 10nm or more, and usually at most 1000 nm, preferably degree 500nm or less. 不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。 Where opaqueness is thickness of the anode 2 is arbitrary, the anode 2 may be the same as the substrate 1. また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。 Still it is possible to laminate a different conductive material on the anode 2 described above.

陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。 To remove impurities attached to the anode, for the purpose of improving the hole injection property by adjusting the ionization potential, the anode surface or ultraviolet (UV) / ozone treatment, oxygen plasma, or to an argon plasma treatment It is preferred.

[3]正孔注入層 正孔注入層3は、湿式製膜法又は真空蒸着法により陽極2上に形成される。 [3] the hole injection layer hole injection layer 3 is formed on the anode 2 by a wet film-forming method or vacuum deposition method. 正孔注入層3は陽極2から発光層4へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層3には本発明の高分子化合物等の正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。 Since the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the luminescent layer 4, the hole injection layer 3 preferably contains a hole-transporting compound of the polymer compound or the like of the present invention.

特に、低い電圧で駆動可能で、高い発光効率を有し、耐熱性が高い有機電界発光素子の作成が可能であり、得られる有機電界発光素子の定電流駆動時の発光輝度の低下、電圧上昇、非発光部分(ダークスポット)の発生、短絡欠陥等が抑制できるため、正孔注入層3は本発明のポリマー組成物を用いて湿式製膜法により形成されることが好ましい。 In particular, can be driven at a low voltage, has high luminous efficiency, is capable of creating a high organic electroluminescent element heat resistance, lowering of light emission brightness in constant-current driving of the organic EL device obtained, a voltage rise , occurrence of non-light emitting portion (dark spot), since the short-circuit defects and the like can be suppressed, the hole injection layer 3 is preferably formed by a wet film-forming method using the polymer composition of the present invention. 前記湿式製膜法としては、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等が挙げられる。 As the wet film forming method, spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, inkjet method and the like.

正孔注入層3では、電気的に中性の化合物から電子が一つ除かれたカチオンラジカルが、近傍の電気的に中性な化合物から一電子を受容することによって、正孔が移動する。 In the hole injection layer 3, electrically cation radical electrons are removed one from neutral compounds are, by accepting an electron from the electrically neutral compounds of the neighborhood, holes move. 素子非通電時の正孔注入層3にカチオンラジカル化合物が含まれない場合は、通電時に、正孔輸送性化合物が陽極2に電子を与えることにより正孔輸送性化合物のカチオンラジカルが生成し、このカチオンラジカルと電気的に中性な正孔輸送性化合物との間で電子の授受が行われることにより正孔を輸送する。 If the hole injection layer 3 when elements not energized not contain a cation radical compound, when energized, a hole-transporting compound is a cation radical of the hole-transporting compound is produced by providing electrons to the anode 2, transporting holes by electron transfer is performed between the cation radical and an electrically neutral hole-transporting compound.

正孔注入層3にカチオンラジカル化合物が含まれると、陽極2による酸化によって生成する以上の濃度で正孔輸送に必要なカチオンラジカルが存在することになり、正孔輸送性能が向上するため、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましい。 When the cation radical compound in the hole injection layer 3 is included, it will be the presence of a cation radical necessary for hole transport in a concentration of more than that produced by oxidation with the anode 2, since the hole transport performance is improved, positive preferably contains a cation radical compound in the hole injection layer 3.

ここで、カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物であり、移動しやすい正孔(フリーキャリア)を既に有している。 Here, the cation radical compound, a cation radical is a chemical species by removing one electron from the hole-transporting compound, an ionic compound consisting of a counter anion, have moved easily hole a (free carrier) already there.

また、本発明の高分子化合物等の正孔輸送性化合物に電子受容性化合物を混合することによって、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物への一電子移動が起こり、上述のカチオンラジカル化合物が生成する。 Further, by mixing an electron-accepting compound to the hole-transporting compound of the polymer compound or the like of the present invention, it occurs one-electron transfer from the hole-transporting compound to the electron-accepting compound, the cation radical compounds described above generated. このため、正孔注入層3に本発明の高分子化合物等の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことが好ましい。 Therefore, it is preferred to include a hole-transporting compound of the polymer compound or the like of the present invention in the hole injection layer 3 and the electron-accepting compound.

さらに、必要に応じて、正孔注入層3には電荷のトラップになりにくいバインダー樹脂や、塗布性改良剤を含んでいてもよい。 Further, if necessary, and less likely binder resin to charge trapping in the hole injection layer 3 may contain a coatability improving agent.

また、正孔注入層3として、電子受容性化合物のみを湿式製膜法によって陽極2上に製膜し、その上から直接、本発明のポリマー組成物を塗布、積層することも可能である。 Further, as the hole injection layer 3, only the electron-accepting compound to form a film on the anode 2 by a wet film-forming method, directly thereon, a polymer composition of the present invention is applied, it can be laminated. この場合、本発明のポリマー組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。 In this case, a part of the polymer composition of the present invention by interacting with the electron-accepting compound, excellent layer in the hole injection property is formed.

[4]発光層 発光層4は、通常湿式製膜法又は真空蒸着法により正孔注入層3上に形成される。 [4] Light-Emitting Layer The light-emitting layer 4 is formed on the hole injection layer 3 by a conventional wet film forming method or a vacuum evaporation method. 発光層4は発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極6から電子輸送層5を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。 Emitting layer 4 is a layer containing a light emitting material, between the energized electrodes, holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and electrons injected through the electron-transporting layer 5 from the cathode 6 it is excited by recombination of a layer serving as a main emission source.

発光層4は発光材料(ドーパント)と1種又は2種以上のホスト材料を含むことが好ましい。 Emitting layer 4 preferably includes a light-emitting material (dopant) and one or more host materials. 発光層4は真空蒸着法で作製された層であっても、湿式製膜法によって作製された層であってもよい。 Emitting layer 4 may be a layer made by vacuum evaporation method, it may be a layer made by a wet film-forming method.

また、発光層4には、ポリフルオレン誘導体やポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体等の高分子発光材料を用いることも可能であり、もちろん、本発明の高分子化合物を用いることも可能である。 Further, the light-emitting layer 4, it is also possible to use a polyfluorene derivative and poly (p- phenylene vinylene) polymer light-emitting materials such as derivatives, of course, it is also possible to use a polymer compound of the present invention.

発光層4の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。 The thickness of the light-emitting layer 4 is usually 10nm or more, preferably at 20nm or more, usually 300nm or less, preferably 200nm or less.

発光材料とは、主として発光する成分を指し、有機電界発光素子におけるドーパント成分に当たる。 The luminescent material refers to a component which mainly emits light, strikes the dopant component in an organic electroluminescent device. 該有機電界発光素子から発せられる光量(単位:cd/m )の内、通常10〜100%、好ましくは20〜100%、より好ましくは50〜100%、最も好ましくは80〜100%が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。 Amount (unit: cd / m 2) emitted from the organic electroluminescence device of, 10-100% usually, preferably 20-100%, more preferably 50-100%, most preferably from 80 to 100% If identified as emission from one component material, it defines it as the luminescent material.

発光材料としては、任意の公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料あるいは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。 As the light emitting material may be applied to any known materials, can be used a fluorescent light emitting material or phosphorescent material alone or a mixture of plural kinds, from the viewpoint of the internal quantum efficiency, preferred is a phosphorescent material.

なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、あるいはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。 For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to or introduce a lipophilic substituent such as symmetry and or reduce the stiffness, or an alkyl group of luminescent material molecules.

青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。 Fluorescent dye giving blue light emission include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p- bis (2-phenylethenyl) benzene and derivatives thereof. 緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。 The green fluorescent dye, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and the like. 黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。 The yellow fluorescent dye, rubrene, perimidone derivatives. 赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。 The red fluorescent dye, DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, aza benzothioxanthene and the like.

燐光発光材料としては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。 The phosphorescent materials include organometallic complexes containing a metal selected from, for example, periodic table 7 to Group 11.

周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。 The preferred metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal to the periodic table 7 not selected from Group 11, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold, and the like. これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式(VIII−1)又は下記一般式(VIII−2)で表される化合物が挙げられる。 As these organometallic complexes, preferably the compound represented by the following general formula (VIII-1) or the following general formula (VIII-2) can be mentioned.
ML (q−j) L' (VIII−1) ML (q-j) L ' j (VIII-1)
(一般式(VIII−1)中、Mは金属を表し、qは上記金属の価数を表す。また、LおよびL'は二座配位子を表す。jは0、1又は2を表す。) (In the general formula (VIII-1), M represents a metal, q represents the valence of the metal. Further, the .j L and L 'representing the bidentate ligand represents 0, 1 or 2 .)

(一般式(VIII−2)中、M は金属を表し、Tは炭素又は窒素を表す。R 92 〜R 95は、それぞれ独立に置換基を表す。ただし、Tが窒素の場合は、R 94およびR 95は無い。) (In the general formula (VIII-2), M d represents a metal, T is .R 92 to R 95 that represents a carbon or nitrogen, each independently represent a substituent. However, when T is nitrogen, R 94 and R 95 is not.)

以下、まず、一般式(VIII−1)で表される化合物について説明する。 Hereinafter, first, the general formula (VIII-1) compounds represented by will be described.
一般式(VIII−1)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。 In the general formula (VIII-1), M represents an arbitrary metal, and specific examples of the preferred include metals described above as the metal to periodic table 7 is selected from Group 11.
また、一般式(VIII−1)中の二座配位子LおよびL'は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。 In general formula (VIII-1) bidentate ligand L and L 'in respectively show ligand having the following partial structure.

L'として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。 As L ', from the viewpoint of stability of the complex, particularly preferred, it is given below.

上記L,L'の部分構造において、環A1は、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。 In the partial structure of the L, L ', ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, which may have a substituent. また、環A2は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。 Moreover, the ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group, which may have a substituent.

環A1および環A2が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。 If the ring A1 and ring A2 has a substituent, examples of preferred substituents, a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group such as methyl group and ethyl group; alkenyl groups such as vinyl group; a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, etc. alkoxycarbonyl group; an alkoxy group such as methoxy group and ethoxy group; a dimethylamino group, a dialkylamino group such as a diethylamino group; carbazolyl group; a diarylamino group such as a diphenylamino group a phenoxy group, an aryloxy group such as a benzyl group cyano group; a haloalkyl group such as trifluoromethyl group; an acyl group such as an acetyl group a phenyl group, a naphthyl group, and aromatic hydrocarbon groups such as a phenanthryl group.

一般式(VIII−1)で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式(VIII−1a)、(VIII−1b)、(VIII−1c)で表される化合物が挙げられる。 The compound represented by the general formula (VIII-1), more preferably the following general formula (VIII-1a), (VIII-1b), include compounds represented by (VIII-1c).

(一般式(VIII−1a)中、M はMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In the general formula (VIII-1a), M a represents the same metal as M, w represents the valence of the metal. Further, the ring A1 is an aromatic optionally substituted hydrocarbon group the stands, ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

(一般式(VIII−1b)中、M はMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In the general formula (VIII-1b), M b represents the same metal as M, w represents the valence of the metal. Further, the ring A1 is an aromatic optionally substituted hydrocarbon group or have a substituent represents an aromatic heterocyclic group, ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

(一般式(VIII−1c)中、M はMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、jは0、1又は2を表す。さらに、環A1および環A1'は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環A2および環A2'は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In the general formula (VIII-1c), M c denotes the same metal as M, w represents the valence of the metal. Further, j represents 0, 1 or 2. Further, the ring A1 and ring A1 'are each independently have an aromatic optionally substituted hydrocarbon group or a substituted group represented by the even aromatic heterocyclic group. Moreover, the ring A2 and ring A2' each independently, represent a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

上記一般式(VIII−1a)、(VIII−1b)、(VIII−1c)において、環A1および環A1'の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。 The general formula (VIII-1a), in (VIII-1b), (VIII-1c), as the group of ring A1 and ring A1 ', preferably, for example, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, thienyl group, furyl group, benzothienyl group, benzofuryl group, a pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.

