JP4685713B2 - Method for manufacturing substrate for liquid crystal device - Google Patents

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本発明は、液晶装置用基板、液晶装置用基板の製造方法、及び液晶装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal device substrate, a method for manufacturing a liquid crystal device substrate, and a liquid crystal device.

スクリーン上に画像を投影する投射型表示装置が知られている。この投射型表示装置では、その画像形成に主として液晶パネルが用いられている。このような液晶パネルは、通常、液晶分子を一定方向に配向させるため、所定のプレチルト角が発現するように設定された配向膜を有している。このような配向膜を製造するには、基板上に成膜されたポリイミド等の高分子化合物からなる薄膜を、レーヨン等の布で一方向に擦ってラビング処理する方法等が知られている。   A projection display device that projects an image on a screen is known. In this projection display device, a liquid crystal panel is mainly used for image formation. Such a liquid crystal panel usually has an alignment film set so as to develop a predetermined pretilt angle in order to align liquid crystal molecules in a certain direction. In order to manufacture such an alignment film, a method of rubbing a thin film made of a polymer compound such as polyimide formed on a substrate with a cloth such as rayon in one direction is known.

しかしながら、ポリイミド等の高分子化合物で構成された配向膜は、使用環境、使用時間等により、光劣化を生じることがあった。このような光劣化が起こると、配向膜、液晶層等の構成材料が分解し、その分解生成物が液晶の性能等に悪影響を及ぼすことがある。また、このラビング処理では静電気や埃が発生し、それにより信頼性等が低下するといった問題がある。また、かかる問題点を解決し得る配向膜として、斜方蒸着法により形成した無機配向膜も知られている。   However, an alignment film composed of a polymer compound such as polyimide may cause photodegradation depending on the use environment, use time, and the like. When such photodegradation occurs, constituent materials such as the alignment film and the liquid crystal layer are decomposed, and the decomposition products may adversely affect the performance of the liquid crystal. In addition, the rubbing process generates static electricity and dust, which reduces the reliability and the like. An inorganic alignment film formed by oblique deposition is also known as an alignment film that can solve such problems.

ところが、斜方蒸着法による無機配向膜の形成では、大型の装置を必要とするとともに、均一な膜厚のものを得ることが極めて困難であるという問題がある。そこで、均一な膜厚の無機配向膜をより簡便に形成し得る無機配向膜の形成方法として、無機酸化物前駆体と界面活性剤を含む溶液を用いて細孔を有する無機配向膜を形成する方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−78034号公報
However, the formation of the inorganic alignment film by the oblique deposition method has a problem that a large apparatus is required and it is extremely difficult to obtain a film having a uniform thickness. Therefore, as a method for forming an inorganic alignment film that can more easily form an inorganic alignment film having a uniform thickness, an inorganic alignment film having pores is formed using a solution containing an inorganic oxide precursor and a surfactant. A method is disclosed (for example, see Patent Document 1).
JP 2005-78034 A

上記特許文献1に開示された無機配向膜もある程度の配向規制力を有しているものの、更なる配向規制力の向上が望まれている。本発明は、簡便な方法で形成でき、光劣化も生じ難く、しかも十分な配向規制力を有した配向膜を備える液晶装置用基板と、その製造方法、さらには液晶装置用基板を用いた液晶装置を提供することを目的としている。   Although the inorganic alignment film disclosed in Patent Document 1 also has a certain degree of alignment regulating force, further improvement in the alignment regulating force is desired. The present invention is a liquid crystal device substrate comprising an alignment film that can be formed by a simple method, hardly undergoes photodegradation, and has sufficient alignment regulating force, a method for manufacturing the same, and a liquid crystal using the substrate for a liquid crystal device The object is to provide a device.

上記課題を解決するために、本発明の液晶装置用基板は、基材と、前記基材上に配設された配向膜とを備えてなる液晶装置用基板の製造方法であって、前記基材上に、無機酸化物前駆体と、加水分解促進剤と、直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体とを含む溶液を塗布して、塗膜を形成する塗布工程と、前記塗膜を焼成することにより、前記無機酸化物前駆体を無機酸化物に変化させ、当該無機酸化物膜上に直鎖状炭素鎖が形成されてなる前記配向膜を得る焼成工程と、を含み、前記無機酸化物前駆体は、加水分解により無機酸化物となり、前記直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体は、加水分解により直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物となり、前記加水分解促進剤は、ヒドロキシアセトン、アセトイン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン、フルクトース、グリコール酸エステル、乳酸エステル、2−ヒドロキシ−イソ酪酸エステル、チオグリコール酸エステル、リンゴ酸エステル、酒石酸エステル、クエン酸エステル、1−ブテン−3−オール、2−メチル−3−ブテン−2−オール、1−ペンテン−3−オール、1−ヘキセン−3−オール、クロチルアルコール、3−メチル−2−ブテン−1−オール、チナミルアルコール、およびアセトンシアノヒドリンからなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、前記塗布工程は、前記無機酸化物前駆体と、前記加水分解促進剤と、前記直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体とを溶媒に溶解ないし分散させて第1溶液を作成する工程と、前記第1溶液に対して水を混合して第2溶液を作成する工程と、前記第2溶液を前記基板上に塗布する工程と、前記塗布した第2溶液を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above problems, a substrate for a liquid crystal device according to the present invention is a method for producing a substrate for a liquid crystal device comprising a base material and an alignment film disposed on the base material, An application step of applying a solution containing an inorganic oxide precursor, a hydrolysis accelerator, and a silicon compound precursor having a linear carbon chain on the material to form a coating film, and the coating film by calcining, the inorganic oxide precursor is changed into an inorganic oxide and, seen including a firing step of obtaining the orientation film straight chains on the said inorganic oxide film is formed, The inorganic oxide precursor is converted into an inorganic oxide by hydrolysis, and the silicon compound precursor having the linear carbon chain is converted into a silicon compound having a linear carbon chain by hydrolysis, thereby promoting the hydrolysis. The agents are hydroxyacetone, acetoin, 3-hydroxy-3-me Lu-2-butanone, fructose, glycolic acid ester, lactic acid ester, 2-hydroxy-isobutyric acid ester, thioglycolic acid ester, malic acid ester, tartaric acid ester, citric acid ester, 1-buten-3-ol, 2-methyl It consists of 3-buten-2-ol, 1-penten-3-ol, 1-hexen-3-ol, crotyl alcohol, 3-methyl-2-buten-1-ol, tinamyl alcohol, and acetone cyanohydrin. At least one compound selected from the group, wherein the coating step involves dissolving the inorganic oxide precursor, the hydrolysis accelerator, and the silicon compound precursor having a linear carbon chain in a solvent. A step of producing a first solution by dispersing, a step of producing a second solution by mixing water with the first solution; A step of applying said second solution onto the substrate, characterized in that it comprises a, drying the second solution the coating.

