JP4794475B2 - 下向き式ガラス薄型化方法 - Google Patents

下向き式ガラス薄型化方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4794475B2
JP4794475B2 JP2007041918A JP2007041918A JP4794475B2 JP 4794475 B2 JP4794475 B2 JP 4794475B2 JP 2007041918 A JP2007041918 A JP 2007041918A JP 2007041918 A JP2007041918 A JP 2007041918A JP 4794475 B2 JP4794475 B2 JP 4794475B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
display panel
downward
thinning
etchant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007041918A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008162877A (ja
Inventor
ムン−ヨン パク
Original Assignee
チェー チャン−ギュ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by チェー チャン−ギュ filed Critical チェー チャン−ギュ
Publication of JP2008162877A publication Critical patent/JP2008162877A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4794475B2 publication Critical patent/JP4794475B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302Rigid substrates, e.g. inorganic substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

本発明は、下向き式ガラス薄型化方法に係り、より詳細には、重力によってエッチング液をグラスの上部から下部にグラス表面に沿って自然に流して所望のガラスのエッチングを達成することによって、パーティクルの発生を顕著に低減すると同時にガラス厚を超薄型化できる下向き式ガラス薄型化方法に関する。
ディスプレイに使われるガラスには、SiOにアルカリイオンが必要な時に添加されるソーダライムガラスと、高温でも変化が少ないアルカリフリー(無アルカリ)ガラスとがある。ソーダライムガラスは、温度による物性変化点は低いが、安価な点から、低温工程を用いるSTN LCD(Super−Twisted Nematic Liquid Cystal Display)やPM OLED(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode:受動有機電界発光素子)に多く使用されており、アルカリフリー(無アルカリ)ガラスは、温度による物性変化点が高いことからTFT(Thin Film Transistor)アレイの形成に用いられる高温工程に適合しており、よって、TFT−LCDやAM OLED(Active matrix OLED:能動有機電界発光素子)に多く使用されている。
近来、半導体及びディスプレイ装備産業の発展と軽薄短小な製品を追求する消費者の要求に応じて、ガラスが合着された形態に製造されるディスプレイパネルを薄型化する技術の発展も切実に要求されている。すなわち、LCDの基板などに用いられるガラスの厚さは、装備の薄型化に伴って超薄型化が要求されており、このようなディスプレイ基板の薄型化は、ディスプレイパネルのエッチングによって達成してきた。
従来のガラス薄型化技術には、浸漬法(Dip)、噴射法(Spray)、浸漬及び噴射法(Dip&Spray)がよく知られている。
添付の図面を参照しつつ、従来のガラス薄型化方法について具体的に説明する。
