JP4965358B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)等の基板に対して、処理液により洗浄、エッチング等の処理を行った後、基板を乾燥させる基板処理装置に関する。 The present invention provides a substrate processing apparatus for drying a substrate after performing processing such as cleaning and etching with a processing liquid on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a substrate). About.
従来、この種の装置として、処理液を貯留する処理槽と、処理槽を囲うチャンバと、基板を支持して処理位置と乾燥位置とにわたって昇降自在のリフタと、チャンバに連通接続された排気管と、排気管に配設された開閉弁と、排気管に配設され、チャンバ内の気体を排出する真空ポンプと、各部を統括制御する制御部とを備えたものがある(例えば、特許文献1,2参照)。 Conventionally, as this type of apparatus, a processing tank for storing a processing liquid, a chamber surrounding the processing tank, a lifter that supports a substrate and can be raised and lowered between a processing position and a drying position, and an exhaust pipe that is connected to the chamber. And an open / close valve disposed in the exhaust pipe, a vacuum pump disposed in the exhaust pipe and exhausting the gas in the chamber, and a control unit that performs overall control of each part (for example, Patent Documents) 1 and 2).
上記のように構成された基板処理装置では、処理槽に処理液を貯留した状態でリフタを処理位置に位置させて、基板に対して処理液による処理(例えば、純水洗浄)を行う。そして、開閉弁を開放して真空ポンプを作動させ、チャンバ内を減圧するとともに、溶剤の蒸気、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)の蒸気をチャンバ内に供給する。所定の減圧度に達したら、開閉弁を閉止するとともに真空ポンプを停止させ、チャンバ内を溶剤雰囲気にする。そして、リフタを乾燥位置に上昇させ溶剤蒸気を基板に付着させ、基板に付着している液滴を溶剤で置換させる。その後、基板に付着した溶剤を液滴とともに蒸発させるために、真空ポンプを再始動させるとともに、開閉弁を開放させてチャンバ内をさらに減圧させる。
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、真空ポンプを再始動する際には、既にチャンバ内が減圧されている関係上、真空ポンプがその減圧度より低い減圧度で排気できる状態となってから開閉弁を開放させる必要がある。したがって、開閉弁を開放した際には、チャンバ内が急激に減圧されることになり、減圧手段がある側にパーティクルが集中し、チャンバ内で露出された状態の基板にパーティクルが付着して、プロセス的に悪影響が生じることがある。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
In other words, when restarting the vacuum pump, the conventional apparatus opens the on-off valve after the vacuum pump can evacuate at a reduced pressure lower than the reduced pressure because the chamber is already depressurized. It is necessary to let Therefore, when the on-off valve is opened, the inside of the chamber is suddenly depressurized, the particles concentrate on the side where the decompression means is, and the particles adhere to the substrate exposed in the chamber, Process adverse effects may occur.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、状況に応じて減圧手法を使い分けることにより、基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a substrate processing apparatus that can prevent a process from being adversely affected on a substrate by properly using a decompression method depending on the situation. The purpose is to provide.
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、前記チャンバに連通接続された排気管と、前記排気管を介して前記チャンバ内の気体を排気する排気手段と、前記排気管に配設され、排気流量を調整可能な排気機構と、前記基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第1の処理では、前記排気機構を操作して第1目標圧に向けて高速排気させ、前記基板支持機構を処理位置から乾燥位置に移動させた状態における第2の処理では、前記排気機構を操作して前記第1目標圧より低い第2目標圧に向けて低速排気させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention described in
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、制御手段は、基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第1の処理では、排気機構を操作して、排気手段により第1目標圧に向けて高速排気させ、基板支持機構を乾燥位置に移動させた状態における第2の処理では、排気機構を操作して、第1目標圧より低い第2目標圧に向けて排気手段により低速排気させる。第1の処理では基板が処理槽内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板はプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第2の処理では、基板が処理液から引き上げられ、チャンバ内に露出した状態であるので、基板は急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第2の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。 [Operation / Effect] According to the first aspect of the present invention, in the first process in which the substrate support mechanism is moved to the processing position, the control means operates the exhaust mechanism to perform the first operation by the exhaust means . In the second process in which the substrate support mechanism is moved to the dry position with high-speed evacuation toward the target pressure , the exhaust mechanism is operated to exhaust the evacuation unit toward the second target pressure lower than the first target pressure. Exhaust at low speed. In the first treatment, since the substrate is immersed in the treatment liquid in the treatment tank, even if the pressure is reduced in a short time, the substrate is unlikely to be adversely affected by the process. On the other hand, in the second process, since the substrate is pulled up from the processing liquid and exposed in the chamber, the substrate may be adversely affected by the process due to rapid decompression. Therefore, in the second process, by gradually reducing the pressure by low-speed exhaust, it is possible to suppress the rapid pressure reduction and prevent the substrate from being adversely affected in the process.
