JP4684861B2 - 導波路及びそれを有するデバイス - Google Patents
導波路及びそれを有するデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4684861B2 JP4684861B2 JP2005329024A JP2005329024A JP4684861B2 JP 4684861 B2 JP4684861 B2 JP 4684861B2 JP 2005329024 A JP2005329024 A JP 2005329024A JP 2005329024 A JP2005329024 A JP 2005329024A JP 4684861 B2 JP4684861 B2 JP 4684861B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- columnar
- waveguide
- structures
- columnar structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
該3次元フォトニック結晶中の周期を乱す複数の線状欠陥部と、
を有する導波路であって、
該3次元フォトニック結晶は、複数の柱状構造が所定の間隔を空けて平行に配列された第1の層と、
該第1の層の前記柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第2の層と、
該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第3の層と、
該第2の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第4の層を有し、
該第1の層から該第4の層が順次、
該第1の層と該第3の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層され、
該第2の層と該第4の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層されており、
前記複数の線状欠陥部は、
該第1の層の前記柱状構造が存在する一部の領域を、該柱状構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造が存在しない領域にすることによって形成した第1の欠陥部と、
該第1の層とは異なる層に位置し、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる柱状構造の一部の柱状構造を、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる他の柱状構造の媒質の屈折率と異なる屈折率の媒質で形成した第2の欠陥部と、を有し、
該第1の欠陥部と該第2の欠陥部を積層方向に結ぶ長さが、該3次元フォトニック結晶の面外格子周期の半分の長さ以上、1.5倍の長さ以下であり、
該積層方向に導波するモードを有しないことを特徴としている。
該3次元フォトニック結晶中の周期を乱す複数の線状欠陥部と、
を有する導波路であって、
該3次元フォトニック結晶は、複数の柱状構造が所定の間隔を空けて平行に配列された第1の層と、
該第1の層の前記柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第2の層と、
該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第3の層と、
該第2の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第4の層と、
前記4つの層の各層に平行な面内において、該面内方向に互いに接しないように離散的に配置された離散構造を含む層を1層以上含む付加層を有し、
該第1の層から該第4の層が各層の間にそれぞれ該付加層を介して順次、
該第1の層と該第3の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層され、
該第2の層と該第4の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層されており、
該付加層に含まれる離散構造は該柱状構造の交点に相当する位置に配置されており、
前記複数の線状欠陥部は、
該第1の層の前記柱状構造が存在する一部の領域を該柱状構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造が存在しない領域にするか、あるいは、該柱状構造が存在する一部の領域および該離散構造の一部の領域を該柱状構造および該離散構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造および該離散構造が存在しない領域とすることによって形成した第1の欠陥部と、
該第1の欠陥部を含む層とは異なる層に位置し、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる柱状構造の一部の柱状構造を該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる他の柱状構造の媒質の屈折率とは異なる屈折率の媒質で形成した第2の欠陥部と、を有し、
該第1の欠陥部と該第2の欠陥部を積層方向に結ぶ長さが、該3次元フォトニック結晶の面外格子周期の半分の長さ以上、1.5倍の長さ以下であり、
該積層方向に導波するモードを有しないことを特徴としている。
該3次元フォトニック結晶中の周期を乱す複数の線状欠陥部と、
を有する導波路であって、
該3次元フォトニック結晶は、複数の柱状構造が所定の間隔を空けて平行に配列された第1の層と、
該第1の層の前記柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第2の層と、
該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第3の層と、
該第2の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第4の層と、
前記4つの層の各層に平行な面内において、該面内方向に互いに接しないように離散的に配置された離散構造を含む層を1層以上含む付加層を有し、
該第1の層から該第4の層が各層の間にそれぞれ該付加層を介して順次、
該第1の層と該第3の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層され、
