JP4776370B2 - 光スイッチ及び光スイッチの製造方法 - Google Patents
光スイッチ及び光スイッチの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4776370B2 JP4776370B2 JP2005371514A JP2005371514A JP4776370B2 JP 4776370 B2 JP4776370 B2 JP 4776370B2 JP 2005371514 A JP2005371514 A JP 2005371514A JP 2005371514 A JP2005371514 A JP 2005371514A JP 4776370 B2 JP4776370 B2 JP 4776370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- light
- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- branched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
鈴木扇太、「アレー導波路回折格子(AWG)デバイス」、電気情報通信学会誌、1999年7月、Vol.82、No7、p.746−752
前記第1の方向性結合器に接続され、前記第1の分岐光を伝達する第1の導波路と、
前記第1の方向性結合器に接続され、前記第1の導波路とは長さが異なり、かつ前記第2の分岐光を伝達する第2の導波路と、
前記第1の導波路上に、該第1の導波路と直接接して形成された第1の強誘電性液晶層と、
前記第1の強誘電性液晶層に電圧を印加して、該第1の強誘電性液晶層の配向方向を制御する第1の電極と、
前記第1の電極と前記第1の強誘電性液晶層の間に位置する配向膜と、
第1及び第2の出力端子を有しており、前記第1の導波路及び前記第2の導波路から前記第1及び第2の分岐光が入力され、前記第1の分岐光を第3の分岐光及び第4の分岐光に分岐するとともに、前記第2の分岐光を第5の分岐光及び第6の分岐光に分岐し、かつ前記第3の分岐光と前記第5の分岐光を合成して前記第1の出力端子から出力するとともに、前記第4の分岐光と前記第6の分岐光を合成して前記第2の出力端子から出力する第2の方向性結合器とを具備し、
前記第1の導波路は、導電性を有しており、前記第1の電極とともに前記第1の強誘電性液晶の配向方向を制御する。
前記透光膜を選択的に除去することにより、前記下地膜上に位置する第1の導波路、及び前記第1の導波路とは長さが異なる第2の導波路を形成する工程と、
対向基板上に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に配向膜を形成する工程と、
前記対向基板を、前記第1の導波路と前記配向膜が対向するように配置する工程と、
前記第1の導波路の一部上と前記配向膜の間に、該第1の導波路と直接接するとともに該第1の導波路及び前記第1の電極によって配向方向が制御される第1の強誘電性液晶層を形成する工程と、
を具備し、
前記第1及び第2の導波路を形成する工程において、前記第1の導波路のうち、前記第1の強誘電性液晶層が形成された部分の前及び後それぞれで前記第2の導波路に近接させることにより、前記第1の強誘電性液晶層が形成された部分の前及び後それぞれに位置する方向性結合器を形成する。
前記透光膜は、例えば半導体膜である。
Claims (7)
- 入力光を第1の分岐光及び第2の分岐光に分岐する第1の方向性結合器と、
前記第1の方向性結合器に接続され、前記第1の分岐光を伝達する第1の導波路と、
前記第1の方向性結合器に接続され、前記第1の導波路とは長さが異なり、かつ前記第2の分岐光を伝達する第2の導波路と、
前記第1の導波路上に、該第1の導波路と直接接して形成された第1の強誘電性液晶層と、
前記第1の強誘電性液晶層に電圧を印加して、該第1の強誘電性液晶層の配向方向を制御する第1の電極と、
前記第1の電極と前記第1の強誘電性液晶層の間に位置する配向膜と、
第1及び第2の出力端子を有しており、前記第1の導波路及び前記第2の導波路から前記第1及び第2の分岐光が入力され、前記第1の分岐光を第3の分岐光及び第4の分岐光に分岐するとともに、前記第2の分岐光を第5の分岐光及び第6の分岐光に分岐し、かつ前記第3の分岐光と前記第5の分岐光を合成して前記第1の出力端子から出力するとともに、前記第4の分岐光と前記第6の分岐光を合成して前記第2の出力端子から出力する第2の方向性結合器と、
を具備し、
前記第1の導波路は、導電性を有しており、前記第1の電極とともに前記第1の強誘電性液晶の配向方向を制御する、光スイッチ。 - 前記第2の導波路は前記第1の導波路より長い請求項1に記載の光スイッチ。
- 前記第1の導波路は前記第2の導波路より長い請求項1に記載の光スイッチ。
- 前記入力光は波長λ1の光と波長λ2の光を有しており、
前記第1の導波路と前記第2の導波路の長さの差は、λ1×(n+1/2)、かつλ2×mである請求項1〜3のいずれか一項に記載の光スイッチ。ただし、n、mはともに整数である。 - 前記第2の導波路上に形成された第2の強誘電性液晶層と、
前記第2の強誘電性液晶層に電圧を印加して、該第2の強誘電性液晶層の配向方向を制御する第2の電極と、
を具備する請求項1〜4のいずれか一項に記載の光スイッチ。 - 下地膜上に、光を透過し、かつ導電性を有する透光膜を形成する工程と、
前記透光膜を選択的に除去することにより、前記下地膜上に位置する第1の導波路、及び前記第1の導波路とは長さが異なる第2の導波路を形成する工程と、
対向基板上に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に配向膜を形成する工程と、
前記対向基板を、前記第1の導波路と前記配向膜が対向するように配置する工程と、
前記第1の導波路の一部上と前記配向膜の間に、該第1の導波路と直接接するとともに該第1の導波路及び前記第1の電極によって配向方向が制御される第1の強誘電性液晶層を形成する工程と、
を具備し、
前記第1及び第2の導波路を形成する工程において、前記第1の導波路のうち、前記第1の強誘電性液晶層が形成された部分の前及び後それぞれで前記第2の導波路に近接させることにより、前記第1の強誘電性液晶層が形成された部分の前及び後それぞれに位置する方向性結合器を形成する光スイッチの製造方法。 - 前記透光膜は半導体膜である請求項6に記載の光スイッチの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005371514A JP4776370B2 (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 光スイッチ及び光スイッチの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005371514A JP4776370B2 (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 光スイッチ及び光スイッチの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007171733A JP2007171733A (ja) | 2007-07-05 |