また、本発明において、前記排気機構は、複数の制御弁が並設され、前記制御手段は、前記第1の処理において全ての制御弁を開放し、前記第2の処理において各制御弁を順次に開放することが好ましい(請求項2)。複数の制御弁を全て開放すると高速排気が可能となり、各制御弁を順次に開放すると低速排気が可能となる。複数個の制御弁を同時に開放するか、順次に開放してゆくかの簡易な制御で高速排気と低速排気の減圧手法を使い分けることができる。 In the present invention, the exhaust mechanism includes a plurality of control valves arranged in parallel, and the control means opens all the control valves in the first process, and sequentially controls each control valve in the second process. (Claim 2). When all the control valves are opened, high-speed exhaust is possible, and when each control valve is opened sequentially, low-speed exhaust is possible. By simply controlling whether a plurality of control valves are opened simultaneously or sequentially, it is possible to selectively use high-pressure exhaust and low-pressure exhaust pressure reducing methods.
また、本発明において、前記複数の制御弁は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能なエア駆動弁であり、前記制御手段は、前記第2の処理において各制御弁を順次に開放するにあたり、各々の制御弁の開度を徐々に大きくすることが好ましい(請求項3)。各エア制御弁を閉止から開放へ単純に切り替えるのではなく、開度を徐々に大きくしてゆくことにより、階段状に減圧度が低下するのではなく、各階段が傾斜した状態で滑らかに減圧することができる。したがって、圧力変動による悪影響をより抑制できる。 In the present invention, the plurality of control valves are air-driven valves whose opening degree can be adjusted by supplying and discharging air, and the control means sequentially opens the control valves in the second process. In this case, it is preferable to gradually increase the opening degree of each control valve. Rather than simply switching each air control valve from closed to open, gradually reducing the degree of decompression by gradually increasing the degree of opening does not reduce the degree of decompression in a staircase pattern, but smoothly reduces pressure while each staircase is tilted. can do. Therefore, adverse effects due to pressure fluctuations can be further suppressed.
また、本発明において、前記排気機構は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能な一つのエア駆動弁を備え、前記制御手段は、第1の処理時には前記エア駆動弁の開度を最大とし、第2の処理時には前記エア駆動弁の開度を徐々に大きくしてゆくことが好ましい(請求項4)。一つのエア駆動弁の開度を徐々に大きくすることにより、圧力変動を滑らかにすることができるので、圧力変動による悪影響をより抑制することができる。 In the present invention, the exhaust mechanism includes one air drive valve whose opening degree can be adjusted by supplying and discharging air, and the control means maximizes the opening degree of the air drive valve during the first processing. In the second process, it is preferable to gradually increase the opening of the air drive valve. Since the pressure fluctuation can be smoothed by gradually increasing the opening degree of one air drive valve, the adverse effect due to the pressure fluctuation can be further suppressed.