図1aは、浸漬法100を用いる従来のガラス薄型化方法を示す図である。図1aを参照すると、外部のハウジング150の内部に隔壁120で区画されるセル領域110が存在し、セル領域110の内部においてディスプレイパネル130がそれぞれのセルに配置される。なお、外部のハウジング150にはエッチング液が入っており、それぞれのセルにもエッチング液が投入されている。以降、ハウジング150の下端からバブル(Bubble)140を上部に向かって強く投入することによって、各セルに入っているディスプレイパネルが薄型化する。この方法は、工程が簡易で、且つ、多数のガラスを同時に薄型化できるという長所がある。しかし、この方法は、ガラスを薄型化する工程に時間がかかる他、ガラス間に残留物が発生し、該残留物がバブルの投入と共にガラスにぶつかるか、色々なパーティクルが発生してガラスの表面にスクラッチを発生させるか、ガラスの内面にもパーティクルを生成するという問題点があった。
図1bは、噴射法200を用いる従来のガラス薄型化方法を示す図である。図1bを参照すると、ディスプレイパネル210の両側に配置されたノズル220からエッチング液を強くディスプレイパネル210の表面に噴射させてエッチングすることで、ガラスを薄型化する。この方法では、浸漬法のように残留物が多く発生することがなく、大型ガラスにも容易に薄型化工程作業を行うことができるが、強い噴射圧によってガラス表面にディンプル形状のスクラッチが発生し、また、複雑な作業工程が要求されるという問題点があった。
図1cは、浸漬法と噴射法を併合した浸漬及び噴射法300を用いる従来のガラス薄型化方法を示す図である。図1cを参照すると、エッチング液330の入っている装備にディスプレイパネル310を浸漬した後、ディスプレイパネル310の左右から強くエッチング液を噴射してガラス基板を薄型化する。しかし、この方法も同様に、極めて複雑な工程が要求され、高コストがかかり、メンテナンスが難しいという難題があるだけでなく、依然としてガラス表面にスクラッチが発生する問題が残る。
このようなスクラッチはいくら微細であっても、ディスプレイパネルなどの先端装備において致命的な誤りを招き、その商品価値を顕著に落とすため、いくら微細なスクラッチを持つディスプレイパネルであっても廃棄されてしまう。
すなわち、上述した従来のいずれの技術を用いる場合であっても、外部のエッチング液を用いてバブルやスプレイでベアガラスをエッチングすると、ガラス表面に微細なスクラッチやパーティクルによるき損が発生し、これは、高精度を要求するディスプレイ等の装備では致命的な品質欠陥につながるため、製造済みの薄型化したディスプレイパネルであっても、スクラッチが少しでも存在するものは全部廃棄され、莫大な費用損失を招くという問題点があった。
本発明は、上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、重力によってエッチング液をガラスの上部から下部にガラス表面に沿って自然に流して所望のガラスのエッチングを達成することによって、パーティクルの発生を顕著に低減すると同時にディスプレイパネルを超薄型化できる下向き式ガラス薄型化方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、ガラスを垂直に立て、前記ガラスの上部から下部にガラス表面に沿ってエッチング液を均一に流して前記ガラスを薄型化することを特徴とする下向き式ガラス薄型化方法を提供する。これにより、外部圧によるガラス表面への破損を防ぎ、パーティクルの発生無しに所望の厚さのガラスを薄型化できる。
また、本発明は、前記エッチング液を、前記ガラスの上部の両側表面から均一にまたは変化を与えながら前記ガラスの下部に流すことを特徴とする下向き式ガラス薄型化方法を提供する。したがって、ディスプレイパネルの上部両側から均一にエッチング液を両側表面に沿って重力によって流すことができ、より高精度にエッチング厚を調節することができる。
また、本発明は、前記エッチング液がHF溶液であることを特徴とする下向き式ガラス薄型化方法を提供する。これにより、低コストを図ることができる。
また、本発明は、前記ガラスを固定する固定部と、前記エッチング液の流量を均一に調節する流量調節部を用いて前記ガラスを薄型化することを特徴とする下向き式ガラス薄型化方法を提供する。これにより、ガラスの動きによるエッチング厚の変動を防ぎ、所望の厚さにディスプレイパネルを薄型化することができる。
また、本発明は、前記エッチング液が流れ出る入口の長さを調節可能な流路部を用いて前記エッチング液の流幅を調節することを特徴とする下向き式ガラス薄型化方法を提供する。これにより、ディスプレイパネルの幅に応じて、流れるエッチング液の幅を調節でき、ガラス全体面において同時に均一にエッチングがなされる。