また、環A2、環A2'の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。 As the group of ring A2, ring A2 ', preferably, for example, pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazinyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, phenanthridyl group, and the like.

さらに、一般式(VIII−1a)、(VIII−1b)、(VIII−1c)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。 Moreover, the general formula (VIII-1a), (VIII-1b), as the (VIII-1c) substituent optionally the compound has to be represented by a halogen atom such as a fluorine atom; a methyl group, an ethyl group a methoxycarbonyl group, an alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; alkenyl groups such as vinyl group, alkyl group such a methoxy group, an alkoxy group such as ethoxy group; a dimethylamino group; a phenoxy group, an aryloxy group such as a benzyl group dialkylamino groups such as diethylamino group; a haloalkyl group such as trifluoromethyl group; an acyl group of the acetyl group or the like; carbazolyl group; a diarylamino group such as a diphenylamino group and a cyano group.

上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。 When the substituent is an alkyl group, the carbon number is usually 1 or more and 6 or less. さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。 Further, when the substituent is an alkenyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。 Further, when the substituent is an alkoxycarbonyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。 Further, when the substituent is an alkoxy group, the carbon number is usually 1 or more and 6 or less. また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常6以上14以下である。 Further, when the substituent is an aryloxy group, the carbon number is usually 6 to 14. さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常2以上24以下である。 Further, when the substituent is a dialkylamino group, the carbon number is usually 2 or more 24 or less. また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常12以上28以下である。 Further, when the substituent is a diarylamino group, the carbon number is usually 12 or more 28 or less. さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常1以上14以下である。 Further, when the substituent is an acyl group, the carbon number is usually 1 to 14. また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上12以下である。 Further, when the substituent is a haloalkyl group, the carbon number is usually 1 to 12.

なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。 Incidentally, these substituents may be bonded to each other to form a ring. 具体例としては、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、又は、環A1'が有する置換基と環A2'が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。 As a specific example, if a substituent group having a substituent and ring A2 which ring A1 has to bind, or by whether the substituent group of the "substituent and ring A2 having the 'ring A1 binds one One of the fused ring may be formed. このような縮合環基としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。 Examples of such fused ring group, 7,8-benzoquinoline group.

中でも、環A1、環A1'、環A2および環A2'の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。 Among them, as the substituent of the ring A1, ring A1 ', ring A2 and ring A2', more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, a carbazolyl group and the like.

また、一般式(VIII−1a)、(VIII−1b)、(VIII−1c)におけるM ,M ,M として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。 In general formula (VIII-1a), (VIII -1b), (VIII-1c) in M a, M b, preferably as M c, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold and the like.

上記一般式(VIII−1)、(VIII−1a)、(VIII−1b)又は(VIII−1c)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない(以下において、Phはフェニル基を表す。)。 The general formula (VIII-1), (VIII-1a), are shown below Specific examples of the organic metal complex represented by (VIII-1b) or (VIII-1c), it is limited to the following compounds no (hereinafter, Ph is a phenyl group.).

上記一般式(VIII−1)、(VIII−1a)、(VIII−1b)、(VIII−1c)で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Lおよび/又はL'として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。 The general formula (VIII-1), as (VIII-1a), (VIII-1b), among the organic metal complex represented by (VIII-1c), in particular, the ligands L and / or L '2- aryl pyridine based ligand, i.e., 2-aryl pyridine, to which the union is optional substituents, and compounds having what any group is fused thereto are preferred.

次に、前記一般式(VIII−2)で表される化合物について説明する。 It will now be described compound represented by the general formula (VIII-2).
一般式(VIII−2)中、M は金属を表し、具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。 In the general formula (VIII-2), M d represents a metal, and specific examples include metals described above as the metal to periodic table 7 is selected from Group 11. 中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。 Among them, preferably, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, include platinum or gold, particularly preferably platinum, and a divalent metal such as palladium.

また、一般式(VIII−2)において、R 92およびR 93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 In the general formula (VIII-2), R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, carboxyl group, an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

さらに、Tが炭素の場合、R 94およびR 95は、それぞれ独立に、R 92およびR 93と同様の例示物で表される置換基を表す。 Further, if T is carbon, R 94 and R 95 each independently represents a substituent represented by the same exemplary compounds and R 92 and R 93. また、前述の如く、Tが窒素の場合はR 94およびR 95は無い。 Further, as described above, when T is nitrogen R 94 and R 95 are not.

また、R 92 〜R 95はさらに置換基を有していてもよい。 Further, R 92 to R 95 may further have a substituent. この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。 There is no particular limitation on the further substituent which may have in this case can be a substituent of any group.
さらに、R 92 〜R 95は互いに連結して環を形成してもよく、この環がさらに任意の置換基を有していてもよい。 Further, R 92 to R 95 may be linked to each other to form a ring, this ring may further have a substituent.

一般式(VIII−2)で表される有機金属錯体の具体例(T−1,T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。 Specific examples of the organic metal complex represented by the general formula (VIII-2) (T-1, T-10~T-15) are illustrated below, but the invention is not limited to the following exemplified compounds. なお、以下において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。 In the following, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group.

また、有機金属錯体としては、WO2005/019373号公報に記載の化合物も使用することができる。 The organic metal complex may also be used compounds described in JP WO2005 / 2005/019373.

燐光発光材料は、通常ホスト材料に混合して用いられる。 Phosphorescent material is used by mixing the normal host material.
ホスト材料は、任意の公知材料を適用可能であり、適用可能な化合物としては、以下のようなものが挙げられる。 The host material can be applied to any known material, as the applicable compounds include those described below.

カルバゾール系化合物(トリアリールアミン系化合物を含む)としては、特開昭63−235946号公報、特開平2−285357号公報、特開平2−261889号公報、特開平3−230584号公報、特開平3−232856号公報、特開平5−263073号公報、特開平6−312979号公報、特開平7−053950号公報、特開平8−003547号公報、特開平9−157643号公報、特開平9−268283号公報、特開平9−165573号公報、特開平9−249876号公報、特開平9−310066号公報、特開平10−041069号公報、特開平10−168447号公報、欧州特許第847228号明細書、特開平10−208880号公報、特開平10−226785号公報、特開平10−312 The carbazole-based compounds (including triarylamine compounds), JP-63-235946, JP-A No. 2-285357, JP-A No. 2-261889, JP-A No. 3-230584, JP-A No. 3-232856, JP-A No. 5-263073, JP-A No. 6-312979, JP-A No. 7-053950, JP-A No. 8-003547, JP-A No. 9-157643, JP-A No. 9- 268283, JP-a No. 9-165573, JP-a No. 9-249876, JP-a No. 9-310066, JP-a No. 10-041069, JP-a No. 10-168447, JP-EP 847228 No. writing, JP-10-208880, JP-A No. 10-226785, JP-A No. 10-312 73号公報、特開平10−316658号公報、特開平10−330361号公報、特開平11−144866号公報、特開平11−144867号公報、特開平11−144873号公報、特開平11−149987号公報、特開平11−167990号公報、特開平11−233260号公報、特開平11−241062号公報、WO−00/70655号公報、米国特許第6562982号明細書、特開2003−040844号公報、特開2001−313179号公報、特開2001−257076号公報、特願2003−202925号明細書、特願2003−204940号明細書、特願2003−299512号明細書等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 73, JP-A No. 10-316658, JP-A No. 10-330361, JP-A No. 11-144866, JP-A No. 11-144867, JP-A No. 11-144873, JP-A No. 11-149987 Publication, Hei 11-167990, JP-a No. 11-233260, JP-a No. 11-241062 discloses, WO-00/70655 discloses in U.S. Pat. No. 6,562,982, JP 2003-040844, JP- JP 2001-313179, JP 2001-257076, JP-2003-202925 Patent Application No., 2003-204940 Patent Application No., according as charge transport materials in Japanese Patent Application No. 2003-299512 specification, etc. such compounds.

また、フェニルアントラセン誘導体としては、特開2000−344691号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 As the phenyl anthracene derivative, include compounds described as charge transport materials in Japanese 2000-344691 Patent Publication.

さらに、縮環アリーレンのスターバースト型化合物としては、特開2001−192651号公報、特開2002−324677号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 Further, as the starburst type compounds condensed arylene, JP 2001-192651 and JP include compounds described as charge transport materials in JP-2002-324677 Publication.

また、縮環型イミダゾール系化合物としては、「Appl.Phys.Lett.,78巻,1622項、2001」、特開2001−335776号公報、特開2002−338579号公報、特開2002−319491号公報、特開2002−367785号公報、特開2002−367786号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 As the condensed ring type imidazole compound, "Appl., 78, pp. 1622 Section 2001", JP 2001-335776, JP 2002-338579, JP No. 2002-319491 , JP 2002-367785 and JP include compounds described as charge transport materials in JP-2002-367786 Publication.

さらに、アゼピン系化合物としては、特開2002−235075号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 Further, as the azepine compounds include compounds described as charge transport materials in Japanese 2002-235075 Patent Publication.

また、縮環型トリアゾール系化合物としては、特開2002−356489号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 As the condensed ring-type triazole compound, include compounds described as charge transport materials in Japanese 2002-356489 Patent Publication.

さらに、プロペラ型アリーレン系化合物としては、特開2003−027048号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 Further, as the propeller arylene compounds include compounds described as charge transport materials in Japanese 2003-027048 Patent Publication.

また、モノトリアリールアミン型化合物としては、特開2002−175883号公報、特開2002−249765号公報、特開2002−324676号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 As the mono-triarylamine type compound, JP 2002-175883, JP 2002-249765 and JP include compounds described as charge transport materials in JP-2002-324676 Publication.

さらに、アリールベンジジン系化合物としては、特開2002−329577号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 Furthermore, the aryl benzidine compound, include compounds described as charge transport materials in Japanese 2002-329577 Patent Publication.

また、トリアリール硼素化合物としては、特開2003−031367号公報、特開2003−031368号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 As the triaryl boron compound, JP 2003-031367 and JP include compounds described as charge transport materials in JP-2003-031368 Publication.

さらに、インドール系化合物としては、特開2002−305084号公報、特開2003−008866号公報、特開2002−015871号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 Further, as the indole based compounds, JP 2002-305084, JP 2003-008866 and JP include compounds described as charge transport materials in JP-2002-015871 Publication.

また、インドリジン系化合物としては、特開2000−311787号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 As the indolizine compounds include compounds described as charge transport materials in Japanese 2000-311787 Patent Publication.

さらに、ピレン系化合物としては、特開2001−118682号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 Further, as the pyrene based compound, include compounds described as charge transport materials in Japanese 2001-118682 Patent Publication.

また、ジベンゾオキサゾール(又はジベンゾチアゾール)系化合物としては、特開2002−231453号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 As the dibenzo oxazole (or dibenzothiazole) compounds include compounds described as charge transport materials in Japanese 2002-231453 Patent Publication.

さらに、ビピリジル系化合物としては、特開2003−123983号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 Further, as the bipyridyl compounds include compounds described as charge transport materials in Japanese 2003-123983 Patent Publication.

また、ピリジン系化合物としては、特開2005−276801号公報、特開2005−268199号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。 As the pyridine compound, JP 2005-276801 and JP include compounds described as charge transport materials in JP-2005-268199 Publication.

これらの中でも、有機電界発光素子を用いた場合の優れた発光特性の点から、カルバゾール系化合物(トリアリールアミン系化合物を含む)、縮環アリーレンのスターバースト型化合物、縮環型イミダゾール系化合物、プロペラ型アリーレン系化合物、モノトリアリールアミン型化合物、インドール系化合物、インドリジン系化合物、ビピリジル系化合物、ピリジン系化合物等が好ましい。 Among these, from the viewpoint of excellent emission characteristics when the organic electroluminescent device, (including triarylamine compounds) carbazole-based compounds, starburst type compounds condensed arylene, fused type imidazole compound, propeller arylene-based compounds, mono triarylamine type compounds, indole compounds, indolizine compounds, bipyridyl compounds, pyridine compounds, etc. are preferred.