また、本発明において、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備え、前記第1の処理は、処理液で基板に処理を行った後、前記溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気を前記チャンバ内に供給するまでの処理であり、前記第2の処理は、前記第1の処理の後、前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ、基板に凝縮した溶剤蒸気を蒸発させる処理であることが好ましい(請求項5)。溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気をチャンバ内に供給する第1の処理までは、基板が処理液に浸漬された処理位置にあるので高速排気でもよく、その後に不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ溶剤蒸気を蒸発させる第2の処理は、基板がチャンバ内に露出した状態であるので低速排気にする。 In the present invention, a solvent vapor supply means for supplying a solvent vapor into the chamber and an inert gas supply means for supplying an inert gas into the chamber are provided, and the first treatment is performed with a treatment liquid. After the process is performed on the substrate, the solvent vapor is supplied from the solvent vapor supply means into the chamber, and the second process is performed after the first process and then the inert gas supply means. It is preferable that the solvent vapor condensed on the substrate is evaporated while an inert gas is supplied from the substrate. From the solvent vapor supply means to the first process of supplying the solvent vapor into the chamber, since the substrate is at the processing position immersed in the processing liquid, high-speed evacuation may be performed, and then the inert gas is supplied from the inert gas supply means. In the second process of evaporating the solvent vapor while being supplied, since the substrate is exposed in the chamber, the exhaust is performed at a low speed.
また、本発明において、前記制御手段は、高速排気させた後、前記排気機構を停止させて、第2の処理までは第1目標圧で減圧状態とすることが好ましい(請求項6)。 In the present invention, it is preferable that the control means evacuates at a high speed and then stops the exhaust mechanism so as to reduce the pressure to the first target pressure until the second processing (Claim 6).
本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、基板支持機構を処理槽内の処理位置に移動させた状態における第1の処理では、排気機構を操作して、排気手段により第1目標圧に向けて高速排気させ、基板支持機構を乾燥位置に移動させた状態における第2の処理では、排気機構を操作して、第1目標圧より低い第2目標圧に向けて排気手段により低速排気させる。第1の処理では基板が処理槽内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板はプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第2の処理では、基板が処理液から引き上げられ、チャンバ内に露出した状態であるので、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧によるチャンバ内でのパーティクルの集中が抑制される結果、基板へのパーティクルの付着が抑制されて基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, the control means operates the exhaust mechanism in the first process in a state where the substrate support mechanism is moved to the processing position in the processing tank, and the first target is operated by the exhaust means . In the second process in which the substrate support mechanism is moved to the drying position while being exhausted at a high speed toward the pressure , the exhaust mechanism is operated and the exhaust means moves toward a second target pressure lower than the first target pressure. Exhaust. In the first treatment, since the