JP4567941B2 - The method for manufacturing a manufacturing method and a display device of a semiconductor device - Google Patents

The method for manufacturing a manufacturing method and a display device of a semiconductor device Download PDF

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JP4567941B2
JP4567941B2 JP2002376605A JP2002376605A JP4567941B2 JP 4567941 B2 JP4567941 B2 JP 4567941B2 JP 2002376605 A JP2002376605 A JP 2002376605A JP 2002376605 A JP2002376605 A JP 2002376605A JP 4567941 B2 JP4567941 B2 JP 4567941B2
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純矢 丸山
舜平 山崎
雅一 村上
徹 高山
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株式会社半導体エネルギー研究所
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【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、剥離した被剥離層を基材に貼りつけて転写させた薄膜トランジスタ(以下、TFTという)で構成された回路を有する半導体装置の作製方法に関し、特に曲率を有する支持体にTFTで構成された回路を転写する方法に関する。 The present invention is exfoliated thin film transistor layer to be peeled is transferred adhered to a substrate (hereinafter, referred to as TFT) relates to a method for manufacturing a semiconductor device having a circuit composed of, in particular constituted by a TFT substrate having a curvature to a method of transferring the circuits.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜(厚さ数〜数百nm程度)を用いてTFTを構成する技術が注目されている。 Recently, a technique for constituting a TFT by using a semiconductor thin film (several to several hundred nm thick) formed on a substrate having an insulating surface has attracted attention. TFTはICや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。 TFT is widely applied to electronic devices such as an IC and an electro-optical device, development has been accelerated, especially as switching elements for image display devices.
【0003】 [0003]
また、自動車や航空機などの乗物にさまざまな表示装置、例えば、ナビゲーションの表示装置やオーディオの操作画面表示装置や計器の表示装置を搭載する試みがなされている。 Also, vehicles in various display devices such as automobiles and aircraft, for example, attempts have been made to mount the display device of the display device and the audio operation screen display device or instrument navigation.
【0004】 [0004]
このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが、特に携帯機器への利用が注目されている。 Although such an image display device applications using are expected are various, in particular attention is the use of portable devices. 現在、基板にはガラスや石英等が主に使用されているが、このような表示装置は厚く、重く、割れ易いといいう欠点があり、薄型、軽量、且つ、割れにくいといった特徴に対する要求が高い携帯機器の場合には特に不利である。 Currently, the substrate glass, quartz or the like is mainly used, such a display device is thick, heavy, there is a drawback that it is called the easy cracking, thin, lightweight, and demand for features such hardly cracks is high which is particularly disadvantageous in the case of portable devices. また、ガラスや石英等は一般に大型化が困難であり、大量生産を行う場合には特に不利である。 Also, glass, quartz or the like are generally difficult to size, it is particularly disadvantageous in the case of mass production. そのため、可曲性や可撓性、もしくは弾性を有する基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムあるいはシートの上にTFT素子を形成することが試みられている。 Therefore, it has been attempted to form bendable or flexible, or a substrate having elasticity, a TFT element on a flexible plastic film or sheet typically.
【0005】 [0005]
しかしながら、プラスチックは耐熱性が低く、素子作製プロセスの最高温度を低くせざるを得ない。 However, plastic has low heat resistance, forced low maximum temperature of the element manufacturing process. そのため、プラスチック上に形成したTFTの電気特性は、ガラス基板上に形成したTFTと比較するとどうしても劣ってしまう。 Therefore, the electrical characteristics of the TFT formed on plastic, inevitably inferior when compared with TFT formed on a glass substrate. 従って、プラスチックを用いた高性能な発光素子や液晶表示装置はまだ実現されていない。 Thus, high-performance light-emitting element or a liquid crystal display device using the plastic has not yet been realized.
【0006】 [0006]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
もし、プラスチック製フィルムやシート等に代表される、可曲性や可撓性、あるいは弾性を有する基板の上に有機発光素子が形成された発光装置や、液晶表示装置を作製することができれば、薄型、軽量、割れにくいといった特徴に加えて、曲面を有するディスプレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。 If, typified by a plastic film or sheet or the like, bendable or flexible, or light emitting devices and organic light emitting elements formed on a substrate having elasticity, if it is possible to produce a liquid crystal display device, thin, light, in addition to features such as not break easily, display and having a curved surface, can also be used such as show window or the like. よって、その用途は携帯機器のみに限定されず、応用範囲は非常に広い。 Therefore, its application is not limited to a portable device, the application range is extremely wide.
【0007】 [0007]
また、限られた空間、例えば自動車や航空機などの乗物の運転席などに映像や計器のディスプレイを設置しようとする場合、窓、天井、ドア、ダッシュボードなどが有する様々な曲面と曲率が一致するように表示装置を最初から作っておけば、平面上のみならず曲面上にもそのまま取りつけることができる。 In addition, limited space, for example when trying to install a vehicle display driver's seat, such as the video and instruments, such as automobiles and aircraft, windows, ceilings, doors, a variety of curved surface and the curvature, such as the dashboard has to match if making a display device from the beginning in this way, it can be attached as it is also on a curved surface not on the plane only. 従来では、ディスプレイは平面であって、乗物の空間スペースを狭める、或いは、平面ディスプレイをはめこむために壁を切り取り、取りつけ作業などが複雑なものとなっていた。 In the past, the display is a plan, narrowing the space space of the vehicle, or, cut the wall in order to fit the flat panel display, such as mounting work has been a complicated.
【0008】 [0008]
本発明は、曲率を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。 The present invention aims to provide a method for manufacturing a semiconductor device pasted layer to be peeled to a substrate having a curvature. 特に、曲率を有するディスプレイ、具体的には曲率を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置、或いは曲率を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の作製方法の提供を課題とする。 In particular, problems display, a light emitting device particularly having an organic light-emitting device which is attached to a substrate having a curvature, or to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device which is attached to a substrate having a curvature with a curvature to.
【0009】 [0009]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本明細書で開示する作製方法に関する発明の構成は、曲率を有する支持体及び転写体を形成する第1工程と、前記支持体と比較して剛性の高い基板上に素子を含む被剥離層を形成する第2工程と、前記素子を含む被剥離層及び前記基板に、曲率を有した前記支持体を、前記素子を含む被剥離層及び前記基板の表面形状に合致するように外力を加えた状態で接着する第3工程と、前記支持体が接着された前記素子を含む被剥離層を基板から物理的手段により剥離する第4工程と、前記素子を含む被剥離層に前記転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を挟む第5工程とを有する半導体装置の作製方法であって、前記素子を含む被剥離層が接着された前記支持体は、前記第4工程終了時点で、第1工程終了時に有していた形状 Configuration of the invention relates to the manufacturing method disclosed herein, a first step of forming a support and transfer member having a curvature, the layer to be peeled including an element to a high rigidity substrate as compared to said support a second step of forming, on the layer to be peeled and said substrate containing said element, said support having a curvature, an external force is applied to conform to the surface shape of the layer to be peeled and said substrate including said element bonding a third step of bonding in a state, a fourth step of the support is peeled by a physical means to be peeled layer from the substrate including the element bonded, the transfer material layer to be peeled including the element and, a method for manufacturing a semiconductor device having a fifth step of sandwiching the elements between the transfer member and the support member, the support layer to be peeled including the element is bonded, the first in four steps end, the shape it had during the first step is completed 完全あるいは部分的に復元することを特徴とする半導体装置の作製方法である。 A method for manufacturing a semiconductor device characterized by completely or partly restored.
【0010】 [0010]
尚、本発明において、支持体とは、物理的手段により剥離する際に被剥離層と接着するためのものであり、所望の曲率を有していて、かつ弾性つまり外力を加えた場合に元の形状に戻ろうとする復元力が働くという性質を有していれば特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。 In the present invention, a support is provided for adhering the peeled layer upon the release of the physical means, based on when the have a desired curvature, and adding an elastic clogging external force is not particularly limited as long as it has the property of restoring force acts to try to return the in shape, plastic, glass, metal, ceramics, etc., may be the substrate of any composition. また、本明細書中において、転写体とは、剥離された後、被剥離層と接着させるものであり、所望の曲率を有していれば特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。 Further, in this specification, a transfer body was peeled off, which is bonded with the layer to be peeled is not particularly limited as long as it has a desired curvature, plastic, glass, metal, ceramics, etc. it may be a substrate of any composition. 特に軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラスチック基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等が好ましい。 Especially if top priority lightweight, film-like plastic substrate, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), nylon, polyether ether ketone (PEEK), polysulfone (PSF), polyetherimide (PEI), polyarylate (PAR), polybutylene terephthalate (PBT) and the like are preferable.
【0011】 [0011]
また、上記構成において、前記支持体の第1工程終了時の曲率半径をRi、第3工程終了時の曲率半径をRm、第4工程終了時の曲率半径をRfとすると、Ri≦Rf≦Rmであることを特徴としている。 In the above structure, the radius of curvature occurring at the end of the first step of the support Ri, the radius of curvature at the third step is completed Rm, when the curvature radius at the time of the fourth step is completed and Rf, Ri ≦ Rf ≦ Rm it is characterized in that it.
【0012】 [0012]
また、上記構成において、有機発光素子を有する発光装置を形成する場合、前記支持体は封止材であって、前記素子は自発光素子であることを特徴としている【0013】 In the above structure, when forming the light-emitting device having an organic light-emitting device, the support is a sealing member, and wherein the device is a self-luminous element [0013]
また、上記構成において、液晶表示装置を形成する場合、前記支持体は対向基板であって、前記素子は画素電極を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されていることを特徴としている。 In the above structure, when forming the liquid crystal display device, the support is a counter substrate, the element has a pixel electrode, a pixel electrode, liquid crystal material between said opposed substrate There has been characterized by being filled.
【0014】 [0014]
また、上記構成において、前記支持体と前記転写体の少なくとも一方は透明であることを特徴としている。 In the above structure, it is characterized in that said at least one of the support and the transfer member is transparent.
【0015】 [0015]
また、上記構成において、前記支持体と前記転写体の曲率半径は50cm〜200cmの範囲内にあることを特徴としている。 In the above structure, the curvature radius of the transfer member and the support member is characterized to be within the scope of 50Cm~200cm.
【0016】 [0016]
また、上記構成において、剥離方法としては、特に限定されず、被剥離層と基板との間に分離層を設け、該分離層を薬液(エッチャント)で除去して被剥離層と基板とを分離する方法や、被剥離層と基板との間に非晶質シリコン(または多結晶シリコン)からなる分離層を設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出させることにより、空隙を生じさせて被剥離層と基板を分離させる方法などを用いることが可能である。 Moreover, the separation in the above structure, the separation method is not particularly limited, provided the separation layer between the layer to be peeled and the substrate, the a substrate layer to be peeled and removed in the separation layer drug solution (etchant) methods and the hydrogen contained in the amorphous silicon (or polycrystalline silicon) a separation layer is provided made of amorphous silicon by irradiating a laser beam is passed through the substrate between the layer to be peeled and the substrate by releasing, it is possible to use a method which causes the air gap separating the layer to be peeled and the substrate. なお、レーザー光を用いて剥離する場合においては、剥離前に水素が放出しないように熱処理温度を410℃以下として被剥離層に含まれる素子を形成することが望ましい。 Incidentally, in the case of peeling with a laser beam, it is desirable to form the elements contained in the layer to be peeled to a heat treatment temperature so the hydrogen is not released before peeling as 410 ° C. or less.
【0017】 [0017]
また、他の剥離方法として、2層間の膜応力を利用して剥離を行う剥離方法を用いてもよい。 As another separation method, it may be used stripping method of performing peeling by using two layers of film stress. この剥離方法は、基板上に設けた金属層、好ましくは窒化金属層を設け、さらに前記窒化金属層に接して酸化層を設け、該酸化層の上に素子を形成し、成膜処理または500℃以上の熱処理を行っても、膜剥がれ(ピーリング)が生じずに、物理的手段で容易に酸化層の層内または界面において、きれいに分離できるものである。 The stripping method, a metal layer provided on the substrate, preferably provided with a metal nitride layer, further wherein the metal nitride layer in contact by providing an oxide layer, forming a device on the oxide layer, the film forming process or 500 ℃ even if the above heat treatment, without causing film peeling (peeling) is, in the layer or in the interface easily oxidized layer by physical means, but which can be cleanly separated. さらに剥離を助長させるため、前記物理的手段により剥離する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行う処理を行ってもよい。 To further promote the delamination, prior to peeling by the physical means may perform processing for performing irradiation heat treatment or laser light.
【0018】 [0018]
また、上記各作製方法によって、曲面を有するディスプレイを実現でき、自動車、航空機、船舶、列車等の乗物に搭載することが可能となる。 Further, the above-described manufacturing method, can be realized a display having a curved surface, automobiles, it is possible to mount an aircraft, a ship, a vehicle, such as trains. 乗物の内壁、天井などは、なるべく空間スペースを広くとり、何らかの理由で人の体がぶつかっても問題にならないよう滑らかな曲面で構成されている。 The inner wall of the vehicle, such as the ceiling, is composed of a smooth curved surface so that as much as possible to take a wide space space, not a problem even hit the human body for some reason. これらの曲面にTFT及び有機発光素子を有する表示装置を計器または照明装置として搭載することも可能となる。 Mounting the display device having the TFT and the organic light-emitting device in these curved surfaces as instruments or lighting apparatus also becomes possible. 尚、このTFT及び有機発光素子を有する表示装置の駆動方法は、アクティブマトリクス型とすることが好ましいが、パッシブ型でも構わない。 The driving method of a display device having the TFT and the organic light emitting device, it is preferable that the active matrix type, but may be a passive type.