該第2の層と該第4の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層されており、
該付加層に含まれる離散構造は該柱状構造の交点に相当する位置に配置されており、
前記複数の線状欠陥部は、
該第1の層の前記柱状構造が存在する一部の領域を該柱状構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造が存在しない領域にするか、あるいは、該柱状構造が存在する一部の領域および該離散構造の一部の領域を該柱状構造および該離散構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造および該離散構造が存在しない領域とすることによって形成した第1の欠陥部と、
該第1の欠陥部を含む層とは異なる層に位置した離散構造の一部を、該離散構造が位置する層と同じ層の他の離散構造の媒質の屈折率と異なる屈折率の媒質より形成した第2の欠陥部とを有し、
該第1の欠陥部と該第2の欠陥部を積層方向に結ぶ長さが該3次元フォトニック結晶の面外格子周期の半分の長さ以上、1.5倍の長さ以下であり、
該積層方向に導波するモードを有しないことを特徴としている。
該3次元フォトニック結晶中の周期を乱す複数の線状欠陥部と、
を有する導波路であって、
該3次元フォトニック結晶は、複数の柱状構造が所定の間隔を空けて平行に配列された第1の層と、
該第1の層の前記柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第2の層と、
該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第3の層と、
該第2の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第4の層と、
前記4つの層の各層に平行な面内において、該面内方向に互いに接しないように離散的に配置された離散構造を含む層を1層以上含む付加層を有し、
該第1の層から該第4の層が各層の間にそれぞれ該付加層を介して順次、
該第1の層と該第3の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層され、
該第2の層と該第4の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層されており、
該付加層に含まれる離散構造は該柱状構造の交点に相当する位置に配置されており、
前記複数の線状欠陥部は、
該第1の層の前記柱状構造が存在する一部の領域を該柱状構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造が存在しない領域にするか、あるいは、該柱状構造が存在する一部の領域および該離散構造の一部の領域を該柱状構造および該離散構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造および該離散構造が存在しない領域とすることによって形成した、第1の欠陥部と、
該第1の欠陥部を含む層とは異なる層に位置し、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる柱状構造の一部の柱状構造を、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる他の柱状構造の媒質の屈折率とは異なる屈折率の媒質で形成し、かつ該第1の欠陥部を含む層とは異なる層に位置した離散構造の一部を、該離散構造が位置する層と同じ層の他の離散構造の媒質の屈折率と異なる屈折率の媒質より形成した第2の欠陥部と、を有し、
該第1の欠陥部と該第2の欠陥部を積層方向に結ぶ長さが該3次元フォトニック結晶の面外格子周期の半分の長さ以上、1.5倍の長さ以下であり、
該積層方向に導波するモードを有しないことを特徴としている。
塗り潰した周波数帯域は、欠陥モードのうち単一モードで導波可能な周波数帯域を表している。単一モードで導波可能な周波数帯域は、0.446から0.458の範囲で存在している。導波路構造Bにおいて、第1の線状欠陥部20だけを設け、第2の線状欠陥部を設けない場合の導波モードを、FDTD法を用いて計算すると、単一モードで導波可能な周波数帯域は、0.433から0.440となる。従って第2の線状欠陥部を設けることによって、広い周波数帯域において単一モードで導波可能な導波路が得られることが分かる。
第2の線状欠陥部を構成する媒質の屈折率を変化させると、導波モードの高周波数側に近いモードのモード屈折率が大きく変化する。その結果、導波モードの高周波数側に近いモードの周波数を大きく変化させることができる。
図12(b)は導波路構造Eで単一モードで導波可能な周波数帯域における導波モードのxz断面における電磁場強度分布を示している。白く表示されている部分ほど、電磁場強度が強いことを表しており、導波路の中心付近に電磁場強度が強く集中する単峰性又はそれに近い電磁場分布を有していることが分かる。
また、第1の線状欠陥部から積層方向にさらに離れた層内に位置する柱状構造に第2の線状欠陥部を設けても、同様の効果が得られる。第1の線状欠陥部と第2の線状欠陥部との積層方向の距離は、面外格子周期の1.5倍以内であると効果的である。さらに、第2の線状欠陥部の個数は、本実施例に制限されるものではなく、3つ以下でも5つ以上でも良い。また複数個の線状欠陥部を設けた場合、各線状欠陥部を構成する媒質は、異なる屈折率を有していてもよい。第2の線状欠陥部の位置、個数、構成する媒質を細かく制御することにより、導波モードの周波数のさらに細かい制御が可能となる。
導波路構造Fの詳細な構造パラメータを表6に示す。ここで、第1の線状欠陥部を構成する媒質の屈折率、および第2の線状欠陥部に含まれる離散構造を構成する媒質の屈折率を、欠陥部屈折率とする。なお、表6および図14中では、第1の線状欠陥部幅を50w、第1の線状欠陥部高さを50hと記し、欠陥部屈折率を50n、500n、501n、502n、503nと記した。第1の欠陥部50の高さ50hは第1の層301と、その上下各2層の合計となっている。なお、導波モードの計算は、前記と同じくFDTD法を用いて計算した。
離散構造を含む層が1層の場合と3層の場合を示す。図23(a)は本発明の導波路で利用できる3次元フォトニック結晶の要部概略図である。図23(a)は離散構造を含む層が1層の場合である。3次元周期構造2100は、xy平面を含む8つの層2101〜2108を基本周期として構成されている。