本発明によれば、重力によってエッチング液を自然に流して所望のガラスエッチングを達成できるため、パーティクルの発生を顕著に低減すると同時にディスプレイパネルを超薄型化することが可能になる。
また、ディスプレイパネルを超薄型化する場合にも、ガラスの表面におけるスクラッチの発生を防止できるため、高い品質で薄型化したガラスを提供することが可能になる。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の構成と作用について説明する。
図2は、本発明の一実施例による下向き式ガラス薄型化方法を示す側面図である。図2を参照すると、薄型化すべきディスプレイパネル10の上部からディスプレイパネル10の両側面に沿って均一にエッチング液30をディスプレイパネル10の下部へ流す。本実施例では、ディスプレイパネルの両側面に沿って上部から下部へエッチング液を流すとしたが、ディスプレイパネルの上部から下部へ重力によってエッチング液を流してガラスを薄型化する技術要旨はいずれも本願発明の技術要旨に含まれる。
具体的には、ガラス基板やディスプレイパネルの上部に1つあるいは複数個のノズル部を設置してエッチング液が流れるようにすることができる。すなわち、1つのノズル部をガラスなどの上部面に設置し、ガラスやディスプレイパネルの両側表面に沿ってエッチング液が分岐して流れるようにしても良く、複数個のノズルを設置し、ガラスやディスプレイパネルの上部両側からそれぞれ両側表面に沿ってエッチング液が流れるようにしても良い。なお、エッチング液の流れは均一にしても良いが、使用者の工程上の必要に応じて、エッチング液の流量を変化させつつガラスの下部に流すことによって、より効率的に薄型化を図ることができる。
なお、本発明では、ガラスをエッチングできるいずれのエッチング液も使用可能であるが、好ましくは、HF溶液を使用することが費用面で有利である。また、本発明では、エッチング液を流す際に、使用者がエッチング液の流量を、要求されるエッチング程度に調節できるようにする流量調節部(図示せず)を備えることが好ましく、この流量調節部は、自動化装備と連結されて時間とエッチング厚を自動に調節するように構成することが好ましい。
なお、エッチング液をディスプレイパネルの表面に沿って上部から下部に流下する下向き式の方式とするものの、エッチング液が流れ出る流量調節部の入口である流路部(図示せず)を、その幅が調節可能なように構成することが好ましい。これにより、ディスプレイパネルの大きさに応じて流路部の幅を拡大または縮小でき、より高効率で汎用の下向き式ガラス薄型化工程が可能となる。
図3は、ベアガラス状態の写真(a)、従来の薄型化方式によるガラスのSEM Picture(×10,000)の写真(b)、及び本発明による下向き式ガラス薄型化過程によるガラス写真(c)である。従来の技術による薄型化工程の後には、中間の写真のようにスクラッチが発生する。このようなスクラッチは、いくら微細であっても、ディスプレイパネルなどの先端装備には致命的な誤りを招き、その商品価値を顕著に落とすため、いくら微細なスクラッチを持つディスプレイパネルであっても廃棄されてしまう。これに対し、図3の下向き式ガラス薄型化過程によるガラス写真(c)では、スクラッチが全く生じず、完璧な表面状態を維持している。
したがって、本発明によれば、スクラッチの発生を完全に防止し、品質面において既存のガラス薄型化技術とは次元を異にする下向き式ガラス薄型化方法を提供することが可能になる。したがって、本発明によれば、ガラス品質を上昇させることは勿論、従来の廃棄処分されてきたスクラッチを有するガラスをリペアでき、費用再創出の効果ももたらす。
以上では具体的な実施例に挙げて本発明を説明してきたが、本発明は、上記の実施例に限定されず、本発明の範ちゅうを逸脱しない限度内で様々に変形可能である。したがって、本発明の技術的思想は、上記の実施例によって限定されてはいけなく、特許請求の範囲とその均等物によって定められるべきである。
従来の浸漬(dip)技術によるガラス薄型化方法を示す概略断面図である。 従来の噴射(spray)技術によるガラス薄型化方法を示す概略断面図である。 従来の浸漬(dip)及び噴射(spray)技術によるガラス薄型化方法を示す概略断面図である。 本発明の一実施例による下向き式ガラス薄型化方法を示す側面図である。 従来の技術と本発明によって薄型化したガラスの表面を拡大した写真である。
符号の説明
10、130、210、310 ディスプレイパネル
30、330 エッチング液
100 浸漬法
110 セル領域
120 隔壁
140 バブル
150 外部のハウジング
200、300 噴射法
220 ノズル