【0019】 [0019]
例えば、乗物の窓を基材として、窓の曲面に合致した曲率を持つ、有機発光素子を有する表示装置を、湾曲させることなくそのまま接着することによって、映像や計器の表示を行うことができる。 For example, a window of a vehicle as the base material, having a curvature which matches the window curved, a display device having an organic light-emitting element, by directly bonding without curving, it is possible to display a video and instrumentation. 特に有機発光素子を有する表示装置は非常に薄く軽量なものとすることができ、空間スペースは変化しない。 In particular display device can be made very thin and light having an organic light-emitting element, the spatial space does not change. 乗物の窓に有機発光素子を有する表示装置を接着させる場合には、基板や電極や配線を透明なものとすることが望ましく、外光を遮断するフィルムを設けてもよい。 When adhering the display device having an organic light-emitting element in the window of the vehicle, it is desirable to the substrate and electrodes and wirings be transparent, may be provided with a film for cutting off external light. また、表示していない場合には、外の景色が問題なく確認できるようにすることが好ましい。 Also, if not indicated, it is preferable that the scenery outside to be able to confirm without problems.
【0020】 [0020]
また、乗物の内壁、ドア、シート、または車のダッシュボードに沿って、これらの曲面に合致した曲率を持つ、有機発光素子を有する表示装置を、湾曲させることなくそのまま接着することによっても、映像や計器の表示を行うことができる。 Further, the inner wall of the vehicle, door, along a sheet or a car dashboard, having a curvature that matches those of the curved surface, a display device having an organic light-emitting device, also by directly bonding without curving, video display of and instruments can be carried out. 本発明により作製された表示装置を曲面に沿って貼り付けるだけでよいため、取り付け作業は非常に簡単であり、内壁、ドア、シート、ダッシュボードを部分的に加工したりする必要が特にない。 For a display device manufactured by the present invention need only pasting along the curved surface, the mounting work is very simple, the inner wall, door, seat, unless you have or processing the dashboard partially. また、例えば車においては、右ハンドルであれば、左後方に車体の一部(窓ガラスの間の部分)があるため死角が存在しているが、窓ガラスの間の部分に本発明により作製された表示装置を貼りつけ、さらに車外に死角方向を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、運転者が死角を確認することができる。 Also prepared, in the example a car, if the right handle, although a blind spot because of the body part to the left rear (the part between the window glass) are present, the present invention a portion between the window glass It has been affixed to the display device, fitted with a camera can be further shoot dead angle direction outside the vehicle, by connecting to each other, the driver can check the blind spot. 特に有機発光素子を有する表示装置は、液晶表示装置に比べ動画に強く、視野角が広い表示装置である。 In particular display device having an organic light-emitting element, resistant to moving over a liquid crystal display device, the viewing angle is wide display.
【0021】 [0021]
また、乗物の天井を基材とし、天井の曲面に合致した曲率を持つ、有機発光素子を有する表示装置を、湾曲させることなくそのまま接着することによって、映像の表示や内部の照明を行うことができる。 Further, the ceiling of the vehicle as a base material, having a curvature that matches the ceiling curved, a display device having an organic light-emitting element, by directly bonding without curving, is possible to display and internal illumination of the image it can. また、例えば車において、天井と、各窓ガラスの間の部分に本発明により作製された表示装置を貼りつけ、さらに車外に各表示装置に対応する外部の景色を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、車内にいる人は、車内に居ながらにしてオープンカーのように外の景色を堪能することができる。 Further, for example in the vehicle, mounting the ceiling, attached display device manufactured by the present invention in the portion between each glazing, the camera can capture the external landscape further corresponding to each display device to the outside of the vehicle, connected to one another if, people in the car, it is possible to enjoy the outside of the scenery as while staying open car in the car. また、例えば列車や電車において天井や側壁に本発明により作製された表示装置を貼りつければ、空間スペースを狭めることなく広告の表示やテレビ映像を映し出すことができる。 In addition, for example, I mean to paste the display device manufactured by the present invention in the ceiling or side wall in the train or train, it is possible to project the display or TV image of advertising without narrowing the space space. 特に有機発光素子を有する表示装置は、液晶表示装置に比べ視野角が広い表示装置である。 In particular display device having an organic light emitting device, the viewing angle than a liquid crystal display device is a wide display.
【0022】 [0022]
上記乗物において、搭載した表示装置の曲面の曲率半径が50cm〜200cmであれば、TFTや有機発光素子は問題なく駆動させることができる。 In the vehicle, the radius of curvature of the curved surface of the mounting the display device if 50Cm~200cm, TFT and the organic light emitting device can be driven without problems.
【0023】 [0023]
なお、本発明でいう半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。 Note that the semiconductor device in the present invention refers to a device which can function by utilizing semiconductor characteristics, and an electro-optical device, light emitting devices, semiconductor circuits, and electronic devices are all semiconductor devices.
【0024】 [0024]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下に本発明の実施の態様について、その代表的な作製手順に基づいて図1、図2を用いて説明する。 Aspects of the present invention will now Figure 1, based on a typical manufacturing procedure will be described with reference to FIG.
【0025】 [0025]
図1(1)に支持体111及び転写体112を作製する第1工程を示す。 1 (1) shows a first step of preparing a support 111 and transfer member 112. これらは用途に応じて所望の曲率を有するように、特に支持体111に関しては弾性を有するように作製することが重要である。 These are to have a desired curvature depending on the application, it is important be made to have elasticity with respect to particular support 111. 第1工程終了時の支持体111の曲率半径をRiと定義する。 The radius of curvature of the first step at the end of the support 111 is defined as Ri. 原料、材質、成形方法等は特に限定されない。 Material, the material, the molding method and the like are not particularly limited. 厚さに関しても特に限定されない。 It is also not particularly limited with respect to thickness. 典型的には100μm程度の厚さであればよい。 Typically it may be a thickness of about 100 [mu] m. 一般的には、膜厚が200μm以下のものはフィルム、200μm以上のものはシートと呼ばれるが、支持体111及び転写体112はフィルムでもシートでもよい。 In general, what the film thickness is 200μm or less film, although 200μm or more of called sheet, the support 111 and the transfer member 112 may be a sheet in a film. 支持体111に関しては弾性を有する程度に薄ければよい。 It thin to an extent having elasticity with respect to the support 111. ここでは支持体111、転写体112共プラスチックを用いる。 Here it supports 111, using a transfer body 112 both plastics. 一般的な熱可塑性あるいは熱硬化性の樹脂を原料として、一般的なプラスチックの成形加工方法、即ち原料を加熱して流れ易い状態にする可塑化、型を用いて所望の形状にする賦形、冷却あるいは硬化反応により形状を安定化する固化、といった過程により成形すればよい。 Common thermoplastic or thermosetting resin as a raw material, a general molding method for a plastic, i.e. the raw material was heated plasticized to flow easily state, shaping to a desired shape using a mold, solidified to stabilize the shape by cooling or curing reaction may be formed by processes such. 例えば、熱硬化性樹脂を圧縮成形する場合の工程を図2に示す。 For example, it is showing a step in the case of compression molding the thermosetting resin to FIG. まず図2(1)のように、金型(下型)211bに、加熱されて流動性が高くなっている状態の熱硬化性樹脂212を充填する。 First, as shown in FIG. 2 (1), the mold (lower mold) 211b, it is heated to fill the thermosetting resin 212 in a state where the fluidity is high. その後図2(2)のように金型(上型)211aを使用して矢印の方向から加圧する。 Pressurized in the arrow direction using a die (upper die) 211a as the subsequent Figure 2 (2). この加圧を保持したまま金型211a及び211bを加熱すれば、ある時点から樹脂の流動性が低下し硬化に至る。 By heating the pressure mold 211a and 211b while maintaining the fluidity of the resin from a certain point of time reaches the curing decreases. この後、金型211a及び211bを開いて成形品を得る。 Thereafter, to obtain a molded product by opening the mold 211a and 211b.
【0026】 [0026]
また、支持体111や転写体112上には種々の機能を持ったコーティング膜(図示しない)を単層あるいは複数層積層させることができる。 Further, on the support 111 and transfer member 112 (not shown) coated film having various functions can be a single layer or multiple layers laminated. 一般的には水や酸素等を遮断するバリア膜、接着剤の接着性を向上させる下地膜、耐薬品性や物理的強度を高める保護層等が積層される。 In general, the barrier film that blocks water and oxygen, the base film to improve the adhesion of the adhesive, the protective layer or the like is stacked to increase the chemical resistance and physical strength. 例えば、支持体111に100nm程度の厚さの窒化珪素薄膜をスパッタ法で成膜することができる。 For example, it is possible to form a silicon nitride film of about 100nm thick by sputtering on a support 111. 但し、支持体111や転写体112の少なくとも一方は光透過率が有限、即ち透明であることが必要である。 Provided that at least one of the support 111 and transfer member 112 is required to be light transmittance is finite, namely transparent.
【0027】 [0027]
図1(2)に基板122上に被剥離層121を作製する第2工程を示す。 1 (2) shows a second step of preparing a peeled layer 121 on the substrate 122. 被剥離層はTFTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子など)や有機発光素子等から構成され、一般に電極、配線、絶縁膜等を含む。 The release layer is composed of various elements typified by TFT (thin film diode, etc. photoelectric conversion element and silicon resistor element made of a PIN junction of silicon) or an organic light emitting element and the like, generally comprise electrodes, wiring, an insulating film, etc. . 基板122の剛性は支持体111に比べて高いとする。 The rigidity of the substrate 122 is higher than the support 111. 図1(2)では簡単のため、基板122は完全に被剥離層121に覆われているように描かれているが、一部基板122が剥き出しになっていても問題ない。 Figure 1 (2), for simplicity, the substrate 122 is completely depicted as covered in the release layer 121, no problem even if some substrate 122 is not exposed.
【0028】 [0028]
図1(3)に基板122および被剥離層121上に支持体111を接着する第3工程を示す。 1 (3) shows a third step of bonding the support 111 on the substrate 122 and the layer to be peeled 121. まず支持体111に外力を加え、基板122および被剥離層121の表面形状に合った形にする。 The external force first to the support 111, in the form that matches the surface shape of the substrate 122 and the layer to be peeled 121. 例えば、元々図1(1)のように曲がった支持体111を図1(3)のように真っ直ぐに引っ張った状態にして接着すればよい。 For example, originally may be bonded in the state pulled straight as shown in FIG. 1 (3) to support 111 bent as shown in FIG. 1 (1). 接着後、支持体111には最初の形状に戻ろうとする復元力が働いているが、接着されている基板122の方が剛性が高いため、この段階では支持体111は真っ直ぐ引っ張られた状態を維持している。 After bonding, although the support 111 is working restoring force of returning to the original shape, because the higher stiffness of the substrate 122 are bonded, a straight tensioned state support 111 at this stage It is maintained. 即ち、第3工程終了時の支持体111の曲率半径をRmと定義すると、支持体111のカーブは第1工程終了時に比べ一般に緩やかになるため、一般にRi≦Rmである。 That is, when the curvature radius of the third step at the end of the support 111 is defined as Rm, the curve of the support 111 to become gentle in general than at the end of the first step, which is generally Ri ≦ Rm. 接着方式としては支持体111と被剥離層121あるいは支持体111と基板122が密着していることが好ましいが、内部に有限の空間を有していてもよい。 It is preferable as the adhesive system and the support 111 to be peeled layer 121 or the support 111 and the substrate 122 are in close contact, may have a finite space therein.
【0029】 [0029]
接着剤(図示しない)及びその塗布方法の種類は特に限定されない。 Adhesive (not shown) and the type of coating method is not particularly limited. 即ち、反応硬化型、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の接着剤を、スクリーン印刷、ディスペンサによる描画、スプレーによる吐出等の手法で塗布すればよい。 That is, the reaction curing type, thermosetting type, photocuring type, glue anaerobic type or the like, screen printing, drawing with a dispenser, may be applied by a technique discharge due spraying. ここでは光硬化型の一種である紫外線硬化性接着剤をディスペンサで塗布する。 Here, applying a UV curable adhesive is a type of photocurable a dispenser. 支持体111側、もしくは被剥離層121側に接着剤を塗布した後、紫外線を照射することにより接着剤を硬化する。 After an adhesive is applied the support 111 side, or the layer to be peeled 121 side to cure the adhesive by irradiating ultraviolet rays. 一般に被剥離層121には紫外線が照射されると損傷を受ける部分があるため、その場所を隠す適当な遮光マスクを使用するか、あるいは接着剤のみを硬化させその他の場所には損傷を与えないような選択的なエネルギーを持つ紫外線を照射してやることによって損傷を回避すればよい。 Because the generally peeled layer 121 is partially damaged when irradiated with ultraviolet light, no damage is to use a suitable shielding mask either or elsewhere to cure the adhesive alone to hide its location the ultraviolet rays having a selective energy, such as may be prevent damage by'll irradiated.
