JP5225639B2 - The method of manufacturing a semiconductor laser device - Google Patents

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Description

本発明は、ストライプ構造の半導体レーザ素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor laser device of stripe structure.

ストライプ構造の半導体レーザ素子は、例えば非特許文献1に記載されているように製造されるのが従来一般的である。 The semiconductor laser device of stripe structure, for example being prepared as described in Non-Patent Document 1 is a conventional general.

すなわち、まず、半導体レーザ素子となる複数の半導体レーザ部が2次元マトリックス状に配列された加工対象物を用意する。 That is, first, a workpiece in which a plurality of semiconductor laser portion which is a semiconductor laser elements arranged in a two-dimensional matrix. そして、その加工対象物に対し、半導体レーザ部間においてストライプ方向と直交する方向に延在する切断予定ラインの端部に沿って、ダイヤモンドカッタ等のスクライバで罫書きを入れる(1次スクライブ)。 Then, the workpiece relative to, along the edge of the cutting lines that extend in a direction perpendicular to the stripe direction between the semiconductor laser unit, put the scoring with a scriber, such as a diamond cutter (primary scribing). 続いて、その罫書きを起点として加工対象物を切断予定ラインに沿って劈開させることにより、複数の半導体レーザ部が1次元に配列されたバーを複数得る。 Subsequently, by cleaving along the workpiece the cutting line the scoring starting, a plurality of semiconductor laser unit to obtain a plurality of arrayed bars to a dimension.

その後、バーにおいてストライプ方向と直交する劈開面に、保護膜や反射制御膜となる誘電体膜をコーティングする。 Then, the cleavage plane perpendicular to the stripe direction in bars, coating a dielectric film serving as a protective film or a reflection control film. そして、そのバーに対し、半導体レーザ部間においてストライプ方向に延在する切断予定ラインに沿って、ダイヤモンドカッタ等のスクライバで罫書きを入れる(2次スクライブ)。 Then, with respect to the bar, along the cut lines extending in the stripe direction between the semiconductor laser unit, put the scoring with a scriber, such as a diamond cutter (secondary scribing). 続いて、その罫書きを起点としてバーを切断予定ラインに沿って劈開させることにより、半導体レーザ素子を複数得る。 Subsequently, by cleaving along the bar to the cutting line the scoring starting to obtain a plurality of semiconductor laser elements.

なお、1次スクライブによる罫書きを起点として加工対象物を劈開させることによりバーを複数得た後に、複数のバーのそれぞれに対して2次スクライブを行うのは、次の理由による。 Incidentally, after obtaining a plurality of bars by cleaving the workpiece to scribe by the primary scribing starting, to make a secondary scribing for each of a plurality of bars, for the following reason. つまり、加工対象物に対して1次スクライブ及び2次スクライブの双方を予め行うと、1次スクライブによる罫書きを起点として加工対象物を劈開させる際に、2次スクライブによる罫書きが影響して、精度の良い劈開面を有するバーが得られないおそれがあるからである。 That is, when performed in advance both the primary scribing and secondary scribing relative the object, the time of cleaving the workpiece to scribe by the primary scribing starting, affect the scoring due to secondary scribing , there is a possibility that the bar can not be obtained with an accurate cleavage surfaces.

上述したように、従来一般的な半導体レーザ素子の製造方法にあっては、加工対象物を劈開させることによって得られた複数のバーのそれぞれに対して2次スクライブを行わなければならないため、作業が極めて煩雑であり、生産性が低いという問題がある。 Since, as described above, in the conventional method of manufacturing a general semiconductor laser device must perform secondary scribing for each of a plurality of bars obtained by cleaving the workpiece, work there is a very complicated, there is a problem of low productivity.

そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、生産性の高い半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a high productivity semiconductor laser device.

上記目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、ストライプ構造の半導体レーザ素子の製造方法であって、半導体レーザ素子となる複数の半導体レーザ部が2次元に配列された加工対象物に対し、半導体レーザ部間においてストライプ方向と直交する方向に延在する第1の切断予定ラインの少なくとも一部に沿って、第1の切断起点領域を形成すると共に、加工対象物に対し、その内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、半導体レーザ部間においてストライプ方向に延在する第2の切断予定ラインに沿って、改質領域を有する第2の切断起点領域を形成する工程と、第1の切断起点領域を起点として加工対象物を第1の切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の半導体レーザ部が1次元 To achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor laser device of stripe structure, a plurality of semiconductor laser portion which is a semiconductor laser elements arranged in a two-dimensional to the object, along at least a portion of the first cutting line extending in a direction perpendicular to the stripe direction between the semiconductor laser unit, to form a first cutting start region, the workpiece against, by irradiating laser light while locating a converging point therein, along a second cutting line extending in the stripe direction between the semiconductor laser unit, a second cutting start with a modified region forming a region, by cutting the object to the first cutting start region as a start point along the first cutting line, a plurality of semiconductor laser portion is a one-dimensional 配列されたバーを複数得る工程と、第2の切断起点領域を起点としてバーを第2の切断予定ラインに沿って切断することにより、半導体レーザ素子を複数得る工程と、を含み、第1及び第2の切断起点領域を形成する工程では、第2の切断起点領域を起点として加工対象物を第2の切断予定ラインに沿って切断するのに要する第2の切断力が、第1の切断起点領域を起点として加工対象物を第1の切断予定ラインに沿って切断するのに要する第1の切断力よりも大きくなるように、第2の切断予定ラインに沿って、第2の切断起点領域を形成することを特徴とする。 And obtaining a plurality of arrayed bars, by cutting the bar along the second line to cut the second cutting start region as a start point, it viewed including the steps of obtaining a plurality of semiconductor laser elements, a first and in the step of forming a second cutting start region, a second cutting force that requires processing object a second cutting start region as a start point for cutting along the second line to cut is first to be greater than the first cutting force required to cut along the workpiece, starting the cutting start region to the first cutting line, along a second line to cut, the second cutting and forming a starting point region.

この半導体レーザ素子の製造方法では、加工対象物に対して、第1の切断予定ラインの少なくとも一部に沿っての第1の切断起点領域の形成、及び第2の切断予定ラインに沿っての第2の切断起点領域の形成の双方を予め行う。 In this method of manufacturing the semiconductor laser element, relative to the workpiece, the formation of the first cutting start region along at least a portion of the first line to cut, and the along a second cutting line performing both formation of the second cutting start region in advance. ここで、第2の切断起点領域は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより形成される改質領域を有するものである。 Here, the second cutting start region are those having a modified region formed by the combined converging point within the object is irradiated with laser light. これにより、第1の切断起点領域を起点として加工対象物を切断する際に、例えば罫書き等に比べて第2の切断起点領域の影響力が小さくなり、精度の良い劈開面を有するバーを得ることができる。 Thus, when cutting the object to the first starting point region for cutting as a start point, for example, scoring, etc. influence the second cutting start region is smaller than the, the bar having an accurate cleavage surfaces it is possible to obtain. 従って、複数のバーのそれぞれに対して、第2の切断予定ラインに沿っての第2の切断起点領域の形成を行うことが不要となり、半導体レーザ素子の生産性を向上させることが可能となる。 Thus, for each of a plurality of bars, it is unnecessary to perform the formation of the second cutting start region along the second line to cut, it is possible to improve the productivity of the semiconductor laser element . なお、第1の切断予定ラインの少なくとも一部に沿っての第1の切断起点領域の形成、及び第2の切断予定ラインに沿っての第2の切断起点領域の形成は、順序不同である。 The formation of the first cutting start region along at least a portion of the first line to cut, and the formation of the second cutting start region along the second line to cut is a random order .

