JP4661523B2 - 計測プローブ及び計測プローブの製造方法 - Google Patents
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本発明に係る計測プローブの製造方法は、活性層が積層された半導体基板から、探針、カンチレバー、該カンチレバーを片持ち支持する基部をそれぞれ製造する計測プローブの製造方法において、前記半導体基板の積層方向に対して直交する方向に沿って前記探針と、この探針の自由端に前記カンチレバーとを一括形成する形成工程と、前記カンチレバーの歪みを検知する検知手段を前記カンチレバーに配する工程とを備え、前記形成工程において、前記カンチレバーを直線状に延びるように形成すると共に、前記探針を、この高さ方向が前記カンチレバーの延出方向と交差するように延出形成し、さらに、前記カンチレバーの前記自由端に窓を形成し、前記検知手段を前記カンチレバーに配する工程において、前記窓における前記カンチレバーの延出方向両端に、それぞれ前記検知手段を配することを特徴とする。
さらに、カンチレバーの歪みを検知手段によって自己検知することができ、光てこ方式のようにレーザ光を使用しなくてもカンチレバーの撓み量を把握することができる。
前記活性層を一括してエッチングする工程とを備えていることを特徴とする。
本実施形態に係る計測プローブ1は、図1及び図2に示すように、自由端2aに探針3が配されたカンチレバー2と、カンチレバー2の固定端2bが接続されてカンチレバー2を片持ち支持する基部5とを備えている。この計測プローブ1は、図3(a)に示すようなSOI(Silicon on insulator)基板(半導体基板)6から製造されている。
この計測プローブ1の製造方法は、図4に示すように、SOI基板6の積層方向に対して直交する方向を探針3の高さ方向として、探針3とカンチレバー2とを一括形成する形成工程(S01)と、第一ピエゾ抵抗体13及び第二ピエゾ抵抗体20をカンチレバー2及び基部5に配する工程(S02)とを備えている。
即ち、まず、図3及び図5(a)に示すように、SOI基板6の表面に、カンチレバーエッチング用マスク23を配する。このカンチレバーエッチング用マスク23は、SOI基板6上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによってパターニングを施して形成する。
まず、図5(d)に示すように、残された活性層10の表面の所定の位置にイオン注入法やイオン拡散法等によって不純物をドーピングして第一ピエゾ抵抗体13及び第二ピエゾ抵抗体20を形成する。そして、活性層10の上面に電気配線15,21となる導電膜を形成するとともに、外部接続端子16,22を配し、第一ピエゾ抵抗体13及び第二ピエゾ抵抗体20のそれぞれと外部接続端子16,22とを電気配線15,21によって電気的に接続する。
その後、電気配線15,21、第一ピエゾ抵抗体13及び第二ピエゾ抵抗体20の表面に図示しない絶縁膜を配して外部に対して絶縁させて計測プローブ1を得る。
なお、上述した第1の実施形態と同様の構成要素には同一符号を付すとともに説明を省略する。
第2の実施形態と第1の実施形態との異なる点は、本実施形態に係る計測プローブ30の探針31に、図6に示すように、SOI基板6の積層方向に延びる複数の孔32が配されているとした点である。なお、複数の孔32は、探針31を貫通していても貫通していなくても構わない。
まず、例えば、複数の孔32がハニカム形状となるように形成された、第1の実施形態に係るカンチレバーエッチング用マスク23と同様の図示しない孔用マスクを探針31の表面に形成する。そして、図示しないRIE装置を用いてエッチングを行い、複数の孔32を形成する。
この計測プローブ30及びその製造方法によれば、探針31に複数の孔32が設けられるので、探針31の質量を軽量化することができる。従って、探針31が配された状態のカンチレバー2の重心を孔32がない状態よりもカンチレバー2の固定端2b側に移動させることができる。
例えば、試料の表面電位を測定する場合等のために、探針の表面に導電膜を配しても構わない。
2 カンチレバー
2a 自由端
3,31 探針
5 基部
6 SOI基板(半導体基板)
7 支持層
8 内部酸化層
10 活性層
11 第一窓(窓)
13 第一ピエゾ抵抗体(検出手段)
32 孔
Claims (5)
- 活性層が積層された半導体基板から、探針、カンチレバー、該カンチレバーを片持ち支持する基部をそれぞれ製造する計測プローブの製造方法において、
前記半導体基板の積層方向に対して直交する方向に沿って前記探針と、この探針の自由端に前記カンチレバーとを一括形成する形成工程と、
前記カンチレバーの歪みを検知する検知手段を前記カンチレバーに配する工程とを備え、
前記形成工程において、
前記カンチレバーを直線状に延びるように形成すると共に、前記探針を、この高さ方向が前記カンチレバーの延出方向と交差するように延出形成し、さらに、前記カンチレバーの前記自由端に窓を形成し、
前記検知手段を前記カンチレバーに配する工程において、
前記窓における前記カンチレバーの延出方向両端に、それぞれ前記検知手段を配することを特徴とする計測プローブの製造方法。 - 前記形成工程が、前記探針、前記カンチレバー、及び前記基部の元となる部分に対してカンチレバーエッチング用マスクを前記活性層の表面に配置する工程と、
前記活性層を一括してエッチングする工程とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の計測プローブの製造方法。 - 前記半導体基板の積層方向に延びる複数の孔を前記探針に形成する工程を備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の計測プローブの製造方法。
- 自由端に探針が配されたカンチレバーと、該カンチレバーの固定端が接続されて該カンチレバーを片持ち支持する基部とを備えて、複数の層が積層された半導体基板から製造される計測プローブにおいて、
前記半導体基板の積層方向に対して直交するように前記カンチレバーと前記探針とが形成され、かつ、
前記カンチレバーは、直線状に延びて形成されていると共に、前記自由端に窓が形成され、
前記探針は、この高さ方向が前記カンチレバーの延出方向と交差するように形成され、
前記カンチレバーの窓には、前記カンチレバーの延出方向両端に、前記カンチレバーの歪みを検知する検知手段が配されていることを特徴とする計測プローブ。 - 前記半導体基板の積層方向に延びる複数の孔が前記探針に配されていることを特徴とする請求項4に記載の計測プローブ。
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