【0030】 [0030]
図1(4)に被剥離層121を基板122から剥離する第4工程を示す。 The peeled layer 121 shows a fourth step of peeling from the substrate 122 in FIG. 1 (4). 剥離方法は特に限定されない。 Peeling method is not particularly limited. ここでは、熱処理温度や基板の種類に制約を受けない剥離方法である、金属層または窒化物層と酸化物層との膜応力を利用した剥離方法を用いる。 Here, a peeling method not restricted to the type of heat treatment temperature and the substrate, using a peeling method using the film stress of the metal layer or nitride layer and the oxide layer. まず、図1(2)の状態を得る前に、基板122上に窒化物層または金属層(図示しない)を形成する。 First, prior to obtaining the state of FIG. 1 (2), to form a nitride layer or metal layer (not shown) on the substrate 122. 窒化物層または金属層として代表的な一例はTi、W、Al、Ta、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ptから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層、或いは、これらの窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。 A typical example as the nitride layer or metal layer is Ti, W, Al, Ta, Mo, Cu, Cr, Nd, Fe, Ni, Co, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, selected from Pt elements , or a single layer made of an alloy material or a compound material containing the element as its main component, or a lamination of these, or a nitride thereof, for example, titanium nitride, tungsten nitride, tantalum nitride, a single layer made of molybdenum nitride, or it may be used for these stacked. 次いで、窒化物層または金属層上に酸化物層(図示しない)を形成する。 Then formed oxide layer to the nitride layer or metal layer (not shown). 酸化物層として代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料を用いればよい。 A typical example is a silicon oxide as the oxide layer, a silicon oxynitride, it may be used a metal oxide material. なお、酸化物層は、スパッタ法、プラズマCVD法、塗布法等の方法で成膜すればよい。 Note that the oxide layer is a sputtering method, a plasma CVD method, it may be deposited at a method of coating method, or the like. 窒化物層または金属層、及び酸化物層、両層の膜厚を1nm〜1000nmの範囲で適宜設定することによって、両層の膜応力を互いに異ならせることが可能である。 Nitride layer or metal layer, and the oxide layer, by appropriately setting the range of the thickness of both layers 1 nm to 1000 nm, it is possible to vary the film stress of both layers to each other. また、基板122と窒化物層または金属層との間に絶縁層や金属層を設け、基板122との密着性を向上させてもよい。 Further, an insulating layer and a metal layer between the substrate 122 and the nitride layer or metal layer may be provided to improve the adhesion to the substrate 122. 次いで、酸化物層上に半導体層を形成し、被剥離層121を得ればよい。 Then, a semiconductor layer is formed over the oxide layer, may be we get the layer to be peeled 121. なお、上記剥離方法は、酸化物層の膜応力と、窒化物層または金属層の膜応力が互いに異なっていても、被剥離層の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。 The above peeling method includes a film stress of the oxide layer, even if the film stress of the nitride layer or metal layer are different from each other, do not occur like peeling film by heat treatment in the manufacturing process of the layer to be peeled. また、上記剥離方法は、酸化物層の膜応力と、窒化物層または金属層の膜応力が互いに異なっているため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。 Further, the peeling method, since the film stress of the oxide layer, the membrane stress of the nitride layer or metal layer are different from each other, it can be peeled with a relatively small force. 尚、被剥離層121を引き剥がす際にクラックが生じないようにすることも重要である。 Incidentally, it is also important to ensure that the crack does not occur when peeling the layer to be peeled 121.
【0031】 [0031]
以上のようにして、酸化物層上に形成された被剥離層121を基板122から分離することができる。 As described above, the layer to be peeled 121 which is formed on the oxide layer can be separated from the substrate 122. 重要な点は、この段階で支持体111が復元力によって第1工程終了時に元々持っていた形状に戻ることである。 The important point is that the support 111 at this stage is returned to the shape it had originally during the first step is completed by the restoring force. それに伴い、支持体111下に接着されている被剥離層121も支持体111に沿って湾曲する。 Along with this, also curved along the support 111 to be peeled layer 121 is adhered to the lower support member 111. 第4工程終了時の支持体111の曲率半径をRfと定義すると、第1工程終了時の形状に戻るのであるから支持体111のカーブは第3工程終了時に比べ急になる、即ちRf≦Rmとなる。 When the curvature radius of the fourth step at the end of the support 111 is defined as Rf, the curve of the support 111 since it is to return to the shape occurring at the end of the first step is steeper than at the end of the third step, i.e. Rf ≦ Rm to become. 一方、支持体111は一般に完全弾性でないことに加え、被剥離層121が接着されていることから、第1工程終了時に比べると一般にカーブは緩やかになる、即ちRi≦Rfとなる。 On the other hand, in addition to the support 111 is not typically fully elastic, since the peeled layer 121 is adhered generally curve becomes gentle as compared to when the first step is completed, that is, Ri ≦ Rf. 従って、一般にRi≦Rf≦Rmとなる。 Therefore, generally Ri ≦ Rf ≦ Rm.
【0032】 [0032]
図1(5)に転写体112を被剥離層121に接着する工程を示す。 1 (5) shows a step of bonding the transfer member 112 to the layer to be peeled 121. 転写体112の形状、厚さに関しては、支持体111の形状、厚さ及び被剥離層121の厚さを考慮して、図1(4)で湾曲した被剥離層121の表面形状に合致するように作製しておけば、特に限定されないが、支持体111と同様に弾性を有していることが好ましい。 The shape of the transfer member 112, with respect to the thickness, the shape of the support 111, in consideration of the thickness and the thickness of the layer to be peeled 121, matches the surface shape of the layer to be peeled 121 which is curved in FIG. 1 (4) Once you have produced such, not particularly limited, it preferably has a resilient like the support 111.
【0033】 [0033]
尚、図1(2)で支持体111の接着方向は特に限定されない。 The adhesive direction of the support 111 in FIG. 1 (2) is not particularly limited. 但し、被剥離層121中に複数個のTFTが設けられている場合、これらTFTのチャネル長方向を全て同一方向に配置し、かつこのチャネル長方向と支持体111が図1(1)の状態で曲率を有していない方向とが平行になるように接着すれば、より好ましい。 However, the state of the case that a plurality of TFT is provided in the layer to be peeled 121, all the channel length direction of TFT are arranged in the same direction, and the support 111 and the channel length direction in FIG. 1 (1) in it has no curvature when the adhesive so that the direction is parallel, more preferred. なぜならば、図1(4)で基板122を剥離した後、被剥離層121が接着された支持体111が復元力によって元の形状に回復した時に被剥離層121中のTFTが受ける影響を最小限に抑えることが可能なためである。 Because the minimum after removing the substrate 122, the TFT will be affected in the peeled layer 121 when the support 111 to be peeled layer 121 is adhered is restored to its original shape by the restoring force in FIG. 1 (4) This is because that can be kept to a limit.
【0034】 [0034]
液晶表示装置を作製する場合は、支持体を対向基板とし、シール材を接着剤として用いて支持体を被剥離層に接着すればよい。 Case of manufacturing a liquid crystal display device, the support and the counter substrate, a support with a sealant as an adhesive may be adhered to the layer to be peeled. この場合、被剥離層に設けられた素子は画素電極を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする。 In this case, the element provided in the layer to be peeled has a pixel electrode, a pixel electrode, between the said opposing substrate so that the liquid crystal material is filled.
【0035】 [0035]
また、有機発光素子を有する装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体を封止材として、外部から水や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐように発光素子を外部から完全に遮断することが好ましい。 In manufacturing a light-emitting device typified as a device that has an organic light-emitting element, a support as a sealing material, so that the material to promote deterioration of the organic compound layer such as moisture and oxygen from the outside prevented from entering it is preferable to completely cut off the light emitting element from the outside. また、有機発光素子を有する装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体だけでなく、転写体も同様、十分に外部から水や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。 In manufacturing a light-emitting device represented as a device having an organic light emitting device, not only the support, also transcript, material penetrates to promote degradation of sufficient organic compound layer from the outside such as moisture and oxygen to prevent it is preferable. また、水や酸素の透過による劣化を抑えることを重要視するなら、剥離後に被剥離層に接する薄膜を成膜することによって、剥離の際に生じるクラックを修復し、被剥離層に接する薄膜として熱伝導性を有する膜、具体的にはアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させて素子の劣化を抑える効果とともに、転写体、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護する効果を得ることができる。 Also, if importance to suppress the deterioration due to permeation of water and oxygen, by forming a thin film in contact with the layer to be peeled after peeling, to repair cracks occurring during peeling, as a thin film in contact with the layer to be peeled film having thermal conductivity, in particular by using a nitride or oxynitride of aluminum aluminum, together with the effect of suppressing the deterioration of the device by diffusing heat generated elements, transcripts, specifically plastic substrate it is possible to obtain the effect of protecting the deformation or deterioration. また、この熱伝導性を有する膜は、外部からの水や酸素等の不純物の混入を防ぐ効果も有する。 Also, film having thermal conductivity, has the effect of preventing mixing of impurities of water and oxygen from the outside.
【0036】 [0036]
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。 The present invention having the above structure will be performed explained in more detail in the following examples.
【0037】 [0037]
【実施例】 【Example】
[実施例1] [Example 1]
本実施例では、有機発光素子(OLED:Organic Light Emitting Diodes)を有する発光装置を作製する手順を図3に示す。 In this embodiment, the organic light-emitting device: shows a procedure for manufacturing a light emitting device having a (OLED Organic Light Emitting Diodes) in FIG.
【0038】 [0038]
図3(1)に示すように、基板311上に第1の材料層312を形成する。 As shown in FIG. 3 (1), forming a first material layer 312 on the substrate 311. 第1の材料層312としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよいが、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×10 10 (Dyne/cm 2 )の範囲で引張応力を有する材料を用いることが重要である。 The first material layer 312 may have a tensile have a compressive stress stress immediately after deposition but, abnormality occurs in the peeling or the like by irradiation of heat treatment and laser light in the layer to be peeled formed not, and it is important to use a material having a tensile stress in a range of 1 to 1 × 10 10 after the peeling layer is formed (Dyne / cm 2). 典型的には、窒化物あるいは金属が好ましく、代表的な一例はW、WN、TiN、TiWから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層が挙げられる。 Typically, nitride or metal is preferred, a typical example is W, WN, TiN, single layer made of an alloy material or a compound material mainly containing an element selected or the element, from TiW, or they and the like is laminated. なお、第1の材料層312は、スパッタ法を用いればよい。 The first material layer 312 may be formed using a sputtering method.
【0039】 [0039]
基板311として、ガラス、石英、セラミック等を用いることができる。 As the substrate 311, glass, quartz, ceramics or the like. また、シリコンを代表とする半導体基板、またはステンレスを代表とする金属基板を用いてもよい。 The semiconductor substrate typified by a silicon or a stainless steel, may be a metal substrate typified. ここでは厚さ0.7mmのガラス基板(♯1737)を用いる。 Here, a glass substrate is used (# 1737) having a thickness of 0.7 mm.
【0040】 [0040]
次いで、第1の材料層312上に第2の材料層313を形成する。 Then, a second material layer 313 over the first material layer 312. 第2の材料層313としては、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×10 10 (Dyne/cm 2 )の範囲で圧縮応力を有する材料を用いることが重要である。 The second material layer 313, the abnormality does not occur in the peeling or the like by irradiation of heat treatment and laser light in the layer to be peeled formed, and, of 1 to 1 × 10 10 after the peeling layer is formed (Dyne / cm 2) it is important to use a material having a compressive stress in the range. 第2の材料層313としては酸化物が好ましく、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料、またはこれらの積層が挙げられる。 Preferably oxide as the second material layer 313, a representative example is silicon oxide, silicon oxynitride, and a metal oxide material, or a laminate thereof. なお、第2の材料層313は、スパッタ法を用いて成膜すればよい。 The second material layer 313 may be deposited by sputtering. 第2の材料層313をスパッタ法で成膜する場合、アルゴンガスで代表される希ガスをチャンバー内に導入して、第2の材料層313中に微量の希ガス元素を含ませる。 When forming the second material layer 313 by sputtering, a rare gas typified by an argon gas is introduced into the chamber, causing a rare gas element of trace amounts in the second material layer 313.
【0041】 [0041]
第1の材料層312と第2の材料層313において、各々の膜厚は、1nm〜1000nmの範囲で適宜設定し、第1の材料層312における内部応力および第2の材料層313における内部応力を調節すればよい。 In the first material layer 312 and the second material layer 313, each film thickness, appropriately set in the range of 1 nm to 1000 nm, the internal stress in the internal stress and the second material layer 313 in the first material layer 312 it may be adjusted.
【0042】 [0042]
また、図3では、プロセスの簡略化を図るため、基板311に接して第1の材料層312を形成した例を示したが、基板311と第1の材料層312との間にバッファ層となる絶縁層や金属層を設け、基板311との密着性を向上させてもよい。 Further, in FIG. 3, in order to simplify the process, an example of forming a first material layer 312 in contact with the substrate 311, a buffer layer between the substrate 311 and the first material layer 312 an insulating layer and a metal layer formed may be provided to improve the adhesion to the substrate 311.
【0043】 [0043]
次いで、第2の材料層313上にTFTを含む被剥離層314aを形成する。 Then, a peeled layer 314a including the TFT on the second material layer 313. 被剥離層314aは画素部TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、画素部の周辺に設ける駆動回路TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、及び配線等を含む。 Peeled layer 314a, a pixel portion TFT (n-channel type TFT and p-channel type TFT), a driving circuit TFT (n-channel type TFT and p-channel type TFT) provided in the periphery of the pixel portion, and a wiring or the like. 次いで、各TFTを覆う絶縁膜を形成した後、画素部に設けられたTFTと電気的に接続する陰極または陽極を形成する。 Next, after forming an insulating film covering each TFT, to form a TFT electrically connected to a cathode or an anode provided in the pixel portion. 次いで、陰極または陽極の端部を覆うように両端にバンクとよばれる絶縁物を形成する。 Then, an insulator called banks across to cover an end portion of the cathode or anode. また、必要であれば適宜、TFTを覆って窒化膜からなるパッシベーション膜(保護膜)を形成してもよい。 Further, appropriately, if necessary, it may be formed a passivation film (protective film) made of a nitride film covering the TFT. また、被剥離層314aの形成プロセスとして、基板311の耐え得る範囲の熱処理を行うことができる。 Further, as the process of forming the layer to be peeled 314a, it is possible to perform the heat treatment in the range capable of withstanding the substrate 311. なお、第2の材料層313における内部応力と、第1の材料層312における内部応力が異なっていても、被剥離層314aの作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。 Incidentally, the internal stresses in the second material layer 313, be different from the internal stress in the first material layer 312, it does not occur like peeling film by heat treatment in the manufacturing process of the layer to be peeled 314a.
【0044】 [0044]
次いで、TFTを含む被剥離層314a上に有機発光素子を含む被剥離層314bを形成する。 Then, a peeled layer 314b including an organic light-emitting device onto a release layer 314a that includes a TFT. 即ち、両端がバンクで覆われている陰極または陽極上にEL層(有機化合物材料層)を形成する。 That is, to form the EL layer (organic compound material layer) on the cathode or anode ends are covered by the banks. EL層の下層を陰極とした場合にはEL層上に陽極を、EL層の下層を陽極とした場合にはEL層上に陰極を、それぞれ設ければよい。 The anode is on the EL layer in the case where the lower layer of the EL layer and the cathode, when the underlying EL layer and an anode in the cathode on the EL layer may be provided respectively.