さらに、有機電界発光素子を用いた場合の駆動寿命の点から、カルバゾール系化合物、ビピリジル系化合物、およびピリジン系化合物がより好ましく、カルバゾール系化合物とビピリジル系化合物を混合して、又はカルバゾール系化合物かつピリジン系化合物を混合して用いるのが、最も好ましい。 Furthermore, in terms of driving lifetime in the case of using the organic electroluminescent element, carbazole compounds, bipyridyl compounds, and pyridine compounds are more preferred, a mixture of carbazole-based compound and bipyridyl compound, or a carbazole-based compound and used a mixture of pyridine compound is most preferred.

また、カルバゾリル基とピリジル基とを併せ持つ化合物を採用するのも、同様に好ましくい。 Also, to employ a compound having both a carbazolyl group and a pyridyl group, similarly Konomashikui.

なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、分子の対称性や剛性を低下させたり、あるいはアルキル基などの親油性置換基を導入することも、重要である。 For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to introduce a lipophilic substituent such as symmetry and or reduce the stiffness, or an alkyl group of a molecule.

電荷輸送材料として、とりわけ好ましい化合物の具体例を以下に示す。 As charge transport materials, specific examples of the especially preferred compounds below. なお、以下において、N−CzはN−カルバゾリル基、Phはフェニル基を表す。 In the following, N-Cz is N- carbazolyl group, Ph represents a phenyl group.

ホスト材料として用いる化合物は、そのガラス転移点が、通常70℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、さらに好ましくは130℃以上、最も好ましくは150℃以上であることが望ましい。 Compounds used as the host material, the glass transition point, usually 70 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, more preferably 130 ° C. or higher, and most preferably is desirably 0.99 ° C. or higher. ガラス転移点が低すぎると、有機電界発光素子としての耐熱性が低下する虞があるほか、駆動寿命が短くなる可能性があるためである。 If the glass transition point is too low, in addition to the heat resistance of the organic electroluminescent device may deteriorate, there is a possibility that the driving life is shortened.

ホスト材料として用いる化合物は、その分子量が、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは300以上、より好ましくは500以上である。 Compounds used as the host material, its molecular weight is usually 10,000 or less, preferably 5,000 or less, more preferably 3000 or less, and usually 100 or more, preferably 300 or more, more preferably 500 or more. 分子量が100未満であると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、あるいはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりするため、好ましくない。 Come If the molecular weight is less than 100, or the heat resistance is remarkably lowered, or the cause of gas generation, or cause a decrease in film quality when forming a film, or morphology changes in the organic electroluminescent device due migration In order to or undesirable. 分子量が10000を超えると、有機化合物の精製が困難であったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりするため、好ましくない。 If the molecular weight exceeds 10000, or a difficult to purify the organic compound, for it takes a time when dissolved in a solvent, which is not preferable.

ホスト材料として用いる化合物は、そのバンドギャップが、通常3.0V以上、好ましくは3.2V以上、より好ましくは3.5V以上のものが望ましい。 Compounds used as the host material, the band gap is usually 3.0V or higher, preferably at least 3.2 V, more preferably not more than 3.5 V. 青色蛍光発光材料、あるいは燐光発光材料、とりわけ緑〜青色発光材料は、バンドギャップが大きく、この燐光発光材料を用いて有機電界発光素子を作製する場合には、燐光発光材料をとりまくホスト材料は、通常この燐光発光材料のバンドギャップ以上のバンドギャップを有していることが、有機電界発光素子としての発光効率や寿命の点で好ましいためである。 Blue fluorescent material or phosphorescent material, especially green to blue-emitting materials, large band gap, in the case of manufacturing an organic electroluminescent device using the phosphorescent material, the host material surrounding a phosphorescent material, it is because the preferred in view of luminous efficiency and life as an organic electroluminescent device usually has a bandgap of more than the band gap of the phosphorescent material.

なお、発光層4は、本発明の性能を損なわない範囲で、さらに他の材料、成分を含んでいてもよい。 The light emitting layer 4, within a range not to impair the performance of the present invention, still other materials, may contain components.

一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。 In general, the organic electroluminescent device, when using the same material, it thicknesses between the electrodes is thin, since the effective electric field increases, the current injected is increased, the driving voltage is lowered. その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。 Therefore, it thin total thickness between electrodes, but the driving voltage of the organic electroluminescent device decreases when too thin, since the short-circuit by the projection due to the electrode of ITO or the like occurs, a certain amount of film thickness is required.

本発明においては、発光層4以外に、正孔注入層3および後述の電子輸送層5等の有機層を有する場合、発光層4と正孔注入層3や電子輸送層5等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、さらに好ましくは100nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、さらに好ましくは300nm以下である。 In the present invention, in addition to the light-emitting layer 4, when having an organic layer such as an electron transport layer 5 of the hole injection layer 3 and below, other organic, such as light-emitting layer 4 and the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 layers and the combined total film thickness is typically 30nm or more, preferably 50nm or more, more preferably 100nm or more, typically 1000nm or less, preferably 500nm or less, further preferably 300nm or less. また、発光層4以外の正孔注入層3や後述の電子注入層5の導電性が高い場合、発光層4に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。 Also, if the conductivity of the light-emitting layer 4 other than the hole injection layer 3 and below of the electron injection layer 5 is high, since the amount of charge injected into the light emitting layer 4 is increased, for example, the thickness of the hole injection layer 3 and thinning the film thickness of the light-emitting layer 4 thicker, it is possible to lower the left driving voltage maintaining the thickness of the total film thickness to some extent.

よって、発光層4の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。 Therefore, the thickness of the light-emitting layer 4 is usually 10nm or more, preferably at 20nm or more, usually 300nm or less, preferably 200nm or less.

[5]電子注入層 電子注入層5は陰極6から注入された電子を効率よく発光層4へ注入する役割を果たす。 [5] The electron injection layer The electron injection layer 5 plays a role of injecting electrons injected from the cathode 6 efficiently to the light emitting layer 4. 電子注入を効率よく行うには、電子注入層5を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。 To make efficient electron injection, the material forming the electron injection layer 5 has a lower metals are preferred work function include alkali metals such as sodium and cesium, alkaline earth metals such as barium and calcium are used.
電子注入層5の膜厚は0.1〜5nmが好ましい。 The film thickness of the electron injection layer 5 0.1~5nm is preferred.

また、陰極6と発光層4又は後述の電子輸送層8との界面にLiF、MgF 、Li O、Cs CO 等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEETrans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。 Further, LiF the interface between the electron transport layer 8 in the light-emitting layer 4 or later a cathode 6, MgF 2, Li 2 O , also insert the ultrathin insulating film such as Cs 2 CO 3 (0.1~5nm) is an effective method for improving the efficiency of the device (Appl, 70 vol, 152 pp., 1997;. JP-a-10-74586 publication; IEEETrans.Electron.Devices, 44, pp. 1245, 1997 year; SID 04 Digest, 154 pages).

さらに、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。 Furthermore, doped organic electron-transporting material typified by metal complexes such as aluminum complex of nitrogen-containing heterocyclic compound and 8-hydroxyquinoline bathophenanthroline to be described later, sodium, potassium, cesium, lithium, an alkali metal rubidium to the (JP-a 10-270171, JP 2002-100478, JP-like described in JP 2002-100482) that, is possible to achieve both the film quality electron injection and transport properties were excellent and improved It made for preferred. この場合の膜厚は通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。 In this case, the film thickness is usually 5nm or more, preferably at 10nm or more, usually 200nm or less, preferably 100nm or less.

電子注入層5は、発光層4と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。 Electron injection layer 5 is formed by laminating on the light-emitting layer 4 by in the same manner as the light-emitting layer 4 wet film-forming method, or vacuum deposition method. 真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10 −4 Pa程度にまで排気した後、るつぼ又は金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼ又は金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 In the case of vacuum deposition method, put the deposition source installed at a crucible or metal boat in a vacuum vessel, after evacuating to about 10 -4 Pa vacuum vessel with an appropriate vacuum pump, the crucible or metal boat heated and evaporated to form an electron injection layer on a substrate placed facing the crucible or metal boat.

アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。 Deposition of the alkali metal is carried out using an alkali metal dispenser filled with alkali metal chromate and a reducing agent in Nichrome. このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。 By heating this dispenser in a vacuum vessel, the alkali chromic acid metal alkali metals are vaporized is reduced. 有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10 −4 Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼおよびディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 When co-evaporation of an organic electron-transporting material and an alkali metal, after it evacuated to the organic electron-transporting materials placed in the installed crucible in a vacuum chamber, to about 10 -4 Pa vacuum vessel with an appropriate vacuum pump evaporated by heating each of the crucible and the dispenser simultaneously, to form an electron injection layer on a substrate placed facing the crucible and the dispenser.

このとき、電子注入層5の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。 In this case, although is uniformly codeposited in a thickness direction of the electron injection layer 5, there may be a concentration distribution in the film thickness direction.
なお、電子注入層5は、図5,6に示す如く、これを省略しても良い。 The electron injection layer 5, as shown in FIGS. 5 and 6, it may be omitted.

[6]陰極 陰極6は、発光層側の層(電子注入層5又は発光層4など)に電子を注入する役割を果たす。 [6] cathode cathode 6 plays a role of injecting electrons into the layer of the light emitting layer side (an electron injection layer 5 or the light-emitting layer 4). 陰極6として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。 Materials used as the cathode 6, wherein it is possible to use a material used for the anode 2, efficiently perform the electron injection, the low metals are preferred work function, tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, suitable metals or alloys thereof such as silver, are used. 具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。 Specific examples include magnesium - silver alloy, a magnesium - indium alloy, aluminum - include low work function alloy electrodes such as lithium alloy.

陰極6の膜厚は通常陽極2と同様である。 The thickness of the cathode 6 is the same as the ordinary anode 2. 低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。 The purpose of protecting the cathode formed of a low work function metal, the upper further, laminating the metal layer stable against high atmospheric work function increases the stability of the device. この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。 For this purpose, aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, metals such as platinum are used.

[7]その他の構成層 以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子における陽極2および陰極6と発光層4との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層4以外の任意の層を省略してもよい。 [7] Other configurations layers has been described mainly elements having the layer structure shown in FIG. 1, between the anode 2 and the cathode 6 of the organic electroluminescent device of the present invention and the light emitting layer 4, the performance as long as they do not impair the addition to the layers in the above description, it may have any layer, or may be omitted to any layer other than the light-emitting layer 4.

有してもよい層としては例えば、電子輸送層7が挙げられる。 As good layers have for example, an electron transport layer 7. 電子輸送層7は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、図2に示す如く、発光層4と電子注入層5との間に設けられる。 Electron-transporting layer 7 for the purpose of further improving the luminous efficiency of the device, as shown in FIG. 2, is provided between the light-emitting layer 4 and the electron injection layer 5.

電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物より形成される。 Electron transport layer 7 is formed of a compound capable of transporting electrons injected from the cathode 6 efficiently in the direction of the light-emitting layer 4 between the energized electrodes. 電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極6又は電子注入層5からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。 The electron-transporting compounds for the electron transport layer 7, high electron injection efficiency from the cathode 6 or the electron injection layer 5, and can be efficiently transporting the injected electrons have a high electron mobility it is necessary that a compound.
このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−又は5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N'−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。 As the materials satisfying these requirements, 8 metal complexes such as hydroxyquinoline aluminum complex (JP-59-194393 JP), 10-hydroxy-benzo [h] quinoline metal complexes, oxadiazole derivatives, di styryl biphenyl derivatives, silole derivatives, 3- or 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complex, tris benzimidazolyl benzene (U.S. Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds (JP-6- 207169 JP), phenanthroline derivatives (JP-A-5-331459), 2-t- butyl--9,10-n, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type sulfide zinc, such as n-type zinc selenide.