substrate is immersed in the treatment liquid in the treatment tank, even if the pressure is reduced in a short time, the substrate is unlikely to be adversely affected by the process. On the other hand, in the second process, since the substrate is pulled up from the processing liquid and exposed in the chamber, the concentration of particles in the chamber due to rapid pressure reduction is suppressed by gradually reducing the pressure by low-speed exhaust. As a result, it is possible to prevent the adhesion of particles to the substrate and prevent the substrate from being adversely affected in the process.
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
本実施例に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽1を備えている。この処理槽1は、処理液を貯留し、起立姿勢とされた複数枚の基板Wを収容可能に構成されている。処理槽1の底部には、複数枚の基板Wが整列されている方向(紙面方向)に沿って長軸を有し、処理液を供給するための二本の噴出管7が配設されている。各噴出管7には、供給管9の一端側が接続され、供給管9の他端側は、処理液供給源15に連通接続されており、その流量が制御弁からなる処理液弁17で制御される。処理液供給源15は、フッ化水素酸や、硫酸・過酸化水素水の混合液などの薬液や、純水などを処理液として供給管9に供給する。
The substrate processing apparatus according to this embodiment includes a
処理槽1は、その周囲がチャンバ27で囲われている。チャンバ27は、上部に開閉自在の上部カバー29を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Wを保持するリフタ31は、チャンバ27の上方にあたる「待機位置」と、処理槽1の内部にあたる「処理位置」と、処理槽1の上方であってチャンバ27の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって移動可能に構成されている。
The
なお、リフタ31が本発明における基板支持機構に相当する。
The
上部カバー29の下方であってチャンバ27の上部内壁には、一対の溶剤ノズル33と、一対の不活性ガスノズル34とが配設されている。溶剤ノズル33には、供給管35の一端側が連通接続されている。その他端側は、蒸気発生タンク37に連通接続されている。この供給管35には、その上流側から順に、溶剤蒸気の流量を調整するための制御弁からなる蒸気弁38と、溶剤蒸気を加熱するためのインラインヒータ40とが配設されている。なお、供給管35は、従来装置の供給管よりも大径(9.52mm程度)で構成され、供給管35の中における溶剤蒸気の流路抵抗を小さくして溶剤ノズル33への溶剤蒸気の供給が円滑に行われる。供給管35が溶剤蒸気を加熱するインラインヒータ40を備えていることにより、発生された溶剤蒸気が供給管35で凝縮することを軽減でき、溶剤濃度が低下することを防止できる。
A pair of
蒸気発生タンク37は、蒸気発生空間である内部空間を所定温度に温調したり、加熱して溶剤の蒸気を発生させたりする。蒸気発生タンク37の内部空間には、溶剤を供給するための溶剤供給源43が連通接続されている。この例では、溶剤としてイソプロピルアルコール(IPA)が利用されている。なお、溶剤としては、IPAの他に、例えば、HFE(ハイドロフルオロエーテル)がある。
The
不活性ガスノズル34には、供給管45の一端側が連通接続されている。供給管45の他端側は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源47に連通接続されている。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス(N2)が挙げられる。不活性ガスの供給量は、供給管45に設けられた不活性ガス弁49によって調整される。不活性ガス弁49の下流側には、インラインヒータ50が取り付けられている。このインラインヒータ50は、不活性ガス供給源47からの不活性ガスを所定温度に加熱する。
One end of a
処理槽1の底部には、排出口57が配設されている。この排出口57には、QDR弁59が取り付けられている。このQDR弁59から処理槽1内の処理液を排出すると、処理液がチャンバ27内の底部に一旦排出される。チャンバ27の底部には、排出管63が取り付けられ、ここには排液弁65が取り付けられている。
A
チャンバ27の一部位には、排気管67が配設されている。排気管67の端部には、本発明における排気手段に相当する真空ポンプ69が取り付けられている。排気管67には、後述する排気機構71が取り付けられている。また、チャンバ27には、減圧状態を解消するための制御弁からなる呼吸弁73が取り付けられているとともに、内部の圧力を検出するための圧力計75が配設されている。
An
上述した処理液弁17、上部カバー29、リフタ31、蒸気発生タンク37、蒸気弁38、インラインヒータ40、不活性ガス弁49、インラインヒータ50、QDR弁59、排液弁65、真空ポンプ69、排気機構71などの動作は、本発明における制御手段に相当する制御部77によって統括的に制御される。制御部77は、各部を制御するとともに、以下に詳述するように、処理に応じて排気機構71の操作を行う。
The processing
排気機構71は、3個のエア駆動弁79を並設されている。各エア駆動弁79は、同一の構成であるので、以下の説明においては、一つのエア駆動弁79を例にとって説明する。なお、エア駆動弁79が本発明における制御弁に相当する。
The
エア駆動弁79は、処理液の入口と出口とを有する流路81が形成された弁箱83を備えている。流路27の中央部付近には、弁座85は、その部分に当接または離間して流路81を流通する処理液の流れを直接的に制御する弁体87の外形にほぼ一致するように形成されている。弁体87には、弁棒89の一端が連結されている。また、弁箱83には、弁棒89を弁座85側に進退可能に保持する保持部91が備えられている。この保持部91にはシリンダ93が形成されているとともに、ここには弁棒89の他端に連動連結されたピストン95が摺動自在に備えられている。ピストン95は、通常状態では弁体87が弁座85に対して当接するように、圧縮コイルバネ97により付勢されている。
The air-driven
また、保持部91は、ピストン95を挟む位置に第1の貫通孔99と第2の貫通孔101を備えている。第1の貫通孔99は、電磁弁103によってエア供給源からエアの供給が制御される。また、第2の貫通孔101は、大気に開放されている。この電磁弁103は、制御部77によって制御される。例えば、電磁弁103を作動させると、シリンダ93内おいてピストン95がエアの供給量に応じて第2の貫通孔101側に移動され、その移動量に応じて弁体87が弁座85から離間する。その一方、電磁弁103の動作を停止させると、ピストン95が圧縮コイルバネ97の付勢方向に戻り、弁体87が弁座85に当接する。したがって、電磁弁103の作動量を調整することにより、エア駆動弁79を流通する気体の流量をゼロから最大または最大からゼロに一気に調整したり、ゼロから最大または最大からゼロに直線的に調整したりすることができる。
In addition, the holding
制御部77は、上述した構成の排気機構71を、次のように処理に応じて操作する。ここで、図3及び図4を参照する。なお、図3は、高速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図であり、図4は、低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示した模式図である。
The
まず、第1の処理時には、真空ポンプ69を最大能力で作動させた状態で、全てのエア駆動弁79を同時に開放させる高速排気である。具体的には、図3に示すように、t1時点で全エア駆動弁79の電磁弁103を開放させ、その状態を維持させる。すると、チャンバ27の圧力が大気圧から第1目標圧に向かって急激に下がってゆく。
First, at the time of the first treatment, high-speed exhaust is performed in which all the
次いで、第2の処理時には、真空ポンプ69を最大能力で作動させた状態で、全てのエア駆動弁79について所定間隔をおいて順に一つずつ開放させてゆく低速排気である。すると、チャンバ27の圧力が第1目標圧から第2目標圧に向かって階段状に次第に低下してゆく。
Next, at the time of the second processing, the low-speed exhaust is performed in such a manner that all the
但し、第1の処理時における、大気圧から第1目標圧にまで低下する時間T1は、第1目標圧から第2目標圧にまで低下する時間T2よりも短い。例えば、時間T1は1分程度である一方、時間T2は3分程度である。 However, the time T1 during which the pressure decreases from the atmospheric pressure to the first target pressure during the first process is shorter than the time T2 when the pressure decreases from the first target pressure to the second target pressure. For example, time T1 is about 1 minute, while time T2 is about 3 minutes.
上記の第1の処理は、例えば、リフタ31が処理位置にあって基板Wが処理槽1内の処理液に浸漬されて処理が行われ、その後、イソプロピルアルコールの蒸気が溶剤ノズル33からチャンバ27内に供給されるまである。この状態では、処理液中に基板Wが浸漬されているので、減圧が急激に行われても、基板Wに対してプロセス的に悪影響が及び難い。上記の第2の処理は、例えば、第1の処理の後、リフタ31が乾燥位置に移動されて基板Wでのイソプロピルアルコールの置換が行われ、不活性ガスノズル34から不活性ガスが供給されて基板Wに凝縮したイソプロピルアルコールが蒸発される処理である。第2の処理では、基板Wが処理液から露出した状態であるので、急激な減圧を行うことにより、基板Wにプロセス的に悪影響が及ぶ恐れがあるからである。
In the first processing, for example, the
次に、図5を参照して、上述した基板処理装置の動作について説明する。なお、図5は、基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 Next, the operation of the above-described substrate processing apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus.
ステップS1〜S3
上部カバー29を開放した状態で、基板Wを支持したリフタ31を待機位置から乾燥位置へと下降させ、上部カバー29を閉止させる。そして、処理液弁17を開放させて、薬液を含む処理液を処理槽1に供給する。次いで、リフタ31を処理位置にまで下降させて、基板Wを処理液に浸漬させる。これを所定時間だけ維持させた後、処理液供給源15から純水だけを処理液として処理槽1に供給させる。なお、処理槽から溢れた処理液は、チャンバ27の底部に貯留され、排出管63を通してチャンバ27外へ排出される。この水洗処理を所定時間だけ行って基板Wに対して洗浄を行わせる。
Steps S1-S3
With the
ステップS4
水洗処理が終わった後、処理液弁17を閉止して処理液としての純水の供給を停止させるとともに、QDR弁59を開放して、処理槽1内の純水を急速排水させる。その後、不活性ガス弁49を開放させて、不活性ガスノズル43から不活性ガスをチャンバ27内に供給させ、チャンバ27内の酸素をパージする。
Step S4
After the water washing process is finished, the processing
ステップS5,S6
