JP4592384B2 - Liquid crystal display - Google Patents

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本発明は、液晶表示装置およびその駆動方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device and a driving method thereof.

従来、TNモードの液晶表示装置が使用されていたが、TNモードよりも視角特性の優れたVAモードやIPSモードの液晶表示装置の利用が広がっている。近年、さらに視野角特性を改善したMVAモードやS−IPSモードの液晶表示装置が、TVやモニターに使用されている。   Conventionally, a TN mode liquid crystal display device has been used, but the use of a VA mode or IPS mode liquid crystal display device having better viewing angle characteristics than the TN mode is spreading. In recent years, MVA mode or S-IPS mode liquid crystal display devices with further improved viewing angle characteristics have been used for TVs and monitors.

垂直配向型液晶層を用いるVAモードはIPSモードに比べて、黒表示の品位が高いため、高コントラスト比の表示を実現できるという利点を有している。しかしながら、γ特性の視角依存性がIPSモードよりも大きいという欠点を有している。   The VA mode using the vertical alignment type liquid crystal layer has an advantage that a display with a high contrast ratio can be realized because the quality of black display is higher than that of the IPS mode. However, it has a drawback that the viewing angle dependency of the γ characteristic is larger than that of the IPS mode.

そこで、特許文献1には、各画素を複数の副画素に分割し、副画素ごとに異なる電圧を供給することによって、γ特性における視角依存性を平均化する方法が提案されている。上記特許文献1に記載されている液晶表示装置は、画素が有する複数の副画素のそれぞれに表示信号電圧が独立に供給される構成を有している。すなわち、画素が2つの副画素(第1副画素および第2副画素)を有する場合、第1副画素に表示信号電圧を供給するソースバスラインと別に第2副画素に表示信号電圧を供給するソースバスラインを設ける必要がある。従って、画素を2分割すると、ソースバスラインおよびソース駆動回路の数が2倍になる。また、第1副画素と第2副画素との供給する互いに異なる表示信号電圧は、表示すべきデータごとに2つずつ予め決められており、ルックアップテーブルに格納されている。   Therefore, Patent Document 1 proposes a method of averaging the viewing angle dependency in the γ characteristic by dividing each pixel into a plurality of sub-pixels and supplying a different voltage for each sub-pixel. The liquid crystal display device described in Patent Document 1 has a configuration in which a display signal voltage is independently supplied to each of a plurality of subpixels included in a pixel. That is, when a pixel has two subpixels (a first subpixel and a second subpixel), a display signal voltage is supplied to the second subpixel separately from the source bus line that supplies the display signal voltage to the first subpixel. It is necessary to provide a source bus line. Therefore, dividing the pixel into two doubles the number of source bus lines and source driving circuits. Two different display signal voltages supplied from the first subpixel and the second subpixel are determined in advance for each data to be displayed, and are stored in a lookup table.

これに対し、特許文献2や特許文献3には、供給されたある1つの表示信号電圧に対して、互いに異なる輝度となる複数の副画素を備える液晶表示装置が記載されている。この液晶表示装置においては、第1副画素と第2副画素とに共通のソースバスラインから共通の表示信号電圧が供給されるので、ソースバスラインやソース駆動回路の数を分割数に応じて増加させる必要が無いという利点を有している。
特開2003−295160号公報 特開2004−62146号公報 特開2004−78157号公報 特開平6−332009号公報
On the other hand, Patent Document 2 and Patent Document 3 describe a liquid crystal display device including a plurality of sub-pixels having different luminances with respect to a certain supplied display signal voltage. In this liquid crystal display device, since the common display signal voltage is supplied from the common source bus line to the first sub-pixel and the second sub-pixel, the number of source bus lines and source driving circuits is set according to the number of divisions. It has the advantage that there is no need to increase it.
JP 2003-295160 A JP 2004-62146 A JP 2004-78157 A JP-A-6-332009

しかしながら、本発明者が特許文献2および3に記載されている液晶表示装置を試作し評価したところ、十分な信頼性が得られないことがあり、この信頼性の低下は、液晶層にDC電圧が印加されることに起因することが分かった。   However, when the present inventors prototyped and evaluated the liquid crystal display devices described in Patent Documents 2 and 3, sufficient reliability may not be obtained, and this decrease in reliability is caused by a DC voltage applied to the liquid crystal layer. It was found that this is due to the application of.

一般に、液晶表示装置は、表示モードに拘らず、液晶層にDC電圧が印加されるのを防止するために、交流駆動される。すなわち、液晶層に生成される電界の向きを一定時間ごとに反転させることによって、時間平均したときに一定方向の電界(DC電圧)が残らないように駆動される。アクティブマトリクス型液晶表示装置の各画素の液晶層に印加される電圧は、対向電極に供給される共通電圧(Vcom)と画素電極に供給される表示信号電圧との差に相当するので、交流駆動においては、対向電極に供給される共通電圧を基準としたときの表示信号電圧の極性を一定時間ごとに反転させていることになる。表示信号電圧の極性を反転させる周期は、例えば一垂直走査期間(典型的には入力画像信号の1フレーム期間)である。   In general, the liquid crystal display device is AC driven to prevent a DC voltage from being applied to the liquid crystal layer regardless of the display mode. That is, by driving the direction of the electric field generated in the liquid crystal layer at regular intervals, the electric field (DC voltage) in a certain direction is driven so as not to remain when time averaged. The voltage applied to the liquid crystal layer of each pixel of the active matrix liquid crystal display device corresponds to the difference between the common voltage (Vcom) supplied to the counter electrode and the display signal voltage supplied to the pixel electrode. In this case, the polarity of the display signal voltage when the common voltage supplied to the counter electrode is used as a reference is inverted every certain time. The period for inverting the polarity of the display signal voltage is, for example, one vertical scanning period (typically one frame period of the input image signal).

トンジスタを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置では、トランジスタが非導通状態となった直後に、ゲートとドレインとの間の寄生容量(Cgd)等の影響による「引き込み電圧(ドレイン引き込み電圧)」と呼ばれる電圧が液晶層に印加される。引き込み電圧は、液晶容量(副画素電極/液晶層/対向電極によって構成される容量、画素容量は液晶容量と補助容量とで構成される。)の大きさに依存し、液晶容量は電圧に依存する。したがって、引き込み電圧によるDC電圧の発生を防止するためには、表示すべきデータ(画像データ、入力画像信号)ごとに、引き込み電圧をキャンセルするように表示信号電圧が設定される。   In an active matrix liquid crystal display device using a transistor, a voltage called “pull-in voltage (drain pull-in voltage)” due to the influence of parasitic capacitance (Cgd) between the gate and the drain immediately after the transistor is turned off. Is applied to the liquid crystal layer. The pull-in voltage depends on the size of the liquid crystal capacitance (capacitance composed of sub-pixel electrode / liquid crystal layer / counter electrode, pixel capacitance is composed of liquid crystal capacitance and auxiliary capacitance), and the liquid crystal capacitance depends on voltage. To do. Therefore, in order to prevent the generation of the DC voltage due to the pull-in voltage, the display signal voltage is set so as to cancel the pull-in voltage for each data (image data, input image signal) to be displayed.

しかしながら、上記特許文献2や特許文献3に記載されているような、供給された1つの表示信号電圧に対して、互いに異なる輝度となる複数の副画素を備える液晶表示装置においては、副画素毎に供給する印加電圧を調節することができないので、引き込み電圧によるDCの発生を防止することができず、十分な信頼性が得られないことがある。   However, in a liquid crystal display device including a plurality of sub-pixels having different luminances with respect to one supplied display signal voltage as described in Patent Document 2 and Patent Document 3 described above, for each sub-pixel, Since the applied voltage to be supplied cannot be adjusted, the generation of DC due to the pull-in voltage cannot be prevented, and sufficient reliability may not be obtained.

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、画素分割構造を有する液晶表示装置の信頼性を向上することにある。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and its main object is to improve the reliability of a liquid crystal display device having a pixel division structure.

本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層に電圧を印加する複数の電極と、トランジスタを介して供給される表示信号電圧に応じて輝度が変化する画素を有し、前記画素が、供給されたある1つの表示信号電圧に対して、第1輝度となる第1副画素と、前記第1輝度よりも低い第2輝度となる第2副画素とを有する液晶表示装置であって、前記第1副画素の引き込み電圧と前記第2副画素の引き込み電圧が略等しい。   The liquid crystal display device of the present invention includes a liquid crystal layer, a plurality of electrodes for applying a voltage to the liquid crystal layer, and a pixel whose luminance changes in accordance with a display signal voltage supplied through a transistor, A liquid crystal display device having a first sub-pixel having a first luminance and a second sub-pixel having a second luminance lower than the first luminance with respect to one supplied display signal voltage. The pull-in voltage of the first subpixel is substantially equal to the pull-in voltage of the second subpixel.