電子輸送層7の膜厚は、通常下限は1nm、好ましくは5nm程度であり、上限は通常300nm、好ましくは100nm程度である。 The thickness of the electron transport layer 7 is usually lower 1 nm, and preferably about 5 nm, the upper limit is usually 300 nm, preferably about 100 nm.

電子輸送層7は、正孔注入層3と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。 Electron-transporting layer 7, wet film forming method in the same manner as the hole injection layer 3, or is formed by laminating on the light-emitting layer 4 by vacuum deposition. 通常は、真空蒸着法が用いられる。 Typically, a vacuum deposition method is used.

また、特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合、図3に示す如く、正孔阻止層8を設けることも効果的である。 In particular, or a phosphorescent material as a luminescent material, if or using a blue light emitting material, as shown in FIG. 3, it is effective to provide a hole blocking layer 8. 正孔阻止層8は正孔と電子を発光層4内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。 The hole blocking layer 8 of confining holes and electrons in the light-emitting layer 4 has a function of improving the luminous efficiency. 即ち、正孔阻止層8は、発光層4から移動してくる正孔が電子輸送層7に到達するのを阻止することで、発光層4内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、電子輸送層8から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。 That is, a hole blocking layer 8, the holes come to move from the light-emitting layer 4 by prevented from reaching the electron transport layer 7 to increase the recombination probability of electrons in the light emitting layer 4 was produced is responsible for transporting the role to confine excitons in the luminescent layer 4, electrons injected from the electron transporting layer 8 efficiently in the direction of the light-emitting layer 4.

正孔阻止層8は、陽極2から移動してくる正孔を陰極6に到達するのを阻止する役割と、陰極6から注入された電子を率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物により、発光層4の上に、発光層4の陰極6側の界面に接するように積層形成される。 The hole blocking layer 8, capable of transporting holes come to move from the anode 2 and the role of preventing from reaching the cathode 6, electrons injected from the cathode 6 rates well in the direction of the light-emitting layer 4 the compounds, on the light-emitting layer 4 is laminated in contact with the interface between the cathode 6 side of the light-emitting layer 4.

正孔阻止層8を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。 The physical properties required for a material constituting the hole blocking layer 8, it is the high electron mobility and low hole mobility, the energy gap (HOMO, the difference between the LUMO) is large, the excited triplet level (T1) and the like to be high.

このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。 Such conditions are satisfied HBL material, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenyl silanolate Lato) mixing arrangement such as aluminum ligand complex, bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum -μ- oxo - bis - (2-methyl-8-quinolinolato) metal complexes such as aluminum binuclear metal complex, a styryl compound such as distyrylbiphenyl derivative ( JP 11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl -5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole derivatives such as triazole (JP-a-7-41759) , phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-a-10-79297).

さらに、WO2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。 Further, a compound having at least one pyridine ring 2,4,6-position is substituted described in JP WO2005 / 022 962 are also preferred as the hole blocking material.

正孔阻止層8の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。 The thickness of the hole blocking layer 8 is usually 0.3nm or more, preferably at 0.5nm or more, usually 100nm or less, preferably 50nm or less.

正孔阻止層8も正孔注入層3と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。 Hole blocking layer 8 also can be formed by the same method as the hole injection layer 3, typically a vacuum deposition method is employed.

電子輸送層7および正孔阻止層8は必要に応じて、適宜設ければよく、1)電子輸送層のみ、2)正孔阻止層のみ、3)正孔阻止層/電子輸送層の積層、4)用いない、等、用法がある。 If the electron transport layer 7 and the hole blocking layer 8 is required, may be provided as appropriate, 1) the electron transport layer only, 2) a hole blocking layer only, 3) lamination of the hole-blocking layer / electron-transporting layer, 4) is not used, etc., there is a usage.

正孔阻止層8と同様の目的で、図4に示す如く、正孔注入層3と発光層4の間に電子阻止層9を設けることも効果的である。 The same purpose as the hole-blocking layer 8, as shown in FIG. 4, it is effective to provide an electron blocking layer 9 between the hole injection layer 3 and the light-emitting layer 4. 電子阻止層9は、発光層4から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層4内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。 Electron blocking layer 9 is, electrons coming to move from the light-emitting layer 4 by prevented from reaching the hole injection layer 3, increasing the recombination probability of holes in the light-emitting layer 4 was generated excitons is responsible for transporting the role to confine within the light-emitting layer 4, the holes injected from the hole injection layer 3 in the direction of efficiently emitting layer 4.

電子阻止層9に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。 The properties required for the electron blocking layer 9 a hole-transporting property is high, the energy gap that (HOMO, the difference in LUMO) is large, the excited triplet level (T1) can be mentioned to be high. また、発光層4を湿式製膜法で形成する場合、電子阻止層9も湿式製膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。 In the case of forming a light emitting layer 4 by a wet film-forming method, that the electron blocking layer 9 is also formed by a wet film formation method, since it is easy to device fabrication, preferred.

このため、電子阻止層9も湿式製膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層9に用いられる材料としては、本発明の電荷輸送材料の他、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(WO2004/084260号公報記載)等が挙げられる。 Therefore, it is preferable to have an electron blocking layer 9 also wet film compatibility, as a material used for such an electron blocking layer 9 other charge transporting materials of the present invention, dioctyl typified by F8-TFB a copolymer of fluorene and triphenylamine (WO2004 / 084,260 JP), and the like.

なお、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極6、電子注入層5、発光層4、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。 Incidentally, the reverse of the structure to the FIG. 1, i.e., the cathode 6 on a substrate 1, an electron injection layer 5, light-emitting layer 4, the hole injection layer 3, it is also possible to laminate in the order of the anode 2, as already described it is also possible to at least one of providing the organic electroluminescence device of the present invention between two substrates having high transparency. 同様に、図2〜図6に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。 Similarly, the respective layers structure shown in FIGS. 2-6 can be stacked in the reverse structure.

さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。 Further, it is also possible to structure overlaid plural stages a layer structure shown in FIG. 1 (light-emitting units were stacked structure). その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV 等を電荷発生層(CGL)として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 Interfacial layer (anode ITO, the second layer when the cathode is Al) of this time in the interstage (between emission units) instead of, for example, the use of V 2 O 5 or the like as a charge generating layer (CGL) stage barrier between is reduced, and more preferable in view of luminous efficiency and driving voltage.

本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。 The present invention relates to an organic electroluminescent device, a single device can also be applied in any device consisting of its structure arranged in array, an anode and a cathode of the deployed structure onto the X-Y matrix.

次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 Next, the present invention will be described further by the examples specifically, the present invention unless departing from the gist of the present invention is not limited to the following examples.

なお、以下において、ガラス転移温度はDSC測定により求めた。 In the following, the glass transition temperature was determined by DSC measurement. 平均分子量はSEC測定(展開溶媒=THF(テトラヒトロフラン))により、ポリスチレンを標準試料として求めた。 The average molecular weight SEC measurement (developing solvent = THF (tetra human B furan)) was determined using polystyrene as a standard sample.

[高分子化合物の合成例] [Synthesis Example of Polymer Compound]
〈実施例1:目的物1〜5〉 <Example 1: target product 1-5>

窒素気流中、p−アニシジン(5.42g)、4−ブロモビフェニル(9.32g)、tert-ブトキシナトリウム(5.38g)、およびトルエン(80ml)の溶液に、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.104g)、ビス(トリフェニルフォスフィノ)フェロセン(0.222g)、およびトルエン(5ml)を窒素雰囲気下、60℃で15分間攪拌して調製した溶液を加えて、加熱還流下、10時間攪拌した。 In a nitrogen stream, p- anisidine (5.42 g), 4-bromobiphenyl (9.32 g), a solution of tert- butoxy sodium (5.38 g), and toluene (80 ml), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.104 g), bis (triphenyl phosphine) ferrocene (0.222 g), and toluene (5ml) under a nitrogen atmosphere, was added a solution prepared by stirring 15 minutes at 60 ° C., heating under reflux, and stirred for 10 hours. 放冷後、活性白土およびトルエン(100ml)を加え、加熱還流下、15分間攪拌した。 After cooling, the activated clay and toluene (100ml) was added, heating under reflux, and stirred for 15 minutes. 放冷後、不溶物を濾別し、濾液に活性白土を加え、加熱還流下、15分間攪拌した。 After cooling, the insoluble material was filtered off, the filtrate activated clay was added and heating under reflux and stirred for 15 minutes. 放冷後、不溶物を濾別、濃縮し、得られた析出物をトルエンで再結晶することにより、目的物1(6.59g)を得た。 After cooling, insoluble materials were filtered off, concentrated and the resulting precipitate was recrystallized from toluene to obtain the desired compound 1 (6.59 g).

窒素気流中、4−ブロモ−4'−メトキシビフェニル(10.0g)、よう化カリウム(63.1g)、よう化銅(I)(36.2g)、DMF(ジメチルホルムアミド)(64ml)を、加熱還流下、8時間撹拌した。 In a nitrogen stream, 4-bromo-4'-methoxy-biphenyl (10.0 g), potassium iodide (63.1 g), copper iodide (I) (36.2 g), DMF (dimethyl formamide) (64 ml), followed by stirring under reflux for 8 hours. 反応混合物を0.1N塩酸(360ml)に加えて、攪拌した後、沈殿を濾別、エタノールで洗浄した。 It was added and the reaction mixture was 0.1N hydrochloric acid (360 ml), stirred, and the precipitate was washed with filtered, with ethanol. 得られた固形分に、クロロホルム(150ml)を加え、加熱還流下、1時間撹拌し、可溶成分を溶解させた後、溶液成分を濾別、濃縮した。 To the resulting solids, chloroform (150ml) was added, heating under reflux, and stirred for 1 hour, after dissolving the soluble component, filtered solution components, and concentrated. 得られた固形分をメタノールでからの再結晶により精製し、目的物2(9.56g)を得た。 The resulting solid was purified by recrystallization from methanol to obtain the desired compound 2 (9.56 g).

窒素気流中、目的物1(5.78g)、目的物2(7.16g)、銅(1.87g)、炭酸カリウム(5.80g)、およびテトラグライム(15ml)を、200℃に加熱下、10時間撹拌した。 In a nitrogen stream, the desired product 1 (5.78 g), the desired product 2 (7.16 g), copper (1.87 g), potassium carbonate (5.80 g), and tetraglyme (15 ml), heated under a 200 ° C. , and the mixture was stirred for 10 hours. 放冷後、クロロホルム(200ml)を加えて、攪拌した後、不溶物を濾別、濾液を濃縮した。 After cooling, chloroform was added to (200 ml), stirred, and concentrated filtered off, the filtrate insolubles. 得られた固形分をエタノールで懸濁洗浄し、目的物3(7.10g)を得た。 The resulting solid was suspended and washed with ethanol to obtain the desired product 3 (7.10 g).

窒素気流中、目的物3(6.86g)と、ジクロロメタン(100ml)を、0℃に冷却し、三臭化ホウ素の1M塩化メチレン溶液(35ml)を滴下した。 In a nitrogen stream, the desired product 3 as (6.86 g), dichloromethane (100 ml), cooled to 0 ° C., was added dropwise boron tribromide 1M methylene chloride solution (35 ml). 室温まで昇温し、2時間攪拌した。 Warmed to room temperature and stirred for 2 hours. 重曹水を加えた後、酢酸エチルで抽出、有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトフラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=1/1)によって精製し、目的物4(3.68g)を得た。 After addition of aqueous sodium bicarbonate solution, extracted with ethyl acetate, the organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography Hula fee (hexane / ethyl acetate = 1/1) to obtain the desired product 4 (3.68 g).
DEI−MS(m/z=429(M + ))により、目的物4であることを確認した。 The DEI-MS (m / z = 429 (M +)), it was confirmed to be the desired product 4.

目的物4(3.52g)と4,4'−ジフルオロベンゾフェノン(1.79g)、炭酸カリウム(6.80g)、およびNMP(メチルピロリドン)(79ml)を、145℃に加熱下、18時間撹拌した。 The desired product 4 as (3.52 g) 4,4'-difluorobenzophenone (1.79 g), potassium carbonate (6.80 g), and NMP (methyl pyrrolidone) (79 ml), under heating at 145 ° C., 18 h stirring did. 放冷後、活性白土を加えて、攪拌した後、不溶物を濾別し、濾液をメタノール(300ml)に加えた。 After cooling, the addition of activated clay, stirred, the insoluble material was filtered off, the filtrate was added to methanol (300 ml). 得られた固形分を脱塩水(300ml)およびメタノール(300ml)で洗浄、減圧乾燥後、クロロホルム(200ml)に溶かし、メタノール(400ml)に放出し再沈殿させた。 Washing the obtained solid with demineralised water (300 ml) and methanol (300 ml), dried under reduced pressure, dissolved in chloroform (200 ml), reprecipitated released in methanol (400 ml). もう一度、クロロホルム(200ml)/メタノール(400ml)で再沈殿することにより、目的物5(3.50g)を得た。 Once again, by re-precipitated with chloroform (200 ml) / methanol (400 ml), to give the desired product 5 (3.50 g). この高分子化合物のガラス転移温度(Tg)は208℃であり、重量平均分子量(Mw)は48900、数平均分子量(Mn)11000であった。 The glass transition temperature of the polymer compound (Tg) of a 208 ° C., a weight average molecular weight (Mw) of 48,900, a number average molecular weight (Mn) 11000.

〈実施例2:目的物6〜10〉 <Example 2: the desired product 6-10>

窒素気流中、カルバゾール(6.82g)、4−ブロモヨードベンゼン(15.0g)、銅粉末(2.61g)、炭酸カリウム(11.3g)、およびテトラグライム(30ml)を、145℃に加熱下、5時間撹拌し、室温まで放冷した。 In a nitrogen stream, carbazole (6.82 g), 4-bromo-iodobenzene (15.0 g), copper powder (2.61 g), potassium carbonate (11.3 g), and tetraglyme (30 ml), heated to 145 ° C. It was stirred under 5 hours, allowed to cool to room temperature. 反応混合物にクロロホルムを加え、不溶物を濾別した。 Chloroform was added to the reaction mixture, and insoluble matters were filtered off. 濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/トルエン=4/1)で精製することにより、目的物19(9.08g、収率69%)を得た。 Chloroform contained in the filtrate was evaporated under reduced pressure, purified by silica gel column chromatography (n- hexane / toluene = 4/1) to obtain the desired compound 19 (9.08 g, 69% yield).

窒素気流中、N−フェニル−1,4−フェニレンジアミン(4.16g)、目的物6(5.60g)、tert−ブトキシナトリウム(2.34g)、およびトルエン(50ml)の溶液に、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.045g)、ビス(トリフェニルフォスフィノ)フェロセン(0.073g)、およびトルエン(3ml)を窒素雰囲気下、60℃で15分間攪拌して調製した溶液を加えて、加熱還流下、5時間攪拌した。 In a nitrogen stream, N- phenyl-1,4-phenylenediamine (4.16 g), a solution of the desired product 6 (5.60 g), tert-butoxy sodium (2.34 g), and toluene (50 ml), tris ( dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.045 g), bis (triphenyl phosphine) ferrocene (0.073 g), and toluene (3 ml) under a nitrogen atmosphere, and stirred for 15 minutes at 60 ° C. preparation solution was added and heating under reflux and stirred for 5 hours. 放冷後、活性白土およびトルエン(100ml)を加え、15分間攪拌した。 After cooling, the activated clay and toluene (100ml) was added and stirred for 15 minutes. 不溶物を濾別し、濾液に活性白土を加え、15分間攪拌した。 The insoluble material was filtered off, the filtrate activated clay was added and stirred for 15 minutes. 不溶物を濾別、濃縮し、得られた析出物をヘキサンで洗浄することにより、目的物7(6.52g)を得た。 The insoluble material is filtered off, concentrated and the resulting precipitate was washed with hexane to obtain the desired product 7 (6.52 g).

窒素気流中、目的物7(6.52g)、p−ヨードアニソール(10.8g)、銅(1.94g)、炭酸カリウム(8.46g)、およびテトラグライム(25ml)を、200℃に加熱下、8時間撹拌した。 In a nitrogen stream, the desired product 7 (6.52 g), p-iodo anisole (10.8 g), copper (1.94 g), potassium carbonate (8.46 g), and tetraglyme (25 ml), heated to 200 ° C. below, and the mixture was stirred for 8 hours. 放冷後、クロロホルム(100ml)を加えて、攪拌した後、不溶物を濾別、濾液を濃縮し、メタノール(200ml)に加え、析出した固形分をカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/トルエン=1/1)で精製後、メタノールで懸濁洗浄し、目的物8(7.34g)を得た。 After cooling, chloroform was added to (100 ml), stirred, filtered to remove insoluble materials, the filtrate was concentrated and added to methanol (200 ml), the precipitated solid by column chromatography (hexane / toluene = 1/1 after purification by), it was suspended washed with methanol to obtain the desired product 8 (7.34 g).

窒素気流中、目的物8(5.50g)、ジクロロメタン(100ml)を、0℃に冷却し、三臭化ホウ素の1M塩化メチレン溶液(18.1ml)を滴下した。 In a nitrogen stream, the desired product 8 (5.50 g), dichloromethane (100 ml), cooled to 0 ° C., was added dropwise boron tribromide 1M methylene chloride solution (18.1 ml). 室温まで昇温し、5時間攪拌した。 Warmed to room temperature and stirred for 5 hours. 重曹水を加えた後、酢酸エチルで抽出、有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトフラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=1/1)によって精製し、目的物9(4.73g)を得た。 After addition of aqueous sodium bicarbonate solution, extracted with ethyl acetate, the organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography Hula fee (hexane / ethyl acetate = 1/1) to obtain the desired product 9 (4.73 g).
DEI−MS(m/z=609(M + ))により、目的物9であることを確認した。 The DEI-MS (m / z = 609 (M +)), it was confirmed to be the desired product 9.

目的物9(4.60g)と4,4'−ジフルオロベンゾフェノン(1.65g)、炭酸カリウム(6.25g)、NMP(103ml)を、145℃に加熱下、20時間撹拌した。 The desired product 9 as (4.60 g) 4,4'-difluorobenzophenone (1.65 g), potassium carbonate (6.25 g), NMP and (103 ml), under heating at 145 ° C., and stirred for 20 hours. 放冷後、不溶物を濾別、濾液をメタノール(300ml)に加えた。 After cooling, insoluble materials were filtered off, the filtrate was added to methanol (300 ml). 得られた固形分を脱塩水(300ml)およびメタノール(300ml)で洗浄、減圧乾燥後、クロロホルム(200ml)に溶かし、メタノール(400ml)に放出し再沈殿させた。 Washing the obtained solid with demineralised water (300 ml) and methanol (300 ml), dried under reduced pressure, dissolved in chloroform (200 ml), reprecipitated released in methanol (400 ml). もう一度、クロロホルム(200ml)/メタノール(400ml)で再沈殿することにより、目的物10(4.20g)を得た。 Once again, by re-precipitated with chloroform (200 ml) / methanol (400 ml), to obtain the desired product 10 (4.20 g).
この高分子化合物のガラス転移温度(Tg)は196℃であり、重量平均分子量(Mw)は12800、数平均分子量(Mn)7200であった。 The glass transition temperature of the polymer compound (Tg) of a 196 ° C., a weight average molecular weight (Mw) of 12800 and a number average molecular weight (Mn) 7200.

〈実施例3:目的物11〜13〉 <Example 3: target product 11 to 13>

窒素気流中、目的物1(17.4g)、m−ヨードアニソール(26.6g)、銅粉(9.63g)、炭酸カリウム(17.4g)、およびテトラグライム(40ml)を、200℃に加熱下、9時間撹拌した。 In a nitrogen stream, the desired product 1 (17.4 g), m-iodoanisole (26.6 g), copper powder (9.63 g), potassium carbonate (17.4 g), and tetraglyme (40 ml), to 200 ° C. under heating and stirred for 9 hours. 放冷後、トルエン(220ml)および活性白土を加えて、加熱還流下、20分間攪拌した後、70℃で不溶物を濾別し、濾液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトフラフィー(ヘキサン/トルエン=4/1〜0/1)によって精製し、メタノールで懸濁洗浄することにより、目的物11(23.1g)を得た。 After allowing to cool, adding toluene (220 ml) and activated clay, heating under reflux, stirred for 20 min, the insoluble material was filtered off at 70 ° C. After concentration of the filtrate, silica gel column chromatography Hula fee (hexane / toluene = 4 / 1-0 / 1) to give, by suspending washed with methanol to obtain the desired product 11 (23.1 g).

窒素気流中、目的物11(20.0g)、およびジクロロメタン(200ml)を、0℃に冷却し、三臭化ホウ素の1M塩化メチレン溶液(135ml)を滴下した。 In a nitrogen stream, the desired product 11 (20.0 g), and dichloromethane (200 ml), cooled to 0 ° C., was added dropwise boron tribromide 1M methylene chloride solution (135 ml). 室温まで昇温し、8時間攪拌した。 Warmed to room temperature and stirred for 8 hours. 重曹水を加えた後、酢酸エチルで抽出して、有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトフラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=2/1)によって精製し、目的物12(9.40g)を得た。 After addition of aqueous sodium bicarbonate solution, and extracted with ethyl acetate, the organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography Hula fee (hexane / ethyl acetate = 2/1) to obtain the desired compound 12 (9.40 g).
DEI−MS(m/z = 353(M + ))により、目的物12であることを確認した。 The DEI-MS (m / z = 353 (M +)), it was confirmed to be the desired product 12.

目的物12(8.25g)と4,4'−ジフルオロベンゾフェノン(5.09g)、炭酸カリウム(19.9g)、およびN−メチルピロリドン(240ml)を、150℃に加熱下、10時間撹拌した。 The desired product 12 as (8.25 g) 4,4'-difluorobenzophenone (5.09 g), potassium carbonate (19.9 g), and N- methylpyrrolidone (240 ml), under heating at 0.99 ° C., and stirred for 10 hours . 放冷後、不溶物を濾別し、濾液をメタノール(500ml)に加えた。 After cooling, the insoluble material was filtered off, the filtrate was added to methanol (500 ml). 得られた固形分を脱塩水(400ml)およびメタノール(100ml)で洗浄、減圧乾燥後、クロロホルム(500ml)に溶かし、150ml程度に濃縮した後、アセトン(220ml)に放出し、再沈殿させた。 Washing the obtained solid with demineralised water (400 ml) and methanol (100 ml), dried under reduced pressure, dissolved in chloroform (500 ml), was concentrated to about 150 ml, it was released in acetone (220 ml), reprecipitated. 次に、塩化メチレン(230ml)/メタノール(300ml)で再沈殿することにより、目的物13(P−3)(8.73g)を得た。 Then, by re-precipitation with methylene chloride (230 ml) / methanol (300 ml), to give the desired product 13 (P-3) (8.73g). この高分子化合物のガラス転移温度(Tg)は160℃であり、重量平均分子量(Mw)は36400、数平均分子量(Mn)8000であった。 The glass transition temperature of the polymer compound (Tg) of a 160 ° C., a weight average molecular weight (Mw) of 36400 and a number average molecular weight (Mn) 8000.

〈比較例1:目的物14〜16〉 <Comparative Example 1: the desired product 14 to 16>

窒素気流中、アニリン(6.01g)、p−ヨードアニソール(45.2g)、銅粉(8.19g)、炭酸カリウム(17.8g)、およびテトラグライム(20ml)を、200℃に加熱下、7.5時間撹拌した。 In a nitrogen stream, aniline (6.01 g), p-iodo anisole (45.2 g), copper powder (8.19 g), potassium carbonate (17.8 g), and tetraglyme (20 ml), heated under a 200 ° C. , and the mixture was stirred for 7.5 hours. 放冷後、クロロホルム(100ml)を加えて攪拌した後、7不溶物を濾別し、濾液を濃縮した後、ヘキサンを加え、得られた析出物をヘキサンで懸濁洗浄することにより、目的物14(19.6g)を得た。 After cooling, the mixture was stirred by adding chloroform (100 ml), filtered off 7 insolubles, after the filtrate was concentrated, hexane was added, by the resulting precipitate is suspended washed with hexane, the desired product was obtained 14 (19.6g).

窒素気流中、目的物14(15.0g)、およびジクロロメタン(180ml)を、0℃に冷却し、三臭化ホウ素の1M塩化メチレン溶液(130ml)を滴下した。 In a nitrogen stream, the desired product 14 (15.0 g), and dichloromethane (180 ml), cooled to 0 ° C., was added dropwise boron tribromide 1M methylene chloride solution (130 ml). 室温まで昇温し、8時間攪拌した。 Warmed to room temperature and stirred for 8 hours. 重曹水を加えた後、酢酸エチルで抽出し、有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトフラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=2/1〜1/1)によって精製し、目的物15(8.03g)を得た。 After addition of aqueous sodium bicarbonate solution, and extracted with ethyl acetate, the organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography Hula fee (hexane / ethyl acetate = 2 / 1-1 / 1), the desired product 15 (8.03 g) Obtained.
DEI−MS(m/z = 277(M + ))により、目的物15であることを確認した。 The DEI-MS (m / z = 277 (M +)), it was confirmed to be the desired product 15.

目的物15(7.54g)と4,4'−ジフルオロベンゾフェノン(5.94g)、炭酸カリウム(22.6g)、およびN−メチルピロリドン(270ml)を、148℃に加熱下、18.5時間撹拌した。 The desired product 15 as (7.54 g) 4,4'-difluorobenzophenone (5.94 g), potassium carbonate (22.6 g), and N- methylpyrrolidone (270 ml), under heating at 148 ° C., 18.5 h It stirred. 放冷後、活性白土およびN−メチルピロリドン(75ml)を加えて攪拌し、不溶物を濾別し、濾液をメタノール(750ml)に加えた。 After cooling, and stirred with activated clay and N- methylpyrrolidone (75 ml), the insoluble material was filtered off, the filtrate was added to methanol (750 ml). 得られた固形分を脱塩水(500ml)およびメタノール(250ml)で洗浄、減圧乾燥後、クロロホルム(150ml)に溶かし、アセトン(230ml)に放出し再沈殿させた。 Washing the obtained solid with demineralised water (500 ml) and methanol (250 ml), dried under reduced pressure, dissolved in chloroform (150 ml), reprecipitated released in acetone (230 ml). 次に、クロロホルム(80ml)/メタノール(250ml)で再沈殿することにより、目的物15(Q−1)(4.15g)を得た。 Then, by re-precipitation with chloroform (80 ml) / methanol (250 ml), to give the desired product 15 (Q-1) (4.15g). この高分子化合物のガラス転移温度(Tg)は167℃であり、重量平均分子量(Mw)は33200、数平均分子量(Mn)12000であった。 The glass transition temperature of the polymer compound (Tg) of a 167 ° C., a weight average molecular weight (Mw) of 33200 and a number average molecular weight (Mn) 12000.

[高分子化合物の溶解度測定] [Solubility measurements of the polymer compound]
本発明の高分子化合物(P−1)および(P−3)と、比較化合物(Q−1)のアニソールへの溶解度を調べた。 The polymer compound of the present invention and (P-1) and (P-3), was examined solubility in anisole comparative compound (Q-1).
その結果を表4に表す。 It represents the results are shown in Table 4.
表4に表す如く、高分子化合物(P−1)および(P−3)は、比較化合物(Q−1)に比べ高い溶解性を示した。 As presented in Table 4, the polymer compound (P-1) and (P-3) showed a high solubility than the comparative compounds (Q-1).

[有機電界発光素子の作製例] [Preparation Examples of the organic electroluminescence device]
〈実施例4〉 <Example 4>
図3に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 3 was produced by the following method.

ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。 Indium tin oxide on a glass substrate 1 (ITO) transparent conductive film obtained by 150nm deposited; patterning (sputter deposition product sheet resistance 15 [Omega]) to a stripe of 2mm width using conventional photolithography technique and hydrochloric acid etching to form an anode 2 and. パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。 The patterned ITO substrate was ultrasonically washed with acetone, rinsing with pure water, washed in the order of ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blowing was conducted, finally, ultraviolet ray-ozone cleaning.

次いで、正孔注入層3を以下のように湿式製膜法によって形成した。 Then, the hole injection layer 3 was formed by a wet film-forming method as follows. 正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の本発明の高分子化合物(P−3(重量平均分子量:28700,数平均分子量:11000))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートした。 As the material of the hole injection layer 3, the polymer compound of the present invention of structural formula shown below (P-3 (weight average molecular weight: 28700, number-average molecular weight: 11000)) and an electron-accepting compound of the structural formula shown below (a-1) and was used to spin coated under the following conditions.

スピンコート条件 溶媒 安息香酸エチル 塗布液濃度 P−3 2.0重量% Spin coating conditions solvent benzoate coating solution concentration P-3 2.0 wt%
A−1 0.8重量% A-1 0.8 wt%
スピナ回転数 1500rpm Spinner rotational speed of 1500rpm
スピナ回転時間 30秒 乾燥条件 230℃×3時間 上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。 Uniform thin film having a film thickness of 30nm was formed by spin coating of Spinner rotation time 30 seconds Drying condition 230 ° C. × 3 hours above.

続いて、発光層4を以下のように湿式製膜法によって形成した。 Subsequently, the light-emitting layer 4 was formed by wet film-forming method as follows.
下記に示す構造式の2,4,6−トリフェニルピリジン誘導体(E−1)とトリフェニルアミン誘導体(E−2)を、下記に示す構造式のイリジウム錯体(D−1)と共に溶媒としてキシレンを用いた有機電界発光素子用組成物を調製し、この有機電界発光素子用組成物を用いて下記の条件でスピンコートした。 Xylene 2,4,6-phenylpyridine derivative of structure shown below (E-1) and the triphenylamine derivative (E-2), as a solvent together with an iridium complex of structural formula shown below (D-1) the organic electroluminescence element composition is prepared using, was spin-coated under the following conditions by using the composition for organic electroluminescence element.

スピンコート条件 溶媒 キシレン 組成物中濃度 E−1 1.0 重量% Spin coating conditions solvent xylene composition concentration E-1 1.0 wt%
E−2 1.0 重量% E-2 1.0% by weight
D−1 0.1 重量% D-1 0.1 wt%
スピナ回転数 1500rpm Spinner rotational speed of 1500rpm
スピナ回転時間 30秒 乾燥条件 130℃×60分(減圧下) Spinner rotation time 30 seconds Drying condition 130 ° C. × 60 minutes (under reduced pressure)
上記のスピンコートにより膜厚60nmの均一な薄膜が形成された。 Uniform thin film having a thickness of 60nm by spin-coating of the formed.

次に、正孔阻止層8として下記に示すピリジン誘導体(B−3)をるつぼ温度286〜287℃として、蒸着速度0.05〜0.06nm/秒で5nmの膜厚に積層した。 Then, pyridine derivatives shown below the (B-3) as a crucible temperature 286 to 287 ° C. as the hole blocking layer 8 was laminated in a thickness of 5nm at a deposition rate 0.05~0.06Nm / sec. 蒸着時の真空度は1.9〜2.0×10 −4 Pa(約1.4〜1.5×10 −6 Torr)であった。 The degree of vacuum during deposition was 1.9~2.0 × 10 -4 Pa (about 1.4~1.5 × 10 -6 Torr).

次に、正孔阻止層8の上に、電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)を同様にして蒸着した。 Next, on the hole blocking layer 8 was deposited in the same manner of aluminum shown below as an electron transport layer 7 8-hydroxyquinoline complex (ET-1). この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は473〜427℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.7〜1.9×10 −4 Pa(約1.3〜1.4×10 −6 Torr)、蒸着速度は0.08〜0.15nm/秒で膜厚は30nmとした。 The temperature of the crucible for the aluminum 8-hydroxyquinoline complex in this procedure was controlled within the range of four hundred seventy-three to four hundred twenty-seven ° C., vacuum degree during deposition was 1.7~1.9 × 10 -4 Pa (about 1.3 to 1. 4 × 10 -6 Torr), the deposition rate and the film thickness at 0.08~0.15Nm / sec was 30 nm.

上記の正孔阻止層8および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。 The substrate temperature at the time of vacuum deposition of the above hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 was kept to room temperature.

ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.5×10 −6 Torr(約3.3×10 −4 Pa)以下になるまで排気した。 Here, the device which had been subjected to vacuum deposition up to the electron transport layer 7 was once taken out into the atmosphere from the vacuum deposition apparatus, a stripe-shaped shadow mask of 2mm width as a mask for cathode vapor deposition, the ITO stripe of the anode 2 and brought into close contact with the element as orthogonal, the degree of vacuum in the apparatus in the same manner as the organic layer was placed in another vacuum deposition apparatus 2.5 × 10 -6 Torr (about 3.3 × 10 -4 Pa ) it was evacuated until the following.

次に、電子輸送層7の上に、電子注入層5として、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.007〜0.008nm/秒、真空度2.6×10 −6 Torr(約3.4×10 −4 Pa)で、0.5nmの膜厚で成膜した。 Next, on the electron transport layer 7, an electron injection layer 5, a lithium fluoride (LiF), using a molybdenum boat, deposition rate 0.007~0.008Nm / sec, the degree of vacuum 2.6 × 10 -6 Torr (about 3.4 × 10 -4 Pa), was deposited thereon to a thickness of 0.5 nm.

次に、電子注入層5の上に、陰極6として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.06〜0.55nm/秒、真空度3.3〜6.8×10 −6 Torr(約4.4〜9.0×10 −4 Pa)で製膜して膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極6を完成させた。 Next, on the electron injection layer 5, as the cathode 6, aluminum was heated by a molybdenum boat, deposition rate 0.06~0.55Nm / sec, vacuum 3.3~6.8 × 10 -6 Torr to complete the cathode 6 to form an aluminum layer having a thickness of 80nm by a film (about 4.4~9.0 × 10 -4 Pa).

以上の電子注入層5、陰極6の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 Or the electron injection layer 5, the substrate temperature during deposition of the cathode 6 was kept to room temperature.

以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。 In the above manner, the organic electroluminescent device having a light emission area part with a size of 2mm × 2mm was obtained. この素子の発光特性は以下の通りであった。 Light emitting properties of the device were as follows.
輝度/電流:17.4[cd/A](@100cd/m Luminance / current: 17.4 [cd / A] ( @ 100cd / m 2)
電圧:7.2[V](@100cd/m Voltage: 7.2 [V] (@ 100cd / m 2)
発光効率:7.6[1m/W](@100cd/m Luminous efficiency: 7.6 [1m / W] ( @ 100cd / m 2)

〈実施例5〉 <Example 5>
正孔注入層3の成膜に当たり、下記に示す構造式の本発明の高分子化合物(P−1(重量平均分子量:26500,数平均分子量:12000))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートしたほかは、実施例4と同様に素子を作製した。 It strikes the film formation of the hole injection layer 3, the polymer compound of the present invention of structural formula shown below (P-1 (weight average molecular weight: 26500, number-average molecular weight: 12000)) and electron-accepting structure shown below using a compound (a-1), except that the spin coating under the following conditions to prepare an element in the same manner as in example 4.

スピンコート条件 溶媒 アニソール 塗布液濃度 P−1 2.0重量% Spin coating conditions solvent anisole coating solution concentration P-1 2.0 wt%
A−1 0.8重量% A-1 0.8 wt%
スピナ回転数 2000rpm Spinner rotational speed of 2000rpm
スピナ回転時間 30秒 乾燥条件 230℃×3時間 上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。 Uniform thin film having a film thickness of 30nm was formed by spin coating of Spinner rotation time 30 seconds Drying condition 230 ° C. × 3 hours above.

得られた有機電界発光素子の発光特性は以下の通りであった。 Emission characteristics of the obtained organic electroluminescent device were as follows.
輝度/電流:16.2[cd/A](@100cd/m Luminance / current: 16.2 [cd / A] ( @ 100cd / m 2)
電圧:7.2[V](@100cd/m Voltage: 7.2 [V] (@ 100cd / m 2)
発光効率:7.1[1m/W](@100cd/m Luminous efficiency: 7.1 [1m / W] ( @ 100cd / m 2)

〈比較例2〉 <Comparative Example 2>
正孔注入層3の成膜に当たり、を下記に示す構造式の比較化合物(Q−1(重量平均分子量:33200,数平均分子量:12000))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートしたほかは、実施例4と同様に素子を作製した。 It strikes the film formation of the hole injection layer 3, a comparative compound of the structural formula shown below (Q-1 (weight average molecular weight: 33200, number-average molecular weight: 12000)) and an electron-accepting compound of structural formula shown below (A -1) and used, except that the spin coating under the following conditions to prepare an element in the same manner as in example 4.

スピンコート条件 溶媒 安息香酸エチル 塗布液濃度 Q−1 2.0重量% Ethyl spin coating conditions solvent acid coating solution concentration Q-1 2.0 wt%
A−1 0.8重量% A-1 0.8 wt%
スピナ回転数 1500rpm Spinner rotational speed of 1500rpm
スピナ回転時間 30秒 乾燥条件 230℃×3時間 上記のスピンコートにより膜厚38nmの均一な薄膜が形成された。 Uniform thin film having a film thickness of 38nm was formed by spin coating of Spinner rotation time 30 seconds Drying condition 230 ° C. × 3 hours above.

得られた有機電界発光素子の発光特性は以下の通りであった。 Emission characteristics of the obtained organic electroluminescent device were as follows.
輝度/電流:15.0[cd/A](@100cd/m Luminance / current: 15.0 [cd / A] ( @ 100cd / m 2)
電圧:7.9[V](@100cd/m Voltage: 7.9 [V] (@ 100cd / m 2)
発光効率:6.0[1m/W](@100cd/m Luminous efficiency: 6.0 [1m / W] ( @ 100cd / m 2)

[有機電界発光素子の評価] [Evaluation of the organic light emitting element]
実施例4、実施例5、および比較例2で作製した素子の100cd/m 時における電流効率、電圧、電力効率、および初期輝度1,000cd/m 時における規格化寿命を以下の表5にまとめた。 Example 4, Example 5, and Comparative Example 2 the current efficiency of at 100 cd / m 2 of element manufactured in, voltage, power efficiency, and the initial luminance 1,000 cd / m Table 5 below normalized life at 2:00 They are summarized in.

表5から、本発明の高分子化合物を用いて作製された有機電界発光素子は、低い電圧で駆動可能であり、効率に優れ、長寿命であることがわかる。 Table 5, the organic electroluminescent element manufactured by using the polymer compound of the present invention can be driven at a low voltage, high efficiency, it can be seen that a long life.

〈実施例6〉 <Example 6>
図4に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 4 was prepared in the following manner.

ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。 Indium tin oxide on a glass substrate 1 (ITO) transparent conductive film obtained by 150nm deposited; patterning (sputter deposition product sheet resistance 15 [Omega]) to a stripe of 2mm width using conventional photolithography technique and hydrochloric acid etching to form an anode 2 and. パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。 The patterned ITO substrate was ultrasonically washed with acetone, rinsing with pure water, washed in the order of ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blowing was conducted, finally, ultraviolet ray-ozone cleaning.

次いで、正孔注入層3を以下のように湿式製膜法によって形成した。 Then, the hole injection layer 3 was formed by a wet film-forming method as follows. 正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の本発明の高分子化合物(P−2(重量平均分子量:12800,数平均分子量:7200))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートした。 As the material of the hole injection layer 3, the polymer compound of the present invention of structural formula shown below (P-2 (weight average molecular weight: 12800, number-average molecular weight: 7200)) and the electron-accepting compound of the structural formula shown below (a-1) and was used to spin coated under the following conditions.

スピンコート条件 溶媒 安息香酸エチル 塗布液濃度 P−2 2.0重量% Ethyl spin coating conditions solvent acid coating solution concentration P-2 2.0 wt%
A−1 0.4重量% A-1 0.4 wt%
スピナ回転数 1500rpm Spinner rotational speed of 1500rpm
スピナ回転時間 30秒 乾燥条件 230℃×15分 上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。 Uniform thin film having a film thickness of 30nm was formed by spin coating of Spinner rotation time 30 seconds Drying condition 230 ° C. × 15 minutes above.

次に、電子阻止層9(正孔輸送層)として下記に示すトリフェニルアミン誘導体(E−2)をるつぼ温度528〜521℃として、蒸着速度0.13〜0.16nm/秒で40.3nmの膜厚で積層した。 Next, 40.3Nm electron blocking layer 9 a triphenylamine derivative shown below as (a hole transport layer) (E-2) as a crucible temperature 528-521 ° C., at a deposition rate 0.13~0.16Nm / sec It was laminated with a film thickness. 蒸着時の真空度は3.7〜4.0×10 −4 Pa(約2.8〜3.0×10 −6 Torr)であった。 The degree of vacuum during deposition was 3.7~4.0 × 10 -4 Pa (about 2.8~3.0 × 10 -6 Torr).

続いて、電子阻止層9の上に発光層4を蒸着した。 Subsequently, it was deposited luminescent layer 4 on the electron blocking layer 9. 発光層4の材料として、下記に示す2,4,6−トリフェニルピリジン誘導体(E−1)を、下記に示す構造式のイリジウム錯体(D−1)と共に用い、(E−1)をるつぼ温度325〜331℃,蒸着速度0.11nm/秒で、イリジウム錯体(D−1)をるつぼ温度248〜249℃,蒸着速度0.005〜0.006nm/秒として、63.1nmの厚さに積層した。 As the material of the light-emitting layer 4, the crucible shown in the following 2,4,6-phenylpyridine derivative (E-1), used in conjunction with an iridium complex of structural formula shown below (D-1), the (E-1) temperature from 325 to 331 ° C., at a deposition rate of 0.11 nm / sec, iridium complex (D-1) crucible temperature two hundred and forty-eight to two hundred and forty-nine ° C., as the deposition rate 0.005~0.006Nm / sec to a thickness of 63.1nm It was laminated. 蒸着時の真空度は4.0〜4.5×10 −4 Pa(約3.0〜3.4×10 −6 Torr)であった。 The degree of vacuum during deposition was 4.0~4.5 × 10 -4 Pa (about 3.0~3.4 × 10 -6 Torr).

次に、正孔阻止層8として下記に示すピリジン誘導体(B−3)をるつぼ温度248〜260℃として、蒸着速度0.13〜0.24nm/秒で5nmの膜厚で積層した。 Then, pyridine derivatives shown below the (B-3) as a crucible temperature from 248 to 260 ° C. as the hole blocking layer 8 was laminated in a thickness of 5nm at a deposition rate 0.13~0.24Nm / sec. 蒸着時の真空度は2.7×10 −4 Pa(約2.0×10 −6 Torr)であった。 The degree of vacuum during deposition was 2.7 × 10 -4 Pa (about 2.0 × 10 -6 Torr).

次に、正孔阻止層8の上に、電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)を同様にして蒸着した。 Next, on the hole blocking layer 8 was deposited in the same manner of aluminum shown below as an electron transport layer 7 8-hydroxyquinoline complex (ET-1). この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)のるつぼ温度は233〜236℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は2.7×10 −4 Pa(約2.0×10 −6 Torr)、蒸着速度は0.11〜0.17nm/秒で膜厚は30nmとした。 The temperature of the crucible for the aluminum 8-hydroxyquinoline complex in this (ET-1) is adjusted in the range of 233 to 236 ° C., vacuum degree during deposition was 2.7 × 10 -4 Pa (about 2.0 × 10 -6 Torr), the deposition rate and the film thickness at 0.11~0.17Nm / sec was 30 nm.

上記の電子阻止層9、発光層4、正孔阻止層8および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。 The above electron blocking layer 9 and the substrate temperature at which the light-emitting layer 4, a hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 by vacuum deposition was maintained at room temperature.

ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が3.3×10 −6 Torr(約4.4×10 −4 Pa)以下になるまで排気した。 Here, the device which had been subjected to vacuum deposition up to the electron transport layer 7 was once taken out into the atmosphere from the vacuum deposition apparatus, a stripe-shaped shadow mask of 2mm width as a mask for cathode vapor deposition, the ITO stripe of the anode 2 and brought into close contact with the element as orthogonal, the degree of vacuum in the apparatus in the same manner as the organic layer was placed in another vacuum deposition apparatus 3.3 × 10 -6 Torr (about 4.4 × 10 -4 Pa ) it was evacuated until the following.

次に、電子輸送層7の上に、電子注入層5として、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.017〜0.018nm/秒、真空度3.2〜3.5×10 −6 Torr(約4.3〜4.7×10 −4 Pa)で、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。 Next, on the electron transport layer 7, an electron injection layer 5, a lithium fluoride (LiF), using a molybdenum boat, deposition rate 0.017~0.018Nm / sec, the degree of vacuum from 3.2 to 3 in .5 × 10 -6 Torr (about 4.3~4.7 × 10 -4 Pa), was deposited on the electron transport layer 7 in a film thickness of 0.5 nm.

次に、電子注入層5の上に、陰極6として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.12〜0.5nm/秒、真空度2.9〜4.7×10 −6 Torr(約3.8〜6.2×10 −4 Pa)で製膜して膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極6を完成させた。 Next, on the electron injection layer 5, as the cathode 6, aluminum was heated by a molybdenum boat, deposition rate 0.12~0.5Nm / sec, the degree of vacuum from 2.9 to 4.7 × 10 -6 Torr to complete the cathode 6 to form an aluminum layer having a thickness of 80nm by a film (about 3.8~6.2 × 10 -4 Pa).

以上の電子注入層5、陰極6の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 Or the electron injection layer 5, the substrate temperature during deposition of the cathode 6 was kept to room temperature.

以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。 In the above manner, the organic electroluminescent device having a light emission area part with a size of 2mm × 2mm was obtained. この素子の発光特性は以下の通りであった。 Light emitting properties of the device were as follows.
輝度/電流:26.1[cd/A](@100cd/m Luminance / current: 26.1 [cd / A] ( @ 100cd / m 2)
電圧:12.9[V](@100cd/m Voltage: 12.9 [V] (@ 100cd / m 2)
発光効率:6.4[1m/W](@100cd/m Luminous efficiency: 6.4 [1m / W] ( @ 100cd / m 2)

本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。 It is a schematic sectional view showing an example of the organic electroluminescent device of the present invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。 It is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。 It is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。 It is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。 It is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。 It is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 2 陽極 3 正孔注入層 4 発光層 5 電子注入層 6 陰極 7 電子輸送層 8 正孔阻止層 9 電子阻止層 1 substrate 2 anode 3 hole injection layer 4 the light-emitting layer 5 electron injection layer 6 cathode 7 an electron transport layer 8 hole blocking layer 9 electron blocking layer

Claims (9)

  1. 下記式(I)で表される繰り返し単位と下記式(II)で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物。 Polymer compound containing a repeating unit and a repeating unit represented by the following formula (II) represented by the following formula (I).
    [式(I)および(II)中、 Ar およびAr は、置換基を有していてもよいフェニレン基、又は置換基を有していてもよいフェニレン基が複数個連結された基であり、 Ar 、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 [In the formulas (I) and (II), Ar 1 and Ar 2, which may have a substituent phenylene group, or a phenylene group which may have a substituent are a plurality linked group There, Ar 3 may have a location substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. 但し、Ar とAr は同一ではない。 However, Ar 1 and Ar 2 are not the same. Xは、下記の連結基を表す X represents a communication Yuimoto below.
    (上記連結基において、Ar 11 および Ar 12 は、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す )] (Oite to the linking group, Ar 11 and Ar 12 each independently may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.)]
  2. 下記式(I)で表される繰り返し単位と下記式(II)で表される繰り返し単位とを含有する高分子化合物であって、下記式(I)および式(II)に含まれる部分構造として下記式(III)で表されるN−カルバゾリル基を有する高分子化合物。 A polymer compound containing a repeating unit represented by the repeating unit formula represented by the following formula (I) (II), as a partial structure contained in the following formula (I) and formula (II) polymer compounds having a N- carbazolyl group represented by the following formula (III).
    [式(I)および(II)中、Ar 〜Ar は、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 [In the formulas (I) and (II), Ar 1 ~Ar 3 are each independently may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. 但し、Ar とAr は同一ではない。 However, Ar 1 and Ar 2 are not the same. Xは、下記の連結基を表す X represents a communication Yuimoto below.
    (上記連結基において、Ar 11 および Ar 12 は、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す )] (Oite to the linking group, Ar 11 and Ar 12 each independently may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.)]
  3. 重量平均分子量が1,000〜1,000,000である、請求項1 又は2に記載の高分子化合物。 Weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000, the polymer compound according to claim 1 or 2.
  4. 請求項1ないしのいずれかに記載の高分子化合物を含有する、ポリマー組成物。 Containing the polymer compound according to any one of claims 1 to 3, the polymer composition.
  5. さらに電子受容性化合物を含有する、請求項に記載のポリマー組成物。 Further comprising an electron-accepting compound, the polymer composition according to claim 4.
  6. 該電子受容性化合物がヨードニウム塩である、請求項に記載のポリマー組成物。 Electron acceptor compound is an iodonium salt, a polymer composition according to claim 5.
  7. 請求項ないしのいずれかに記載のポリマー組成物を用いて、湿式製膜法により形成された、有機薄膜。 With the polymer composition according to any of claims 4 to 6, which is formed by a wet film-forming method, an organic thin film.
  8. 基板上に、陽極、陰極およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子において、請求項1ないしのいずれかに記載の高分子化合物を含有する、有機電界発光素子。 On a substrate, an anode, an organic electroluminescent device having a light-emitting layer provided between a cathode and two electrodes, containing the polymer compound according to any one of claims 1 to 3, the organic electroluminescent device.
  9. 請求項ないしのいずれかに記載のポリマー組成物を用いて、湿式製膜法により形成された層を有する、有機電界発光素子。 With the polymer composition according to any of claims 4 to 6, having a layer formed by a wet film-forming method, an organic electroluminescent device.
JP2006305574A 2005-11-22 2006-11-10 Polymer compounds, polymer compositions, an organic thin film and an organic electroluminescent device Active JP5233110B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005337264 2005-11-22
JP2005337264 2005-11-22
JP2006305574A JP5233110B2 (en) 2005-11-22 2006-11-10 Polymer compounds, polymer compositions, an organic thin film and an organic electroluminescent device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006305574A JP5233110B2 (en) 2005-11-22 2006-11-10 Polymer compounds, polymer compositions, an organic thin film and an organic electroluminescent device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007169606A true JP2007169606A (en) 2007-07-05
JP5233110B2 true JP5233110B2 (en) 2013-07-10

Family

ID=38296583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006305574A Active JP5233110B2 (en) 2005-11-22 2006-11-10 Polymer compounds, polymer compositions, an organic thin film and an organic electroluminescent device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5233110B2 (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6134668A (en) 1997-05-13 2000-10-17 Micron Electronics, Inc. Method of selective independent powering of portion of computer system through remote interface from remote interface power supply
US6138179A (en) 1997-10-01 2000-10-24 Micron Electronics, Inc. System for automatically partitioning and formatting a primary hard disk for installing software in which selection of extended partition size is not related to size of hard disk
US6154835A (en) 1997-10-01 2000-11-28 Micron Electronics, Inc. Method for automatically configuring and formatting a computer system and installing software
US6163853A (en) 1997-05-13 2000-12-19 Micron Electronics, Inc. Method for communicating a software-generated pulse waveform between two servers in a network
US6199173B1 (en) 1997-10-01 2001-03-06 Micron Electronics, Inc. Method for mapping environmental resources to memory for program access
US6212585B1 (en) 1997-10-01 2001-04-03 Micron Electronics, Inc. Method of automatically configuring a server after hot add of a device
US6223234B1 (en) 1998-07-17 2001-04-24 Micron Electronics, Inc. Apparatus for the hot swap and add of input/output platforms and devices
US6249828B1 (en) 1997-05-13 2001-06-19 Micron Electronics, Inc. Method for the hot swap of a mass storage adapter on a system including a statically loaded adapter driver
US6282673B1 (en) 1997-05-13 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Method of recording information system events
US6341322B1 (en) 1997-05-13 2002-01-22 Micron Electronics, Inc. Method for interfacing two buses
US6418492B1 (en) 1997-05-13 2002-07-09 Micron Electronics Method for computer implemented hot-swap and hot-add

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009203468A (en) * 2008-01-28 2009-09-10 Mitsubishi Chemicals Corp Light emitting layer material, light emitting layer-forming composition using the same, organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display
JP5381719B2 (en) * 2008-02-20 2014-01-08 コニカミノルタ株式会社 White light emitting organic electroluminescent device
JP5833322B2 (en) 2010-03-12 2015-12-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド The organic electroluminescent device and a manufacturing method thereof
EP3081571A4 (en) 2013-12-12 2016-11-30 Mitsubishi Chem Corp Iridium complex compound, method for producing said compound, composition containing said compound, organic electroluminescent element, display device, and lighting device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3643452B2 (en) * 1995-11-10 2005-04-27 ケミプロ化成株式会社 Aromatic diamines containing polyether and organic el device using the same
JP3643433B2 (en) * 1996-03-25 2005-04-27 ケミプロ化成株式会社 Triphenylamine-containing polyetherketone, their preparation and organic el device using the same
JP3750315B2 (en) * 1997-10-27 2006-03-01 三菱化学株式会社 The organic electroluminescent device
JP4058842B2 (en) * 1998-05-13 2008-03-12 三菱化学株式会社 The organic electroluminescent device
JP3996036B2 (en) * 2001-11-19 2007-10-24 三菱化学株式会社 Aromatic diamine containing polymer compound and an organic electroluminescent device using the same
JP4186758B2 (en) * 2003-09-01 2008-11-26 三菱化学株式会社 Polymeric compounds, hole injecting and transporting material, the organic electroluminescent device material and the organic electroluminescent device
KR20080064201A (en) * 2004-03-11 2008-07-08 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 Composition for charge-transporting film and ion compound, charge-transporting film and organic electroluminescent device using same, and method for manufacturing organic electroluminescent device and method for producing charge-transporting film

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6134668A (en) 1997-05-13 2000-10-17 Micron Electronics, Inc. Method of selective independent powering of portion of computer system through remote interface from remote interface power supply
US6249828B1 (en) 1997-05-13 2001-06-19 Micron Electronics, Inc. Method for the hot swap of a mass storage adapter on a system including a statically loaded adapter driver
US6282673B1 (en) 1997-05-13 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Method of recording information system events
US6163853A (en) 1997-05-13 2000-12-19 Micron Electronics, Inc. Method for communicating a software-generated pulse waveform between two servers in a network
US6418492B1 (en) 1997-05-13 2002-07-09 Micron Electronics Method for computer implemented hot-swap and hot-add
US6341322B1 (en) 1997-05-13 2002-01-22 Micron Electronics, Inc. Method for interfacing two buses
US6212585B1 (en) 1997-10-01 2001-04-03 Micron Electronics, Inc. Method of automatically configuring a server after hot add of a device
US6138179A (en) 1997-10-01 2000-10-24 Micron Electronics, Inc. System for automatically partitioning and formatting a primary hard disk for installing software in which selection of extended partition size is not related to size of hard disk
US6154835A (en) 1997-10-01 2000-11-28 Micron Electronics, Inc. Method for automatically configuring and formatting a computer system and installing software
US6199173B1 (en) 1997-10-01 2001-03-06 Micron Electronics, Inc. Method for mapping environmental resources to memory for program access
US6223234B1 (en) 1998-07-17 2001-04-24 Micron Electronics, Inc. Apparatus for the hot swap and add of input/output platforms and devices

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP2007169606A (en) 2007-07-05 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009102027A1 (en) Conjugated polymer, insolubilized polymer, organic electroluminescent device material, composition for organic electroluminescent device, method for producing polymer, organic electroluminescent device, organic el display, and organic el illuminator
JP2004220931A (en) The organic electroluminescent device
JP2004091334A (en) 2,6-arylaminoanthracene compound, charge transport material, and organic electroluminescent element
WO2009123269A1 (en) Polymer compound, reticulated polymer compound produced by crosslinking the polymer compound, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el lighting
JP2006188493A (en) Organic compound, charge transport material and organic electroluminescent element
JP2004277377A (en) Fluorene compound and organic electroluminescent element produced by using the same
JP2004103467A (en) Organic electroluminescent element
JP2004002740A (en) Polymer compound, 1,4-phenylenediamine derivative, charge-transporting material, organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element
JP2006199679A (en) Organic compound, charge-transporting material, and organic electroluminescent element
US20090284134A1 (en) Organic compound, charge-transporting material, composition for charge-transporting material and organic electroluminescent device
JP2006233162A (en) Composition for charge transport membrane and ionic compound, charge transport membrane and organic electroluminescent device each using the same, and method for producing the device and method for producing the membrane
JP2008021687A (en) Material for organic electric field light emitting element, composition for organic electric field light emitting element and organic electric field light emitting element
JP2005276801A (en) Compound, electron transportation material and organic electroluminescent element
JP2005255986A (en) Material for forming emitter layer and organic electroluminescence element
JP2005047811A (en) Organic compound, charge transport material, organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element
JP2009141339A (en) Composition for organic electroluminescence element, and organic electroluminescence element
JP2005213188A (en) Compound, charge transport material, organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element
JP2003213002A (en) Aromatic diamine-containing polymer compound and organic electroluminescent element using the same
JP2008218983A (en) Hole transport materials, high molecular compound formed by polymerization of hole transport materials, composition for organic electric field light-emitting element, and the organic electric field light-emitting element
JP2007067383A (en) Charge transport material, organic electroluminescent element, and composition thereof
JP2007110093A (en) Organic electroluminescence element and composition therefor
Zeng et al. A new class of non-conjugated bipolar hybrid hosts for phosphorescent organic light-emitting diodes
JP2001223084A (en) Organic electric field light emitting element
JP2008248241A (en) Composition for organic device, polymer membrane and organic electroluminescent element
JP2007091719A (en) Organic compound, electric charge transport material, material for organic electroluminescent element, electric charge transport material composition, and organic electroluminescent element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090610

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120403

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130311

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350