JP4495939B2 - Method of manufacturing a thin film device apparatus, a method of manufacturing an active matrix substrate, method of manufacturing an electro-optical device - Google Patents

Method of manufacturing a thin film device apparatus, a method of manufacturing an active matrix substrate, method of manufacturing an electro-optical device Download PDF

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本発明は、有機TFT等の有機機能性素子を、基板上に形成した後、この基板から他の基板に転写する薄膜デバイス装置の製造方法、この方法により得た薄膜デバイス装置、かかる薄膜デバイス装置の製造方法を利用したアクティブマトリクス基板の製造方法に関するものである。 The present invention is an organic functional element such as an organic TFT, after forming on a substrate, a method of manufacturing a thin film device apparatus for transferring from the substrate to the other substrate, a thin film device unit obtained by this method, such a thin film device unit it is to about manufacturing method in the method for manufacturing an active matrix substrate used.

液晶表示装置、電気泳動表示装置等、各種の電気光学装置に薄膜デバイスが利用されていることが知られており、薄膜デバイスの製造には半導体プロセスが利用される。 The liquid crystal display device, an electrophoretic display device or the like, various things are known that thin film device to the electro-optical device is utilized, the fabrication of thin film devices are semiconductor process is utilized. 例えば、電気光学物質として液晶を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板上にスイッチング素子として薄膜トランジスタ(以下、TFTという。)を製造する際に、半導体プロセスを利用する。 For example, an active matrix type liquid crystal display device using liquid crystal as the electro-optical material, a thin film transistor as a switching element on the active matrix substrate in fabricating (hereinafter, referred to. TFT), using semiconductor processes. このプロセス中は高温処理を伴う工程を含むため、基板としては耐熱性に優れる材質のもの、すなわち、軟化点および融点が高いものを使用する必要がある。 Since during this process comprising a step involving high-temperature treatment, the substrate made of a material having excellent heat resistance, i.e., it is necessary to use a high softening point and melting point.

従って、現在は、1000℃程度の温度に耐える基板として石英ガラスが使用され、500℃前後の温度に耐える基板として耐熱ガラスが使用されている。 Therefore, the current is quartz glass is used as the substrate to withstand temperatures of about 1000 ° C., heat-resistant glass is used as the substrate to withstand the longitudinal 500 ° C. temperature.
このように、TFT等の薄膜デバイスを搭載する基板は、それらの薄膜デバイスを製造する際の温度条件等に耐え得るものでなければならない。 Thus, the substrate for mounting the thin film device such as TFT shall be capable of withstanding the temperature conditions at the time of their manufacture thin film devices.

しかしながら、TFT等の薄膜デバイスを搭載した基板が完成した後において、前記の石英ガラスや耐熱ガラスでは好ましくないことがある。 However, after the substrate provided with the thin film device such as TFT is completed, it is not preferred in the quartz glass or heat-resistant glass. 例えば、高温処理を伴う製造プロセスに耐え得るように石英基板や耐熱ガラス基板等を用いた場合には、これらの基板が非常に高価であるため、表示装置等の製品価格の上昇を招く。 For example, in the case of using a quartz substrate or a heat-resistant glass substrate or the like to withstand the manufacturing process with high temperature treatment, since these substrates are very expensive, causing an increase in product price, such as a display device. また、パームトップコンピュータや携帯電話機等の携帯用電子機器に使用される液晶表示装置は、可能な限り安価であることに加えて、軽くて多少の変形にも耐え得ること、落としても割れにくいことも求められるが、石英基板やガラス基板は、重いとともに、変形に弱く、かつ、落下等によって割れやすい。 The liquid crystal display device used in portable electronic devices such as palm top computers and cellular phones, in addition to being as inexpensive as possible, it can withstand slight deformation lightly against cracking when dropped it is also determined, a quartz substrate or a glass substrate, together with the heavy, weak to deformation and cracks easily by dropping or the like. 従って、従来の薄膜デバイス装置に用いられる基板には、製造条件からくる制約、および製品に要求される特性の双方に対応することができないという問題点がある。 Thus, the substrate used in the conventional thin film device unit, coming from the manufacturing conditions constraints, and there is a problem that it is not possible to support both of the required characteristics to the product.

これに対し、近年、有機薄膜電子デバイスとして有機TFTや有機EL素子が研究され、その応用として有機TFTアクティブマトリックス駆動の有機ELディスプレイの試作が試みられている。 In contrast, in recent years, organic TFT and organic EL element is studied as an organic thin film electronic devices, prototypes of the organic EL display of the organic TFT active matrix drive has been attempted as an application. 有機電子デバイスの特徴として、多結晶シリコンTFT作製に見られるような高価な製造設備が不要であり、安価なデバイス提供が可能である特徴があり、また先述のパームトップコンピュータや携帯電話機等の携帯用電子機器に使用される表示装置に好適であると考えられる。 As a feature of the organic electronic devices, polycrystalline silicon TFT produced in expensive manufacturing equipment as seen it is not required, there are features that are capable of inexpensive devices provided and portable, such as the foregoing palmtop computers and mobile telephones It believed to be suitable for the display device used to use the electronic device.

プラスチックシートである基材上にこれら有機TFTを形成する場合、基材の寸法安定性が劣るため、その上にアクティブ素子をじかに形成するのは非常に困難である。 When forming these organic TFT on a base material is a plastic sheet, since the dimensional stability of the substrate is poor, it is very difficult to directly form the active elements thereon. 〔特許文献1〕では、ガラス等の耐熱性に優れた基板に予め形成したアクティブマトリックス層をプラスチックシート基板上に転写することが開示されている。 In [Patent Document 1], and an active matrix layer previously formed on a substrate having excellent heat resistance such as a glass is disclosed to be transferred to a plastic sheet substrate. この〔特許文献1〕では、剥離層に金属メッキを用い、アクティブマトリックス層との間に透明電気絶縁層を設けるなど煩雑な工程が必要であり、しかも、接着剤として溶剤型感圧接着剤を用いているため、応力の問題が生じる。 This [Patent Document 1], a metal plating the peeling layer, requires complicated processes such as providing a transparent electrically insulating layer between the active matrix layer, moreover, the solvent type pressure sensitive adhesive as an adhesive because you are using, the problem of stress is generated. 〔特許文献2〕では、転写時の外力からアクティブマトリックス層を保護するために、無機バッファ層を配置したり、スリットを追加形成したりするなどの工程の煩雑差を招いている。 In [Patent Document 2], in order to protect the active matrix layer from external forces during transfer, or to place an inorganic buffer layer, it has led to complicated difference steps, such as add a slit.

鑑みて、転写法の重要な技術は剥離工程にあり、既報では、〔特許文献3〕において、アモルファスシリコンのレーザー照射による相変化現象に伴う密着力減少、放射線照射による密着力の減少に関する技術が開示されており、〔特許文献4〕、〔特許文献5〕において、物理的、化学的基材の除去に関する技術が開示されており、他には、応力を伴う機械的剥離と発生応力からの素子保護方法に関する技術が開示されており、転写法の剥離工程に関する技術はこれらに大別できる。 In view of, the key technology of the transfer method is the stripping process, the previously described, in [patent document 3], the adhesive strength decreases accompanying the phase change phenomenon caused by the laser irradiation of amorphous silicon, a technique related to a decrease in adhesion strength by irradiation is disclosed, [Patent Document 4], in [Patent Document 5], physical, are techniques disclosed relates to the removal of the chemical substrate, other, from mechanical peeling and generated stress with stress is art is disclosed about the element protection methods, techniques relating peeling step transfer method can be roughly classified into these.

なお、特願平8−225643号では、多結晶シリコンTFTなどを従来のプロセスと略同様な条件で第1の基材上に形成した後に、この薄膜デバイスを第1の基材から剥離して、第2の基材に転写する技術が提案されている。 In the Japanese Patent Application No. Hei 8-225643, after forming on the first substrate a polycrystalline silicon TFT such conventional processes substantially the same conditions, by peeling off the thin film device from the first substrate a technique for transferring the second substrate have been proposed. ここでは、第1の基材と薄膜デバイスとの間に分離層を形成し、この分離層に対して例えばエネルギー光を照射することにより、第1の基材から薄膜デバイスを剥離して、この薄膜デバイスを第2の基材の側に転写している。 Here, a separation layer is formed between the first substrate and the thin film device, by irradiating against the separation layer eg energy light, by peeling off the thin film device from the first substrate, the the thin film device is transferred to the side of the second substrate.

特開平8−62591号公報 JP 8-62591 discloses 特開2001−356370号公報 JP 2001-356370 JP 特開平8−152512号公報 JP-8-152512 discloses 特開平10−189924号公報 JP 10-189924 discloses 特開平11−31828号公報 JP-11-31828 discloses

しかしながら、従来の剥離方法および転写方法では、分離層での剥離現象が適正に起こらないという問題点、基板サイズに制約を受け、特に有機電子デバイスの特徴である大面積素子への展開が不可能であるという問題点があった。 However, in the conventional peeling method and transfer method, a problem that delamination does not occur properly at the separating layer, restricted to substrate size, not particularly development of a large area device, which is a characteristic of the organic electronic device there is a problem that is.

本発明は、有機TFT等の有機機能性素子を、基板上に形成した後、この基板から他の基板に、損傷することなく転写する薄膜デバイス装置の製造方法、この方法により得た薄膜デバイス装置、かかる薄膜デバイス装置の製造方法を利用したアクティブマトリクス基板の製造方法の提供を目的とする。 The present invention is an organic functional element such as an organic TFT, after forming on the substrate, to another substrate from the substrate, a method of manufacturing a thin film device apparatus for transferring without damaging a thin film device unit obtained by this method , for the purpose of provision of the method of manufacturing the active matrix substrate using the method of manufacturing a thin film device unit.

上記目的を達成するため、請求項1記載の発明は、第1の基材上に第1の分離膜を形成する第1の分離膜形成工程と、第1の分離膜上に有機機能性素子を形成する有機機能性素子形成工程と、上記有機機能性素子に第2の基材を一体化する第2の基材一体化工程と、第1の基材を上記有機機能性素子から分離する第1の基材分離工程とを有し、上記第1の分離膜形成工程においては、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせており、上記第1の基材分離工程の前に、第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去する、上記第2の基材一体化工程と上記第1の基材分離工程との間または上記有機機能性素子形成工程と上記第2の基材一体化工程との間に行われる除去工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法にある To achieve the above object, a first aspect of the present invention, the first separation film forming step of forming a first separation layer on the first substrate, an organic functional device on the first separation layer organic functional device forming step of forming a separate and second substrates integration step of integrating the second substrate to the organic functional device, the first substrate from the organic functional device and a first base separation step, in the first separation film forming step, and by varying the adhesion between the first substrate a first separation membrane partially the first before the substrate separation step, removing the first substrate a portion having strong adhesion between the first separation membrane, and the second substrate integrated step and the first base separation step in the method of manufacturing a thin film device unit having a removal step performed or between the organic functional device forming step and the second base material integration step of

請求項2記載の発明は、請求項1記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記第1の分離膜形成工程において、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置することにより、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることを特徴とする。 According to a second aspect of the invention, in the method of manufacturing the thin-film device according to claim 1, wherein, in the first separation membrane forming step, by partially placing the surfactant to the first substrate, the and wherein varying the first substrate and the adhesion between the first separation membrane partially.

請求項3記載の発明は、請求項2記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記第1の分離膜形成工程において、界面活性剤を第1の基材の全面に配置した後、所定位置の界面活性剤を除去することで、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置し、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることを特徴とする。 The invention according to claim 3, wherein, in the method of manufacturing the thin-film device according to claim 2, wherein, in the first separation membrane forming step, after placing the surfactant over the entire surface of the first substrate, the predetermined position by removing the surface active agent, and characterized in that the surfactant partially arranged, varying the adhesive strength between the first substrate and the first separation layer partially to the first base member to.

請求項4記載の発明は、請求項2記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、第1の分離膜形成工程において、界面活性剤を印刷法により第1の基材の所定位置に配置することで、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置し、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることを特徴とする。 The invention of claim 4, wherein, in the method of manufacturing the thin-film device according to claim 2, wherein, when the first separation layer forming step, placing a surfactant in a predetermined position of the first substrate by printing the surfactant partially disposed in the first substrate, and wherein varying the adhesion between the first substrate and the first separation layer partially.

請求項5記載の発明は、請求項1ないし4の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記除去工程において、ダイシングにより第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去することを特徴とする。 Invention of claim 5, the adhesion of the method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 4, in the removing step, the by dicing a first substrate a first separation membrane and removing the portion having strong power.

請求項6記載の発明は、請求項1ないし4の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記除去工程において、レーザーアブレーションにより第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去することを特徴とする。 Invention according to claim 6, in the manufacturing method of the thin film device according to any one of claims 1 to 4, in the removing step, the first substrate by laser ablation and the first separation membrane and removing the portion having strong adhesion.