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法においては、第1及び第2の切断起点領域を形成する工程では、第2の切断起点領域を起点として加工対象物を第2の切断予定ラインに沿って切断するのに要する第2の切断力が、第1の切断起点領域を起点として加工対象物を第1の切断予定ラインに沿って切断するのに要する第1の切断力よりも大きくなるように、第2の切断予定ラインに沿って、第2の切断起点領域を形成する。 In the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention, in the step of forming the first and second cutting start region, the processing object and the second cutting start region as a start point along a second line to cut as a second cutting force required to cut is larger than the first cutting force required to the object a first cutting start region as a start point for cutting along a first cutting line , along the second line to cut, form a second cutting start region. このように第2の切断起点領域を形成することで、第1の切断起点領域を起点として加工対象物を切断する際に、第2の切断起点領域を起点として加工対象物が切断されるような事態を確実に防止することができる。 By thus forming the second starting point region for cutting, when cutting the object to the first starting point region for cutting as a start point, so that the workpiece is cut a second cutting start region as a start point the situation can be reliably prevented.

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法においては、第1及び第2の切断起点領域を形成する工程では、加工対象物に対し、第2の切断予定ラインに沿った部分のうち、第1の切断予定ラインと交差する部分を除いて、第2の切断予定ラインに沿って、第2の切断起点領域を形成することが好ましい。 In the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention, in the step of forming the first and second cutting start region, with respect to the object, of the portion along the second line to cut, the first except for the portion that intersects the cutting line, along a second cutting line, it is preferable to form the second cutting start region. このように第2の切断起点領域を形成することで、第1の切断起点領域を起点として加工対象物を切断する際に、第2の切断起点領域の影響力をより一層小さくすることができ、精度の良い劈開面を有するバーを確実に得ることが可能となる。 By thus forming the second starting point region for cutting, when cutting the object to the first starting point region for cutting as a start point, it is possible to influence the second cutting start region to further reduce , it is possible to reliably obtain a bar having an accurate cleavage surfaces.

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法においては、第1及び第2の切断起点領域を形成する工程では、加工対象物に対し、その内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、第1の切断予定ラインの少なくとも一部に沿って、改質領域を有する第1の切断起点領域を形成することが好ましい。 In the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention, in the step of forming the first and second cutting start region, with respect to the object, by irradiating a laser light while locating a converging point inside , along at least a portion of the first line to cut, it is preferable to form the first cutting start region having a modified region. この場合、加工対象物に対する第1の切断起点領域の形成及び第2の切断起点領域の形成の双方を、レーザ加工装置のみを用いて予め行うことができ、半導体レーザ素子の生産性をより一層向上させることが可能となる。 In this case, both the formation of the formation and the second cutting start region of the first cutting start region for the object, can be performed in advance by using only a laser machining apparatus, even more the productivity of the semiconductor laser element it is possible to improve.

このとき、第1及び第2の切断起点領域を形成する工程では、加工対象物に対し、第1の切断予定ラインに沿った部分のうち、半導体レーザ素子の共振面となる部分を除いて、第1の切断予定ラインに沿って、第1の切断起点領域を形成することが好ましい。 In this case, in the step of forming the first and second cutting start region, with respect to the object, of the portion along the first cutting line, except for the portion that becomes the resonance surface of the semiconductor laser element, along a first cutting line, it is preferable to form the first cutting start region. これにより、半導体レーザ素子の共振面において、レーザ光が散乱したり、レーザ光の反射率が低下したりするのを防止することができる。 Thus, it is possible to prevent the resonance surface of the semiconductor laser element, or laser light is scattered, that the reflectance of the laser beam is lowered.

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法においては、バーを複数得る工程と半導体レーザ素子を複数得る工程との間に、バーにおいてストライプ方向と直交する端面に誘電体膜を形成する工程を含むことが好ましい。 In the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention, between the step and the plurality obtaining step the semiconductor laser device to obtain a plurality of bars, further comprising the step of forming a dielectric film on an end face perpendicular to the stripe direction in bar It is preferred. これにより、半導体レーザ素子の共振面となる部分に、保護膜や反射制御膜を効率良く形成することができる。 Thus, the portion that becomes the resonance surface of the semiconductor laser element, a protective film or a reflection control film can be formed efficiently.

本発明によれば、半導体レーザ素子の生産性を向上させることが可能となる。 According to the present invention, it is possible to improve the productivity of the semiconductor laser element.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 The same reference numerals are assigned to the same or corresponding portions in the respective drawings, without redundant description.

本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法においては、板状の加工対象物に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物に改質領域を形成する。 In the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present embodiment, forming the modified region by irradiating the laser light while locating a converging point on a plate-shaped workpiece, the workpiece along the cutting line to.

そこで、まず、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法における改質領域の形成について、図1〜図9を参照して説明する。 Therefore, first, the formation of a modified region in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1-9.

図1に示すように、レーザ加工装置100は、レーザ光(加工用レーザ光)Lをパルス発振するレーザ光源101と、レーザ光Lの光軸の向きを90°変えるように配置されたダイクロイックミラー103と、レーザ光Lを集光するための集光用レンズ105と、を備えている。 As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 100, the dichroic mirror and the laser light source 101 for pulse-oscillating a laser beam (processing laser light) L, it arranged the direction of the optical axis of the laser beam L so as to change 90 ° and 103, and a condenser lens 105 for condensing the laser beam L, and. また、レーザ加工装置100は、集光用レンズ105で集光されたレーザ光Lが照射される加工対象物1を支持するための支持台107と、支持台107をX、Y、Z軸方向に移動させるためのステージ111と、レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源101を制御するレーザ光源制御部102と、ステージ111の移動を制御するステージ制御部115と、を備えている。 Further, the laser processing apparatus 100 includes a support base 107 for supporting the object 1 to focused laser beam L at converging lens 105 is irradiated, the support table 107 X, Y, Z axis direction a stage 111 for moving the, a laser light source controller 102 for controlling the laser light source 101 to adjust the output, pulse width of the laser beam L or the like, and a stage controller 115 for controlling the movement of the stage 111, the It is provided.

このレーザ加工装置100においては、レーザ光源101から出射されたレーザ光Lは、ダイクロイックミラー103によってその光軸の向きを90°変えられ、支持台107上に載置された加工対象物1の内部に集光レンズ105によって集光される。 In the laser processing apparatus 100, the laser beam L emitted from the laser light source 101, the internal dichroic by the mirror 103 is changed direction by 90 ° of the optical axis, the support base 107 object 1 placed on It is condensed by the condensing lens 105. これと共に、ステージ111が移動させられ、加工対象物1がレーザ光Lに対して切断予定ライン5に沿って相対移動させられる。 At the same time, the stage 111 is moved, the object 1 is moved relative along the line to cut 5 with respect to the laser beam L. これにより、切断予定ライン5に沿って、切断の起点となる改質領域が加工対象物1に形成されることとなる。 Thus, along the line to cut 5, the modified region to become a cutting start point is to be formed in the object 1. 以下、この改質領域について詳細に説明する。 Hereinafter, this modified region will be described in detail.

図2に示すように、板状の加工対象物1には、加工対象物1を切断するための切断予定ライン5が設定されている。 As shown in FIG. 2, the plate-like object 1, the line to cut 5 for cutting the object 1 is set. 切断予定ライン5は、直線状に延びた仮想線である。 Line to cut 5 is a virtual line extending straight. 加工対象物1の内部に改質領域を形成する場合、図3に示すように、加工対象物1の内部に集光点Pを合わせた状態で、レーザ光Lを切断予定ライン5に沿って(すなわち、図2の矢印A方向に)相対的に移動させる。 When forming a modified region within the object 1, as shown in FIG. 3, in a state in which a converging point P within the object 1 along the laser beam L on the line to cut 5 (i.e., in the direction of arrow a in FIG. 2) are relatively moved. これにより、図4〜図6に示すように、改質領域7が切断予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に形成され、切断予定ライン5に沿って形成された改質領域7が切断起点領域8となる。 Thus, as shown in FIGS. 4 to 6, the modified region 7 is formed within the object 1 along the line to cut 5, the modified region 7 formed along the line to cut 5 the cutting start region 8.