このような液晶装置用基板によると、細孔に沿って液晶分子を配向規制することができるとともに、直鎖状炭素鎖による配向規制力も液晶分子に及ぶため、当該液晶分子を確実に配向規制することが可能となり、ひいては当該基板を用いて信頼性の高い液晶装置を提供することが可能となる。また、細孔を具備する下地膜は無機化合物より構成されてなるため、十分な耐光性も備えた配向膜を有するものとなる。さらに、配向膜表面に疎水性の直鎖状炭素鎖が形成されてなるため、当該配向膜への水分吸着が生じ難く、高信頼性を確保することが可能となる。   According to such a substrate for a liquid crystal device, the alignment of liquid crystal molecules can be regulated along the pores, and the alignment regulating force by the linear carbon chain extends to the liquid crystal molecules, so that the alignment of the liquid crystal molecules is reliably regulated. Accordingly, a highly reliable liquid crystal device can be provided using the substrate. Further, since the base film having pores is composed of an inorganic compound, it has an alignment film having sufficient light resistance. Furthermore, since a hydrophobic linear carbon chain is formed on the surface of the alignment film, moisture adsorption to the alignment film hardly occurs, and high reliability can be ensured.

本発明の液晶装置用基板において、前記細孔は、主に孔径2nm以下のミクロポーラス構造であるものとすることができる。このような細孔を有した構造により、液晶分子を好適に配向規制することが可能となる。また、細孔の孔径を2nm以下とすることで、膜の平坦性が向上するとともに、透光性も向上することとなる。   In the substrate for a liquid crystal device of the present invention, the pores may have a microporous structure mainly having a pore diameter of 2 nm or less. With such a structure having pores, it becomes possible to suitably regulate the alignment of liquid crystal molecules. Moreover, by setting the pore diameter to 2 nm or less, the flatness of the film is improved and the translucency is also improved.

また、本発明の液晶装置用基板において、前記配向膜が具備する直鎖状炭素鎖は、例えば炭素数3〜25のものを採用することができる。炭素数が3未満の直鎖状炭素鎖では液晶分子に対して十分な配向規制力が働かない場合があり、炭素数が25を超える場合も、液晶分子の配向規制力が十分に働かない場合がある。   In the substrate for a liquid crystal device of the present invention, the linear carbon chain included in the alignment film may be, for example, one having 3 to 25 carbon atoms. In the case of a linear carbon chain having less than 3 carbon atoms, sufficient alignment regulating force may not be applied to the liquid crystal molecules, and even when the number of carbon atoms exceeds 25, the alignment regulating force of the liquid crystal molecules does not work sufficiently There is.

次に、上記課題を解決するために、本発明の液晶装置用基板の製造方法は、基材上に、無機酸化物前駆体と、加水分解促進剤と、直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体とを含む溶液を塗布して、塗膜を形成する塗布工程と、前記塗膜を焼成することにより、前記無機酸化物前駆体を無機酸化物に変化させ、当該無機酸化物膜上に直鎖状炭素鎖が形成されてなる前記配向膜を得る焼成工程と、を含むことを特徴とする。   Next, in order to solve the above-described problem, a method for manufacturing a substrate for a liquid crystal device according to the present invention includes: a silicon substrate having an inorganic oxide precursor, a hydrolysis accelerator, and a linear carbon chain on a substrate; An application step of applying a solution containing a compound precursor to form a coating film, and baking the coating film, thereby changing the inorganic oxide precursor to an inorganic oxide, on the inorganic oxide film And a baking step for obtaining the alignment film in which a linear carbon chain is formed.

このような製造方法により、本発明に係る液晶装置用基板を簡便且つ確実に製造することが可能となる。つまり、従来、無機配向膜を形成するに際し斜方蒸着法を採用しており、これには前述の通り高価な大型装置を必要としていたが、本発明では、溶液を塗布し、その塗膜を焼成するのみで無機配向膜が得られるため、非常に手間の掛からないものとなるのである。なお、本発明の無機配向膜は、無機酸化物前駆体を加水分解して得られるミクロポーラス構造の下地膜に対して、直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体の同加水分解生成物の一部である直鎖状炭素鎖が形成されるものである。したがって、得られる配向膜は、ミクロポーラス構造を具備した下地膜上に直鎖状炭素鎖が形成された構成を具備したものとなる。また、本発明では、多孔体を生成する前駆体を選択的に生成し、加水分解を促進する加水分解促進剤を用いることで、酸・塩基触媒が不要となる。そのため、不純物による製造装置への影響、製造される液晶装置用基板の特性への影響が少ないものとなる。   With such a manufacturing method, the liquid crystal device substrate according to the present invention can be easily and reliably manufactured. That is, conventionally, an oblique deposition method has been adopted when forming an inorganic alignment film, and this requires an expensive large-scale apparatus as described above, but in the present invention, a solution is applied and the coating film is applied. Since the inorganic alignment film can be obtained only by firing, it is very troublesome. The inorganic alignment film of the present invention is a hydrolyzed product of a silicon compound precursor having a linear carbon chain with respect to a base film having a microporous structure obtained by hydrolyzing an inorganic oxide precursor. A linear carbon chain that is a part of the structure is formed. Therefore, the obtained alignment film has a structure in which a linear carbon chain is formed on a base film having a microporous structure. Moreover, in this invention, an acid and a base catalyst become unnecessary by selectively producing | generating the precursor which produces | generates a porous body, and using the hydrolysis promoter which accelerates | stimulates hydrolysis. Therefore, the influence on the manufacturing apparatus due to impurities and the influence on the characteristics of the liquid crystal device substrate to be manufactured are small.

本発明の製造方法において、前記塗布工程は、前記無機酸化物前駆体と、前記加水分解促進剤と、前記直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体とを溶媒に溶解ないし分散させて第1溶液を作成する工程と、前記第1溶液に対して水を混合して第2溶液を作成する工程と、前記第2溶液を前記基板上に塗布する工程と、前記塗布した第2溶液を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする。このような塗布方法の採用により、液晶装置用基板ひいては液晶装置の製造が一層簡便且つ確実なものとなる。   In the production method of the present invention, the coating step includes dissolving or dispersing the inorganic oxide precursor, the hydrolysis accelerator, and the silicon compound precursor having a linear carbon chain in a solvent. A step of creating one solution, a step of mixing water with the first solution to create a second solution, a step of applying the second solution on the substrate, and the applied second solution And a step of drying. By adopting such a coating method, the manufacture of the substrate for the liquid crystal device and thus the liquid crystal device can be made simpler and more reliable.