ある実施形態において、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれは、対向電極と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する副画素電極とによって形成された液晶容量と、前記副画素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成された補助容量とを有し、前記対向電極は、前記第1副画素および前記第2副画素に対して共通の単一の電極であり、前記補助容量対向電極は、前記第1副画素および前記第2副画素ごとに電気的に独立であり、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれに対応して設けられた第1トランジスタおよび第2トランジスタを有し、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタは、共通のゲートバスラインに供給される走査信号電圧によってオン/オフ制御され、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタがオン状態にあるときに、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれが有する前記副画素電極および前記補助容量電極に、共通のソースバスラインから表示信号電圧が供給され、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタがオフ状態とされた後に、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれの前記補助容量対向電極の電圧が変化し、その変化の方向および変化の大きさによって規定される変化量が前記第1副画素と前記第2副画素とで異なる。   In one embodiment, each of the first subpixel and the second subpixel includes a counter electrode, a liquid crystal capacitor formed by a subpixel electrode facing the counter electrode via the liquid crystal layer, and the subpixel An auxiliary capacitance formed by an auxiliary capacitance electrode electrically connected to the pixel electrode, an insulating layer, and an auxiliary capacitance counter electrode facing the auxiliary capacitance electrode via the insulating layer, and the counter electrode Is a single electrode common to the first subpixel and the second subpixel, and the storage capacitor counter electrode is electrically independent for each of the first subpixel and the second subpixel. A first transistor and a second transistor provided corresponding to each of the first sub-pixel and the second sub-pixel, wherein the first transistor and the second transistor have a common gate bus The sub-pixels of each of the first sub-pixel and the second sub-pixel are turned on / off by a scanning signal voltage supplied to the pixel and the first transistor and the second transistor are in an on-state. After the display signal voltage is supplied to the electrode and the auxiliary capacitance electrode from a common source bus line, and the first transistor and the second transistor are turned off, the first subpixel and the second subpixel The voltage of each auxiliary capacitance counter electrode changes, and the amount of change defined by the direction and magnitude of the change differs between the first subpixel and the second subpixel.

ある好ましい実施形態の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層に電圧を印加する複数の電極と、トランジスタを介して供給される表示信号電圧に応じて輝度が変化する画素を有し、前記画素が、供給されたある1つの表示信号電圧に対して、第1輝度となる第1副画素と、前記第1輝度よりも低い第2輝度となる第2副画素とを有する液晶表示装置であって、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれは、対向電極と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する副画素電極とによって形成された液晶容量と、前記副画素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成された補助容量とを有し、前記対向電極は、前記第1副画素および前記第2副画素に対して共通の単一の電極であり、前記補助容量対向電極は、前記第1副画素および前記第2副画素ごとに電気的に独立であり、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれに対応して設けられた第1トランジスタおよび第2トランジスタを有し、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタは、共通のゲートバスラインに供給される走査信号電圧によってオン/オフ制御され、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタがオン状態にあるときに、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれが有する前記副画素電極および前記補助容量電極に、共通のソースバスラインから表示信号電圧が供給され、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタがオフ状態とされた後に、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれの前記補助容量対向電極の電圧が変化し、その変化の方向および変化の大きさによって規定される変化量が前記第1副画素と前記第2副画素とで異なり、前記第1副画素の引き込み電圧と前記第2副画素の引き込み電圧との差が小さくなるように、前記第1副画素と前記第2副画素とにおいて、
(1)前記トランジスタのドレインがゲートバスラインと重なる面積が異なっている、
(2)前記副画素電極が前記共通のソースバスラインと重なる面積が異なっている、
(3)前記副画素電極が行方向に隣接する画素に接続されたソースバスラインと重なる面積が異なっている、
(4)前記補助容量の静電容量が異なっている、
(5)前記補助容量対向電極に接続されたCSバスラインが前記副画素電極と重なる面積が異なっている、
(6)前記液晶層の厚さが異なっている、の内の少なくとも1つを満足する。
A liquid crystal display device according to a preferred embodiment includes a liquid crystal layer, a plurality of electrodes for applying a voltage to the liquid crystal layer, and a pixel whose luminance changes according to a display signal voltage supplied through a transistor, A liquid crystal display device in which a pixel has a first sub-pixel having a first luminance and a second sub-pixel having a second luminance lower than the first luminance with respect to a certain supplied display signal voltage. Each of the first subpixel and the second subpixel includes a counter electrode, a liquid crystal capacitor formed by a subpixel electrode facing the counter electrode through the liquid crystal layer, and the subpixel electrode. An auxiliary capacitance formed by an auxiliary capacitance electrode electrically connected to the auxiliary capacitance electrode, an insulating layer, and an auxiliary capacitance counter electrode facing the auxiliary capacitance electrode via the insulating layer, The first sub-pixel and the first sub-pixel; A single electrode common to the sub-pixels, and the auxiliary capacitor counter electrode is electrically independent for each of the first sub-pixel and the second sub-pixel, and the first sub-pixel and the second sub-pixel The first transistor and the second transistor are provided corresponding to each of the sub-pixels, and the first transistor and the second transistor are on / off controlled by a scanning signal voltage supplied to a common gate bus line. When the first transistor and the second transistor are in the ON state, a common source bus line is used for the sub-pixel electrode and the auxiliary capacitance electrode of each of the first sub-pixel and the second sub-pixel. After the display signal voltage is supplied from the first transistor and the second transistor are turned off, the first subpixel and the second transistor are turned off. The voltage of the storage capacitor counter electrode of each sub-pixel changes, and the amount of change defined by the direction and magnitude of the change differs between the first sub-pixel and the second sub-pixel, In the first sub-pixel and the second sub-pixel, the difference between the sub-pixel pull-in voltage and the second sub-pixel pull-in voltage is reduced.
(1) The area where the drain of the transistor overlaps with the gate bus line is different.
(2) The area where the sub-pixel electrode overlaps the common source bus line is different.
(3) The area where the sub-pixel electrode overlaps with the source bus line connected to the pixel adjacent in the row direction is different.
(4) The capacitances of the auxiliary capacitors are different.
(5) The area where the CS bus line connected to the storage capacitor counter electrode overlaps the sub-pixel electrode is different.
(6) At least one of the thicknesses of the liquid crystal layers is satisfied.

ある実施形態において、前記液晶層は垂直配向型液晶層である。好ましくは、前記液晶層は、前記画素ごとに複数のドメインを有する。   In one embodiment, the liquid crystal layer is a vertical alignment type liquid crystal layer. Preferably, the liquid crystal layer has a plurality of domains for each of the pixels.

ある実施形態において、前記第1副画素の面積は前記第2副画素の面積よりも小さい。この場合において、前記(1)から(6)のうちの少なくとも1つは、前記第1副画素の引き込み電圧を小さくするように調整されている。ある実施形態において、前記第2副画素の面積は前記第1副画素の面積の3倍以上である。   In one embodiment, the area of the first subpixel is smaller than the area of the second subpixel. In this case, at least one of (1) to (6) is adjusted to reduce the pull-in voltage of the first subpixel. In one embodiment, the area of the second subpixel is not less than three times the area of the first subpixel.

本発明の液晶表示装置は、その画素が、互いに異なる輝度となる2つの副画素(明副画素および暗副画素)を備え、それによってγ特性の視角依存性を改善する。画素分割の方法には種々のものがあるが、例えば特許文献2または3に記載されている方法を採用すると、供給されたある1つの表示信号電圧に対して互いに異なる輝度となる2つの副画素を比較的簡単な構成で得ることができる。さらに、明副画素および暗副画素の引き込み電圧が互いに略等しく設定されているので、DC電圧の発生が抑制され、液晶表示装置の信頼性が向上する。特に、上記画素分割技術を適用することによってγ特性の視野角依存性が改善されたVAモードの液晶表示装置の信頼性および/または表示品位を向上することができる。本発明の液晶表示装置は、特に大型の液晶テレビに好適に用いられる。   The liquid crystal display device of the present invention includes two sub-pixels (bright sub-pixel and dark sub-pixel) whose pixels have different luminances, thereby improving the viewing angle dependency of the γ characteristic. There are various pixel division methods. For example, when the method described in Patent Document 2 or 3 is adopted, two subpixels having different luminances with respect to a certain supplied display signal voltage. Can be obtained with a relatively simple configuration. Further, since the pull-in voltages of the bright subpixel and the dark subpixel are set to be substantially equal to each other, the generation of the DC voltage is suppressed, and the reliability of the liquid crystal display device is improved. In particular, by applying the pixel division technique, the reliability and / or display quality of a VA mode liquid crystal display device in which the viewing angle dependency of the γ characteristic is improved can be improved. The liquid crystal display device of the present invention is particularly suitable for a large liquid crystal television.