なお、集光点Pとは、レーザ光Lが集光する箇所のことである。 Note that the converging point P, is a position at which the laser light L is converged. また、切断予定ライン5は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、仮想線に限らず加工対象物1の表面3に実際に引かれた線であってもよい。 The line to cut 5 may be curved instead of being straight, and may be a line actually drawn on the surface 3 of the object 1 without being restricted to the virtual line. また、改質領域7は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。 Also, modified regions 7 may or may be continuously formed, it may be intermittently formed. また、改質領域7は少なくとも加工対象物1の内部に形成されていればよい。 Further, the modified region 7 may be formed within at least the object 1. また、改質領域7を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域7は、加工対象物1の外表面(表面、裏面、若しくは外周面)に露出していてもよい。 In addition, there may be cases where cracks starting from the modified region 7 is formed, cracks and modified region 7, the outer surface of the object 1 may be exposed to (surface, back surface, or outer peripheral surface).

ちなみに、ここでは、レーザ光Lが、加工対象物1を透過すると共に加工対象物1の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物1に改質領域7が形成される(すなわち、内部吸収型レーザ加工)。 Incidentally, here, the laser light L is absorbed in particular in the vicinity of the converging point within the object 1 while passing through the object 1, by which, the modified region 7 is formed in the object 1 that (i.e., internal absorption type laser working). よって、加工対象物1の表面3ではレーザ光Lが殆ど吸収されないので、加工対象物1の表面3が溶融することはない。 Thus, the surface 3, the laser beam L of the object 1 is hardly absorbed, the surface 3 of the object 1 does not melt. 一般的に、表面3から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される(表面吸収型レーザ加工)場合、加工領域は表面3側から徐々に裏面側に進行する。 Generally, removal of such a hole or groove by melting it away from the front face 3 is formed (surface absorption type laser processing), the processing region gradually progresses to the back side from the front face 3 side.

ところで、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法にて形成される改質領域は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。 Incidentally, modified region formed by a method of manufacturing a semiconductor laser device according to this embodiment, density, refractive index, mechanical strength and other physical properties refers to a region which becomes a state different from the surrounding. 例えば、(1)溶融処理領域、(2)クラック領域、絶縁破壊領域、(3)屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。 For example, (1) molten processed regions, (2) crack region, dielectric breakdown region, there are (3) refractive index changed regions, is also it are mixed region.

本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法における改質領域は、レーザ光の局所的な吸収や多光子吸収という現象により形成される。 Modified region in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present embodiment is formed by a phenomenon that local absorption or multiple photon absorption of a laser beam. 多光子吸収とは、材料の吸収のバンドギャップE よりも光子のエネルギーhνが小さいと光学的に透明となるため、材料に吸収が生じる条件はhν>E であるが、光学的に透明でも、レーザ光Lの強度を非常に大きくするとnhν>E の条件(n=2,3,4,・・・)で材料に吸収が生じる現象をいう。 The multiphoton absorption, since the energy hv of photons than the band gap E G of absorption of the material is small becomes optically transparent, but a condition under which absorption occurs in the material is hv> E G, optically transparent But, when a very large intensity of the laser beam L nhν> of E G condition (n = 2,3,4, ···) refers to a phenomenon in which absorption occurs in the material. 多光子吸収による溶融処理領域の形成は、例えば、溶接学会全国大会講演概要第66集(2000年4月)の第72頁〜第73頁の「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加工特性評価」に記載されている。 The formation of multi-photon absorption by the molten processed region is, for example, in "Silicon Processing Characteristic Evaluation by Picosecond Pulse Laser" of the first 72 pages - 73 pages Welding Society national convention Abstract No. Vol. 66 (April 2000) Have been described.

また、D.Du,X.Liu,G.Korn,J.Squier,and G.Mourou,”Laser Induced Breakdown by Impact Ionization in SiO 2 with Pulse Widths from 7ns to 150fs”,Appl Phys Lett64(23),Jun.6,1994に記載されているようにパルス幅が数ピコ秒からフェムト秒の超短パルスレーザ光を利用することにより形成される改質領域を利用してもよい。 In addition, D.Du, X.Liu, G.Korn, J.Squier , and G.Mourou, "Laser Induced Breakdown by Impact Ionization in SiO 2 with Pulse Widths from 7ns to 150fs", Appl Phys Lett64 (23), Jun .6,1994 may utilize a modified region formed by the pulse width as described utilizes ultrashort pulse laser beam femtosecond several picoseconds.
(1)改質領域が溶融処理領域を含む場合 (1) When the modified region includes a molten processed region

加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×10 (W/cm )以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光Lを照射する。 Inside with its focusing point of the object (e.g., semiconductor material such as silicon), and the pulse width field intensity at the focal point is at 1 × 10 8 (W / cm 2) or more under the following conditions 1μs It is irradiated with a laser beam L. これにより、集光点近傍にてレーザ光Lが吸収されて加工対象物の内部が局所的に加熱され、この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。 Thus, within the object laser beam L is absorbed in the vicinity converging point is locally heated, molten processed region within the object is formed by this heating.

溶融処理領域とは、一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。 The molten processed region, once again solidified region and the melted, just area or in a molten state, a region of the state of being re-solidified from the molten state, it is also possible that the phase change regions and crystal structure has changed region. また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。 The single crystal structure from the molten processed region, an amorphous structure, the polycrystalline structure can also be referred to as a region in which a certain structure has changed into another structure. つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。 That is, for example, refers to a single crystal structure from a change in the amorphous structure region, a region having changed from the monocrystal structure to the polycrystal structure, a region having changed from the monocrystal structure to a structure containing amorphous and polycrystal structures to. 加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。 If the object is a silicon monocrystal structure, the molten processed region is an amorphous silicon structure, for example.

図7は、レーザ光が照射されたシリコンウェハ(半導体基板)の一部における断面の写真を表した図である。 Figure 7 is a view showing a photograph of the cross section of a portion of a silicon wafer irradiated with laser light (semiconductor substrate). 図7に示すように、半導体基板11の内部に溶融処理領域13が形成されている。 As shown in FIG. 7, the molten processed region 13 is formed inside the semiconductor substrate 11.

入射するレーザ光の波長に対して透過性の材料の内部に溶融処理領域13が形成されたことを説明する。 Explaining that the molten processed region 13 inside the transparent material to the wavelength of the incident laser light is formed. 図8は、レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示す線図である。 Figure 8 is a graph showing the relationship between the transmittance within a wavelength of the laser beam and the silicon substrate. ただし、シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの反射成分を除去し、内部のみの透過率を示している。 However, to remove the front and rear sides respectively of the reflected components of the silicon substrate, so as to show the internal transmittance alone. シリコン基板の厚さtが50μm、100μm、200μm、500μm、1000μmの各々について上記関係を示した。 The thickness t is 50μm of silicon substrate, 100μm, 200μm, 500μm, for each 1000μm showing the relationship.

例えば、Nd:YAGレーザの波長である1064nmにおいて、シリコン基板の厚さが500μm以下の場合、シリコン基板の内部ではレーザ光Lが80%以上透過することが分かる。 For example, Nd: in 1064nm YAG laser wavelength of, if the thickness of the silicon substrate is 500μm or less, to be transmitted through the laser light L of 80% or more within the silicon substrate. 図7に示す半導体基板11の厚さは350μmであるので、溶融処理領域13は半導体基板11の中心付近、つまり表面から175μmの部分に形成される。 Since the thickness of the semiconductor substrate 11 shown in FIG. 7 is a 350 .mu.m, the molten processed region 13 is formed near the center, that is part of 175μm from the surface of the semiconductor substrate 11. この場合の透過率は、厚さ200μmのシリコンウェハを参考にすると、90%以上なので、レーザ光Lが半導体基板11の内部で吸収されるのは僅かであり、殆どが透過する。 The transmittance in this case is with reference to a silicon wafer having a thickness of 200 [mu] m, since more than 90%, is only the laser beam L is absorbed within the semiconductor substrate 11 but is substantially transmitted therethrough. しかし、1×10 (W/cm )以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光Lをシリコンウェハ内部に集光することで集光点とその近傍で局所的にレーザ光が吸収され溶融処理領域13が半導体基板11の内部に形成される。 However, locally laser light absorption by focusing the laser beam L in the silicon wafer converging point and its vicinity in 1 × 10 8 (W / cm 2) and a pulse width of less 1μs conditions above are molten processed region 13 is formed inside the semiconductor substrate 11.