【0045】 [0045]
EL層としては、電子、正孔両キャリアの注入、移動、再結合を行わせるための層、すなわち発光層、キャリア輸送層、キャリア注入層等を自由に組み合わせる。 The EL layer, electron injection hole both carriers, moving, a layer for causing recombination, i.e. light-emitting layer, a carrier transporting layer, freely combine the carrier injection layer. 有機EL材料としては、低分子系、高分子系および両者を併用したものを用いることができる。 The organic EL materials, low molecular weight, can be used in combination with polymeric and both. また、EL層として一重項励起状態あるいは三重項励起状態からの発光(前者は一般に蛍光、後者は一般に燐光)が得られるような発光材料からなる薄膜を用いることができる。 Further, light emission from a singlet excited state or a triplet excited state as EL layers (the former typically fluorescent, the latter generally phosphorescence) can be used a thin film made of light-emitting materials such as those obtained. 成膜法は低分子系材料では真空蒸着法、エレクトロンビーム(EB)蒸着法等の乾式法が、高分子系材料ではスピンコート法、インクジェット印刷法等の湿式法が、それぞれ一般的である。 Film-forming method is vacuum deposition method is a low molecular material, an electron beam (EB) dry process vapor deposition method or the like, spin coating is a polymeric material, a wet method such as ink-jet printing method, respectively generalization. また、キャリア輸送層やキャリア注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。 It is also possible to use inorganic materials such as silicon carbide as a carrier transport layer and carrier injection layer. これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。 These organic EL materials and inorganic materials can be a known material. なお、EL層は合計しても100nm程度の薄膜層として形成する。 Incidentally, EL layer is formed as a thin film layer of about 100nm in the aggregate. そのため、陰極または陽極として形成する表面は平坦性を高めておく必要がある。 Therefore, the surface to form a cathode or anode it is necessary to increase the flatness.
【0046】 [0046]
また、陰極に用いる材料としては仕事関数の小さい金属(アルカリ金属やアルカリ土類金属)や、これらを含む合金を用いることが好ましい。 Further, as a material used for the cathode and a metal having a low work function (alkali metal or alkaline earth metal), it is preferable to use an alloy containing these. 例えば、アルカリ金属の一つであるLi(リチウム)を微量含むアルミニウム合金(AlLi合金)を陰極に使用した有機発光素子では、一般に発光特性が良好で、かつ長時間点灯を行っても輝度の低下が小さい。 For example, the organic light emitting device is one of an alkali metal Li (lithium) and containing a trace amount of aluminum alloy (AlLi alloy) is used in the cathode, lowering of luminance generally emission characteristics excellent, and even if a prolonged period It is small. あるいは、アルカリ金属の酸化物、フッ化物、及びアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物の極薄膜(1nm程度)の上に、仕事関数のそれ程小さくない単体金属(Alなど)を積層しても同様に良好な素子特性が得られる。 Alternatively, oxides of alkali metals, fluorides, and oxides of alkaline earth metals, on the fluoride ultra-thin (about 1 nm), be stacked not so small single metal work function (such as Al) Similarly excellent device characteristics can be obtained. 例えば陰極として、AlLi合金の代わりに、LiFの極薄膜の上にAlを積層した構造を用いても同様の特性を得ることができる。 For example as the cathode, instead of AlLi alloy, it is possible to obtain the same characteristics by using a stacked structure of Al on a very thin film of LiF.
【0047】 [0047]
また、陽極に用いる導電膜としては、陰極を形成する材料よりも仕事関数の大きい材料を用いる。 Further, the conductive film used for the anode, use a material having a high work function than the material forming the cathode. 特に透明な導電膜としては、酸化スズ(SnO 2 )系、酸化亜鉛(ZnO)系、酸化インジウム(In 23 )系の材料、代表的にはITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、IZO(酸化インジウム酸化亜鉛合金)等が広く用いられている。 Particularly transparent conductive film, tin oxide (SnO 2) based, zinc oxide (ZnO) based, indium oxide (In 2 O 3) based material oxide, typically ITO (indium tin oxide alloy), IZO ( an alloy of indium oxide and zinc oxide) or the like is widely used. また、ITOよりもシート抵抗の低い材料、具体的には白金(Pt)、クロム(Cr)、タングステン(W)、もしくはニッケル(Ni)といった材料を用いることもできる。 Further, material having a lower sheet resistance than ITO, specifically may be a material such as platinum (Pt), chromium (Cr), tungsten (W), or nickel (Ni).
【0048】 [0048]
以上の工程で、有機発光素子を含む層314bと、該有機発光素子と接続するTFTを含む層314aとが積層された被剥離層が形成される。 Through the above process, a layer 314b containing an organic light emitting device, the release layer and the layer 314a are stacked, including a TFT connected to the organic light emitting device is formed. 尚、有機発光素子に流れる電流をTFTで制御する場合、大きく分けて2通りの方法がある。 In the case of controlling the current flowing through the organic light emitting device TFT, there are roughly divided into two methods. 具体的には、飽和領域と呼ばれる電圧範囲で電流を制御する方法と、飽和領域に達するまでの電圧範囲で電流を制御する方法とがある。 Specifically, there are a method of controlling the current in a voltage range called the saturation region, and a method of controlling the current in the voltage range until the saturation region. 本明細書では、Vd−Id曲線において、電流値がほぼ一定となるVdの範囲を飽和領域と呼んでいる。 In this specification, the Vd-Id curve, a range of Vd which the current value becomes substantially constant is called a saturation region. 本発明は有機発光素子の駆動方法に限定されず、任意の駆動方法を用いることができる。 The present invention is not limited to the driving method of the organic light emitting device, it is possible to use any drive method.
【0049】 [0049]
次いで、第1の材料層312と第2の材料層313との密着性を部分的に低下させる処理を行う。 Then, processing is performed to partially decrease the first material layer 312 and adhesion between the second material layer 313. 密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って前記第2の材料層または前記第1の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第2の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。 Processing partially reduce the adhesion, the process of irradiating a laser beam partially to the second material layer or said first material layer along the periphery of the region to be peeled off, or attempting to peel is a process damage in the layer or portion of the interface locally the second material layer by applying pressure from the outside along the periphery of the area to be. 具体的にはダイヤモンドペンなどで硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。 More specifically, it should be moved by applying a load against the hard needle vertically such as a diamond pen. 好ましくは、スクライバー装置を用い、押し込み量を0.1mm〜2mmとし、圧力をかけて刃を動かせばよい。 Preferably, using a scriber device, a pressing amount and 0.1 mm to 2 mm, it may be moving the blade under pressure. このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的(部分的)に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。 Thus, parts such as peeling phenomenon is likely to occur before performing the peeling, i.e., it is important to make an opportunity, by performing the pretreatment for reducing the adhesiveness selectively (partly), peeling there is no failure, also yield is improved.
【0050】 [0050]
次いで、図3(2)に示すように、被剥離層314aに設けられたTFTと接続する引き出し配線の端部に設けられた端子電極にフレキシブルプリント基板(FPC:Flexible Printed Circuit)321を貼りつける。 Then, as shown in FIG. 3 (2), a flexible printed circuit board to a terminal electrode provided at an end portion of the lead-out wiring connected to the TFT provided in the layer to be peeled 314a (FPC: Flexible Printed Circuit) 321 a pasted .
【0051】 [0051]
次いで、第1の接着剤322で支持体323と被剥離層314a、314bとを接着する。 Then adhered to the support 323 to be peeled layer 314a, and 314b in the first adhesive 322. 元々曲率及び弾性を有している支持体323に外力を加えた状態で接着することになる。 It will be bonded while applying an external force to the support 323 having the original curvature and elasticity. 接着後、支持体323には復元力が働くが、基板311の方が剛性が高いため、この段階では支持体は元の形状には戻らない。 After bonding, the restoring force acts on the support 323, for direction of the substrate 311 has a high rigidity, the support at this stage does not return to its original shape. 有機発光素子の場合、支持体323は一般に封止材であり、主に外部からの水や酸素の侵入によるEL層及び陽極、陰極等の劣化を抑える機能を持つ。 For the organic light-emitting device, the support 323 is generally sealant, have mainly EL layer and the anode due to water or oxygen from entering from the outside, a function to suppress deterioration of the cathode, and the like.
【0052】 [0052]
第1の接着剤322としては、反応硬化型、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の種類が挙げられる。 The first adhesive 322, the reaction curing type, thermosetting type, photocuring type, and the type of anaerobic type. これらの接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等いかなるものでもよい。 The composition of these adhesives, for example, epoxy-based, acrylate-based, may be any such silicone. ただし、有機発光素子は水や酸素に弱いため、水や酸素に対してバリア性の高い材料であることが望ましい。 However, organic light emitting device sensitive to water and oxygen, it is desirable to water and oxygen is a high barrier material. このような接着剤の形成は、例えば、塗布法によってなされる。 The formation of such adhesives, for example, be done by a coating method. また、接着剤は支持体側、あるいは被剥離層314a、314b側のどちらに塗布してもよい。 Further, the adhesive side of the support or the layer to be peeled 314a,, may be applied to either 314b side. 本実施例では第1の接着剤322として紫外線硬化型接着剤を用いる。 In this embodiment, a UV-curable adhesive as the first adhesive 322. この場合、紫外線を照射することにより第1の接着剤322を硬化する。 In this case, curing the first adhesive 322 by the irradiation of ultraviolet rays. 紫外線を照射する方向は有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によって実施者が適宜決定することができる、即ち基板311から照射しても、支持体323から照射してもよい。 Direction structure of the organic light-emitting device for irradiating ultraviolet rays can be practitioner depending on the circuit configuration of a manufacturing method and the pixel or the like is appropriately determined, i.e. be irradiated from the substrate 311 may be irradiated from the support 323. しかし、EL層等は一般に紫外線照射により損傷を受けるため、紫外線を照射したくない場所を隠す遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節することで接着剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。 However, since the EL layer or the like for receiving a generally damaged by ultraviolet radiation, the other part to cure the adhesive alone by adjusting either use a light shielding mask for covering the location where you do not want to irradiation with ultraviolet rays, or UV energy it is necessary to prevent damage.
【0053】 [0053]
次いで、上記密着性を部分的に低下させた領域側から剥離させ、図3(3)中の矢印の方向に向かって、第1の材料層312が設けられている基板311を物理的手段により引き剥がす。 Then, the adhesion was partially peeled from the reduced area side, in the direction of the arrow in FIG. 3 (3), by physical means substrate 311 where the first material layer 312 is provided peeled off. 第2の材料層313が圧縮応力を有し、第1の材料層312が引張応力を有するため、比較的小さな力(例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等)で引き剥がすことができる。 A second material layer 313 is compressive stress, because it has a stress first material layer 312 is tensile, relatively small force (e.g., wind pressure of the human hand, gas sprayed from a nozzle, ultrasonic waves, etc.) in can be peeled off.
【0054】 [0054]
こうして、第2の材料層313上に形成された被剥離層314a、314bを基板311から分離することができる。 Thus, the layer to be peeled 314a formed on the second material layer 313, the 314b can be separated from the substrate 311. この段階で、支持体323は復元力によって元の形状に戻り、それに伴って支持体323に接着されている各層も湾曲する(図3(4))。 At this stage, the support 323 is returned to its original shape by the restoring force, also curved layers are bonded to the support 323 along with it (Fig. 3 (4)).
【0055】 [0055]
次いで、図3(5)に示すように、第2の接着剤352で転写体351と第2の材料層313(及び被剥離層314a、314b)とを接着する。 Then, as shown in FIG. 3 (5), it is adhered to the transfer member 351 by the second adhesive 352 second material layer 313 (and the exfoliation layer 314a, 314b) and the.
【0056】 [0056]
第2の接着剤352としては、反応硬化型、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の各種接着剤を用いる。 The second adhesive 352, reaction curing type, thermosetting type, photocuring type, various adhesives anaerobic or the like is used. 本実施例では第2の接着剤352として紫外線硬化型接着剤を用いる。 In this embodiment, a UV-curable adhesive as the second adhesive 352. 紫外線を照射する方向は有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によって実施者が適宜決定することができる、即ち転写体351から照射しても、支持体323から照射してもよい。 Direction structure of the organic light-emitting device for irradiating ultraviolet rays can be practitioner depending on the circuit configuration of a manufacturing method and the pixel or the like is appropriately determined, i.e. be irradiated from the transfer member 351 may be irradiated from the support 323 . 但し、第1の接着剤322の場合と同様、紫外線を照射したくない場所を隠す遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節することで接着剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。 However, if the same, the other part to cure the adhesive alone by adjusting either use a light shielding mask for covering the location where you do not want to irradiation with ultraviolet rays, or the energy of the ultraviolet light of the first adhesive 322 damages it is necessary not to give.
【0057】 [0057]
以上の工程で第2の接着剤352及び転写体351上に被剥離層314a、314bを備えた発光装置を作製することができる。 It is possible to fabricate a light emitting device having the layer to be peeled 314a, the 314b on the second adhesive 352 and the transfer member 351 in the above steps. このような発光装置は外力を加えない状態で50cm〜200cmの曲率を有していることが特徴である。 Such a light-emitting device is characterized to have a curvature 50cm~200cm with no external forces. 尚、第2の接着剤352と被剥離層314aとの間には第2の材料層である酸化物層313がある。 Between the second and the adhesive 352 to be peeled layer 314a there is an oxide layer 313 is a second layer of material. こうして得られる発光装置は、第2の材料層313がスパッタ法で成膜され、第2の材料層313中に微量の希ガス元素を含ませており、装置全体としてフレキシブルにすることもできる。 Thus obtained light-emitting device, the second material layer 313 is deposited by a sputtering method, and contains a rare gas element trace amounts in the second material layer 313 can also be flexible as a whole unit.
【0058】 [0058]
また、有機発光素子からの発光は支持体323側、あるいは転写体351側の双方から取り出すことが可能である。 Further, light emitted from the organic light-emitting element can be extracted from both the substrate 323 side, or the transfer member 351 side. 支持体323側からのみ発光を取り出す場合を上面出射あるいは上方出射(top emissionという言い方もなされる)、転写体352側からのみ発光を取り出す場合を下面出射あるいは下方出射、支持体323及び転写体352の両側から発光を取り出す場合を両面出射あるいは両方出射と呼ぶ。 Top-emission or top emission the case where light is emitted only from the support 323 side (say that top emission is also performed), a bottom emission or bottom emission the case where light is emitted only from the transfer member 352 side, the support 323 and the transfer member 352 It referred to the case where both sides of the light is emitted and dual emission or both exit. いずれにせよ、有機発光素子の発光を外へ取り出すためには、支持体323及び転写体352のいずれか一方は透明である必要がある。 In any case, in order to take out luminescence in an organic light emitting device to the outside, one of the support 323 and the transfer member 352 is required to be transparent. 発光方向は、有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によって実施者が適宜決定することができる。 Emission direction, the configuration of the organic light-emitting element may be a practitioner by the manufacturing method and a circuit configuration of the pixel is determined as appropriate.
【0059】 [0059]
[実施例2] [Example 2]
本実施例では、液晶表示装置を作製する手順を図4に示す。 This embodiment shows a procedure for manufacturing a liquid crystal display device in FIG.
【0060】 [0060]
図4(1)に示すように、基板411上に第1の材料層412を形成する。 As shown in FIG. 4 (1), forming a first material layer 412 on the substrate 411. 第1の材料層412としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよいが、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×10 10 (Dyne/cm 2 )の範囲で引張応力を有する材料を用いることが重要である。 The first material layer 412 may have a tensile have a compressive stress stress immediately after deposition but, abnormality occurs in the peeling or the like by irradiation of heat treatment and laser light in the layer to be peeled formed not, and it is important to use a material having a tensile stress in a range of 1 to 1 × 10 10 after the peeling layer is formed (Dyne / cm 2). 典型的には、窒化物あるいは金属が好ましく、代表的な一例はW、WN、TiN、TiWから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層が挙げられる。 Typically, nitride or metal is preferred, a typical example is W, WN, TiN, single layer made of an alloy material or a compound material mainly containing an element selected or the element, from TiW, or they and the like is laminated. なお、第1の材料層412は、スパッタ法を用いればよい。 The first material layer 412 may be formed using a sputtering method.
【0061】 [0061]
基板411として、ガラス、石英、セラミック等を用いることができる。 As the substrate 411, glass, quartz, ceramics or the like. また、シリコンを代表とする半導体基板、またはステンレスを代表とする金属基板を用いてもよい。 The semiconductor substrate typified by a silicon or a stainless steel, may be a metal substrate typified. ここでは厚さ0.7mmのガラス基板(♯1737)を用いる。 Here, a glass substrate is used (# 1737) having a thickness of 0.7 mm.
【0062】 [0062]
次いで、第1の材料層412上に第2の材料層413を形成する。 Then, a second material layer 413 over the first material layer 412. 第2の材料層413としては、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×10 10 (Dyne/cm 2 )の範囲で圧縮応力を有する材料を用いることが重要である。 The second material layer 413, the abnormality does not occur in the peeling or the like by irradiation of heat treatment and laser light in the layer to be peeled formed, and, of 1 to 1 × 10 10 after the peeling layer is formed (Dyne / cm 2) it is important to use a material having a compressive stress in the range. 第2の材料層413としては酸化物が好ましく、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料、またはこれらの積層が挙げられる。 Preferably oxide as the second material layer 413, a representative example is silicon oxide, silicon oxynitride, and a metal oxide material, or a laminate thereof. なお、第2の材料層413は、スパッタ法を用いて成膜すればよい。 The second material layer 413 may be deposited by sputtering. 第2の材料層413をスパッタ法で成膜する場合、アルゴンガスで代表される希ガスをチャンバー内に導入して、第2の材料層413中に微量の希ガス元素を含ませる。 When forming the second material layer 413 by sputtering, a rare gas typified by an argon gas is introduced into the chamber, causing a rare gas element of trace amounts in the second material layer 413.
【0063】 [0063]
第1の材料層412と第2の材料層413において、各々の膜厚は、1nm〜1000nmの範囲で適宜設定し、第1の材料層412における内部応力および第2の材料層413における内部応力を調節すればよい。 In the first material layer 412 and the second material layer 413, each film thickness, appropriately set in the range of 1 nm to 1000 nm, the internal stress in the internal stress and the second material layer 413 in the first material layer 412 it may be adjusted.
【0064】 [0064]
また、図4では、プロセスの簡略化を図るため、基板411に接して第1の材料層412を形成した例を示したが、基板411と第1の材料層412との間にバッファ層となる絶縁層や金属層を設け、基板411との密着性を向上させてもよい。 Further, in FIG. 4, in order to simplify the process, an example of forming a first material layer 412 in contact with the substrate 411, a buffer layer between the substrate 411 and the first material layer 412 an insulating layer and a metal layer formed may be provided to improve the adhesion to the substrate 411.
【0065】 [0065]
次いで、第2の材料層413上に被剥離層414を形成する。 Then, a peeled layer 414 on the second material layer 413. 被剥離層414aは画素部TFT(nチャネル型TFT)、画素電極、保持容量、画素部の周辺に設ける駆動回路TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、及び配線等を含む。 Peeled layer 414a includes a pixel portion TFT (n-channel type TFT), a pixel electrode, a storage capacitor, a driving circuit TFT provided around the pixel portion (n-channel type TFT and p-channel type TFT), and a wiring or the like. 本実施例では、外光のみを利用して発光を得る反射型液晶表示装置を考える。 In this embodiment, consider a reflective type liquid crystal display device obtaining light emission using only ambient light. この場合、画素電極として光反射率の高い金属、例えばアルミニウムや銀等を用いればよい。 In this case, it may be used a metal having high light reflectance as the pixel electrodes, for example aluminum or silver. 尚、第2の材料層413における内部応力と、第1の材料層412における内部応力が異なっていても、被剥離層414の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。 Incidentally, the internal stresses in the second material layer 413, be different from the internal stress in the first material layer 412, it does not occur like peeling film by heat treatment in the manufacturing process of the layer to be peeled 414.
【0066】 [0066]
次いで、被剥離層414上画素部に配向膜を形成し、一方向へラビング処理する。 Then, to form an alignment film on the pixel portion to be peeled layer 414, rubbing in one direction. これにより、後に注入する液晶の分子の向きを一方向へ揃えることができる。 Thus, it is possible to align the orientation of liquid crystal molecules to be injected after the one direction. 次いで、柱状あるいは球状のスペーサ415をパターニングあるいは散布により形成する。 Then formed by patterning or spraying columnar or spherical spacer 415. これにより、後に注入する液晶の層の厚さを制御できる。 Thus, it is possible to control the thickness of the liquid crystal layer to be injected later.
【0067】 [0067]
次いで、第1の材料層412と第2の材料層414との密着性を部分的に低下させる処理を行う。 Then, processing is performed to partially decrease the first material layer 412 adhesion between the second material layer 414. 密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って前記第2の材料層または前記第1の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第2の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。 Processing partially reduce the adhesion, the process of irradiating a laser beam partially to the second material layer or said first material layer along the periphery of the region to be peeled off, or attempting to peel is a process damage in the layer or portion of the interface locally the second material layer by applying pressure from the outside along the periphery of the area to be. 具体的にはダイヤモンドペンなどで硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。 More specifically, it should be moved by applying a load against the hard needle vertically such as a diamond pen. 好ましくは、スクライバー装置を用い、押し込み量を0.1mm〜2mmとし、圧力をかけて動かせばよい。 Preferably, using a scriber device, a pressing amount and 0.1 mm to 2 mm, it should be moved under pressure. このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的(部分的)に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。 Thus, parts such as peeling phenomenon is likely to occur before performing the peeling, i.e., it is important to make an opportunity, by performing the pretreatment for reducing the adhesiveness selectively (partly), peeling there is no failure, also yield is improved.
【0068】 [0068]
次いで、図4(2)に示すように、被剥離層414に設けられたTFTと接続する引き出し配線の端部に設けられた端子電極にFPC421を貼りつける。 Then, as shown in FIG. 4 (2), affixed to FPC421 the terminal electrode provided at an end portion of the lead-out wiring connected to the TFT provided in the layer to be peeled 414.
【0069】 [0069]
次いで、シール剤422a、422bで支持体423と基板411(正確には酸化物層413)とを接着する。 Then, the sealing agent 422a, the support 423 and the substrate 411 (more precisely, the oxide layer 413) at 422b and bonding the. 但し、後に液晶を注入するために、422aのように液晶注入口を設ける。 However, in order to inject the liquid crystal later it is provided a liquid crystal injection port as 422a. 元々曲率及び弾性を有している支持体424に外力を加えた状態で接着することになる。 It will be bonded while applying an external force to the support 424 having the original curvature and elasticity. 接着後、支持体424には復元力が働くが、基板411の方が剛性が高いため、この段階では元の形状には戻らない。 After bonding, the restoring force acts on the support 424, for direction of the substrate 411 is high rigidity, it does not return to the original shape at this stage. スペーサ415の存在によって、支持体423と基板411との間隔は保持される。 The presence of the spacer 415, the distance between the support 423 and the substrate 411 is maintained. 液晶表示装置の場合、支持体424は一般に対向基板であり、カラーフィルタ、偏光板、共通電極、配向膜等(図示しない)があらかじめ形成されているものとする。 For the liquid crystal display device, the support 424 is generally counter substrate, it is assumed that color filters, polarizers, the common electrode, an alignment film or the like (not shown) is previously formed. 反射型液晶表示装置の場合、共通電極には透明導電膜(ITOやIZO等)を用いればよい。 For the reflection type liquid crystal display device, the common electrode may be formed using a transparent conductive film (ITO or IZO, or the like).
【0070】 [0070]
シール剤422a、422bとしては、反応硬化型、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の種類が挙げられる。 Sealant 422a, as the 422b, reaction-curing, thermosetting, photocuring, and the type of anaerobic type. これらのシール剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等いかなるものでもよい。 The composition of these sealants, for example, epoxy-based, acrylate-based, may be any such silicone. このようなシール剤の形成は、例えば、塗布法によってなされる。 The formation of such sealant, for example, be done by a coating method. また、シール剤は支持体423側、あるいは基板411側のどちらに塗布してもよい。 The sealing agent may be applied to either of the support 423 side, or the substrate 411 side. 本実施例ではシール剤422として紫外線硬化型シール剤を用いる。 In this embodiment, a UV-curable sealant as sealant 422. この場合、紫外線を照射することによりシール剤422を硬化する。 In this case, curing the sealant 422 by irradiation with ultraviolet rays. 紫外線を照射する方向は支持体423側あるいは基板411側から照射すればよい。 Direction of irradiating ultraviolet rays may be irradiated from the support 423 side or the substrate 411 side. しかし、紫外線により損傷を受ける場所には遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節することでシール剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。 However, the place damaged by UV is required to prevent damage to other portions is cured only sealant by adjusting the energy of either or ultraviolet using a light shielding mask.
【0071】 [0071]
この後、液晶注入口より液晶424を注入後、液晶注入口を封止剤(図示せず)で完全に封止する。 Thereafter, after injecting the liquid crystal 424 from the liquid crystal injection port, completely sealing the liquid crystal inlet with a sealant (not shown). 封止剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等いかなるものでもよい。 The composition of the sealant, for example, epoxy-based, acrylate-based, may be any such silicone.
【0072】 [0072]
次いで、上記密着性を部分的に低下させた領域側から剥離させ、図4(3)中の矢印の方向に向かって、第1の材料層412が設けられている基板411を物理的手段により引き剥がす。 Then, the adhesion was partially peeled off from the region side with reduced, in the direction of the arrow in FIG. 4 (3), by physical means substrate 411 in which the first material layer 412 is provided peeled off. 第2の材料層414が圧縮応力を有し、第1の材料層412が引張応力を有するため、比較的小さな力(例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等)で引き剥がすことができる。 A second material layer 414 is compressive stress, because it has a stress first material layer 412 is tensile, relatively small force (e.g., wind pressure of the human hand, gas sprayed from a nozzle, ultrasonic waves, etc.) in can be peeled off.
【0073】 [0073]
こうして、第2の材料層413上に形成された被剥離層414を基板411から分離することができる。 Thus, it is possible to layer to be peeled 414 which is formed on the second material layer 413 is separated from the substrate 411. この段階で、支持体423は復元力によって元の形状に戻り、それに伴って支持体423に接着されている各層も湾曲する(図4(4))。 At this stage, the support 423 is returned to its original shape by the restoring force, also curved layers are bonded to the support 423 along with it (Fig. 4 (4)).
【0074】 [0074]
次いで、図4(5)に示すように、接着剤452で転写体451と第2の材料層413とを接着する。 Then, as shown in FIG. 4 (5), it is adhered to the transfer member 451 by an adhesive 452 and a second material layer 413. 接着剤452としては、反応硬化型、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の各種接着剤を用いる。 As the adhesive 452, the reaction curing type, thermosetting type, photocuring type, various adhesives anaerobic or the like is used. 本実施例では接着剤452として紫外線硬化型接着剤を用いる。 An ultraviolet curable adhesive as the adhesive 452 in the present embodiment. 紫外線は転写体451側あるいは支持体423側から照射すればよい。 UV may be irradiated from the transfer member 451 side or the support 423 side. 但し、紫外線を照射したくない場所には遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節することで接着剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。 However, in a location that ultraviolet not want irradiated with, it is necessary not to damage the other parts to cure the adhesive alone by adjusting the energy of either or ultraviolet using a light shielding mask.
【0075】 [0075]
以上の工程で第2の接着剤452及び転写体451上に被剥離層414を備えた液晶表示装置を作製することができる。 It can be manufactured a liquid crystal display device having a layer to be peeled 414 on the second adhesive 452 and the transfer member 451 in the above steps. このような半導体装置は外力を加えない状態で50cm〜200cmの曲率を有していることが特徴である。 Such a semiconductor device is characterized to have a curvature 50cm~200cm with no external forces. 尚、接着剤452と被剥離層414との間には第2の材料層である酸化物層413がある。 Between the adhesive 452 and the layer to be peeled 414 is an oxide layer 413 is a second layer of material. こうして得られる液晶表示装置は、第2の材料層413がスパッタ法で成膜され、第2の材料層413中に微量の希ガス元素を含ませており、装置全体としてフレキシブルにすることもできる。 The liquid crystal display device obtained in this manner, the second material layer 413 is deposited by a sputtering method, and contains a rare gas element trace amounts in the second material layer 413 can also be flexible as a whole unit .
【0076】 [0076]
また、本実施例では反射型液晶表示装置を考えているので、発光は支持体423側から得られる。 Further, in the present embodiment since the thinking reflective liquid crystal display device, light emission is obtained from the support 423 side. そのためには、支持体423は透明である必要がある。 This requires support 423 is transparent.
【0077】 [0077]
[実施例3] [Example 3]
本実施例では、有機発光素子を有する発光装置を作製する装置を図5に示す。 In this embodiment, an apparatus for manufacturing a light emitting device having an organic light-emitting element in FIG. 尚、本実施例で示す装置によって、実施例1で示した発光装置を作製することができる。 Incidentally, by the apparatus shown in this embodiment, it is possible to fabricate a light emitting device shown in Example 1.
【0078】 [0078]
図5は有機発光素子の発光層(EL層)を低分子有機化合物の乾式法により成膜する装置である。 Figure 5 is an apparatus for forming by a dry method of low-molecular organic compound emission layer of the organic light emitting element (EL layer). この製造装置は、主に基板を搬送する搬送室、受渡を行う受渡室、各種薄膜を作製する成膜室、封止を行う封止室から構成されている。 The manufacturing apparatus mainly transport chamber for transporting the substrate, the delivery chamber for delivery, deposition chamber to produce a variety of thin film, and a sealing chamber for sealing. 各室には必要な真空度を達成するための排気装置、あるいはN 2等のガス雰囲気を生成するための装置が装備されており、また各室間はゲートバルブ等で接続されている。 Exhaust system to achieve the degree of vacuum required for each chamber, or is equipped with devices for generating a gas atmosphere such as N 2, also between the chambers are connected by a gate valve or the like. 基板搬送は搬送ロボットによって行われる。 Substrate transfer is done by the transport robot.
【0079】 [0079]
最初に、受渡室500に有機発光素子作製に必要な基板501c(画素部、駆動回路部、配線、電極、保護膜等があらかじめ作り込まれているものとする)を外部から導入する。 First, the substrate 501c necessary for the organic light emitting device fabricated in the delivery chamber 500 (pixel portion, the driver circuit portion, the wiring, electrode, protective film or the like is assumed to have been fabricated in advance) is introduced from the outside. 典型的には、画素部、駆動回路部にはTFTが用いられる。 Typically, a pixel portion, TFT is used as the driver circuit portion.
【0080】 [0080]
受渡室500に導入された基板501cは、搬送ロボット501bによって搬送室501a内に運ばれ、更に前処理室502に搬送される。 Board 501c introduced to the delivery chamber 500 is carried into the transfer chamber 501a by the transfer robot 501b, and is conveyed further to the preprocessing chamber 502. 典型的には、前処理室502で基板501cに対して加熱、あるいはO 2プラズマ処理などの前処理が行われる。 Typically, pretreatment with the pretreatment chamber 502 heating the substrate 501c, or such as O 2 plasma processing is performed. この前処理は有機発光素子の諸特性向上を目的としている。 This pretreatment is intended characteristics improvement of an organic light emitting device.
【0081】 [0081]
前処理が終了した基板は、受渡室503を経由して、搬送室504へ運ばれる。 Substrate pretreatment is completed, through the delivery chamber 503, is transported to the transfer chamber 504. 搬送室504にも搬送ロボットが搭載されており、搬送室504に接続されている各部屋へ基板を搬送する役割を果たす。 Also is equipped with transfer robot in the transfer chamber 504, it serves to convey the substrate to each room that is connected to the transfer chamber 504. 搬送室504には有機層形成を目的とした成膜室が接続されている。 Deposition chamber is connected for the purpose of organic layers formed on the transfer chamber 504. フルカラー表示の有機発光素子を有する表示装置を作ることを念頭に置いて、R、G、B各色の発光層を形成するための成膜室506R、506G、506Bが、さらに各色に共通な層、即ちキャリア輸送層やキャリア注入層等を作製するための成膜室505が設置されている。 Place to make a display device having an organic light-emitting device of a full color display in mind, R, G, the film formation chamber 506R for forming the B color luminescent layers, 506G, 506B are further common layer for each color, that deposition chamber 505 for making a carrier transport layer and carrier injection layer and the like are installed. これらの成膜室では一般に真空蒸着法が用いられる。 Generally the vacuum deposition method is used in these deposition chambers. フルカラー発光を得るためには、R、G、B各色の発光を示す発光層がストライプ状、モザイク状、あるいはデルタ状に配列するように、塗り分け用のシャドウマスクを使用して蒸着を行えばよい。 To obtain a full-color light emission, R, G, B colors emitting layer stripes showing light emission, so as to be arranged in a mosaic pattern, or a delta shape, by performing evaporation using a shadow mask for separate coating good.
【0082】 [0082]
有機層の成膜が終了した基板は、受渡室507を経由して、搬送室508へ運ばれる。 Substrate film of the organic layer is completed, through the delivery chamber 507, is transported to the transfer chamber 508. 搬送室508にも搬送ロボットが搭載されており、搬送室508に接続されている各部屋へ基板を搬送する役割を果たす。 And the transfer robot is mounted in the conveying chamber 508, it serves to convey the substrate to each room that is connected to the transfer chamber 508. 搬送室508には裏面電極形成や保護膜等形成を目的とした成膜室が接続されている。 Deposition chamber is connected for the purpose of back electrode formed and the protective film or the like formed in the transfer chamber 508. 成膜室509や510では、真空蒸着法やEB法で電極となる金属(例としてAlLi合金やMgAg合金等)が成膜される。 In the film forming chamber 509 and 510, a metal to be an electrode by vacuum deposition or EB method (AlLi alloy or MgAg alloy as an example and the like) is deposited. 成膜室511では、基板上面から発光を得る場合に必要な透明導電膜(例としてITOやIZO等)が、一般にスパッタ法あるいは化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法で成膜される。 In the film forming chamber 511, a transparent conductive film necessary when obtaining the light emission from the upper surface of the substrate (ITO, IZO, etc. as an example) is generally a sputtering method or chemical vapor deposition: is formed by (CVD Chemical Vapor Deposition) method . 成膜室512では、表面を保護するためのパッシベーション膜(例としてSiN、SiOx膜等)が、一般にスパッタ法あるいはCVD法で成膜される。 In the film forming chamber 512, (SiN as an example, SiOx film) passivation film for protecting the surface is deposited by generally sputtering or CVD.
【0083】 [0083]
成膜が終了した基板は、受渡室513を経由して、搬送室514へ運ばれる。 Substrate film formation is completed, through the delivery chamber 513, is transported to the transfer chamber 514. 搬送室514には封止を行うために必要な部屋が複数接続されている。 Room is more connections necessary to perform the sealing the transport chamber 514. 搬送室514にも搬送ロボットが搭載されており、搬送室514に接続されている各部屋へ基板あるいは封止基板を搬送する役割を果たす。 Also is equipped with transfer robot in the transfer chamber 514, it serves to transport the substrate or the sealing substrate to each room that is connected to the transfer chamber 514.
【0084】 [0084]
まず、封止を行うための基板を準備する必要がある。 First, it is necessary to prepare the substrate for performing sealing. そのための部屋が封止ガラス基板準備室515a、及び封止プラスチック基板準備室515bである。 The room for the sealing glass substrate preparatory chamber 515a, and a sealing plastic substrate preparatory chamber 515b.
【0085】 [0085]
封止ガラス基板準備室515aには、作製した有機発光素子をガラス封止するための対向ガラスを外部から導入する。 The sealing glass substrate preparatory chamber 515a, the organic light emitting device fabricated introducing opposing glass for glass sealing from the outside. 必要ならば、有機発光素子を水から防ぐ乾燥剤を対向ガラスに導入することができる。 If necessary, it is possible to introduce a desiccant to prevent the organic light emitting element from the water to the opposite glass. 例えば、シート状の乾燥剤を、あらかじめザグリ加工が施してある対向ガラスのザグリ部分に両面テープ等で貼りつけておけばよい。 For example, a sheet-like drying agent, it is sufficient affixed with double-sided tape or the like to the counterbore portion of the opposed glass are pre counterbored portion subjected.
【0086】 [0086]
一方、封止プラスチック基板準備室515bでは、作製した有機発光素子をプラスチック封止するための準備を行う。 On the other hand, the sealing plastic substrate preparatory chamber 515b, and prepares for the organic light-emitting element manufactured plastics sealing. 外部から目的に合った形状を有するプラスチック(完成品)を導入してもよいが、本実施例では、封止ガラス基板準備室515b内で本発明における支持体(本実施例ではプラスチック)を作製する。 It may be introduced plastic (PVC) having a matching shape from the outside to the purpose, in the present embodiment, prepare a support in the present invention (plastic in this embodiment) in the sealing glass substrate preparatory chamber 515b to. 例えば、図2に示したような材料、方法で曲率及び弾性を有する支持体を作製する。 For example, to prepare a support having material as shown in FIG. 2, the curvature and elasticity in the process. つまり、金型211a、211bや熱硬化性樹脂212を外部から導入し、加熱、加圧、冷却といった成形加工を行う。 That is, by introducing the mold 211a, the 211b and thermosetting resin 212 from the outside, performs heat, pressure, molding processability such cooling. 有機発光素子をプラスチック上に転写する場合には、本発明における転写体も同様の方法で作製しておけばよい。 The organic light emitting device when transferred onto the plastic, it is sufficient to produce in a similar manner transcript in the present invention. これらの作業に関しては完全に自動化してもよいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。 It may be completely automated with respect to these tasks may be performed manually part by installing a glove.
【0087】 [0087]
準備された封止ガラス基板あるいは封止プラスチック基板はディスペンサ室516運ばれ、後に基板と貼り合わせるための接着剤(図示しない)が塗布される。 Prepared sealing glass substrate or sealing plastic substrate is transported dispenser chamber 516, the adhesive for bonding the substrate after (not shown) is applied. 本実施例では、接着剤として紫外線硬化型のものを用いる。 In this embodiment, used as the ultraviolet-curable as an adhesive. また、必要ならば、有機発光素子を水から防ぐ乾燥剤(図示しない)を、封止ガラス基板準備室515aにおけるガラス基板導入時ではなく、ディスペンサ室516内で仕込んでもよい。 Further, if necessary, a desiccant for preventing the organic light emitting element from water (not shown), not when the glass substrate introducing the sealing glass substrate preparatory chamber 515a, may be charged in the dispenser 516. 例えば、シート状の乾燥剤を、あらかじめザグリ加工が施してある対向ガラスのザグリ部分に両面テープ等で貼りつけることができる。 For example, a sheet-like drying agent, can be affixed with double-sided tape or the like to the counterbore portion of the opposed glass are pre counterbored portion subjected. こうすれば、乾燥剤を大気中で取り扱う必要がなくなる。 In this way, it is not necessary to deal with the drying agent in the atmosphere. これらの作業に関しては、完全に自動化してもよいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。 For these tasks, it may completely be automated, it may be carried out part by installing a glove manually. 特に封止プラスチック基板が曲率及び弾性を有する場合は、曲がった状態で接着剤を塗布してもよいし、真っ直ぐ伸ばした状態で塗布してもよい。 Especially when sealing plastic substrate has a curvature and elasticity, may be coated with adhesive in bent state, it may be applied in a state where straightened.
【0088】 [0088]
成膜を終えた基板、及び接着剤が塗布された封止ガラス基板あるいは封止プラスチック基板は封止室517へ運ばれ、互いに貼り合わせられる。 Sealing glass substrate or sealing plastic substrate board, and the adhesive agent is applied finishing the deposition is carried to the sealing chamber 517, they are bonded to each other. 接着時は適当な治具(図示しない)を用いて加圧する必要がある。 When the adhesive has to pressurize using a suitable jig (not shown). 曲率及び弾性を有する封止プラスチック基板の場合は真っ直ぐ伸ばした状態で貼りつければよい。 For sealing a plastic substrate having a curvature and elasticity may mean, attached in a state in which straightened. これらの作業に関しては、完全に自動化してもよいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。 For these tasks, it may completely be automated, it may be carried out part by installing a glove manually.
【0089】 [0089]
次いで、封止室517で貼り合わせられた基板および封止基板は紫外光照射室518へ運ばれ、接着剤硬化のための紫外線が照射される。 Then, substrate bonding and sealing substrate that are combined in the sealing chamber 517 is conveyed to ultraviolet light irradiation chamber 518, ultraviolet light for curing the adhesive is irradiated.
【0090】 [0090]
紫外光照射室518で接着された基板および封止基板は受渡室519から外部に取り出せばよい。 Substrate and the sealing substrate bonded by the ultraviolet light irradiation chamber 518 may be taken out to the outside from the delivery chamber 519.
【0091】 [0091]
但し、本発明における装置を作製する場合は、図1(4)(5)に示したように、基板剥離及び転写体接着の2工程が更に必要となる。 However, the case of manufacturing the apparatus of the present invention, as shown in FIG. 1 (4) (5), two steps of the substrate peeling and transfer adhesin is further required. 即ち、紫外光照射室518で紫外線照射により接着された基板および封止基板(支持体)を、一度封止プラスチック基板準備室515bへ戻す。 That is, the bonded substrate and the sealing substrate (support) by ultraviolet irradiation with ultraviolet light irradiation chamber 518, back once the sealing plastic substrate preparatory chamber 515b. 封止プラスチック基板準備室515bで基板剥離を行う。 The substrate is peeled off at the sealing plastic substrate preparatory chamber 515b. 本実施例では、剥離方法として、金属層または窒化物層と酸化物層との膜応力を利用した方法を用いる。 In this embodiment, as the separation method, a method utilizing the film stress of the metal layer or nitride layer and the oxide layer. 一方、支持体の場合と同様に、転写体を封止プラスチック基板準備室515bからディスペンサ室516に運び接着剤を塗布しておく。 On the other hand, as in the case of the support, previously applying an adhesive carrying transcripts from the sealing plastic substrate preparatory chamber 515b to the dispenser chamber 516. 基板が剥離された支持体、及び接着剤が塗布された転写体を封止室517へ運び、互いに貼り合わせる。 Support substrate has been peeled off, and carry the transfer material to which the adhesive is applied to the sealing chamber 517 are bonded to each other. その後、紫外光照射室518へ運び、再度紫外線照射を行うことによって表示装置が完成する。 Thereafter, carried to the ultraviolet light irradiation chamber 518, the display device is completed by performing the ultraviolet irradiation again. 最後に完成品を受渡室519から外部に取り出せばよい。 Finally, the finished product may be taken out from the delivery chamber 519 to the outside.
【0092】 [0092]
また、本実施例は、実施例1と組み合わせることができる。 This embodiment can be combined as in Example 1.
【0093】 [0093]
[実施例4] [Example 4]
本実施例では本発明によって得られた曲率を有するディスプレイを乗物に搭載した例を示す。 In this embodiment, an example provided with a display in a vehicle having a curvature obtained by the present invention. ここでは乗物の代表的な例として自動車を用いたが、特に限定されず、本発明は、スペースシャトル、航空機、列車、電車などに適用できることはいうまでもない。 Is used here automobile as a typical example of a vehicle is not particularly limited, the present invention is, space shuttle, aircraft, trains, can of course be applied to a train.
【0094】 [0094]
図6は、自動車の運転席周辺を示す図である。 Figure 6 is a diagram showing the driver's seat around the automobile. ダッシュボード部には音響再生装置、具体的にはカーオーディオや、カーナビゲーションが設けられている。 Sound reproducing apparatus in the dashboard portion, specifically, a car audio, a car navigation is provided. カーオーディオの本体2701は、表示部2702、操作スイッチ2703、2704を含む。 Car audio main body 2701, a display portion 2702, and operation switches 2703 and 2704. 表示部2702に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量なカーオーディオを完成させることができる。 Thin by the practice of the present invention to the display portion 2702, and can be completed lightweight car audio. また、カーナビゲーションの表示部2801に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量なカーナビゲーション完成させることができる。 Also, thin by carrying out the present invention to the display portion 2801 of the car navigation, and can be lightweight car navigation completed.
【0095】 [0095]
また、操作ハンドル部2602付近には、ダッシュボード部2601にスピードメータなどの計器のデジタル表示がなされる表示部2603が形成される。 Further, in the vicinity of the operation handle portion 2602, a display portion 2603 digital display instruments such as speedometer are made is formed in the dashboard unit 2601. 表示部2702に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器を完成させることができる。 Thin by the practice of the present invention to the display portion 2702, and can be completed the indicator lightweight machinery.
【0096】 [0096]
また、曲面を有するダッシュボード部2601に貼りつけられた表示部2602を形成してもよい。 In addition, it is also possible to form a display unit 2602, which is attached to the dashboard section 2601 having a curved surface. 表示部2602に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器や画像表示装置を完成させることができる。 Thin by the practice of the present invention to the display portion 2602, and can be completed the display or an image display device of lightweight machinery. なお、表示部2602は、矢印で示した方向に湾曲している。 The display unit 2602 is curved in the direction indicated by the arrow.
【0097】 [0097]
また、曲面を有するフロントガラス2604に貼りつけられた表示部2600を形成してもよい。 It is also possible to form a display unit 2600 that is attached to the windshield 2604 having a curved surface. 表示部2600に本発明を実施する場合、透過する材料を用いればよく、本発明によって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器や画像表示装置を完成させることができる。 When carrying out the present invention to the display portion 2600 may be used transparent to materials, thin the present invention, and can be completed the display or an image display device of lightweight machinery. なお、表示部2600は、矢印で示した方向に湾曲している。 The display unit 2600 is curved in the direction indicated by the arrow. ここではフロントガラスとしたが他のウインドウガラスに設けることも可能である。 Here has been a front glass is also possible to provide other window glass.
【0098】 [0098]
例えば、曲面を有するリアウインドウ2900に貼りつけられた表示部2902を形成してもよい。 For example, it may be formed a display unit 2902 that is attached to the rear window 2900 having a curved surface. 図7は、自動車の後部座席周辺を示す図である。 Figure 7 is a diagram showing a rear seat surrounding an automobile. なお、図7は図6と対応しており、操作ハンドル部は、同一であるため図6と同じ符号を用いている。 Incidentally, FIG. 7 corresponds to FIG. 6, the operation handle portion are denoted by the same reference numerals as in FIG. 6 are the same.
【0099】 [0099]
また、リアウインドウ2900に本発明のフレキシブルな表示装置を貼りつけ、さらに車外に後方を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、運転者は、車体2906が邪魔になって見ることができない場所を見ることができる。 Also, attached a flexible display device of the present invention the rear window 2900, fitted with a camera can be further shoot backwards outside the vehicle, by connecting to each other, the driver places can not see the vehicle body 2906 is in the way it can be seen. なお、表示部2902は、矢印で示した方向に湾曲している。 The display unit 2902 is curved in the direction indicated by the arrow.
【0100】 [0100]
また、図7に示すように右ハンドルであれば、左後方に車体2906の一部(窓ガラスの間の部分)があるため死角が存在しているが、窓ガラスの間の部分に本発明の表示装置(表示部2901)を貼りつけ、さらに車外に死角方向を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、運転者が死角を確認することができる。 Further, if the right-hand steering, as shown in FIG. 7, although a blind spot because of the part of the vehicle body 2906 in the left rear (the part between the window glass) are present, the present invention a portion between the window glass paste the display device (display unit 2901), fitted with a camera can be further shoot dead angle direction outside the vehicle, by connecting to each other, the driver can check the blind spot. なお、表示部2901は、矢印で示した方向に湾曲している。 The display unit 2901 is curved in the direction indicated by the arrow.
【0101】 [0101]
また、シート2904に表示部2905を設けてもよい。 It is also possible to provide a display unit 2905 on the sheet 2904. 後部座席に座った人がテレビを見たり、カーナビゲーションの表示を見たりすることができる。 It can be the person who was sitting in the rear seat or watch or look at the TV, the display of the car navigation.
【0102】 [0102]
また、ここでは図示しないが、車の天井を基材とし、天井の曲面に合致した形状を持つ有機発光素子を有する表示装置を接着することによって、映像の表示や車内の照明を行うことができる。 Further, although not shown here, the ceiling of the car as a base material, by adhering the display device having the organic light emitting element having a shape that matches the ceiling of the curved surface, it is possible to view and interior lighting of the video .
【0103】 [0103]
このように、本発明の曲面を有するディスプレイは、曲率半径が50cm〜200cmである曲面を有する車内のいたるところに簡単に搭載することができる。 Thus, a display having a curved surface of the present invention may be the radius of curvature is easily mounted on throughout the vehicle having a curved surface is 50Cm~200cm.
【0104】 [0104]
また、本実施例では車載用カーオーディオやカーナビゲーションを示すが、その他の乗物の表示器や、据え置き型のオーディオやナビゲーション装置に用いてもよい。 Further, in the present embodiment is an in-car car audio and car navigation, display and other vehicles may be used in stationary audio and navigation devices.
【0105】 [0105]
また、本実施例は、実施例1及び実施例2と組み合わせることができる。 This embodiment can be combined as in Example 1 and Example 2.
【0106】 [0106]
[実施例5] [Example 5]
本実施例では、被剥離層に含まれる素子およびその周辺構造を示す。 In this embodiment, an element and its peripheral structure contained in the layer to be peeled. ここでは、アクティブマトリクス型の表示装置における一つの画素の断面構造、特に発光素子およびTFTの接続、画素間に配置する隔壁の形状について説明する。 Here, the cross-sectional structure of one pixel in an active matrix type display device, in particular, a light-emitting element and the TFT connection, the shape of the partition walls disposed between the pixels will be described.
【0107】 [0107]
図8(A)中、40は基板、41は隔壁(土手とも呼ばれる)、42は絶縁膜、43は第1の電極(陽極)、44は有機化合物を含む層、45は第2の電極(陰極)、46はTFTである。 In FIG. 8 (A), the substrate 40, 41 (also referred to as bank) partition wall, 42 denotes an insulating film, the first electrode 43 (anode), a layer containing an organic compound 44, 45 second electrode ( cathode) 46 is TFT.
【0108】 [0108]
TFT46において、46aはチャネル形成領域、46b、46cはソース領域またはドレイン領域、46dはゲート電極、46e、46fはソース電極またはドレイン電極である。 In TFT 46, 46a is a channel formation region, 46b, 46c are a source region or a drain region, 46d denotes a gate electrode, 46e, 46f are a source electrode or a drain electrode. ここではトップゲート型TFTを示しているが、特に限定されず、逆スタガ型TFTであってもよいし、順スタガ型TFTであってもよい。 Is shown here the top gate type TFT, and is not particularly limited, and may be an inverted staggered TFT, and may be a staggered TFT. なお、46fは第1の電極43と一部接して重なることによりTFT46とを接続する電極である。 Incidentally, 46f is an electrode for connecting the TFT46 by overlapping contact part with the first electrode 43.
【0109】 [0109]
また、図8(A)とは一部異なる断面構造を図8(B)に示す。 Also, it is shown in FIG. 8 (B) different cross-sectional structure portion and FIG. 8 (A).
【0110】 [0110]
図8(B)においては、第1の電極と電極との重なり方が図8(A)の構造と異なっており、第1の電極をパターニングした後、電極を一部重なるように形成することでTFTと接続させている。 In FIG. 8 (B), the overlapping manner between the first electrode and the electrode is different from the structure of FIG. 8 (A), after patterning the first electrode, forming so as to partially overlap the electrode in are not connected to the TFT.
【0111】 [0111]
また、図8(A)とは一部異なる断面構造を図8(C)に示す。 Also, it is shown in FIG. 8 (C) different cross-sectional structure portion and FIG. 8 (A).
【0112】 [0112]
図8(C)においては、層間絶縁膜がさらに1層設けられており、第1の電極がコンタクトホールを介してTFTの電極と接続されている。 In FIG. 8 (C) an interlayer insulating film is provided further first layer, the first electrode is connected to the TFT electrode through the contact hole.
【0113】 [0113]
また、隔壁41の断面形状としては、図8(D)に示すようにテーパー形状としてもよい。 As the cross-sectional shape of the partition wall 41 may be tapered as shown in FIG. 8 (D). フォトリソグラフィ法を用いてレジストを露光した後、非感光性の有機樹脂や無機絶縁膜をエッチングすることによって得られる。 After exposing the resist using a photolithography method, a non-photosensitive organic resin or an inorganic insulating film obtained by etching.
【0114】 [0114]
また、ポジ型の感光性有機樹脂を用いれば、図8(E)に示すような形状、上端部に曲面を有する形状とすることができる。 Further, by using a positive photosensitive organic resin, it can be a shape having a curved shape, an upper end portion as shown in FIG. 8 (E).
【0115】 [0115]
また、ネガ型の感光性樹脂を用いれば、図8(F)に示すような形状、上端部および下端部に曲面を有する形状とすることができる。 Further, by using the negative photosensitive resin may be a shape having a curved shape, the upper and lower end portions as shown in FIG. 8 (F).
【0116】 [0116]
また、本実施例は、実施例1、実施例3、または実施例4のいずれとも組み合わせることができる。 This example also, Example 1, can be combined with any of the third or fourth embodiment.
【0117】 [0117]
[実施例6] [Example 6]
本実施例ではパッシブマトリクス型の発光装置(単純マトリクス型の発光装置とも呼ぶ)を作製する例を示す。 In this embodiment, an example of manufacturing a passive matrix light-emitting device (also referred to as a simple matrix light emitting device).
【0118】 [0118]
まず、基板上にストライプ状に複数の第1配線をITOなどの材料(陽極となる材料)で形成する。 First, a plurality of first wirings in a stripe shape on a substrate of a material such as ITO (material for the anode). 次いで、レジストまたは感光性樹脂からなる隔壁を発光領域となる領域を囲んで形成する。 Then, a partition wall made of a resist or photosensitive resin to form surrounding the region to be a light-emitting region. 次いで、蒸着法またはインクジェット法により、隔壁で囲まれた領域に有機化合物を含む層を形成する。 Then, by an evaporation method or an inkjet method to form a layer containing an organic compound in the region surrounded by the partition. フルカラー表示とする場合には、適宜、材料を選択して有機化合物を含む層を形成する。 In a full-color display, as appropriate, by selecting the material forming the layer containing an organic compound. 次いで、隔壁および有機化合物を含む層上に、ITOからなる複数の第1配線と交差するようにストライプ状の複数の第2配線をAlまたはAl合金などの金属材料(陰極となる材料)で形成する。 Then, formed on the layer containing the septum and organic compounds, a metal material a plurality of second wiring stripe so as to cross the plurality of first wiring made of ITO or Al or Al alloy (cathode and comprising material) to. 以上の工程で有機化合物を含む層を発光層とした発光素子を含む被剥離層を形成することができる。 It is possible to form the layer to be peeled including a light emitting device in which the layer containing an organic compound as a light emitting layer in the above steps.
【0119】 [0119]
次いで、シール材で支持体となる封止基板を貼り付ける、或いは第2配線上に保護膜を設けて封止する。 Then, paste sealing substrate comprising a support with a sealant, or sealed by a protective film on the second wiring.
【0120】 [0120]
次いで、基板を剥離し、発光素子を含む被剥離層を転写体(例えば、曲面を有するガラス基板)に貼り合わせる。 Then, peeling off the substrate, bonding the layer to be peeled including a light-emitting element to the transfer member (e.g., a glass substrate having a curved surface). 基板を剥離する方法は特に限定されず、実施の形態や実施例1に示した方法を用いればよい。 Method for peeling the substrate is not particularly limited, may be used the method described in Embodiment and Embodiment 1. FIG.
【0121】 [0121]
また、フルカラーの表示装置に限らず、単色カラーの発光装置、例えば、面光源、電飾用装置にも本発明を実施することができる。 Further, not only the full-color display device, single-color light emitting device, e.g., a surface light source, also electric decorative lighting device capable of implementing the present invention.
【0122】 [0122]
また、本実施例は実施例1、実施例3、実施例4、または実施例5と自由に組みあわせることができる。 This example also Example 1, Example 3, can be freely combined with Embodiment 4 or Embodiment 5,.
【0123】 [0123]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明によって、限られた空間、例えば自動車や航空機に代表される乗物の運転席等に存在する、様々な曲面を有する部位(窓、天井、ドア、ダッシュボードなど)にディスプレイを設置することができる。 The present invention, a limited space, for example, present in the driver's seat of a vehicle comprising such as automobiles and aircraft, parts having various curved surfaces (windows, ceilings, doors, dashboards, etc.) to install the display it can.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明を示す工程図である(実施の形態)。 1 is a process diagram illustrating the present invention (the embodiment).
【図2】プラスチックの成形加工法の一態様を示す図である(実施の形態)。 2 is a diagram illustrating an embodiment of the forming method of plastic (Embodiment).
【図3】有機発光素子を有する半導体装置作製の工程図である(実施例1)。 Figure 3 is a process diagram of a semiconductor device manufactured with organic light-emitting device (Example 1).
【図4】液晶を有する半導体装置作製の工程図である(実施例2)。 4 is a process diagram of a semiconductor device fabricated with liquid crystal (Example 2).
【図5】本発明を用いて有機発光素子を有する半導体装置を作製する装置図である(実施例3) [5] using the present invention is an apparatus diagram for manufacturing a semiconductor device having an organic light-emitting device (Example 3)
【図6】車の内部、フロントガラス周辺を示す図である(実施例4)。 6 is a diagram showing an internal, peripheral windshield (Example 4).
【図7】車の内部、リアウィンドウ周辺を示す図である(実施例4)。 Internal [7] car is a diagram showing a peripheral rear window (Example 4).
【図8】被剥離層に含まれるTFTおよび発光素子周辺の断面を示す図である(実施例5)。 8 is a diagram showing a TFT and a light-emitting element surrounding section included in the layer to be peeled (Example 5).

Claims (22)

  1. 曲率を有し、かつ、弾性を有する支持体を形成する第1工程と、 Has a curvature, and a first step of forming a support having an elasticity,
    曲率を有する転写体を形成する第2工程と、 A second step of forming a transfer body having a curvature,
    基板上にチャネル長方向を全て同一方向に配置した複数のトランジスタを含む被剥離層を形成する第3工程と、 A third step of forming a layer to be peeled including a plurality of transistors all the channel length direction and arranged in the same direction on the substrate,
    前記被剥離層に、前記支持体を接着する第4工程と、 Said layer to be peeled, and a fourth step of bonding said support,
    前記支持体が接着された前記被剥離層を前記基板から剥離する第5工程と、 A fifth step of peeling the layer to be peeled the support is adhered from the substrate,
    前記被剥離層に前記転写体を接着することにより、前記支持体と前記転写体との間に前記被剥離層を挟む第6工程とを有し、 Wherein by bonding the transfer member layer to be peeled, and a sixth step of sandwiching the layer to be peeled between the transfer member and the support member,
    前記複数のトランジスタのチャネル長方向と前記支持体の曲率を有していない方向とが平行であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 The method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the direction having no curvature of the support and the channel length direction of the plurality of transistors are parallel.
  2. 曲率を有し、かつ、弾性を有する支持体を形成する第1工程と、 Has a curvature, and a first step of forming a support having an elasticity,
    曲率を有する転写体を形成する第2工程と、 A second step of forming a transfer body having a curvature,
    前記支持体と比較して剛性の高い基板上にチャネル長方向を全て同一方向に配置した複数のトランジスタを含む被剥離層を形成する第3工程と、 A third step of forming a layer to be peeled including a plurality of transistors arranged a channel length direction in a highly rigid substrate compared to all the same direction as the support,
    前記被剥離層に、前記支持体を、前記被剥離層及び前記基板の表面形状に合致するように外力を加えた状態で接着する第4工程と、 Said layer to be peeled, and a fourth step of bonding in a state in which the support was added an external force to conform to the surface shape of the layer to be peeled and said substrate,
    前記支持体が接着された前記被剥離層を前記基板から物理的手段により剥離することにより、前記支持体が前記第1工程終了時に有していた形状に復元しようとして湾曲する第5工程と、 By peeling by physical means the layer to be peeled the support is adhered from the substrate, a fifth step of the support is curved in an attempt to restore the shape it had during the first step is completed,
    前記被剥離層に前記転写体を接着することにより、前記支持体と前記転写体との間に前記被剥離層を挟む第6工程とを有し、 Wherein by bonding the transfer member layer to be peeled, and a sixth step of sandwiching the layer to be peeled between the transfer member and the support member,
    前記複数のトランジスタのチャネル長方向と前記支持体の曲率を有していない方向とが平行であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 The method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the direction having no curvature of the support and the channel length direction of the plurality of transistors are parallel.
  3. 請求項1または請求項2において、前記支持体の第1工程終了時の曲率半径をRi、第4工程終了時の曲率半径をRm、第5工程終了時の曲率半径をRfとすると、Ri≦Rf≦Rmであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 According to claim 1 or claim 2, the radius of curvature occurring at the end of the first step of the support Ri, the curvature radius at the time of the fourth step is completed Rm, the curvature radius at the time of the fifth step is completed and Rf, Ri ≦ the method for manufacturing a semiconductor device which is a Rf ≦ Rm.
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記支持体は対向基板であって、前記被剥離層は画素電極を有しており、該画素電極と前記対向基板との間に液晶材料を充填することを特徴とする半導体装置の作製方法。 In any one of claims 1 to 3, wherein the support is a counter substrate, wherein the layer to be peeled has a pixel electrode, a liquid crystal material between the pixel electrode and the opposing substrate the method for manufacturing a semiconductor device characterized by filling.
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記転写体は弾性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 In any one of claims 1 to 4, wherein the transfer member, a method for manufacturing a semiconductor device characterized by having an elastic.
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記支持体及び前記転写体のうち、少なくとも一方は透明であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 In any one of claims 1 to 5, of the support body and the transfer body, at least one of a method for manufacturing a semiconductor device which is a transparent.
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記支持体及び前記転写体の曲率半径は 50cm〜200cmの範囲内にあることを特徴とする半導体装置の作製方法。 In any one of claims 1 to 6, the radius of curvature of said support and said transfer member, a method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that in the range of 50Cm~200cm.
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、前記転写体の曲率は、前記第5工程終了時点における前記被剥離層の表面形状に合致する曲率であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 In any one of claims 1 to 7, the curvature of the transfer member, a method for manufacturing a semiconductor device which is a curvature which matches the surface shape of the peeled layer in the fifth step end .
  9. 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、 In any one of claims 1 to 8,
    前記第3工程において、前記基板上にバッファ層を形成し、該バッファ層上に窒化物又は金属でなる第1の材料層を形成し、該第1の材料層上に酸化物でなる第2の材料層を形成し、該第2の材料層上に前記被剥離層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 In the third step, forming a buffer layer on the substrate, forming a first material layer comprising a nitride or a metal in the buffer layer, the second consisting of oxide on the first material layer the method for manufacturing a material layer is formed, a semiconductor device, which comprises forming said layer to be peeled on the second material layer.
  10. 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、 In any one of claims 1 to 9,
    前記第5工程の後、前記被剥離層に窒化アルミニウム膜又は窒化酸化アルミニウム膜を成膜し、 After the fifth step, the deposited aluminum nitride film or an aluminum nitride oxide film layer to be peeled,
    前記第6工程において、前記窒化アルミニウム膜又は前記窒化酸化アルミニウム膜を介して前記被剥離層に前記転写体を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 Wherein the sixth step, the method for manufacturing a semiconductor device characterized by bonding the transfer member to the layer to be peeled through the aluminum nitride film or the aluminum nitride oxide film.
  11. 請求項1乃至請求項10のいずれか一において、 In any one of claims 1 to 10,
    前記第1工程および/または前記第2工程において、熱硬化性樹脂を下型の金型上に配置し、該下型の金型に上型の金型を重ね加圧し、該加圧を保持したまま加熱することにより前記支持体および/または転写体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 Retention in the first step and / or the second step, placing the thermosetting resin onto the lower mold of the mold, the upper mold of the mold the overlapped pressurized to mold lower die, the pressurizing the method for manufacturing a semiconductor device characterized by forming the support and / or transfer member by heating and left.
  12. 曲率を有し、かつ、弾性を有する支持体を形成する第1工程と、 Has a curvature, and a first step of forming a support having an elasticity,
    曲率を有する転写体を形成する第2工程と、 A second step of forming a transfer body having a curvature,
    基板上に有機発光素子及びチャネル長方向を全て同一方向に配置した複数のトランジスタを含む被剥離層を形成する第3工程と、 A third step of forming a layer to be peeled including a plurality of transistors all of the organic light emitting element and the channel length direction on the substrate and arranged in the same direction,
    前記被剥離層に、前記支持体を、前記被剥離層及び前記基板の表面形状に合致するように外力を加えた状態で接着する第4工程と、 Said layer to be peeled, and a fourth step of bonding in a state in which the support was added an external force to conform to the surface shape of the layer to be peeled and said substrate,
    前記支持体が接着された前記被剥離層を前記基板から物理的手段により剥離することにより、前記支持体が前記第1工程終了時に有していた形状に復元しようとして湾曲する第5工程と、 By peeling by physical means the layer to be peeled the support is adhered from the substrate, a fifth step of the support is curved in an attempt to restore the shape it had during the first step is completed,
    前記被剥離層に前記転写体を接着することにより、前記支持体と前記転写体との間に前記被剥離層を挟む第6工程とを有し、 Wherein by bonding the transfer member layer to be peeled, and a sixth step of sandwiching the layer to be peeled between the transfer member and the support member,
    前記複数のトランジスタのチャネル長方向と前記支持体の曲率を有していない方向とが平行であることを特徴とする表示装置の作製方法。 The method for manufacturing a display device comprising a direction that does not have a curvature of the support and the channel length direction of the plurality of transistors is equal to or parallel.
  13. 請求項12において、 According to claim 12,
    前記表示装置は、アクティブマトリクス型又はパッシブ型であることを特徴とする表示装置の作製方法。 The display device, a method for manufacturing a display device, characterized in that an active matrix or a passive type.
  14. 請求項12または請求項13において、前記支持体の第1工程終了時の曲率半径をRi、第4工程終了時の曲率半径をRm、第5工程終了時の曲率半径をRfとすると、Ri≦Rf≦Rmであることを特徴とする表示装置の作製方法。 According to claim 12 or claim 13, the radius of curvature occurring at the end of the first step of the support Ri, the curvature radius at the time of the fourth step is completed Rm, the curvature radius at the time of the fifth step is completed and Rf, Ri ≦ the method for manufacturing a display device which is a Rf ≦ Rm.
  15. 請求項12乃至請求項14のいずれか一において、前記支持体は封止材であることを特徴とする表示装置の作製方法。 In any one of claims 12 to claim 14, wherein the support is a method for manufacturing a display device which is a sealing material.
  16. 請求項12乃至請求項15のいずれか一において、前記転写体は弾性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。 In any one of claims 12 to claim 15, wherein the transfer member, a method for manufacturing a display device characterized by having an elastic.
  17. 請求項12乃至請求項16のいずれか一において、前記支持体及び前記転写体のうち、少なくとも一方は透明であることを特徴とする表示装置の作製方法。 In any one of claims 12 to claim 16, of the support body and the transfer body, at least one method for manufacturing a display device which is a transparent.
  18. 請求項12乃至請求項17のいずれか一において、前記支持体及び前記転写体の曲率半径は 50cm〜200cmの範囲内にあることを特徴とする表示装置の作製方法。 In any one of claims 12 to claim 17, the radius of curvature of said support and said transfer member, a method for manufacturing a display device, characterized in that in the range of 50Cm~200cm.
  19. 請求項12乃至請求項18のいずれか一において、前記転写体の曲率は、前記第4工程終了時点における前記被剥離層の表面形状に合致する曲率であることを特徴とする表示装置の作製方法。 In any one of claims 12 to claim 18, the curvature of the transfer member, a method for manufacturing a display device which is a curvature which matches the surface shape of the peeled layer in the fourth step at the end .
  20. 請求項12乃至請求項19のいずれか一において、 In any one of claims 12 to claim 19,
    前記第3工程において、前記基板上にバッファ層を形成し、該バッファ層上に窒化物又は金属でなる第1の材料層を形成し、該第1の材料層上に酸化物でなる第2の材料層を形成し、該第2の材料層上に前記被剥離層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 In the third step, forming a buffer layer on the substrate, forming a first material layer comprising a nitride or a metal in the buffer layer, the second consisting of oxide on the first material layer the method for manufacturing a display device of the material layer is formed, and forming the layer to be peeled on the second material layer.
  21. 請求項12乃至請求項20のいずれか一において、 In any one of claims 12 to claim 20,
    前記第5工程の後、前記被剥離層に窒化アルミニウム膜又は窒化酸化アルミニウム膜を成膜し、 After the fifth step, the deposited aluminum nitride film or an aluminum nitride oxide film layer to be peeled,
    前記第6工程において、前記窒化アルミニウム膜又は前記窒化酸化アルミニウム膜を介して前記被剥離層に前記転写体を接着することを特徴とする表示装置の作製方法。 Wherein the sixth step, the method for manufacturing a display device characterized by bonding the transfer member to the layer to be peeled through the aluminum nitride film or the aluminum nitride oxide film.
  22. 請求項12乃至請求項21のいずれか一において、 In any one of claims 12 to claim 21,
    前記第1工程および/または前記第2工程において、熱硬化性樹脂を下型の金型上に配置し、該下型の金型に上型の金型を重ね加圧し、該加圧を保持したまま加熱することにより前記支持体および/または転写体を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 Retention in the first step and / or the second step, placing the thermosetting resin onto the lower mold of the mold, the upper mold of the mold the overlapped pressurized to mold lower die, the pressurizing the method for manufacturing a display device characterized by forming the support and / or transfer member by heating and left.
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