JP4860160B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 44
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 402
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 56
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 26
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 8
- LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N ac1ldcw0 Chemical compound Cl.C1CN(C)CCN1C1=C(F)C=C2C(=O)C(C(O)=O)=CN3CCSC1=C32 LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000035473 Communicable disease Diseases 0.000 description 1
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013361 beverage Nutrition 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 1
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/22—Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
-
- G—PHYSICS
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Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
IDタグとは、物体の識別に利用される微小なICチップ(特にこの用途のICチップを「IDチップ」ともいう。)に自身の識別コードなどの情報が記録されており、電波を使って管理システムと情報を送受信する能力をもつものをいう。数十ミリメートルの大きさで、電波や電磁波で読み取り器と交信することができる。アンテナ側からの非接触電力伝送技術により、電池を持たずに半永久的に利用可能なものもある。
RFIDとは、電波方式認識(Radio Frequency−IDentification)を指し、リーダ/ライタ装置と無線通信により情報を通信可能なIDタグとで構成される認証技術を指していう。このRFIDに使うIDタグの態様はさまざまであり、カード形式のものや、ラベル類、証書類などがある。また、これらを半導体装置と呼ぶ。
101 書き込み回路
102 読み出し回路
103 ローデコーダ
104 コラムデコーダ
105 セレクタ
106 メモリセルアレイ
107 メモリセル
108 第1の記憶素子
109 第2の記憶素子
150 基板
151 書き込み回路
152 読み出し回路
153 ローデコーダ
154 コラムデコーダ
155 セレクタ
156 メモリセルアレイ
157 メモリセル
158 第1の記憶素子
159 第2の記憶素子
160 第3の記憶素子
200 メモリセル
201 第1の記憶素子
202 第2の記憶素子
203 セレクタ
204 スイッチ
205 スイッチ
206 スイッチ
207 スイッチ
208 スイッチ
209 スイッチ
210 読み出し回路
211 XORゲート
212 抵抗素子
213 抵抗素子
250 メモリセル
251 第1の記憶素子
252 第2の記憶素子
253 第3の記憶素子
254 セレクタ
255 スイッチ
256 スイッチ
257 スイッチ
258 スイッチ
259 スイッチ
260 スイッチ
261 読み出し回路
262 変換回路
263 判定回路
264 読み出し回路
800 MNOS型記憶素子
801 ゲート電極
802 窒化膜
803 酸化膜
804 基板
805 ソース領域
806 ドレイン領域
810 MONOS型記憶素子
811 ゲート電極
812 酸化膜
813 窒化膜
814 酸化膜
815 基板
816 ソース領域
817 ドレイン領域
900 記憶素子
901 ゲート電極
902 微結晶Si層
903 基板
904 ソース領域
905 ドレイン領域
1001 IDFチップ
1002 バッグ
1003 IDFチップ
1004 パスポート
1005 IDFチップ
1006 免許証
1101 IDFチップ
1102 紙幣
1103 薄膜トランジスタ
1104 ソース領域
1105 チャネル形成領域
1106 ドレイン領域
1200 ICカード
1201 内蔵メモリ
1210 IDタグ
1211 内蔵メモリ
1220 商品
1221 保護膜
1222 IDチップ
1230 筐体
1231 IDチップ
1240 荷札
1241 IDチップ
1250 本
1251 保護膜
1252 IDチップ
1260 紙幣
1261 IDチップ
1270 靴
1271 保護膜
1272 IDチップ
1300 メモリセル
1301 第1の記憶素子
1302 第2の記憶素子
1303 セレクタ
1304 スイッチ
1305 スイッチ
1306 スイッチ
1307 スイッチ
1308 スイッチ
1310 スイッチ
1310 書き込み回路
1311 スイッチ
1312 スイッチ
1313 インバータ
1350 メモリセル
1351 第1の記憶素子
1352 第2の記憶素子
1353 第3の記憶素子
1354 セレクタ
1355 スイッチ
1356 スイッチ
1357 スイッチ
1358 スイッチ
1359 スイッチ
1360 スイッチ
1361 書き込み回路
1362 スイッチ
1363 スイッチ
1364 スイッチ
1365 変換回路
1401 IDチップ
1402 アンテナ
1403 RF回路
1404 電源/クロック信号/リセット信号発生回路
1405 データ復調/変調回路
1406 制御回路
1407 メモリ
1500 基板
1501 書き込み回路
1502 読み出し回路
1503 ローデコーダ
1504 コラムデコーダ
1505 セレクタ
1506 メモリセルアレイ
1507 メモリセル
1508 記憶素子
1600 メモリセル
1601 記憶素子
1602 セレクタ
1603 スイッチ
1604 スイッチ
1605 読み出し回路
1606 変換回路
1607 判定回路
1608 内部データ読み出し回路
1700 メモリセル
1701 記憶素子
1702 セレクタ
1703 スイッチ
1704 スイッチ
1705 書き込み回路
1706 スイッチ
1707 変換回路
2301 IDFチップ
2302 ラベル
2303 パック
2304 IDFチップ
2305 瓶
2306 ラベル
3000 絶縁基板
3001 下地膜
3002 下地膜
3003 半導体層
3004 半導体層
3005 半導体層
3006 ゲート絶縁膜
3007 導電層
3008 導電層
3009 導電層
3010 ゲート絶縁膜
3011 導電層
3012 導電層
3013 導電層
3014 不純物領域
3015 不純物領域
3016 不純物領域
3017 不純物領域
3018 不純物領域
3019 不純物領域
3020 サイドウォール
3021 サイドウォール
3022 不純物領域
3023 不純物領域
3024 層間膜
3025 層間膜
3026 電極
3027 電極
3028 電極
3029 電極
3030 電極
3100 絶縁膜
3101 レジスト
3102 サイドウォール
3103 絶縁膜
3104 レジスト
3105 ゲート絶縁膜
3106 サイドウォール
4000 剥離層
4001 層間絶縁膜
4004 パッド
4005 パッド
4006 保護層
4007 溝
4008 接着剤
4009 支持体
Claims (4)
- 第1の記憶素子及び第2の記憶素子を一ビットを格納する一単位として有するメモリセルを複数有し、
複数の前記メモリセルの前記第1の記憶素子の出力及び複数の前記メモリセルの前記第2の記憶素子の出力が複数のスイッチを介して入力される一つのXORゲートと、を有し、
前記第1の記憶素子及び前記第2の記憶素子は、第1状態から第2状態へのみ遷移する素子であり、
(A)前記第1の記憶素子の状態又は前記第2の記憶素子の状態の一方を前記第1状態とし、前記第1の記憶素子の状態又は前記第2の記憶素子の状態の他方を前記第2状態とする書き込みを行うことにより、データが記憶され、
(B)2つの前記スイッチをオンにして一つの前記メモリセルのみを選択することにより前記XORゲートから出力されるバリッド信号が「1」である場合は、前記第1の記憶素子の出力又は前記第2の記憶素子の出力の一方から前記データが一つの前記スイッチを介してそのまま読み出され、
(C)前記バリッド信号が「0」である場合は、前記データが妥当でないと判断されることを特徴とする半導体装置。 - 第1の記憶素子及び第2の記憶素子を一ビットを格納する一単位として有するメモリセルを複数有し、
複数の前記メモリセルの前記第1の記憶素子の出力及び複数の前記メモリセルの前記第2の記憶素子の出力が複数のスイッチを介して入力される一つのXORゲートと、を有し、
前記第1の記憶素子及び前記第2の記憶素子は、第1状態から第2状態へのみ遷移する素子であり、
(A)前記第1の記憶素子の状態又は前記第2の記憶素子の状態の一方を前記第1状態とし、前記第1の記憶素子の状態又は前記第2の記憶素子の状態の他方を前記第2状態とする書き込みを行うことにより、データが記憶され、
(B)2つの前記スイッチをオンにして一つの前記メモリセルのみを選択することにより前記XORゲートから出力されるバリッド信号が「1」である場合は、前記第1の記憶素子の出力又は前記第2の記憶素子の出力の一方から前記データが一つの前記スイッチを介してそのまま読み出され、
(C)前記バリッド信号が「0」である場合は、前記データを無効にすることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1の記憶素子の出力には前記XORゲートに入力される第1の電圧を調整するための第1の抵抗素子が設けられており、
前記第2の記憶素子の出力には前記XORゲートに入力される第2の電圧を調整するための第2の抵抗素子が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記(A)における前記書き込みは複数の前記メモリセルの全てに対して行われることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005028511A JP4860160B2 (ja) | 2004-02-10 | 2005-02-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004033075 | 2004-02-10 | ||
JP2004033081 | 2004-02-10 | ||
JP2004033081 | 2004-02-10 | ||
JP2004033075 | 2004-02-10 | ||
JP2005028511A JP4860160B2 (ja) | 2004-02-10 | 2005-02-04 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005259334A JP2005259334A (ja) | 2005-09-22 |
JP2005259334A5 JP2005259334A5 (ja) | 2008-03-13 |
JP4860160B2 true JP4860160B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=34840175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005028511A Expired - Fee Related JP4860160B2 (ja) | 2004-02-10 | 2005-02-04 | 半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7663915B2 (ja) |
EP (1) | EP1714294B1 (ja) |
JP (1) | JP4860160B2 (ja) |
KR (2) | KR101157409B1 (ja) |
CN (1) | CN100485816C (ja) |
WO (1) | WO2005076281A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4860160B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2012-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
EP1886261B1 (en) | 2005-05-31 | 2011-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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- 2005-02-04 JP JP2005028511A patent/JP4860160B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-04 EP EP05710153.7A patent/EP1714294B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-04 KR KR1020067018186A patent/KR101157409B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-04 WO PCT/JP2005/002108 patent/WO2005076281A1/en not_active Application Discontinuation
- 2005-02-04 KR KR1020127002364A patent/KR101264761B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-02-04 US US10/588,064 patent/US7663915B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-04 CN CNB2005800042200A patent/CN100485816C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101157409B1 (ko) | 2012-06-21 |
US20080144374A1 (en) | 2008-06-19 |
CN1918663A (zh) | 2007-02-21 |
EP1714294A4 (en) | 2007-10-03 |
WO2005076281A8 (en) | 2006-10-19 |
EP1714294B1 (en) | 2016-04-20 |
KR20070022654A (ko) | 2007-02-27 |
KR101264761B1 (ko) | 2013-05-15 |
US7663915B2 (en) | 2010-02-16 |
WO2005076281A1 (en) | 2005-08-18 |
JP2005259334A (ja) | 2005-09-22 |
CN100485816C (zh) | 2009-05-06 |
KR20120030572A (ko) | 2012-03-28 |
EP1714294A1 (en) | 2006-10-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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