JP4665849B2 - Method for manufacturing piezoelectric vibration device - Google Patents
Method for manufacturing piezoelectric vibration device Download PDFInfo
- Publication number
- JP4665849B2 JP4665849B2 JP2006174320A JP2006174320A JP4665849B2 JP 4665849 B2 JP4665849 B2 JP 4665849B2 JP 2006174320 A JP2006174320 A JP 2006174320A JP 2006174320 A JP2006174320 A JP 2006174320A JP 4665849 B2 JP4665849 B2 JP 4665849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- region
- excitation electrode
- etching
- excitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 98
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 74
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 59
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は、電子機器に用いられる水晶振動子等の圧電振動デバイスに関するものである。 The present invention relates to a piezoelectric vibration device such as a crystal resonator used in an electronic apparatus.
ATカット水晶振動素子を用いた厚み振動系水晶振動子は、一般に水晶振動素子の表裏面に一対の励振電極を正対向して形成し、当該励振電極に交流電圧を印加する構成である。このような圧電振動子の諸特性は励振電極の構成に依存する。例えば大きなサイズの電極を用いることにより励振領域を広くし、直列共振抵抗を改善したり、周波数可変量を広くすることができる。 A thickness vibration type crystal resonator using an AT-cut crystal resonator element generally has a configuration in which a pair of excitation electrodes are formed on the front and back surfaces of a crystal resonator element so as to face each other and an AC voltage is applied to the excitation electrodes. Various characteristics of such a piezoelectric vibrator depend on the configuration of the excitation electrode. For example, by using a large size electrode, the excitation region can be widened, the series resonance resistance can be improved, and the frequency variable amount can be widened.
また水晶振動子の諸特性は水晶振動素子(水晶振動板)の構成にも大きく依存する。例えば水晶振動素子は加工条件あるいは加工バラツキにより、板面の平面平行度が均一でない場合があり、このような場合スプリアス振動を強く励振させ、水晶振動子としての特性を悪化させることがあった。このような問題は外部電圧を変化させることにより主振動周波数を可変する電圧制御型圧電発振器においては、周波数を大きく可変させる場合に顕著に現れることがある。すなわち、主振動周波数の可変は前述のスプリアス振動とのカップリングを起こす可能性が高くなり、周波数のジャンプ現象が生じたり、発振が不安定になるという不具合が発生することがあった。 In addition, various characteristics of the crystal resonator greatly depend on the configuration of the crystal resonator element (crystal resonator plate). For example, a crystal resonator element may not have a uniform plane parallelism due to processing conditions or processing variations. In such a case, spurious vibration is strongly excited and the characteristics as a crystal resonator may be deteriorated. Such a problem may be noticeable when the frequency is greatly varied in a voltage controlled piezoelectric oscillator that varies the main vibration frequency by changing the external voltage. That is, when the main vibration frequency is changed, there is a high possibility that the coupling with the above-described spurious vibration occurs, and there is a problem that the frequency jump phenomenon occurs or the oscillation becomes unstable.
先に本出願人は特願2005−267732号や特願2006−91885号を出願し、水晶振動板に形成された励振電極に切り欠き等を設けることにより、上述のスプリアス振動を抑制する構成について提案している。このような構成を水晶振動子等の圧電振動デバイスに対する要求仕様毎に適宜採用することにより、最適な特性を得ていた。しかしながらこのような構成は予め切り欠きの形状、サイズ、配置を決定しておく必要があるため、圧電振動デバイスの特性の微調整がやや困難であるという問題点を有していた。 The applicant previously filed Japanese Patent Application No. 2005-267732 and Japanese Patent Application No. 2006-91885, and provided a notch or the like in the excitation electrode formed on the crystal diaphragm to suppress the above-mentioned spurious vibration. is suggesting. By adopting such a configuration as appropriate for each required specification for a piezoelectric vibration device such as a crystal resonator, optimum characteristics have been obtained. However, such a configuration has a problem that it is somewhat difficult to finely adjust the characteristics of the piezoelectric vibration device because it is necessary to determine the shape, size, and arrangement of the notches in advance.
なお、上述のように水晶振動板の平面平行度のバラツキにより特性が悪化することについては、例えば特開2001−196890号(特許文献1)に開示されている。当該特許文献においては、対向電極(励振電極)の一方は2つの分割電極からなる構成とし、当該分割電極はそれぞれ他方の対向電極との間の共振周波数をほぼ一致させることにより特性を改善するものであり、分割電極は導通手段によって互いに電気的に導通している構成が開示されている。各分割電極についてそれぞれ共振周波数をほぼ一致させるには、例えばいずれかの電極に対して蒸着等により周波数調整を行う方法等がある。 Incidentally, as described above, the deterioration of the characteristics due to the variation in the plane parallelism of the crystal diaphragm is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-196890 (Patent Document 1). In this patent document, one of the counter electrodes (excitation electrodes) is composed of two split electrodes, and the split electrodes improve the characteristics by making the resonance frequency between the counter electrodes substantially coincide with each other. And the structure which the division | segmentation electrode is mutually electrically connected by the conduction | electrical_connection means is disclosed. In order to make the resonance frequencies substantially the same for each divided electrode, for example, there is a method of adjusting the frequency by vapor deposition or the like for any one of the electrodes.
しかしながら共振周波数の調整においては、分割電極のいずれか一方に対して調整を行うことが一般的であるが、振動バランスを調整するにあたっては調整対象の分割電極を決定する工程が必要となる。 However, in adjusting the resonance frequency, it is common to adjust either one of the divided electrodes. However, in order to adjust the vibration balance, a step of determining the divided electrode to be adjusted is required.
またこのような分割電極を形成する構成は、当該水晶振動板の各電極に対して独立して電気的機械的接続する電極パッドを持ったパッケージを用意することが必要であり、さらに周波数調整後にこの独立した電極パッドを共通接続する配線パターンを実装基板側に形成する必要がある等、取り扱いが面倒であるという問題点を有していた。 In addition, the configuration for forming such divided electrodes requires that a package having electrode pads that are electrically and mechanically connected to each electrode of the quartz crystal diaphragm independently be prepared, and further after frequency adjustment. There is a problem that handling is troublesome, for example, it is necessary to form a wiring pattern for commonly connecting the independent electrode pads on the mounting substrate side.
なお、平面平行度の問題に言及はしていないが、励振電極の形状を変化させる構成として特開平10−98351号(特許文献2)がある。特許文献2は水晶板の一方の主面に入力電極と出力電極が所定の間隔で近接して形成され、他方の主面にその入力電極及び出力電極に対応する共通電極が設けられた水晶フィルタ構成であり、基本的には非調和オーバートーンモードを抑制する構成が開示されている。 Although no mention is made of the problem of plane parallelism, there is JP-A-10-98351 (Patent Document 2) as a configuration for changing the shape of the excitation electrode. Patent Document 2 discloses a crystal filter in which an input electrode and an output electrode are formed close to each other at a predetermined interval on one main surface of a crystal plate, and a common electrode corresponding to the input electrode and the output electrode is provided on the other main surface. A configuration that basically suppresses the anharmonic overtone mode is disclosed.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、圧電振動板に生じる各種スプリアス振動を効率的に抑制し、最適な特性調整を行うことのできる圧電振動デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to provide a piezoelectric vibration device that can efficiently suppress various spurious vibrations generated in a piezoelectric diaphragm and perform optimum characteristic adjustment. .
上記の目的を達成するために、本発明者は、圧電振動板上に形成される金属膜材料毎のエッチングレートに着目したものであり、励振電極の上面の一部にエッチングレートの異なる金属膜を用いたものであり、次のような製造方法により実現したものである。 In order to achieve the above object, the present inventor paid attention to an etching rate for each metal film material formed on the piezoelectric diaphragm, and a metal film having a different etching rate on a part of the upper surface of the excitation electrode. This is realized by the following manufacturing method.
すなわち、請求項1に示すように、表裏主面に金属膜からなる励振電極が対向して形成された厚みすべり振動で動作するATカット水晶振動板を有し、前記励振電極全体に対してドライエッチングまたはウェットエッチングにより特性調整を行う圧電振動デバイスの製造方法において、前記励振電極の上面であって、当該励振電極の外周または外周近傍を含む一部領域にエッチングレートの異なる金属膜を形成する電極形成工程と、当該電極形成工程の後、励振電極全体に対してエッチング処理を行うことにより、特性の調整を行う特性調整工程とを有する圧電振動デバイスの製造方法である。 In other words, the present invention has an AT-cut quartz crystal diaphragm that is operated by a thickness-shear vibration in which excitation electrodes made of a metal film are formed opposite to each other on the front and back main surfaces, and is dry with respect to the entire excitation electrode. In the method of manufacturing a piezoelectric vibration device in which characteristics are adjusted by etching or wet etching, electrodes that form metal films having different etching rates on a part of the upper surface of the excitation electrode including the outer periphery or the vicinity of the outer periphery of the excitation electrode This is a method for manufacturing a piezoelectric vibration device having a forming step, and a characteristic adjusting step for adjusting the characteristics by performing an etching process on the entire excitation electrode after the electrode forming step.
励振電極の上面の一部にエッチングレートの異なる金属膜を形成したことにより、励振電極形成後、当該励振電極全体に対しエッチングを行った場合、特別なマスキング手段を用いなくても、エッチングレートの異なる金属膜部分のみが他と異なるレートでエッチングを行うことができる。これにより圧電振動板に対する金属膜による重み付け分布が励振電極内で変動するため、圧電振動板の特性を調整することができる。例えば、励振電極の一部にエッチングレートの大きい金属膜を形成することにより、励振電極全体に対してエッチングを実行してもエッチングレートの大きい金属膜部分のみエッチング量が大きくなり、その結果、部分的に早い質量減を行うことにより特性調整を行うことができる。また逆に励振電極の一部にエッチングレートの小さい金属膜を形成することによっても部分的に早い質量減を行うことにより特性調整を行うことができる。 By forming a metal film having a different etching rate on a part of the upper surface of the excitation electrode, the etching rate can be adjusted without using a special masking means when etching the entire excitation electrode after forming the excitation electrode. Only different metal film portions can be etched at a different rate. As a result, the weighting distribution due to the metal film on the piezoelectric diaphragm varies within the excitation electrode, so that the characteristics of the piezoelectric diaphragm can be adjusted. For example, by forming a metal film having a high etching rate on a part of the excitation electrode, even if etching is performed on the entire excitation electrode, only the metal film part having a high etching rate increases the etching amount. Therefore, the characteristic adjustment can be performed by performing a rapid mass reduction. On the other hand, the characteristic adjustment can be performed by forming a metal film having a small etching rate on a part of the excitation electrode, by partially reducing the mass.
なお、励振電極全体に対してエッチングを行うことにより、エッチングレートの低い領域と高い領域の膜厚差が徐々に広がるので、膜厚差による特性の微調整を行うことができる。 By etching the entire excitation electrode, the film thickness difference between the low etching rate region and the high etching region gradually widens, so that the characteristics can be finely adjusted by the film thickness difference.
厚みすべり振動で動作するATカット水晶振動板を用いた場合、前述の本出願人による特願2005−267732号や特願2006−91885号に記載した切り欠き等のように励振電極の外周を含む領域に対して他の励振電極領域と膜厚を異ならせることによりスプリアス振動の抑制が期待できる。例えば、励振電極が矩形形状である場合、各辺の中央部分やあるいは当該中央部分から両側に偏在した部分の電極上面に、エッチングレートの異なる金属膜としてエッチングレートの大きい金属膜を形成する。そして励振電極全体をエッチングすることにより、エッチングレートの大きい金属膜は他の励振電極領域よりエッチング量が大きくなり、電極膜の薄肉化が早く進むのでスプリアス振動の抑制を行うことができる。また上述のとおり、スプリアス抑制状況はオシロスコープ等の波形モニタでモニタリングすることができる。スプリアス振動が十分に抑制された時点でエッチングを終了することにより、適切な特性調整を行うことができる。 In the case of using an AT-cut quartz diaphragm that operates with thickness shear vibration, the outer periphery of the excitation electrode is included as in the notches described in Japanese Patent Application Nos. 2005-267732 and 2006-91885 by the applicant. Suppression of spurious vibration can be expected by making the film thickness different from that of other excitation electrode regions. For example, when the excitation electrode has a rectangular shape, a metal film having a high etching rate is formed as a metal film having a different etching rate on the upper surface of the electrode in the central portion of each side or a portion unevenly distributed on both sides of the central portion. By etching the entire excitation electrode, the metal film having a high etching rate has a larger etching amount than the other excitation electrode regions, and the electrode film can be thinned quickly, so that spurious vibration can be suppressed. Further, as described above, the spurious suppression status can be monitored with a waveform monitor such as an oscilloscope. By terminating the etching when the spurious vibration is sufficiently suppressed, appropriate characteristic adjustment can be performed.
なお、上記エッチングはドライエッチングやウェットエッチングを用いることができる。ドライエッチングにおいては、金属材料に対して反応性ガスを用いるものやそうでないものを適用することができ、エッチング対象となる電極膜(金属材料)に応じて選択すればよい。 The etching can be dry etching or wet etching. In dry etching, a metal material that uses a reactive gas or a metal material that does not, can be applied, and may be selected according to the electrode film (metal material) to be etched.
上記製造方法によれば、励振電極の上面の一部にエッチングレートの異なる金属膜を形成し、励振電極形成後、当該励振電極全体に対しドライエッチングまたはウェットエッチングを行うことにより、特別なマスキング手段を用いなくても、エッチングレートの異なる金属膜部分のみが他と異なるレートでエッチングを行うことができる。これにより圧電振動板に対する金属膜による重み付け分布が励振電極内で変動するため、圧電振動板の特性を調整することができる。例えば、励振電極の一部にエッチングレートの大きい金属膜を形成することにより、励振電極全体に対してエッチングを実行してもエッチングレートの大きい金属膜部分のみエッチング量が大きくなり、その結果、部分的に早い質量減を行うことにより特性調整を行うことができる。また逆に励振電極の一部にエッチングレートの小さい金属膜を形成することによっても部分的に早い質量減を行うことにより特性調整を行うことができる。 According to the above manufacturing method, a special masking means is formed by forming metal films having different etching rates on a part of the upper surface of the excitation electrode, and performing dry etching or wet etching on the entire excitation electrode after forming the excitation electrode. Even without using, only the metal film portions having different etching rates can be etched at a different rate. As a result, the weighting distribution due to the metal film on the piezoelectric diaphragm varies within the excitation electrode, so that the characteristics of the piezoelectric diaphragm can be adjusted. For example, by forming a metal film having a high etching rate on a part of the excitation electrode, even if etching is performed on the entire excitation electrode, only the metal film part having a high etching rate increases the etching amount. Therefore, the characteristic adjustment can be performed by performing a rapid mass reduction. On the other hand, the characteristic adjustment can be performed by forming a metal film having a small etching rate on a part of the excitation electrode, by partially reducing the mass.
以上のように、本発明により、圧電振動板に生じる各種スプリアス振動を効率的に抑制し、最適な特性調整を行うことのできる圧電振動デバイスを得ることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a piezoelectric vibration device capable of efficiently suppressing various spurious vibrations generated in the piezoelectric diaphragm and performing optimum characteristic adjustment.
以下、本発明による第1の実施形態について図面に基づいて説明する。本実施の形態では、圧電振動板として厚みすべり振動にて動作するATカットの水晶振動板を例にとり説明する。 Hereinafter, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, an AT-cut quartz crystal diaphragm that operates by thickness shear vibration will be described as an example of a piezoelectric diaphragm.
図1は励振電極の形成された水晶振動板の表面の平面図であり、図2は図1のA−A断面図、図3は励振電極形成工程を示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view of the surface of a quartz crystal plate on which excitation electrodes are formed, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing an excitation electrode forming process.
水晶振動板1は平板状のATカット水晶振動素子からなり、X軸が長辺、Z軸が短辺となる長方形形状となっている。また水晶振動板1の表裏面の中央領域に各々励振電極11,12および各励振電極とつながる引出電極111,121が形成されている。
The
励振電極11は引出電極111により水晶振動板1の短辺側であって、当該短辺の一角部分に引き出され、励振電極12は引出電極121により同じ短辺側の他角部分に引き出されている。なお、引出電極111,121はそれぞれ水晶振動板の側面を介して反対面に引き出されている。
The
これら励振電極11,12は長辺が水晶振動板のX軸に、短辺がZ軸にそれぞれ沿った構成で、全体として長方形形状である。励振電極11は第1の領域110と複数の第2の領域11A,11B,11C,11Dとからなる。第1の領域110はその上面(表面)がクロム層からなり、ドライエッチングにおけるエッチングレートが比較的小さい材料からなっている。第2の領域11A,11B,11C,11Dはその上面(表面)が銀層からなり、前記第1の領域(クロム層)よりエッチングレートが大きい材料からなっている。また第2の領域11A,11B,11C,11Dは励振電極の各辺の中央部分に形成されている。当該領域は主振動周波数近傍に生じるスプリアス振動と関連する領域であり、当該領域の重み付けを変更することによりスプリアス振動の抑制が可能となる。
These
図2に示すように水晶振動板1に形成される励振電極11、12は多層電極構成である。水晶振動板1に接してクロム層11a,12aが対向して設けられ、当該クロム層の上面に銀層11b,12bがそれぞれ設けられている。さらに当該銀層の上面には第2のクロム層11c,12cが形成されているが、当該第2のクロム層11c,12cは銀層上面の一部領域には設けられておらず、具体的には前記第2の領域11A,11B,11C,11Dにはクロム層が形成されていない。このような電極層構成により、励振電極の上面(表面)は、各辺の中央部分に第2の領域11A,11B,11C,11Dとして銀層が露出しており、それ以外の領域は第1の領域としてクロム層が形成されている。なお図示していないが水晶振動板の裏面にも上述のような第1の領域と第2の領域が形成された励振電極が構成されている。
As shown in FIG. 2, the
なお、上記第2の領域を形成する薄膜形成法の一例を図3とともに説明する。前述のとおり水晶振動板に対しクロム層、銀層の順で真空蒸着法あるいはスパッタリング法により電極形成を行う。この電極形成に際しては、励振電極部分および引出電極部分のみ開口した開口窓を有する蒸着マスク(図示せず)を用いる。その後、図3に示すように蒸着マスクMを用いてクロム層の形成を行う。ここで用いる蒸着マスクMは励振電極に対応した部分に突出部M1を形成した構成で引出電極に対応した領域も含んで開口窓M2を有している。このような蒸着マスクを晶振動板の上面に配置し真空蒸着法あるいはスパッタリング法により第2のクロム層を形成する。このような方法により、図1に示すようなエッチングレートの小さい第1の領域110とエッチングレートの大きい複数の第2の領域11A,11B,11C,11Dを有する励振電極11を形成することができる。
An example of a thin film forming method for forming the second region will be described with reference to FIG. As described above, electrodes are formed on the quartz diaphragm in the order of a chromium layer and a silver layer by vacuum deposition or sputtering. In forming this electrode, a vapor deposition mask (not shown) having an opening window in which only the excitation electrode portion and the extraction electrode portion are opened is used. Thereafter, as shown in FIG. 3, a chromium layer is formed using the vapor deposition mask M. The vapor deposition mask M used here has an opening window M2 including a region corresponding to the extraction electrode in a configuration in which a protrusion M1 is formed in a portion corresponding to the excitation electrode. Such a vapor deposition mask is disposed on the upper surface of the crystal vibrating plate, and a second chromium layer is formed by vacuum vapor deposition or sputtering. By such a method, the
なお、第2の領域のそれぞれは、角部に曲率が形成された構成であってもよいし、また第2の領域の平面形状も外周側が広口になった略台形構成であってもよい。また長辺をZ軸方向、短辺をX軸方向とした矩形水晶振動板を用いてもよい。 Each of the second regions may have a configuration in which a curvature is formed at a corner, and the planar shape of the second region may have a substantially trapezoidal configuration with a wide mouth on the outer peripheral side. Further, a rectangular crystal diaphragm having a long side in the Z-axis direction and a short side in the X-axis direction may be used.
以上の構成の水晶振動板に対し、励振電極に対してエッチング処理を行うことにより特性の調整を行う。例えば、ドライエッチングの一手段であるイオンミーリングにより、励振電極表面の電極材料を漸次減じることにより調整を行う。より具体的には励振電極部分のみに対してイオンミーリングが行われるよう開口窓が設けられたミーリングマスクを用い、励振電極全体に対してイオンミーリングを実行する。前述のとおり励振電極にはエッチングレートの大きい領域と小さい領域が設けられており、イオンミーリングを進めることによりエッチングレートの大きい領域である第2の領域の膜厚が相対的に大きく減じられ、これによりスプリアス振動が抑制される。なお、イオンミーリング時にはミーリングマスクを用いずに水晶振動板全体に対してミーリングを行ってもよい。 The characteristics of the quartz diaphragm having the above configuration are adjusted by etching the excitation electrode. For example, adjustment is performed by gradually reducing the electrode material on the surface of the excitation electrode by ion milling, which is a means of dry etching. More specifically, ion milling is performed on the entire excitation electrode using a milling mask provided with an aperture window so that ion milling is performed only on the excitation electrode portion. As described above, the excitation electrode is provided with a region having a large etching rate and a region having a small etching rate, and the film thickness of the second region, which is a region having a large etching rate, is relatively greatly reduced by proceeding with ion milling. This suppresses spurious vibrations. In addition, at the time of ion milling, milling may be performed on the entire crystal diaphragm without using a milling mask.
以上により、スプリアス振動が抑制され所定の周波数に調整された水晶振動板1は、図示しないパッケージに搭載される。パッケージは平面視矩形状で、セラミックを主体として内外部に導体配線が形成されたセラミックパッケージであり、断面で見て水晶振動板1を収納する凹部を有し、その周囲に堤部が形成された箱状体構成である。パッケージの凹部の長辺方向一端には電極パッドが底部に対して一段高く形成されている。水晶振動板1は電極パッドに片持ち支持される。当該片持ち支持は、図示していない導電接着剤を用いて引出電極111,121と電極パッドを電気的機械的に接続する。そしてアニール処理等による安定化処理を行った後、図示しないリッドにてパッケージの開口部をシーム接合やビーム接合あるいはろう接合やガラス接合等の手段により、気密封止を行う。
As described above, the
本発明による第2の実施の形態について図4、図5とともに説明する。図4は励振電極の形成された水晶振動板の表面の平面図であり、図5は図4のB−B断面図である。本実施の形態においても水晶振動板2は平板状のATカット水晶振動素子からなり、X軸が短辺、Z軸が長辺になる長方形形状となっている。また水晶振動板2の表裏面の中央領域に各々励振電極21,22が形成されている。これら励振電極21,22は短辺が水晶振動板のX軸に、長辺がZ軸にそれぞれ沿った構成で、全体として長方形形状である。
A second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view of the surface of a quartz crystal plate on which excitation electrodes are formed, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. Also in the present embodiment, the crystal diaphragm 2 is composed of a flat AT-cut crystal resonator element, and has a rectangular shape with the X axis as the short side and the Z axis as the long side. In addition,
水晶振動板表面に形成された励振電極21には、複数の第1の領域210と十字形状の第2の領域21Aが設けられている。第1の領域210はその上面(表面)がニッケル層からなり、ドライエッチングにおけるエッチングレートが比較的小さい材料からなっている。第2の領域21Aはその上面(表面)が金層からなり、前記第1の領域(ニッケル層)よりエッチングレートが大きい材料からなっている。十字形状の第2の領域21Aは励振電極のほぼ中央部分において長辺両端と短辺両端に延びる構成となっている。また水晶振動板裏面に形成された励振電極22にはエッチングレートの異なる領域の設定はしていない。
A plurality of
図5に示すように水晶振動板2に形成される励振電極21、22は多層電極構成である。水晶振動板2に接してクロム層21a,22aが対向して設けられ、当該クロム層の上面に金層21b,22bがそれぞれ設けられている。さらに励振電極表面の金層の上面にはニッケル層21cが形成されているが、当該ニッケル層21cは金層上面の一部領域には設けられておらず、具体的には前記十字形状の第2の領域21Aにはニッケル層が形成されていない。また、第2の領域以外は第1の領域としてニッケル層が形成されている。
As shown in FIG. 5, the
裏面となる励振電極22側はクロム層22a,金層22bのみからなる構成であり、励振電極上面は金層のみであり、エッチングレートの異なる領域の設定はしていない。
The
本実施の形態による圧電振動デバイスは、水晶振動板の一方面(表面)の上面においては、エッチングレートの異なる金属膜構成であり、第1の領域は厚肉構成でその表面はエッチングレートの小さい構成である。また第2の領域は薄肉構成でその表面はエッチングレートの大きい構成である。当該一方面全面に対してエッチングを実行することによりエッチングレートの相違で、薄肉領域の厚さがさらに大きく減じられ、その結果、スプリアス振動の抑制を行うことができる。また水晶振動板の他方面(裏面)の上面においては、金層のみのエッチングレートの等しい金属膜構成であり、当該他方面全面に対してエッチングを実行することにより、例えばその圧電振動デバイス自体の共振周波数の調整等を行うことができる。実務上は、まず一方面を用いてスプリアス振動等の調整を行い、しかる後、他方面を用いて周波数を所望の周波数範囲に調整すれば効率的な調整を行うことができる。 The piezoelectric vibration device according to the present embodiment has a metal film structure with a different etching rate on the upper surface of one surface (surface) of the crystal vibration plate, the first region has a thick structure, and the surface has a low etching rate. It is a configuration. The second region has a thin structure and the surface has a high etching rate. By performing etching on the entire surface of the one surface, the thickness of the thin region is further greatly reduced due to the difference in the etching rate, and as a result, spurious vibration can be suppressed. In addition, the upper surface of the other surface (back surface) of the quartz diaphragm has a metal film configuration with only the gold layer having the same etching rate. By performing etching on the entire other surface, for example, the piezoelectric vibration device itself The resonance frequency can be adjusted. In practice, efficient adjustment can be performed by first adjusting spurious vibration or the like using one surface and then adjusting the frequency to a desired frequency range using the other surface.
以上の水晶振動板2は、図示していないがパッケージに搭載される。パッケージ搭載構成は前述した構成を適用すればよいが、水晶振動板2について上述の調整の一部をパッケージ搭載後に実行する場合は、まずパッケージ搭載前にエッチングレートの異なる金属膜構成である一方面を用いてスプリアス調整を完了させ、その後エッチングレートの等しい他方面を上方に向けて水晶振動板をパッケージに搭載し、この状態で他方面に対して最終的な周波数調整を施すようにすればよい。 Although not shown, the above quartz diaphragm 2 is mounted on a package. As the package mounting configuration, the above-described configuration may be applied. However, when a part of the adjustment described above is performed on the crystal diaphragm 2 after mounting the package, the metal film configuration having a different etching rate before mounting the package is first provided. Is used to complete the spurious adjustment, and then the quartz diaphragm is mounted on the package with the other surface having the same etching rate facing upward, and in this state, the final frequency adjustment is performed on the other surface. .
本発明による第3の実施の形態について図6、図7とともに説明する。図6は励振電極の形成された水晶振動板の表面の平面図であり、図7は水晶振動板の裏面の平面図である。水晶振動板3は平板状のATカット水晶振動素子からなり、X軸が長辺、Z軸が短辺になる長方形形状となっている。また水晶振動板1の表裏面の中央領域に各々励振電極31,32が形成されている。これら励振電極31,32は長辺がX軸に、短辺がZ軸に沿った構成で、全体として長方形形状であり、外周の一部領域には薄肉化された第2の領域と、それ以外であって、相対的に厚肉の第1の領域からなっている。
A third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a plan view of the surface of the quartz crystal plate on which the excitation electrode is formed, and FIG. 7 is a plan view of the back surface of the quartz plate. The quartz crystal plate 3 is composed of a flat AT-cut quartz crystal element and has a rectangular shape with the X axis as the long side and the Z axis as the short side. In addition,
励振電極31においては、当該第1の領域310はその上面(表面)がクロム層からなり、ドライエッチングにおけるエッチングレートが比較的小さい材料からなっている。また第2の領域31A,31B,31C,31D,31E,31Fはその上面(表面)が金層からなり、前記第1の領域(クロム層)よりエッチングレートが大きい材料からなっている。また励振電極31の外周近傍には、長辺の中央部分にそれぞれ1箇所に第2の領域31C、31Fが形成され、短辺においては中央部分から両外側に偏った位置に第2の領域31A、31B、31D,31Eが形成されている。第2の領域31Cと31Fは対向して形成され、第2の領域31Aと31E、第2の領域31Bと31Dもそれぞれ対向して形成されている。
In the
上記第2の領域は、厚みすべり振動の主振動近傍に現れるスプリアス振動、並びに主振動から少し高い周波数領域に現れる(1,1,3)モード等のスプリアス振動を抑制する領域に設定されている。従ってこの第2の領域の膜厚が相対的に第1の領域より大きく膜厚変化させることにより、上記スプリアス振動が効率的に抑制される。 The second region is set as a region for suppressing spurious vibrations that appear in the vicinity of the main vibration of the thickness shear vibration and spurious vibrations such as (1, 1, 3) mode that appear in a slightly higher frequency region from the main vibration. . Therefore, the spurious vibration is efficiently suppressed by changing the film thickness of the second region relatively larger than that of the first region.
励振電極32においても、第1の領域320はその上面(表面)がクロム層からなり、ドライエッチングにおけるエッチングレートが比較的小さい材料からなっている。また第2の領域32A,32B,32C,32D,32E,32F,32G,32Hはその上面(表面)が金層からなり、前記第1の領域(クロム層)よりエッチングレートが大きい材料からなっている。また励振電極32の外周近傍には、長辺の中央部分から両外側に偏った位置にそれぞれ1箇所に第2の領域32C、32D、32G,32Hが形成され、短辺においては中央部分から両外側に偏った位置に第2の領域32A、32B、32E,32Fが形成されている。第2の領域32Cと32H、32Dと32Gはそれぞれ励振電極の外周で対向して形成され、第2の領域32Aと32F、32Bと32Eもそれぞれ対向して形成されている。また、第2の領域31Aと32A、31Bと32B、31Dと32E、31Eと32Fもそれぞれ水晶振動板を介して表裏で対向している。
Also in the
なお、図示していないが、励振電極31,32は水晶振動板に接してクロム層が形成され、当該クロム層上に金層が全面に形成されている。そして、前記第2の領域部分を除いて前記金層に第2のクロム層を形成することにより、第1の領域310,320が形成される。
Although not shown, the
以上の構成の水晶振動板に対し、励振電極に対してエッチング処理を行うことにより特性の調整を行う。例えば、ドライエッチングの一手段であるイオンミーリングにより、励振電極表面の電極材料を漸次減じることにより調整を行う。より具体的には励振電極部分のみに対してイオンミーリングが行われるよう開口窓が設けられたミーリングマスクを用い、励振電極全体に対してイオンミーリングを実行する。前述のとおり励振電極にはエッチングレートの大きい領域と小さい領域が設けられており、イオンミーリングを進めることによりエッチングレートの大きい領域である第2の領域の膜厚が相対的に大きく減じられ、これによりスプリアス振動が抑制される。 The characteristics of the quartz diaphragm having the above configuration are adjusted by etching the excitation electrode. For example, adjustment is performed by gradually reducing the electrode material on the surface of the excitation electrode by ion milling, which is a means of dry etching. More specifically, ion milling is performed on the entire excitation electrode using a milling mask provided with an aperture window so that ion milling is performed only on the excitation electrode portion. As described above, the excitation electrode is provided with a region having a large etching rate and a region having a small etching rate, and the film thickness of the second region, which is a region having a large etching rate, is relatively greatly reduced by proceeding with ion milling. This suppresses spurious vibrations.
以上により、スプリアス振動が抑制され所定の周波数に調整された水晶振動板3は、図示しないパッケージに搭載される。パッケージは平面視矩形状で、セラミックを主体として内外部に導体配線が形成されたセラミックパッケージであり、断面で見て水晶振動板1を収納する凹部を有し、その周囲に堤部が形成された箱状体構成である。パッケージの凹部の長辺方向一端には電極パッドが底部に対して一段高く形成されている。水晶振動板3は電極パッドに片持ち支持される。当該片持ち支持は、図示していない導電接着剤を用いて引出電極311,321と電極パッドを電気的機械的に接続する。そしてアニール処理等による安定化処理を行った後、図示しないリッドにてパッケージの開口部をシーム接合やビーム接合あるいはろう接合やガラス接合等の手段により、気密封止を行う。
As described above, the crystal diaphragm 3 in which spurious vibration is suppressed and adjusted to a predetermined frequency is mounted on a package (not shown). The package has a rectangular shape in a plan view, and is a ceramic package in which conductor wiring is formed mainly inside and outside the ceramic. The package has a recess for accommodating the
本発明による第4の実施の形態について図8とともに説明する。図8は励振電極の形成された水晶振動板の断面図である。水晶振動板4の表裏には複数層の金属材料からなる励振電極41,42がそれぞれ設けられている。励振電極41、42は水晶振動板上にそれぞれクロム層41a,42aを表裏で対向して形成され、その上部に銀層41b,42bが形成されている。さらに水晶振動板の表面に形成された励振電極41においては電極の中央部分に細幅のクロム層41cを形成している。また水晶振動板の裏面に形成された励振電極42においては、前記クロム層41cに対向しない領域にクロム層42cが形成されている。このような構成により、励振電極41においては、エッチングレートの大きい第2の領域41Aが大きい構成とし、励振電極42においては、エッチングレートの大きい第2の領域42Aが小さい構成とすることができる。このような励振電極構成の水晶振動板を用いることにより、表面側のエッチング量と裏面側のエッチング量を適宜組みあわせることにより、スプリアス振動特性やあるいはそれ以外の特性について効率的に調整することができる。
A fourth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view of a quartz crystal plate on which excitation electrodes are formed.
本発明による第5の実施の形態について図9とともに説明する。図9は励振電極の形成された水晶振動板の断面図である。水晶振動板5の表裏には複数層の金属材料からなる励振電極51,52がそれぞれ設けられている。励振電極51、52は水晶振動板上にそれぞれクロム層51a,52aを表裏で対向して形成され、その上部に銀層51b,52bが形成されている。さらにその上部に第2のクロム層51c,52cが形成されている。本発明はさらにこの第2のクロム層51c,52c上部の一部に第2の銀層51c,52cが形成されている。これにより、第2のクロム層が露出している領域はエッチングレートの小さい第1の領域510、520とし、第2の銀層が露出している領域はエッチングレートの大きい第2の領域51A,51B、52A,52Bとすることができる。このような構成により、エッチングにより特性調整を行った場合、スプリアス振動特性やあるいはそれ以外の特性について効率的に調整することができる。
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of a quartz crystal plate on which excitation electrodes are formed.
本発明による第6の実施の形態について図10とともに説明する。図10は励振電極の形成された水晶振動板の断面図である。水晶振動板6の表裏には複数層の金属材料からなる励振電極61,62がそれぞれ設けられている。励振電極61、62は水晶振動板上にそれぞれクロム層61a,62aを表裏で対向して形成され、当該クロム層61a,62a上部の一部には金層61b、62bが形成され、他の部分には第2のクロム層61c、62cが形成されている。すなわち2層目の電極層は複数種の電極領域が同じ厚さで形成されている。これにより、第2のクロム層が露出している領域はエッチングレートの小さい第1の領域610、620とし、金層61b、62bが露出している領域はエッチングレートの大きい第2の領域61A,61B、62A,62Bとすることができる。このような構成により、エッチングにより特性調整を行った場合、スプリアス振動特性やあるいはそれ以外の特性について効率的に調整することができる。特に第1の領域と第2の領域の厚さが異なり段差部を有する場合は、当該段差部分の影響でエッチングの均一性が若干損なわれる可能性があるが、本実施の形態のように第1の領域と第2の領域の厚さが同じ場合は、エッチングによる調整において厚膜部分による陰でエッチングが不均一になるという問題をなくし、安定した特性調整が可能となる。
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of a quartz crystal plate on which excitation electrodes are formed. Excitation electrodes 61 and 62 made of a plurality of layers of metal materials are provided on the front and back surfaces of the crystal diaphragm 6. Excitation electrodes 61 and 62 are formed on a quartz diaphragm with chrome layers 61a and 62a facing each other, gold layers 61b and 62b are formed on part of the chrome layers 61a and 62a, and the other parts. Are formed with second chromium layers 61c and 62c. That is, in the second electrode layer, a plurality of types of electrode regions are formed with the same thickness. Thus, the region where the second chromium layer is exposed is the
本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば水晶振動素子は円形であってもよく、水晶振動素子の外形サイズや励振電極の外形サイズが異なったものにも適用可能である。また水晶振動子のみならず、圧電振動板が他の回路素子と複合化された圧電発振器や圧電フィルタ等にも適用することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the crystal resonator element may be circular, and the present invention can also be applied to a crystal resonator element having a different external size or different excitation electrode external size. Further, the present invention can be applied not only to a crystal resonator but also to a piezoelectric oscillator or a piezoelectric filter in which a piezoelectric diaphragm is combined with other circuit elements.
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。 The present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or main features thereof. Therefore, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.
水晶振動子の量産に適用できる。 Applicable for mass production of crystal units.
1,2,3,4、5,6 水晶振動板(水晶振動素子)
11,12,21,22,31,32,41,42、51,52,61,62 励振電極
110,210,310,320,410,420、510,520,610,620 第1の領域
1, 2, 3, 4, 5, 6 Quartz vibration plate (quartz crystal element)
11, 12, 21, 22, 31, 32, 41, 42, 51, 52, 61, 62
Claims (1)
前記励振電極の上面であって、当該励振電極の外周または外周近傍を含む一部領域にエッチングレートの異なる金属膜を形成する電極形成工程と、当該電極形成工程の後、励振電極全体に対してエッチング処理を行うことにより、特性の調整を行う特性調整工程とを有する圧電振動デバイスの製造方法。An electrode forming step of forming a metal film having a different etching rate in a partial area on the upper surface of the excitation electrode, including the outer periphery or the vicinity of the outer periphery of the excitation electrode, and after the electrode formation step, the entire excitation electrode A method for manufacturing a piezoelectric vibration device comprising: a characteristic adjusting step for adjusting characteristics by performing an etching process.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006174320A JP4665849B2 (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Method for manufacturing piezoelectric vibration device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006174320A JP4665849B2 (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Method for manufacturing piezoelectric vibration device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008005333A JP2008005333A (en) | 2008-01-10 |
JP4665849B2 true JP4665849B2 (en) | 2011-04-06 |
Family
ID=39009333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006174320A Expired - Fee Related JP4665849B2 (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Method for manufacturing piezoelectric vibration device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4665849B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9178471B2 (en) | 2013-07-25 | 2015-11-03 | Seiko Epson Corporation | Resonating element, resonator, oscillator, electronic apparatus, and mobile object |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007032444A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-22 | Daishinku Corporation | Crystal unit |
JP2013255051A (en) | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Seiko Epson Corp | Vibration element, vibrator, electronic device, electronic apparatus and manufacturing method of vibration element |
JP6175743B2 (en) | 2012-06-06 | 2017-08-09 | セイコーエプソン株式会社 | Manufacturing method of vibration element |
CN110426451B (en) * | 2019-07-15 | 2021-12-24 | Tcl华星光电技术有限公司 | Etching rate measuring device and lateral etching rate measuring method |
JP7311152B2 (en) * | 2020-03-18 | 2023-07-19 | 有限会社マクシス・ワン | Crystal oscillator electrode structure, crystal oscillator, crystal oscillator |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH031710A (en) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Kinseki Ltd | Piezoelectric vibration |
JPH04127705A (en) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Seiko Epson Corp | At cut crystal oscillator |
JPH08340230A (en) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Meidensha Corp | Crystal oscillator |
JP2000295065A (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Piezoelectric vibrator and its frequency adjusting method |
JP2001211052A (en) * | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Murata Mfg Co Ltd | Piezoelectric resonator |
JP2001244778A (en) * | 1999-12-22 | 2001-09-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | High-frequency piezoelectric vibrator |
JP2001257561A (en) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Miyota Kk | Third overtone crystal vibrator and its manufacturing method |
JP2003273682A (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | Frequency control method for piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator, and piezoelectric device |
JP2005192088A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Daishinku Corp | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrating device |
-
2006
- 2006-06-23 JP JP2006174320A patent/JP4665849B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH031710A (en) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Kinseki Ltd | Piezoelectric vibration |
JPH04127705A (en) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Seiko Epson Corp | At cut crystal oscillator |
JPH08340230A (en) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Meidensha Corp | Crystal oscillator |
JP2000295065A (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Piezoelectric vibrator and its frequency adjusting method |
JP2001244778A (en) * | 1999-12-22 | 2001-09-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | High-frequency piezoelectric vibrator |
JP2001211052A (en) * | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Murata Mfg Co Ltd | Piezoelectric resonator |
JP2001257561A (en) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Miyota Kk | Third overtone crystal vibrator and its manufacturing method |
JP2003273682A (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | Frequency control method for piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator, and piezoelectric device |
JP2005192088A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Daishinku Corp | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrating device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9178471B2 (en) | 2013-07-25 | 2015-11-03 | Seiko Epson Corporation | Resonating element, resonator, oscillator, electronic apparatus, and mobile object |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008005333A (en) | 2008-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5040654B2 (en) | Crystal oscillator | |
JP4281348B2 (en) | Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric device using the piezoelectric vibrating piece, mobile phone device using the piezoelectric device, and electronic equipment using the piezoelectric device | |
JP5912557B2 (en) | Tuning fork type piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device | |
JP4665849B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric vibration device | |
JP2011166364A (en) | Thickness system crystal oscillator | |
JP5272121B2 (en) | Quartz crystal unit, crystal unit, crystal oscillator, information communication device, and manufacturing method thereof | |
JP2011160094A (en) | Piezoelectric vibration chip | |
JPH0435108A (en) | Ultra thin plate multiple mode crystal filter element | |
JP2006270465A (en) | Method for adjusting frequency characteristics of piezoelectric vibrator | |
WO2016181881A1 (en) | Crystal oscillator and method for producing same | |
JPWO2006082736A1 (en) | Piezoelectric resonator and manufacturing method thereof | |
JP5679418B2 (en) | Tuning fork type bending crystal wafer | |
JP4577041B2 (en) | Method for adjusting frequency of piezoelectric vibrator | |
JP4196641B2 (en) | Ultra-thin piezoelectric device and manufacturing method thereof | |
JP2013236290A (en) | Crystal vibrating reed, crystal device, and method of manufacturing crystal vibrating reed | |
JP2022542478A (en) | thickness mode resonator | |
JPH06224677A (en) | Frequency adjusting method for piezoelectric resonator | |
JP2002368573A (en) | Superthin sheet piezoelectric vibrator and production method therefor | |
JP2005260692A (en) | Piezoelectric vibrating bar, piezoelectric vibrator and piezo-oscillator | |
JP2005192088A (en) | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrating device | |
WO2023008112A1 (en) | Crystal element and crystal device | |
JP5350101B2 (en) | Tuning fork type bending crystal unit | |
JP6687471B2 (en) | Crystal element and crystal device | |
JP2003115741A (en) | Piezoelectric resonator and overtone frequency adjusting method | |
JP2004304448A (en) | Crystal diaphragm |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101214 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |