JP4552369B2 - マイクロ波誘電体材料の製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は比誘電率εが大きく、かつQf値も大きく、さらに共振周波数f0の温度係数τの調整が容易に実現できる誘電材料及びその製造方法に関する。本発明の誘電体材料は、特に、高周波領域において使用される共振器、フィルタ等の他各種のマイクロ波回路のインピーダンス整合部材等として使用することができる。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子技術分野において、小型化、デジタル化が急速に進められ、特に、衛星通信、自動車電話、携帯電話などのマイクロ波を用いた通信技術では、小型、高性能、かつ高信頼性のマイクロ波誘電体共振器が要求されている。
【0003】
従来の組成物としては、BaO−TiO2−Nd23−Bi23系セラミックス(特開昭56−102003号公報)、BaO−TiO2−Sm23−Ce23−Bi23系セラミックス(特開昭62−187162号公報)が提案されているが、これらの材料はマイクロ波通信用誘電体としてはQf値が4000〜6500と低く、また様々なキャビティーに対し、周波数の温度特性の調整が容易でないという問題があった。
【0004】
また、BaO−TiO2−Ln23系セラミックス(但しLn23はここではNd23であり、さらにPr611やCr23を添加)(特開平7−169326号公報)は比誘電率εは91〜93の値を有するが、Qf値が5700〜6000と低く、共振周波数f0の温度係数τも6〜9ppm/℃であり、キャビティーの材質が鉄や銅などの共振周波数f0の温度係数τの大きなフィルターには使用できない問題点があった。
【0005】
このようなマイクロ波誘電体共振器に使用されるマイクロ波誘電体磁器組成物には、比誘電率εが大きく、かつQf値も大きく、さらに共振周波数f0の温度係数τの調整が容易に実現できる等の特性が要求されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このような材料として、本願発明者らは、特願平11−333714号にて、2aBaO−bLn23−cBi23−2dTiO2、(但し、Ln23=eNd23+gSm23+hEu23、a+b+c+d=1、e+g+h=1)からなる組成の誘電体磁器組成物を提案した。この組成物は、各構成元素の酸化物を原料にして得ることができ、比誘電率εが大きく、かつQf値も大きく、さらに共振周波数fの温度係数τの調整が容易にできる優れたマイクロ波誘電体組成物である。
【0007】
しかしながら、誘電体磁器組成物としては、さらに大きなQf値を持つものが望まれる。これによりさらに損失の少ないマイクロ波用誘電体を提供することができる。
【0008】
誘電体磁器組成物の製造方法としては、構成元素の酸化物を混合し、空気雰囲気下で焼成して得るのが一般的である。また、マイクロ波誘電体磁器材料としては、BaTiOなどの強誘電体を組織内に形成すると、強誘電体の持つ、各種特性の高い温度依存性を示す恐れがあるためか、BaTiOなどの粉末を原料にしてマイクロ波誘電体磁器材料を製造した例は見られない。
【0009】
本発明の目的は、比誘電率ε、共振周波数f0の温度係数τの調整が容易に実現でき、Qf値をさらに大きく改良したマイクロ波誘電体磁器組成物の製造方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の誘電体材料の製造方法は、組成式が、2aBaO−bLn−cBi−2dTiO、(但し、Ln=eNd+gSm+hEu、a+b+c+d=1、e+g+h=1)で表され、組成式中のa、b、c、d、e、g及びh値が下記値、0.0913<a≦0.1429、0.2098<b<0.3003、0<c<0.0856、0.5714≦d<0.6043、0.27<e<0.80、0.18<g<0.70、0≦h<0.20、0.15<a/d<0.25を満足するマイクロ波誘電体材料の製造方法であって、出発原料としてBaTiOとLn(但し、LnはNd、Sm、及びEu)、Bi、Tiの各水酸化物を用い、これらの混合物を焼成することを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
この発明の製造方法で得られる誘電体材料は、組成式が、2aBaO−bLn23−cBi23−2dTiO2、(但し、Ln23=eNd23+gSm23+hEu23、a+b+c+d=1、e+g+h=1)で表され、組成式中のa、b、c、d、e、g及びh値が下記値であるマイクロ波誘電体材料であり、
0.0913<a≦0.1429、0.2098<b<0.3003、0<c<0.0856、0.5714≦d<0.6043、0.27<e<0.80、0.18<g<0.70、0≦h<0.20、0.15<a/d<0.25
また、好ましくは、前記2aBaO−bLn23−cBi23−2dTiO2主成分100重量部に対して、副成分としてSiO2が3重量部未満および/またはアルカリ金属酸化物が5重量部未満であることを満足するマイクロ波誘電体材料である。
【0012】
組成式が2aBaO−bLn23−cBi23−2dTiO2(但し、Ln23=eNd23+gSm23+hEu23、a+b+c+d=1、e+g+h=1)の誘電体磁器組成物において、aが0.0913未満では誘電体のQ値が低下し、0.1429を超えると誘電率が低下するので好ましくない。また、bが0.2098未満では誘電率が低下し、0.3003を超えるとQ値が低下するので好ましくない。また、cを含有させると誘電率が大きくなり、焼結温度も低下するので好ましいが、0.0856を超えるとQ値が著しく低下するので好ましくない。また、dが0.5714未満では誘電率が低下し、0.6043を超えるとQ値が低下するので好ましくない。また、eが0.27未満では誘電率が低下し、0.80を超えるとQ値が低下するので好ましくない。また、gが0.18未満ではQ値が低下し、0.70を超えると誘電率が低下するので好ましくない。また、Euを含有させるとQ値が向上するので好ましいが、hが0.20を超えると誘電率が低下するので好ましくない。さらに、a/dが0.15未満ではQ値が低下し、0.25を超えると誘電率が低下するので好ましくない。
【0013】
本発明のマイクロ波誘電体材料の製造方法は、出発原料としてBaTiO3を使用することを特徴とする。
前記のように、従来、構成元素の酸化物が原料として用いられてきたが、原料としてBaTiOを含有する粉末を使用すると、従来に比べ、焼結し易く、Qf値などの特性の向上した誘電体磁器材料が得られることがわかった。これは、従来の酸化物原料では、Ba化合物とTi化合物が最初に反応し、途中でBaTiOを形成し、これと他の構成化合物が反応すると考えられるが、あらかじめBaTiOを含有させることにより、反応の核が最初から存在するため、低温から反応が進行していくためと推定される。
原料のBaTiOとしては、粒子が小さいほど反応性が増すため、1μm以下の平均粒径のものが好ましい。
【0014】
本発明では、前記BaTiOの他の原料として、Ln(但し、LnはNd、Sm、Euのうち少なくとも1つ)、Bi、Tiの各無機物を用い、これらの混合物を焼成することにより上記の範囲の組成物を得る。Ln、Bi、Tiの各無機物は、酸化物、水酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩及び硫酸塩等、焼成により酸化物になるものであればよく特に限定されない。
【0015】
これらの原料に、必要に応じて副成分を添加して、エタノールなどの溶媒を用いて湿式混合する。続いて溶媒を除いた後、粉砕し、粉砕物を成型後、空気雰囲気下において、1200〜1300℃の温度で焼成する。
【0016】
上記副成分として、SiO2やアルカリ金属酸化物を加えることができる。2aBaO−bLn23−cBi23−2dTiO2、(但し、Ln23=eNd23+gSm23+hEu23、a+b+c+d=1、e+g+h=1)からなる誘電体の主成分100重量部に対して3重量部より少ない量のSiO2を上記の工程中に添加すると、好適な誘電体特性が得られる焼成温度範囲が広がるので好ましい。3重量部を超えると誘電率とQ値がともに低下するため好ましくない。
【0017】
また、上記アルカリ金属酸化物としては、Li、Na及びKの酸化物が挙げられ、これらの少なくとも1種の酸化物を、前記主成分100重量部に対して5重量部より少ない量を含有させることにより、焼成温度を低下させることができる。即ち、より低い焼成温度で十分に緻密な焼結体とすることができる。これらのアルカリ金属酸化物は、取り扱いが容易であり、且つ安価である。このアルカリ金属酸化物の含有量が、主成分を100重量部とした場合に、5重量部を超える場合は、焼成が不安定となり、得られる誘電体材料のQ値が低下し、且つτが負の側にシフトし、その絶対値が大きくなり好ましくない。
【0018】
上記アルカリ金属酸化物は、誘電体材料を製造する際に、アルカリ金属酸化物そのもの、或いはアルカリ金属の炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩及び硫酸塩等、焼成によって酸化物を生成するアルカリ金属化合物を原料粉末に配合させることにより、誘電体材料に含有させることができる。
上記出発原料を湿式混合する場合の溶媒としては、エタノールなどのアルコールの他に、トルエンなど広く非水溶媒を使用することができる。
【0019】
本発明の誘電体材料の好適な製造方法の一例を次に示す。チタン酸バリウム、水酸化ネオジウム、水酸化サマリウム、水酸化ユウロピウム、酸化ビスマス、酸化チタン、および副成分であるSiO2およびアルカリ金属化合物とから構成される出発原料を各所定量ずつ、エタノール等の非水溶媒と共に湿式混合する。続いて、エタノールを除去した後、粉砕する。このようにして得られた粉末にポリビニルアルコールの如き有機バインダーを混合して均質にし、乾燥、粉砕、加圧成形(圧力100〜1000kg/cm3程度)する。得られた成型物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下にて1200〜1500℃で焼成することにより上記組成式で表される誘電体材料が得られる。
【0020】
このようにして得られた誘電体材料は、必要により適当な形状、およびサイズへの加工、あるいはドクターブレード法等によるシート成形、およびシートと電極による積層化を行うことにより、誘電体共振器、誘電体基板、積層素子等の材料として利用できる。
【0021】
【実施例】
実施例1
BaTiO3を0.2632モル、Sm(OH)3を0.0971モル、Nd(OH)3を0.1397モル、Eu(OH)3を0.0263モル、Bi(OH)3を0.0263モル、Ti(OH)4を0.8947モル、および副成分SiO2とNa2Oを2aBaO−bLn23−cBi23−2dTiO2からなる主成分100重量部に対してそれぞれ0.8重量部と1.0重量部配合した原料粉をエタノール、ZrO2ボールと共にボールミルに入れ、24時間湿式混合した。ここでBaTiO3は、シュウ酸塩法で得たものであり、Ti(OH)4はTiCl4をアンモニア水で加水分解して得たものである。その後、溶液を脱媒後、粉砕した。引き続き、この粉砕物に適量のポリビニルアルコール溶液を加えて乾燥後、直径10mm、厚み4mmのペレットに成形し、空気雰囲気下において、1250℃で2時間焼成した。
【0022】
こうして得られた実施例1の磁器組成物を直径0.8mm、厚み3mmの大きさに加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数2〜5GHzにおけるQf値、比誘電率ε、および共振周波数の温度係数τを求めた。その結果を表2に示す。
【0023】
実施例2〜8
BaTiO、Sm(OH)、Sm、Nd(OH)、Nd、Eu(OH)、Eu、Bi(OH)、Bi、Ti(OH)、TiOおよび副成分SiOとNaOを表1に示した配合量で混合後、実施例1と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、1250℃、2時間の焼成条件で誘電体セラミックスを作製し、実施例1と同一の共振器を用いて特性を評価した。その結果を表2に示す。
参考例1〜8
BaTiO 、Sm(OH) 、Sm 、Nd(OH) 、Nd 、Eu(OH) 、Eu 、Bi(OH) 、Bi 、Ti(OH) 、TiO および副成分SiO とNa Oを表1に示した配合量で混合後、実施例1と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、1250℃、2時間の焼成条件で誘電体セラミックスを作製し、実施例1と同一の共振器を用いて特性を評価した。その結果を表2に示す。
【0024】
比較例1〜8
原料としてBaTiO3を用いず、BaO、Sm23、Nd23、Eu23、Bi23、TiO2、および副成分SiO2を表1に示した配合量で混合後、実施例1と同一条件で誘電体セラミックスを作製し、実施例1と同一の共振器を用いて特性を評価した。その結果を表2に示す。
【0025】
【表1】
Figure 0004552369
【0026】
【表2】
Figure 0004552369
【0027】
【発明の効果】
上記のように、マイクロ波誘電体磁器材料の出発原料として、BaTiO粉末を含む無機物を使用することにより、従来の高特性の得られる組成において、比誘電率εと共振周波数f0の温度係数τをあまり変化させることなく、Qf値を10%以上向上させることができる。
即ち、本発明によれば、比誘電率εが大きく、共振周波数f0の温度係数τの調整が容易で、従来より一層向上したQf値を持つ誘電体材料を提供することができる。

Claims (4)

  1. 組成式が、2aBaO−bLn−cBi−2dTiO、(但し、Ln=eNd+gSm+hEu、a+b+c+d=1、e+g+h=1)で表され、組成式中のa、b、c、d、e、g及びh値が下記値、
    0.0913<a≦0.1429、0.2098<b<0.3003、0<c<0.0856、0.5714≦d<0.6043、0.27<e<0.80、0.18<g<0.70、0≦h<0.20、0.15<a/d<0.25を満足するマイクロ波誘電体材料の製造方法であって、出発原料としてBaTiOとLn(但し、LnはNd、Sm、及びEu)、Bi、Tiの各水酸化物を用い、これらの混合物を焼成することを特徴とするマイクロ波誘電体材料の製造方法。
  2. 前記2aBaO−bLn−cBi−2dTiOからなる主成分100重量部に対して、副成分としてSiOを3重量部未満含有させて焼成することを特徴とする請求項1記載のマイクロ波誘電体材料の製造方法。
  3. 前記2aBaO−bLn−cBi−2dTiOからなる主成分100重量部に対して、副成分としてアルカリ金属酸化物を5重量部未満含有させて焼成することを特徴とする請求項1記載のマイクロ波誘電体材料の製造方法。
  4. 前記マイクロ波誘電体材料のQf値が9002GHz以上であることを特徴とする請求項1乃至3いずれか記載のマイクロ波誘電体材料の製造方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5780603A (en) * 1980-11-07 1982-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dielectric porcelain composition
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5780603A (en) * 1980-11-07 1982-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dielectric porcelain composition
JP2000007429A (ja) * 1998-06-16 2000-01-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体材料及びその製造方法
JP2001151569A (ja) * 1999-11-25 2001-06-05 Ube Ind Ltd マイクロ波誘電体磁器組成物

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