なお、シリコンウェハには、溶融処理領域を起点として亀裂が発生する場合がある。 Incidentally, the silicon wafer may crack occurs starting from the molten processed region. また、溶融処理領域に亀裂が内包されて形成される場合があり、この場合には、その亀裂が、溶融処理領域においての全面に渡って形成されていたり、一部分のみや複数部分に形成されていたりすることがある。 In addition, there may be cases where cracks are formed is included in the molten processed region, in this case, the crack, or are formed over the entire surface of the molten processed region, it is formed on only or a plurality of portions portions sometimes or. 更に、この亀裂は、自然に成長する場合もあるし、シリコンウェハに力が印加されることにより成長する場合もある。 In addition, the crack may or may grow naturally or may be grown by a force is applied to the silicon wafer. 溶融処理領域から亀裂が自然に成長する場合には、溶融処理領域が溶融している状態から成長する場合と、溶融処理領域が溶融している状態から再固化する際に成長する場合とのいずれもある。 If the crack grows naturally from a molten processed region, any and when grown from a state where the molten processed region is melted, and when growing when re-solidified state the molten processed region is melted there is also. ただし、どちらの場合も溶融処理領域はシリコンウェハの内部に形成され、切断面においては、図7に示すように、内部に溶融処理領域が形成されている。 However, the molten processed region in either case is formed within the silicon wafer, in the cut surface, as shown in FIG. 7, a molten processed region is formed inside.
(2)改質領域がクラック領域を含む場合 (2) When the modified region is including a crack region

加工対象物(例えばガラスやLiTaO からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×10 (W/cm )以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光Lを照射する。 The combined converging point within the object (e.g., glass or a piezoelectric material made LiTaO 3), the electric field intensity at the focal point and a pulse width of less 1μs at 1 × 10 8 (W / cm 2) or more irradiating laser light L under a condition. このパルス幅の大きさは、加工対象物の内部にレーザ光Lが吸収されてクラック領域が形成される条件である。 This magnitude of pulse width is a condition that a crack region is absorbed laser light L within the object is formed. これにより、加工対象物の内部には光学的損傷という現象が発生する。 Thus, a phenomenon of optical damage occurs within the object. この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部に、1つ又は複数のクラックを含むクラック領域が形成される。 By this optical damage thermal distortion within the object it is induced, in consequence, the inside of the object, the crack region including one or a plurality of cracks are formed. クラック領域は絶縁破壊領域とも言える。 Crack region can be called a dielectric breakdown region.

図9は電界強度とクラックの大きさとの関係の実験結果を示す線図である。 Figure 9 is a graph showing the experimental results of the relationship between field intensity and crack size. 横軸はピークパワー密度であり、レーザ光Lがパルスレーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表される。 The abscissa indicates the peak power density, electric field strength because the laser beam L is a pulsed laser beam is represented by the peak power density. 縦軸は1パルスのレーザ光Lにより加工対象物の内部に形成されたクラック部分(クラックスポット)の大きさを示している。 The ordinate indicates the size of formed inside a crack part of the object by the laser beam L of one pulse (crack spot). クラックスポットが集まりクラック領域となる。 Crack spots gather to yield a crack region. クラックスポットの大きさは、クラックスポットの形状のうち、最大の長さとなる部分の大きさである。 The size of the crack spot among forms of crack spots, the size of the portion having the maximum length. グラフ中の黒丸で示すデータは集光用レンズ(C)の倍率が100倍、開口数(NA)が0.80の場合である。 Magnification 100 times the data indicated by black circles condenser lens (C) in the graph, the numerical aperture (NA) is the case of 0.80. 一方、グラフ中の白丸で示すデータは集光用レンズ(C)の倍率が50倍、開口数(NA)が0.55の場合である。 On the other hand, data represented by whitened circles in the graph magnification 50 times the condenser lens (C) has a numerical aperture (NA) of 0.55. ピークパワー密度が10 11 (W/cm )程度から加工対象物の内部にクラックスポットが発生し、ピークパワー密度が大きくなるに従いクラックスポットも大きくなることが分かる。 Crack spots generated inside the peak power density of 10 11 (W / cm 2) the object from the degree crack spots become can be seen greater as the peak power density increases.
(3)改質領域が屈折率変化領域を含む場合 (3) When the modified region is including a refractive index change region

加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×10 (W/cm )以上で且つパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光Lを照射する。 Inside with its focusing point of the object (e.g., glass), a laser beam L in electric field intensity in focal point and a pulse width of less 1ns conditions 1 × 10 8 (W / cm 2) or more to. このように、パルス幅が極めて短い状態で加工対象物の内部にレーザ光Lが吸収されると、そのエネルギーが熱エネルギーに転化せず、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起され、屈折率変化領域が形成される。 Thus, when the pulse width is laser light L is absorbed within the object in a very short state, its energy is not converted into thermal energy, ionic valence change within the object, crystallization or permanent structural changes in the polarization orientation or the like is induced, the refractive index change region is formed.

なお、改質領域とは、溶融処理領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等やそれらが混在した領域を含めて、その材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域であったり、格子欠陥が形成された領域であったりする。 Note that the modified region, molten processed region, dielectric breakdown region, including the region in which the refractive index changed regions, and their mixed, compared the density of the modified region in the material and the density of the unmodified area or a changed region, or a region lattice defects are formed. これらをまとめて高密転移領域と言うこともできる。 It is also possible to say that these are collectively high-density transition region.

また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更にそれら領域の内部や改質領域と非改質領域との界面に亀裂(割れ、マイクロクラック)を内包している場合がある。 Further, the molten processed region or refractive index change region, a region area where the density of the modified region is changed as compared to the density of the unmodified area, lattice defects are formed, and further the internal and modified region thereof areas the interface between the unmodified area cracks (cracks, micro-cracks) in some cases of the enclosing. 内包される亀裂は改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。 Cracks to be encapsulated in some cases be formed or if only a part or a plurality of portions over the entire surface of the modified region.

ちなみに、加工対象物の結晶構造やその劈開性等を考慮して、改質領域を次のように形成すれば、精度よく加工対象物を切断することが可能になる。 Incidentally, in consideration of the crystal structure and its cleavage characteristic, etc. of the object, by forming the modified region as follows, it is possible to cut accurately workpiece.

すなわち、シリコン等のダイヤモンド構造の単結晶半導体からなる基板の場合は、(111)面(第1劈開面)や(110)面(第2劈開面)に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。 That is, in the case of a substrate made of a monocrystal semiconductor having a diamond structure such as silicon, to form a modified region in a direction along the (111) plane (first cleavage plane) or a (110) plane (second cleavage plane) preference is. また、GaAs等の閃亜鉛鉱型構造のIII−V族化合物半導体からなる基板の場合は、(110)面に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。 In the case of a substrate made of a group III-V compound semiconductor of sphalerite structure such as GaAs, it is preferable to form a modified region in a direction along the (110) plane. 更に、サファイア(Al )等の六方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、(0001)面(C面)を主面として(1120)面(A面)或いは(1100)面(M面)に沿った方向に改質領域を形成するのが好ましい。 Furthermore, sapphire in the case of a substrate having (Al 2 O 3) as a hexagonal crystal structure such as, (0001) plane (C plane) as a principal plane (1120) plane (A plane) or (1100) plane ( preferably the modified region is formed in a direction along the M plane).

また、上述した改質領域を形成すべき方向(例えば、単結晶シリコン基板における(111)面に沿った方向)、或いは改質領域を形成すべき方向に直交する方向に沿って基板にオリエンテーションフラットを形成すれば、そのオリエンテーションフラットを基準とすることで、改質領域を容易且つ正確に基板に形成することが可能になる。 The direction to form the modified region mentioned above (e.g., a direction along the (111) plane in the monocrystal silicon substrate) or orientation flat in the substrate along a direction orthogonal to the direction to be formed modified region by forming the, with reference to the orientation flat, can be formed on the substrate a modified region easily and accurately.

次に、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the semiconductor laser device according to the present embodiment.

図10は、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法が適用される加工対象物の側面図である。 Figure 10 is a side view of the object of the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present embodiment is applied. 図10に示すように、板状の加工対象物1は、GaAs等からなる半導体基板11と、半導体基板11の表面に形成されたエピタキシャル結晶成長層31と、エピタキシャル結晶成長層31の表面に形成されたアノード電極層32と、半導体基板11の裏面に形成されたカソード電極層33と、を備えている。 As shown in FIG. 10, the object 1 plate of, forming a semiconductor substrate 11 made of GaAs or the like, an epitaxial crystal growth layer 31 formed on the surface of the semiconductor substrate 11, the surface of the epitaxial crystal growth layer 31 an anode electrode layer 32, and a cathode electrode layer 33 formed on the back surface of the semiconductor substrate 11. エピタキシャル結晶成長層31は、AlGaAs等からなるクラッド層及びGaAs等からなる活性層を有している。 Epitaxial crystal growth layer 31 includes an active layer made of the cladding layer, and GaAs or the like made of AlGaAs or the like.

図11は、図10の加工対象物の表面側一部拡大図であり、図12は、図10の加工対象物の裏面側一部拡大図である。 Figure 11 is a front side partially enlarged view of the object of FIG. 10, FIG. 12 is a rear side partial enlarged view of the object of Figure 10. 図11,12に示すように、加工対象物1は、ストライプ構造の半導体レーザ素子となる矩形板状(外形:600μm×200μm、厚さ:120μm)の半導体レーザ部34が2次元マトリックス状に複数配列されて構成されている。 As shown in FIGS. 11 and 12, the object 1 is rectangular plate made of a semiconductor laser device of stripe structure (outer: 600 .mu.m × 200 [mu] m, thickness: 120 [mu] m) more in the semiconductor laser unit 34 is a two-dimensional matrix of is constructed are arranged. 加工対象物1に対しては、半導体レーザ部34,34間においてストライプ方向(半導体レーザ素子におけるレーザ光の共振方向)と直交する方向に延在する切断予定ライン(第1の切断予定ライン)5a、及び半導体レーザ部34,34間においてストライプ方向に延在する切断予定ライン(第2の切断予定ライン)5bが格子状に設定されている。 For the object 1, cutting line (first line to cut) extending in a direction perpendicular to the stripe direction (resonator direction of the laser beam in the semiconductor laser device) in between the semiconductor laser unit 34, 34 5a and cut lines extending in the stripe direction (second line to cut) 5b is set in a grid pattern in between the semiconductor laser unit 34.

なお、半導体基板11がGaAsからなる場合には、(011)面及び(0−1−1)面に沿って切断予定ライン5a,5bを設定し、半導体基板11がGaNからなる場合には、(1−100)面及び(−1100)面に沿って切断予定ライン5a,5bを設定する。 In the case where the semiconductor substrate 11 is made of GaAs, (011) plane and (0-1-1) cut along the plane line 5a, it sets the 5b, when the semiconductor substrate 11 is made of GaN, (1-100) plane and (-1100) cut along the plane line 5a, sets a 5b.

アノード電極層32は、図11に示すように、半導体レーザ部34毎に形成された矩形状のアノード電極35を有している。 The anode electrode layer 32, as shown in FIG. 11, has a rectangular anode electrode 35 formed for each semiconductor laser unit 34. 行方向及び列方向にて隣り合うアノード電極35,35は、互いに数μm程度の隙間をとって形成されており、各アノード電極35の四隅には、切欠部35aが形成されている。 The anode electrode 35 adjacent in the row and column directions is formed by taking a gap of about several μm from each other, the four corners of the anode electrode 35, the cutout portion 35a is formed. また、カソード電極層33は、図12に示すように、半導体レーザ部34毎に形成された矩形状のかソード電極36を有している。 The cathode electrode layer 33, as shown in FIG. 12 has a rectangular shape of either cathode electrode 36 formed for each semiconductor laser unit 34. 行方向及び列方向にて隣り合うカソード電極36,36は、互いに数μm程度の隙間をとって形成されており、各カソード電極36においてストライプ方向と直交する二辺には、両端部を残して切欠部36aが形成されている。 Cathode electrodes 36 and 36 adjacent in the row and column directions is formed by taking a gap of about several μm from each other, the two sides perpendicular to the stripe direction in each cathode electrode 36, leaving both end portions notch 36a is formed.

以上のように構成された加工対象物1に対して、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法が適用される。 Against the object 1 constructed as described above, the method for manufacturing the semiconductor laser device according to this embodiment is applied.

まず、加工対象物1をレーザ加工装置の支持台(図示せず)上に固定する。 First, to fix the object 1 on the support base of the laser processing apparatus (not shown). そして、図13に示すように、加工対象物1の表面3をレーザ光入射面として半導体基板11の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射し、支持台の移動によって、切断予定ライン5aに沿ってレーザ光Lをスキャンする。 Then, as shown in FIG. 13, the front face 3 of the object 1 inside with its focusing point P of the semiconductor substrate 11 is irradiated with a laser beam L as a laser light entrance surface, the movement of the support, cut scanning the laser beam L along the line 5a. このとき、切断予定ライン5aの両側には、数μm程度の隙間をとってアノード電極35が形成されているため、レーザ光Lは、切断予定ライン5aにおいてアノード電極35の切欠部35aに挟まれた部分でのみ半導体基板11の内部に集光される。 In this case, on both sides of the line to cut 5a, since the anode electrode 35 taking a gap of about several μm is formed, the laser beam L is sandwiched in the line to cut 5a in the notch 35a of the anode electrode 35 It is focused on the semiconductor substrate 11 only in part. これにより、図15に示すように、加工対象物1において、切断予定ライン5aに沿った部分のうち、半導体レーザ素子の共振面となる部分34aを除いて、溶融処理領域を含む改質領域7aが切断予定ライン5aに沿って形成されて、切断起点領域(第1の切断起点領域)8aとなる。 Thus, as shown in FIG. 15, the object 1, of the portion along the line to cut 5a, except for the portion 34a serving as a resonance plane of the semiconductor laser element, the modified region 7a including a molten processed region There is formed along the line to cut 5a, a cutting start region (first cutting start region) 8a.

続いて、図14に示すように、加工対象物1の裏面21をレーザ光入射面として半導体基板11の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射し、支持台の移動によって、切断予定ライン5bに沿ってレーザ光Lをスキャンする。 Subsequently, as shown in FIG. 14, the rear face 21 of the object 1 to fit inside the converging point P of the semiconductor substrate 11 is irradiated with a laser beam L as a laser light entrance surface, the movement of the support, cleavage to scan the laser beam L along the planned line 5b. このとき、切断予定ライン5bの両側には、数μm程度の隙間をとってカソード電極36が形成されているため、レーザ光Lは、切断予定ライン5bにおいてカソード電極36の切欠部36aに挟まれた部分でのみ半導体基板11の内部に集光される。 In this case, on both sides of the line to cut 5b, since the cathode electrode 36 taking a gap of about several μm is formed, the laser beam L is sandwiched notch 36a of the cathode electrode 36 in the lines to cut 5b It is focused on the semiconductor substrate 11 only in part. これにより、図15に示すように、加工対象物1において、切断予定ライン5bに沿った部分のうち、切断予定ライン5aと交差する部分34bを除いて、溶融処理領域を含む改質領域7bが切断予定ライン5bに沿って形成されて、切断起点領域(第2の切断起点領域)8bとなる。 Thus, as shown in FIG. 15, the object 1, of the portion along the line to cut 5b, except for the portion 34b intersecting the line to cut 5a, the modified regions 7b including the molten processed region are formed along the line to cut 5b, the cutting start region (second cutting start region) 8b.