JP4776370B2 true JP4776370B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=38298352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005371514A Active JP4776370B2 (ja) | 2005-12-26 | 2005-12-26 | 光スイッチ及び光スイッチの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4776370B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023219088A1 (en) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Reconfigurable wavelength selective splitter |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5824789B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2015-12-02 | 日本電気株式会社 | 光スイッチ |
KR20130141850A (ko) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | 광주과학기술원 | 광학 소자 |
CN107688250B (zh) * | 2017-09-20 | 2020-07-03 | 香港理工大学深圳研究院 | 一种基于液晶电光波导的光学交叉互连器件 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4105724B2 (ja) * | 2003-07-04 | 2008-06-25 | 日本電信電話株式会社 | 干渉計型光スイッチおよび可変光アッテネータ |
-
2005
- 2005-12-26 JP JP2005371514A patent/JP4776370B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023219088A1 (en) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Reconfigurable wavelength selective splitter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007171733A (ja) | 2007-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101115735B1 (ko) | 에스오아이 구조체에서의 광의 능동 조작 | |
US7590312B2 (en) | Interferometer optical switch and variable optical attenuator | |
KR102427251B1 (ko) | 집적 광학 기반의 광 응력 위상 변조기 | |
JP4768127B2 (ja) | 熱光学ポリマーを含むフォトニックデバイス | |
JP2007178550A (ja) | 光機能素子、その駆動方法及び製造方法 | |
JP2007525711A5 (ja) | ||
US20020159684A1 (en) | Novel optical waveguide switch using cascaded mach-zehnder interferometers | |
JP4776370B2 (ja) | 光スイッチ及び光スイッチの製造方法 | |
JP5016951B2 (ja) | 光スイッチ及びその製造方法 | |
US20030118279A1 (en) | High-tolerance broadband-optical switch in planar lightwave circuits | |
CN107111169B (zh) | 应力调谐平面照明电路及其方法 | |
JP2932742B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
JP4834589B2 (ja) | 光スイッチ | |
US6816665B2 (en) | Constant power operation thermo-optic switch | |
US6788837B2 (en) | Method and apparatus for interleaving and switching an optical beam in a semiconductor substrate | |
JP2006038897A (ja) | 導波路型光スイッチ単位素子および導波路型マトリクス光スイッチ | |
JP4855065B2 (ja) | 光フィルタ及び光フィルタの製造方法 | |
JP5168905B2 (ja) | 光スイッチ及び経路切り替え方法 | |
JP3573332B2 (ja) | 干渉型熱光学光部品 | |
JP2015191111A (ja) | 光分岐挿入装置、光スイッチおよび製造方法 | |
Kribich et al. | Thermo-optic switches using sol-gel processed hybrid materials | |
JP2001222033A (ja) | 光導波路型光スイッチ | |
JPH07110498A (ja) | 光スイッチ | |
Yue et al. | Low-loss silica waveguide 1× 8 thermo-optic switch based on large-scale multimode interference couplers | |
JPH06222403A (ja) | 方向性結合形光導波路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20081225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081225 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101014 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110614 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110628 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4776370 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |