JP4565981B2 - Data storage method of a nonvolatile memory, a computer program and a mobile terminal - Google Patents

Data storage method of a nonvolatile memory, a computer program and a mobile terminal

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JP4565981B2 JP2004343698A JP2004343698A JP4565981B2 JP 4565981 B2 JP4565981 B2 JP 4565981B2 JP 2004343698 A JP2004343698 A JP 2004343698A JP 2004343698 A JP2004343698 A JP 2004343698A JP 4565981 B2 JP4565981 B2 JP 4565981B2
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本発明は、携帯電話機を代表とする携帯端末、特にその不揮発性メモリへのデータ保存の方法、そのコンピュータプログラムおよびこれを使用する携帯端末に関する。 The present invention is a portable terminal that a portable telephone as a representative, in particular a method of saving data to the nonvolatile memory, a portable terminal using the computer program and the same.

携帯電話機は近年、高機能化が進み、単なる通話機能だけでなく、電子メール送受信機能、ウェブ閲覧機能、GPS機能、非接触ICカード機能、等種々の機能を搭載するようになってきている。 Mobile phone in recent years, higher functionality proceeds, not just call function, an electronic mail transmitting and receiving function, a web browsing function, GPS function, the contactless IC card function, have come to be mounted equal various functions.

携帯端末においては、端末固有の端末ID等の他、このような各種機能に対応するアプリケーション(プログラム)の動作に必要な初期的なデータやパラメータを、電源遮断中にも保持できるように、再書き込み可能な不揮発性(NV: Non-Volatile)メモリに保存している。 In the mobile terminal, in addition to such terminal unique terminal ID, and initial data and parameters necessary for the operation of the application (program) corresponding to such various functions, so that it can be held even during power-off, re writable non-volatile: it is stored in (NV non-volatile) memory. 本明細書では、NVメモリに格納するデータやパラメータをNVアイテムと呼ぶ。 In this specification, data and parameters stored in the NV memory is referred to as NV item. 再書き込み可能な不揮発性メモリとしては例えばフラッシュメモリが知られている。 As rewritable nonvolatile memory are known flash memory, for example.

図13に、従来知られているNVメモリシステムの構成を示す。 13 shows a configuration of the NV memory system known in the prior art. この従来システムでは、NV領域のサイズに対する厳しい制限を課さないために、ファイルシステム上に構築されている。 In this conventional system, in order to not impose severe restrictions on the size of the NV-region, it is built on the file system. すなわち、アプリケーションからの要求に応じてNVタスクを実行するNVシステムは、埋込みファイルシステムを用いてデバイスドライバによりNVメモリをアクセスする。 That, NV systems running NV tasks in response to a request from the application accesses the NV memory by the device driver using the embedded file system.

他方、NVドライバ(デバイスドライバ)を用いて直接NVメモリ上のNVアイテムにアクセスする手法も考えられる。 On the other hand, a technique for accessing the NV items directly on NV memory using the NV driver (device driver) is also conceivable. この場合、NVドライバでNVメモリに対してデータ(NVアイテム)を読み書きする処理単位をセクタと呼ぶ。 In this case, it referred to the processing unit for reading and writing data (NV item) against NV memory NV driver and sectors. セクタのサイズは固定(例えば8Kバイト)であり、すべてのNVアイテムは1セクタ内に格納される。 Sector size is fixed (e.g., 8K bytes), all NV items are stored in one sector. この構成により、複雑な処理プログラムであるファイルシステムを不要とすることができる。 With this configuration, it is possible to file system is a complicated program unnecessary.

ファイルシステムを用いずNVドライバで直接NVメモリをアクセスする手法において、NVメモリに設けられるセクタとしては、その用途の違いにより、携帯端末の工場出荷時に書き込まれた後は読み出し専用となるRO(Read Only)セクタと、読み出し及び書き込みが許されるRW(Read Write)セクタとが設けられる。 In a manner to directly access the NV memory in NV driver without using a file system, as the sector provided in NV memory, the difference in the application after it is written to the factory of the portable terminal is a read-only RO (a Read Only) and sector, are provided and RW (read write) sector read and write are allowed.

図14に示すように、NVアイテムを格納するためのセクタは、通常複数(図では8個、1個あたり8Kバイト)設けられる。 As shown in FIG. 14, the sector for storing NV item, typically a plurality (eight in the figure, per 8K bytes) is provided. これは、NVメモリへのデータの書き込み動作中の電源断などの理由によりデータが破損するような場合の対策として、直前の書き込み時のデータが残存するように、同サイズの複数のセクタを用意しておき、新たなデータの書き込み時には別のセクタに書き込むためである。 This, as a countermeasure for a case where data for reasons such as power failure during a write operation of data to the NV memory corruption, as data at the time of writing the immediately preceding remains, providing a plurality of sectors of the same size ; then, it is to write to another sector at the time of writing of the new data. また、セクタの許容書き込み回数は有限なので、セクタ数を多くすることにより1セクタ当たりの書き込み頻度を軽減し、不揮発性メモリの使用可能な時間を延ばすことができる。 Further, the allowable number of writing sectors so finite, by increasing the number of sectors to reduce the frequency of writing per sector, it is possible to extend the time available for the non-volatile memory.

NVメモリに複数のセクタを用意した場合でも、1時点では有効なセクタが1つだけ存在し、これをアクティブセクタと呼ぶ。 Even when providing a plurality of sectors in the NV memory, then there is only one valid sector in one point, referred to as the active sectors. このアクティブセクタは全てのNVアイテムの最新の値を記憶している。 The active sector is to store the latest value of all of the NV items.

例えば携帯電話機の場合、通常、その機能の追加、新たなデジタル通信技術(例えば高速データ通信サービスのサポート)の採用等の要因により、NVメモリに必要とされるデータ容量は増加していく。 For example in the mobile phone, usually additional its functionality, due to factors adoption of new digital communication technologies (e.g., high-speed data communication services supported), the data capacity required in the NV memory increases.