請求項記載の発明は、請求項1ないしの何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、第1の分離膜としてポリパラキシリレン膜を用いることを特徴とする。 According to a seventh aspect, in the method of manufacturing the thin-film device according to any one of claims 1 to 6, characterized by using a polyparaxylylene film as the first separation membrane.

請求項記載の発明は、請求項1ないしの何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、第2の基材としてフレキシブルシートを用いることを特徴とする。 The invention of claim 8, wherein, in the method of manufacturing the thin-film device according to any one of claims 1 to 7, characterized by using a flexible sheet as a second substrate.

請求項記載の発明は、請求項1ないしの何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記第1の基材分離工程の後に、上記有機機能性素子の、第2の基材と反対側に、第3の基材を一体化する第3の基材一体化工程と、第2の基材を上記有機機能性素子から分離する第2の基材分離工程とを有することを特徴とする。 Invention of claim 9, wherein, in the manufacturing method of the thin film device according to any one of claims 1 to 8, after the first substrate separation step, the organic functional device, the second on the side opposite to the substrate, and a third substrate integrated process for integrating the third substrate and a second substrate separation process of the second substrate is separated from the organic functional device it is characterized in.

請求項10記載の発明は、請求項記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、第3の基材としてフレキシブルシートを用いることを特徴とする。 The invention of claim 10, wherein, in the method of manufacturing the thin-film device according to claim 9, characterized by using a flexible sheet as the third base.

請求項11記載の発明は、請求項1ないし10の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記有機機能性素子が、有機TFT素子を備えていることを特徴とする。 The invention of claim 11, wherein, in the method of manufacturing the thin-film device according to any one of claims 1 to 10, the organic functional device, characterized in that it comprises an organic TFT device.

請求項12記載の発明は、請求項1ないし10の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記有機機能性素子が、画像信号に対して発光する有機EL素子を有する表示器、又は、画像信号に対して発光する有機EL素子とこの有機EL素子にスイッチングを行う有機TFT素子とを有する表示器を備えていることを特徴とする。 Invention of claim 12, wherein, in the method of manufacturing the thin-film device according to any one of claims 1 to 10, the organic functional device, display having organic EL elements emitting the image signal or, characterized in that it comprises a display device having an organic TFT elements for switching to the organic EL element and the organic EL element emitting the image signal.

請求項13記載の発明は、請求項1ないし12の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法を用い、上記有機機能性素子をマトリクス状に形成してアクティブマトリクス基板を製造するアクティブマトリクス基板の製造方法にある。 The active matrix invention of claim 13 wherein the the use of a method of manufacturing the thin-film device according to any one of claims 1 to 12, for manufacturing an active matrix substrate of the organic functional device formed in a matrix in the manufacturing method of a substrate.

請求項14記載の発明は、請求項13記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用い、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法にある。 The invention of claim 14 wherein the using the manufacturing method of the active matrix substrate according to claim 13, wherein, in the method of manufacturing an electro-optical apparatus for manufacturing an electro-optical device.

本発明は、第1の基材上に第1の分離膜を形成する第1の分離膜形成工程と、第1の分離膜上に有機機能性素子を形成する有機機能性素子形成工程と、上記有機機能性素子に第2の基材を一体化する第2の基材一体化工程と、第1の基材を上記有機機能性素子から分離する第1の基材分離工程とを有し、上記第1の分離膜形成工程においては、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせており、上記第1の基材分離工程の前に、第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去する、上記第2の基材一体化工程と上記第1の基材分離工程との間または上記有機機能性素子形成工程と上記第2の基材一体化工程との間に行われる除去工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法にあるので、有機機能性素子を第1の基材上に The present invention includes a first isolation film forming step and the organic functional device forming step for forming an organic functional device on the first separation layer forming a first separation layer on the first substrate, and a first base separation step of separating the second substrate integration step of integrating the second substrate to the organic functional device, the first substrate from the organic functional device , in the first separation membrane forming step, adhesion between the first substrate and the first separation membrane and thereby partially different, prior to said first base separation step, the first to substrate and removing the portion having strong adhesion between the first separation membrane, or between the organic functional device forming step of the second substrate integrated step and the first base separation step since the method of manufacturing a thin film device unit having a removal step performed between the second substrate integration step, the organic functional device on the first substrate 成した後、第1の基材から第2の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができるとともに、除去工程を、第2の基材一体化工程と第1の基材分離工程との間に行う場合には、除去工程を第1の基材分離工程の直前に行うことで、第1の基材の除去が不用意に行われることを防止でき、除去工程を、有機機能性素子形成工程と第2の基材一体化工程との間に行う場合には、第2の基材を一体化する面積が少なくて済み、第2の基材の消費量を抑制できるとともに、第2の基材を一体化するために接着剤を使用する場合にはその消費量を抑制できる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 After form, the second substrate from the first substrate, it is possible to satisfactorily transferred without damaging, it is possible to large area without being restricted to the size of the substrate, the removing step , when carried out between the second substrate integrating step and the first base material separation process, by performing the removal step just before the first substrate separation step, removing the first substrate can be prevented is carelessly carried out, the removal step, if performed between the organic functional device forming step and the second base member integral process, the area of integrating the second base member less finished, it is possible to suppress the consumption of the second substrate, provides a method of manufacturing the thin-film device apparatus capable of suppressing the consumption in the case of using an adhesive to integrate the second base member can do.

第1の分離膜形成工程において、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置することにより、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることとすれば、広く用いられている界面活性剤を用いることで第1の基材と第1の分離膜との密着力を容易に部分的に異ならせることができるから、有機機能性素子を第1の基材上に形成した後、第1の基材から第2の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 In the first separation membrane forming step, by partially placing the surfactant to the first substrate, and varying the adhesion between the first substrate a first separation membrane partially by words, because it is possible to vary the first substrate the adhesion between the first separation membrane easily partially by using a surfactant widely used, an organic functional device first after formed on the substrate, the second substrate from the first substrate, it is possible to satisfactorily transferred without damage, it can be large area without being restricted to the size of the base material it is possible to provide a method of manufacturing a thin film device unit.

第1の分離膜形成工程において、界面活性剤を第1の基材の全面に配置した後、所定位置の界面活性剤を除去することで、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置し、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることとすれば、広く用いられている界面活性剤を用い、簡易な方法で第1の基材の全面に界面活性剤を塗布することができ、その後塗布した界面活性剤を部分的に除去することで第1の基材と第1の分離膜との密着力を容易に部分的に異ならせることができるから、有機機能性素子を第1の基材上に形成した後、第1の基材から第2の基材、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 In the first separation membrane forming step, after placing the surfactant over the entire surface of the first substrate, removing the surfactant predetermined position, a surfactant in part on the first substrate arrangement and, if varying the adhesion between the first substrate and the first separation layer partially, with a surfactant widely used, the first substrate by a simple method the entire surface can be coated with the surfactant, to thereafter the coated detergent partially the adhesion between the first substrate and the first separation membrane easily by removing partially different since it is, after the formation of the organic functional device on the first substrate, the second substrate from the first substrate, it is possible to satisfactorily transferred without damage, restrictions on the size of the base material method of manufacturing a thin film device unit capable of large area without being able to provide.

第1の分離膜形成工程において、界面活性剤を印刷法により第1の基材の所定位置に配置することで、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置し、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることとすれば、広く用いられている界面活性剤を用い、広く用いられている印刷法という簡易な方法で第1の基材の所望の位置に部分的に界面活性剤を塗布することができ、第1の基材と第1の分離膜との密着力を容易に部分的に異ならせることができるから、有機機能性素子を第1の基材上に形成した後、第1の基材から第2の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 In the first separation membrane forming step, by arranging the surfactant in a predetermined position of the first substrate by a printing method, a surfactant partially disposed in the first substrate, the first group if varying the adhesion between the wood and the first separation layer partially, with a surfactant widely used, a simple method of printing method is widely used first substrate desired can be partially coated with a surfactant to the position, because the adhesion between the first substrate and the first separation membrane can be easily partially different, the organic functional device after was formed on the first substrate, the second substrate from the first substrate, it is possible to satisfactorily transferred without damaging, for large area without being restricted to the size of the base material it is possible to provide a method of manufacturing a thin film device unit capable.

除去工程において、ダイシングにより第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去することとすれば、汎用性が高いダイシングを用い、かかる密着力の強い部分を機械的に取り除くことができるから、有機機能性素子を第1の基材上に形成した後、第1の基材から第2の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 In the removal step, if removing the portion having strong adhesion between the first substrate and the first separation membrane by dicing, using a versatile dicing, the strong part of such adhesion mechanically since it is possible to remove, after the formation of the organic functional device on the first substrate, the first base second substrate from the material, can be satisfactorily transferred without damage, the substrate it is possible to provide a method of manufacturing a thin film device unit capable of large area without being restricted to the size.

除去工程において、レーザーアブレーションにより第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去することとすれば、汎用性が高いレーザーアブレーションを用い、かかる密着力の強い部分を機械的に取り除くことができるから、有機機能性素子を第1の基材上に形成した後、第1の基材から第2の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 In the removal step, if removing the portion having strong adhesion between the first substrate and the first isolation film by laser ablation, using a versatile laser ablation, mechanical strong part of such adhesion since it is possible to eliminate a manner, after forming the organic functional device on the first substrate, the first base second substrate from the material, can be satisfactorily transferred without damage, group method of manufacturing a thin film device unit capable of large area without being restricted to the size of the wood can be provided.

第1の分離膜としてポリパラキシリレン膜を用いることとすれば、良好な剥離性を有し、有機機能性素子を第1の基材上に形成した後、第1の基材から第2の基材に、損傷することなくより良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することに優れた薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 If using a polyparaxylylene film as the first separation membrane has good release properties, after the formation of the organic functional device on the first substrate, first from the first substrate 2 to the substrate, it is possible to provide a better capable of transcribing method excellent thin film device apparatus to large area without being restricted to the size of the substrate without damage.

第2の基材としてフレキシブルシートを用いることとすれば、有機機能性素子を第1の基材上に形成した後、第1の基材から第2の基材に、損傷することをより確実に防止しつつ良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することにさらに優れた薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 If the use of a flexible sheet as the second substrate, after forming the organic functional device on the first substrate, the second substrate from the first substrate, more reliably from being damaged while preventing the can be satisfactorily transferred, it is possible to provide a manufacturing method for better thin film device apparatus to large area without being restricted to the size of the substrate.

第1の基材分離工程の後に、上記有機機能性素子の、第2の基材と反対側に、第3の基材を一体化する第3の基材一体化工程と、第2の基材を上記有機機能性素子から分離する第2の基材分離工程とを有することとすれば、有機機能性素子を第1の基材上に形成した後、第1の基材から第2の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、さらに、第2の基材から第3の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができるとともに、第3の基材に転写した状態において、有機機能性素子の積層構造を、第1の基材上に形成した状態と同じ状態にすることができる薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 After the first substrate separation step, the organic functional device, on the opposite side of the second substrate, a third substrate integrated process for integrating the third base, second base if it has a second base separation step of separating the timber from the organic functional device, after the formation of the organic functional device on the first substrate, the first substrate second the substrate can be satisfactorily transferred without damaging, further to the second from the substrate a third substrate can be satisfactorily transferred without damaging, the constraints on the size of the base material it is possible to a large area without being, in a state where the transfer to a third base, a thin film can be in the same state as the state in which the laminated structure of the organic functional device, formed on the first substrate it is possible to provide a manufacturing method of the device unit.

第3の基材としてフレキシブルシートを用いることとすれば、有機機能性素子を、第2の基材から第3の基材に、損傷することをより確実に防止しつつ良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することにさらに優れた薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 If the use of a flexible sheet as the third base, an organic functional device, the third substrate from the second substrate, to be satisfactorily transferred while more reliably prevented from being damaged can, it is possible to provide a method for producing a better thin film device apparatus to large area without being restricted to the size of the substrate.

有機機能性素子が、有機TFT素子を備えていることとすれば、基材のサイズに制約を受けず、大面積化、集積化することに優れた薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 The organic functional device, if it includes an organic TFT element is not restricted to the size of the substrate, a large area, is to provide a production method excellent thin film device apparatus to be integrated it can.

有機機能性素子が、画像信号に対して発光する有機EL素子を有する表示器、又は、画像信号に対して発光する有機EL素子とこの有機EL素子にスイッチングを行う有機TFT素子とを有する表示器を備えていることとすれば、基材のサイズに制約を受けず、大面積化、集積化することに優れた表示器を有する薄膜デバイス装置の製造方法を提供することができる。 The organic functional device is a display device having an organic EL element emitting the image signal or indicator having an organic TFT elements for switching to the organic EL element and the organic EL element emitting the image signal if it has a, it is possible to provide without being restricted to the size of the substrate, a large area, a method of manufacturing the thin-film device device having excellent display to integration.

本発明は、請求項1ないし12の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法を用い、上記有機機能性素子をマトリクス状に形成してアクティブマトリクス基板を製造するアクティブマトリクス基板の製造方法にあるので、上述の各効果を奏する薄膜デバイス装置の製造方法を用い、有機機能性素子を基材上に形成した後、1つの基材から他の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができるアクティブマトリクス基板の製造方法を提供することができる。 The present invention uses a method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 12, the production method of the active matrix substrate manufacturing an active matrix substrate of the organic functional device formed in a matrix because, the use of a method of manufacturing a thin film device unit to achieve the respective effects described above, after forming the organic functional device on a substrate, the other substrate from one substrate, good without damaging transfer it can be, it is possible to provide a manufacturing method of an active matrix substrate capable of large area without being restricted to the size of the substrate.

本発明は、請求項13記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用い、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法にあるので、上述の効果を奏するアクティブマトリクス基板の製造方法を用い、有機機能性素子を基材上に形成した後、1つの基材から他の基材に、損傷することなく良好に転写することができ、基材のサイズに制約を受けず大面積化することができる電気光学装置の製造方法を提供することができる。 The present invention uses a method for manufacturing an active matrix substrate according to claim 13, since the method of manufacturing an electro-optical apparatus for manufacturing an electro-optical device, using a method for manufacturing an active matrix substrate abovementioned effect, organic functional after forming the sexual element on a substrate, the other substrate from one substrate can be satisfactorily transferred without damage, it can be large area without being restricted to the size of the base material it is possible to provide a method of manufacturing an electro-optical device.

[第1の実施の形態] First Embodiment
図1のS1〜S5に、本発明にかかる第1の実施形態の薄膜デバイス装置の製造方法として、基板上に有機機能性素子を形成した後、この有機機能性素子を別の基板に転写するまでの、第1の工程から第5の工程までを示し、図2から図7に、かかる工程を説明するための工程断面図を示している。 In S1~S5 of Figure 1, as a method of manufacturing a thin film device unit of the first embodiment according to the present invention, after forming the organic functional elements on a substrate, transferring the organic functional element to another substrate until the show from the first step to the fifth step, in FIGS. 2-7 shows a process sectional view for explaining such process.

(第1の工程) (First step)
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図1においてS1で示すように、第1の工程として、第1の分離膜形成工程を有している。 Method of manufacturing a thin film device apparatus of the present embodiment, as shown in S1 in FIG. 1, as a first step, and a first separation membrane formation process. 本工程では、図2に示すように、第1の基材100上に第1の分離膜としての第1の分離層120を形成する。 In this step, as shown in FIG. 2, to form the first separation layer 120 as a first separation layer on the first substrate 100.

第1の基材100の材料は、有機電子デバイスを作製する目的に合致していれば良く、すなわち寸法変化の少ない材料であれば良い。 Materials of the first substrate 100 has only to meet the purpose of producing an organic electronic device, i.e. may be a material having less dimensional change. 具体的には、本形態においては、Siウェハを用いているが、ガラス基板、セラミックス基板などを用いてもよい。 Specifically, in this embodiment, it is used a Si wafer, glass substrate, or the like may be used ceramic substrate.
第1の分離層120は、有機TFTを備えたアクティブマトリックス層を形成可能なだけの耐熱性、アクティブマトリックス層形成時のパターニングの際のエッチングプロセス等に対する耐性を有することを要する。 First separation layer 120 is required to have resistance to etching processes and the like when the active matrix layer only in heat resistance capable of forming a patterning of the active matrix layer formed with an organic TFT. また第1の分離層120は、後述する第1の基材分離工程(図1(S5))を行うときに、他の部分にダメージを与えずに第1の基材100を剥離可能であるような密着性を有することを要し、たとえば90°剥離試験で〜10g/cm以下の強度に制御可能なことを要する。 The first separation layer 120, when performing the first substrate separation step described below (FIG. 1 (S5)), it is possible to peel off the first substrate 100 without damaging the other portions required to have adhesion that requires that a controllable intensity below to 10 g / cm, for example 90 ° peel test.
第1の分離層120の厚さは、1〜20μm程度であるのが好ましいが、これに限られることはない。 The thickness of the first separation layer 120 is preferably about 1 to 20 [mu] m, is not limited thereto.

第1の分離層120には、有機物の膜を用いることが好ましい。 The first separation layer 120, it is preferable to use a film of organic material. また、かかる有機物の膜は、有機物原料を含むガスを用いた化学気相堆積法により形成することができる。 Also, films of such organic materials can be formed by a chemical vapor deposition method using a gas containing an organic substance material. かかる有機物原料としては、ポリパラキシリレン材料いわゆるパリレン材料を用いることができる。 Such organic raw material, it is possible to use a polyparaxylylene material called parylene material. 第1の分離層120を、パリレン材料を用いたポリパラキシリレン膜いわゆるパリレン膜とすることは、均一な大面積の膜を形成する観点から特に有効である。 The first separation layer 120, be a polyparaxylylene film called parylene layer with parylene material is particularly effective from the viewpoint of forming a film of a uniform large area.

パリレン膜とは米国のユニオン・カーバイド・ケミカルズ・アンド・プラスチック社が開発したポリパラキシリレン樹脂からなる気相合成法によるコーティング膜である。 The parylene film is a coating film formed by vapor phase synthesis of poly-para-xylylene resin US Union Carbide Chemicals and Plastics Company developed. このコーティング膜は原料であるジパラキシリレン固体ダイマーを気化、熱分解し、この時発生した安定なジラジカルパラキシリレンモノマーが基材上において吸着と重合の同時反応を起こすことによって形成される。 The coating film is vaporized diparaxylylene solid dimer as a raw material, pyrolyzed, stable diradical paraxylylene monomer this time occurs is formed by causing the simultaneous reaction of adsorption and polymerization on the substrate.

このコーティング膜は従来の液状コーティングや粉末コーティングでは不可能な精密コーティングが可能であるほか、コーティング時被着物の形状、材質を選ばない、室温でのコーティングが可能であるなど、他に類の無い数々の優れた特質を有する事により、超精密部品のコーティングをはじめ、汎用品のコーティングに至るまで、最適なコンフォーマル(同型)コーティング被膜として知られている。 The coating film of the shape of the conventional liquid coating and other powder-coated impossible precision coatings are possible, the coating time of the adherend, choose a material, such as are possible coating at room temperature, unmatched by having a number of excellent properties, including coating of the ultra-precision components, up to the coating of general-purpose products, are known as the best conformal (isomorphic) coating film.

具体的にはハイブリッドICの絶縁膜コーティング、ディスクドライブ部品のダスト粉の発生防止、ステッピングモーターの潤滑用膜、生体材料の腐食防止膜にその応用例を見ることができる。 Specifically, a hybrid IC insulating film coating, prevention of dust particles of the disk drive components, can be seen lubricating film of the stepping motor, the application of the corrosion protection layer of the biomaterial.
なお、第1の分離層120に有機物の膜を用いる場合には、ポリパラキシリレン材料に限らず、フッ素化ポリマー又はシクロテンを用いてかかる膜を形成することが可能である。 In the case where the first separation layer 120 using an organic material film is not limited to poly-para-xylylene material, it is possible to film formation that Kakaru using fluorinated polymers or Cyclotene®.

第1の分離膜形成工程においては、周辺部のみが密着力良好となり、それ以外の部分は乏しい密着力となるように、すなわち第1の分離層120と第1の基材100界面とで部分的に密着力の異なる部位を設けるように、第1の分離層120を形成する。 In the first separation membrane forming step, only the peripheral portion becomes adhesion good, portions in other parts, as is the poor adhesion, ie the first separation layer 120 and the first substrate 100 interface to provide a different site to adhesion, to form the first separation layer 120. したがって、第1の分離膜形成工程においては、第1の基材100と第1の分離層120との密着力が部分的に異なっている。 Thus, in the first separation membrane forming step, adhesion between the first substrate 100 and the first separation layer 120 is partially different. 図2において、符号10で示す太線部は、密着力が良好な部分を示している。 2, a thick line portion shown by reference numeral 10, the adhesion strength shows good parts.

具体的には、第1の基材100に界面活性剤を部分的に配置することにより、第1の基材100と第1の分離層120との密着力、密着性を部分的に異ならせる。 Specifically, by the first substrate 100 to place the surfactant partially, the adhesion strength between the first substrate 100 and the first separation layer 120, thereby the adhesiveness partially different . その方法は、界面活性剤を、周知の印刷技術を用いた印刷法により、第1の基材100の所定位置、本形態では周辺部以外の部分に部分的に配置するものである。 The method a surfactant, a printing method using a well-known printing techniques, predetermined position of the first substrate 100, in the present embodiment is to partially disposed in a portion other than the peripheral portion. 他の方法として、界面活性剤をディッピングにより第1の基材100の全面に塗布して配置し、定圧水銀ランプを用いて254nm以下の波長の紫外線を照射することで所定位置、本形態では周辺部の界面活性剤を除去し、界面活性剤を周辺部以外の部分に部分的に配置するものがある。 Alternatively, by dipping the surface active agent is coated on the entire surface of the first substrate 100 is arranged, a predetermined position by irradiation of ultraviolet light of wavelengths less than 254nm using a constant-pressure mercury lamps, surrounding in this embodiment to remove part of the surfactant include those partially disposed surfactant in a portion other than the peripheral portion. このように第1の基材100の表面改質を行ったうえで、第1の分離層120が形成される。 Thus after performing surface modification of the first substrate 100, the first isolation layer 120 is formed.

(第2の工程) (Second step)
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図1においてS2で示すように、第1の工程である第1の分離膜形成工程に次ぐ第2の工程として、有機機能性素子形成工程を有している。 Method of manufacturing a thin film device apparatus of the present embodiment, as shown in S2 in FIG. 1, as the second step, second only to the first separation membrane formation process which is the first step, has an organic functional device forming step ing. 本工程では、図3に示すように、第1の分離層120上に有機機能性素子を有する薄膜デバイス層140を形成する。 In this step, as shown in FIG. 3, to form a thin film device layer 140 having an organic functional device on the first separation layer 120.

薄膜デバイス層140は有機機能性素子として各種薄膜デバイスを含むことができるものである。 Thin film device layer 140 are those that can contain various thin film device as an organic functional device. 薄膜デバイス層140は、本形態において、図4に一部を拡大して示すように、有機機能性として有機TFT素子20を含んでいる。 Thin film device layer 140, in this embodiment, as shown enlarged part in FIG. 4 includes an organic TFT element 20 as an organic functionality. この有機TFT素子20は、逆スタガー構造を示しており、有機半導体層144と、ゲート絶縁膜148と、ゲート電極150と、およびソース・ドレイン電極152とを備えている。 The organic TFT device 20 shows a reverse stagger structure, the organic semiconductor layer 144, a gate insulating film 148, and a gate electrode 150, and a source-drain electrode 152. この有機TFT素子20の製造方法、具体的な構成は後述する各実施例に譲る。 Method of manufacturing an organic TFT element 20, the specific configuration is cede to the embodiments to be described later. 有機TFT素子は、薄膜デバイス層140の最下面に中間層を配置して形成しても良い。 The organic TFT device may be formed by disposing an intermediate layer on the outermost lower surface of the thin film device layer 140.

図3に示す例では、薄膜デバイス層140は、薄膜デバイスとして有機TFT20を含む層であるが、この薄膜デバイス層140に形成される薄膜デバイスは、有機TFT素子20以外にも、製造する機器の種類に応じて、例えば、有機薄膜ダイオード、有機電子材料のPIN接合からなる光センサ、太陽電池等の光電変換素子、有機抵抗素子、その他の有機薄膜半導体デバイス、各種有機電極、スイッチング素子、メモリー等を種々の組み合わせで備えることができる。 In the example shown in FIG. 3, the thin film device layer 140 is a layer containing an organic TFT20 as a thin film device, a thin film devices formed on this thin film device layer 140, in addition to the organic TFT element 20, of the device to be manufactured depending on the type, for example, organic thin film diode, a light sensor comprising a PIN junction organic electronic material, the photoelectric conversion element such as a solar cell, an organic resistor element, other organic thin-film semiconductor devices, various organic electrode, a switching element, memory, etc. it can comprise a variety of combinations. これら何れの有機薄膜デバイスも、大面積、集積化により機能を向上させるものである。 Any of these organic thin-film device is also one in which large area, improve the functions by integration.

(第3の工程) (Third step)
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図1においてS3で示すように、第2の工程である有機機能性素子形成工程に次ぐ第3の工程として、第2の基材一体化工程を有している。 Method of manufacturing a thin film device apparatus of the present embodiment, as shown in S3 in Fig. 1, as the third step, second only to the organic functional device forming step is a second step, have a second substrate integrated process doing. 本工程では、図5に示すように、薄膜デバイス層140に第2の基材180を一体化する。 In this step, as shown in FIG. 5, to integrate the second substrate 180 to the thin film device layer 140.