図23(b)は各層2101〜2108のxy断面の一部の概略図を示す。第1の層2101および第5の層2105は、第1の媒質(高屈折率)によるy軸方向に延びる複数の柱状構造2101aおよび2105aが等間隔(ピッチ)Pでx方向に配置されている。そして柱状構造2101aおよび2105aはx軸方向にP/2ずれた位置に配置されている。また、第3の層2103および第7の層2107は、第1の媒質によるx軸方向に延びる複数の柱状構造2103aおよび2107aが等間隔(ピッチ)Pでy方向に配置されている。そして柱状構造2103aおよび2107aはy軸方向にP/2ずれた位置に配置されている。
101〜104 第1〜第4の層
101a〜104a 柱状構造
20 第1の柱状欠陥部
200〜203 第2の線状欠陥部
301〜312 第1〜第12の層
301a〜312a 柱状構造
40 第1の線状欠陥部
400〜403 第2の線状欠陥部
50 第1の線状欠陥部
500〜503 第2の線状欠陥部
Claims (8)
- 完全フォトニックバンドを有する3次元フォトニック結晶と、
該3次元フォトニック結晶中の周期を乱す複数の線状欠陥部と、
を有する導波路であって、
該3次元フォトニック結晶は、複数の柱状構造が所定の間隔を空けて平行に配列された第1の層と、
該第1の層の前記柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第2の層と、
該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第3の層と、
該第2の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第4の層を有し、
該第1の層から該第4の層が順次、
該第1の層と該第3の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層され、
該第2の層と該第4の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層されており、
前記複数の線状欠陥部は、
該第1の層の前記柱状構造が存在する一部の領域を、該柱状構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造が存在しない領域にすることによって形成した第1の欠陥部と、
該第1の層とは異なる層に位置し、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる柱状構造の一部の柱状構造を、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる他の柱状構造の媒質の屈折率と異なる屈折率の媒質で形成した第2の欠陥部と、を有し、
該第1の欠陥部と該第2の欠陥部を積層方向に結ぶ長さが、該3次元フォトニック結晶の面外格子周期の半分の長さ以上、1.5倍の長さ以下であり、
該積層方向に導波するモードを有しないことを特徴とする導波路。 - 完全フォトニックバンドを有する3次元フォトニック結晶と、
該3次元フォトニック結晶中の周期を乱す複数の線状欠陥部と、
を有する導波路であって、
該3次元フォトニック結晶は、複数の柱状構造が所定の間隔を空けて平行に配列された第1の層と、
該第1の層の前記柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第2の層と、
該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第3の層と、
該第2の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第4の層と、
前記4つの層の各層に平行な面内において、該面内方向に互いに接しないように離散的に配置された離散構造を含む層を1層以上含む付加層を有し、
該第1の層から該第4の層が各層の間にそれぞれ該付加層を介して順次、
該第1の層と該第3の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層され、
該第2の層と該第4の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層されており、
該付加層に含まれる離散構造は該柱状構造の交点に相当する位置に配置されており、
前記複数の線状欠陥部は、
該第1の層の前記柱状構造が存在する一部の領域を該柱状構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造が存在しない領域にするか、あるいは、該柱状構造が存在する一部の領域および該離散構造の一部の領域を該柱状構造および該離散構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造および該離散構造が存在しない領域とすることによって形成した第1の欠陥部と、
該第1の欠陥部を含む層とは異なる層に位置し、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる柱状構造の一部の柱状構造を該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる他の柱状構造の媒質の屈折率とは異なる屈折率の媒質で形成した第2の欠陥部と、を有し、
該第1の欠陥部と該第2の欠陥部を積層方向に結ぶ長さが、該3次元フォトニック結晶の面外格子周期の半分の長さ以上、1.5倍の長さ以下であり、
該積層方向に導波するモードを有しないことを特徴とする導波路。 - 完全フォトニックバンドを有する3次元フォトニック結晶と、
該3次元フォトニック結晶中の周期を乱す複数の線状欠陥部と、
を有する導波路であって、
該3次元フォトニック結晶は、複数の柱状構造が所定の間隔を空けて平行に配列された第1の層と、
該第1の層の前記柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第2の層と、
該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第3の層と、
該第2の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第4の層と、
前記4つの層の各層に平行な面内において、該面内方向に互いに接しないように離散的に配置された離散構造を含む層を1層以上含む付加層を有し、
該第1の層から該第4の層が各層の間にそれぞれ該付加層を介して順次、
該第1の層と該第3の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層され、
該第2の層と該第4の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層されており、
該付加層に含まれる離散構造は該柱状構造の交点に相当する位置に配置されており、
前記複数の線状欠陥部は、
該第1の層の前記柱状構造が存在する一部の領域を該柱状構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造が存在しない領域にするか、あるいは、該柱状構造が存在する一部の領域および該離散構造の一部の領域を該柱状構造および該離散構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造および該離散構造が存在しない領域とすることによって形成した第1の欠陥部と、
該第1の欠陥部を含む層とは異なる層に位置した離散構造の一部を、該離散構造が位置する層と同じ層の他の離散構造の媒質の屈折率と異なる屈折率の媒質より形成した第2の欠陥部とを有し、
該第1の欠陥部と該第2の欠陥部を積層方向に結ぶ長さが該3次元フォトニック結晶の面外格子周期の半分の長さ以上、1.5倍の長さ以下であり、
該積層方向に導波するモードを有しないことを特徴とする導波路。 - 完全フォトニックバンドを有する3次元フォトニック結晶と、
該3次元フォトニック結晶中の周期を乱す複数の線状欠陥部と、
を有する導波路であって、
該3次元フォトニック結晶は、複数の柱状構造が所定の間隔を空けて平行に配列された第1の層と、
該第1の層の前記柱状構造とは異なる方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第2の層と、
該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第3の層と、
該第2の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる複数の柱状構造が、前記所定の間隔を空けて平行に配列された第4の層と、
前記4つの層の各層に平行な面内において、該面内方向に互いに接しないように離散的に配置された離散構造を含む層を1層以上含む付加層を有し、
該第1の層から該第4の層が各層の間にそれぞれ該付加層を介して順次、
該第1の層と該第3の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層され、
該第2の層と該第4の層に含まれる柱状構造が、相互に該柱状構造の延びる方向と垂直な方向に前記所定の間隔の半分ずれるように積層されており、
該付加層に含まれる離散構造は該柱状構造の交点に相当する位置に配置されており、
前記複数の線状欠陥部は、
該第1の層の前記柱状構造が存在する一部の領域を該柱状構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造が存在しない領域にするか、あるいは、該柱状構造が存在する一部の領域および該離散構造の一部の領域を該柱状構造および該離散構造とは異なる媒質の領域又は、該柱状構造および該離散構造が存在しない領域とすることによって形成した、第1の欠陥部と、
該第1の欠陥部を含む層とは異なる層に位置し、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる柱状構造の一部の柱状構造を、該第1の層の前記柱状構造と同じ方向に延びる他の柱状構造の媒質の屈折率とは異なる屈折率の媒質で形成し、かつ該第1の欠陥部を含む層とは異なる層に位置した離散構造の一部を、該離散構造が位置する層と同じ層の他の離散構造の媒質の屈折率と異なる屈折率の媒質より形成した第2の欠陥部と、を有し、
該第1の欠陥部と該第2の欠陥部を積層方向に結ぶ長さが該3次元フォトニック結晶の面外格子周期の半分の長さ以上、1.5倍の長さ以下であり、
該積層方向に導波するモードを有しないことを特徴とする導波路。 - 前記第2の欠陥部の柱状構造は、前記第1の欠陥部の積層方向であって、最も第1の欠陥部の近傍に位置する、該第1の欠陥部の柱状構造と同じ方向に延びる柱状構造より成ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の導波路。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の導波路と、点欠陥共振器と、から構成され、該点欠陥共振器から光を該導波路へ抽出することを特徴とする発光素子。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の導波路の、前記線状欠陥部の内部に活性媒質を有する導波路と、該活性媒質を励起する励起手段と、
を有することを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の導波路と、点欠陥共振器と、から構成されていることを特徴とする光合分波回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005329024A JP4684861B2 (ja) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | 導波路及びそれを有するデバイス |
US11/558,563 US7751669B2 (en) | 2005-11-14 | 2006-11-10 | Waveguide and device including the same |
EP06123962.0A EP1793248B1 (en) | 2005-11-14 | 2006-11-13 | Waveguide and device including the same |
CNB2006101446848A CN100429542C (zh) | 2005-11-14 | 2006-11-14 | 波导以及包括该波导的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005329024A JP4684861B2 (ja) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | 導波路及びそれを有するデバイス |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007133331A JP2007133331A (ja) | 2007-05-31 |