以下、図面を参照しながら、本発明による実施形態の液晶表示装置の構成を説明する。   Hereinafter, a configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明による実施形態の液晶表示装置は、図1(a)に模式的に示すように画素分割構造を有する。すなわち、図1(b)に示す1つの画素Pが2つの副画素SP1およびSP2に分割されており、それぞれの副画素SP1およびSP2の輝度をある一定の範囲において異ならせることにより、γ特性の視角依存性の改善を実現する。ここでは、2分割を例示したが、副画素の数(分割数)に特に制限はない。なお、明副画素および暗副画素とは、全ての階調において、明副画素の輝度が暗副画素の輝度よりも高いことを意味するのではなく、ある1つの階調において明副画素の輝度が暗副画素の輝度よりも高ければよい。例えば、特許文献2に記載の画素分割技術を採用すると、後述するように、黒(最低輝度)および白(最高輝度)を表示する場合には、副画素間の輝度は無く、中間調において輝度差が大きくなる(図6参照)。   The liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention has a pixel division structure as schematically shown in FIG. That is, one pixel P shown in FIG. 1B is divided into two subpixels SP1 and SP2, and the luminance of each of the subpixels SP1 and SP2 is varied within a certain range, so that Improve viewing angle dependency. Here, two divisions are illustrated, but the number of subpixels (number of divisions) is not particularly limited. The bright sub-pixel and the dark sub-pixel do not mean that the brightness of the bright sub-pixel is higher than the brightness of the dark sub-pixel in all gradations. It is sufficient that the luminance is higher than that of the dark subpixel. For example, when the pixel division technique described in Patent Document 2 is employed, as will be described later, when displaying black (minimum luminance) and white (maximum luminance), there is no luminance between sub-pixels, and luminance in halftones. The difference increases (see FIG. 6).

特許文献2に記載の画素分割技術をVAモードの液晶表示装置に適用する場合、明副画素と暗副画素の面積比は、図2に示すように明副画素(ここではSP1)の面積が暗副画素(ここではSP2)よりも小さい方が、斜め視角におけるγ特性がより改善されることが特許文献2に記載されている。なお、本明細書における「画素」は、液晶表示装置が表示を行う最小単位を指し、カラー表示装置の場合は、個々の色(典型的にはR、GまたはB)を表示する「絵素(またはドット)」に対応する。   When the pixel division technique described in Patent Document 2 is applied to a VA mode liquid crystal display device, the area ratio of the bright sub-pixel and the dark sub-pixel is the area of the bright sub-pixel (here, SP1) as shown in FIG. Patent Document 2 describes that the smaller the dark sub-pixel (here, SP2), the γ characteristic at an oblique viewing angle is further improved. Note that the “pixel” in this specification refers to the minimum unit that the liquid crystal display device performs display, and in the case of a color display device, “pixel” that displays individual colors (typically R, G, or B). (Or dot) ".

まず、本発明による実施形態の液晶表示装置の画素分割構成を説明する。互いに異なる輝度となる複数の副画素を設けるために種々の構成が提案されているが、本実施形態の液晶表示装置は、特許文献2に記載されている画素分割構成を有するVAモードの液晶表示装置である。   First, the pixel division configuration of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention will be described. Various configurations have been proposed in order to provide a plurality of subpixels having different luminances, but the liquid crystal display device of this embodiment is a VA mode liquid crystal display having a pixel division configuration described in Patent Document 2. Device.

図3に本発明による実施形態の液晶表示装置が有する画素の電気的な構成を模式的に示す。ここでは、2分割構造を例示するが、これに限られない。   FIG. 3 schematically shows an electrical configuration of a pixel included in the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. Here, a two-divided structure is illustrated, but is not limited thereto.

図3に示すように、画素Pは、副画素SP1と副画素SP2とに分割されている。副画素SP1およびSP2を構成する副画素電極11aおよび11bには、それぞれ対応するTFT14a、TFT14b、および補助容量CS1、CS2が接続されている。TFT14aおよびTFT14bのゲ−ト電極は共通のゲートバスライン(走査線)12に接続され、TFT14aおよびTFT14bのソース電極は共通の(同一の)ソースバスライン(信号線)13に接続されている。補助容量CS1およびCS2は、それぞれ対応するCSバスライン(補助容量配線)15aおよびCSバスライン15bに接続されている。補助容量CS1およびCS2は、それぞれ副画素電極11aおよび11bに電気的に接続された補助容量電極と、CSバスライン15aおよび15bに電気的に接続された補助容量対向電極と、これらの間に設けられた絶縁層(不図示、例えばゲート絶縁膜)によって形成されている。補助容量CS1およびCS2の補助容量対向電極は互いに独立しており、それぞれCSバスライン15aおよび15bから互いに異なる補助容量対向電圧(「CS信号」ともいう。)が供給され得る構造を有している。後に示す例では、CSバスラインの一部が補助容量対向電極を構成する。   As shown in FIG. 3, the pixel P is divided into a sub-pixel SP1 and a sub-pixel SP2. Corresponding TFTs 14a and 14b and auxiliary capacitors CS1 and CS2 are connected to the subpixel electrodes 11a and 11b constituting the subpixels SP1 and SP2, respectively. The gate electrodes of the TFTs 14 a and 14 b are connected to a common gate bus line (scanning line) 12, and the source electrodes of the TFTs 14 a and 14 b are connected to a common (identical) source bus line (signal line) 13. The auxiliary capacitors CS1 and CS2 are connected to the corresponding CS bus line (auxiliary capacitor line) 15a and CS bus line 15b, respectively. The auxiliary capacitors CS1 and CS2 are provided between the auxiliary capacitor electrode electrically connected to the sub-pixel electrodes 11a and 11b, the auxiliary capacitor counter electrode electrically connected to the CS bus lines 15a and 15b, respectively. The insulating layer (not shown, for example, a gate insulating film) is formed. The auxiliary capacitor counter electrodes of the auxiliary capacitors CS1 and CS2 are independent from each other, and have a structure in which different auxiliary capacitor counter voltages (also referred to as “CS signals”) can be supplied from the CS bus lines 15a and 15b, respectively. . In the example shown later, a part of the CS bus line constitutes a storage capacitor counter electrode.

副画素電極11aおよび副画素電極11bに、共通のソースバスライン13から表示信号電圧が供給され、TFT14aおよびTFT14bがオフ状態とされたあと、補助容量CS1およびCS2の補助容量対向電極の電圧(すなわち、CSバスライン15aまたはCSバスライン15bから供給される電圧)の変化量(変化の方向および大きさによって規定される)を異ならせることによって、それぞれの副画素SP1およびSP2の液晶容量に印加される実効電圧が異なる状態、すなわち、輝度が異なる状態が得られる。この構成を採用すると、1本のソースバスライン13から2つの副画素SP1およびSP2に表示信号電圧を供給することができるので、ソースバスラインの数およびソースドライバの数を増加することなく、副画素SP1およびSP2の輝度を互いに異ならせることができる。   After the display signal voltage is supplied from the common source bus line 13 to the subpixel electrode 11a and the subpixel electrode 11b and the TFTs 14a and 14b are turned off, the voltages of the auxiliary capacitor counter electrodes of the auxiliary capacitors CS1 and CS2 (that is, , The voltage supplied from the CS bus line 15a or the CS bus line 15b) (by the direction and magnitude of the change) are changed to be applied to the liquid crystal capacitors of the respective subpixels SP1 and SP2. Thus, a state in which the effective voltage is different, that is, a state in which the luminance is different is obtained. When this configuration is adopted, a display signal voltage can be supplied from one source bus line 13 to the two subpixels SP1 and SP2, so that the number of subbuses and source drivers can be increased without increasing the number of source bus lines and the number of source drivers. The brightness of the pixels SP1 and SP2 can be made different from each other.

次に、この液晶表示装置の駆動方法について、図4に示す液晶表示装置の等価回路と各信号の電圧波形(タイミング)を示した図5を用いて説明する。   Next, a driving method of the liquid crystal display device will be described with reference to FIG. 5 showing an equivalent circuit of the liquid crystal display device shown in FIG. 4 and voltage waveforms (timing) of each signal.

図5に示した電圧波形では、副画素SP1が明副画素、副画素SP2が暗副画素となる。Vgはゲート電圧、Vsはソース電圧、Vcs1とVcs2は副画素SP1と副画素SP2のそれぞれの補助容量の電圧、Vlc1とVlc2はそれぞれ副画素SP1と副画素SP2の画素電極の電圧を示す。一般に液晶が分極しないようにフレーム反転、ライン反転、ドット反転といった交流駆動を行う。   In the voltage waveform shown in FIG. 5, the sub-pixel SP1 is a bright sub-pixel and the sub-pixel SP2 is a dark sub-pixel. Vg is a gate voltage, Vs is a source voltage, Vcs1 and Vcs2 are voltages of auxiliary capacitors of the subpixel SP1 and the subpixel SP2, and Vlc1 and Vlc2 are voltages of pixel electrodes of the subpixel SP1 and the subpixel SP2, respectively. In general, AC driving such as frame inversion, line inversion, and dot inversion is performed so that the liquid crystal is not polarized.

本実施形態では図5に示すようにnフレーム目にソース電圧の中央値Vscに対して、プラス極性としてソース電圧にVspを与え、次の(n+1)フレーム目にマイナス極性としてソース電圧にVsnを与え、且つ、フレームごとにドット反転駆動を行う。CS1とCS2には、電圧を振幅電圧Vadで振幅させ、CS1とCS2の位相を180度ずらした信号を入力する。   In this embodiment, as shown in FIG. 5, with respect to the median value Vsc of the source voltage in the nth frame, Vsp is given to the source voltage as positive polarity, and Vsn is given to the source voltage as negative polarity in the next (n + 1) th frame. In addition, dot inversion driving is performed for each frame. A signal obtained by amplifying the voltage with the amplitude voltage Vad and shifting the phases of CS1 and CS2 by 180 degrees is input to CS1 and CS2.

まず、図5を参照して、nフレーム目のときの各信号の電圧の経時変化を説明する。   First, with reference to FIG. 5, the change with time of the voltage of each signal at the nth frame will be described.

時刻T1のとき、VgがVgLからVgHに変化し、両副画素のTFTがON状態となり、副画素SP1、副画素SP2および補助容量CS1、CS2にVspの電圧が充電される。   At time T1, Vg changes from VgL to VgH, the TFTs of both subpixels are turned on, and the subpixel SP1, subpixel SP2, and auxiliary capacitors CS1 and CS2 are charged with the voltage Vsp.

時刻T2のとき、VgがVgHからVgLに変化し、両副画素のTFTがOFF状態となり、副画素SP1、副画素SP2と補助容量CS1、CS2がソースバスラインと電気的に絶縁される。なお、この直後に寄生容量等の影響による引き込み現象のために、副画素SP1と副画素SP2のそれぞれにVd1とVd2の引き込み電圧が発生し、各副画素の電圧は
Vlc1=Vsp−Vd1
Vlc2=Vsp−Vd2
となる。
At time T2, Vg changes from VgH to VgL, the TFTs of both subpixels are turned off, and the subpixel SP1, subpixel SP2 and auxiliary capacitors CS1, CS2 are electrically insulated from the source bus line. Immediately after this, due to the pull-in phenomenon due to the influence of the parasitic capacitance or the like, pull-in voltages of Vd1 and Vd2 are generated in the subpixel SP1 and the subpixel SP2, respectively, and the voltage of each subpixel is Vlc1 = Vsp−Vd1.
Vlc2 = Vsp−Vd2
It becomes.

またこのとき、
Vcs1=Vcom−Vad
Vcs2=Vcom+Vad
である。
At this time,
Vcs1 = Vcom−Vad
Vcs2 = Vcom + Vad
It is.

なお、引き込み電圧Vd1とVd2は、下記の式のようになる。   The pull-in voltages Vd1 and Vd2 are expressed by the following equations.

Vd1、Vd2=(VgH−VgL)×Cgd/(Clc(V)+Cgd+Ccs)
ここで、VgHとVgLはそれぞれTFTのゲートオンとゲートオフ時の電圧、CgdはTFTのゲートとドレインとの間に生じる寄生容量、Clc(V)は液晶容量の静電容量(容量値)、Ccsは補助容量の静電容量(容量値)を示す。
Vd1, Vd2 = (VgH−VgL) × Cgd / (Clc (V) + Cgd + Ccs)
Here, VgH and VgL are voltages when the TFT is turned on and off, Cgd is a parasitic capacitance generated between the gate and drain of the TFT, Clc (V) is a capacitance (capacitance value) of liquid crystal capacitance, and Ccs is Indicates the capacitance (capacitance value) of the auxiliary capacitor.

次に時刻T3のとき、CSバスラインCS1の電圧Vcs1がVcom−VadからVcom+Vadへ変化し、CSバスラインCS2の電圧、Vcs2がVcom+VadからVcom−Vadへ変化する。このとき各副画素の画素電圧Vlc1とVlc2は、
Vlc1=Vsp−Vd1+2×K×Vad
Vlc2=Vsp−Vd2−2×K×Vad
となる。ただし、K=Ccs/(Clc(V)+Ccs)である。
Next, at time T3, the voltage Vcs1 of the CS bus line CS1 changes from Vcom−Vad to Vcom + Vad, and the voltage of the CS bus line CS2, Vcs2 changes from Vcom + Vad to Vcom−Vad. At this time, the pixel voltages Vlc1 and Vlc2 of each sub-pixel are
Vlc1 = Vsp−Vd1 + 2 × K × Vad
Vlc2 = Vsp−Vd2-2 × K × Vad
It becomes. However, K = Ccs / (Clc (V) + Ccs).

時刻T4では、Vcs1がVcom+VadからVcom−Vadへ変化し、Vcs2がVcom−VadからVcom+Vadへ変化する。このとき副画素電圧Vlc1とVlc2は、
Vlc1=Vsp−Vd1
Vlc2=Vsp−Vd2
となる。
At time T4, Vcs1 changes from Vcom + Vad to Vcom−Vad, and Vcs2 changes from Vcom−Vad to Vcom + Vad. At this time, the subpixel voltages Vlc1 and Vlc2 are
Vlc1 = Vsp−Vd1
Vlc2 = Vsp−Vd2
It becomes.

時刻T5では、Vcs1がVcom−VadからVcom+Vadへ変化し、Vcs2がVcom+VadからVcom−Vadへ変化する。このとき副画素電圧Vlc1とVlc2は、
Vlc1=Vsp−Vd1+2×K×Vad
Vlc2=Vsp−Vd2−2×K×Vad
となる。
At time T5, Vcs1 changes from Vcom−Vad to Vcom + Vad, and Vcs2 changes from Vcom + Vad to Vcom−Vad. At this time, the subpixel voltages Vlc1 and Vlc2 are
Vlc1 = Vsp−Vd1 + 2 × K × Vad
Vlc2 = Vsp−Vd2-2 × K × Vad
It becomes.

後は、次にVg=VgHとなり書き込みが行われるまで、水平走査期間1Hの整数倍ごとに、Vcs1、Vcs2とVlc1、Vlc2は時刻T4と時刻T5を交互に繰り返す。したがって、Vlc1とVlc2の実効値は、
Vlc1=Vsp−Vd1+K×Vad
Vlc2=Vsp−Vd2−K×Vad
となる。
Thereafter, Vcs1, Vcs2, Vlc1, and Vlc2 alternately repeat time T4 and time T5 for every integral multiple of the horizontal scanning period 1H until Vg = VgH and writing is performed. Therefore, the effective values of Vlc1 and Vlc2 are
Vlc1 = Vsp−Vd1 + K × Vad
Vlc2 = Vsp−Vd2−K × Vad
It becomes.

nフレーム目において、各副画素の液晶層に印加される実効電圧は、
V1=Vsp−Vd1+K×Vad−Vcom
V2=Vsp−Vd2−K×Vad−Vcom
となるため、副画素SP1が明副画素、副画素SP2が暗副画素となる。
In the nth frame, the effective voltage applied to the liquid crystal layer of each subpixel is
V1 = Vsp−Vd1 + K × Vad−Vcom
V2 = Vsp−Vd2−K × Vad−Vcom
Therefore, the subpixel SP1 is a bright subpixel and the subpixel SP2 is a dark subpixel.

次に、(n+1)フレーム目のときの各信号の電圧の経時変化を説明する。   Next, the change with time of the voltage of each signal at the (n + 1) th frame will be described.

(n+1)フレームでは、極性を反転させるため、Vsを反転させる。そのため、時刻T1のとき、VgがVgLからVgHに変化し、両副画素のTFTがON状態となり、補助容量CS1、CS2にVsnの電圧が充電される。   In the (n + 1) frame, Vs is inverted in order to invert the polarity. Therefore, at time T1, Vg changes from VgL to VgH, the TFTs of both subpixels are turned on, and the auxiliary capacitors CS1 and CS2 are charged with the voltage Vsn.

時刻T2では、nフレーム目と同様に両副画素のTFTがOFF状態となり、この直後に副画素SP1と副画素SP2のそれぞれにVd1とVd2の引き込み電圧が発生し、各副画素の電圧は、
Vlc1=Vsn−Vd1
Vlc2=Vsn−Vd2
となる。
At time T2, as in the nth frame, the TFTs of both subpixels are turned off. Immediately after this, the pull-in voltages of Vd1 and Vd2 are generated in the subpixel SP1 and the subpixel SP2, respectively.
Vlc1 = Vsn-Vd1
Vlc2 = Vsn-Vd2
It becomes.

時刻T3のとき、CSバスラインCS1の電圧Vcs1がVcom+VadからVcom−Vadへ変化し、CSバスラインCS2の電圧Vcs2がVcom−VadからVcom+Vadへ変化する。このとき各副画素の画素電圧Vlc1とVlc2は、
Vlc1=Vsn−Vd1−2×K×Vad
Vlc2=Vsn−Vd2+2×K×Vad
となる。
At time T3, the voltage Vcs1 of the CS bus line CS1 changes from Vcom + Vad to Vcom−Vad, and the voltage Vcs2 of the CS bus line CS2 changes from Vcom−Vad to Vcom + Vad. At this time, the pixel voltages Vlc1 and Vlc2 of each sub-pixel are
Vlc1 = Vsn−Vd1-2 × K × Vad
Vlc2 = Vsn−Vd2 + 2 × K × Vad
It becomes.

時刻T4では、Vcs1がVcom−VadからVcom+Vadへ変化し、Vcs2がVcom+VadからVcom−Vadへ変化する。このとき副画素電圧Vlc1とVlc2は、
Vlc1=Vsn−Vd1
Vlc2=Vsn−Vd2
となる。
At time T4, Vcs1 changes from Vcom−Vad to Vcom + Vad, and Vcs2 changes from Vcom + Vad to Vcom−Vad. At this time, the subpixel voltages Vlc1 and Vlc2 are
Vlc1 = Vsn-Vd1
Vlc2 = Vsn-Vd2
It becomes.