なお、無機酸化物前駆体としては、目的とする無機酸化物の種類に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えばメトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシドのようなアルコキシドを用いることができる。なお、目的とする無機酸化物がシリコン酸化物の場合、無機酸化物前駆体としては、エトキシテトラエトキシシラン(TEOS)やテトラメトキシシランが好適である。加水分解促進剤としては、ヒドロキシアルデヒド誘導体(あるいはヒドロキシケトン誘導体)、ヒドロキシカルボン酸誘導体、アリルアルコール誘導体、およびヒドロキシニトリル誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物を用いることができる。ヒドロキシアルデヒド誘導体(あるいはヒドロキシケトン誘導体)の例としては、ヒドロキシアセトン、アセトイン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン、及びフルクトースが挙げられ、ヒドロキシカルボン酸誘導体の例としては、グリコール酸エステル、乳酸エステル、2−ヒドロキシ−イソ酪酸エステル、チオグリコール酸エステル、リンゴ酸エステル、酒石酸エステル、およびクエン酸エステルが挙げられ、アリルアルコール誘導体の例としては、1−ブテン−3−オール、2−メチル−3−ブテン−2−オール、1−ペンテン−3−オール、1−ヘキセン−3−オール、クロチルアルコール、3−メチル−2−ブテン−1−オール、及びチナミルアルコールが挙げられ、ヒドロキシニトリル誘導体の例としてはアセトンシアノヒドリンが挙げられる。直鎖状炭素鎖を有する珪素化合物としては、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの非置換のアルキル基を有する珪素化合物を用いることができる。直鎖状炭素鎖を有する珪素化合物の例としては、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシランが挙げられる。   The inorganic oxide precursor is appropriately selected according to the type of the target inorganic oxide and is not particularly limited. For example, an alkoxide such as methoxide, ethoxide, propoxide, isopropoxide, butoxide is used. Can do. When the target inorganic oxide is silicon oxide, ethoxytetraethoxysilane (TEOS) or tetramethoxysilane is preferable as the inorganic oxide precursor. As the hydrolysis accelerator, at least one compound selected from the group consisting of hydroxyaldehyde derivatives (or hydroxyketone derivatives), hydroxycarboxylic acid derivatives, allyl alcohol derivatives, and hydroxynitrile derivatives can be used. Examples of hydroxyaldehyde derivatives (or hydroxyketone derivatives) include hydroxyacetone, acetoin, 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, and fructose. Examples of hydroxycarboxylic acid derivatives include glycolic acid esters, Examples include lactic acid esters, 2-hydroxy-isobutyric acid esters, thioglycolic acid esters, malic acid esters, tartaric acid esters, and citric acid esters. Examples of allyl alcohol derivatives include 1-buten-3-ol, 2-methyl -3-buten-2-ol, 1-penten-3-ol, 1-hexen-3-ol, crotyl alcohol, 3-methyl-2-buten-1-ol, and tinamyl alcohol; Examples of nitrile derivatives include acetone Hydrin, and the like. As the silicon compound having a linear carbon chain, a silicon compound having an unsubstituted alkyl group such as hexyl, heptyl, octyl, dodecyl, hexadecyl, octadecyl or the like can be used. Examples of silicon compounds having a straight carbon chain include hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyl Examples include triethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane, hexadecyltriethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, and octadecyltriethoxysilane.

次に、上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記基板が上記液晶装置用基板からなることを特徴とする。この場合、信頼性に優れた液晶装置を提供することができ、また当該液晶装置を上述した方法により製造するものとすれば、簡便且つ確実に信頼性の高い液晶装置を提供することが可能となる。なお、本発明の液晶装置において、前記液晶層は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなるものとすることができる。上記配向膜は、液晶分子を垂直配向するのに好適だからである。   Next, in order to solve the above-described problem, the liquid crystal device of the present invention is characterized in that a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates facing each other, and the substrate is composed of the substrate for a liquid crystal device. In this case, a highly reliable liquid crystal device can be provided, and if the liquid crystal device is manufactured by the above-described method, a highly reliable liquid crystal device can be provided simply and reliably. Become. In the liquid crystal device of the present invention, the liquid crystal layer may be made of a liquid crystal having an initial alignment state of vertical alignment and a negative dielectric anisotropy. This is because the alignment film is suitable for vertically aligning liquid crystal molecules.

また、本発明の液晶装置は、例えば液晶テレビや携帯電話の表示画面、パソコンのモニタ、液晶プロジェクタの光変調装置として用いることができる。このような用途に用いることで表示特性に優れた電子機器を提供することが可能となる。また、その液晶装置を上記製造方法により製造することで、上述した電子機器を安価に提供することが可能となる。   The liquid crystal device of the present invention can be used as, for example, a liquid crystal television or a mobile phone display screen, a personal computer monitor, or a light modulation device of a liquid crystal projector. By using it for such an application, it is possible to provide an electronic device having excellent display characteristics. Further, by manufacturing the liquid crystal device by the above manufacturing method, the above-described electronic device can be provided at low cost.

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。   Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each figure, in order to make each layer and each member the size which can be recognized on drawing, the scale is varied for every layer and each member.

[液晶装置]
以下に示す本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてTFT(Thin-Film Transistor)素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置である。また、本実施形態の液晶装置は、本発明に係る液晶装置用基板により構成されたものである。
[Liquid Crystal Device]
The liquid crystal device of the present embodiment described below is an active matrix transmissive liquid crystal device using a TFT (Thin-Film Transistor) element as a switching element. In addition, the liquid crystal device of the present embodiment is configured by the liquid crystal device substrate according to the present invention.

図1は本実施形態の透過型液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。図2はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図3は本実施形態の透過型液晶装置について素子領域の断面図であって、図2のA−A’線断面図である。また、図4は本実施形態の透過型液晶装置について複数の画素領域を模式的に示す断面図である。なお、図3及び図4においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側(観察者側)である場合について図示している。   FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of switching elements, signal lines, and the like in a plurality of pixels arranged in a matrix that constitutes an image display region of the transmissive liquid crystal device of this embodiment. FIG. 2 is a plan view showing the structure of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed. FIG. 3 is a cross-sectional view of the element region of the transmissive liquid crystal device of this embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 2. FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a plurality of pixel regions in the transmissive liquid crystal device of this embodiment. 3 and 4, the upper side in the drawing is the light incident side, and the lower side in the drawing is the viewing side (observer side).

本実施形態の透過型液晶装置において、図1に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極9と当該画素電極9への通電制御を行うためのスイッチング素子であるTFT素子30がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT素子30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線6aに対してグループ毎に供給される。   In the transmissive liquid crystal device according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, a plurality of pixels arranged in a matrix that constitutes an image display region are subjected to energization control for the pixel electrode 9 and the pixel electrode 9. TFT elements 30 as the switching elements are formed, and the data line 6 a to which an image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT element 30. Image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data line 6a are supplied line-sequentially in this order, or are supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a.

また、走査線3aがTFT素子30のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線3aに対して走査信号G1、G2、…、Gmが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極9はTFT素子30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT素子30を一定期間だけオンすることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。   In addition, the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT element 30, and scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to the plurality of scanning lines 3a in a pulse-sequential manner at predetermined timing. The Further, the pixel electrode 9 is electrically connected to the drain of the TFT element 30, and the image signal S1, S2,... Supplied from the data line 6a is turned on by turning on the TFT element 30 as a switching element for a certain period. , Sn is written at a predetermined timing.

画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極9と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。   A predetermined level of image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9 is held for a certain period with the common electrode described later. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly according to the applied voltage level, thereby enabling gradation display. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9 and the common electrode.