Claims (3)

  1. ガラスやディスプレイパネルを固定する固定部により該ガラスやディスプレイパネルを垂直に立て、
    エッチング液が流れ出る流量調節部のエッチング液排出口の幅を調節して、該ガラスやディスプレイパネルの上部から下部に均一な流量で或いは流量を変えながらエッチング液を該ガラスやディスプレイパネルの表面に沿って流し、
    前記ガラスやディスプレイパネルの幅に対応するように前記エッチング液排出口の幅を調節してエッチング液を流すことによって、前記ガラスやディスプレイパネルを薄型化する、
    ことを特徴とする下向き式ガラス薄型化方法。
  2. 前記エッチング液が、前記ガラスやディスプレイパネルの上部に設置された1つのノズル部から該ガラスやディスプレイパネルの両面のそれぞれに分岐して、均一な流量で或いは流量を変えながら、該ガラスやディスプレイパネルの下部に流れる、
    ことを特徴とする請求項1に記載の下向き式ガラス薄型化方法。
  3. 前記エッチング液は、HF溶液であることを特徴とする請求項1又は2に記載の下向き式ガラス薄型化方法。
JP2007041918A 2006-12-29 2007-02-22 下向き式ガラス薄型化方法 Expired - Fee Related JP4794475B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2006-0138924 2006-12-29
KR1020060138924A KR100835745B1 (ko) 2006-12-29 2006-12-29 하향식 유리 박형화 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008162877A JP2008162877A (ja) 2008-07-17
JP4794475B2 true JP4794475B2 (ja) 2011-10-19