JP2007133331A5 JP2007133331A5 (ja) | 2008-12-18 |
JP4684861B2 true JP4684861B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=37714392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005329024A Expired - Fee Related JP4684861B2 (ja) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | 導波路及びそれを有するデバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7751669B2 (ja) |
EP (1) | EP1793248B1 (ja) |
JP (1) | JP4684861B2 (ja) |
CN (1) | CN100429542C (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4603847B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-12-22 | キヤノン株式会社 | 共振器および発光素子および波長変換素子 |
JP4549363B2 (ja) | 2007-05-18 | 2010-09-22 | 株式会社リコー | 電気泳動粒子及びこれを利用した画像表示装置 |
JP5173386B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 3次元フォトニック結晶及び機能素子 |
JP5188259B2 (ja) * | 2008-05-02 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | 3次元フォトニック結晶を用いた発光素子 |
SE533188C2 (sv) | 2008-11-03 | 2010-07-13 | Detach Ab | Sätt för rengöring av djurburar |
JP2012226081A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Canon Inc | X線導波路 |
CN102213793B (zh) * | 2011-05-10 | 2013-05-01 | 中国科学院半导体研究所 | 复合结构光子晶体 |
CN110133875A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 中国科学院金属研究所 | 一种具有超晶格结构的光学窗口及其制备方法和对太赫兹波的调控应用 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001074955A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Susumu Noda | フォトニック結晶導波路 |
JP2001261977A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Yoshio Miyamoto | 三次元周期構造体およびその製造方法 |
JP2001272555A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Kansai Tlo Kk | 2次元フォトニック結晶導波路、および波長分波器 |
JP2003224322A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ用2波長半導体レーザ光源 |
JP2004004419A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Japan Science & Technology Corp | 導波路を備えた3次元フォトニック結晶光共振器 |
JP2004006567A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Japan Science & Technology Corp | 点欠陥3次元フォトニック結晶光共振器 |
JP2005157336A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-16 | Canon Inc | 光素子の作製方法、3次元積層構造を有する光素子 |
JP2005292787A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-10-20 | Canon Inc | 3次元周期構造及びそれを有する機能素子および発光素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6690876B2 (en) * | 2001-06-27 | 2004-02-10 | Agilent Technologies, Inc. | Three-dimensional photonic crystal waveguide apparatus |
US7194174B2 (en) | 2001-10-19 | 2007-03-20 | Ignis Technologies As | Integrated photonic crystal structure and method of producing same |
US6957003B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-10-18 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Creating large bandwidth line defects by embedding dielectric waveguides into photonic crystal slabs |
JP4612844B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 3次元周期構造及びそれを有する機能素子 |
-
2005
- 2005-11-14 JP JP2005329024A patent/JP4684861B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-10 US US11/558,563 patent/US7751669B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-13 EP EP06123962.0A patent/EP1793248B1/en not_active Not-in-force
- 2006-11-14 CN CNB2006101446848A patent/CN100429542C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001074955A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Susumu Noda | フォトニック結晶導波路 |
JP2001261977A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Yoshio Miyamoto | 三次元周期構造体およびその製造方法 |
JP2001272555A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Kansai Tlo Kk | 2次元フォトニック結晶導波路、および波長分波器 |
JP2003224322A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ用2波長半導体レーザ光源 |
JP2004004419A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Japan Science & Technology Corp | 導波路を備えた3次元フォトニック結晶光共振器 |
JP2004006567A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Japan Science & Technology Corp | 点欠陥3次元フォトニック結晶光共振器 |
JP2005157336A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-16 | Canon Inc | 光素子の作製方法、3次元積層構造を有する光素子 |
JP2005292787A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-10-20 | Canon Inc | 3次元周期構造及びそれを有する機能素子および発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070110382A1 (en) | 2007-05-17 |
CN100429542C (zh) | 2008-10-29 |
US7751669B2 (en) | 2010-07-06 |
JP2007133331A (ja) | 2007-05-31 |
EP1793248B1 (en) | 2013-10-02 |
EP1793248A1 (en) | 2007-06-06 |
CN1967299A (zh) | 2007-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4612844B2 (ja) | 3次元周期構造及びそれを有する機能素子 | |
JP4684861B2 (ja) | 導波路及びそれを有するデバイス | |
Noda | Recent progresses and future prospects of two-and three-dimensional photonic crystals | |
JP5188009B2 (ja) | 3次元周期構造及びそれを有する機能素子および発光素子 | |
JP4921038B2 (ja) | 共振器及びこれを用いた発光素子 | |
EP1445630B1 (en) | Two-dimensional photonic crystal cavity and channel add/drop filter | |
JP4769658B2 (ja) | 共振器 | |
JP4637071B2 (ja) | 3次元フォトニック結晶及びそれを用いた機能素子 | |
JP6251159B2 (ja) | 光素子 | |
US7502541B2 (en) | Resonator, light emitting device, and wavelength conversion device | |
JP4689441B2 (ja) | 導波路及びそれを有するデバイス | |
WO2013015906A2 (en) | 2-pattern compound photonic crystals with a large, complete photonic band gap | |
JP5002216B2 (ja) | 導波路及びそれを有する発光素子 | |
Olivier et al. | Cascaded photonic crystal guides and cavities: spectral studies and their impact on integrated optics design | |
Viktorovitch et al. | Surface addressable photonic crystal membrane resonators: generic enablers for 3D harnessing of light | |
Noda | Photonic crystal technologies: Experiment | |
JP5451367B2 (ja) | 3次元フォトニック結晶および発光素子 | |
Viktorovitch et al. | Two-dimensional photonic crystal microlasers | |
Imada et al. | Semiconductor photonic crystals for lasers and functional devices | |
JP2011133725A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081030 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081030 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |