JP5160059B2 - 集積回路に形成される、交差結合されたインダクター - Google Patents
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Description
1.集積回路(IC)に形成される、交差結合された第1及び第2のらせん状インダクターであって、
第1の部分と第2の部分を有する第1のらせん状導体と、
前記第1のらせん状導体に非常に接近しており、第1の部分と第2の部分を有する第2のらせん状導体とからなり、
前記第1のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第1の部分、及び前記第2のらせん状導体の前記第2の部分より形成され、前記第2のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分、及び前記第2のらせん状導体の前記第1の部分より形成される、交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
2.前記第1のらせん状導体の前記第1及び第2の部分が共に、前記ICに形成された導体の複数の層からなる、上記1に記載の交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
3.前記第2のらせん状導体の前記第1及び第2の部分が共に、前記ICに形成された導体の複数の層からなる、上記2に記載の交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
4.前記第1のらせん状導体の前記第1及び第2の部分のそれぞれが、前記ICに形成された導体の複数の層からなり、前記第2のらせん状導体の前記第1及び第2の部分のそれぞれが、前記ICに形成された導体の複数の層からなる、上記1に記載の交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
5.前記第1のらせん状導体の前記第1の部分が、前記第2のらせん状導体の前記第2の部分に、導体により結合され、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分が、前記第2のらせん状導体の前記第1の部分に、導体により結合される、上記1に記載の交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
6.前記第1のらせん状導体の前記第1の部分における第1の電磁界が、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分において方向を変化させ、前記磁界の方向の変化により、前記ICの基板において低減されたノイズレベルがもたらされる、上記1に記載の交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
7.前記第2のらせん状導体の前記第1の部分における第2の電磁界が、前記第2のらせん状導体の前記第2の部分において方向を変化させ、前記磁界の方向の変化により、前記ICの基板において低減されたノイズレベルがもたらされる、上記6に記載の交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
8.集積回路(IC)において磁気結合を生成するための方法であって、
互いに非常に接近している第1及び第2のらせん状インダクターに電流を通電することを含み、各インダクターが少なくとも、第1の部分と第2の部分を有する第1のらせん状導体、及び第1の部分と第2の部分を有する第2のらせん状導体を有し、前記第1のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第1の部分、及び前記第2のらせん状導体の前記第2の部分により形成されており、前記第2のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分、及び前記第2のらせん状導体の前記第1の部分により形成されている、方法。
9.前記第1のらせん状導体の前記第1の部分における第1の電磁界が、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分において方向を変化させ、前記第1の磁界の方向の変化により、前記ICの基板において低減されたノイズレベルがもたらされる、上記8に記載の方法。
10.前記第2のらせん状導体の前記第1の部分における第2の電磁界が、前記第2のらせん状導体の前記第2の部分において方向を変化させ、前記第2の磁界の方向の変化により、前記ICの基板において低減されたノイズレベルがもたらされる、上記9に記載の方法。
40、50、120、130 インダクター
40A〜40H、50A〜50H、120A〜120H、130A〜130H 層
42A〜42F、52A〜52F、122A〜122G、132A〜132G 巻線
Claims (6)
- 集積回路(IC)に形成される、交差結合された第1及び第2のらせん状インダクターであって、
前記ICに形成された導体の個々の層(40D、120A、40F、120C)からなる第1の部分(42C、122A)と第2の部分(42D、122B)を有する第1のらせん状導体と、
前記第1のらせん状導体に非常に接近しており、前記ICに形成された導体の個々の層(50D、130A、50F、130C)からなる第1の部分(52C、132A)と第2の部分(52D、132B)を有する第2のらせん状導体とからなり、
前記第1のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第1の部分(42C、122A)、及び前記第2のらせん状導体の前記第2の部分(52D、132B)より形成され、前記第2のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分(42D、122B)、及び前記第2のらせん状導体の前記第1の部分(52C、132A)より形成される、交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。 - 前記第1のらせん状導体の前記第1の部分(42C、122A)における第1の電磁界が、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分(42D、122B)において方向を変化させ、前記磁界の方向の変化により、前記ICの基板において低減されたノイズレベルがもたらされる、請求項1に記載の交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
- 前記第2のらせん状導体の前記第1の部分(52C、132A)における第2の電磁界が、前記第2のらせん状導体の前記第2の部分(52D、132B)において方向を変化させ、前記磁界の方向の変化により、前記ICの基板において低減されたノイズレベルがもたらされる、請求項2に記載の交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。
- 集積回路(IC)において磁気結合を生成するための方法であって、
互いに非常に接近している第1及び第2のらせん状インダクターに電流を通電することを含み、各インダクターが少なくとも、前記ICに形成された導体の個々の層(40D、120A、40F、120C)からなる第1の部分(42C、122A)と第2の部分(42D、122B)を有する第1のらせん状導体、及び前記ICに形成された導体の個々の層(50D、130A、50F、130C)からなる第1の部分(52C、132A)と第2の部分(52D、132B)を有する第2のらせん状導体を有し、前記第1のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第1の部分(42C、122A)、及び前記第2のらせん状導体の前記第2の部分(52D、132B)により形成されており、前記第2のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分(42D、122B)、及び前記第2のらせん状導体の前記第1の部分(52C、132A)により形成されている、方法。 - 前記第1のらせん状導体の前記第1の部分(42C、122A)における第1の電磁界が、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分(42D、122B)において方向を変化させ、前記第1の磁界の方向の変化により、前記ICの基板において低減されたノイズレベルがもたらされる、請求項4に記載の方法。
- 前記第2のらせん状導体の前記第1の部分(52C、132A)における第2の電磁界が、前記第2のらせん状導体の前記第2の部分(52D、132B)において方向を変化させ、前記第2の磁界の方向の変化により、前記ICの基板において低減されたノイズレベルがもたらされる、請求項5に記載の方法。
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