第2の基材180は、第2の分離膜160を介して、薄膜デバイス層140の、第1の基材100と反対側に接着され、一体化される。 The second base member 180, through the second separation membrane 160, the thin film device layer 140 is adhered to the side opposite to the first substrate 100 are integrated.
接着層160を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の接着剤が挙げられる。 Preferable examples of the adhesive constituting the adhesive layer 160, the reaction-curing adhesive, thermosetting adhesive, light curing adhesive such as ultraviolet curing adhesive, an adhesive such as an anaerobic curing adhesive and the like. この接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。 The composition of the adhesive, e.g., epoxy-based, acrylate-based, silicone-based, etc., may be any.

接着層160としては水溶性接着剤を用いることもできる。 As the adhesive layer 160 may also be used water-soluble adhesive. ポリビニルアルコール樹脂や、この種の水溶性接着剤として、例えばケミテック株式会社製のケミシール U−451D(商品名)、株式会社スリーボンド製のスリーボンド3046(商品名)等を挙げることができる。 Or polyvinyl alcohol resin, as this kind of water-soluble adhesive, for example Chemtech Kemishiru U-451D (trade name) manufactured by Ltd., ThreeBond 3046 (trade name) manufactured by Three Bond Co., Ltd., and the like.
このような接着層160の形成は、例えば塗布法によりなされる。 Formation of such an adhesive layer 160, for example made by coating.

接着層160に硬化型接着剤を用いる場合には、例えば薄膜デバイス層140上に接着剤を塗布し、その上に第2の基材180を接合した後、接着剤の特性に応じた硬化方法により接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第2の基材180とを接着固定することができる。 When using a curable adhesive in the adhesive layer 160, for example, an adhesive on the thin film device layer 140 is coated, after bonding the second substrate 180 thereon, a curing method in accordance with the characteristics of the adhesive curing the adhesive and the thin film device layer 140 and the second base member 180 may be bonded by.

特に、接着層160に光硬化型接着剤を用いる場合には、例えば薄膜デバイス層140上に接着剤を塗布し、その上に第2の基材180を接合し、その後、第1の基材100、第2の基材180の両者が光透過性を有する場合には、その何れかの基材側または双方の基材側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第2の基材180とを接着固定することができ、また、第1の基材100、第2の基材180の何れか一方のみが光透過性を有する場合には、その光透過性を有する方の基材側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第2の基材180とを接着固定することができる。 In particular, when using a light-curing adhesive in the adhesive layer 160, for example, an adhesive is applied on the thin film device layer 140, bonding the second substrate 180 thereon, then, the first substrate 100, when both of the second substrate 180 has a light transmitting property, an adhesive is cured by irradiating light to the adhesive from the one of the substrate side or both of the substrate side thin film device layer 140 and can and the second base member 180 is bonded and fixed, also, the first substrate 100, in the case where only one of the second substrate 180 has a light transmitting property, the it can be to cure the adhesive to bond fixing the thin film device layer 140 and the second base material 180 by irradiating light to the adhesive from the substrate side towards having optical transparency. ここで用いる接着剤としては、薄膜デバイス層140に影響を与えにくい紫外線硬化型等の接着剤が望ましい。 As the adhesive used here, an adhesive of the ultraviolet curable type or the like hardly affects the thin film device layer 140 is desirable.

接着層160は、薄膜デバイス層140の側に形成するのでなく、第2の基材180の側に形成し、この接着層160を介して、薄膜デバイス層140に第2の基材180を接着してもよい。 Adhesive layer 160, rather than forming the side of the thin film device layer 140, is formed on the side of the second substrate 180, via the adhesive layer 160, bonding the second substrate 180 to the thin film device layer 140 it may be. 第2の基材180自体が接着機能を有する場合等には、接着層160の形成を省略してもよい。 The like when the second substrate 180 itself has an adhesive function may be omitted to form the adhesive layer 160.

第2の基材180は、第1の基材100と比較して、耐熱性や耐食性等といった特性が劣るものであってもよい。 The second substrate 180, as compared to the first substrate 100 may be one characteristic is inferior such heat resistance and corrosion resistance. 第1の基材100の側に薄膜デバイス層140を形成した後、この薄膜デバイス層140を第2の基材180に転写するため、第2の基材180には、基盤寸法安定性などの特性が要求されないからである。 After forming the thin film device layer 140 on the side of the first substrate 100, the thin film device layer 140 to be transferred to the second substrate 180, the second substrate 180, such as foundation dimensional stability characteristics because not required.

第2の基材180の機械的特性としては、製造する機器の種類によっては、ある程度の剛性、強度を有するものが要求されるが、可撓性、弾性を有するものであってもよく、フレキシブルシートであることができる。 The mechanical properties of the second substrate 180, depending on the type of equipment to produce a degree of rigidity, although having a strength is required, a flexible, may also have a resilient, flexible it can be a sheet.
第2の基材180としては、例えば、融点がそれほど高くない安価なガラス基板、シート状の薄いプラスチック基板、あるいはかなり厚めのプラスチック基板など、製造する機器の種類によって最適なものが選択され、用いられる。 As the second substrate 180, for example, an inexpensive glass substrate melting point is not so high, the sheet-like thin plastic substrate, or a substantial thick plastic substrate, optimum is selected by the type of device to be produced, using It is. また、第2の基材180は、平板でなく、湾曲しているものであってもよい。 The second substrate 180 is not a flat plate, or may be curved.

第2の基材180としてプラスチック基板を用いる場合に、これを構成する合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れでもよい。 In the case of using a plastic substrate as a second substrate 180, as the synthetic resin of this, the thermoplastic resin may be either a thermosetting resin. 例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルベンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプチレンテレフタレート(PBT)、プリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケ For example, polyethylene, polypropylene, ethylene - Purepiren copolymer, ethylene - vinyl acetate copolymer (EVA) polyolefin such as, cyclic polyolefin, modified polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, polyimide, polyamideimide , polycarbonate, poly - (4-polymethylpentene -1), ionomer, acrylic resins, polymethyl methacrylate, acryl - styrene copolymer (AS resin), butadiene - styrene copolymer, polio copolymer (EVOH), polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), pre-terephthalate (PCT) polyesters such as, polyethers, polyether ketone (PEK), polyether ether Ke ン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち1種、または2種以上を積層した積層体を用いることができる。 Down (PEEK), polyetherimide, polyacetal (POM), polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polyarylate, aromatic polyester (liquid crystal polymer), polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, other fluorine-based resins, styrene-based, polyolefin system, polyvinyl chloride, polyurethane, fluorine rubber, various thermoplastic elastomers such as chlorinated polyethylene, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester, silicone resin, polyurethane, etc., or these copolymers mainly, blends, polymer alloys and the like, can be used alone, or a laminate obtained by laminating two or more of these.

第2の基材180としてプラスチック基板を用いた場合には、大型の第2の基材180を一体的に成形することができる。 When using a plastic substrate as a second substrate 180, a second substrate 180 of the large it can be integrally molded. また、第2の基材180がプラスチック基板であれば、湾曲面や凹凸を有するもの等、複雑な形状であっても容易に製造することができる。 Further, the second substrate 180 if a plastic substrate, such as those having a curved surface or unevenness, can be easily produced even complex shapes. さらに、第2の基材180がプラスチック基板であれば、材料コストや製造コストが低く済むという利点もある。 Further, the second substrate 180 if the plastic substrate, there is an advantage that the material cost and production cost requires low. それ故、第2の基材180がプラスチック基板であれば、大型で安価なデバイス、例えば、液晶表示装置、有機EL表示装置を製造する際に有利である。 Therefore, if the second substrate 180 is a plastic substrate, inexpensive device large, for example, a liquid crystal display device, it is advantageous in making the organic EL display device.

本形態において、第2の基材180は、例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置、電界印加による反射率変化を用いた、粒子の電気泳動効果を用いた電気泳動表示パネルのような表示装置のアクティブマトリクス基板を薄膜デバイス装置として構成した場合のように、それ自体が独立してデバイスの基体を構成するものや、例えばカラーフィルタ、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。 In this embodiment, the second substrate 180 is, for example, an active matrix type liquid crystal display device, using the reflectance change due to the application of the electric field, the active display device such as an electrophoretic display panel using electrophoretic particle effects as in the case where the matrix substrate as a thin film device units, and constitutes a substrate of the device itself independently, for example, a color filter, electrode layer, dielectric layer, an insulating layer, as a semiconductor device, the device it may constitute a part of.

(第4の工程) (Fourth step)
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図1においてS4で示すように、第3の工程である第2の基材一体化工程に次ぐ第4の工程として、除去工程を有している。 Method of manufacturing a thin film device apparatus of the present embodiment, as shown in S4 in Fig. 1, as a fourth step next to the second base material integration step is the third step, and a removing step. 本工程では、第1の基材100と第1の分離層120との密着力が良好な部分10を除去するべく、図5に示されている積層体の端部を切断する。 In this step, so adhesion between the first substrate 100 and the first separation layer 120 is removed good portion 10, to cut the ends of the laminated body shown in FIG.

かかる部分10の除去は、ダイヤの歯を備えシリコンウェハを切断するのに用いられる加工機によるダイシングや、所望の部分を蒸発除去するレーザーアブレーションにより、機械的に取り除くことにより行うことができ、これらは適宜その特性によって使い分けることができるが、何れにおいても、汎用性が高いという利点がある。 Removal of such portions 10, and dicing by the processing machine used to cut the silicon wafer with a diamond tooth, by laser ablation evaporated off desired portions, can be performed by removing mechanically, these Although it is possible to selectively use by their properties as appropriate, in any case, there is an advantage of high versatility.

なお、本工程は次に述べる第5の工程である第1の基材分離工程の前に行われるものであり、本形態においては、本工程を、第4の工程として、上述の第3の工程である第2の基材一体化工程と、次に述べる第5の工程である第1の基材分離工程との間に行うが、本工程は、上述の第2の工程である有機機能性素子形成工程と上述の第3の工程である第2の基材一体化工程との間に行うこともでき、この場合には、本工程が第3の工程となり、第2の基材一体化工程が第4の工程となる。 The present process is intended to be performed before the first substrate separation process is a fifth step described below, in this embodiment, this step, as a fourth step, the third described above and the second base material integration step is a step, a fifth step to be described below is performed between the first substrate separation step, this step, the organic function which is the second step of the above can also be carried out between the second substrate integrating step and sexual element forming step is the third step described above, in this case, the process becomes a third step, the second substrate integrated step is the fourth step.

(第5の工程) (Fifth step)
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図1においてS5で示すように、第4の工程である除去工程に次ぐ第5の工程として、第1の基材分離工程を有している。 Method of manufacturing a thin film device apparatus of the present embodiment, as shown in S5 in FIG. 1, as a fifth step, second only to removal step is the fourth step, and has a first base separation step. 本工程では、図6に示すように、第1の基材100を薄膜デバイス層140から分離する。 In this step, as shown in FIG. 6, the first substrate 100 is separated from the thin film device layer 140.

第1の基材100の薄膜デバイス層140からの分離は、第1の基板100を、第1の分離層120の界面から剥離を行うことによってなされる。 Separated from the thin film device layer 140 of the first substrate 100, a first substrate 100 is made by carrying out the peeling from the interface of the first separation layer 120. 除去工程により、第1の基材100と第1の分離層120との密着力が良好な部分10がすでに除去され、第1の基材100と第1の分離層120との密着力は乏しい部分が残っているのみである。 The removal step, the first substrate 100 adhesive strength between the first separation layer 120 is already removed a good portion 10, adhesion between the first substrate 100 and the first separation layer 120 is poor part only is left.

従って、第1の基材100を剥がすように力を加えると、図6において矢印Aで示すように、第1の基材100と第1の分離層120の界面との間で容易に剥離が生じ、第1の基材100を第1の分離層120から容易に剥がすことができ、これによって第1の基材100が薄膜デバイス層140から分離される。 Therefore, when a force to peel the first substrate 100, as shown by an arrow A in FIG. 6, is easily removed between the first substrate 100 and the interface of the first separation layer 120 occurs, the first base material 100 can easily be peeled from the first separation layer 120, thereby the first substrate 100 is separated from the thin film device layer 140. この結果、薄膜デバイス層140が第2の基材180に転写される。 As a result, the thin film device layer 140 is transferred to the second substrate 180.
なお、剥離された第1の基材100を再利用し、その後新たな薄膜デバイス装置を製造すること等にリサイクルすることにより、その製造コストが低減される。 Incidentally, reuses the first substrate 100 is peeled, by then recycled to the like to produce a new thin film device device, its manufacturing cost is reduced.

以上の各工程を経て、薄膜デバイス層140の第2の基材180への転写が完了し、第2の基材180上に薄膜デバイス層140が転写された、図7に示す薄膜デバイス装置1が製造される。 Through the above steps, transfer to the second substrate 180 of the thin film device layer 140 is completed, the thin film device layer 140 is transferred onto the second substrate 180, thin-film device 1 shown in FIG. 7 There are produced. なお、図7に示したものそのものを薄膜デバイス装置とするのでなく、薄膜デバイス層140が形成された第2の基材180を所望の材料上に搭載したものを薄膜デバイス装置としてもよい。 Instead of being a literal that shown in FIG. 7 and the thin film device unit, a second substrate 180 on which the thin film device layer 140 is formed that is mounted on a desired material may be a thin film device units.

このように、本形態の薄膜デバイス装置1の製造方法では、転写の対象物、すなわち被剥離物である薄膜デバイス層140自体を、直接に他の物から剥離するのではなく、第1の分離層120の、第1の基材100側の界面において剥離を生じさせることで、薄膜デバイス層140と第1の基材100との剥離を行う。 Thus, in the method of manufacturing the thin-film device apparatus 1 of this embodiment, the object of transfer, that is, the thin film device layer 140 itself is to be peeled was directly rather than peeling from other things, the first isolation layer 120, by causing peeling at the interface between the first substrate 100 side, it performs separation of the thin film device layer 140 and the first substrate 100. このため、薄膜デバイス層140の側から第1の基材100を容易、かつ、確実に剥がすことができる。 Therefore, from the side of the thin film device layer 140 facilitates the first substrate 100, and can be reliably peeled off. 従って、剥離操作に伴う薄膜デバイス層140へのダメージがなく、信頼性の高い薄膜デバイス装置1が製造される。 Therefore, there is no damage to the thin film device layer 140 due to peeling operation, the thin-film device unit 1 high reliability is manufactured.

[第2の実施の形態] Second Embodiment
図1のS1〜S7に、本発明にかかる第2の実施形態の薄膜デバイス装置の製造方法として、基板上に有機機能性素子を形成した後、この有機機能性素子を別の基板に転写し、さらに、かかる有機機能性素子を別の基板に転写するまでの、第1の工程から第7の工程までを示し、図8から図10に、かかる工程を説明するための工程断面図を示している。 In S1~S7 of Figure 1, as a method of manufacturing a thin film device apparatus of a second embodiment according to the present invention, after forming the organic functional device on a substrate, transferring the organic functional element to another substrate further, until the transfer of the organic functional device to another substrate, indicates the first step to the seventh step, in FIGS. 8-10, shows a process sectional view for explaining such process ing.

本形態は、第1の工程から第5の工程までは、第1の実施の形態で説明した工程と同様であるため、説明を省略する。 This embodiment, from the first step to the fifth step is the same as the process described in the first embodiment, the description thereof is omitted. 本形態は、第5の工程の後、薄膜デバイス層140を、第2の基材180から第3の基材に再度、転写するための第6の工程と第7の工程とを有するものであるので、これら第6の工程と第7の工程を説明する。 This embodiment, after the fifth step, the thin film device layer 140, as it has the second base material 180 again to the third base material, a sixth step for transferring the seventh step since, explain these sixth step and the seventh step.

(第6の工程) (Sixth step)
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図1においてS6で示すように、第5の工程である第1の基材分離工程に次ぐ第6の工程として、第3の基材一体化工程を有している。 Method of manufacturing a thin film device apparatus of the present embodiment, as shown in S6 in FIG. 1, as the sixth step, second only to the first substrate separation step is the fifth step, the third substrate integrated process It has. 本工程では、図8に示すように、薄膜デバイス層140の、第2の基材180と反対側、すなわち第1の基材100が位置していた側に、第3の基材200を一体化する。 In this step, as shown in FIG. 8, the thin film device layer 140, opposite to the second substrate 180, i.e. the side where the first substrate 100 is located, integrally third base 200 the reduction.

すなわち、第1の工程から第5の工程により、薄膜デバイス層140を第2の基材180に転写した後、薄膜デバイス層140の、第2の基材180と反対側である薄膜デバイス層140の下面に、第3の基材200を一体化する。 That is, by the fifth step from the first step, after transferring the thin film device layer 140 to the second substrate 180, the thin film device layer 140, the thin film device layer 140 is opposite to the second substrate 180 the lower surface of, integrating the third base 200. そのため、薄膜デバイス層140の下面をなす第1の分離層120の表面に接着層190を塗布し、この接着層190を介して第3の基材200を接着する。 Therefore, the surface of the first separation layer 120 forming the lower surface of the thin film device layer 140 an adhesive layer 190 is applied to bond the third base 200 through the adhesive layer 190.

この接着層190を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着材、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種の硬化型の接着剤が挙げられる。 Preferable examples of the adhesive constituting the adhesive layer 190, the reaction-curing adhesive, thermosetting adhesive, such as an ultraviolet curable adhesive photosetting adhesive, such as various anaerobic curing adhesive curable adhesive. 接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、要求される条件を満たすものであればいかなるものでもよい。 The composition of the adhesive, e.g., epoxy-based, acrylate-based, silicone-based, etc., may be any as long as it satisfies the required conditions.
このような接着層190の形成は、例えば塗布法によりなされる。 Formation of such an adhesive layer 190, for example made by coating.

接着層190に硬化型接着剤を用いる場合には、例えば薄膜デバイス層140の下面すなわち第1の分離層120の表面に硬化型接着剤を塗布し、この硬化型接着剤に第3の基材200を接合した後、硬化型接着剤の特性に応じた硬化方法により硬化型接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第3の基材200とを接着固定することができる。 When using a curable adhesive in the adhesive layer 190, for example, a curable adhesive to the lower surface or surface of the first separation layer 120 of the thin film device layer 140 is applied, the third base in the curable adhesive after joining the 200, it can be bonded by curing the curable adhesive between the thin film device layer 140 and the third base material 200 by a curing method corresponding to the properties of the cured adhesive.

特に、接着層190に光硬化型接着剤を用いる場合には、第3の基材200が光透過性を有することが好ましく、第3の基材200が光透過性を有する場合、この裏面側すなわち第3の基材200の、薄膜デバイス層140がある側と反対側から光を照射する。 In particular, when using a light-curing adhesive in the adhesive layer 190, it is preferable that the third base 200 has a light transmitting property, if the third base 200 has a light transmitting property, the back side that of the third base 200, light is irradiated from the side opposite to the side where the thin film device layer 140. ここで用いる接着剤としては、薄膜デバイス層140に影響を与えにくいタイプの紫外線硬化型等の接着剤が望ましく、このような接着剤を用いれば、第2の基材180が光透過性の場合、この第2の基材180側から光を照射してもよいし、第2の基材180の側および第3の基材200の側の双方から光を照射してもよい。 As the adhesive used here, an adhesive of the ultraviolet curable type or the like of the hardly affects the thin film device layer 140 type is desirable, the use of such adhesives, when the second substrate 180 is optically transparent , it may be irradiated with light from the second substrate 180 side, the light from both sides of the side and the third base material 200 of the second substrate 180 may be irradiated.

すなわち、第2の基材180、第3の基材200の両者が光透過性を有する場合には、その何れかの基材側または双方の基材側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第3の基材200とを接着固定することができ、また、第2の基材180、第3の基材200の何れか一方のみが光透過性を有する場合には、その光透過性を有する方の基材側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第3の基材200とを接着固定することができる。 That is, the second substrate 180, when both of the third base 200 has a light transmitting property, by irradiating light to the one of the substrate side or both of the substrate side from the adhesive the adhesive is cured and the thin film device layer 140 and the third base material 200 can be adhered and fixed, and the second base member 180, either one is optically transparent third substrate 200 when having shall be to cure the adhesive to bond fixing the thin film device layer 140 and the third substrate 200 by irradiating light to the adhesive from the substrate side towards having the optical transparency can.
なお、第3の基材200に接着層190を形成し、その上に薄膜デバイス層140を接着しても良い。 Incidentally, the adhesive layer 190 is formed on the third base 200 may be adhered to the thin film device layer 140 thereon. また、第3の基材200自体が接着機能を有する場合等には、接着層190の形成を省略しても良い。 Further, the like when the third base material 200 itself has an adhesive function may be omitted to form the adhesive layer 190.

接着層190は、薄膜デバイス層140の側に形成するのでなく、第3の基材200の側に形成し、この接着層190を介して、薄膜デバイス層140に第3の基材200を接着してもよい。 Adhesive layer 190, rather than forming the side of the thin film device layer 140, is formed on the side of the third base 200, via the adhesive layer 190, bonding the third substrate 200 to the thin film device layer 140 it may be. 第3の基材200自体が接着機能を有する場合等には、接着層190の形成を省略してもよい。 The like when the third base material 200 itself has an adhesive function may be omitted to form the adhesive layer 190.

第3の基材200は、第1の基材100と比較して、耐熱性や耐食性等といった特性が劣るものであってもよい。 Third base 200, as compared to the first substrate 100 may be one characteristic is inferior such heat resistance and corrosion resistance. 第3の基材200の機械的特性としては、製造する機器の種類によっては、ある程度の剛性、強度を有するものが要求されるが、可撓性、弾性を有するものであってもよく、フレキシブルシートであることができる。 The mechanical properties of the third base 200, depending on the type of equipment to produce a degree of rigidity, although having a strength is required, a flexible, may also have a resilient, flexible it can be a sheet.
第3の基材200としては、例えば、シート状の薄いプラスチック基板、あるいはかなり厚めのプラスチック基板など、製造する機器の種類によって最適なものが選択され、用いられる。 The third base 200, for example, sheet-like thin plastic substrate, or a substantial thick plastic substrate, optimum is selected by the type of device to be manufactured, used. また、第3の基材200は、平板でなく、湾曲しているものであってもよい。 The third substrate 200 is not a flat plate, or may be curved.

第3の基材200としてプラスチック基板を用いる場合に、これを構成する合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れでもよい。 In the case of using a plastic substrate as the third substrate 200, as the synthetic resin of this, the thermoplastic resin may be either a thermosetting resin. 例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルベンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプチレンテレフタレート(PBT)、プリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケ For example, polyethylene, polypropylene, ethylene - Purepiren copolymer, ethylene - vinyl acetate copolymer (EVA) polyolefin such as, cyclic polyolefin, modified polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, polyimide, polyamideimide , polycarbonate, poly - (4-polymethylpentene -1), ionomer, acrylic resins, polymethyl methacrylate, acryl - styrene copolymer (AS resin), butadiene - styrene copolymer, polio copolymer (EVOH), polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), pre-terephthalate (PCT) polyesters such as, polyethers, polyether ketone (PEK), polyether ether Ke ン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち1種、または2種以上を積層した積層体を用いることができる。 Down (PEEK), polyetherimide, polyacetal (POM), polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polyarylate, aromatic polyester (liquid crystal polymer), polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, other fluorine-based resins, styrene-based, polyolefin system, polyvinyl chloride, polyurethane, fluorine rubber, various thermoplastic elastomers such as chlorinated polyethylene, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester, silicone resin, polyurethane, etc., or these copolymers mainly, blends, polymer alloys and the like, can be used alone, or a laminate obtained by laminating two or more of these.

第3の基材200としてプラスチック基板を用いた場合には、大型の第3の基材200を一体的に成形することができる。 When using a plastic substrate as the third substrate 200 may be molded integrally with the third base 200 large. また、第3の基材200がプラスチック基板であれば、湾曲面や凹凸を有するもの等、複雑な形状であっても容易に製造することができる。 Further, the third base material 200 is as long as the plastic substrate, such as those having a curved surface or unevenness, can be easily produced even complex shapes. さらに、第3の基材200がプラスチック基板であれば、材料コストや製造コストが低く済むという利点もある。 Furthermore, the third base material 200 is as long as the plastic substrate, there is an advantage that the material cost and production cost requires low. それ故、第3の基材200がプラスチック基板であれば、大型で安価なデバイス、例えば、液晶表示装置、有機EL表示装置を製造する際に有利である。 Therefore, if the third base material 200 is a plastic substrate, inexpensive device large, for example, a liquid crystal display device, it is advantageous in making the organic EL display device.

本形態において、第3の基材200は、例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置、電界印加による反射率変化を用いた、粒子の電気泳動効果を用いた電気泳動表示パネルのような表示装置のアクティブマトリクス基板を薄膜デバイス装置として構成した場合のように、それ自体が独立してデバイスの基体を構成するものや、例えばカラーフィルタ、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。 In this embodiment, the third base 200, for example, an active display device such as an electrophoretic display panel using an active matrix type liquid crystal display device, using the reflectance change due to the application of the electric field, the electrophoretic particle effects as in the case where the matrix substrate as a thin film device units, and constitutes a substrate of the device itself independently, for example, a color filter, electrode layer, dielectric layer, an insulating layer, as a semiconductor device, the device it may constitute a part of.

(第7の工程) (Seventh step)
本形態の薄膜デバイス装置の製造方法は、図1においてS7で示すように、第6の工程である第3の基材一体化工程に次ぐ第7の工程として、第2の基材分離工程を有している。 Method of manufacturing a thin film device apparatus of the present embodiment, as shown in S7 in FIG. 1, as the seventh step, second only to the third substrate integrated process is a sixth step, the second substrate separation step It has. 本工程では、図9に示すように、第2の基材180を薄膜デバイス層140から分離する。 In this step, as shown in FIG. 9, the second substrate 180 is separated from the thin film device layer 140.

第2の基材180の薄膜デバイス層140からの分離は、熱溶融性接着剤からなる第2の分離層160を加熱し、熱溶融させ、第2の分離層160の接着力を弱め、矢印Bで示すように、第2の基材180を薄膜デバイス層140の側から剥がすことによってなされる。 The separation from the thin film device layer 140 of the second substrate 180, a second isolation layer 160 made of hot-melt adhesive is heated, is hot-melt, weakening the adhesive force of the second separation layer 160, an arrow as shown in B, and the second substrate 180 is made by peeling from the side of the thin film device layer 140. これにより、第3の基材200に薄膜デバイス層140が転写される。 Thus, the thin film device layer 140 is transferred to the third substrate 200. 図9に示されているように、本形態においては,分離は、第2の分離層160の層内で行われている。 As shown in Figure 9, in this embodiment, the separation is carried out in the layer of the second separation layer 160.

そこでさらに、図10に示すように、薄膜デバイス層140の表面に残る第2の分離層160を除去し、これにより、第3の基材200に薄膜デバイス層140が転写された薄膜デバイス装置2を製造することができる。 Accordingly Further, as shown in FIG. 10, removing the second isolation layer 160 remaining on the surface of the thin film device layer 140, thereby, the third thin film device unit thin film device layer 140 on the substrate 200 is transferred 2 it can be produced. 一方、第2の基材180についても、付着した熱溶融性接着剤を除去することで、繰り返し使用することができる。 On the other hand, for the second base member 180, to remove the deposited hot-melt adhesives, it can be used repeatedly.

これら第2の分離層160の除去は、第2の分離層160に水溶性接着剤を用いた場合には、少なくとも第2の分離層160を含む領域を純水に浸すことによって行うことができる。 The removal of these second isolation layer 160, when using a water-soluble adhesive to the second isolation layer 160 may be performed by immersing the region that includes at least a second isolation layer 160 in pure water .
本形態においては、分離は、第2の分離層160の層内で行われているが、第2の分離層160を形成する剤を選択することにより、第2の分離層160の界面で剥離を生じさせ、第2の基材180を薄膜デバイス層140から分離することができる。 In this embodiment, the separation is taking place in the layer of the second separation layer 160, by selecting the agent to form a second isolation layer 160, peeling at the interface of the second separation layer 160 the cause, the second substrate 180 can be separated from the thin film device layer 140. このようにすれば、第2の分離層160の除去工程が不要となり、工程の簡易化、低コスト化の観点から好ましい。 Thus, the process of removing the second separation layer 160 is not required, simplifying the process, from the viewpoint of cost reduction. 第2の基材180の薄膜デバイス層140からの分離は、第2の分離層160の層内、または第2の分離層160のうちの少なくとも一方で剥離現象を生じさせることで行うことができる。 Separated from the thin film device layer 140 of the second substrate 180 can be performed by causing at least one at a peeling phenomenon of the second layer of the separation layer 160, or the second isolation layer 160 .

このように、第6の工程と第7の工程とを行うことにより、薄膜デバイス層140を、2回、転写することになるので、薄膜デバイス層140を第3の基材200に転写した状態において、薄膜デバイス層140は、第1の基材100に形成されたときの積層構造のままとなる。 In this way, by performing a sixth step a seventh step, state thin film device layer 140, twice, it means that the transfer, the transfer of the thin film device layer 140 to the third base 200 in the thin film device layer 140 will remain in the stacked structure when it is formed on the first substrate 100. このような工程によれば、薄膜デバイス層140が、第1の基材100に形成されたときの積層構造のまま露出するので、後述する実施例3のように、薄膜デバイス装置2の薄膜デバイス層140上にさらに加工を行って電気光学装置等の装置を製造することが可能となるという点で優れている。 According to this process, the thin film device layer 140 is so exposed remain stacked structure when it is formed on the first substrate 100, as in Example 3 to be described later, the thin film device unit 2 thin film device It has the added advantage that it is possible to manufacture a device such as an electro-optical device performs further processing on the layer 140.

第1の実施の形態、第2の実施の形態において、その第2の工程においては、第1の基材100上に有機TFT素子20等の有機機能性素子をマトリクス状に形成するとともに、かかる有機TFT素子20等のゲートに電気的に接続する走査線、かかる有機TFT素子20等のソースに電気的に接続するデータ線、およびかかる有機TFT素子20等のドレインに電気的に接続する画素電極を形成し、これらの配線や電極も、最終的に製品に搭載される基板、すなわち第2の基材180又は第3の基材200に転写することが好ましい。 First embodiment, in the second embodiment, in the second step, the organic functional element such as an organic TFT element 20 so as to form a matrix on the first substrate 100, such scan line electrically connected to the gate of an organic TFT element 20, such organic TFT device 20 such as the source to the data line electrically connected, and a pixel electrode electrically connected to the drain of the organic TFT device 20 and the like forming a also these wirings and electrodes, and finally the substrate to be mounted on the product, i.e. be transferred to the second substrate 180 or the third base material 200 preferably. なお、最終的に製品に搭載される基板への転写後、この基板上で、高温での処理が不要な配線等を形成してもよい。 Incidentally, after eventually transferred to the substrate to be mounted on the product, on the substrate, treatment at a high temperature may form unwanted wires and the like.

このように、有機TFT等の有機機能性素子をマトリクス状に形成することにより、上述した薄膜デバイス装置の製造方法を用いて、アクティブマトリクス基板の製造方法とすることができ、このアクティブマトリクス基板の製造方法によりアクティブマトリクス基板を製造することができる。 Thus, by forming the organic functional element such as an organic TFT in a matrix, by using the manufacturing method of the above-mentioned thin film device unit may be a method for manufacturing an active matrix substrate, the active matrix substrate it is possible to manufacture the active matrix substrate by the production method. このようなアクティブマトリクス基板においては、有機TFT等を駆動回路用の有機機能性素子として備えることができる。 In such an active matrix substrate may comprise an organic TFT or the like as an organic functional element for driving circuit.

有機機能性素子としては有機TFT素子のみならず、有機EL素子も挙げられる。 The organic functional device not only organic TFT device, the organic EL device may also be used. 有機機能性素子は、有機TFT素子を備えず、有機EL素子を備えていても良いし、有機EL素子と有機TFT素子とを備えていても良い。 The organic functional element is not provided with organic TFT element, may be provided with an organic EL element may comprise an organic EL device and an organic TFT device. 有機機能性素子が、有機EL素子と有機TFT素子とを備えているときは、有機機能性素子を、画像信号に対して発光する有機EL素子とこの有機EL素子にスイッチングを行う有機TFT素子とを有する表示器を備えているものとして構成しても良いし、有機機能性素子が、有機TET素子を備えず有機EL素子を備えているときであっても、有機機能性素子を、画像信号に対して発光する有機EL素子を備えているものとして構成しても良い。 The organic functional element, when provided with an organic EL device and an organic TFT element, an organic functional device, an organic EL element emitting an image signal and an organic TFT elements for switching to the organic EL device it may be constructed as comprising a display device having the organic functional device, even when an organic EL element does not include the organic TET device, an organic functional device, an image signal it may be configured as comprising an organic EL element that emits light with respect.

さらには、このようなアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて、電気光学装置の製造方法とすることができ、この電気光学装置の製造方法により電気光学装置を製造することができる。 Furthermore, by using the manufacturing method of the active matrix substrate may be a method of manufacturing an electro-optical device, it is possible to manufacture an electro-optical device by the manufacturing method of the electro-optical device. 電気光学装置としては、液晶表示装置、粒子の電気泳動効果を用いた電気泳動表示パネル等の表示装置等の電界入力により反射率変化を生じる表示装置、有機EL表示装置等が挙げられ、これは有機機能性素子等を選択することによって製造可能である。 The electro-optical device, a liquid crystal display device, a display device to produce a change in reflectance by an electric field input of the display device or the like of the electrophoretic display panel or the like using an electrophoretic particle effects, the organic EL display device and the like, which It can be prepared by selecting the organic functional element or the like.

以下、上述した薄膜デバイス装置の製造方法、この薄膜デバイス装置の製造方法を用いて製造した薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、このアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリクス基板、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置の製造方法を用いて製造した電気光学装置の実施例を説明する。 Hereinafter, a manufacturing method of the above-mentioned thin film device apparatus, a method of manufacturing a thin film device device manufactured using the manufacturing method of the thin film device unit, an active matrix substrate, the active matrix substrate manufactured using the manufacturing method of the active matrix substrate, method of manufacturing an electro-optical device, an embodiment of an electro-optical device manufactured using the method of manufacturing the electrooptical apparatus.

[実施例1] [Example 1]
実施例1として、第1の実施の形態の具体例、すなわち、第1の基材100に形成された、薄膜デバイスである有機TFTを含む薄膜デバイス層140を、第2の基材180に転写する薄膜デバイス装置の製造方法と、この薄膜デバイス装置の製造方法を用いて製造した薄膜デバイス装置との具体例を説明する。 As Example 1, a specific example of the first embodiment, i.e., formed on the first substrate 100, the thin film device layer 140 including the organic TFT is a thin film device, transferred to the second substrate 180 and method of manufacturing the thin-film device apparatus, a specific example of the thin film device device manufactured using the manufacturing method of the thin film device apparatus.

(第1の工程) (First step)
本工程では、次の条件で第1の分離層120を形成した。 In this step, to form the first separation layer 120 under the following conditions.
第1の基材100:ガラス基板界面活性剤:非イオン系界面活性剤界面活性剤の配置:スクリーン印刷にて周辺部を除く他の部分に印刷により配置乾燥:120℃、30分第1の分離層120:パリレン成膜・パリレン成膜の条件 第三化成社製 diX_C First substrate 100: a glass substrate surfactant: nonionic surfactant surfactant placement: placement dried by printing other parts except for the peripheral portion in the screen printing: 120 ° C., the first 30 minutes the separation layer 120: parylene deposition, parylene deposition conditions third Kasei Co., Ltd. diX_C
圧力:0.01Torr Pressure: 0.01Torr
昇華温度:100〜170℃ Sublimation temperature: 100~170 ℃
熱分解温度:650℃ Thermal decomposition temperature: 650 ℃
成膜室温度:室温 パリレン膜厚:10μmの厚さにて形成 Deposition chamber temperature: forming at 10μm thickness: room parylene thickness

(第2の工程) (Second step)
本工程では、次の条件で薄膜デバイス層140を形成した。 In this step, to form a thin film device layer 140 under the following conditions.
・有機TFT形成プロセスゲート電極150:Cr膜 スパッタリング法により、膜厚50nm堆積ゲート電極150のパターニング:フォトリソグラフィーゲート絶縁膜148:有機絶縁体膜をスピンコーティング法により形成有機絶縁体膜:ポリビニルブチラール、膜厚100nm Organic TFT formation process the gate electrode 150: the Cr film sputtering, patterning of film thickness 50nm is deposited the gate electrode 150: photolithography gate insulating film 148: an organic insulating film formed by spin coating the organic insulating film: polyvinyl butyral, thickness of 100nm
有機半導体膜144:ポリヘキシルチオフェン有機半導体材料をスピンコーティング法により形成、膜厚80nm The organic semiconductor film 144: forming a poly-hexylthiophene organic semiconductor material by a spin coating method, the film thickness 80nm
素子のパターン化、ゲート電極コンタクト:フォトリソグラフィー形成さらにソース・ドレイン電極152を形成 なお、層間絶縁層上にはさらに保護膜を形成してもよい。 Patterning the device, the gate electrode contact: forming a photolithographic forming further source and drain electrodes 152 It is also possible to further form a protective film on the interlayer insulating layer.

(第3の工程) (Third step)
本工程では、次の条件で第2の基材180を一体化した。 In this step, by integrating the second substrate 180 under the following conditions.
有機TFTを備える薄膜デバイス層140の上に接着層としてのエポキシ樹脂からなる接着層160を形成した後、この接着層160を介して、薄膜デバイス層140に対して、縦150mm×横150mm×厚さ0.7mmのソーダガラスからなる第2の基材180を貼り付ける。 After forming the adhesive layer 160 made of epoxy resin as an adhesive layer on the thin film device layer 140 having the organic TFT, via the adhesive layer 160, the thin film device layer 140, vertical 150 mm × horizontal 150 mm × thickness paste second substrate 180 made of a 0.7mm soda glass. 接着層160に熱を加えてエポキシ樹脂を硬化させ、第2の基材180と薄膜デバイス層140の側とを接着する。 And heat is applied to the adhesive layer 160 to cure the epoxy resin, to bond the side of the second substrate 180 and the thin film device layer 140. なお、接着層160は紫外線硬化型接着剤でもよい。 The adhesive layer 160 may be an ultraviolet curable adhesive. この場合には、第2の基材180側から紫外線を照射してポリマーを硬化させる。 In this case, ultraviolet light is irradiated is cured the polymer from the second substrate 180 side.

(第4の工程) (Fourth step)
本工程では、第1の基材100の端部の密着力の強い部分を含むように、全ての層にわたって切断した。 In this step, to include a portion having strong adhesion of the end portion of the first substrate 100, cut across all layers.
(第5の工程) (Fifth step)
本工程では、第1の分離層120で剥離現象を起こさせてから、薄膜デバイス層140の側から第1の基材100を剥がした。 In this process, since to cause a separation phenomenon in the first separation layer 120, peeling off the first substrate 100 from the side of the thin film device layer 140.
結果、薄膜デバイス層140が第2の基材180に転写された。 Result, the thin film device layer 140 is transferred to the second substrate 180.

このようにして製造された薄膜デバイス装置1は、例えば、第2の基板180にプラスチック等からなるフレキシブル基板を用いれば、曲げに強く、軽量であるために落下にも強いという利点を有する有機薄膜デバイス装置1として形成される。 Thus the thin-film device unit 1 that is manufactured, for example, when a flexible substrate made of plastic or the like to the second substrate 180, resistant to bending, an organic thin film having the advantage of resistant to dropping because of its light weight It is formed as a device apparatus 1. また有機機能性素子である有機薄膜デバイスの構成要素として、CPU、RAM、入力回路、さらに太陽光発電セルを搭載し、自立型マイクロコンピュータを製造することが可能である。 As a component of an organic thin film device which is an organic functional device, CPU, RAM, an input circuit, further equipped with a photovoltaic cell, it is possible to produce a self-supporting microcomputer.

[実施例2] [Example 2]
実施例2として、第1の基材100にマトリックス状に形成された有機TFT素子等、各種の有機機能性素子を含む薄膜デバイス層140を形成し、これを第2の基材180に転写して、アクティブマトリクス基板を製造するアクティブマトリクス基板の製造方法、このアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリクス基板、かかるアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて液晶表示装置、電気泳動表示装置等の薄膜デバイス装置である電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法、この電気光学装置の製造方法を用いて製造した電気光学装置の具体例について説明する。 As Example 2, a matrix which is formed in the organic TFT devices or the like to first substrate 100, to form a thin film device layer 140 including various organic functional devices, and transferring it to the second base member 180 Te, a method of manufacturing an active matrix substrate to manufacture the active matrix substrate, the active matrix substrate manufactured using the manufacturing method of the active matrix substrate, a liquid crystal display device using the manufacturing method of the active matrix substrate, an electrophoretic display device or the like a method of manufacturing an electro-optical apparatus for manufacturing an electro-optical device is a thin film device apparatus, specific examples of the electro-optical device manufactured using the manufacturing method of the electro-optical device will be described.

本実施例にかかるアクティブマトリクス基板の製造方法、このアクティブマトリクス基板の製造方法を用いて製造したアクティブマトリクス基板を説明する。 Method of manufacturing an active matrix substrate according to the present embodiment, an active matrix substrate will be described which is manufactured by the method of the active matrix substrate. 実施例1と同様の部分については適宜説明を省略する。 Appropriately omitted for the same parts as in Example 1.
(第1の工程) (First step)
本工程では、ガラス基板によって構成される第1の基材100上にパリレン膜によって構成される第1の分離層120を形成した。 In this step, to form the first separation layer 120 composed of parylene film on the first base material 100 composed of a glass substrate. 具体的には、縦100mm×横100mm×厚さ1.1mmのガラス基板上に、パリレン膜を成膜した。 More specifically, the vertical 100 mm × horizontal 100 mm × thickness of 1.1mm glass substrate was deposited parylene layer. 界面活性剤を用いた基板表面の改質は実施例1と同様である。 Modification of the substrate surface using a surfactant is the same as in Example 1.

(第2の工程) (Second step)
本工程では、第1の分離層120の上に、薄膜デバイス層140を構成する有機TFTをマトリクス状に形成した。 In this step, on the first separation layer 120, the organic TFT that constitutes the thin film device layer 140 is formed in a matrix.
ゲート電極150は、Cr金属膜をスパッタリング法により、膜厚50nmで堆積させ、フォトリソグラフィー・エッチングにより所望するパターンにて形成した。 The gate electrode 150, by sputtering Cr metal film, is deposited in a thickness of 50 nm, it was formed in a desired pattern by photolithography etching.

次にゲート絶縁膜148を形成した。 Then to form the gate insulating film 148. この膜は有機絶縁体膜をスピンコーティング法により形成した。 This film was an organic insulation film was formed by spin coating. 有機絶縁体膜としてポリビニルブチラールを用い、100nm膜厚を形成した。 Using a polyvinyl butyral as an organic insulating film, thereby forming a 100nm thickness.
次に有機半導体膜144を、ポリヘキシルチオフェン有機半導体材料をスピンコーティング法により膜厚80nmとすることで形成する。 The organic semiconductor film 144, a poly-hexylthiophene organic semiconductor material is formed by a film thickness 80nm by spin coating.

素子のパターン化や、ゲート電極コンタクトはフォトリソグラフィーとエッチングによりなされる。 Patterning and the device, the gate electrode contacts are made by photolithography and etching.
また、或るレジストパターンはエッチング工程終了後、除去することなく、そのままコンタクトホールを有する層間絶縁膜として使用する。 Also, some resist pattern after the etching step is completed, removed without, for use as an interlayer insulating film as having a contact hole.
次に、ソース・ドレイン電極152を形成する。 Next, a source-drain electrode 152.

このようにして、有機TFTを備えた薄膜デバイス層140が形成される。 In this manner, the thin film device layer 140 having an organic TFT is formed. なお、層間絶縁層上にはさらに保護膜を形成してもよい。 It is also possible to further form a protective film on the interlayer insulating layer. 画素スイッチング用の有機TFTのドレイン電極と画素個別電極を接続することで薄膜デバイス層が形成される。 Thin film device layer is formed by connecting the drain electrode and the pixel individual electrode of the organic TFT for pixel switching.

(第3の工程) (Third step)
本工程では、接着層160を介して、安価なソーダガラス基板を第2の基材180として接着した。 In this step, through the adhesive layer 160 was adhered an inexpensive soda glass substrate as the second substrate 180.
(第4の工程) (Fourth step)
本工程では、第1の基材100の端部を切断した。 In this step, by cutting the end portion of the first substrate 100.
(第5の工程) (Fifth step)
本工程では、第1の分離層120で剥離現象を起こさせてから、薄膜デバイス層140の側から第1の基材100を剥がした。 In this process, since to cause a separation phenomenon in the first separation layer 120, peeling off the first substrate 100 from the side of the thin film device layer 140.
結果、薄膜デバイス層140は第2の基材180に転写された。 Result, the thin film device layer 140 transferred to the second substrate 180.

これにより、アクティブマトリクス基板が完成する。 As a result, the active matrix substrate is completed. このアクティブマトリクス基板では、画素電極が薄膜デバイス層の裏面側で露出している。 In the active matrix substrate, pixel electrodes are exposed at the back surface side of the thin film device layer. 従って、アクティブマトリクス基板の薄膜デバイス層の裏面側に電気光学表示セルを形成することが可能である。 Therefore, it is possible to form an electro-optical display cell on the back side of the thin film device layer of the active matrix substrate.

かかるアクティブマトリクス基板を用いて電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法、この電気光学装置の製造方法を用いて製造した電気光学装置の具体例について説明する。 A method of manufacturing an electro-optical apparatus for manufacturing an electro-optical device using such an active matrix substrate, a specific example of an electro-optical device manufactured using the manufacturing method of the electro-optical device will be described.
本実施例にかかる電気光学装置としての電気光学表示装置は上述のアクティブマトリクス基板と、このアクティブマトリクス基板に所定の間隔を介して貼り合わされた対向基板と、この対向基板とアクティブマトリクス基板との間に封入された液晶、または電気泳動流体等の電気光学物質とを有している。 During the electro-optical display device as an electro-optical device according to the present embodiment and the active matrix substrate described above, the active matrix opposing substrates bonded via a predetermined gap on the substrate, and the counter substrate and the active matrix substrate It has a liquid crystal, or an electro-optical material such as electrophoretic fluid sealed in.

アクティブマトリクス基板と対向基板とは、対向基板の外周縁に沿って形成されたギャップ材含有のシール材によって所定の間隙を介して貼り合わされ、このシール材の内側領域が電気光学物質の封入領域とされる。 An active matrix substrate and the counter substrate are bonded together with a predetermined gap by a sealing member of the outer peripheral edge is formed along the gap material containing the counter substrate, the inner region of the sealing material and the containment zone of the electro-optical material It is. シール材としては、エポキシ樹脂や各種の紫外線硬化樹脂などを用いることができる。 As the sealant, or the like can be used epoxy resins and various ultraviolet curable resin. ここで、シール材は部分的に途切れているので、対向基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせた後、シール材の内側領域を減圧状態にすれば、シール材の途切れ部分から表示液を減圧注入でき、封入した後は、途切れ部分を封止剤で塞げばよい。 Since the sealing material is partially interrupted, after bonding the counter substrate and the active matrix substrate, if the inner region of the sealing material in a reduced pressure state, vacuum injecting display liquid from broken portion of the seal member It can, after encapsulation, may be Fusage interruption portion with a sealing agent.
対向基板はアクティブマトリクス基板よりも小さく、アクティブマトリクス基板の対向基板の外周縁よりはみ出た領域には、後述する走査線駆動回路やデータ線駆動回路等のドライバー部が形成されている。 Opposing substrate is smaller than the active matrix substrate, the run-off area from the outer periphery of the counter substrate of the active matrix substrate, a driver section such as the scanning line driving circuit and the data line driving circuit to be described later is formed.

このように構成した電気光学表示装置において、そのアクティブマトリクス基板では、中央領域が実際の表示を行う画素部であり、その周辺部分が駆動回路部とされる。 In such electro-optical display device which is constructed, in its active matrix substrate, a pixel portion that performs the actual display is the central area, the peripheral portion thereof is a driving circuit portion. 画素部では、導電性半導体膜などで形成されたデータ線および走査線に接続した画素用スイッチングの有機TFTがマトリクス状に配列された各画素毎に形成されている。 In the pixel portion, the conductive semiconductor layer organic TFT of the pixel switching connected to form data lines and the scanning lines or the like are formed for each pixel arranged in a matrix. データ線に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチなどを備えるデータ側駆動回路が構成されている。 For the data lines, a shift register, a level shifter, a video line, a data-side driving circuit comprising an analog switch is constructed. 走査線に対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタなどを備える走査側駆動回路が構成されている。 For the scanning lines, the scanning driver circuit comprising a shift register and a level shifter is formed.

[実施例3] [Example 3]
実施例3として、第2の実施の形態の具体例、ずなわち、第1の基材100に形成された、有機TFTを含む薄膜デバイス層140を、第2の基材180に転写した後、さらに第3の基材200に転写する薄膜デバイス装置の製造方法と、この薄膜デバイス装置の製造方法を用いて製造した薄膜デバイス装置とを用いた電気光学装置の製造方法及びこの電気光学装置の製造方法を用いて製造した電気光学装置との具体例を説明する。 Example 3, a specific example of the second embodiment, Zunawachi, formed on the first substrate 100, the thin film device layer 140 including the organic TFT, after transferring the second substrate 180 further a method of manufacturing a thin film device unit to be transferred to the third substrate 200, the manufacturing method and the electro-optical device of the electro-optical device using the thin film device device manufactured using the manufacturing method of the thin film device unit specific examples of the electro-optical device manufactured using the manufacturing method will be described.

図10に、本実施例にかかる電気光学表示装置たる電気光学装置30の要部を示す。 Figure 10 shows a main part of an electro-optical display device in the form of an electro-optical device 30 according to this embodiment. 電気光学装置30は、実施例2にかかるアクティブマトリクス基板を用いており、有機機能性素子として、このアクティブマトリクス基板に備えられている、マトリクス状に配設された有機TFT素子と、アクティブマトリクス基板上に配設された有機EL素子とを有している。 Electro-optical device 30 is using an active matrix substrate according to the second embodiment, as the organic functional device, provided in the active matrix substrate, an organic TFT elements arranged in a matrix, an active matrix substrate and a organic EL element disposed thereon. 本実施例にかかるアクティブマトリクス基板の基本的な構成は、実施例2と同様であるので、説明を省略する。 Since the basic configuration of an active matrix substrate according to this embodiment is the same as in Example 2, the description thereof is omitted. 有機TFT素子の構成は実施例1と同様にすることができる。 Configuration of the organic TFT device can be in the same manner as in Example 1.

電気光学装置30に用いたアクティブマトリクス基板と有機EL素子40とは、第1の基材100上に最適な条件で形成した後、この第1の基材100から第2の基材180への転写を経て、プラスチックシート基板からなるフレキシブルな第3の基材200と接合し一体化したものである。 The active matrix substrate and the organic EL element 40 in an electro-optical device 30, after forming under optimal conditions on the first substrate 100, from the first substrate 100 to the second substrate 180 through the transfer is obtained by integrally joined with a flexible third substrate 200 made of a plastic sheet substrate. 薄膜デバイス層140を2回、転写しているため、薄膜デバイス層140を第3の基材200に転写し終えた状態で、薄膜デバイス層140は、第1の基材100に有機TFT素子20を形成したときの積層構造のままである。 The thin film device layer 140 twice, because of the transfer, the thin film device layer 140 in a state of finished transferred to the third substrate 200, the thin film device layer 140, an organic TFT device in the first base member 100 20 it remains stacked structure when forming the.

薄膜デバイス層140は、有機TFT素子30と、これに加えて有機EL素子40とを有している。 Thin film device layer 140 includes an organic TFT element 30, and an organic EL element 40 in addition thereto.
電気光学装置30は、有機TFT素子30の一端のソース・ドレイン電極152に電気的に接続した有機EL素子40中の第1の個別電極220と、個別電極220上に形成された導電性高分子膜240と、導電性高分子膜240上に形成された有機発光膜260と、有機発光膜上に形成された共通電極280とを有している。 Electro-optical device 30 includes an organic one end the source and drain electrodes 152 first individual electrode 220 in the organic EL element 40 that is electrically connected to the TFT elements 30, the conductive polymer formed on the individual electrode 220 a membrane 240, an organic emission layer 260 formed on the conductive polymer film 240, and a common electrode 280 formed on the organic light-emitting film.

個別電極220は透明導電膜にて形成されている。 Individual electrodes 220 are formed of a transparent conductive film. 透明導電膜はITO膜をスパッタリングにて膜厚100nmで選択形成したものである。 The transparent conductive film is obtained by selectively forming a film thickness of 100nm an ITO film by sputtering. 導電性高分子膜240は、電化注入効率を稼ぐための電荷注入層であり、ポリエチレンジオキシチオフェン膜をスピンコーティングにて50nmの厚さで成膜することによって形成したものである。 Conductive polymer layer 240, a charge injection layer to earn electrification injection efficiency is obtained by forming by depositing polyethylenedioxythiophene film with a thickness of 50nm by spin coating.

有機発光膜260は、有機発光材料を用いて成膜された有機発光層であり、有機発光材料としてポリフェニレンビニレン材料を用い、スピンコーティングにて80nmの厚さで形成したものである。 The organic light emitting layer 260 is an organic light emitting layer formed by using an organic light emitting material, using a polyphenylene vinylene material as the organic luminescent material is obtained by forming a thickness of 80nm by spin coating. 共通電極280はバリウム、銀を真空蒸着にて成膜したものである。 The common electrode 280 is obtained by depositing barium, silver by vacuum deposition.
このようにして薄膜デバイス層140が形成される。 In this way, the thin film device layer 140 is formed. なお、導電性高分子膜240の形成は任意である。 The formation of the conductive polymer film 240 is arbitrary.

以上、各実施の形態、各実施例を説明したが、最終的に製品に搭載される基板として、適宜、大型の基板、安価な基板、軽い基板、変形に耐え得る基板、割れない基板を用いることができる。 Above, the embodiments have been described each embodiment, as a substrate to be mounted on the final product, as appropriate, using large substrate, inexpensive substrate, light board, board to withstand deformation, the substrate unbreakable be able to. 従って、安価、軽量、耐衝撃性等に優れた薄膜デバイス装置、アクティブマトリックス基板、電気光学装置を構成することができる。 Therefore, it is possible to configure inexpensive, lightweight, superior thin film device unit in impact resistance, etc., an active matrix substrate, an electro-optical device.

本発明を適用した薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板、電気光学装置の製造方法の各工程を示す図である。 Thin film device apparatus according to the present invention, is a diagram illustrating steps of the active matrix substrate, method of manufacturing the electro-optical device. 第1の分離膜形成工程を説明するための断面図である。 It is a cross-sectional view for explaining a first separation membrane formation process. 有機機能性素子形成工程を説明するための断面図である。 It is a sectional view for explaining the organic functional device forming step. 図3に示した有機機能性素子形成工程により形成された有機機能性素子の要部を示す拡大断面図である。 Is an enlarged sectional view showing an essential part of an organic functional element formed by the organic functional device forming step shown in FIG. 第2の基材一体化工程を説明するための断面図である。 It is a cross-sectional view for explaining the second substrate integrated process. 第1の基材分離工程を説明するための断面図である。 It is a cross-sectional view for explaining a first substrate separation step.

第1の分離膜形成工程、有機機能性素子形成工程、第2の基材一体化工程、除去工程、第1の基材分離工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法を経て製造された薄膜デバイス装置の断面図である。 First separation film forming step, an organic functional device forming step, the second substrate integrated process, the removing step, a thin film device apparatus manufactured through the manufacturing method of the thin film device apparatus having a first substrate separation step it is a cross-sectional view of. 第3の基材一体化工程を説明するための断面図である。 It is a cross-sectional view for explaining a third base integration step. 第2の基材分離工程を説明するための断面図である。 It is a cross-sectional view for explaining a second substrate separation step. 第1の分離膜形成工程、有機機能性素子形成工程、第2の基材一体化工程、除去工程、第1の基材分離工程、第3の基材一体化工程、第2の基材分離工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法を経て製造された薄膜デバイス装置の断面図である。 First separation film forming step, an organic functional device forming step, the second substrate integrated process, the removing step, the first substrate separation step, the third substrate integrated process, the second substrate separated step is a cross-sectional view of a thin-film device apparatus manufactured through the manufacturing method of the thin film device apparatus having. 本発明を適用した電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置の断面図である。 Manufacturing method of the applied electro-optical device of the present invention is a cross-sectional view of an electro-optical device manufactured using the.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1、2 薄膜デバイス装置 10 密着力の強い部分 20 有機機能性素子、有機TFT素子 30 電気光学装置 40 有機機能性素子、有機EL素子 100 第1の基材 120 第1の分離膜 180 第2の基材 200 第3の基材 S1 第1の分離膜形成工程 S2 有機機能性素子形成工程 S3 第2の基材一体化工程 S4 除去工程 S5 第1の基材分離工程 S6 第3の基材一体化工程 S7 第2の基材分離工程 1,2 thin film device 10 adhesion strong portion 20 organic functional device, an organic TFT element 30 an electro-optical device 40 organic functional device, the organic EL device 100 first base material 120 first separation membrane 180 second substrate 200 third substrate S1 first separation film forming process S2 organic functional device forming process S3 second base integration step S4 removal step S5 the first base separation step S6 third base integral step S7 second base separation step

Claims (14)

  1. 第1の基材上に第1の分離膜を形成する第1の分離膜形成工程と、 A first separation film forming step of forming a first separation layer on the first substrate,
    第1の分離膜上に有機機能性素子を形成する有機機能性素子形成工程と、 Organic functional element forming step of forming the organic functional device on the first separation layer,
    上記有機機能性素子に第2の基材を一体化する第2の基材一体化工程と、 And the second base material integration step of integrating the second substrate to the organic functional device,
    第1の基材を上記有機機能性素子から分離する第1の基材分離工程とを有し、 A first substrate and a first base separation step of separating from the organic functional device,
    上記第1の分離膜形成工程においては、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせており、 In the first separation membrane formation process, which varied in part the first base adhesion between the first separation membrane,
    上記第1の基材分離工程の前に、第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去する、上記第2の基材一体化工程と上記第1の基材分離工程との間または上記有機機能性素子形成工程と上記第2の基材一体化工程との間に行われる除去工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法。 Prior to said first base separation step, removing the first substrate a portion having strong adhesion between the first separation membrane, the second substrate integrated step and the first base member method of manufacturing a thin film device unit having a removal step performed between the between the separation step or the organic functional device forming step and the second substrate integrated process.
  2. 請求項1記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記第1の分離膜形成工程において、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置することにより、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to claim 1, wherein, in the first separation membrane forming step, by the first substrate placing surfactant partially, the first substrate and the first method of manufacturing a thin film device and wherein the varying the adhesion between the separation layer partially.
  3. 請求項2記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記第1の分離膜形成工程において、界面活性剤を第1の基材の全面に配置した後、所定位置の界面活性剤を除去することで、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置し、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to claim 2, wherein, in the first separation membrane forming step, after placing the surfactant over the entire surface of the first substrate, removing the surfactant in a predetermined position the surfactant partially disposed in the first substrate, method of manufacturing the thin-film device and wherein the varying the adhesion between the first substrate and the first separation layer partially.
  4. 請求項2記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、第1の分離膜形成工程において、界面活性剤を印刷法により第1の基材の所定位置に配置することで、第1の基材に界面活性剤を部分的に配置し、第1の基材と第1の分離膜との密着力を部分的に異ならせることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to claim 2, wherein, in the first separation membrane forming step, by arranging the surfactant in a predetermined position of the first substrate by a printing method, the interface first substrate the active agent partially arranged, the method of manufacturing a thin film device and wherein the varying the adhesion between the first substrate and the first separation layer partially.
  5. 請求項1ないし4の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記除去工程において、ダイシングにより第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 4, in the removing step, removing the portion having strong adhesion between the dicing a first substrate a first separation membrane method of manufacturing a thin film device and wherein the.
  6. 請求項1ないし4の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、上記除去工程において、レーザーアブレーションにより第1の基材と第1の分離膜との密着力の強い部分を除去することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 4, in the removing step, removing the portion having strong adhesion between the first substrate and the first isolation film by laser ablation method of manufacturing a thin film device and wherein the.
  7. 請求項1ないし6の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、 第1の分離膜としてポリパラキシリレン膜を用いることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 6, the method of manufacturing a thin film device and wherein the use of poly-para-xylylene film as the first separation membrane.
  8. 請求項1ないしの何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、 第2の基材としてフレキシブルシートを用いることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 7, the method of manufacturing a thin film device and wherein the use of flexible sheets as the second substrate.
  9. 請求項1ないし8の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、 The method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 8,
    上記第1の基材分離工程の後に、上記有機機能性素子の、第2の基材と反対側に、第3の基材を一体化する第3の基材一体化工程と、第2の基材を上記有機機能性素子から分離する第2の基材分離工程とを有することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 After said first substrate separation step, the organic functional device, on the opposite side of the second substrate, a third substrate integrated process for integrating the third base, the second method of manufacturing a thin film device unit and having a second base separation step of separating the substrate from the organic functional device.
  10. 請求項記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、第の基材としてフレキシブルシートを用いることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to claim 9, the method of manufacturing a thin film device and wherein the use of flexible sheet as the third base.
  11. 請求項1ないし10の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、 上記有機機能性素子が、有機TFT素子を備えていることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 10, the organic functional device, method of manufacturing the thin-film device apparatus characterized by comprising an organic TFT device.
  12. 請求項1ないし10の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、 上記有機機能性素子が、画像信号に対して発光する有機EL素子を有する表示器、又は、画像信号に対して発光する有機EL素子とこの有機EL素子にスイッチングを行う有機TFT素子とを有する表示器を備えていることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 The method of manufacturing a thin film device according to any one of claims 1 to 10, the organic functional device, display having organic EL elements emitting the image signal or the image signal method of manufacturing a thin film device unit, characterized in that a display device having an organic TFT elements for switching to the organic EL element and the organic EL element emits light.
  13. 請求項1ないし12の何れか1つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法を用い、上記有機機能性素子をマトリクス状に形成してアクティブマトリクス基板を製造するアクティブマトリクス基板の製造方法。 The manufacturing method using a thin film device according to any one of claims 1 to 12, the production method of the active matrix substrate manufacturing an active matrix substrate of the organic functional device formed in a matrix.
  14. 請求項13記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用い、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法。 Using the manufacturing method of the active matrix substrate according to claim 13, the method of manufacturing the electro-optical apparatus for manufacturing an electro-optical device.
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