なお、切断起点領域8bを形成するに際しては、切断起点領域8bを起点として加工対象物1を切断予定ライン5bに沿って切断するのに要する切断力が、切断起点領域8aを起点として加工対象物1を切断予定ライン5aに沿って切断するのに要する切断力よりも大きくなるようにする。 Incidentally, when forming the cutting start region 8b, the cutting force required to cut along the line to cut 5b of the object 1 a cutting start region 8b as starting point, the object of the cutting start region 8a starting to be greater than the cutting force required to cut along one line to cut 5a. 具体的には、1本の切断予定ライン5aに対して形成する改質領域7aの列数よりも、1本の切断予定ライン5bに対して形成する改質領域7bの列数を少なくしたり、切断予定ライン5aに沿って照射するレーザ光Lの強度よりも、切断予定ライン5bに沿って照射するレーザ光Lの強度を小さくしたりする。 Specifically, than the number of columns of the modified region 7a to form with respect to one line to cut 5a, or by reducing the number of columns of the modified region 7b that forms against one line to cut 5b , than the intensity of the laser beam L is irradiated along the line to cut 5a, or to reduce the intensity of the laser beam L is irradiated along the line to cut 5b.

続いて、図16に示すように、切断起点領域8aを起点として加工対象物1を切断予定ライン5aに沿って劈開させることにより、複数の半導体レーザ部34が1次元に配列されたバー37を複数得る。 Subsequently, as shown in FIG. 16, by cleaving along the line to cut 5a the object 1 a cutting start region 8a as a starting point the bar 37 in which a plurality of semiconductor lasers 34 are arranged in one dimension get more.

そして、図17に示すように、各バー37の劈開面(バー37においてストライプ方向と直交する端面)37aに誘電体膜38を形成する。 Then, as shown in FIG. 17, a dielectric film 38 to 37a (end face perpendicular to the stripe direction in bar 37) cleavage plane of the bars 37. これにより、半導体レーザ素子の共振面となる部分34aに、保護膜や反射制御膜を効率良く形成することができる。 Thus, the portion 34a serving as a resonance plane of the semiconductor laser element, a protective film or a reflection control film can be formed efficiently. なお、誘電体膜38の形成は、蒸着やスパッタリングによってAl やSi 、Si 等の誘電体を所定の厚さに積層することで行われる。 The formation of the dielectric film 38 is performed by laminating as Al 2 O 3 and Si 2 O 3, Si 3 N dielectrics such as 4 to a predetermined thickness by vapor deposition or sputtering. 誘電体膜38は、特に高出力の半導体レーザ素子を製造する場合、一端面側で反射率5%程度の低反射膜とされ、他端面側で反射率95%程度の高反射膜とされる。 The dielectric film 38 is especially the case of producing a semiconductor laser device having high output, it is a low-reflection film of the reflectance of about 5% at one side, a high reflection film reflectance about 95% at the other side .

続いて、図18に示すように、切断起点領域8bを起点として各バー37を切断予定ライン5bに沿って劈開させることにより、半導体レーザ素子39を複数得る。 Subsequently, as shown in FIG. 18, by cleaving along the line to cut 5b each bar 37 starting from the cutting start region 8b, obtained a plurality of semiconductor laser elements 39.

以上説明したように、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法では、加工対象物1に対して、切断予定ライン5aに沿っての切断起点領域8aの形成、及び切断予定ライン5bに沿っての切断起点領域8bの形成の双方を予め行う。 As described above, in the manufacturing method of the semiconductor laser device according to the present embodiment, with respect to the object 1, the formation of the cutting start region 8a along the line to cut 5a, and along the line to cut 5b performing both formation of the cutting starting point region 8b in advance. ここで、切断起点領域8bは、加工対象物1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより形成される改質領域7bを有するものであり、しかも、切断予定ライン5bに沿った部分のうち、切断予定ライン5aと交差する部分34bを除いて、切断予定ライン5bに沿って形成される。 Here, the cutting starting point region 8b are those having a modified region 7b is formed by the interior of the object 1 with its focusing point P is irradiated with laser light L, moreover, the lines to cut 5b of the portion along the, except where 34b intersecting the line to cut 5a, is formed along the line to cut 5b. これにより、切断起点領域8aを起点として加工対象物1を切断する際に、例えば罫書き等に比べて切断起点領域8bの影響力が極めて小さくなり、精度の良い劈開面37aを有するバー37を確実に得ることができる。 Thus, when cutting the object 1 a cutting start region 8a starting, for example, scoring or the like cutting start region 8b influence is extremely small as compared to the bar 37 having an accurate cleavage surfaces 37a it is possible to reliably obtain. 従って、複数のバー37のそれぞれに対して、切断予定ライン5bに沿っての切断起点領域の形成を行うことが不要となり、半導体レーザ素子39の生産性を向上させることが可能となる。 Thus, for each of a plurality of bars 37, it is unnecessary to perform the formation of the cutting start region along the line to cut 5b, it is possible to improve the productivity of the semiconductor laser device 39.

また、切断起点領域8a,8bを形成するに際しては、切断起点領域8bを起点として加工対象物1を切断予定ライン5bに沿って切断するのに要する切断力が、切断起点領域8aを起点として加工対象物1を切断予定ライン5aに沿って切断するのに要する切断力よりも大きくなるように、切断予定ライン5bに沿って切断起点領域8bが形成される。 The machining starting point regions for cutting 8a, when forming the 8b, the cutting force required to cut along the object 1 the cutting line 5b the cutting start region 8b as starting point, the starting point regions for cutting 8a, starting to be greater than the cutting force required to cut along the object 1 line to cut 5a, cutting start region 8b are formed along the line to cut 5b. これにより、切断起点領域8aを起点として加工対象物1を切断する際に、切断起点領域8bを起点として加工対象物1が切断されるような事態を確実に防止することができる。 Thus, when cutting the object 1 a cutting start region 8a as a starting point it is possible to reliably prevent such a situation that the object 1 a cutting start region 8b starting is disconnected.

更に、切断起点領域8a,8bを形成するに際しては、切断起点領域8bとなる改質領域7bだけでなく、切断起点領域8aとなる改質領域7aも、加工対象物1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより形成される。 Furthermore, the cutting start region 8a, when forming the 8b not only modified region 7b serving as the starting point region for cutting 8b, modified region 7a serving as a cutting start region 8a is also the focal point within the object 1 It is formed by irradiating the laser beam L and the combined P. この場合、加工対象物1に対する切断起点領域8aの形成及び切断起点領域8bの形成の双方を、レーザ加工装置のみを用いて予め行うことができる。 In this case, both the formation of formation and cutting start region 8b of the cutting start region 8a for the object 1 can be performed in advance by using only the laser machining apparatus. そして、切断起点領域8aは、加工対象物1において、切断予定ライン5aに沿った部分のうち、半導体レーザ素子39の共振面となる部分34aを除いて、切断予定ライン5aに沿って形成される。 The starting point regions for cutting 8a, at the object 1, of the portion along the line to cut 5a, except for the portion 34a serving as a resonance plane of the semiconductor laser element 39, is formed along the line to cut 5a . そのため、半導体レーザ素子39の共振面において、レーザ光が散乱したり、レーザ光の反射率が低下したりするのを防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent the resonance surface of the semiconductor laser element 39, or the laser light is scattered, that the reflectance of the laser beam is lowered.

なお、半導体基板11とエピタキシャル結晶成長層31との間の格子定数のミスフィットを防止するために半導体基板11がOFF角を有するものである場合、半導体レーザ部34,34間においてストライプ方向に延在する切断予定ライン5bに沿って、罫書きを起点としてバー37を劈開させると、その劈開面が加工対象物1の表面3に対して傾斜することになる。 Incidentally, when the semiconductor substrate 11 in order to prevent the misfit of lattice constants between the semiconductor substrate 11 and the epitaxial crystal growth layer 31 and has a OFF angle, extending in the stripe direction in between the semiconductor laser 34, 34 along the line to cut 5b for standing and is cleaved bar 37 scoring starting, so that the cleaved surface is inclined relative to the surface 3 of the object 1. それに対し、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法では、切断起点領域8bとして改質領域7bを形成するため、切断予定ライン5bに沿ってバー37を分断させた際における分断面を加工対象物1の表面3に対して略垂直にすることができる。 In contrast, in the manufacturing method of the semiconductor laser device according to the present embodiment, in order to form a modified region 7b as a cutting starting point region 8b, processed cutting surface at the time that along the line to cut 5b is divided bar 37 target it can be made substantially perpendicular to the surface 3 of the object 1. これにより、半導体レーザ素子39においてチッピングの抑制や実装面積の小型化が可能となる。 Accordingly, miniaturization of the suppression and the mounting area of ​​the chipping is possible in the semiconductor laser device 39.

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。 The present invention is not limited to the embodiments described above.

例えば、加工対象物1を劈開させることによりバー37を複数得るための切断起点領域5aについては、切断予定ライン5aの両端部等、切断予定ライン5aの少なくとも一部に沿って形成すればよい。 For example, for a cutting start region 5a for obtaining a plurality of bars 37 by cleaving the object 1, both end portions or the like of the line to cut 5a, may be formed along at least a portion of the line to cut 5a. なお、切断起点領域5aは、改質領域7aを有するものに限定されず、罫書き等であってもよい。 Incidentally, the cutting start region 5a is not limited to those having a modified region 7a, may be scoring like.

また、遮光性を有するアノード電極35に切欠部35aを設けておくことで、加工対象物1に対し、切断予定ライン5aに沿った部分のうち、半導体レーザ素子39の共振面となる部分34aを除いて、切断予定ライン5aに沿って切断起点領域8aを形成したが、これに限定されない。 Further, by providing the notch 35a to the anode electrode 35 having a light shielding property with respect to the object 1, of the portion along the line to cut 5a, a portion 34a of the resonance surface of the semiconductor laser element 39 except for, it has formed the cutting start region 8a along the line to cut 5a, but is not limited thereto. 他の例として、シャッタ等によってレーザ光Lの照射をON/OFFに切り替えたり、レーザ光Lの発振形態をパルス波/CW波に切り替えたりすることで、改質領域7aの形成/非形成を行い、上述したような切断起点領域8aを形成してもよい。 As another example, to switch the ON / OFF radiation of laser light L by a shutter or the like, by or switch the oscillation mode of the laser beam L to the pulse wave / CW wave, the formation / non-formation of the modified regions 7a performed, it may be formed starting point regions for cutting 8a as described above. このような場合には、アノード電極層32の形成前に切断起点領域8aを形成することができる。 In such a case, it is possible to form a cutting start region 8a before the formation of the anode electrode layer 32. 以上の点は、切断起点領域8bについても同様である。 Above is also true for the cutting start region 8b.

なお、数μm程度の隙間をとって切断予定ライン5aの両側にアノード電極35を形成するのは、レーザ光Lの遮光を実現すると共に、切断予定ライン5aに沿って加工対象物1を確実且つ高精度に劈開させるためである。 Incidentally, to form the anode electrode 35 on both sides of the line to cut 5a taking a gap of about several [mu] m, it is possible to realize the shielding of the laser beam L, and ensures the object 1 along the line to cut 5a This is because to cleavage with high accuracy. これは、カソード電極36についても同様である。 This also applies to the cathode electrode 36. また、半導体レーザ素子39が小型化するほど、レーザ光Lの照射をON/OFFに切り替えたり、レーザ光Lの発振形態をパルス波/CW波に切り替えたりすることが困難となるため、上述したようなアノード電極35及びカソード電極36を形成することは極めて有効である。 Further, as the semiconductor laser element 39 is miniaturized, to switch the irradiation of the laser beam L to the ON / OFF, since it or switch the oscillation mode of the laser beam L to the pulse wave / CW wave becomes difficult, the above-described forming the anode electrode 35 and cathode electrode 36 as is very effective. 特にアノード電極35がその四隅に切欠部35aを有しているため、半導体レーザ素子39において適した電圧を印加することが可能となる。 In particular, since the anode electrode 35 has a notch 35a at its four corners, it is possible to apply a suitable voltage in the semiconductor laser device 39.

改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。 It is a schematic diagram of a laser processing device used for forming a modified region. 改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。 It is a plan view of the object to be formed modified region. 図2の加工対象物のII−II線に沿っての断面図である。 It is a sectional view taken along the line II-II of the object of FIG. レーザ加工後の加工対象物の平面図である。 Is a plan view of the object after laser processing. 図4の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。 It is a sectional view taken along the line V-V of the object of FIG. 図4の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。 It is a sectional view taken along line VI-VI of the object of FIG. レーザ加工後のシリコンウェハの切断面の写真を表した図である。 It is a view showing a photograph of the cut surface of the silicon wafer after laser processing. レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the transmittance within a wavelength of the laser beam and the silicon substrate. レーザ光のピークパワー密度とクラックスポットの大きさとの関係を示すグラフである。 It is a graph showing the relationship between the magnitude of the peak power density and crack spot of the laser beam. 本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法が適用される加工対象物の側面図である。 It is a side view of the object of the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present embodiment is applied. 図10の加工対象物の表面側一部拡大図である。 The surface side partially enlarged view of the object of Figure 10. 図10の加工対象物の裏面側一部拡大図である。 A back side partially enlarged view of the object of Figure 10. 半導体レーザ部間においてストライプ方向と直交する方向に延在する切断予定ラインに沿っての図11の加工対象物の一部拡大縦断面図である。 It is a partially enlarged longitudinal sectional view of the object of Figure 11 along the line to cut extending in a direction perpendicular to the stripe direction between the semiconductor laser unit. 半導体レーザ部間においてストライプ方向に延在する切断予定ラインに沿っての図12の加工対象物の一部拡大縦断面図である。 It is a partially enlarged longitudinal sectional view of the object of Figure 12 along the line to cut extending in the stripe direction between the semiconductor laser unit. 切断起点領域形成後における図11の加工対象物の一部拡大横断面図である。 Is a partially enlarged cross-sectional view of the object of Figure 11 after the starting point region for cutting forming. 図11の加工対象物を劈開させることにより得られたバーの表面側一部拡大図である。 The surface side partially enlarged view of the resulting bar by cleaving the workpiece of FIG. 11. 誘電体膜形成後における図16のバーの表面側一部拡大図である。 The surface side partially enlarged view of the bar of Figure 16 after the dielectric film. 図17のバーを劈開させることにより得られた半導体レーザ素子の表面側一部拡大図である。 The surface side partially enlarged view of the semiconductor laser device obtained by cleaving the bars in Figure 17.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…加工対象物、5a…切断予定ライン(第1の切断予定ライン)、5b…切断予定ライン(第2の切断予定ライン)、7a,7b…改質領域、8a…切断起点領域(第1の切断起点領域)、8b…切断起点領域(第2の切断起点領域)、34…半導体レーザ部、34a…共振面となる部分、34b…交差する部分、37…バー、37a…劈開面(バーにおいてストライプ方向と直交する端面)、38…誘電体膜、39…半導体レーザ素子、L…レーザ光、P…集光点。 1 ... workpiece, 5a ... line to cut (first cut line), 5b ... line to cut (the second line to cut), 7a, 7b ... modified region, 8a ... cutting start region (first cutting start region), 8b ... cutting start region of the (second cutting start region), 34 ... semiconductor laser unit, 34a ... portion serving as the resonance surface, 34b ... the intersection, 37 ... bar, 37a ... cleavage plane (bar end surface perpendicular to the stripe direction) in, 38 ... dielectric film 39 ... semiconductor laser elements, L ... laser light, P ... converging point.

Claims (5)

  1. ストライプ構造の半導体レーザ素子の製造方法であって、 A method of manufacturing a semiconductor laser device of stripe structure,
    前記半導体レーザ素子となる複数の半導体レーザ部が2次元に配列された加工対象物に対し、前記半導体レーザ部間においてストライプ方向と直交する方向に延在する第1の切断予定ラインの少なくとも一部に沿って、第1の切断起点領域を形成すると共に、前記加工対象物に対し、その内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記半導体レーザ部間において前記ストライプ方向に延在する第2の切断予定ラインに沿って、改質領域を有する第2の切断起点領域を形成する工程と、 The semiconductor laser plurality of semiconductor laser portion which is a device to the object arranged in a two-dimensional, at least a portion of the first cutting line extending in a direction perpendicular to the stripe direction between the semiconductor laser unit along, rolled to form a first cutting start region, with respect to the workpiece by irradiating a laser light while locating a converging point therein, in the stripe direction between the semiconductor laser unit along a second line to cut the standing, forming a second cutting start region having a modified region,
    前記第1の切断起点領域を起点として前記加工対象物を前記第1の切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の前記半導体レーザ部が1次元に配列されたバーを複数得る工程と、 By cutting along the workpiece the first cutting start region as a start point in said first cutting line, and a step in which a plurality of the semiconductor laser unit obtains a plurality of arrayed bars in one dimension,
    前記第2の切断起点領域を起点として前記バーを前記第2の切断予定ラインに沿って切断することにより、前記半導体レーザ素子を複数得る工程と、を含み、 By cutting along the bar the second cutting start region as a start point on the second line to cut, saw including a plurality step of obtaining the semiconductor laser device,
    前記第1及び前記第2の切断起点領域を形成する工程では、前記第2の切断起点領域を起点として前記加工対象物を前記第2の切断予定ラインに沿って切断するのに要する第2の切断力が、前記第1の切断起点領域を起点として前記加工対象物を前記第1の切断予定ラインに沿って切断するのに要する第1の切断力よりも大きくなるように、前記第2の切断予定ラインに沿って、前記第2の切断起点領域を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 In the first and the step of forming the second cutting start region, wherein the processing object a second required to cut along the second line to cut the second cutting start region as a start point cutting force, said first cutting start region the workpiece a to be larger than the first cutting force required to cut along the first cutting line as a starting point, the second along the line to cut, a method of manufacturing a semiconductor laser device characterized by forming the second cutting start region.
  2. 前記第1及び前記第2の切断起点領域を形成する工程では、前記加工対象物に対し、前記第2の切断予定ラインに沿った部分のうち、前記第1の切断予定ラインと交差する部分を除いて、前記第2の切断予定ラインに沿って、前記第2の切断起点領域を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子の製造方法。 In the first and the step of forming the second cutting start region, with respect to the workpiece, among the along a second cutting line portion, a portion that intersects the first cutting line except for, along said second line to cut, the method for manufacturing the semiconductor laser device according to claim 1 Symbol mounting and forming the second cutting start region.
  3. 前記第1及び前記第2の切断起点領域を形成する工程では、前記加工対象物に対し、その内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記第1の切断予定ラインの少なくとも一部に沿って、改質領域を有する第1の切断起点領域を形成することを特徴とする請求項1 又は2記載の半導体レーザ素子の製造方法。 In the first and the step of forming the second cutting start region, with respect to the workpiece, by irradiating with its focusing point laser light therein, at least the first line to cut along a portion, a method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1 or 2, wherein the forming the first cutting start region having a modified region.
  4. 前記第1及び前記第2の切断起点領域を形成する工程では、前記加工対象物に対し、前記第1の切断予定ラインに沿った部分のうち、前記半導体レーザ素子の共振面となる部分を除いて、前記第1の切断予定ラインに沿って、前記第1の切断起点領域を形成することを特徴とする請求項記載の半導体レーザ素子の製造方法。 In the first and the step of forming the second cutting start region, with respect to the workpiece, among the along the first cut line portion, except for the resonance surface and becomes part of the semiconductor laser element Te, along said first cutting line, a method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 3, wherein the forming the first cutting start region.
  5. 前記バーを複数得る工程と前記半導体レーザ素子を複数得る工程との間に、前記バーにおいて前記ストライプ方向と直交する端面に誘電体膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1〜 のいずれか一項記載の半導体レーザ素子の製造方法。 Between step the bar and the obtained multiple steps the semiconductor laser device obtained plurality of claim 1-4, characterized in that it comprises a step of forming a dielectric film on an end face perpendicular to the stripe direction in the bar the method of manufacturing a semiconductor laser device according to any one claim of.
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (en) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 Method for producing a laser processing method and a semiconductor chip
TWI520269B (en) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk
EP1498216B1 (en) 2002-03-12 2010-12-29 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting processed object
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2285634T3 (en) 2002-03-12 2007-11-16 Hamamatsu Photonics K. K. Method for dividing a siustrato.
FR2852250B1 (en) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin protective sheath cannula, an injection assembly comprising such a sheath and needle equipped with such a sheath
DE60315515T2 (en) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laser beam processing method
EP2332687B1 (en) * 2003-07-18 2015-02-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method of laser beam machining a machining target using pulsed laser beam and expanded tape for cutting a machining target
JP4563097B2 (en) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 Of the semiconductor substrate cutting method
JP4601965B2 (en) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method and laser processing apparatus
JP4598407B2 (en) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method and laser processing apparatus
JP4509578B2 (en) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method and laser processing apparatus
EP1742253B1 (en) 2004-03-30 2012-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
EP2230042B1 (en) * 2004-08-06 2017-10-25 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4762653B2 (en) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method and laser processing apparatus
JP4907965B2 (en) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
JP4804911B2 (en) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 The laser processing apparatus
JP4907984B2 (en) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method and a semiconductor chip
JP5183892B2 (en) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
ES2428826T3 (en) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Processing method and laser chip
WO2008035679A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Laser processing method and laser processing apparatus
JP4954653B2 (en) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
JP5101073B2 (en) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 The laser processing apparatus
JP5132911B2 (en) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
JP4964554B2 (en) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
CN102357739B (en) * 2006-10-04 2014-09-10 浜松光子学株式会社 Laser processing method
JP5336054B2 (en) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 Processing information supply system with a processing information supply device
JP5449665B2 (en) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
JP5134928B2 (en) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 Workpiece grinding method
JP5054496B2 (en) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 Workpiece cutting method
JP5692969B2 (en) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 Aberration correcting method, the laser processing method using the aberration correction method, a laser irradiation method using the aberration correction method, aberration correcting device, and the aberration correcting program
JP5254761B2 (en) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 The laser processing apparatus
JP5241527B2 (en) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 The laser processing apparatus
JP5241525B2 (en) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 The laser processing apparatus
EP2394775B1 (en) 2009-02-09 2019-04-03 Hamamatsu Photonics K.K. Workpiece cutting method
KR101769158B1 (en) 2009-04-07 2017-08-17 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 Laser machining device and laser machining method
JP5491761B2 (en) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 The laser processing apparatus
JP2011035253A (en) * 2009-08-04 2011-02-17 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer
JP5379604B2 (en) * 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method and chip
JP5653110B2 (en) * 2010-07-26 2015-01-14 浜松ホトニクス株式会社 Chip manufacturing method of
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5670764B2 (en) * 2011-01-13 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
JP6013859B2 (en) * 2012-10-01 2016-10-25 株式会社ディスコ Processing method of the wafer
JP6147982B2 (en) * 2012-10-09 2017-06-14 株式会社ディスコ The wafer processing method
JP6059059B2 (en) * 2013-03-28 2017-01-11 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
US9812361B2 (en) * 2013-09-11 2017-11-07 Nxp B.V. Combination grinding after laser (GAL) and laser on-off function to increase die strength
JP6384532B2 (en) 2016-08-29 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 Method of manufacturing a light emitting element

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
JP4659300B2 (en) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 Method for producing a laser processing method and a semiconductor chip
JP2002289955A (en) * 2001-03-23 2002-10-04 Sharp Corp Semiconductor laser element, manufacturing method therefor and optical information reproducing device
JP2003017791A (en) * 2001-07-03 2003-01-17 Sharp Corp Nitride semiconductor device and its manufacturing method
JP2003086900A (en) * 2001-09-07 2003-03-20 Toshiba Corp Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device
JP2003338468A (en) * 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk Manufacturing method of light-emitting element, light- emitting diode, and semiconductor laser element
EP1498216B1 (en) * 2002-03-12 2010-12-29 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting processed object
US20060209395A1 (en) * 2003-03-26 2006-09-21 Nec Corporation Semiconductor laser and method for manufacturing the same
DE602005011881C5 (en) * 2004-04-02 2016-07-28 Nichia Corp. Nitride semiconductor laser device
JP4767711B2 (en) * 2006-02-16 2011-09-07 株式会社ディスコ The method of dividing the wafer
JP4430689B2 (en) * 2007-05-28 2010-03-10 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of the nitride semiconductor laser device
JP5449665B2 (en) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method

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