JP4827565B2 - 半導体装置および該半導体装置を組み込んだ電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施例を示す電源回路図である。電源回路10は、基準電圧Vref、誤差増幅回路11、温度検出回路12、電流検出回路13、アンド回路14、パワートランジスタM1、PMOSトランジスタM2、抵抗R1とR2で構成され、出力端子Voと外部端子Soを備えている。また、出力端子Voには負荷20が接続されている。
R2を介して接地電位GNDに接続されている。
11:誤差増幅回路
12:温度検出回路
13:電流検出回路
14:アンド回路
15,16,18:コンパレータ
17:演算増幅回路
20:負荷
Vref:基準電圧
M1:パワートランジスタ
M2,M3:PMOSトランジスタ
D1:ダイオード
I1:電流源
R1〜R9:抵抗
Claims (9)
- 所定回路の温度を検出する温度検出回路と、該所定回路に流れる電流を検出する電流検出回路とを備えた半導体装置において、
前記温度検出回路が、前記所定回路の温度が予め決められた第1温度まで上昇したことを検出し、且つ、前記電流検出回路が、前記所定回路に流れる電流が予め決められた第1負荷電流以上になったことを検出した場合に、前記半導体装置の外部端子を介して信号を出力するようにし、
前記温度検出回路は、前記所定回路の温度が前記第1温度より高い第2温度まで上昇した場合に、前記所定回路をオフするようにしたことを特徴とする半導体装置。 - 所定回路の温度を検出する温度検出回路と、該所定回路に流れる電流を検出する電流検出回路とを備えた半導体装置において、
前記温度検出回路が、前記所定回路の温度が予め決められた第1温度まで上昇したことを検出し、且つ、前記電流検出回路が、前記所定回路に流れる電流が予め決められた第1負荷電流以上になったことを検出した場合に、前記半導体装置の外部端子を介して信号を出力するようにし、
前記電流検出回路は、前記所定回路に流れる電流が前記第1負荷電流より大きい第2負荷電流を超えた場合に、出力電圧を低下させるようにしたことを特徴とする半導体装置。 - 負荷に電流を供給するパワートランジスタと、該パワートランジスタの温度を検出する温度検出回路と、負荷電流を検出する電流検出回路を備えた電源回路を内蔵した半導体装置において、
前記温度検出回路が、前記パワートランジスタの温度が予め決められた第1温度まで上昇したことを検出し、且つ、前記電流検出回路が、前記負荷電流が予め決められた第1負荷電流以上になったことを検出した場合に、前記半導体装置の外部端子を介して信号を出力するようにし、
前記温度検出回路は、前記パワートランジスタの温度が前記第1温度より高い第2温度まで上昇した場合に、前記パワートランジスタをオフするようにした電源回路を内蔵したことを特徴とする半導体装置。 - 負荷に電流を供給するパワートランジスタと、該パワートランジスタの温度を検出する温度検出回路と、負荷電流を検出する電流検出回路を備えた電源回路を内蔵した半導体装置において、
前記温度検出回路が、前記パワートランジスタの温度が予め決められた第1温度まで上昇したことを検出し、且つ、前記電流検出回路が、前記負荷電流が予め決められた第1負荷電流以上になったことを検出した場合に、前記半導体装置の外部端子を介して信号を出力するようにし、
前記電流検出回路は、前記負荷電流が前記第1負荷電流より大きい第2負荷電流を超えた場合に、前記電源回路の出力電圧を低下させるようにした電源回路を内蔵したことを特徴とする半導体装置。 - 負荷に電流を供給するパワートランジスタと、該パワートランジスタの温度を検出する温度検出回路と、負荷電流を検出する電流検出回路を備えた電源回路を内蔵した半導体装置において、
前記温度検出回路が、前記パワートランジスタの温度が予め決められた第1温度まで上昇したことを検出し、且つ、前記電流検出回路が、前記負荷電流が予め決められた第1負荷電流以上になったことを検出した場合に、前記半導体装置の外部端子を介して信号を出力するようにし、
前記温度検出回路は、前記パワートランジスタの温度が前記第1温度より高い第2温度まで上昇した場合に、前記パワートランジスタをオフするようにし、
前記電流検出回路は、前記負荷電流が前記第1負荷電流より大きい第2負荷電流を超えた場合に、前記電源回路の出力電圧を低下させるようにした電源回路を内蔵したことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置であって、
前記温度検出回路は、
第1電源と第2電源の間に直列に接続された電流源と温度検出用ダイオードと、
基準電圧源と第2電源の間に直列に接続された第1抵抗,第2抵抗および第3抵抗と、
前記電流源と前記温度検出用ダイオードの接続点の電位を反転入力とし、前記第1抵抗と前記第2抵抗の接続点の電位を非反転入力とし、検出温度が前記第1温度以上の場合に信号を出力する第1コンパレータと、
前記電流源と前記温度検出用ダイオードの接続点の電位を非反転入力とし、前記第2抵抗と前記第3抵抗の接続点の電位を反転入力とし、検出温度が前記第2温度以上の場合に信号を出力する第2コンパレータ
からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置であって、
前記電流検出回路は、
第1電源と第2電源の間に直列に接続された第1トランジスタと第4抵抗と、
基準電圧源と第2電源の間に直列に接続された第5抵抗,第6抵抗および第7抵抗と、
前記第1トランジスタと前記第4抵抗の接続点の電位を非反転入力とし、前記第6抵抗と前記第7抵抗の接続点の電位を反転入力とし、検出電流が第1負荷電流以上の場合に信号を出力する第3コンパレータと、
前記第1トランジスタと前記第4抵抗の接続点の電位を反転入力とし、前記第5抵抗と前記第6抵抗の接続点の電位を非反転入力とし、検出電流が第2負荷電流以上の場合に信号を出力する第3コンパレータと、
前記電流源と前記温度検出用ダイオードの接続点の電位を非反転入力とし、前記第2抵抗と前記第3抵抗の接続点の電位を反転入力とし、検出温度が前記第2温度以上の場合に信号を出力する演算増幅回路
からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3から請求項7のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電源回路を1個以上内蔵したことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体装置を組み込んだことを特徴とする電子機器。
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