時刻T5では、Vcs1がVcom+VadからVcom−Vadへ変化し、Vcs2がVcom−VadからVcom+Vadへ変化する。このとき副画素電圧Vlc1とVlc2は、
Vlc1=Vsn−Vd1−2×K×Vad
Vlc2=Vsn−Vd2+2×K×Vad
となる。
At time T5, Vcs1 changes from Vcom + Vad to Vcom−Vad, and Vcs2 changes from Vcom−Vad to Vcom + Vad. At this time, the subpixel voltages Vlc1 and Vlc2 are
Vlc1 = Vsn−Vd1-2 × K × Vad
Vlc2 = Vsn−Vd2 + 2 × K × Vad
It becomes.

後は、nフレームと同様に、Vcs1、Vcs2とVlc1、Vlc2は時刻T4と時刻T5を交互に繰り返す。よって、Vlc1とVlc2の実効値は、
Vlc1=Vsn−Vd1−K×Vad
Vlc2=Vsn−Vd2+K×Vad
となる。
Thereafter, as in the case of the n frame, Vcs1, Vcs2, Vlc1, and Vlc2 alternately repeat time T4 and time T5. Therefore, the effective values of Vlc1 and Vlc2 are
Vlc1 = Vsn−Vd1−K × Vad
Vlc2 = Vsn−Vd2 + K × Vad
It becomes.

(n+1)フレーム目の各副画素の液晶層に印加される実効電圧は、
V1=Vsn−Vd1−K×Vad−Vcom
V2=Vsn−Vd2+K×Vad−Vcom
となるため、副画素SP1が明副画素、副画素SP2が暗副画素となる。
The effective voltage applied to the liquid crystal layer of each subpixel of the (n + 1) th frame is
V1 = Vsn−Vd1−K × Vad−Vcom
V2 = Vsn−Vd2 + K × Vad−Vcom
Therefore, the subpixel SP1 is a bright subpixel and the subpixel SP2 is a dark subpixel.

また、特許文献2に記載されている画素分割構成は、図6に模式的に示すように、低階調(低輝度)および高階調(高輝度)の表示においては、明副画素と暗副画素との輝度(すわなち液晶層に印加される実効電圧に対応)の差が殆ど無く、中間調の表示において明副画素と暗副画素との輝度の差が生じ、特に中間調におけるVAモードのγ特性の視角依存性を効果的に改善する。   Further, as schematically shown in FIG. 6, the pixel division configuration described in Patent Document 2 has a bright subpixel and a dark subpixel in low gradation (low luminance) and high gradation (high luminance) display. There is almost no difference in luminance from the pixels (that is, corresponding to the effective voltage applied to the liquid crystal layer), and there is a difference in luminance between the bright subpixel and the dark subpixel in the halftone display. Effectively improves the viewing angle dependency of the γ characteristic of the mode.

しかしながら、この構成を採用すると上述したように、副画素ごとに独立に表示信号電圧を調整することが出来ないため、両方の副画素について引き込み電圧Vdをキャンセルすることができず、DC電圧が印加されるという問題が発生する。   However, if this configuration is adopted, the display signal voltage cannot be adjusted independently for each sub-pixel as described above, and the pull-in voltage Vd cannot be canceled for both sub-pixels, and a DC voltage is applied. Problem occurs.

ここで、この現象を少し詳しく説明する。   Here, this phenomenon will be described in detail.

引き込み電圧Vdは下の(1)式のようになる。ここで、VgHとVgLはそれぞれTFTのゲートオンとゲートオフ時の電圧、CgdはTFTのゲートとドレインとの間に生じる寄生容量、Clc(V)は液晶容量の静電容量(容量値)、Ccsは補助容量の静電容量(容量値)を示す。なお、液晶容量の静電容量Clcは液晶層に印加する電圧の大きさに依存する。これは誘電異方性を有する液晶分子の配向方向が電圧によって変化するためであり、表示する輝度によって液晶容量の静電容量は異なることになる。一般に、液晶層に印加される電圧が大きい程、液晶層の誘電率は大きくなるので、液晶容量の静電容量が大きくなる。   The pull-in voltage Vd is expressed by the following equation (1). Here, VgH and VgL are voltages when the TFT is turned on and off, Cgd is a parasitic capacitance generated between the gate and drain of the TFT, Clc (V) is a capacitance (capacitance value) of liquid crystal capacitance, and Ccs is Indicates the capacitance (capacitance value) of the auxiliary capacitor. Note that the capacitance Clc of the liquid crystal capacitance depends on the magnitude of the voltage applied to the liquid crystal layer. This is because the orientation direction of the liquid crystal molecules having dielectric anisotropy changes depending on the voltage, and the capacitance of the liquid crystal capacitance varies depending on the luminance to be displayed. In general, as the voltage applied to the liquid crystal layer increases, the dielectric constant of the liquid crystal layer increases, and thus the capacitance of the liquid crystal capacitor increases.

Vd=(VgH−VgL)×Cgd/(Clc(V)+Cgd+Ccs) (1)   Vd = (VgH−VgL) × Cgd / (Clc (V) + Cgd + Ccs) (1)

式(1)からわかるように、引き込み電圧Vdは、液晶容量の静電容量に依存する、すなわち、表示する輝度(階調)に依存する。   As can be seen from the equation (1), the pull-in voltage Vd depends on the capacitance of the liquid crystal capacitance, that is, depends on the luminance (gradation) to be displayed.

Vdが階調によって異なるため、ドレイン電圧のDCレベル(交流駆動する場合の副画素電極の電位の中央値、ドレイン電圧の実効レベルともいう。)も階調によって異なる。従って、全ての階調に対して対向電圧のレベルを一定にすると、液晶層にDC成分が印加される階調が生じることになる。これを防ぐために、従来から、階調に応じて表示信号電圧(ソース電圧またはドレイン電圧)の中央値(それぞれの階調で交流駆動する場合の副画素電極の電位の中央値)をその階調のVdを補償するように設定し、ドレイン電圧のDCレベルと対向電圧とを略一致させ、液晶層にDC成分が印加されないようにしているのである。   Since Vd varies depending on the gradation, the DC level of the drain voltage (also referred to as the median value of the potential of the subpixel electrode in the case of AC driving, or the effective level of the drain voltage) varies depending on the gradation. Accordingly, when the level of the counter voltage is made constant for all gradations, a gradation in which a DC component is applied to the liquid crystal layer is generated. In order to prevent this, conventionally, the median value of the display signal voltage (source voltage or drain voltage) (the median value of the potential of the sub-pixel electrode in the case of AC driving at each gradation) is determined according to the gradation. Vd is compensated so that the DC level of the drain voltage substantially coincides with the counter voltage so that no DC component is applied to the liquid crystal layer.

しかしながら、上記の画素分割技術を採用すると、副画素SP1(ここでは明副画素)と副画素SP2(ここでは暗副画素)とでVdが異なるために、副画素SP1のドレイン電圧のDCレベルを対向電圧と一致させると、副画素SP2のドレイン電圧のDCレベルは対向電圧と一致せず、副画素SP2の液晶層にDC成分が印加されることになる。このように、少なくとも一方の副画素の液晶層(および配向膜)にDC成分が印加され、分極を生じる。その結果として、液晶表示装置の信頼性に問題が生じる。   However, when the above-described pixel division technique is employed, Vd is different between the subpixel SP1 (here, the bright subpixel) and the subpixel SP2 (here, the dark subpixel), so that the DC level of the drain voltage of the subpixel SP1 is set to be lower. When matched with the counter voltage, the DC level of the drain voltage of the subpixel SP2 does not match the counter voltage, and a DC component is applied to the liquid crystal layer of the subpixel SP2. In this way, a DC component is applied to the liquid crystal layer (and the alignment film) of at least one sub-pixel to cause polarization. As a result, a problem occurs in the reliability of the liquid crystal display device.

次に、各副画素の引き込み電圧Vdを見積もるために、副画素電極に接続された容量を寄生容量をも考慮して算出する。図7(a)および(b)に各副画素電極に接続された各容量とその名称を示し、図8に等価回路図を示す。   Next, in order to estimate the pull-in voltage Vd of each subpixel, the capacitance connected to the subpixel electrode is calculated in consideration of the parasitic capacitance. 7A and 7B show the capacitors connected to the sub-pixel electrodes and their names, and FIG. 8 shows an equivalent circuit diagram.

各副画素の副画素電極に接続された寄生容量を考慮し、各副画素の引き込み電圧Vdを計算すると下記の式(2)のようになる。式(2)中の各パラメータの沿え字1および2は、それぞれ第1副画素SP1および第2副画素SP2に対応することを示す。Cgdは、ゲートとドレイン(副画素電極)間の寄生容量、Csdはソースとドレイン(副画素電極)間の寄生容量((自)は当該副画素電極に信号電圧を供給するためのソース(ソースバスライン)を意味し、(他)は当該副画素電極が属する画素に行方向に隣接する画素に接続されたソースバスラインを意味する。)。   When the parasitic voltage connected to the subpixel electrode of each subpixel is taken into consideration and the pull-in voltage Vd of each subpixel is calculated, the following equation (2) is obtained. The superscripts 1 and 2 of each parameter in the equation (2) indicate that they correspond to the first subpixel SP1 and the second subpixel SP2, respectively. Cgd is a parasitic capacitance between the gate and drain (subpixel electrode), Csd is a parasitic capacitance between the source and drain (subpixel electrode) ((self) is a source (source) for supplying a signal voltage to the subpixel electrode. (Other) means a source bus line connected to a pixel adjacent to the pixel to which the subpixel electrode belongs in the row direction.