次に、図2に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の平面構造について説明する。図2に示すように、TFTアレイ基板上に、インジウム錫酸化物(以下、「ITO」と略す)等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極9(点線部9Aにより輪郭を示す)が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極9の縦横の境界に各々沿ってデータ線6a、走査線3a及び容量線3bが設けられている。本実施形態において、各画素電極9及び各画素電極9を囲むように配設されたデータ線6a、走査線3a、容量線3b等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。   Next, the planar structure of the transmissive liquid crystal device of this embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, a rectangular pixel electrode 9 (outlined by a dotted line portion 9A) made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (hereinafter abbreviated as “ITO”) is formed on the TFT array substrate. A plurality of pixels are provided in a matrix, and data lines 6 a, scanning lines 3 a, and capacitor lines 3 b are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9. In the present embodiment, each pixel electrode 9 and the area where the data line 6a, the scanning line 3a, the capacitor line 3b, etc. are arranged so as to surround each pixel electrode 9 are pixels, and are arranged in a matrix. The display can be displayed for each pixel.

データ線6aは、TFT素子30を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層1aのうち、後述のソース領域にコンタクトホール5を介して電気的に接続されており、画素電極9は、半導体層1aのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール8を介して電気的に接続されている。また、半導体層1aのうち、後述のチャネル領域(図中左上がりの斜線の領域)に対向するように走査線3aが配置されており、走査線3aはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。   The data line 6a is electrically connected to a source region (described later) through a contact hole 5 in the semiconductor layer 1a made of, for example, a polysilicon film constituting the TFT element 30, and the pixel electrode 9 is connected to the semiconductor layer 1a. Among these, it is electrically connected to a drain region described later via a contact hole 8. In addition, the scanning line 3a is disposed so as to face a channel region (a region with a diagonal line rising to the left in the figure), which will be described later, in the semiconductor layer 1a, and the scanning line 3a serves as a gate electrode at a portion facing the channel region. Function.

容量線3bは、走査線3aに沿って略直線状に伸びる本線部(すなわち、平面的に見て、走査線3aに沿って形成された第1領域)と、データ線6aと交差する箇所からデータ線6aに沿って前段側(図中上向き)に突出した突出部(すなわち、平面的に見て、データ線6aに沿って延設された第2領域)とを有する。そして、図2中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第1遮光膜11aが設けられている。   The capacitor line 3b is formed from a main line portion extending in a substantially straight line along the scanning line 3a (that is, a first region formed along the scanning line 3a in a plan view) and a portion intersecting the data line 6a. And a protruding portion (that is, a second region extending along the data line 6 a when viewed in a plan view) protruding toward the previous stage (upward in the drawing) along the data line 6 a. In FIG. 2, a plurality of first light shielding films 11 a are provided in a region indicated by a diagonal line rising to the right.

次に、図3及び図4に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の断面構造について説明する。なお、図4ではスイッチング素子等の一部の構成要素を図面の視認性を考慮して省略してある。図3及び図4に示すように、本実施形態の透過型液晶装置においては、TFTアレイ基板(液晶装置用基板)10と、これに対向配置される対向基板(液晶装置用基板)20との間に液晶層50が挟持されている。液晶層50は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなるもので、当該透過型液晶装置は垂直配向モードの表示装置である。   Next, a cross-sectional structure of the transmissive liquid crystal device of this embodiment will be described with reference to FIGS. In FIG. 4, some components such as switching elements are omitted in view of the visibility of the drawing. As shown in FIGS. 3 and 4, in the transmissive liquid crystal device of the present embodiment, a TFT array substrate (liquid crystal device substrate) 10 and a counter substrate (liquid crystal device substrate) 20 disposed opposite thereto are provided. A liquid crystal layer 50 is sandwiched therebetween. The liquid crystal layer 50 is made of a liquid crystal having an initial alignment state of vertical alignment and a negative dielectric anisotropy, and the transmissive liquid crystal device is a display device of a vertical alignment mode.

TFTアレイ基板10は、石英等の透光性材料からなる基板本体10Aとその液晶層50側表面に形成された画素電極9、配向膜40を主体として構成されており、対向基板20はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体20Aとその液晶層50側表面に形成された共通電極21、配向膜60とを主体として構成されている。また、図3に示すように、TFTアレイ基板10において、基板本体10Aの液晶層50側表面には画素電極9が設けられ、各画素電極9に隣接する位置に、各画素電極9をスイッチング制御する画素スイッチング用TFT素子30が設けられている。   The TFT array substrate 10 is mainly composed of a substrate body 10A made of a light-transmitting material such as quartz, a pixel electrode 9 formed on the surface of the liquid crystal layer 50, and an alignment film 40. The counter substrate 20 is made of glass or The substrate main body 20A made of a translucent material such as quartz, the common electrode 21 formed on the liquid crystal layer 50 side surface, and the alignment film 60 are mainly configured. As shown in FIG. 3, in the TFT array substrate 10, pixel electrodes 9 are provided on the surface of the substrate body 10 </ b> A on the liquid crystal layer 50 side, and each pixel electrode 9 is controlled to be switched to a position adjacent to each pixel electrode 9. A pixel switching TFT element 30 is provided.

画素スイッチング用TFT素子30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線3a、当該走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜2、データ線6a、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eを備えている。   The pixel switching TFT element 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and includes a scanning line 3a, a channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 3a, and the scanning line 3a. A gate insulating film 2 that insulates the semiconductor layer 1a, a data line 6a, a low concentration source region 1b and a low concentration drain region 1c of the semiconductor layer 1a, and a high concentration source region 1d and a high concentration drain region 1e of the semiconductor layer 1a. ing.

また、上記走査線3a上、ゲート絶縁膜2上を含む基板本体10A上には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール5、及び高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール8が開孔した第2層間絶縁膜4が形成されている。つまり、データ線6aは、第2層間絶縁膜4を貫通するコンタクトホール5を介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続されている。さらに、データ線6a上及び第2層間絶縁膜4上には、高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール8が開孔した第3層間絶縁膜7が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域1eは、第2層間絶縁膜4及び第3層間絶縁膜7を貫通するコンタクトホール8を介して画素電極9に電気的に接続されている。   Further, a second contact hole 5 leading to the high concentration source region 1d and a contact hole 8 leading to the high concentration drain region 1e are formed on the substrate main body 10A including the scanning line 3a and the gate insulating film 2. An interlayer insulating film 4 is formed. That is, the data line 6 a is electrically connected to the high concentration source region 1 d through the contact hole 5 that penetrates the second interlayer insulating film 4. Further, on the data line 6a and the second interlayer insulating film 4, a third interlayer insulating film 7 having a contact hole 8 leading to the high concentration drain region 1e is formed. That is, the high concentration drain region 1 e is electrically connected to the pixel electrode 9 through the contact hole 8 that penetrates the second interlayer insulating film 4 and the third interlayer insulating film 7.

また、本実施形態では、ゲート絶縁膜2を走査線3aに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜1aを延設して第1蓄積容量電極1fとし、さらにこれらに対向する容量線3bの一部を第2蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量70が構成されている。   Further, in this embodiment, the gate insulating film 2 is extended from a position facing the scanning line 3a and used as a dielectric film, the semiconductor film 1a is extended to form the first storage capacitor electrode 1f, and further opposed thereto. The storage capacitor 70 is configured by using a part of the capacitor line 3b to be a second storage capacitor electrode.

TFTアレイ基板10の基板本体10Aの液晶層50側表面において、各画素スイッチング用TFT素子30が形成された領域には、TFTアレイ基板10を透過し、TFTアレイ基板10の図示下面(TFTアレイ基板10と空気との界面)で反射されて、液晶層50側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層1aのチャネル領域1a’及び低濃度ソース、ドレイン領域1b、1cに入射することを防止するための第1遮光膜11aが設けられている。また、第1遮光膜11aと画素スイッチング用TFT素子30との間には、画素スイッチング用TFT素子30を構成する半導体層1aを第1遮光膜11aから電気的に絶縁するための第1層間絶縁膜12が形成されている。さらに、図2に示したように、TFTアレイ基板10に第1遮光膜11aを設けるのに加えて、コンタクトホール13を介して第1遮光膜11aは、前段あるいは後段の容量線3bに電気的に接続するように構成されている。   On the surface of the TFT array substrate 10 on the liquid crystal layer 50 side of the substrate body 10A, the TFT switching substrate 30 is transmitted through the region where the pixel switching TFT elements 30 are formed. The return light reflected at the interface 10 and air and returning to the liquid crystal layer 50 side is prevented from entering at least the channel region 1a ′ and the low concentration source / drain regions 1b and 1c of the semiconductor layer 1a. A first light shielding film 11a is provided. Further, a first interlayer insulation for electrically insulating the semiconductor layer 1a constituting the pixel switching TFT element 30 from the first light shielding film 11a is provided between the first light shielding film 11a and the pixel switching TFT element 30. A film 12 is formed. Further, as shown in FIG. 2, in addition to providing the first light-shielding film 11a on the TFT array substrate 10, the first light-shielding film 11a is electrically connected to the capacitor line 3b at the preceding stage or the subsequent stage through the contact hole 13. Configured to connect to.

また、TFTアレイ基板10の液晶層50側、すなわち、画素電極9及び第3層間絶縁膜7上には配向膜40が形成されている。配向膜40は、電圧無印加時における液晶層50内の液晶分子の配向を制御するものである。   An alignment film 40 is formed on the TFT array substrate 10 on the liquid crystal layer 50 side, that is, on the pixel electrode 9 and the third interlayer insulating film 7. The alignment film 40 controls the alignment of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 50 when no voltage is applied.

他方、対向基板20には、基板本体20Aの液晶層50側表面であって、データ線6a、走査線3a、画素スイッチング用TFT素子30の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に、入射光が画素スイッチング用TFT素子30の半導体層1aのチャネル領域1a’や低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1cに侵入することを防止するための第2遮光膜23が設けられている。   On the other hand, the counter substrate 20 has a surface on the liquid crystal layer 50 side of the substrate body 20A, which is a region facing the formation region of the data line 6a, the scanning line 3a, and the pixel switching TFT element 30, that is, an opening region of each pixel unit. The second light-shielding film 23 for preventing incident light from entering the channel region 1a ′, the low-concentration source region 1b, and the low-concentration drain region 1c of the semiconductor layer 1a of the pixel switching TFT element 30 in the other regions. Is provided.

さらに、第2遮光膜23が形成された基板本体20Aの液晶層50側には、その略全面に渡って、ITO等からなる共通電極21が形成され、その液晶層50側には配向膜60が形成されている。配向膜60は、電圧無印加時における液晶層50内の液晶分子の配向を制御するものである。   Furthermore, the common electrode 21 made of ITO or the like is formed over the substantially entire surface of the substrate body 20A on which the second light shielding film 23 is formed, and the alignment film 60 is formed on the liquid crystal layer 50 side. Is formed. The alignment film 60 controls the alignment of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 50 when no voltage is applied.

ここで、上記配向膜40(60)は、図5に示すように、無機酸化物からなる下地膜41(61)上に直鎖状炭素鎖42(62)が単分子状に形成された構成を具備している。下地膜41(61)は酸化珪素からなるもので、表面に孔径2nm以下(本実施形態では2nm)の微細孔43を有したミクロポーラス構造をとっている。また、直鎖状炭素鎖42(62)としては炭素数3〜25(本実施形態では炭素数18)のものが形成されている。このように本実施形態の液晶装置に具備された配向膜40(60)はラビング処理が施されていない。すなわち配向膜40(60)は、微細孔43に沿って液晶分子51を配向させ、さらに直鎖状炭素鎖42(62)に沿って液晶分子51を配向させるものである。   Here, as shown in FIG. 5, the alignment film 40 (60) has a structure in which linear carbon chains 42 (62) are monomolecularly formed on a base film 41 (61) made of an inorganic oxide. It has. The base film 41 (61) is made of silicon oxide and has a microporous structure having fine holes 43 with a pore diameter of 2 nm or less (2 nm in this embodiment) on the surface. Moreover, as the linear carbon chain 42 (62), one having 3 to 25 carbon atoms (18 carbon atoms in the present embodiment) is formed. Thus, the alignment film 40 (60) provided in the liquid crystal device of the present embodiment is not subjected to the rubbing process. That is, the alignment film 40 (60) aligns the liquid crystal molecules 51 along the fine holes 43, and further aligns the liquid crystal molecules 51 along the linear carbon chains 42 (62).

したがって、従来のようにラビング処理を行った場合に膜表面に形成される筋に起因した表示品位の低下が生じることがなく、またラビング処理に伴う歩留り低下も生じることがないため、液晶装置の表示品位の向上及び製造効率の向上が図られている。さらに、上述の通り微細孔43に沿って液晶分子51を配向規制することができるとともに、直鎖状炭素鎖42(62)による配向規制力も液晶分子51に及ぶため、当該液晶分子51を確実に配向規制することが可能となる。また、微細孔43を具備する下地膜41(61)は無機酸化物より構成されてなるため、十分な耐光性も備えたものとなる。さらに、配向膜40(60)の表面に疎水性の直鎖状炭素鎖42(62)が形成されてなるため、当該配向膜40(60)への水分吸着が生じ難く、高信頼性を確保することが可能となる。   Therefore, when the rubbing process is performed as in the prior art, the display quality is not deteriorated due to the streaks formed on the film surface, and the yield is not reduced due to the rubbing process. Improvement of display quality and improvement of manufacturing efficiency are achieved. Further, as described above, the alignment of the liquid crystal molecules 51 can be regulated along the microscopic holes 43, and the alignment regulating force by the linear carbon chain 42 (62) also reaches the liquid crystal molecules 51. It becomes possible to regulate the orientation. Further, since the base film 41 (61) having the fine holes 43 is made of an inorganic oxide, it also has sufficient light resistance. Further, since the hydrophobic linear carbon chain 42 (62) is formed on the surface of the alignment film 40 (60), moisture adsorption to the alignment film 40 (60) hardly occurs, and high reliability is ensured. It becomes possible to do.

次に、本実施形態の液晶装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態の液晶装置の製造方法は、本発明に係る液晶装置用基板の製造方法を採用したものである。
まず、液晶装置用基板たるTFTアレイ基板10を作成する。
ここでは、ガラス等からなる透光性の基板10Aを用意し、これに第1遮光膜11a、第1層間絶縁膜12、半導体層1a、各種配線3a,3b,6a、絶縁膜4,7、画素電極9等を公知の方法で形成する。続いて、画素電極9を含む第3層間絶縁膜7上に配向膜40を形成する。
Next, a method for manufacturing the liquid crystal device of this embodiment will be described. In addition, the manufacturing method of the liquid crystal device of this embodiment employs the manufacturing method of the substrate for a liquid crystal device according to the present invention.
First, a TFT array substrate 10 that is a substrate for a liquid crystal device is formed.
Here, a translucent substrate 10A made of glass or the like is prepared, and a first light shielding film 11a, a first interlayer insulating film 12, a semiconductor layer 1a, various wirings 3a, 3b, 6a, insulating films 4, 7, The pixel electrode 9 and the like are formed by a known method. Subsequently, an alignment film 40 is formed on the third interlayer insulating film 7 including the pixel electrode 9.

具体的には、図6に示すようなシリカゾル溶液を作成する工程と、図7に示すような焼成工程とにより配向膜40を形成するものとしている。
まず、シリカゾル溶液を作成するに際しては、図6に示す通り、TMOSと、ヒドロキシアセトンと、ODSとをメタノールに溶解ないし分散させた溶液A(S1)を25℃下、撹拌させる(S2)。そこに、水とメタノールを添加し、混合溶液を40℃下、1日撹拌させる(S3)。そして、これを室温中に静置させ(S4)、続いて希釈溶媒(アルコール系溶媒、グリコールエーテル系溶媒等)により希釈を行なって、シリカゾル溶液を得るものとしている(S5)。なお、溶液Aは、TMOS12.5mmolに対し、ヒドロキシアセトン12.5mmol、ODS1.5mmol、メタノール10molとしている。また、添加物は水4mmol、メタノール10mlとしている。ここで、溶液Aにおいては、無機酸化物前駆体であるTMOS1molに対して、直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体であるODSは0.25mol以下とすることが好ましい。溶液の作成を容易化するためである。なお、溶液Aにおいて無機酸化物前駆体であるTMOSは加水分解反応により無機酸化物となるもので、直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体であるODSは同じく加水分解反応により直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物となるものである。
Specifically, the alignment film 40 is formed by a process of creating a silica sol solution as shown in FIG. 6 and a baking process as shown in FIG.
First, when preparing a silica sol solution, as shown in FIG. 6, a solution A (S1) in which TMOS, hydroxyacetone, and ODS are dissolved or dispersed in methanol is stirred at 25 ° C. (S2). Water and methanol are added thereto, and the mixed solution is stirred at 40 ° C. for 1 day (S3). Then, this is allowed to stand at room temperature (S4), and then diluted with a diluent solvent (alcohol solvent, glycol ether solvent, etc.) to obtain a silica sol solution (S5). The solution A is 12.5 mmol of hydroxyacetone, 1.5 mmol of ODS, and 10 mol of methanol with respect to 12.5 mmol of TMOS. The additive is 4 mmol water and 10 ml methanol. Here, in the solution A, it is preferable that ODS which is a silicon compound precursor having a linear carbon chain is 0.25 mol or less with respect to 1 mol of TMOS which is an inorganic oxide precursor. This is to facilitate the preparation of the solution. In solution A, TMOS, which is an inorganic oxide precursor, becomes an inorganic oxide by a hydrolysis reaction, and ODS, which is a silicon compound precursor having a linear carbon chain, is also linear by a hydrolysis reaction. It becomes a silicon compound having a carbon chain.

次に、上述した画素電極(ITO)付き基板をUVオゾン洗浄した後(S11)、上記シリカゾル溶液を当該基板上にスピンコート法を用いて、厚さ約50nmに成膜する(S12)。その後、当該膜を乾燥し(S13)、引き続いて本焼成を行って(S14)、配向膜40とする。なお、仮乾燥は80℃、5分、本焼成は200℃、1時間の条件で行うものとしている。
以上のような配向膜形成工程を経て、本発明に係る液晶装置用基板たるTFTアレイ基板10が作成される。
Next, after the substrate with the pixel electrode (ITO) is subjected to UV ozone cleaning (S11), the silica sol solution is formed on the substrate to a thickness of about 50 nm by using a spin coat method (S12). Thereafter, the film is dried (S13), followed by main firing (S14) to obtain the alignment film 40. The temporary drying is performed at 80 ° C. for 5 minutes, and the main baking is performed at 200 ° C. for 1 hour.
Through the alignment film forming process as described above, the TFT array substrate 10 which is a substrate for a liquid crystal device according to the present invention is produced.

一方、上述したTFTアレイ基板10とは別に対向基板20も作成する。ここでも、基板20Aを用意した後、TFTアレイ基板10の作成と同様の方法を用いて、当該基板20A上に遮光膜23や対向電極21を形成するとともに、さらに図6及び図7を参照して上述した方法を用いて配向膜60を形成し、対向基板20を得るものとしている。   On the other hand, a counter substrate 20 is also formed separately from the TFT array substrate 10 described above. In this case, after preparing the substrate 20A, the light shielding film 23 and the counter electrode 21 are formed on the substrate 20A by using the same method as that for forming the TFT array substrate 10, and further referring to FIGS. Thus, the counter substrate 20 is obtained by forming the alignment film 60 using the method described above.

その後、TFTアレイ基板10と対向基板20とをシール剤を介して貼り合わせ、さらにシール剤に形成した液晶注入口から誘電異方性が負の液晶を注入して液晶パネルとした後、所定の配線を接続して、本実施形態の液晶装置を製造するものとしている。
このように本実施形態の液晶装置の製造方法は、配向膜形成工程においてラビング処理を伴わず、比較的温和な条件で垂直配向性の配向膜40,60を形成するものとしている。したがって、当該製造方法は、その製造効率が高く、しかも製造される液晶装置においてラビング筋も生じ難いものとなって、非常に信頼性が高い製造方法となる。
Thereafter, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together via a sealing agent, and further a liquid crystal having negative dielectric anisotropy is injected from a liquid crystal injection port formed in the sealing agent to obtain a liquid crystal panel. The liquid crystal device of this embodiment is manufactured by connecting wiring.
As described above, the manufacturing method of the liquid crystal device according to the present embodiment forms the vertical alignment films 40 and 60 under relatively mild conditions without a rubbing process in the alignment film forming step. Therefore, the manufacturing method has a high manufacturing efficiency, and a rubbing streak is hardly generated in the manufactured liquid crystal device, so that the manufacturing method is very reliable.

また、本実施形態では、溶液A及びBからなる混合溶液を塗布し、その塗膜を焼成するのみで無機配向膜40,60が得られるため、非常に手間の掛からないものとなるのである。さらに、本実施形態では、加水分解促進剤が多孔体を生成する前駆体を選択的に生成し且つ加水分解を促進しているため、酸・塩基触媒が不要となる。そのため、不純物による製造装置への影響、製造される基板10,20の特性への影響が少ないものとなる。   Moreover, in this embodiment, since the inorganic alignment films 40 and 60 are obtained only by apply | coating the mixed solution which consists of the solutions A and B, and baking the coating film, it will become very labor-saving. Furthermore, in this embodiment, since the hydrolysis accelerator selectively generates a precursor that generates a porous body and promotes hydrolysis, an acid / base catalyst is not required. Therefore, the influence of the impurities on the manufacturing apparatus and the characteristics of the manufactured substrates 10 and 20 are small.

なお、上述した無機酸化物前駆体としては、目的とする無機酸化物の種類に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えばメトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシドのようなアルコキシドを用いることができる。なお、目的とする無機酸化物がシリコン酸化物の場合、無機酸化物前駆体としては、エトキシテトラエトキシシラン(TEOS)やテトラメトキシシランが好適である。加水分解促進剤としては、ヒドロキシアルデヒド誘導体(あるいはヒドロキシケトン誘導体)、ヒドロキシカルボン酸誘導体、アリルアルコール誘導体、およびヒドロキシニトリル誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物を用いることができる。ヒドロキシアルデヒド誘導体(あるいはヒドロキシケトン誘導体)の例としては、ヒドロキシアセトン、アセトイン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン、及びフルクトースが挙げられ、ヒドロキシカルボン酸誘導体の例としては、グリコール酸エステル、乳酸エステル、2−ヒドロキシ−イソ酪酸エステル、チオグリコール酸エステル、リンゴ酸エステル、酒石酸エステル、およびクエン酸エステルが挙げられ、アリルアルコール誘導体の例としては、1−ブテン−3−オール、2−メチル−3−ブテン−2−オール、1−ペンテン−3−オール、1−ヘキセン−3−オール、クロチルアルコール、3−メチル−2−ブテン−1−オール、及びチナミルアルコールが挙げられ、ヒドロキシニトリル誘導体の例としてはアセトンシアノヒドリンが挙げられる。直鎖状炭素鎖を有する珪素化合物としては、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの非置換のアルキル基を有する珪素化合物を用いることができる。直鎖状炭素鎖を有する珪素化合物の例としては、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシランが挙げられる。   The inorganic oxide precursor described above is appropriately selected according to the type of the target inorganic oxide and is not particularly limited. For example, an alkoxide such as methoxide, ethoxide, propoxide, isopropoxide, butoxide is used. Can be used. When the target inorganic oxide is silicon oxide, ethoxytetraethoxysilane (TEOS) or tetramethoxysilane is preferable as the inorganic oxide precursor. As the hydrolysis accelerator, at least one compound selected from the group consisting of hydroxyaldehyde derivatives (or hydroxyketone derivatives), hydroxycarboxylic acid derivatives, allyl alcohol derivatives, and hydroxynitrile derivatives can be used. Examples of hydroxyaldehyde derivatives (or hydroxyketone derivatives) include hydroxyacetone, acetoin, 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, and fructose. Examples of hydroxycarboxylic acid derivatives include glycolic acid esters, Examples include lactic acid esters, 2-hydroxy-isobutyric acid esters, thioglycolic acid esters, malic acid esters, tartaric acid esters, and citric acid esters. Examples of allyl alcohol derivatives include 1-buten-3-ol, 2-methyl -3-buten-2-ol, 1-penten-3-ol, 1-hexen-3-ol, crotyl alcohol, 3-methyl-2-buten-1-ol, and tinamyl alcohol; Examples of nitrile derivatives include acetone Hydrin, and the like. As the silicon compound having a linear carbon chain, a silicon compound having an unsubstituted alkyl group such as hexyl, heptyl, octyl, dodecyl, hexadecyl, octadecyl or the like can be used. Examples of silicon compounds having a straight carbon chain include hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyl Examples include triethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltriethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane, hexadecyltriethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, and octadecyltriethoxysilane.

以上、本発明の一実施形態としての液晶装置及びその製造方法を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、各請求項の記載文言に限定されず、当業者がそれらから容易に置き換えられる範囲にも及び、且つ当業者が通常有する知識に基づく改良を適宜付加することができる。
例えば、本実施形態では、TFT素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、TFD(Thin-Film Diode)素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置やパッシブマトリクス型液晶装置等にも適用可能である。また、本実施形態では、透過型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。このように、本発明は、いかなる構造の液晶装置にも適用することができる。
The liquid crystal device and the method for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to this, and the description of each claim is made without departing from the scope described in each claim. The present invention is not limited to the wording, and the range that can be easily replaced by those skilled in the art can be added as appropriate, and improvements based on knowledge that the person skilled in the art normally has can be added as appropriate.
For example, in the present embodiment, only an active matrix liquid crystal device using TFT elements has been described. However, the present invention is not limited to this, and the active matrix liquid crystal using TFD (Thin-Film Diode) elements is used. The present invention can also be applied to a device, a passive matrix liquid crystal device, and the like. In the present embodiment, only the transmissive liquid crystal device has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to a reflective or transflective liquid crystal device. Thus, the present invention can be applied to a liquid crystal device having any structure.

[電子機器]
上記実施の形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図8(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図8(a)において、符号500は携帯電話本体を示し、符号501は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
[Electronics]
Examples of electronic devices including the liquid crystal device of the above embodiment will be described.
FIG. 8A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 8A, reference numeral 500 denotes a mobile phone body, and reference numeral 501 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment.

図8(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図8(b)において、符号600は情報処理装置、符号601はキーボードなどの入力部、符号603は情報処理装置本体、符号602は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。   FIG. 8B is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 8B, reference numeral 600 denotes an information processing apparatus, reference numeral 601 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 603 denotes an information processing apparatus body, and reference numeral 602 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment. .

図8(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図8(c)において、符号700は時計本体を示し、符号701は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。   FIG. 8C is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 8C, reference numeral 700 denotes a watch body, and reference numeral 701 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment.

このように図8に示す電子機器は、表示部に上述の本発明の一例たる液晶装置を適用したものであるので、例えばラビング処理を施したときのようなラビング筋が表示される不具合がなく、表示品質を長期に渡って維持することが可能な表示装置となる。   As described above, the electronic apparatus shown in FIG. 8 uses the above-described liquid crystal device as an example of the present invention for the display unit, so that there is no problem that rubbing streaks are displayed, for example, when a rubbing process is performed. Thus, the display device can maintain the display quality for a long time.

[投射型表示装置]
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置(プロジェクタ)の構成について、図9を参照して説明する。図9は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図9において、810は光源、813、814はダイクロイックミラー、815、816、817は反射ミラー、818は入射レンズ、819はリレーレンズ、820は出射レンズ、822、823、824は液晶光変調装置、825はクロスダイクロイックプリズム、826は投写レンズを示す。
[Projection type display device]
Next, a configuration of a projection display device (projector) including the liquid crystal device according to the above embodiment as a light modulation unit will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection display device using the liquid crystal device of the above embodiment as a light modulation device. In FIG. 9, 810 is a light source, 813 and 814 are dichroic mirrors, 815, 816 and 817 are reflection mirrors, 818 is an incident lens, 819 is a relay lens, 820 is an exit lens, 822, 823 and 824 are liquid crystal light modulators, Reference numeral 825 denotes a cross dichroic prism, and reference numeral 826 denotes a projection lens.

光源810はメタルハライド等のランプ811とランプの光を反射するリフレクタ812とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー813は、光源810からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー817で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置822に入射される。   The light source 810 includes a lamp 811 such as a metal halide and a reflector 812 that reflects the light of the lamp. The dichroic mirror 813 that reflects blue light and green light transmits red light out of the light flux from the light source 810 and reflects blue light and green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 817 and is incident on the red light liquid crystal light modulation device 822 including the liquid crystal device as an example of the present invention.

一方、ダイクロイックミラー813で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー814によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置823に入射される。なお、青色光は第2のダイクロイックミラー814も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ818、リレーレンズ819、出射レンズ820を含むリレーレンズ系からなる導光手段821が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置824に入射される。   On the other hand, of the color light reflected by the dichroic mirror 813, the green light is reflected by the dichroic mirror 814 that reflects green light, and enters the liquid crystal light modulator 823 for green light that includes the above-described liquid crystal device according to the present invention. . Note that the blue light also passes through the second dichroic mirror 814. For blue light, light guide means 821 comprising a relay lens system including an incident lens 818, a relay lens 819, and an exit lens 820 is provided in order to compensate for the difference in optical path length from green light and red light. Through this, the blue light is incident on the liquid crystal light modulation device 824 for blue light provided with the liquid crystal device as an example of the present invention.

各光変調装置により変調された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム825に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ826によってスクリーン827上に投写され、画像が拡大されて表示される。   The three color lights modulated by the respective light modulation devices are incident on the cross dichroic prism 825. In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface. These dielectric multilayer films combine the three color lights to form light representing a color image. The synthesized light is projected onto the screen 827 by the projection lens 826 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

上記構造を有する投射型表示装置は、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えたものであるので、例えばラビング処理を施したときのようなラビング筋が表示される不具合がなく、表示品質を長期に渡って維持することが可能な表示装置となる。   Since the projection type display device having the above-described structure includes the liquid crystal device as an example of the present invention described above, there is no problem that rubbing streaks are displayed, for example, when the rubbing process is performed, and the display quality is improved. The display device can be maintained for a long time.

本発明の一実施形態たる液晶装置におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図。1 is an equivalent circuit diagram of switching elements, signal lines, etc. in a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention. 図1の液晶装置についてTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing a structure of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate in the liquid crystal device of FIG. 1. 図1の液晶装置についてその素子構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the element structure about the liquid crystal device of FIG. 図1の液晶装置についてその画素領域の構成を模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a pixel region of the liquid crystal device of FIG. 配向膜の構成を模式的に示す説明図。Explanatory drawing which shows the structure of an alignment film typically. 液晶装置用基板の製造方法について一工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows 1 process about the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal devices. 液晶装置用基板の製造方法について一工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows 1 process about the manufacturing method of the board | substrate for liquid crystal devices. 本発明に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図。FIG. 14 is a perspective view illustrating some examples of the electronic apparatus according to the invention. 本発明に係る投射型表示装置についての一例を示す図。The figure which shows an example about the projection type display apparatus which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…TFTアレイ基板、20…対向基板、10A,20A…基板本体、40,60…配向膜、50…液晶層   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT array substrate, 20 ... Counter substrate, 10A, 20A ... Substrate body, 40, 60 ... Alignment film, 50 ... Liquid crystal layer

Claims (1)

基材と、前記基材上に配設された配向膜とを備えてなる液晶装置用基板の製造方法であって、
前記基材上に、無機酸化物前駆体と、加水分解促進剤と、直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体とを含む溶液を塗布して、塗膜を形成する塗布工程と、
前記塗膜を焼成することにより、前記無機酸化物前駆体を無機酸化物に変化させ、当該無機酸化物膜上に直鎖状炭素鎖が形成されてなる前記配向膜を得る焼成工程と、を含み、
前記無機酸化物前駆体は、加水分解により無機酸化物となり、
前記直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体は、加水分解により直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物となり、
前記加水分解促進剤は、ヒドロキシアセトン、アセトイン、3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン、フルクトース、グリコール酸エステル、乳酸エステル、2−ヒドロキシ−イソ酪酸エステル、チオグリコール酸エステル、リンゴ酸エステル、酒石酸エステル、クエン酸エステル、1−ブテン−3−オール、2−メチル−3−ブテン−2−オール、1−ペンテン−3−オール、1−ヘキセン−3−オール、クロチルアルコール、3−メチル−2−ブテン−1−オール、チナミルアルコール、およびアセトンシアノヒドリンからなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物であり、
前記塗布工程は、
前記無機酸化物前駆体と、前記加水分解促進剤と、前記直鎖状の炭素鎖を有する珪素化合物前駆体とを溶媒に溶解ないし分散させて第1溶液を作成する工程と、
前記第1溶液に対して水を混合して第2溶液を作成する工程と、
前記第2溶液を前記基板上に塗布する工程と、
前記塗布した第2溶液を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
A method for producing a substrate for a liquid crystal device comprising a base material and an alignment film disposed on the base material,
Applying a solution containing an inorganic oxide precursor, a hydrolysis accelerator, and a silicon compound precursor having a linear carbon chain on the substrate to form a coating film;
By firing the coating film, the inorganic oxide precursor is changed to an inorganic oxide, and a firing step for obtaining the alignment film in which a linear carbon chain is formed on the inorganic oxide film, and seen including,
The inorganic oxide precursor becomes an inorganic oxide by hydrolysis,
The silicon compound precursor having a linear carbon chain becomes a silicon compound having a linear carbon chain by hydrolysis,
The hydrolysis accelerator is hydroxyacetone, acetoin, 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, fructose, glycolic acid ester, lactic acid ester, 2-hydroxy-isobutyric acid ester, thioglycolic acid ester, malic acid ester, Tartaric acid ester, citrate ester, 1-buten-3-ol, 2-methyl-3-buten-2-ol, 1-penten-3-ol, 1-hexen-3-ol, crotyl alcohol, 3-methyl At least one compound selected from the group consisting of 2-buten-1-ol, tinamyl alcohol, and acetone cyanohydrin;
The coating process includes
A step of dissolving or dispersing the inorganic oxide precursor, the hydrolysis accelerator, and the silicon compound precursor having a linear carbon chain in a solvent to form a first solution;
Mixing the water with the first solution to create a second solution;
Applying the second solution onto the substrate;
And a step of drying the applied second solution . A method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device.
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