NVメモリのメモリ容量の節約のみならず、セクタ消去や書き込みに要する時間の短縮の観点、ひいては端末の動作効率の観点からはセクタサイズは小さいことが好ましい。 NV not only save the memory capacity of the memory, the viewpoint of shortening the time required for the sector erase or write, it is preferred sector size is small from the viewpoint of operation efficiency and thus the terminal. 反面、NVアイテムが増加していき、当該セクタサイズに収納しきれない状態となったとき、これは端末の動作上、重大な支障となる。 On the other hand, NV items continue to increase, when it becomes a state which can not be housed in the sector size, this is a behavior on the serious problem of the terminal.

したがって、セクタサイズはNVアイテムの総データ容量に応じて定めることが好ましい。 Therefore, the sector size is preferably determined according to the total data capacity of NV item. しかし、端末開発の初期の段階で、NVメモリに将来必要となる最大容量を適正に判断することは、極めて困難である。 However, in the early stages of terminal development, to properly determine the maximum capacity required in the future in the NV memory is extremely difficult.

本発明は、このような背景においてなされたものであり、その目的は、不揮発性メモリに保存すべきデータのデータ量の変化に応じて、必要なデータ容量の確保と端末のシステム全体の効率との適切なバランスをとることができる不揮発性メモリのデータ保存方法、コンピュータプログラムおよび携帯端末を提供することにある。 The present invention has been made in this background, and its object is according to the change in the amount of data to be stored in non-volatile memory, ensuring the whole system of the terminal of the required data capacity efficiency and data storage method of a nonvolatile memory that can take an appropriate balance is to provide a computer program and a mobile terminal.

本発明による不揮発性メモリのデータ保存方法は、携帯端末において利用されるデータを携帯端末内の再書き込み可能な不揮発性メモリに保存するための方法であって、不揮発性メモリ上に、第1のセクタサイズの複数のセクタからなる第1のバンクと、前記第1のセクタサイズより大きいセクタサイズの複数のセクタからなる第2のバンクとを確保するステップと、前記第1のバンクの複数のセクタのうち一時に1つのセクタをアクティブセクタと決定するとともに、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みの度に前記第1のバンクの複数のセクタ間でアクティブセクタを更新していくステップと、不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に1セクタ内に保存する総データ量をチェックするステップと、チェックされた総データ量が前 Data storage method of a nonvolatile memory according to the present invention is a method for storing data used in the mobile terminal to re-writable non-volatile memory in the portable terminal, on the non-volatile memory, the first comprising the steps of securing a first bank of a plurality of sectors of the sector size, and a second bank comprising a plurality of sectors of greater sector size than said first sector size, a plurality of sectors of the first bank and it determines the active sectors of one sector in a temporary out of the steps to continue to update the active sector among the plurality of sectors of the first bank each time writing of data to the nonvolatile memory, nonvolatile a step of checking the total amount of data stored in one sector when writing data to the memory, the total amount of data is checked before 第1のセクタサイズのセクタ内に収納しきれないと判断されたとき、前記第2のバンクの複数のセクタの中からアクティブセクタを決定するステップと、不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に前記アクティブセクタにデータを書き込むステップとを備えたことを特徴とする。 When it is determined not be housed in the sector of the first sector size, and determining an active sector from a plurality of sectors of said second bank, in writing data to the nonvolatile memory characterized by comprising a step of writing data into the active sectors.

すなわち、本発明では、不揮発性メモリにセクタサイズの異なる複数のセクタからなる第1および第2のバンクを用意しておき、初期的には小サイズのセクタからなる第1のバンクを利用することにより、セクタ消去時間やメモリ書き込み時間の増加によるシステム効率の低下を防止する。 That is, in the present invention, is prepared first and second banks of different multiple sectors of sector size in the non-volatile memory, is initially utilizing the first bank of sectors of small size Accordingly, to prevent a decrease in system efficiency due to the increase in sector erase time and memory write time. これとともに、セクタに保存するデータの総量が小サイズのセクタに収納しきれなくなった段階で、使用するバンクを大サイズのセクタからなる第2のバンクに切り替える。 Along with this, the total amount of data stored in the sector is at the stage that is no longer completely housed in the sector of the small size is switched to a second bank of the bank to be used from the large size of the sector.

本発明は、携帯端末において利用されるデータを携帯端末内の再書き込み可能な不揮発性メモリに保存するためのコンピュータプログラムとしても把握することができる。 The present invention can also be grasped as a computer program for storing data used in the mobile terminal to re-writable non-volatile memory in the mobile terminal. このコンピュータプログラムはメモリに格納され、CPUにより読み出されて実行される。 This computer program is stored in the memory, it is read out to be executed by CPU.

本発明による携帯端末は、再書き込み可能な不揮発性メモリと、バッファメモリと、不揮発性メモリ上に、第1のセクタサイズの複数のセクタからなる第1のバンクと、前記第1のセクタサイズより大きいセクタサイズの複数のセクタからなる第2のバンクとを確保する手段と、前記第1のバンクの複数のセクタのうち一時に1つのセクタをアクティブセクタと決定するとともに、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みの度に前記第1のバンクの複数のセクタ間でアクティブセクタを更新していく手段と、不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に1セクタ内に保存する総データ量をチェックする手段と、チェックされた総データ量が前記第1のセクタサイズのセクタ内に収納しきれないと判断されたとき、前記第2のバンクの複数の Mobile terminal according to the present invention comprises a rewritable nonvolatile memory, a buffer memory, to the nonvolatile memory, a first bank of a plurality of sectors of the first sector size, than the first sector size It means for securing a second bank comprising a plurality of sectors of a large sector size, and determines the active sectors of one sector in a temporary among the plurality of sectors of the first bank, to the non-volatile memory Check means to continue to update the active sector, the total amount of data stored in one sector when writing data to the nonvolatile memory between a plurality of sectors of the first bank whenever the data writing means and, when the total amount of data is checked is determined to not be housed in the sector of the first sector size, a plurality of the second bank クタの中からアクティブセクタを決定する手段と、電源立ち上げ時に前記アクティブセクタの内容を前記バッファメモリに格納する手段と、不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に、バッファメモリに書き込み対象のデータを書き込んだ後、当該バッファメモリの内容を前記アクティブセクタに書き込む手段と、データの読み出し時にバッファメモリから読み出し対象のデータを読み出す手段とを備えたことを特徴とする。 Means for determining an active sector from Kuta, means for storing the contents of the active sectors during power-up in the buffer memory, when writing data to the nonvolatile memory, data to be written into the buffer memory after writing, characterized means for writing the contents of the buffer memory to the active sector, further comprising a means for reading a read target data when data is read from the buffer memory.

本発明によれば、初期的には小サイズのセクタからなる第1のバンクを利用することにより、セクタ消去時間やメモリ書き込み時間の増加によるシステム効率の低下を防止するとともに、セクタに保存するデータの総量が小サイズのセクタに収納しきれなくなった段階で、使用するバンクを大サイズのセクタからなる第2のバンクに切り替えることにより、保存対象のデータの増加に対処することができる。 According to the present invention, the initially by utilizing the first bank of sectors of small size, while preventing a decrease in system efficiency due to the increase in sector erase time and memory write time, data stored in the sector at the stage where the total no longer completely housed in the sector of small size, by switching to a second bank of the bank to be used from the large size of the sector, it is possible to cope with an increase in the data storage target.

以下、本発明の好適な実施の形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

まず、図1に、本発明の不揮発性メモリのデータ保存方法を利用する携帯端末の一例としての携帯電話機100のハードウェア構成を示す。 First, in FIG. 1, showing the hardware configuration of the mobile phone 100 as an example of a mobile terminal using a data storage method for a nonvolatile memory of the present invention.

この携帯電話機100は、電話機能に関連した部位として、アンテナ101、デュプレクサ(Duplexer)102、受信部103、送信部104、スピーカ105、デジタル信号処理部DSP(Digital Signal Processor)106、マイク107、イヤレシーバ108を含む。 The mobile phone 100, as the site associated with the telephone function, an antenna 101, a duplexer (Duplexer) 102, reception unit 103, transmission unit 104, a speaker 105, a digital signal processor DSP (Digital Signal Processor) 106, a microphone 107, ear including a receiver 108. 携帯電話機100は、さらに、この携帯電話機の制御に関連した部位として、CPU(Central Processing Unit)を含む制御部110、ROM(Read Only Memory)111、RAM(Random Access Memory)112、液晶ディスプレイ等を含む表示部114、テンキーなどの各種キーやジョグダイヤルなどの操作部を有する入力操作部115、現在の日付や時間を管理するRTC(Real Time Clock)部116、等を有する。 Cellular phone 100 further includes a portion associated with the control of the mobile phone, CPU control unit 110 which includes a (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory) 111, RAM (Random Access Memory) 112, a liquid crystal display or the like display unit 114 including an input operation unit 115 having an operation section such as various keys and a jog dial such numeric keypad, with an RTC (Real time Clock) unit 116 that manages the current date and time, and the like. 制御部110は中央処理装置(CPU)などから構成される。 The control unit 110 is composed of such as a central processing unit (CPU). 入力操作部115は携帯端末の各種キーやボタン、ジョグダイヤル等に相当する。 The input operation unit 115 is various keys and buttons of the portable terminal, corresponding to the jog dial or the like. ROM111は、本実施の形態の後述する動作を実現するための制御プログラムや必要なデータが格納されている不揮発性メモリであり、本発明に係る再書き込み可能な不揮発性メモリ(NVメモリ)40を含む。 ROM111 is a nonvolatile memory in which a control program and necessary data are stored for realizing the operation described below of this embodiment, a rewritable non-volatile memory (NV memory) 40 according to the present invention including. NVメモリ40は、後述する第1のバンク(#1)41および第2のバンク(#2)42を含んでいる。 NV memory 40 includes a first bank (# 1) 41 and a second bank (# 2) 42 to be described later. 本実施の形態におけるNVメモリ40はフラッシュメモリ、特にNOR型のフラッシュメモリを用いている。 NV memory 40 in this embodiment uses the flash memory, particularly NOR flash memory. フラッシュメモリとしては、NOR型とNAND型が知られている。 The flash memory, NOR type and NAND type are known. NOR型はNAND型に比べて小容量であるが、バイトやワード単位の読み出しが可能である(NAND型はページ単位の読み出しのみ)。 Although NOR type is a small capacity compared to the NAND type, the reading of the byte or word units is possible (NAND type page unit of read only). また、いずれの型のフラッシュメモリもそのデータの消去は、所定のサイズ(ブロック)単位の消去となる。 Also, erasure of the data any type of flash memory, the erase of a predetermined size (block) units. RAM112はCPUによる作業領域やデータの一時記憶領域を提供するメモリである。 RAM112 is a memory which provide temporary storage area of ​​the work area and data by the CPU. 本実施の形態では、RAM112内に、特に、NVメモリ40に保存されたNVアイテムのコピーを格納するNVバッファ113を有している。 In this embodiment, in the RAM 112, in particular, have a NV buffer 113 for storing a copy of the NV item stored in the NV memory 40. このNVバッファ113は、NVメモリ40の遅い処理速度を補償するための高速のキャッシュメモリとして機能する。 The NV buffer 113 functions as a high-speed cache memory to compensate for the slow processing speed of NV memory 40.

なお、図1には示していないが、GPS受信部、メモリカードを装着するためのメモリカードインタフェース部、非接触ICカード機能部等、他の機能部を備えてもよい。 Although not shown in FIG. 1, GPS receiver, a memory card interface portion for mounting a memory card, the non-contact IC card function section like, may comprise other functional units.

図2に、本発明のNVメモリシステム200のソフトウェア構成を示す。 Figure 2 shows the software configuration of the NV memory system 200 of the present invention.

アプリケーション(または上位システム)10は、本発明のNVメモリシステム200を介してNVメモリ40にアクセスする。 Application (or host system) 10 has access to the NV memory 40 via the NV memory system 200 of the present invention. NVメモリシステム200は図1の制御部110のプログラム制御によって実現される。 NV memory system 200 is implemented by a program control of the control unit 110 of FIG. NVメモリシステム200は、アプリケーションが直接NVメモリを制御することがないように、そのインタフェースを提供している。 NV memory system 200, so that no application is controlled directly NV memory, and provides the interface.

NVメモリシステム200は、NV制御部20とNVドライバ30とにより構成される。 NV memory system 200 is constituted by a NV controller 20 and the NV driver 30. NV制御部20は、アプリケーションからの要求に応じてNVメモリ40への所定の動作を行うよう、NVドライバ30を制御する機能を有する。 NV control unit 20, so as to perform a predetermined operation to the NV memory 40 in response to a request from the application, has a function of controlling the NV driver 30. この具体的な処理については後に詳述する。 This specific process will be described in detail later.

NVドライバ30はNVメモリ40にアクセスして、その具体的な制御(書き込み、読み出し、消去等)を行うデバイスドライバである。 NV driver 30 accesses the NV memory 40, a device driver which performs its specific control (writing, reading, erasing, etc.). このデバイスドライバとしては、好ましくは、NVメモリのメーカ毎にデバイスドライバを複数用意しておく。 As the device driver, preferably, previously prepared a plurality device drivers for each manufacturer of NV memory.

図3は、NV制御部20の内部構成例を示している。 Figure 3 shows an internal configuration example of the NV control unit 20. NV制御部20は、NVインタフェース部21、NVエンジン部22、およびデバイス制御インタフェース部23を有している。 NV control unit 20 includes a NV interface unit 21, NV engine 22 and a device control interface unit 23,.

NVインタフェース部21は、アプリケーション(または上位システム)に対して、本NVメモリシステムの機能を利用させるため部位である。 NV interface unit 21, the application (or host system), a site in order to use the functions of the NV memory system. これにより、アプリケーションはNVメモリの実際のデバイスを意識することなく、NVアイテムの書き込みおよび読み出しを行うことができる。 Thus, the application without being aware of the actual device NV memory can perform writing and reading of NV item. なお、端末の製造工程や調整時にのみ必要な機能と、その後の通常の機能とは異なるので、両者のインタフェースを別々に用意してもよい。 Note that the functions required only during the manufacturing process or adjustment of the terminal, because then different from the normal functions, may be prepared both interfaces separately.

NVエンジン部22は、本NVメモリシステム200の種々の機能を実現するために必要な共通関数を有する部位である。 NV engine 22 is a portion having a common function necessary for realizing various functions of the NV memory system 200. 共通関数としては、初期化時の動作を行うための初期化関数221、セクタの読み出しを行うためのセクタリード関数222、セクタの書き込みを行うためのセクタライト関数223、現在どのセクタがアクティブとなっているかを確認するためのアクティブセクタ取得関数225、新たにアクティブセクタとすべきセクタを決定する新アクティブセクタ取得関数226、本発明に係るセクタサイズの切替を行うためのバンク切替関数227、等を有する。 The common functions, becomes initialization function 221 for performing an operation at the time of initialization, a sector read function 222 for reading a sector, the sector write function 223 for writing a sector, which sector is currently active active sector acquisition function 225 to see if it has a newly new active sector acquisition function 226 to determine a sector to be the active sector, bank switching function 227 for switching sector size according to the present invention, such as the a.

デバイス制御インタフェース部23は、種々の製造メーカのNVメモリデバイスに対応できるように、初期化時にデバイスの形式を自動確認して、対応するメーカのNVドライバを選択できるようにするものである。 Device control interface unit 23, to accommodate NV memory devices of various manufacturers, to automatically check the format of the device upon initialization, is to be able to select the corresponding manufacturers NV driver.

ここで、本実施の形態におけるセクタの内容および構成について説明する。 The following describes the contents and structure of sectors in the present embodiment.

本実施の形態におけるセクタの属性としては、前述したと同様に、読み出し専用のROセクタと、読み出しおよび書き込みが可能なRWセクタがある。 The sector of the attribute in this embodiment, like the previously mentioned, there are a read-only RO sector, read and writable RW sectors. 本実施の形態におけるNVメモリ内に用意されるNVアイテムを格納するためのセクタの総数は8に設定される。 The total number of sectors for storing NV items to be provided in the NV memory of the present embodiment is set to 8. これら8つのセクタの内容は、図4に示す通りである。 The contents of these eight sectors are as shown in FIG.

セクタ0(RO): このセクタは、工場出荷時の初期値、調整値等の若干数のNVアイテムが書き込まれ、以後は読み出し専用として利用されるセクタである。 Sector 0 (RO): This sector, factory default, some number of NV items such adjustment value is written, thereafter a sector which is used as read-only.

セクタ1(RO): 端末にとって重要な若干数のNVアイテム(例えば端末IDなど)を格納するための読み出し専用のセクタである。 Sector 1 (RO): a read-only sectors for storing some number of NV items important to terminal (e.g. terminal ID, etc.).

セクタ2〜6(RW): 通常のNVアイテムを格納するための読み出し/書き込み可能なセクタである。 Sector 2 to 6 (RW): a read / writable sectors for storing normal NV item.

セクタ7(RW): 特別NVアイテム(例えばメモリカードのセキュリティキー)を格納するための読み出し/書き込み可能なセクタである。 Sector 7 (RW): a read / writable sectors for storing special NV item (e.g. security keys of the memory card).

このように、本実施の形態では、全8つのセクタのうちセクタ2〜6が通常のNVアイテムを格納するために使用される通常のセクタである。 Thus, in this embodiment, it is a normal sector sector 2-6 is used for storing normal NV item among all eight sectors. セクタ7については、本発明に直接関係しないので、ここでは詳述しない。 The sector 7, are not directly related to the present invention, not described in detail here.

図5に、セクタ2〜6の各セクタの構成を示す。 Figure 5 shows the structure of each sector of the sector 2-6. セクタ400は、セクタヘッダ部401とユーザデータ部402とセクタフッタ部403とからなる。 Sector 400 is composed of a sector header portion 401 and a user data part 402 and the Sekutafutta portion 403. セクタヘッダ部401は、保存データを管理するためのデータ領域であり、セクタのデータ保存の有無、セクタ属性、セクタ管理ID、書き込み時間データ(年月日日時分秒)、保存データ長等を保持する。 Sector header portion 401 is a data area for managing the storage data, holding the presence or absence of data storage sectors, the sector attribute, sector management ID, write time data (minutes, seconds Date date), the stored data length and the like to. ユーザデータ部402は、実際のユーザデータとしてのNVアイテムを格納する領域である。 The user data portion 402 is an area for storing the NV item as actual user data. セクタフッタ部403は、当該セクタのデータのチェックサム、全セクタのエラー情報等を格納する。 Sekutafutta unit 403, a checksum of the data of the sector, to store error information of all the sectors. 全セクタのエラー情報はアクティブセクタ内のもののみが有効となる。 Error information of all the sectors only those in the active sector is valid.

前述のように、セクタ2〜6のうち一時に1つのセクタのみがアクティブとなり、このアクティブセクタが全てのNVアイテムの最新の値を記憶する。 As described above, only one sector in a temporary out of sector 2-6 is active, the active sector stores the latest values ​​of all the NV item. 他の通常のセクタは、データの書き込み動作中の電源断などの理由によりデータが破損するような場合の対策として、NVデータのバックアップのために使われる。 Other conventional sector, as a countermeasure for a case where data corruption reasons such as power interruption during data write operation, is used for the NV data backup.

本実施の形態では、図6に示すように、NVメモリ40のNVアイテムを格納するNV領域として、第1のバンク#1と第2のバンク#2を用意する。 In this embodiment, as shown in FIG. 6, as NV-region for storing the NV item NV memory 40, is prepared first bank # 1 and the second bank # 2. 図中の各セクタ内の数値はそのセクタの開始アドレスを示している。 Numbers in each sector in the figure indicates the start address of the sector. それぞれ8セクタを有するが、第2のバンクの1セクタのサイズはそれより大きいサイズ(ここでは8倍)としている。 Although each having a 8 sectors, the size of one sector of the second bank is a size larger than that (eight times in this case). 具体的には次の通りである。 More specifically, it is as follows.
バンク#1:ベースアドレス(0x01FF0000)、セクタサイズ8Kバイト バンク#2:ベースアドレス(0x0lE00000)、セクタサイズ64Kバイト Bank # 1: base address (0x01FF0000), sector size 8K bytes bank # 2: base address (0x0lE00000), sector size 64K bytes

携帯電話機の例では、経験的に、NVアイテムの全データ量が初期的に8Kバイトを上回ることはないので、NV領域は通常小さいセクタサイズを有するバンク#1を利用するように設定される。 In the example of a mobile phone, empirically, since the total data amount of the NV item does not exceed the initially 8K bytes, NV region is configured to use the bank # 1 usually has a small sector size. その後、携帯電話機の機能追加等に応じて、NVアイテムの種類やデータ量が増加していったとき、NVデータの総データ量はバンク#1のセクタサイズ(ここでは8Kバイト)を越える場合がある。 Then, depending on the function addition or the like of the mobile phone, when the kind and amount of data of the NV items began to increase, if the total data amount of the NV data exceeding (8K bytes in this case) sector size of the bank # 1 is there. このような場合には、アクティブセクタを、より大きいセクタサイズ(64Kバイト>8Kバイト)のバンク#2のセクタから選択する。 In such a case, the active sector, to select from the bank # 2 of the sector of a larger sector size (64K bytes> 8K bytes).

以下、本実施の形態における具体的な動作についてフローチャート等を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to the flow charts specific operation of this embodiment.

図7は、図2に示したNVメモリシステム200のNV制御部20が実行するNVタスクの処理例を示している。 Figure 7 shows an NV processing example of NV tasks NV control unit 20 of the memory system 200 executes as shown in FIG. 端末電源立ち上げ時等に起動されるNVタスクは、まず、デバイスドライバ(NVドライバ)の初期化を行う(S11)。 NV task is activated in the terminal power-up or the like, first, initializes the device driver (NV driver) (S11). この処理の詳細については後述する。 Details of this processing will be described later. ついで、NVタスクの初期化を行う(S12)。 Then, it initializes the NV task (S12). 初期値が必要なNVアイテムについては、このステップで設定される。 Initial value for the NV items needed are set in this step. 例えば、送受信部(RF)に関連したNVアイテム、バッテリに関連したNVアイテム、GPSに関連してNVアイテム等がある。 For example, NV item related to the transceiver unit (RF), NV item related to the battery, there is NV item, etc. in connection with GPS. なお、これらの初期値の設定の有無を示すフラグを記憶し、各フラグに基づいて初期値設定の要否を判断するようにしてもよい。 Note that stores a flag indicating the presence or absence of setting of these initial values ​​may be determined the necessity of the initial value set based on the flags.

その後、アプリケーション(または上位システム)からコマンドを受信したら(S13,Yes)、そのコマンドを判別する(S14)。 Thereafter, upon receiving a command from an application (or host system) (S13, Yes), determines the command (S14). コマンドが読み出しであればNVアイテムの読み出し処理を行う(S15)。 Command performs a process of reading NV item if read (S15). コマンドが“NVWrite”であればNVアイテムの書き込み処理を行う(S16)。 If the command is "NVWrite" performs write processing of NV items (S16). 本実施の形態における読み出しコマンドには、NVバッファ113からデータを読み出すReadコマンドとNVメモリ40からデータを読み出すDevReadコマンドとがある。 The read command in the present embodiment, there is a DevRead command to read data from the Read command and NV memory 40 for reading data from the NV buffer 113. その他のコマンドについては、当該その他のコマンド処理を実行する(S17)。 For other commands, execute the other command processing (S17).

図8は図7のステップS11のデバイスドライバ初期化のステップを詳細を示している。 Figure 8 shows the details of steps of the device driver initialization of step S11 in FIG. 7. まず、NVバッファ113をクリア(消去)するとともに(S21)、デバイスドライバを初期状態とする(S22)。 First, (S21) with the NV buffer 113 is cleared (erased), the device driver to the initial state (S22). ついで、このNVタスクの起動が当該端末での初めての起動であれば(S23,Yes)、NVメモリを全クリア(消去)して(S25)、製造工程を開始する(S26)。 Then, if the first activation of the activation of the NV task in the terminal (S23, Yes), and the NV memory totally cleared (erased) (S25), starts the manufacturing process (S26). 製造工程開始処理では、NVバッファのセクタ0、1、7のクリア、およびその後の初期値の設定、書き込みを行う。 In the manufacturing process starts processing, clearing sector of NV buffer 0,1,7, and then setting the initial value, and writes. 初めての起動でなければ、NVメモリ40のアクティブセクタの全内容をNVバッファ113に読み出す(S24)。 If it is not the first time of start-up, read the entire contents of the active sector of the NV memory 40 in the NV buffer 113 (S24).

図9は、図7のステップS15のNVアイテム読み出し処理の処理例を示している。 Figure 9 shows a processing example of NV item read process of step S15 in FIG. 7. 図10は、図9に対応するNVアイテム読み出し処理においてReadコマンドを受信した場合とDevReadコマンドを受信した場合の要求およびデータの流れを示している。 Figure 10 shows the flow of request and data when receiving the case and DevRead command received the Read command in the NV item read processing corresponding to FIG. まず、読み出しコマンドがReadコマンドかDevReadコマンドかをチェックする(S31)。 First, a read command to check whether the Read command or DevRead command (S31). Readコマンドであれば、NVタスク22aが直接NVバッファ113からそのNVアイテムを読み出す(S32)。 If the Read command, NV task 22a reads the NV item directly from the NV buffer 113 (S32). DevReadコマンドであれば、NVタスク22aは、NVドライバ30経由で、NVメモリ40のアクティブセクタから当該NVアイテムを読み出す(S33)。 If DevRead command, NV task 22a is via NV driver 30 reads the NV item from the active sector of the NV memory 40 (S33).

図11は、図7のステップS16のNVアイテム書き込み処理の処理例を示している。 Figure 11 shows an example of processing NV item writing process in step S16 in FIG. 7. また、この処理は、図7のステップS16に限らず、図8の製造工程(S27)でのNVアイテム書き込み処理、開発段階でのNVアイテム書き込み処理として利用できる。 Moreover, this process is not limited to the step S16 in FIG. 7, NV item write process in the manufacturing process of FIG. 8 (S27), available as NV item write process in the development stage. 図12は、図11の処理に対応したNVタスク22aとNVドライバ30とNVバッファ113とNVメモリ40の間の、要求およびデータの流れを示している。 Figure 12 shows the flow of requests and data between the NV tasks 22a and NV driver 30 and NV buffer 113 and NV memory 40 corresponding to the process in FIG. 11.

まず、NVタスク22aは、書き込み対象のNVアイテムを含む全NVアイテムの総データ量を確認する(S41)。 First, NV task 22a checks the total data amount of all NV items including NV item to be written (S41). この総データ量が予め定めた閾値(ここでは8Kバイト)を越えた場合には(S42,Yes)、NVメモリのバンク切り替え、すなわち、バンク#1からバンク#2への切替を行う(S43)。 The threshold total data amount is determined in advance when it exceeds (8K bytes here) (S42, Yes), the bank switching of NV memory, i.e., to switch from bank # 1 to the bank # 2 (S43) . これに伴って、アクティブセクタをバンク#1からバンク#2のセクタに移動させる。 Along with this, move the active sector from the bank # 1 in the sector of the bank # 2. なお、ここでは総データ量が増加するときに閾値を越える場合を想定しているが、総データ量が減少したときに閾値を逆向きに越える場合に逆の切替を行うことも可能である。 Although here it is assumed that exceeds the threshold to when the total amount of data increases, it is also possible to reverse the switch when exceeding the threshold in the reverse direction when the total data amount has decreased.

次いで、書き込み対象のNVアイテムをNVバッファ113に書き込む(S44)。 Then, write the NV item to be written to the NV buffer 113 (S44). そこで、アクティブセクタを新たなセクタに更新する(S45)。 So, to update the active sector in a new sector (S45). この更新のアルゴリズムは特にここでは言及しないが、有効なセクタについて順番に選択する等のアルゴリズムを利用することができる。 This update algorithm is not specifically mentioned here, it can be utilized algorithms such as selecting the order for valid sectors. 決定された新たなアクティブセクタを消去した後(S46)、このアクティブセクタに対してNVバッファ113の内容を書き込む(S47)。 After erasing the determined new active sector (S46), and writes the contents of the NV buffer 113 with respect to the active sector (S47).

以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、上記で言及した以外にも種々の変形、変更を行うことが可能である。 Having described the preferred embodiments of the present invention, various modifications other than those mentioned above, it is possible to make changes. すなわち、上述した具体的なセクタサイズ、セクタ数、アドレス値、処理ステップ等はすべて例示であり、本発明はそれらに限定されるものではない。 That is, the above-mentioned specific sector size, number of sectors, address value, processing steps, etc. are examples of all, the present invention is not limited thereto.

また、セクタの管理は、実際の物理的なアドレスに対応するセクタでなく、これに論理的に対応づけられた論理セクタで行ってもよい。 The management of the sector is not a sector corresponding to the actual physical address, this may be done by logically associating was logical sector.

NVアイテムによっては、電源オン/オフの度、基地局からの所定の信号の受信時等、NVメモリへの書き込みが高頻度に行われるものも存在しうる。 Depending NV item, every power on / off, when receiving such a predetermined signal from the base station, write to the NV memory may also be present shall be performed frequently. それらの書き込みが発生する度にNVメモリへ書き込みを行っていると、デバイスが老朽化したり、電源オン/オフ時間が長くなってしまう。 When their writing is writing to the NV memory every time that occurs, the device or aging, power on / off time is long. そこで、そのような書き込み頻度の高いNVアイテムについては初期的にNVメモリに書き込むと共にバッテリバックアップされた小容量のSRAM(Static Random Access Memory)に書き込み、以後はSRAMを読み書きし、NVメモリの更新は最小限にとどめるなどの措置をとってもよい。 Therefore, the high NV item of such writing frequency is written to initially small volume with battery backed writes in the NV memory SRAM (Static Random Access Memory), thereafter read and write SRAM, updates NV memory It may take measures such as to minimize.

本発明の不揮発性メモリシステムを利用する携帯端末の一例としての携帯電話機のハードウェア構成を示すブロック図である。 Is a block diagram showing a hardware configuration of the mobile phone as an example of a mobile terminal using a non-volatile memory system of the present invention. 本発明のNVメモリシステムのソフトウェア構成を示すブロック図である。 Is a block diagram showing the software configuration of the NV memory system of the present invention. . 図2内に示したNV制御部の内部構成例を示すブロック図である。 Is a block diagram showing an internal configuration of the NV control unit shown in FIG. NVアイテムを格納するためのNVメモリの8つのセクタの内容の説明図である。 It is an illustration of the contents of the eight sectors of the NV memory for storing NV item. 図4に示したセクタ2〜6の各セクタの構成を示す図である。 It is a diagram showing a configuration of each sector of the sector 2-6 as shown in FIG. 本発明の実施の形態における、NVメモリのNVアイテムを格納するNV領域としての第1のバンク#1と第2のバンク#2の構成例を示すメモリマップ図である。 In the embodiment of the present invention is a memory map diagram showing a first configuration example of the bank # 1 and the second bank # 2 as NV-region for storing the NV item NV memory. 図2に示したNVメモリシステム200のNV制御部が実行するNVタスクの処理例を示すフローチャートである。 NV controller of NV memory system 200 shown in FIG. 2 is a flowchart showing a process example of NV task to perform. 図7のステップS11のデバイスドライバ初期化のステップを詳細を示すフローチャートである。 It is a flowchart showing details of steps of the device driver initialization of step S11 in FIG. 7. 図7のステップS15のNVアイテム読み出し処理の処理例を示すフローチャートである。 Is a flowchart showing a process example of NV item read process of step S15 in FIG. 7. 図9に対応するNVアイテム読み出し処理においてReadコマンドを受信した場合とDevReadコマンドを受信した場合の要求およびデータの流れを示す説明図である。 Is an explanatory diagram showing a flow of request and data when receiving the case and DevRead command received the Read command in the NV item read processing corresponding to FIG. 図7のステップS16のNVアイテム書き込み処理の処理例を示すフローチャートである。 It is a flowchart showing a process example of NV item writing process in step S16 in FIG. 7. 図11の処理に対応したNVタスクと、NVドライバと、NVバッファと、NVメモリの間の、要求およびデータの流れを示す説明図である。 Processing and NV tasks corresponding to FIG. 11, the NV driver, and NV buffer, between the NV memory is an explanatory diagram showing the flow of requests and data. 従来知られているNVメモリシステムの構成を示すブロック図である。 Is a block diagram showing the configuration of the NV memory system known in the prior art. NVアイテムを格納するためのセクタの説明図である。 It is an explanatory view of a sector for storing NV item.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

20…制御部、21…インタフェース部、22…エンジン部、22a…タスク、23…デバイス制御インタフェース部、30…NVドライバ、40…NVメモリ、100…携帯電話機、101…アンテナ、103…受信部、104…送信部、105…スピーカ、106…デジタル信号処理部(DSP)、107…マイク、108…イヤレシーバ、110…制御部、113…バッファ、114…表示部、115…入力操作部、116…RTC部、200…メモリシステム、400…セクタ、401…セクタヘッダ部、402…ユーザデータ部、403…セクタフッタ部 20 ... control unit, 21 ... interface unit, 22 ... engine, 22a ... task, 23 ... device control interface unit, 30 ... NV driver, 40 ... NV memory, 100 ... mobile phone, 101 ... antenna, 103 ... receiver, 104 ... transmitting portion, 105 ... speaker, 106 ... digital signal processor (DSP), 107 ... microphone, 108 ... ear receiver, 110 ... controller, 113 ... buffer, 114 ... display unit, 115 ... input operating unit, 116 ... RTC unit, 200 ... memory system, 400 ... sector, 401 ... sector header portion, 402 ... user data unit, 403 ... Sekutafutta unit

Claims (4)

  1. 携帯端末において利用されるデータを携帯端末内の再書き込み可能な不揮発性メモリに保存するための方法であって、 A method for storing data used in the mobile terminal to re-writable non-volatile memory in the mobile terminal,
    不揮発性メモリ上に、第1のセクタサイズの複数のセクタからなる第1のバンクと、前記第1のセクタサイズより大きいセクタサイズの複数のセクタからなる第2のバンクとを確保するステップと、 On the non-volatile memory, comprising the steps of securing a first bank of a plurality of sectors of the first sector size, and a second bank comprising a plurality of sectors of greater sector size than said first sector size,
    前記第1のバンクの複数のセクタのうち一時に1つのセクタをアクティブセクタと決定するとともに、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みの度に前記第1のバンクの複数のセクタ間でアクティブセクタを更新していくステップと、 And determines the active sectors of one sector in a temporary among the plurality of sectors of the first bank, an active sector among the plurality of sectors of the first bank each time writing of data into said nonvolatile memory and step going updated,
    不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に1セクタ内に保存する総データ量をチェックするステップと、 A step of checking the total amount of data stored in one sector when writing data to the nonvolatile memory,
    チェックされた総データ量が前記第1のセクタサイズのセクタ内に収納しきれないと判断されたとき、前記第2のバンクの複数のセクタの中からアクティブセクタを決定するステップと、 When the total amount of data is checked is determined to not be housed in the sector of the first sector size, and determining an active sector from a plurality of sectors of the second bank,
    不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に前記アクティブセクタにデータを書き込むステップと を備えたことを特徴とする不揮発性メモリのデータ保存方法。 Data storage method of a nonvolatile memory comprising the steps of writing data to the active sector when writing data to the nonvolatile memory.
  2. 携帯端末において利用されるデータを携帯端末内の再書き込み可能な不揮発性メモリに保存するためのコンピュータプログラムであって、 A computer program for storing data used in the mobile terminal to re-writable non-volatile memory in the mobile terminal,
    不揮発性メモリ上に、第1のセクタサイズの複数のセクタからなる第1のバンクと、前記第1のセクタサイズより大きいセクタサイズの複数のセクタからなる第2のバンクとを確保するステップと、 On the non-volatile memory, comprising the steps of securing a first bank of a plurality of sectors of the first sector size, and a second bank comprising a plurality of sectors of greater sector size than said first sector size,
    前記第1のバンクの複数のセクタのうち一時に1つのセクタをアクティブセクタと決定するとともに、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みの度に前記第1のバンクの複数のセクタ間でアクティブセクタを更新していくステップと、 And determines the active sectors of one sector in a temporary among the plurality of sectors of the first bank, an active sector among the plurality of sectors of the first bank each time writing of data into said nonvolatile memory and step going updated,
    不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に1セクタ内に保存する総データ量をチェックするステップと、 A step of checking the total amount of data stored in one sector when writing data to the nonvolatile memory,
    チェックされた総データ量が前記第1のセクタサイズのセクタ内に収納しきれないと判断されたとき、前記第2のバンクの複数のセクタの中からアクティブセクタを決定するステップと、 When the total amount of data is checked is determined to not be housed in the sector of the first sector size, and determining an active sector from a plurality of sectors of the second bank,
    不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に前記アクティブセクタにデータを書き込むステップと をコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。 Computer program characterized Rukoto to execute the steps of writing data to the active sector when writing data to the nonvolatile memory in the computer.
  3. 前記コンピュータプログラムは、アプリケーションまたは上位システムからの要求に応じて、 前記コンピュータにより、不揮発性メモリの読み書きを制御するデバイスドライバを制御することを特徴とする請求項2記載のコンピュータプログラム。 The computer program, in response to a request from an application or host system, by the computer, according to claim 2, wherein the computer program characterized by controlling a device driver for controlling the reading and writing of the nonvolatile memory.
  4. 再書き込み可能な不揮発性メモリと、 And re-writable non-volatile memory,
    バッファメモリと、 And a buffer memory,
    不揮発性メモリ上に、第1のセクタサイズの複数のセクタからなる第1のバンクと、前記第1のセクタサイズより大きいセクタサイズの複数のセクタからなる第2のバンクとを確保する手段と、 On the non-volatile memory, and means for securing a first bank of a plurality of sectors of the first sector size, and a second bank comprising a plurality of sectors of greater sector size than said first sector size,
    前記第1のバンクの複数のセクタのうち一時に1つのセクタをアクティブセクタと決定するとともに、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みの度に前記第1のバンクの複数のセクタ間でアクティブセクタを更新していく手段と、 And determines the active sectors of one sector in a temporary among the plurality of sectors of the first bank, an active sector among the plurality of sectors of the first bank each time writing of data into said nonvolatile memory and it means going updated,
    不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に1セクタ内に保存する総データ量をチェックする手段と、 It means for checking the total amount of data stored in one sector when writing data to the nonvolatile memory,
    チェックされた総データ量が前記第1のセクタサイズのセクタ内に収納しきれないと判断されたとき、前記第2のバンクの複数のセクタの中からアクティブセクタを決定する手段と、 When the total amount of data is checked is determined to not be housed in the sector of the first sector size, means for determining an active sector from a plurality of sectors of the second bank,
    電源立ち上げ時に前記アクティブセクタの内容を前記バッファメモリに格納する手段と、 It means for storing at the time of power-up the contents of the active sector in the buffer memory,
    不揮発性メモリへのデータの書き込みの際に、前記バッファメモリに書き込み対象のデータを書き込んだ後、当該バッファメモリの内容を前記アクティブセクタに書き込む手段と、 In writing data to the nonvolatile memory, after writing the data to be written into the buffer memory, means for writing the contents of the buffer memory to the active sector,
    データの読み出し時に前記バッファメモリから読み出し対象のデータを読み出す手段と を備えたことを特徴とする携帯端末。 Mobile terminal when data is read from the buffer memory, comprising the means for reading the read-target data.
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