JP4679302B2 - 直流−交流変換器 - Google Patents
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Description
4 4a 4b 6 6a 6b MOSFET(電力半導体素子)
8 直流電源回路(直流電圧供給手段)
10 負荷
22 トランジスタ(常閉スイッチング素子)
25 制御回路(制御手段)
Claims (7)
- 制御電極に駆動信号が供給されたとき導電路が導通状態に変化させられる2つの電力半導体素子の前記導電路を直列に接続した直列回路を少なくとも1つ有し、前記直流回路の両端が、電源スイッチの閉成に応動して動作する電力半導体素子用直流電源に接続され、前記2つの電力半導体素子の導電路の相互接続点が負荷の一端に接続され、前記制御電極に交互に駆動信号が供給される出力段と、
前記各電力半導体素子の制御電極に前記駆動信号を供給する駆動手段と、
前記電源スイッチの閉成に応動し最終値まで過渡的に電圧が変化し、この電圧を前記駆動手段に動作電圧として供給する駆動手段用直流電源と、
前記駆動手段用直流電源の電圧が動作電圧として供給され、前記駆動手段用直流電源の電圧の変化時に、前記最終値よりも小さくかつ前記最終値の近傍に予め定めた閾値に前記電圧が到達するまで、前記2つの電力半導体素子の少なくとも一方の前記制御電極への前記駆動信号の供給を阻止する阻止手段とを、
具備する直流−交流変換器。 - 請求項1記載の直流−交流変換器において、前記阻止手段が、前記電力半導体素子の制御電極とこの制御電極に対する基準電位点との間に接続された常閉型スイッチング素子と、前記電圧の値が閾値に到達すると、前記常閉型スイッチング素子を開放する制御手段とを、具備する直流−交流変換器。
- 請求項2記載の直流−交流変換器において、前記常閉型スイッチング素子が、第1導電路と第1制御電極とを有し、第1導電路を前記電力半導体素子の制御電極と前記基準電位点との間に接続し、第1制御電極に供給される制御信号の値の増加に応じて前記第1導電路の導電度を増加させる第1の半導体素子であって、第1制御電極に前記駆動手段用直流電源からの電圧に関連した電圧が供給され、前記制御手段が、第2導電路と第2制御電極とを有し、第2導電路を前記第1の半導体素子の第1制御電極と前記基準電位点との間に接続し、第2制御電極に供給される制御信号の値の増加に応じて前記第2導電路の導電度を増加させる第2の半導体素子であって、第2の制御電極に前記駆動手段用直流電源の電圧増加に応じて値が増加する制御信号が供給される直流−交流変換器。
- 請求項1記載の直流−交流変換器において、前記阻止手段が、前記電力半導体素子の制御電極と前記駆動手段との間に介在する常閉型スイッチング素子と、前記駆動手段用直流電源の電圧の値が前記閾値に到達すると、前記常開型スイッチング素子を閉成する制御手段とを、具備する直流−交流変換器。
- 請求項1記載の直流−交流変換器において、前記電力半導体素子が、制御電極として前記導電路から絶縁された絶縁ゲートを有し、前記駆動信号として駆動電圧が供給される直流−交流変換器。
- 請求項1記載の直流−交流変換器において、前記出力段が2つの前記電力半導体素子を有するハーフブリッジ型である直流−交流変換器。
- 請求項1記載の直流−交流変換器において、前記出力段が4つの前記電力半導体素子を有するフルブリッジ型である直流−交流変換器。
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