なお、補助容量CS1およびCS2は、図7(a)および(b)に示すように、それぞれ、補助容量対向電極/絶縁膜/補助容量電極で構成されており、補助容量対向電極はCSバスライン15aおよび15bの一部によって構成され、補助容量電極16aおよび16bはドレイン電極D1およびD2の延設部によって構成されている。絶縁膜17は、例えばSiNxなどの無機絶縁膜で形成されるゲート絶縁膜である。また、副画素電極11aおよび11bは、それぞれドレイン電極D1およびD2に電気的に接続されており、例えば、それぞれ補助容量電極16aおよび16bに接続される。ここでは、ドレイン電極D1およびD2、ならびに補助容量電極16aおよび16bを覆う層間絶縁膜19上に、副画素電極11aおよび11bを設けた構成を採用しており、補助容量電極16aおよび16bと副画素電極11aおよび11bとの電気的な接続は例えば層間絶縁膜19に形成したコンタクトホール(不図示)内で接続される。層間絶縁膜19は、透明な感光性樹脂を用いて形成される。 As shown in FIGS. 7A and 7B, each of the auxiliary capacitors CS1 and CS2 includes an auxiliary capacitor counter electrode / an insulating film / an auxiliary capacitor electrode, and the auxiliary capacitor counter electrode is a CS bus line. The auxiliary capacitance electrodes 16a and 16b are formed by extending portions of the drain electrodes D1 and D2. Insulating film 17 is, for example, a gate insulating film formed of an inorganic insulating film such as SiN x. The subpixel electrodes 11a and 11b are electrically connected to the drain electrodes D1 and D2, respectively. For example, the subpixel electrodes 11a and 11b are connected to the auxiliary capacitance electrodes 16a and 16b, respectively. Here, a configuration in which the subpixel electrodes 11a and 11b are provided on the interlayer insulating film 19 covering the drain electrodes D1 and D2 and the auxiliary capacitance electrodes 16a and 16b is adopted, and the auxiliary capacitance electrodes 16a and 16b and the subpixel are provided. For example, the electrodes 11a and 11b are electrically connected in a contact hole (not shown) formed in the interlayer insulating film 19. The interlayer insulating film 19 is formed using a transparent photosensitive resin.

このような構成を採用すると、図7(b)に示すように、補助容量電極16aと補助容量対向電極15aとの間に形成される本来の補助容量Ccs1(ここではCcs1(D)と表記する)に加えて、副画素電極11aと補助容量対向電極15aとの間に寄生容量Ccs1(B)が形成される。補助容量の静電容量を最適化する場合には、Ccs1(D)およびCcs1(B)の静電容量を最適化する必要がある。   When such a configuration is adopted, as shown in FIG. 7B, the original auxiliary capacitance Ccs1 (here, Ccs1 (D)) formed between the auxiliary capacitance electrode 16a and the auxiliary capacitance counter electrode 15a is represented. ), A parasitic capacitance Ccs1 (B) is formed between the sub-pixel electrode 11a and the auxiliary capacitance counter electrode 15a. When optimizing the capacitance of the auxiliary capacitance, it is necessary to optimize the capacitances of Ccs1 (D) and Ccs1 (B).

Vd1=(VgH−VgL)×Cgd1(自)/(Clc1(V)+Cgd1(自)
+Ccs1(D)+Ccs1(B)+Csd1(自)+Csd1(他))
Vd2=(VgH−VgL)×Cgd2(自)/(Clc2(V)+Cgd2(自)
+Ccs2(D)+Ccs2(B)+Csd2(自)+Csd2(他))
・・・・(2)
Vd1 = (VgH−VgL) × Cgd1 (self) / (Clc1 (V) + Cgd1 (self)
+ Ccs1 (D) + Ccs1 (B) + Csd1 (self) + Csd1 (other))
Vd2 = (VgH−VgL) × Cgd2 (auto) / (Clc2 (V) + Cgd2 (auto)
+ Ccs2 (D) + Ccs2 (B) + Csd2 (self) + Csd2 (other))
(2)

本発明による実施形態の液晶表示装置では、Vd1=Vd2となるように、第1副画素のClc1(V)、Cgd1(自)、Ccs1(D)、Ccs1(B)、Csd1(自)、Csd1(他)および第2副画素のClc2(V)、Cgd2(自)、Ccs2(D)、Ccs2(B)、Csd2(自)、Csd2(他)の少なくとも1つを調整する。なお、本実施形態の液晶表示装置においては、ゲートバスラインは2つの副画素に共通に設けられているので、(VgH−VgL)は等しい。   In the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention, Clc1 (V), Cgd1 (self), Ccs1 (D), Ccs1 (B), Csd1 (self), and Csd1 of the first subpixel so that Vd1 = Vd2. (Others) and at least one of Clc2 (V), Cgd2 (O), Ccs2 (D), Ccs2 (B), Csd2 (O), and Csd2 (Other) of the second subpixel are adjusted. In the liquid crystal display device of this embodiment, since the gate bus line is provided in common for the two subpixels, (VgH−VgL) is equal.

ここで、各副画素の液晶層に印加される電圧の違いを見積もる。図9に各副画素にトランジスタを介して供給される表示信号電圧、すわなわち上記ソース電圧Vsに対して前述のKの値×2をプロットしたグラフを示す。Clc(V)の算出には、一般的な垂直配向用の誘電異方性が負の液晶材料の誘電率を用いた。また、各Ccsの値は、副画素電極に供給されるソース電圧が最大のとき(ここでは7.0V)のClcの値の1/2として算出した。もちろん、CcsとClcとの比率は画素の構造等に依存するが、現在一般的に用いられている液晶表示装置では、Ccs/Clcは、0.5以上であり、ここでは最小値として0.5を用いた。   Here, the difference in voltage applied to the liquid crystal layer of each sub-pixel is estimated. FIG. 9 shows a graph in which the display signal voltage supplied to each sub-pixel through a transistor, that is, the above-mentioned K value × 2 is plotted against the source voltage Vs. For the calculation of Clc (V), the dielectric constant of a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy for general vertical alignment was used. Further, the value of each Ccs was calculated as ½ of the value of Clc when the source voltage supplied to the sub-pixel electrode is maximum (here, 7.0 V). Of course, the ratio between Ccs and Clc depends on the structure of the pixel and the like, but in a liquid crystal display device currently generally used, Ccs / Clc is 0.5 or more. 5 was used.

図9から分かるように、ソース電圧が低いときの方が各副画素にかかる電圧の差が大きく、高くなるに従い電圧の差は減少していく。VdはKの値が大きいほど大きいため、ソース電圧が低いときに引き込み電圧Vdが大きく、Vd1とVd2との差も大きい。従って、ソース電圧が低いとき(VAモードでは黒表示時)にVd1とVd2とを略等しくすれば、全ての階調に亘って、Vd1とVd2とを略等しくでき、結果として、DC電圧の発生を抑制することが出来る。   As can be seen from FIG. 9, the voltage difference applied to each sub-pixel is larger when the source voltage is lower, and the voltage difference decreases as the source voltage increases. Since Vd increases as the value of K increases, the pull-in voltage Vd increases when the source voltage is low, and the difference between Vd1 and Vd2 is also large. Therefore, when Vd1 and Vd2 are made substantially equal when the source voltage is low (when black is displayed in the VA mode), Vd1 and Vd2 can be made substantially equal over the entire gradation, resulting in generation of a DC voltage. Can be suppressed.

以下に、本発明による実施形態の液晶表示装置において、Vd1=Vd2とするための具体的な例を説明する。   A specific example for setting Vd1 = Vd2 in the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention will be described below.

第1副画素SP1と第2副画素SP2との面積比が1:1またはこれに近い場合は、第1副画素(明副画素)の液晶層には第2副画素の液晶層よりも高い実効電圧が印加されるので、上記の式(2)から分かるように、Vd1はVd2よりも小さくなる。従って、上記のパラメータClc(V)、Cgd(自)、Ccs(D)、Ccs(B)、Csd(自)、Csd(他)は、Vd1を大きくするように設定する必要がある。   When the area ratio between the first subpixel SP1 and the second subpixel SP2 is 1: 1 or close to this, the liquid crystal layer of the first subpixel (bright subpixel) is higher than the liquid crystal layer of the second subpixel. Since an effective voltage is applied, Vd1 becomes smaller than Vd2 as can be seen from the above equation (2). Therefore, the above parameters Clc (V), Cgd (self), Ccs (D), Ccs (B), Csd (self), and Csd (others) need to be set to increase Vd1.

これに対し、γ特性の視角依存性をさらに改善するために第1副画素(明副画素)の面積を第2副画素(暗副画素)の面積よりも大きく、例えば、第1副画素と第2副画素との面積比を1:3以上に設定すると、Clc1がClc2よりも小さくなる結果、Vd1がVd2よりも大きくなる。この場合には、上記のパラメータClc(V)、Cgd(自)、Ccs(D)、Ccs(B)、Csd(自)、Csd(他)は、Vd1を小さくするように設定する必要がある。   On the other hand, in order to further improve the viewing angle dependency of the γ characteristic, the area of the first subpixel (bright subpixel) is larger than the area of the second subpixel (dark subpixel). When the area ratio with the second subpixel is set to 1: 3 or more, Clc1 becomes smaller than Clc2, and as a result, Vd1 becomes larger than Vd2. In this case, the above parameters Clc (V), Cgd (self), Ccs (D), Ccs (B), Csd (self), and Csd (others) need to be set so as to decrease Vd1. .

ここでは、第1副画素と第2副画素との面積比を約1:3に設定した場合に、Vd1を小さくするための構成を説明する。なお、Vd1を小さくする代わりにVd2を大きくする、あるいはVd1を小さくするとともにVd2を大きくしてもよい。ここで、Vd1を小さくする(または大きくする)とは、Vd1を調節することを考慮しない設計を基準とする。   Here, a configuration for reducing Vd1 when the area ratio of the first subpixel and the second subpixel is set to about 1: 3 will be described. Instead of decreasing Vd1, Vd2 may be increased, or Vd1 may be decreased and Vd2 may be increased. Here, decreasing (or increasing) Vd1 is based on a design that does not consider adjusting Vd1.

Vd1を小さくするためには、上記式(2)から分かるように、分子のCgd1を小さくする、あるいは、分母のClc1(V)、Ccs1(D)、Ccs1(B)、Csd1(自)およびCsd1(他)の少なくとも1つを大きくすればよい。   In order to reduce Vd1, as can be seen from the above formula (2), Cgd1 of the numerator is reduced, or Clc1 (V), Ccs1 (D), Ccs1 (B), Csd1 (self) and Csd1 of the denominator. What is necessary is just to enlarge at least one of (other).

Cgd1を小さくするためには、例えば、図10に示すように、第1副画素SP1のトランジスタ(TFT1)のドレイン(ドレイン電極)がゲート電極(ゲートバスライン)と重なる面積S1が、第2副画素SP2のトランジスタ(TFT2)のドレインがゲートバスラインと重なる面積S2よりも小さくされている。図10(a)は本実施形態の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す平面図であり、(b)はそのTFT近傍の構造を模式的に示す平面図である。   In order to reduce Cgd1, for example, as shown in FIG. 10, the area S1 where the drain (drain electrode) of the transistor (TFT1) of the first subpixel SP1 overlaps the gate electrode (gate bus line) is reduced to the second subpixel SP1. The drain of the transistor (TFT2) of the pixel SP2 is made smaller than the area S2 overlapping the gate bus line. FIG. 10A is a plan view schematically showing the pixel configuration of the liquid crystal display device of this embodiment, and FIG. 10B is a plan view schematically showing the structure in the vicinity of the TFT.

図10に示したように、TFT14aのドレイン(ドレイン電極)の面積を小さくすることによって、トランジスタ特性をTFT14aとTFT14bとで違えることなく、Vd1とVd2とを等しくすることができる。なお、ここで、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極などは、それぞれの電極と同じ電位になるものを含んでおり、ゲート電極はゲートバスラインを含み、ソース電極はソースバスラインを含み、ドレイン電極は副画素電極を含む。また、TFTを構成する半導体層が各電極と同じ電位となる領域(例えばn+層)を有する場合はこれらを含む。 As shown in FIG. 10, by reducing the area of the drain (drain electrode) of the TFT 14a, Vd1 and Vd2 can be made equal without changing the transistor characteristics between the TFT 14a and the TFT 14b. Here, the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, and the like include those having the same potential as the respective electrodes, the gate electrode includes the gate bus line, the source electrode includes the source bus line, and the drain electrode. Includes sub-pixel electrodes. Further, when the semiconductor layer constituting the TFT has a region (for example, an n + layer) having the same potential as each electrode, these are included.

図11に、本実施形態の他の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す。図11に示した例では、TFT14aに接続されたソースバスラインと第1副画素電極11aとの重なる面積を大きくすることによって、寄生容量Csd1(自)を大きくし、そのことによって、Vd1とVd2とを等しくしている。勿論、寄生容量Csd2(自)を小さくしても良いし、併用しても良い。   FIG. 11 schematically shows a pixel configuration of another liquid crystal display device of this embodiment. In the example shown in FIG. 11, the parasitic capacitance Csd1 (self) is increased by increasing the area where the source bus line connected to the TFT 14a and the first subpixel electrode 11a overlap, and thereby Vd1 and Vd2 And are equal. Of course, the parasitic capacitance Csd2 (self) may be reduced or used in combination.

図12に、本実施形態のさらに他の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す。図12に示した例では、TFT14aの隣の列のTFTに接続されたソースバスライン(行方向に隣接する画素に接続されているソースバスライン)と第1副画素電極11aとの重なる面積を大きくすることによって、寄生容量Csd1(他)を大きくし、そのことによって、Vd1とVd2とを等しくしている。勿論、寄生容量Csd2(他)を小さくしても良いし、併用しても良い。   FIG. 12 schematically shows a pixel configuration of still another liquid crystal display device of the present embodiment. In the example shown in FIG. 12, the area where the source bus line connected to the TFT in the column adjacent to the TFT 14a (the source bus line connected to the pixel adjacent in the row direction) and the first subpixel electrode 11a overlaps. By increasing it, the parasitic capacitance Csd1 (others) is increased, thereby making Vd1 and Vd2 equal. Of course, the parasitic capacitance Csd2 (others) may be reduced or used in combination.

図13に、本実施形態のさらに他の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す。図13に示した例では、第1副画素SP1の補助容量の静電容量Ccs1(Ccs1(D)およびCcs1(B)の少なくとも一方)を大きくすることによって、Vd1とVd2とを等しくしている。例えば、CSバスラインが副画素電極と重なる面積を変えることによって、Ccs1(B)だけを変えることができる。勿論、第2副画素SP2の補助容量の静電容量Ccs2(Ccs2(D)およびCcs2(B)の少なくとも一方)を小さくしても良いし、併用しても良い。   FIG. 13 schematically shows a pixel configuration of still another liquid crystal display device of the present embodiment. In the example shown in FIG. 13, Vd1 and Vd2 are made equal by increasing the capacitance Ccs1 (at least one of Ccs1 (D) and Ccs1 (B)) of the auxiliary capacitance of the first subpixel SP1. . For example, only Ccs1 (B) can be changed by changing the area where the CS bus line overlaps with the sub-pixel electrode. Of course, the auxiliary capacitance Ccs2 (at least one of Ccs2 (D) and Ccs2 (B)) of the auxiliary capacitance of the second subpixel SP2 may be reduced or used together.

図14に、本実施形態のさらに他の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す。図14に示した例では、第1副画素SP1の液晶層の厚さd1を小さくすることによって、Clc1(V)を大きくし、そのことによって、Vd1とVd2とを等しくしている。勿論、Clc2(V)を小さくしても良いし、併用しても良い。   FIG. 14 schematically shows a pixel configuration of still another liquid crystal display device of the present embodiment. In the example shown in FIG. 14, Clc1 (V) is increased by decreasing the thickness d1 of the liquid crystal layer of the first subpixel SP1, thereby making Vd1 and Vd2 equal. Of course, Clc2 (V) may be reduced or used in combination.

液晶容量Clcは、液晶層の誘電率および電極面積(副画素の面積)に比例し、液晶層の厚さに反比例するので、液晶層の誘電率を変えてもよい。   Since the liquid crystal capacitance Clc is proportional to the dielectric constant of the liquid crystal layer and the electrode area (subpixel area) and inversely proportional to the thickness of the liquid crystal layer, the dielectric constant of the liquid crystal layer may be changed.

図10から図14を参照しながら説明した構成は、それぞれ単独で用いても良く、これらから選択される2以上の任意の構成を適宜組み合わせても良い。   The configurations described with reference to FIGS. 10 to 14 may be used alone, or two or more arbitrary configurations selected from these may be appropriately combined.

ここでは、Vd1を小さくするための構成を説明したが、逆に、Vd1を大きくするための構成は、第1副画素のClc1(V)、Cgd1(自)、Ccs1(D)、Ccs1(B)、Csd1(自)、Csd1(他)および第2副画素のClc2(V)、Cgd2(自)、Ccs2(D)、Ccs2(B)、Csd2(自)、Csd2(他)の少なくとも1つを上記の説明と逆の関係となるようにすればよいので、説明を省略する。   Here, the configuration for reducing Vd1 has been described, but conversely, the configuration for increasing Vd1 is Clc1 (V), Cgd1 (self), Ccs1 (D), Ccs1 (B) of the first subpixel. ), Csd1 (self), Csd1 (other) and at least one of Clc2 (V), Cgd2 (self), Ccs2 (D), Ccs2 (B), Csd2 (self), and Csd2 (other) of the second subpixel. Since the relationship between the above and the above description may be reversed, the description is omitted.

本発明によると、画素分割技術を適用することによって、γ特性の視野角依存性が改善されたVAモードの液晶表示装置の信頼性を向上することができる。本発明の液晶表示装置は、特に大型の液晶テレビに好適に用いられる。   According to the present invention, by applying the pixel division technique, it is possible to improve the reliability of the VA mode liquid crystal display device in which the viewing angle dependency of the γ characteristic is improved. The liquid crystal display device of the present invention is particularly suitable for a large liquid crystal television.

(a)は、本発明による実施形態の液晶表示装置が有する画素分割構造を示す模式図であり、(b)は通常の画素を示す模式図である。(A) is a schematic diagram which shows the pixel division structure which the liquid crystal display device of embodiment by this invention has, (b) is a schematic diagram which shows a normal pixel. 明副画素(SP1)の面積が暗副画素(SP2)よりも小さい方が、斜め視角におけるγ特性がより改善されることを説明するための模式図である。It is a schematic diagram for explaining that the γ characteristic at an oblique viewing angle is further improved when the area of the bright subpixel (SP1) is smaller than that of the dark subpixel (SP2). 本発明による実施形態の液晶表示装置が有する画素の電気的な構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the electric constitution of the pixel which the liquid crystal display device of embodiment by this invention has. 本発明による実施形態の液晶表示装置の等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit of the liquid crystal display device of embodiment by this invention. 図4に示した液晶表示装置を駆動する各信号の電圧波形およびタイミングを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing voltage waveforms and timings of signals for driving the liquid crystal display device shown in FIG. 4. 第1副画素(明副画素)と第2副画素(暗副画素)との輝度差の階調依存性を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the gradation dependence of the luminance difference of a 1st subpixel (bright subpixel) and a 2nd subpixel (dark subpixel). 本発明による実施形態の液晶表示装置における各副画素電極に接続された容量と名称を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)中の7b−7b’線に沿った断面図である。It is a figure which shows the capacity | capacitance and name which were connected to each sub-pixel electrode in the liquid crystal display device of embodiment by this invention, (a) is a top view, (b) is along 7b-7b 'line in (a). FIG. 本発明による実施形態の液晶表示装置の寄生容量を含む等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram including the parasitic capacitance of the liquid crystal display device of the embodiment according to the present invention. 各副画素に供給されるソース電圧に対して前述のK(=Ccs/(Clc(V)+Ccs))の値×2をプロットしたグラフである。It is the graph which plotted the value x2 of the above-mentioned K (= Ccs / (Clc (V) + Ccs)) with respect to the source voltage supplied to each sub pixel. (a)は本発明による実施形態の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す平面図であり、(b)はそのTFT近傍の構造を模式的に示す平面図である。(A) is a top view which shows typically the pixel structure of the liquid crystal display device of embodiment by this invention, (b) is a top view which shows typically the structure of the TFT vicinity. 本発明による実施形態の他の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the pixel structure of the other liquid crystal display device of embodiment by this invention. 本発明による実施形態のさらに他の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the pixel structure of the further another liquid crystal display device of embodiment by this invention. 本発明による実施形態のさらに他の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the pixel structure of the further another liquid crystal display device of embodiment by this invention. 本発明による実施形態のさらに他の液晶表示装置の画素構成を模式的に示す図であり、(a)は平面図であり、(b)は断面図である。It is a figure which shows typically the pixel structure of the further another liquid crystal display device of embodiment by this invention, (a) is a top view, (b) is sectional drawing.

符号の説明Explanation of symbols

11a、11b 画素電極
12 ゲートバスライン(走査線)
13 ソースバスライン(信号線)
14a、14b TFT
15a、15b CSバスライン(補助容量配線、補助容量対向電極)
16a、16b 補助容量電極
17 絶縁膜
19 層間絶縁膜
SP1 第1副画素(明副画素)
SP2 第2副画素(暗副画素)
D1 TFT14aのドレイン電極
D2 TFT14bのドレイン電極
11a, 11b Pixel electrode 12 Gate bus line (scanning line)
13 Source bus line (signal line)
14a, 14b TFT
15a, 15b CS bus line (auxiliary capacitance wiring, auxiliary capacitance counter electrode)
16a, 16b Auxiliary capacitance electrode 17 Insulating film 19 Interlayer insulating film SP1 First sub-pixel (bright sub-pixel)
SP2 Second subpixel (dark subpixel)
D1 Drain electrode of TFT 14a D2 Drain electrode of TFT 14b

Claims (4)

液晶層と、前記液晶層に電圧を印加する複数の電極と、トランジスタを介して供給される表示信号電圧に応じて輝度が変化する画素を有し、前記画素が、供給されたある1つの表示信号電圧に対して、第1輝度となる第1副画素と、前記第1輝度よりも低い第2輝度となる第2副画素とを有する液晶表示装置であって、
前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれは、対向電極と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する副画素電極とによって形成された液晶容量と、
前記副画素電極に電気的に接続された補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記補助容量電極と対向する補助容量対向電極とによって形成された補助容量とを有し、
前記対向電極は、前記第1副画素および前記第2副画素に対して共通の単一の電極であり、前記補助容量対向電極は、前記第1副画素および前記第2副画素ごとに電気的に独立であり、
前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれに対応して設けられた第1トランジスタおよび第2トランジスタを有し、
前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタは、共通のゲートバスラインに供給される走査信号電圧によってオン/オフ制御され、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタがオン状態にあるときに、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれが有する前記副画素電極および前記補助容量電極に、共通のソースバスラインから表示信号電圧が供給され、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタがオフ状態とされた後に、前記第1副画素および前記第2副画素のそれぞれの前記補助容量対向電極の電圧が変化し、その変化の方向および変化の大きさによって規定される変化量が前記第1副画素と前記第2副画素とで異なり、
前記第1副画素の引き込み電圧と前記第2副画素の引き込み電圧との差が小さくなるように、前記第1副画素と前記第2副画素とにおいて、
(1)前記トランジスタのドレインがゲートバスラインと重なる面積が異なっている、
(2)前記副画素電極が前記共通のソースバスラインと重なる面積が異なっている、
(3)前記副画素電極が行方向に隣接する画素に接続されたソースバスラインと重なる面積が異なっている、
(4)前記補助容量の静電容量が異なっている、
(5)前記補助容量対向電極に接続されたCSバスラインが前記副画素電極と重なる面積が異なっている、
(6)前記液晶層の厚さが異なっている、
の内の少なくとも1つを満足する、液晶表示装置。
A liquid crystal layer; a plurality of electrodes for applying a voltage to the liquid crystal layer; and a pixel whose luminance changes in accordance with a display signal voltage supplied via a transistor, wherein the pixel is supplied with a certain display A liquid crystal display device having a first subpixel having a first luminance with respect to a signal voltage and a second subpixel having a second luminance lower than the first luminance,
Each of the first subpixel and the second subpixel includes a counter electrode and a liquid crystal capacitor formed by a subpixel electrode facing the counter electrode via the liquid crystal layer;
An auxiliary capacitance formed by an auxiliary capacitance electrode electrically connected to the sub-pixel electrode, an insulating layer, and an auxiliary capacitance counter electrode facing the auxiliary capacitance electrode via the insulating layer;
The counter electrode is a single electrode common to the first subpixel and the second subpixel, and the storage capacitor counterelectrode is electrically connected to each of the first subpixel and the second subpixel. Independent
A first transistor and a second transistor provided corresponding to each of the first subpixel and the second subpixel;
The first transistor and the second transistor are on / off controlled by a scanning signal voltage supplied to a common gate bus line, and the first transistor and the second transistor are turned on when the first transistor and the second transistor are in an on state. A display signal voltage is supplied from a common source bus line to the subpixel electrode and the auxiliary capacitance electrode of each of the subpixel and the second subpixel, and the first transistor and the second transistor are turned off. Thereafter, the voltage of the storage capacitor counter electrode of each of the first subpixel and the second subpixel changes, and the amount of change defined by the direction and magnitude of the change is the same as that of the first subpixel. Unlike the second sub-pixel,
In the first subpixel and the second subpixel, the difference between the pull-in voltage of the first subpixel and the pull-in voltage of the second subpixel is reduced.
(1) The area where the drain of the transistor overlaps with the gate bus line is different.
(2) The area where the sub-pixel electrode overlaps the common source bus line is different.
(3) The area where the sub-pixel electrode overlaps with the source bus line connected to the pixel adjacent in the row direction is different.
(4) The capacitances of the auxiliary capacitors are different.
(5) The area where the CS bus line connected to the storage capacitor counter electrode overlaps the sub-pixel electrode is different.
(6) The thickness of the liquid crystal layer is different.
A liquid crystal display device satisfying at least one of the above.
前記液晶層は垂直配向型液晶層である、請求項に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1 , wherein the liquid crystal layer is a vertical alignment type liquid crystal layer. 前記第1副画素の面積は前記第2副画素の面積よりも小さい、請求項またはに記載の液晶表示装置。 Area of the first subpixel is smaller than the area of the second subpixel, a liquid crystal display device according to claim 1 or 2. 前記(1)から(6)のうちの少なくとも1つは、前記第1副画素の引き込み電圧を小さくするように調整されている、請求項に記載の液晶表示装置。 4. The liquid crystal display device according to claim 3 , wherein at least one of (1) to (6) is adjusted to reduce a pull-in voltage of the first subpixel. 5.
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