チャンバ27内の酸素濃度が低減された後、不活性ガス弁49及び排液弁65を閉止するとともに、真空ポンプ69を作動させる。そして、最大排気が可能となった状態において、図3に示すように排気機構71を作動させてチャンバ27内の圧力を大気圧から第1目標圧に向けて減圧を開始させる。第1目標圧に達したか否かは、圧力計75によって確認する。このとき、排気機構71は、上述した高速排気となるように制御部77によって操作されている。高速排気を行うことにより、迅速に減圧環境を作り出すことができ、スループットを向上させることができる。
Steps S5 and S6
After the oxygen concentration in the
ステップS7,S8
排気機構71を停止させてチャンバ27を第1目標圧で減圧状態とし、リフタ31を乾燥位置にまで上昇させる。さらに、インラインヒータ40を加熱状態とするとともに、蒸気弁38を開放して、所定流量でイソプロピルアルコール蒸気を溶剤ノズル33からチャンバ27内に供給させる。これにより、チャンバ27内がイソプロピルアルコールの蒸気雰囲気とされ、基板Wに付着している純水がイソプロピルアルコールによって置換される。
Steps S7 and S8
The
ステップS9,S10
真空ポンプ69を作動させ、最大排気が可能となった状態において、図4に示すように排気機構71を作動させてチャンバ27内の圧力を第1目標圧から第2目標圧に向けて減圧を開始させる。このとき、排気機構71は、上述した低速排気となるように制御部77によって操作されている。このとき、不活性ガス弁49を調節して、インラインヒータ50を介して加熱した不活性ガスを所定流量で不活性ガスノズル34から供給する。
Steps S9 and S10
In a state where the
ステップS11,S12
不活性ガス弁49及び真空ポンプ69を停止させるとともに、呼吸弁73を開放してチャンバ27内を大気圧に戻す。そして、上部カバー29を開放するとともに、リフタ31を待機位置に上昇させる。
Steps S11 and S12
The
上述したように、制御部77は、リフタ31を処理位置に移動させた状態における第1の処理では、排気機構71を操作して、真空ポンプ69により高速排気させ、リフタ31を乾燥位置に移動させた状態における第2の処理では、排気機構71を操作して、真空ポンプ69により低速排気させる。第1の処理では基板Wが処理槽1内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Wはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第2の処理では、基板Wが処理液から引き上げられ、チャンバ27内に露出した状態であるので、基板Wは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第2の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板Wに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
As described above, in the first processing in the state where the
また、上述したように、二種類の減圧手法を使い分け、急速に減圧が必要なときは高速排気を行うので、スループットを向上させることがない。 Further, as described above, two types of decompression methods are properly used and high-speed exhaust is performed when rapid decompression is required, so that the throughput is not improved.
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.
(1)上述した実施例では、全てのエア駆動弁79について所定間隔をおいて順に一つずつ開放させてゆく低速排気を行ったが、低速排気では図6に示すようにしてもよい。なお、図6は、変形例に係り、低速排気時における排気機構の開度調節及び圧力変化を示す模式図である。
すなわち、各エア駆動弁79の開度を全閉から瞬時に全開にするのではなく、全閉から徐々に開度を大きくして全開とする。このようにすることにより、圧力変化を緩やかにすることができ、露出した状態の基板Wに及ぶ悪影響をより小さくすることができる。
(1) In the above-described embodiment, low speed exhaust is performed in which all the
That is, the opening degree of each
(2)上述した実施例では、排気機構71を3個のエア駆動弁79で構成しているが、二つのエア駆動弁79であってもよい。また、各エア駆動弁79の開度を全閉から全開に操作する場合には、上述したエア駆動弁79に代えて、全閉と全開だけの状態をとりうる電磁式の開閉弁を採用してもよい。
(2) In the above-described embodiment, the
(3)上述した実施例では、排気機構71を3個のエア駆動弁79で構成しているが、図7に示すように一つのエア駆動弁79で構成してもよい。なお、図7は、排気機構の変形例を示す縦断面図である。
すなわち、上述した図2におけるエア駆動弁79単体で排気機構71とする。但し、その最大流量は、上述した3個のエア駆動弁79で構成した場合と同程度となるように、流路81における流路断面積が大きなものであることが好ましい。さらに、制御部69は、高速排気の際には図8に示すように、全閉から全開となるようにエア駆動弁79を操作し、低速排気の際には図9に示すように、全閉から徐々に全開となるようにエア駆動弁79を操作する。なお、減圧にかける時間T1と時間T2との関係は、上述した実施例と同様である。
(3) In the above-described embodiment, the
In other words, the
(4)上述した実施例では、処理槽1を単槽構成としているが、内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽を備えた構成としてもよい。
(4) In the embodiment described above, the
W … 基板
1 … 処理槽
27 … チャンバ
31 … リフタ
33 … 溶剤ノズル
34 … 不活性ガスノズル
37 … 蒸気発生タンク
38 … 蒸気弁
40 … インラインヒータ
67 … 排気管
69 … 真空ポンプ
71 … 排気機構
77 … 制御部
79 … エア駆動弁
W ...
Claims (6)
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、
基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、
前記チャンバに連通接続された排気管と、
前記排気管を介して前記チャンバ内の気体を排気する排気手段と、
前記排気管に配設され、排気流量を調整可能な排気機構と、
前記基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第1の処理では、前記排気機構を操作して第1目標圧に向けて高速排気させ、前記基板支持機構を処理位置から乾燥位置に移動させた状態における第2の処理では、前記排気機構を操作して前記第1目標圧より低い第2目標圧に向けて低速排気させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for drying a substrate processed with a processing liquid by solvent vapor,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A chamber surrounding the processing tank;
A substrate support mechanism that supports the substrate and can be moved up and down over a processing position in the processing tank and a drying position above the processing tank;
An exhaust pipe in communication with the chamber;
Exhaust means for exhausting the gas in the chamber through the exhaust pipe;
An exhaust mechanism disposed in the exhaust pipe and capable of adjusting an exhaust flow rate;
In the first processing in a state where the substrate support mechanism is moved to the processing position, the exhaust mechanism is operated to perform high-speed exhaust toward the first target pressure, and the substrate support mechanism is moved from the processing position to the drying position. In the second process in the state, the control means for operating the exhaust mechanism to exhaust at a low speed toward the second target pressure lower than the first target pressure ;
A substrate processing apparatus comprising:
前記排気機構は、複数の制御弁が並設され、
前記制御手段は、前記第1の処理において全ての制御弁を開放し、前記第2の処理において各制御弁を順次に開放することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The exhaust mechanism has a plurality of control valves arranged in parallel,
The substrate processing apparatus, wherein the control means opens all control valves in the first process and sequentially opens each control valve in the second process.
前記複数の制御弁は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能なエア駆動弁であり、
前記制御手段は、前記第2の処理において各制御弁を順次に開放するにあたり、各々の制御弁の開度を徐々に大きくすることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The plurality of control valves are air-driven valves whose opening degree can be adjusted by supplying and discharging air,
The substrate processing apparatus, wherein the control means gradually increases the opening degree of each control valve when sequentially opening the control valves in the second process.
前記排気機構は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能な一つのエア駆動弁を備え、
前記制御手段は、第1の処理時には前記エア駆動弁の開度を最大とし、第2の処理時には前記エア駆動弁の開度を徐々に大きくすることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The exhaust mechanism includes one air drive valve whose opening degree can be adjusted by supplying and discharging air,
The substrate processing apparatus, wherein the control means maximizes the opening degree of the air drive valve during the first process and gradually increases the opening degree of the air drive valve during the second process.
前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、
前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備え、
前記第1の処理は、処理液で基板に処理を行った後、前記溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気を前記チャンバ内に供給するまでの処理であり、
前記第2の処理は、前記第1の処理の後、前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ、基板に凝縮した溶剤蒸気を蒸発させる処理であることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to claim 1,
Solvent vapor supply means for supplying solvent vapor into the chamber;
An inert gas supply means for supplying an inert gas into the chamber;
The first process is a process from after processing a substrate with a processing solution to supplying solvent vapor from the solvent vapor supply means into the chamber,
The second processing is processing for evaporating solvent vapor condensed on the substrate while supplying an inert gas from the inert gas supply means after the first processing. .
前記制御手段は、高速排気させた後、前記排気機構を停止させて、第2の処理までは第1目標圧で減圧状態とすることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus, wherein after the high-speed evacuation is performed, the control unit stops the evacuation mechanism and reduces the pressure to a first target pressure until a second process.
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