JP4651457B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)第1の熱処理を施して前記浮遊ゲート電極及び制御ゲート電極を酸化する工程と、
(b)前記(a)工程の後、前記第1の熱処理と比較して、温度が高く、時間が短く、昇降温レートが大きく、熱履歴が小さい条件で第2の熱処理を施して前記浮遊ゲート電極及び制御ゲート電極を酸化する工程とを有する、
ことによって達成される。
図1は、フラッシュメモリに搭載された不揮発性記憶素子の構造を示す模式的平面図、
図2は、図1のa−a線に沿う模式的断面図、
図3は、図1のb−b線に沿う模式的断面図、
図4乃至図17は、フラッシュメモリの製造工程を示す図、
図18は、熱酸化時の時間と温度との関係を示す図である。
Claims (8)
- 半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介在して浮遊ゲート電極が設けられ、前記浮遊ゲート電極上に層間絶縁膜を介在して制御ゲート電極が設けられた不揮発性記憶素子を有する半導体装置の製造方法であって、
(a)前記ゲート絶縁膜、前記浮遊ゲート電極、前記層間絶縁膜、前記制御ゲート電極を形成する工程と、
(b)前記半導体基板に不純物をイオン注入して前記浮遊ゲート電極に整合した一対の第1の半導体領域を形成する工程と、
(c)第1の熱処理を施して、前記第1の半導体領域の不純物を活性化させると共に、前記浮遊ゲート電極及び制御ゲート電極を酸化する工程と、
(d)一方の前記第1の半導体領域に不純物を選択的にイオン注入して前記浮遊ゲート電極に整合した第2の半導体領域を形成する工程と、
(e)第2の熱処理を施して、前記第2の半導体領域の不純物を活性化させると共に、前記浮遊ゲート電極及び制御ゲート電極を酸化する工程とを有し、
前記第2の熱処理は、前記第1の熱処理と比較して、温度が高く、時間が短く、昇温レートが大きく、且つ、降温レートが大きい条件で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記浮遊ゲート電極及び前記制御ゲート電極は、シリコン膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1及び第2の熱処理は、酸素雰囲気中で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の熱処理は、850℃以下の低温下で行い、
前記第2の熱処理は、1000℃以上の高温下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、炉体酸化法で行われ、
前記(e)工程は、枚葉酸化法で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記浮遊ゲート電極は第1のシリコン膜をエッチングによりパターンニングすることによって形成され、
前記制御ゲート電極は第2のシリコン膜をエッチングによりパターンニングすることによって形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記不揮発性記憶素子のデータ書き込みは、ドレイン領域近傍で発生したホットエレクトロンを前記ゲート絶縁膜をトンネリングさせて前記浮遊ゲート電極に注入させることによって行われ、
前記不揮発性記憶素子のデータ消去は、前記浮遊ゲート電極中の電子を前記ゲート絶縁膜をトンネリングさせて前記半導体基板へ放出させることによって行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記不揮発性記憶素子のデータ書き込みは、前記ゲート絶縁膜をトンネリングさせて前記半導体基板側から前記浮遊ゲート電極に電子を注入させることによって行われ、
前記不揮発性記憶素子のデータ消去は、前記ゲート絶縁膜をトンネリングさせて前記浮遊ゲート電極中の電子を前記半導体基板に放出させることによって行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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