JP4940276B2 - 放熱パッケージ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明によれば、冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に回路層が形成された絶縁層が付着されたヒートパイプ基板;及び前記回路層に実装された電子部品;を含み、前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されており、ここで、前記ヒートパイプは前記絶縁層の両側端に形成されたバンプを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、放熱パッケージ基板が提供される。
また、本発明によれば、冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプの両側壁の上部にバンプを形成する段階;前記冷媒をカバーするように、前記バンプが成形されたヒートパイプの上部に金属層が成形された絶縁層を付着するとともに、前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着される段階;前記金属をパターニングして回路層を形成してヒートパイプ基板を製造する段階;前記回路層に電子部品を実装された段階;を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板の製造方法が提供される。
図2は本発明の好適な第1参考例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて、本参考例による放熱パッケージ基板100aについて説明すれば次のようである。
図3は本発明の好適な第1実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板100bについて説明する。
図4は本発明の好適な第2実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板100cについて説明する。
図5〜図7は図2に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本参考例による放熱パッケージ基板100aの製造方法を説明する。
図8〜図12は図3に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板の製造方法を説明する。本実施例の説明において、第2参考例と同一ないし類似の構成要素に対しては同一符号を付け、その重複説明は省略する。
図13〜図16は図4に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板の製造方法について説明する。本実施例の説明において、第2参考例及び第3実施例同一ないし類似の構成要素には同一符号を付け、その重複説明は省略する。
104 冷媒注入用凹部
106 冷媒
108 絶縁層
110 金属層
112 メッキ層
113 ビア
114a、114b、114c 回路層
116a、116b、116c ヒートパイプ基板
120 電子部品
H ビアホール
B バンプ
Claims (8)
- 冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に回路層が形成された絶縁層が付着されたヒートパイプ基板;及び
前記回路層に実装された電子部品;
を含み、
前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されており、
ここで、前記ヒートパイプは前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、放熱パッケージ基板。 - 冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に回路層が形成された絶縁層が付着されたヒートパイプ基板;及び
前記回路層に実装された電子部品;
を含み、
前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されており、
ここで、前記ヒートパイプは前記絶縁層の両側端に形成されたバンプを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、放熱パッケージ基板。 - 前記冷媒が、前記絶縁層と直接接触することを特徴とする、請求項1又は2に記載の放熱パッケージ基板。
- 前記電子部品が、LEDであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の放熱パッケージ基板。
- 冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に金属層が形成された絶縁層を付着するとともに、前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着される段階;
前記金属層をパターニングして回路層を形成することで、ヒートパイプ基板を製造する段階;及び
前記回路層に電子部品を実装する段階;を含み、
前記ヒートパイプ基板を製造する段階は、
前記絶縁層に、前記ヒートパイプの両側壁を露出させるビアホールを加工する段階;
前記ビアホールの内部とともに前記金属層にメッキ層を形成する段階;及び
前記金属層及びメッキ層をパターニングして回路層を形成する段階;
を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板の製造方法。 - 冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプの両側壁の上部にバンプを形成する段階;
前記冷媒をカバーするように、前記バンプが成形されたヒートパイプの上部に金属層が成形された絶縁層を付着するとともに、前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着される段階;
前記金属をパターニングして回路層を形成してヒートパイプ基板を製造する段階;
前記回路層に電子部品を実装された段階;
を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板の製造方法。 - 前記冷媒が、前記絶縁層と直接接触することを特徴とする、請求項5又は6に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
- 前記電子部品が、LEDであることを特徴とする、請求項5又は6に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
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