JP5213894B2 - Burst laser drive circuit - Google Patents

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本発明は、光通信の送信器に用いられるバースト型レーザ駆動回路に係り、特に高速動作を阻害することなく消費電力を低減させる技術に関する。 The present invention relates to a burst-type laser driving circuit used in the optical communications transmitter, a technique which particularly reduce power consumption without inhibiting high speed operation.

バースト型レーザ駆動回路(BLDD)では、バースト制御信号(以下、送信イネーブル信号と称する。)に応じてレーザ素子をオン/オフできることが大前提となる。 In burst laser drive circuit (BLDD), the burst control signal to the laser element can be turned on / off is premised in accordance with (hereinafter. Referred to as transmission enable signal). 図6は、超高速動作可能なバースト型レーザ駆動回路の構成例である。 Figure 6 is an example of a super-high-speed operation Burst laser drive circuit. ここでは、高速動作で一般的な差動回路による構成を例示する。 Here, an example of a configuration according to a general differential circuit at high speed. 本発明も差動回路を前提にするが、原理は単相でも同様である。 The present invention also assumes differential circuit, the principles are the same in a single phase.

このバースト型レーザ駆動回路は、アノード側端子LDAおよびカソード側端子LDKに高周波カット用のインダクタL1,L2が接続されたレーザ素子LD、差動のバーストデータ信号DATAを入力してレーザ素子LDにそのバーストデータに応じた変調信号を出力する変調回路10、レーザ素子LDにバイアス電流を供給するバイアス回路20、レーザ素子LDの出力光をモニタして、変調回路10に制御電圧VCSMを供給するとともにバイアス回路20に制御電圧VCSBを供給するAPC(Automatic Power Control)回路30からなる。 The burst laser drive circuit, the laser device LD is input to the anode side terminal LDA and the cathode terminal LDK inductor L1 for high-frequency cut, L2 is connected to the laser diode LD, a burst data signal DATA Differential bias with modulation circuit 10 which outputs a modulated signal corresponding to the burst data, the laser element bias circuit 20 for supplying a bias current to the LD, by monitoring the output light of the laser element LD, supplying the control voltage VCSM the modulation circuit 10 consisting APC (Automatic Power control) circuit 30 supplies a control voltage VCSB the circuit 20. なお、通常LDはTOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)やBOSA(Bi-directional Optical Sub-Assembly)など、光学サブモジュールに実装されるため、L1,L2や変調回路、バイアス回路はフレキシブル基板など分布定数回路を介して接続されることが多いが、ここでは省略して説明する。 Normally LD etc. TOSA (Transmitter Optical Sub-Assembly) and BOSA (Bi-directional Optical Sub-Assembly), to be implemented in the optical sub-module, L1, L2 and the modulation circuit, the bias circuit is a distributed constant such as a flexible substrate are often connected through the circuit, here it will be omitted. 変調回路10、バイアス回路20、およびAPC回路30には、送信イネーブル信号TX_ENが入力している。 Modulation circuit 10, the bias circuit 20 and the APC circuit 30, the transmission enable signal TX_EN is entering. この送信イネーブル信号TX_ENは、オン(High)はイネーブル(バーストオン:レーザ発光)を、オフ(Low)は非イネーブル(バーストオフ:レーザ消光)を示す。 The transmission enable signal TX_EN is ON (High) is enabled shows the:: (a laser extinction burst off) the (burst-on laser emission), OFF (Low) Non enabled.

変調回路10は、入力するバーストデータ信号DATAを送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに応じてゲーティングするゲート回路11、増幅用のn段のプリドライブ回路121〜12n、およびドライブ回路として機能する出力バッファ回路13から構成される。 Modulation circuit 10, an output which serves as a pre-drive circuit 121 to 12n, and a drive circuit for gating to the gate circuit 11, n stages for amplification in accordance with the burst data signal DATA input to the transmission enable signal TX_EN ON / OFF a buffer circuit 13. ゲート回路11、プリドライブ回路121〜12n、および出力バッファ回路13は、それぞれ電流源I11,I121〜12n,I13を備え、その各々がAPC回路30から出力する制御電圧VCSMによって、レーザ素子LDの出力光パワーが一定となるように制御される。 Gate circuit 11, the pre-drive circuit 121~12n and the output buffer circuit 13, respectively a current source I11, I121~12n, comprises a I13, by a control voltage VCSM, each of which output from the APC circuit 30, the output of the laser device LD the optical power is controlled to be constant. バイアス回路20も、APC回路30から出力する制御電圧VCSBによって、レーザ素子LDの出力光パワーが一定となるように、制御される。 Bias circuit 20 also, by a control voltage VCSB outputted from APC circuit 30, so that the output light power of the laser diode LD becomes constant, is controlled.

ゲート回路11は、図6に示したように変調回路10の入力部に配置されることが多いが、BLDDチップ(バースト型レーザ駆動回路IC)とは別の外付けICとして、バーストデータ信号DATAを出力するICとBLDDチップの間に挿入されることも多い。 The gate circuit 11 is often disposed on the input of the modulation circuit 10 as shown in FIG. 6, another external IC and BLDD chip (burst laser drive circuit IC), the burst data signal DATA It is inserted between the IC and BLDD chip that outputs many. ゲート回路11は、論理的にはAND回路である。 The gate circuit 11 is logically an AND circuit. すなわち、送信イネーブル信号TX_ENがオフである場合はゲート回路11の出力がLowに固定され、オンである場合はバーストデータ信号DATAのHigh、およびLowが同じ論理で出力される。 That is, the transmission enable signal TX_EN is the output of the gate circuit 11 when it is turned off is fixed to Low, if it is on the High burst data signal DATA, and Low is output in the same logic.

図7は送信イネーブルTX_EN、およびゲート回路11の働きにより、如何にしてレーザの消光を実現せしめるかを説明するための図である。 Figure 7 is a diagram for explaining transmission enable TX_EN, and by the action of the gate circuit 11, or allowed to achieve the extinction of the laser in the how. 図7(a)に示す出力バッファ回路13は、トランジスタQ1〜Q3、抵抗R1〜R5からなり、トランジスタQ1,Q2のベースに差動のレーザ駆動信号(バーストデータ信号DATAに応じた信号)ISPB,ISPNが入力し、トランジスタQ3のベースに制御電圧VCSMが入力する。 FIGS. 7 (a) to indicate the output buffer circuit 13, the transistors Q1 to Q3, resistors R1~R5 made, the transistors Q1, Q2 based on the differential of the laser drive signal (signal corresponding to the burst data signal DATA) ISPB of ISPN enters the base to the control voltage VCSM of the transistor Q3 is inputted. また、図7(b)に示すバイアス回路20は、トランジスタQ4〜Q6、抵抗R6〜R9に、図6に図示のインダクタL2を含み、トランジスタQ4,Q5のベースに差動の送信イネーブル信号の正相信号TX_EN_P、逆相信号TX_EN_Nが入力し、トランジスタQ6のベースに制御電圧VCSBが入力する。 The bias circuit 20 shown in FIG. 7 (b), the transistors Q4 to Q6, the resistors R6 to R9, includes an inductor L2 shown in FIG. 6, positive differential transmission enable signal to the bases of the transistors Q4, Q5 phase signal TX_EN_P, reverse phase signal TX_EN_N is entered, based on the control voltage VCSB of the transistor Q6 is inputted.

送信イネーブル信号TX_ENがオンからオフになると、図7(a)に示す出力バッファ回路13は、ゲート回路11の働きにより、レーザ駆動信号ISPBがLowに、ISPNがHighに固定され、レーザ素子LDのアノード側端子LDAが低電位に、カソード側端子LDKが高電位に固定される。 When the transmission enable signal TX_EN is turned off from on, the output buffer circuit 13 shown in FIG. 7 (a), by the action of the gate circuit 11, the laser driving signal ISPB is Low, ISPN is fixed to High, the laser element LD anode terminals LDA is a low potential, the cathode side terminal LDK is fixed to a high potential. このようなレベル固定によりレーザ素子LDの電流経路が遮断される。 The current path of the laser diode LD is interrupted by such level fixed. また、このとき、図7(b)に示すバイアス回路20は、送信イネーブル信号の正相信号TX_EN_PがLowに固定され、逆相信号TX_EN_NがHighに固定されるので、バイアス電流経路がトランジスタQ4側からトランジスタQ5の側に切り替わり、レーザ素子LDのカソード側端子LDKがハイインピーダンスに設定される。 At this time, the bias circuit 20 shown in FIG. 7 (b), is fixed to the Low positive phase signal TX_EN_P transmission enable signal, since the phase-inverted signal TX_EN_N is fixed to High, the bias current path transistor Q4 side from switches to the side of the transistors Q5, the cathode side terminal LDK of the laser diode LD is set to high impedance. このようにして、変調回路10とバイアス回路20の両方の遮断動作によってレーザの消光が実現される。 Thus, quenching of the laser is achieved by interrupting the operation of both the modulation circuit 10 and the bias circuit 20.

図8は、図6および図7で例示したバースト動作とは異なる方式によるバースト型レーザ駆動回路の実現方法例(非特許文献1)である。 Figure 8 is an implementation example of the burst-type laser driving circuit according to a manner different from that to burst operation illustrated in FIGS. 6 and 7 (Non-Patent Document 1). この例では、出力バッファ回路13とバイアス回路20の電流源電流そのものを、送信イネーブル信号TX_ENでオン/オフされるスイッチSW11,SW20を用いて、導通/遮断している。 In this example, the current source current itself of the output buffer circuit 13 and the bias circuit 20, by using the switch SW11, SW20 are turned on / off in the transmission enable signal TX_EN, are conductive / cutoff. この方式ではゲート回路11が不要となる。 Gate circuit 11 is not required in this method.

上記した従来の差動切換による方法では、レーザ素子LDのオン/オフで消費電流は基本的に変化しない。 In the method according to the conventional differential switch described above, current consumption of the on / off laser element LD does not essentially change. これは、電流源トランジスタが流す電流量で回路の消費電流量が決まるからであり、この電流量はAPC回路30が出力し続けている制御電圧VCSM,VCSBで決まってしまっているためである。 This is because the current consumption of the circuit in the amount of current the current source transistor flows is determined, this current amount is because the control voltage VCSM, I determined in VCSB the APC circuit 30 continues to output. この消費電流の問題は、例えば図8に示したように、電流源電流を遮断することで一応は改善できるが、遮断状態から通電状態に回復する過程で、回路の立ち上がりに一定の時間(遅延時間)が必要となる。 Problem of the current consumption, as shown in FIG. 8 for example, but once can be improved by cutting off the current source current, in the process of recovering energized from the cutoff state, the rising of the circuit constant time (delay time) is required. これによる遅延はレーザ素子LDがオンになる立上がり時間Tonの延長をもたらすため、送信イネーブル信号TX_ENに対し高速応答させる際に問題となる。 Delay due This laser device LD is to provide an extended rise time Ton to turn on, a problem in which high-speed response to the transmission enable signal TX_EN. また、電流遮断が不充分な場合は、バーストオフ時にレーザ素子LDが発光してしまう危険がある。 Further, if the current interruption is insufficient, there is a risk that the laser device LD during the burst off resulting in light emission.

差動切換と電流遮断を組合せた場合もバースト対応方法として考えられる。 Even if a combination of differential switching and current cutoff considered as a burst corresponding method. しかし、出力バッファ回路13だけでなく、プリドライブ回路121〜12nもバーストオフ時には電流遮断して省電力効果を高めようとすると、プリドライブ回路121〜12nは動作していないのであるから、ゲート回路11によるLow固定はもはや出力バッファ回路13へは伝達されない。 However, the output buffer circuit 13 as well, when the time of the pre-drive circuit 121~12n also burst off when you enhance the power saving effect by current interruption, because the pre-drive circuit 121~12n are inoperative and the gate circuit Low fixed by 11 is not transmitted anymore to output buffer circuit 13. 一般に、プリドライブ回路121〜12nの電流よりも出力バッファ回路13の電流が大きいため、電流源を構成するトランジスタのサイズも出力バッファ回路13の電流源の方がプリドライブ回路121〜12nのそれより大きくなる。 In general, since the current of the pre-drive circuit output than the current of 121~12n buffer circuit 13 is larger than that of the current source sizes output buffer circuit 13 of the transistors constituting the current source than that of the pre-drive circuit 121~12n growing. したがって、電流遮断は出力バッファ回路13のほうが難しくなる。 Accordingly, current interruption is difficult towards the output buffer circuit 13. プリドライブ回路121〜12nの電流遮断が充分であるのに、出力バッファ回路13の電流遮断が不充分となってしまった場合は、ゲート回路11によるLow固定が出力バッファ回路13まで伝達できないため、レーザ素子LDが発光してしまう危険を払拭できない。 For current interruption of the pre-drive circuit 121~12n is sufficient, since the output when the current interruption of the buffer circuit 13 has become insufficient, the Low fixed by the gate circuit 11 is not transmitted to the output buffer circuit 13, laser element LD is unable to dispel the danger of fire.

本発明の目的は、このような従来構成の問題を解決するために、高速動作を妨げることなくレーザ消光時に低消費電力化を行えるバースト型レーザ駆動回路を提供することである。 An object of the present invention, to solve the problem of the conventional arrangement is to provide a burst-type laser driver circuit which enables lower power consumption when the laser extinction without interfering with the high-speed operation.

上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、入力したバーストデータ信号に応じてレーザ素子をバースト駆動する変調回路と、前記レーザ素子にバイアス電流を供給するバイアス回路とを備えるバースト型レーザ駆動回路において、前記変調回路は、入力するバーストデータ信号を増幅する複数段のプリドライブ回路と、該複数段のプリドライブ回路の内の最終段のプリドライブ回路の出力信号を送信イネーブル信号がオンのとき通過させオフのとき遮断するゲート回路と、該ゲート回路の出力信号に応じて前記レーザ素子をバースト駆動又は駆動停止する出力バッファ回路とを備え、かつ前記各プリドライブ回路、前記ゲート回路および前記出力バッファ回路はそれぞれ電流源を備え、前記出力バッファ回路の電流源の電流を調 To achieve the above object, the invention according to claim 1, a modulation circuit for burst driving the laser element in accordance with the burst data signal input, burst type and a bias circuit for supplying a bias current to said laser element in the laser drive circuit, the modulation circuit includes a pre-drive circuit of a plurality of stages for amplifying a burst data signal to be input, the transmission enable signal the output signal of the pre-drive circuit in the final stage of the pre-drive circuit of the plurality several stages comprising a gate circuit for interrupting the off-passed when on, and an output buffer circuit for burst driving or stops driving the laser element in accordance with an output signal of said gate circuit, and wherein each of the pre-drive circuit, said gate circuit and said output buffer circuit includes a current source, respectively, regulates the current of the current source of the output buffer circuit する制御電圧および前記バイアス回路の電流源の電流を調整する制御電圧のうちの少なくとも一方を、前記送信イネーブル信号のオン時に所定の電流を出力させる第1の値に切り替え、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記所定の電流未満の電流を流し又は完全遮断させる第2の値に切り替えるようにしたことを特徴とする。 Control voltage and at least one of the control voltage for adjusting the current of the current source of the bias circuit, switching to a first value to output a predetermined current during on of the transmission enable signal, the transmission enable signal Off characterized in that at was switched to a second value to flow or completely block the current of the less than a predetermined current.

請求項2にかかる発明は、請求項1に記載のバースト型レーザ駆動回路において、前記ゲート回路と前記出力バッファ回路の間に別のプリドライブ回路を挿入したことを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, the burst laser drive circuit according to claim 1, characterized in that the insertion of the separate pre-drive circuit between said gate circuit and the output buffer circuit.

請求項3にかかる発明は、請求項2に記載のバースト型レーザ駆動回路において、前記別のプリドライブ回路の電流源を、電流量が大きな第1の電流源と電流量が小さく常時電流を流す第2の電流源の並列接続回路で構成し、前記第1の電流源を、前記送信イネーブル信号のオン時に所定の電流を出力させる第1の値に切り替え、前記送信イネーブル信号のオフ時に電流を遮断させる第2の値に切り替えるようにしたことを特徴とする。 According to claim 3 invention, the burst laser drive circuit according to claim 2, the current source of the further pre-drive circuit, the amount of current supply a large first current source and the current amount is small current constantly constituted by a parallel connection circuit of the second current source, said first current source, switching to a first value to output a predetermined current during on of the transmission enable signal, the current during the off of the transmission enable signal characterized in that to switch to the second value to be cut off.

請求項4にかかる発明は、請求項1、2又は3に記載のバースト型レーザ駆動回路において、前記バッファ回路の電流源を、電流量が大きな第3の電流源と電流量が小さく常時電流を流す第4の電流源の並列接続回路で構成し、前記第3の電流源を、前記送信イネーブル信号のオン時に所定の電流を出力させる第1の値に切り替え、前記送信イネーブル信号のオフ時に電流を遮断させる第2の値に切り替えるようにしたことを特徴とする。 Such invention in claim 4, in the burst-type laser driving circuit according to claim 1, 2 or 3, the current source of the buffer circuit, the current amount of the large third current source and the current amount is small current constantly fourth constituted by parallel connection circuit of a current source, said third current source, switching to a first value to output a predetermined current during on of the transmission enable signal, current during the off of the transmission enable signal to flow characterized in that to switch to the second value to be cut off.

請求項5にかかる発明は、請求項1、2、3又は4に記載のバースト型レーザ駆動回路において、前記ゲート回路の電流源を、電流量が大きな第5の電流源と電流量が小さく常時電流を流す第6の電流源の並列接続回路で構成し、前記第5の電流源を、前記送信イネーブル信号のオン時に所定の電流を出力させる第1の値に切り替え、前記送信イネーブル信号のオフ時に電流を遮断させる第2の値に切り替えるようにしたことを特徴とする。 The invention according to claim 5, the burst laser drive circuit according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the current source of the gate circuit, always small current source and the current amount of the current amount is large 5 constituted by a parallel connection circuit of the sixth current source supplying a current, the fifth current source is switched to a first value to output a predetermined current during on of the transmission enable signal, the transmission enable signal off characterized in that to switch to a second value for at interrupting the current.

請求項6にかかる発明は、請求項1,2,3,4又は5に記載のバースト型レーザ駆動回路において、前記第1の値をVh、前記第2の値をVSLとするとき、当該電流源の動作最低電圧Vonに対して、前記Vh,VSLを、Vh>VSLの関係に設定したことを特徴とする。 Such invention in claim 6, in the burst-type laser driving circuit according to claim 1, 2, 3, 4 or 5, Vh said first value, when the VSL said second value, the current relative minimum operating voltage Von source, the Vh, the VSL, characterized in that set in the relation of Vh> VSL.

請求項7にかかる発明は、請求項6に記載のバースト型レーザ駆動回路において、当該電流源の動作最低電圧Vonに対して前記Vh,VSLを、Vh>Von≧VSLの関係に設定し、前記最低動作電圧Vonは、当該電流源を構成するトランジスタのベース・エミッタ間あるいはゲート・ソース間に閾値電圧を与える電圧であることを特徴とする。 Such invention in claim 7, in the burst-type laser driving circuit according to claim 6, wherein the relative minimum operating voltage Von of the current source Vh, the VSL, is set to the relationship of the Vh> Von ≧ VSL, the minimum operating voltage Von is characterized by a voltage applied to the threshold voltage between the base and emitter or the gate and source of the transistor constituting the current source.

本発明によれば、送信イネーブル信号のオン/オフに応じて高速にバースト型レーザ駆動回路の電力消費量を増/減できるので、例えばPON(Passive Optical Network)システムにおけるONU(Optical Network Unit)の省電力化に甚大な効力を発揮する。 According to the present invention, it is possible to increase / decrease the power consumption of the burst-type laser driving circuit at a high speed in response to the on / off transmission enable signal, for example, the PON (Passive Optical Network) ONU in the system (Optical Network Unit) exert a profound effect on power saving. なぜなら、高速に電力をオン/オフできることで、PONシステムのプロトコルに依存した新たなスリープ制御信号が不要であり、従来の送信イネーブル信号TX_ENのみで電力制御が可能となるからである。 This is because the ability to turn on / off power to the high-speed, a new sleep control signal depending on the PON system of the protocol is not necessary, because it is possible to power control only a conventional transmission enable signal TX_EN. 追加の信号が不要であるため、コスト的に有利なだけでなく、レーザ素子が消光している時間は必ず低電力化されることで、理想的な省電力モードが実現できる。 For additional signals is not required, cost-not advantageous only that laser element to be always lower power is time to extinction, the ideal power-saving mode can be realized. 従来技術では、長い消光時間となる場合のみ電力削減ができるといった制約があったが、本発明を用いれば、このようなバースト通信ごとの省電力化に必要な回路設計が容易となり、安全で効果の高い省電力化を実現できるのである。 In the prior art, long when the extinction time becomes there were restrictions such can power reduction only, the use of the present invention, it becomes easy circuit design needed to power saving of each such burst communication, safe and effective than is the power saving can be realized high.

本発明の第1の実施例のバースト型レーザ駆動回路のブロック図である。 It is a block diagram of a burst laser drive circuit of the first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施例のバースト型レーザ駆動回路のブロック図である。 It is a block diagram of a burst laser drive circuit of the second embodiment of the present invention. 本発明の第3の実施例のバースト型レーザ駆動回路のブロック図である。 It is a block diagram of a burst laser drive circuit of the third embodiment of the present invention. 本発明の第3の実施例のバースト型レーザ駆動回路におけるゲート回路11、プリドライブ回路12n、出力バッファ回路13の回路図である。 Gate circuit 11 in the burst laser drive circuit of the third embodiment of the present invention, the pre-drive circuit 12n, a circuit diagram of an output buffer circuit 13. 本発明の第4の実施例のバースト型レーザ駆動回路におけるゲート回路11、プリドライブ回路12n、出力バッファ回路13の回路図である。 Gate circuit 11 in the burst laser drive circuit of the fourth embodiment of the present invention, the pre-drive circuit 12n, a circuit diagram of an output buffer circuit 13. 従来のバースト型レーザ駆動回路のブロック図である。 It is a block diagram of a conventional burst laser drive circuit. 従来の出力バッファ回路とバイアス回路の回路図である。 It is a circuit diagram of a conventional output buffer circuit and a bias circuit. 従来の別のバースト型レーザ駆動回路のブロック図である。 It is a block diagram of another conventional burst laser drive circuit.

本実施の形態の基本構成は、ゲート回路を出力バッファ回路の直前近くに配置し、多段プリドライブ回路と出力バッファ回路、およびバイアス回路の電流源の電流を送信イネーブル信号TX_ENに連動してオン/オフすることである。 The basic structure of this embodiment, a gate circuit is arranged near just before the output buffer circuit, in conjunction multistage pre-drive circuit and an output buffer circuit, and a current source bias circuit current to the transmission enable signal TX_EN on / it is to off. また、背景技術および図7(b)で説明したバイアス回路の差動スイッチも具備する。 It also includes a differential switch bias circuit described in the background art and Fig. 7 (b). ゲート回路を出力バッファ回路の直前に配置する場合は、従来技術と異なり、ゲート回路は出力バッファを駆動するための充分な駆動能力が必要である。 When placing the gate circuit just before the output buffer circuit, unlike the prior art, the gate circuit is required sufficient drive capability to drive the output buffer. また、レーザ素子の消光時に、仮に多段プリドライブ回路や出力バッファ回路の電流遮断が不充分になったとしても、ゲート回路がLow固定のレベルを出力し続けるので、ゲート回路よりも入力側の信号やノイズは遮断され、出力バッファ回路の電流が流れてしまったとしても、出力バッファ回路のLowレベルが維持されるため、レーザ素子の消光は維持される。 Further, when the extinction of the laser element, even if the current interruption of the multi-stage pre-drive circuit and an output buffer circuit becomes insufficient, since the gate circuit continues to output the level of Low fixed input side of the signal than the gate circuit and noise is cut off, even if the current of the output buffer circuit fell through, since the Low level of the output buffer circuit is maintained, extinction of the laser element is maintained.

<第1の実施例> <First embodiment>
図1に本発明の第1の実施例のバースト型レーザ駆動回路を示す。 Figure 1 shows a burst-type laser driver circuit of the first embodiment of the present invention. 本実施例では、変調回路10が、n段のプリドライブ回路121〜12n、ゲート回路11、および出力バッファ回路13を縦続接続して構成される。 In this embodiment, the modulation circuit 10, n stages of pre-drive circuits 121 to 12n, configured gate circuit 11, and an output buffer circuit 13 connected in cascade. ゲート回路11は最終段のプリドライブ回路12nの後段に挿入され、ゲート回路11の出力側に出力バッファ回路13が接続され、出力バッファ回路13の出力側にレーザ素子LDがDC接続される。 The gate circuit 11 is inserted downstream of the pre-drive circuit 12n in the last stage, the output buffer circuit 13 to the output side of the gate circuit 11 is connected, the laser diode LD is DC coupled to the output side of the output buffer circuit 13. もちろん、レーザ素子LDへの接続はAC接続でも良いが、本発明の目的はレーザ素子LDの確実な消光と省電力モードの両立であるから、変調回路10とレーザ素子LDとの間に電流パスが存在するDC接続の構成で説明する。 Of course, the connection to the laser device LD may be a AC connection, since the purpose of the present invention are both reliable quenching and the power saving mode of the laser diode LD, a current path between the modulation circuit 10 and the laser element LD there will be described a configuration of a DC connection exists. レーザ素子LDのカソード端子側LDKはコイルL2を介してバイアス回路20に接続される。 The cathode terminal side LDK laser device LD is connected to the bias circuit 20 through the coil L2.

プリドライブ回路121〜12n、ゲート回路11、出力バッファ回路13、およびバイアス回路20はそれぞれ独立した電流源I121〜I12n,I11,I13を備える(バイアス回路20の電流源は図示せず)。 Pre-drive circuit 121 to 12n, the gate circuit 11, respectively output buffer circuit 13 and the bias circuit 20, independent current source I121~I12n, comprises a I11, I13 (the current source of the bias circuit 20 is not shown). APC回路30はレーザ素子LDの出力光パワーに応じて最適な変調振幅に制御するための制御電圧VCSMとバイアス電流に制御するためのVCSBを発生する。 APC circuit 30 generates a VCSB for controlling the control voltage VCSM and the bias current for controlling the optimum modulation amplitude in accordance with the output light power of the laser device LD. 制御電圧VCSMは、プリドライブ回路121〜12n、ゲート回路11、出力バッファ回路13の電流源I121〜I12n,I11,I13に入力されるが、本実施例ではAPC回路30と各電流源I121〜I12n,I13との間に単極双投のスイッチSW1を挿入している。 Control voltage VCSM is pre-drive circuit 121 to 12n, the gate circuit 11, a current source I121~I12n of the output buffer circuit 13, I11, I13 is inputted to each of the current source and the APC circuit 30 in the present embodiment I121~I12n , have been inserted into the single-pole double-throw switch SW1 between the I13. また、制御電圧VCSBはバイアス回路20の電流源に入力されるため、同様にその電流源とAPC回路30の間に単極双投のスイッチSW2を挿入している。 Further, the control voltage VCSB is inserted a single-pole double-throw switch SW2 while for input to the current source of the bias circuit 20, likewise the current source and the APC circuit 30.

これらのスイッチSW1,SW2は、送信イネーブル信号TX_ENによって切り替わる。 These switches SW1, SW2 is switched by the transmission enable signal TX_EN. 送信イネーブル信号TX_ENは、前記したように、オンのときバーストオン、すなわちレーザ発光となり、オフのときはバーストオフ、すなわちレーザ消光となる。 Transmission enable signal TX_EN, as described above, burst-on time ON, i.e. becomes the laser emission, burst off, that is, laser quenching when off. 送信イネーブル信号TX_ENがオンのときは、スイッチSW1は制御電圧VCSMを電流源I121〜I12n,I13に印加する側に、スイッチSW2は制御電圧VCSBをバイアス回路20の電流源に印加する側に切り替わる。 When the transmission enable signal TX_EN is on, the switch SW1 is a control voltage VCSM current source I121~I12n, the side to be applied to I13, the switch SW2 is switched to the side for applying a control voltage VCSB to the current source of the bias circuit 20. 送信イネーブル信号TX_ENがオフのときは、スイッチSW1,SW2は両方ともにプルダウン抵抗R01,R02を介して接地レベルへプルダウンされる側に切り替わる。 When the transmission enable signal TX_EN is off, the switch SW1, SW2 via a pull-down resistor R01, R02 Both switched to side to be pulled down to ground level. プルダウン側に切り替わると、電流源の電流が遮断される。 When switched to the pull-down side, the current of the current source is cut off.

また、ゲート回路11とバイアス回路20に入力される送信イネーブル信号TX_ENは差動信号化されている。 The transmission enable signal TX_EN, which is input to the gate circuit 11 and the bias circuit 20 is a differential signaling. 送信イネーブル信号TX_ENがオンのときは、ゲート回路11では、そこに入力されるデータ信号がバッファされて出力バッファ回路13に出力される。 Transmission enable signal TX_EN is on, the gate circuit 11, the data signal inputted thereto is outputted to the output buffer circuit 13 is buffered. バイアス回路20では、レーザ素子LDのカソード接続側LDKのトランジスタQ4がオンとなる。 The bias circuit 20, the transistor Q4 of the cathode connection side LDK of the laser element LD is turned on. これらによりレーザ素子LDに電流が流れる状態となる。 These by the state current to the laser element LD flows.

送信イネーブル信号TX_ENがオフになると、図7(a)で示したように、出力バッファ回路13の差動入力信号ISPBがLowに差動入力信号ISNBがHighに固定される。 When the transmission enable signal TX_EN is turned off, as shown in FIG. 7 (a), the differential input signal ISPB of the output buffer circuit 13 is a differential input signal ISNB to Low is fixed to High. また図7(b)で示したように、バイアス回路20の送信イネーブル信号の正相信号TX_EN_PがLowに、逆相信号TX_EN_NがHighに固定される。 Further, as shown in FIG. 7 (b), the positive phase signal TX_EN_P transmission enable signal of the bias circuit 20 is the Low, the phase-inverted signal TX_EN_N is fixed to High. これらによりレーザ素子LDの電流パスが遮断される。 The current path of the laser diode LD is interrupted thereby.

例えば、送信イネーブル信号TX_ENがオフになった場合、ゲート回路11とAPC回路30以外の回路電流は遮断され、バーストデータ信号DATAの入力があってもレーザ素子LDは発光しない。 For example, if the transmission enable signal TX_EN is turned off, the circuit current of the other gate circuit 11 and the APC circuit 30 is interrupted, the laser diode LD even if the input of the burst data signal DATA does not emit light. このとき、従来技術では、レーザ素子LDの発光時と同じ量の回路電流が流れ続けるか、あるいは一部の回路ブロックの電流が遮断されるかのどちらかであったが、本実施例ではほとんどの回路電流が遮断され、省電力効果が大きくなる。 In this case, in the prior art, or the circuit current of the same amount as the time of light emission of the laser element LD continues to flow, or is the current of some of the circuit blocks were either or is blocked, most of the present embodiment the circuit current is cut off, the power saving effect is increased.

なお、本実施例では、プリドライブ回路121〜12nの電流源I121〜I12nとゲート回路11の電流源I11、および出力バッファの電流源I13が、すべて同じ制御電圧VCSMで制御される形態を示したが、これらをそれぞれ異なる電圧で制御しても良い。 In this embodiment, the current source I11, and a current source I13 of the output buffer of the current source I121~I12n a gate circuit 11 of the pre-drive circuit 121~12n showed form all controlled by the same control voltage VCSM There may be controlled them at different voltages.

<第2の実施例> <Second embodiment>
図2に、本発明の第2の実施例のバースト型レーザ駆動回路を示す。 Figure 2 shows a burst laser drive circuit of the second embodiment of the present invention. 第1の実施例との違いは、送信イネーブル信号TX_ENがオフのときに、スイッチSW1,SW2に接続されるプルダウン抵抗R01,R02を、定電圧VSL1、VSL2に置き換えた点である。 The difference from the first embodiment, when the transmission enable signal TX_EN is off, the pull-down resistor R01, R02 connected to the switch SW1, SW2, a point is replaced in the constant voltage VSL1, VSL2. スイッチSW1がVSL1側に切り替わったとき、電流源I121〜I12n,I13は遮断する。 When the switch SW1 is switched to VSL1 side, current source I121~I12n, I13 is cut off. また、スイッチSW2がVSL2側に切り替わったとき、バイアス回路20の電流源が遮断する。 Also, when the switch SW2 is switched to VSL2 side, the current source of the bias circuit 20 is interrupted. 電流源がオンとなり、電流を通電する制御電圧をVonとし、VSL1=VSL2=VSLとすると、Von>VSLなる関係となるようにVSLが設定される。 Current source is turned on, the control voltage for energizing a current between Von, when the VSL1 = VSL2 = VSL, VSL so that Von> VSL the relationship is set. よって、制御電圧VCSM,VCSBの値をVhとすると、Vh>Von>VSL>0Vの関係となる。 Therefore, the control voltage VCSM, when the Vh value of VCSB, a relationship of Vh> Von> VSL> 0V. つまり、電圧VSLは電圧Vonよりも低く、0Vよりも高い電圧である。 That is, the voltage VSL is lower than voltage Von, a voltage higher than 0V.

電圧Vonは、図7で示したように、電流源をトランジスタと抵抗素子の直列回路(Q3とR5,Q6とR9等)で構成した場合、トランジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeが閾値電圧よりも大きくなるような電圧である。 Voltage Von, as shown in FIG. 7, in the case of constituting the current source a series circuit of the transistor and the resistance element (Q3 and R5, Q6 and R9, etc.), than the base-emitter voltage Vbe threshold voltage of the transistor it is a larger kind of voltage. VSLをVonより僅かに低い電圧、つまりトランジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeが閾値電圧よりも僅かに小さくなるような電圧に設定すれば、送信イネーブル信号TX_ENのオンに対する応答性の高速化が期待できる。 By setting the VSL voltage slightly lower than Von, i.e. the voltage that the base-emitter voltage Vbe is slightly smaller than the threshold voltage of the transistor can be expected response faster for on the transmission enable signal TX_EN . これはレーザ素子が消光した状態から安定して発光するまでの立上がり時間Tonを短縮できることになり、通信の効率化に寄与できることになる。 It will be laser element can be shortened rise time Ton to stably emitted from a state of being quenched, it becomes possible to contribute to efficient communication. 一方、発光から消光への切換時間(立下り時間Toff)は、ゲート回路11の働きとバイアス回路20の差動切替が支配的になるため、本発明のような電流遮断を実施しない場合と同等のToffを実現できる。 On the other hand, the switching time from the emission to the quenching (fall time Toff) is equivalent to that for the differential switching function as the bias circuit 20 of the gate circuit 11 becomes dominant, not implementing the current interruption such as in the present invention the Toff can be realized. このように、電圧VSLを、電流源トランジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeが閾値電圧よりも僅かに低い電圧になるように設定することで、消光時の低電力化と高速起動が両立できる。 Thus, the voltage VSL, by setting such that the base-emitter voltage Vbe of the current source transistor becomes slightly lower than the threshold voltage, can be compatible low power consumption and quick start during quenching.

なお、本実施例では、ゲート回路11が出力バッファ回路13の直前に配置されるため、この電圧VSLをVonまたはそれより僅かに高くし電圧Vhのときの電流より小さい微小電流を流す状態にしても差し支えない。 In the present embodiment, since the gate circuit 11 is arranged immediately before the output buffer circuit 13, and the voltage VSL in the state of flowing the smaller small current current at the Von or slightly raised voltage Vh no problem also. 電流源の電流を完全に遮断したほうが省電力の効果は大きくなるのであるが、レーザ素子LDの立上がり時間Tonのより速い高速化が求められる場合には、マイルドに電流遮断したほうが有利であるからである。 While better to completely interrupt the current of the current source is the power saving effect is large, when the faster speed of the rise time Ton of the laser element LD is required, because there is better mild and current interruption to be advantageous it is. また、電流源を構成するトランジスタサイズが小さく電流量が比較的少ないプリドライブ回路121〜12nを使用する場合は、充分に電流遮断しても高速起動が可能であるため、このようなプリドライブ回路121〜12nの電流源は完全遮断し、出力バッファ回路13の電流源は完全遮断せずに微小電流を流す状態にする設計も可能である。 Also, since when using a relatively small pre-drive circuit 121~12n transistor size is small amount of current to configure the current source, be sufficiently current interruption which enables high-speed startup, such pre-drive circuit 121~12n current source is completely cut off, the current source of the output buffer circuit 13 is designed also be in a state of passing a small current without completely blocking.

<第3の実施例> <Third embodiment>
図3に、本発明の第3の実施例のバースト型レーザ駆動回路を示す。 Figure 3 shows a burst laser drive circuit of the third embodiment of the present invention. 第1および第2の実施例では、ゲート回路11によって出力バッファ回路13を駆動する必要があったため、ゲート回路11にも相応の駆動力が求められる課題があった。 In the first and second embodiments, since it is necessary to drive the output buffer circuit 13 by the gate circuit 11, the driving force corresponding to the gate circuit 11 has a problem sought. そこで、本実施例では、ゲート回路11と出力バッファ回路13の間に最終段のプリドライブ回路12nを挿入する構成とする。 Therefore, in this embodiment, a configuration of inserting a pre-drive circuit 12n in the last stage between the gate circuit 11 and the output buffer circuit 13. この場合、最終段のプリドライブ回路12nは、その電流源の電流を遮断してしまうと、従来技術と同じように、送信イネーブル信号TX_ENのオフ時にゲート回路11の出力を出力バッファ回路13に伝達できなくなる問題に陥ってしまうため、ゲート回路11と同様に、その電流源は送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフによらず常時オンし続けるようにする。 In this case, the pre-drive circuit 12n of the final stage, the thus cut off the current of the current source, as with the prior art, transmits the output of the gate circuit 11 during off transmission enable signal TX_EN to the output buffer circuit 13 because would fall into problems can not, like the gate circuit 11, the current source to continue to always on regardless of the transmission enable signal TX_EN on / off. これにより、最終段のプリドライブ回路12nの電流源の電流は遮断されないため、第1および第2の実施例に比べて省電力効果が小さくなってしまう恐れがあるが、ゲート回路11の規模を小さくできるので、ゲート回路11自信の消費電流も削減でき、設計が容易となるメリットがある。 Accordingly, since the current of the current source of the pre-drive circuit 12n of the last stage is not blocked, but the power-saving effect compared to the first and second embodiments is likely to become small, the scale of the gate circuit 11 can be made smaller, also reduces the current consumption of the gate circuit 11 confidence, there is a merit that can be easily designed.

図4に本実施例におけるゲート回路11、プリドライブ回路12n、および出力バッファ回路13の詳細回路を示す。 Gate circuit 11 in this embodiment in FIG. 4, showing the pre-drive circuits 12n, and the detailed circuit of the output buffer circuit 13. ゲート回路11はトランジスタQ7〜Q16、抵抗R10〜R16で構成されている。 The gate circuit 11 is constituted by transistors Q7~Q16, resistance R10~R16. プリドライブ回路12nは、トランジスタQ17〜Q23、抵抗R17〜R23で構成されている。 Pre-drive circuit 12n is composed of transistors Q17~Q23, resistance R17~R23. これらはあくまで例であって、回路方式はこの限りではない。 These are merely examples, circuit scheme is not limited to this. 端子INP,INNは前段のプリドライブ回路からの差動のバーストデータ信号DATAの入力端子である。 Terminals INP, INN is an input terminal of the burst data signal DATA differential from the pre-drive circuit of the preceding stage. 端子IPB,INBは、差動化されレベル調整された送信イネーブル信号TX_ENの入力端子である。 Terminal IPB, INB is an input terminal of the transmission enable signal TX_EN whose levels are controlled differentially reduction. 送信イネーブル信号TX_ENがオンのとき、端子IPBがHighとなる。 Transmission enable signal TX_EN is when on, the terminal IPB is High. ゲート回路11の電流源トランジスタQ12,Q15,Q16とプリドライブ回路12nの電流源トランジスタQ19,Q22,Q23のベースには常に制御電圧VCSMが与えられる。 Current source transistor of the current source transistor Q12, Q15, Q16 and pre-drive circuit 12n of the gate circuit 11 Q19, Q22, always control voltage VCSM is applied to Q23 of the base. 出力バッファ回路13への制御電圧VCSMのみが、送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフによって切り替わるスイッチSW1を介して、VCSM、あるいはVSL1に切り替わる。 Only the control voltage VCSM to the output buffer circuit 13, via a switch SW1 for switching the transmission enable signal TX_EN on / off switch to VCSM or VSL1,. なお、ゲート回路11の電流源トランジスタQ12,Q15,Q1には、一定の電圧VCSGが印加される場合もある。 Note that the current source transistor Q12, Q15, Q1 of the gate circuit 11 is sometimes constant voltage VCSG is applied.

<第4の実施例> <Fourth embodiment>
図5に、本発明の第4の実施例のバースト型レーザ駆動回路のゲート回路11、プリドライブ回路12n、および出力バッファ回路13を示す。 5, a gate circuit 11 the burst laser drive circuit of the fourth embodiment of the present invention, showing the pre-drive circuits 12n, and the output buffer circuit 13. 本実施例は、第3の実施例におけるプリドライブ回路12nのトランジスタQ19,Q22,Q23と抵抗R21〜R23にからなる3個の電流源に、トランジスタQ24〜Q26と抵抗R24〜R26からなる3個の電流源をそれぞれ並列接続した例である。 This embodiment, the transistors Q19, Q22, three current sources composed of two Q23 and the resistor R21~R23 of pre-drive circuit 12n in the third embodiment, three including transistors Q24~Q26 and resistor R24~R26 current source of an example of parallel connection, respectively. ここで、トランジスタQ19,Q22,Q23と抵抗R21〜R23にからなる3個の電流源の方が、トランジスタQ24〜Q26と抵抗R24〜R26からなる3個の電流源よりも大きな電流を流すことができるものとする。 Here, it transistors Q19, Q22, Q23 and three current source comprising resistor R21~R23 two may be made to flow more current than the three current source comprising transistor Q24~Q26 and resistor R24~R26 and what can be. そして、大きな電流を流す電流源トランジスタQ19,Q22,Q23の制御端子をスイッチSW1に接続して、送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフによってVCSM、あるいはVSL1に切り替える。 Then, connect the control terminal of the current source transistor Q19, Q22, Q23 supply a large current to the switch SW1, switch to VCSM or VSL1, the transmission enable signal TX_EN on / off. また、小さな電流源トランジスタQ24〜Q26の制御端子には制御電圧VCSMが常時印加するようにする。 Further, the control voltage VCSM is to be applied at all times to the control terminal of the low current source transistor Q24~Q26.

この構成ではプリドライブ回路12nの電流源の電流が送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフによって増減するが、レーザ消光時にも電流源の電流が流れ続けるため、ゲート回路11のLow固定信号をプリドライブ回路12nによって出力バッファ回路13に伝達できる。 Although the current of the current source of the pre-drive circuit 12n in this configuration is increased or decreased by the transmission enable signal TX_EN on / off, since the current of the current source even when the laser extinction continues to flow, the pre-drive circuit Low fixed signal of the gate circuit 11 It can be transferred to the output buffer circuit 13 by 12n. ただし、プリドライブ回路12nの利得が小さいとLow固定の能力が劣るため、注意深い設計が必要である。 However, since the poor Low fixing ability and gain small pre-drive circuit 12n, it requires careful design.

なお、電流が流れ続けることで電流源の起動の高速化が期待できるため、出力バッファ回路13にも同様に、制御電圧VCSMが常時印加する別の小電流用の電流源トランジスタと抵抗の直列回路をトランジスタQ3と抵抗R5の直列回路に並列接続してもよい。 Since the expected speedup activation of the current source by current continues to flow, similarly to the output buffer circuit 13, the control voltage VCSM current source transistor and the resistor of the series circuit for another small current to be applied at all times the may be connected in parallel to the series circuit of the transistor Q3 and resistor R5.

さらに、ゲート回路11にも同様に、スイッチSW1で切り替えられる制御電圧VCSMをトランジスタQ12,Q15,Q16のベースに印加するとともに、トランジスタQ12,Q15,Q16と抵抗R14〜R16からなる3個の電流源に、トランジスタと抵抗からなる3個の小電流用の電流源をそれぞれ並列接続して、その各トランジスタに制御電圧VCSMが常時印加するようにしてもよい。 Further, similarly to the gate circuit 11, applied with a control voltage VCSM which is switched by a switch SW1 to the base of the transistor Q12, Q15, Q16, transistors Q12, Q15, Q16 and three current source including the resistor R14~R16 in, and a current source for the three small current a transistor and a resistor connected in parallel, respectively, a control voltage VCSM to their respective transistors may be applied at all times.

<その他の実施例> <Other embodiments>
なお、以上説明した実施例は、バイポーラプロセスによる回路を例に説明したが、もちろんCMOSプロセスによる回路においても本発明を適用可能である。 Incidentally, the embodiment described above has been described a circuit according bipolar process as an example, also be applied to the present invention in a circuit according to course CMOS process. また、第3、第4の実施例では、具体的な回路構成にて説明を行ったが、第1、第2の実施例で説明した動作が可能であれば他の回路構成を利用しても本発明の構成をなすことが可能である。 The third, the fourth embodiment has been described with a specific circuit configuration, first, by using other circuit configurations as long as possible the operation described in the second embodiment also it is possible to form a structure of the present invention.

10:変調回路、11:ゲート回路、121〜12n:プリドライブ回路、13:出力バッファ回路 20:バイアス回路 30:APC回路 10: modulation circuit 11: gate circuit, 121 to 12n: pre-drive circuit, 13: output buffer circuit 20: the bias circuit 30: APC circuit

Claims (7)

  1. 入力したバーストデータ信号に応じてレーザ素子をバースト駆動する変調回路と、前記レーザ素子にバイアス電流を供給するバイアス回路とを備えるバースト型レーザ駆動回路において、 A modulation circuit for burst driving the laser element in accordance with the burst data signal input, in the burst-type laser drive circuit and a bias circuit for supplying a bias current to said laser device,
    前記変調回路は、入力するバーストデータ信号を増幅する複数段のプリドライブ回路と、該複数段のプリドライブ回路の内の最終段のプリドライブ回路の出力信号を送信イネーブル信号がオンのとき通過させオフのとき遮断するゲート回路と、該ゲート回路の出力信号に応じて前記レーザ素子をバースト駆動又は駆動停止する出力バッファ回路とを備え、かつ前記各プリドライブ回路、前記ゲート回路および前記出力バッファ回路はそれぞれ電流源を備え、 The modulation circuit includes a pre-drive circuit of a plurality of stages for amplifying a burst data signal to be input, is passed when the transmission enable signal the output signal of the pre-drive circuit in the final stage of the pre-drive circuit of the plurality several stages is on comprising a gate circuit for interrupting the off, and an output buffer circuit for burst driving or stops driving the laser element in accordance with an output signal of said gate circuit, and wherein each of the pre-drive circuit, the gate circuit and the output buffer circuit comprising a respective current source,
    前記出力バッファ回路の電流源の電流を調整する制御電圧および前記バイアス回路の電流源の電流を調整する制御電圧のうちの少なくとも一方を、前記送信イネーブル信号のオン時に所定の電流を出力させる第1の値に切り替え、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記所定の電流未満の電流を流し又は完全遮断させる第2の値に切り替えるようにしたことを特徴とするバースト型レーザ駆動回路。 At least one of the control voltage and the control voltage for adjusting the current of the current source of the bias circuit for adjusting the current of the current source of the output buffer circuit, a to output a predetermined current during on of the transmission enable signal 1 switching to a value, the burst laser drive circuit, characterized in that to switch to a second value for the electric current smaller than the predetermined current or completely blocked when off the transmission enable signal.
  2. 請求項1に記載のバースト型レーザ駆動回路において、 In the burst-type laser driving circuit according to claim 1,
    前記ゲート回路と前記出力バッファ回路の間に別のプリドライブ回路を挿入したことを特徴とするバースト型レーザ駆動回路。 Burst laser drive circuit, characterized in that the insertion of the separate pre-drive circuit between said gate circuit and the output buffer circuit.
  3. 請求項2に記載のバースト型レーザ駆動回路において、 In the burst-type laser driving circuit according to claim 2,
    前記別のプリドライブ回路の電流源を、電流量が大きな第1の電流源と電流量が小さく常時電流を流す第2の電流源の並列接続回路で構成し、前記第1の電流源を、前記送信イネーブル信号のオン時に所定の電流を出力させる第1の値に切り替え、前記送信イネーブル信号のオフ時に電流を遮断させる第2の値に切り替えるようにしたことを特徴とするバースト型レーザ駆動回路。 The current source of the further pre-drive circuit, constituted by a parallel connection circuit of the second current source current amount flowing a large first current source and the current amount is small current always, the first current source, the transmission switching to a first value to output a predetermined current when on the enable signal, the burst laser drive circuit, characterized in that to switch to the second value to cut off current when off the transmission enable signal .
  4. 請求項1、2又は3に記載のバースト型レーザ駆動回路において、 In the burst-type laser driving circuit according to claim 1, 2 or 3,
    前記バッファ回路の電流源を、電流量が大きな第3の電流源と電流量が小さく常時電流を流す第4の電流源の並列接続回路で構成し、前記第3の電流源を、前記送信イネーブル信号のオン時に所定の電流を出力させる第1の値に切り替え、前記送信イネーブル信号のオフ時に電流を遮断させる第2の値に切り替えるようにしたことを特徴とするバースト型レーザ駆動回路。 The current source of the buffer circuit, constituted by a parallel connection circuit of the fourth current source the amount of current is flowing a large third current source and the current amount is small current constantly, the third current source, the transmit enable switching to a first value to output a predetermined current when a signal is oN, the burst laser drive circuit, characterized in that to switch to the second value to cut off current when off the transmission enable signal.
  5. 請求項1、2、3又は4に記載のバースト型レーザ駆動回路において、 In the burst-type laser driving circuit according to claim 1, 2, 3 or 4,
    前記ゲート回路の電流源を、電流量が大きな第5の電流源と電流量が小さく常時電流を流す第6の電流源の並列接続回路で構成し、前記第5の電流源を、前記送信イネーブル信号のオン時に所定の電流を出力させる第1の値に切り替え、前記送信イネーブル信号のオフ時に電流を遮断させる第2の値に切り替えるようにしたことを特徴とするバースト型レーザ駆動回路。 The current source of the gate circuit, constituted by a parallel connection circuit of the sixth current source the amount of current is flowing a large fifth current source and the current amount is small current always, the fifth current source, the transmit enable switching to a first value to output a predetermined current when a signal is oN, the burst laser drive circuit, characterized in that to switch to the second value to cut off current when off the transmission enable signal.
  6. 請求項1,2,3,4又は5に記載のバースト型レーザ駆動回路において、 In the burst-type laser driving circuit according to claim 1, 2, 3, 4 or 5,
    前記第1の値をVh、前記第2の値をVSLとするとき、前記Vh,VSLを、Vh>VSLの関係に設定したことを特徴とするバースト型レーザ駆動回路。 Said first value Vh, when the VSL said second value, the Vh, the VSL, burst laser drive circuit, characterized in that set in the relation of Vh> VSL.
  7. 請求項6に記載のバースト型レーザ駆動回路において、 In the burst-type laser driving circuit according to claim 6,
    当該電流源の動作最低電圧Vonに対して前記Vh,VSLを、Vh>Von≧VSLの関係に設定し、前記最低動作電圧Vonは、当該電流源を構成するトランジスタのベース・エミッタ間あるいはゲート・ソース間に閾値を与える電圧であることを特徴とするバースト型レーザ駆動回路。 Wherein Vh relative minimum operating voltage Von of the current source, the VSL, is set to the relationship of the Vh> Von ≧ VSL, the minimum operating voltage Von is between the base and emitter of the transistor constituting the current source or gate burst laser drive circuit, characterized in that the voltage applied to the threshold between the source.
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