Family

ID=39610181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007041918A Expired - Fee Related JP4794475B2 (ja) 2006-12-29 2007-02-22 下向き式ガラス薄型化方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4794475B2 (ja)
KR (1) KR100835745B1 (ja)
CN (1) CN101209902B (ja)
TW (1) TWI350275B (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100889949B1 (ko) * 2008-04-10 2009-03-20 주식회사 엠엠테크 하향식 기판 박형화장치 및 이를 이용한 박형화 시스템
KR101021931B1 (ko) * 2008-11-26 2011-03-16 주식회사 엠엠테크 복합형 에칭 장치 및 이를 이용한 에칭 시스템
KR101631615B1 (ko) * 2008-12-31 2016-06-17 엘지디스플레이 주식회사 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
KR100978678B1 (ko) * 2010-02-08 2010-08-27 노바테크인더스트리 주식회사 투명 전극 일체형 봉지 모듈의 제조 방법
KR101026744B1 (ko) 2010-09-29 2011-04-08 주식회사 아바텍 유리기판 에칭장치
CN102101755A (zh) * 2011-01-07 2011-06-22 福州华映视讯有限公司 玻璃基板的薄化方法
KR101223877B1 (ko) * 2011-03-14 2013-01-17 노바테크인더스트리 주식회사 초박판 패널 제조 시스템
CN102108009B (zh) * 2011-03-31 2013-05-01 信利半导体有限公司 自动蚀刻减薄装置
KR101277161B1 (ko) * 2011-07-08 2013-06-20 주식회사 엠엠테크 글라스 박형화 시스템
WO2014091561A1 (ja) * 2012-12-11 2014-06-19 富士技研工業株式会社 液晶ガラスのエッチング装置に用いる薬液の更新方法、薬液更新用ノズル及び更新用薬液
JP6279271B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-14 Hoya株式会社 電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法
CN104445976A (zh) * 2014-12-03 2015-03-25 上海天马微电子有限公司 一种玻璃基板的薄化工艺方法
KR101673417B1 (ko) 2015-07-14 2016-11-07 에스피텍 주식회사 두께 편차를 최소화한 초박형 유리의 제조방법
WO2018020531A1 (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 株式会社 電硝エンジニアリング ガラス基板の研磨方法および研磨装置
CN107219163A (zh) * 2017-05-10 2017-09-29 东旭科技集团有限公司 一种测量玻璃化学减薄速率的设备和方法
CN107572833A (zh) * 2017-08-02 2018-01-12 深圳市华星光电技术有限公司 玻璃板的蚀刻方法、蚀刻装置及显示面板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6121934A (ja) 1984-07-10 1986-01-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラス棒のエツチング方法
JP2551123B2 (ja) * 1988-11-04 1996-11-06 富士通株式会社 連続表面処理装置
JP2781895B2 (ja) * 1989-10-17 1998-07-30 石川島播磨重工業株式会社 カーテンコータ
CN2249484Y (zh) * 1995-09-27 1997-03-12 蒋维均 膜分离技术再生蚀刻液及无排放废液的电解蚀刻机
JPH09330899A (ja) * 1996-06-12 1997-12-22 Kaijo Corp 超音波シャワー装置及び該装置を具備した超音波洗浄装置
JPH10247635A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Kaijo Corp ウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法
JPH10317168A (ja) 1997-05-14 1998-12-02 Sharp Corp エッチング装置
KR100652040B1 (ko) * 2000-12-29 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유리기판 식각장치
JP2003064486A (ja) * 2001-02-20 2003-03-05 Minoru Nakatani ポーラスセラミックスを組み込んだシャワープレートを持つエッチング装置
JP3883819B2 (ja) 2001-05-10 2007-02-21 日本電信電話株式会社 エッチング溶液およびエッチング方法
CN2615098Y (zh) * 2003-05-07 2004-05-12 郭明宏 垂直式薄板蚀刻机的输送装置
JP4421956B2 (ja) * 2003-07-18 2010-02-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置及び処理方法
JP4422591B2 (ja) * 2004-01-08 2010-02-24 新日本製鐵株式会社 スライド型塗装装置とこれを用いた塗装方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI350275B (en) 2011-10-11
TW200827315A (en) 2008-07-01
CN101209902B (zh) 2012-03-14
JP2008162877A (ja) 2008-07-17
CN101209902A (zh) 2008-07-02
KR100835745B1 (ko) 2008-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4794475B2 (ja) 下向き式ガラス薄型化方法
US10157754B2 (en) Liquid knife cleaning device
JP2005298314A (ja) ガラス板表面のエッチング方法、ガラス板エッチング装置、フラットパネルディスプレイ用ガラス板及びフラットパネルディスプレイ
KR20120044193A (ko) 코팅장치 및 이를 이용한 코팅막 형성방법
JP2007294606A (ja) パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置
WO2015012307A1 (ja) ガラス基板の製造方法、ガラス基板、および、ディスプレイ用パネル
CN104698653A (zh) 一种lcd制造方法
JP2007284345A (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス板の製造方法及びその装置
US6551443B2 (en) Apparatus for etching glass substrate in fabrication of LCD
JP2008145621A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2019070766A (ja) 液晶パネルの製造方法
JP2018140892A (ja) 薄型ガラス基板の製造方法
KR100887344B1 (ko) 디스플레이 유리기판의 식각장치
KR20130020069A (ko) 세정장치를 구비한 인-라인 현상장비 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
US20050238350A1 (en) Apparatus for removing developing solution
KR101909989B1 (ko) 평판 디스플레이 소자 제조용 식각 장치
KR20020056049A (ko) 유리기판 식각장치
US20140055773A1 (en) Method and device for inspecting glass substrate of liquid crystal display
CN1955842B (zh) 光刻设备
JP2006315929A (ja) ガラス表面の研磨方法
KR20110075575A (ko) 초박형 패널 식각장치 및 그 방법
KR101252601B1 (ko) 유리기판 에칭 장치
KR100843983B1 (ko) 식각기용 카세트
CN202102214U (zh) 一种tft阵列基板、液晶面板及显示设备
CN207958147U (zh) 一种光学玻璃镀膜定位机构

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091208

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100308

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100311

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100506

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100511

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101005

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110105

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110628

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees