JP4459198B2 - Mos型撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明によるMOS型撮像装置の第1の実施形態を示す断面図である。まず、第一導電型の半導体基板201内に一様な第二導電型領域202、均一な第一導電型ウェル領域203が形成されている。この構造は、第二導電型不純物のイオン注入或いは第一導電型のエピタキシャル成長によって形成されている。また、均一な第一導電型ウェル領域203内に第一導電型の電荷蓄積部204と電荷蓄積部204上に形成された第二導電型の表面シールド層205が形成されている。なお、209はシリコンゲート酸化膜を示す。
図2は本発明の第2の実施形態を示す断面図である。なお、図2では図1と同一部分には同一符号を付している。第1の実施形態との違いは、電荷蓄積領域に追加でイオン注入されている点である(図中204′で示す)。この204′は電荷蓄積部204と同様に行う。これにより、転送ゲート208直下の第一導電型の不純物濃度を濃くすることで表面シールド層205でのポテンシャル障壁の影響を受けにくくし、更に良好な転送特性が得られる。その他の構造は図1と同様である。
図3は本発明の第3の実施形態を示す断面図である。図3では図2と同一部分には同一符号を付している。第2の実施形態との違いは、追加でイオン注入する電荷蓄積領域(204′で示す)を、図8で説明した方法を用いて転送ゲートに対して自己整合的なイオン注入により形成する点である。これにより、電荷蓄積部の面積を減少させることなく、且つ、アライメントずれに起因する転送不良を回避した良好な転送特性を得ることが可能である。
図4は本発明の第4の実施形態を示す断面図である。図4では図1と同一部分には同一符号を付している。第1の実施形態との違いは、電荷蓄積領域204は垂直イオン注入であるが、転送ゲート208の形成後にイオン注入したものであり、図1〜図3の電荷蓄積部204に比べて小さくなっている。また、追加でイオン注入する電荷蓄積領域204′は図8で説明した方法を用いて転送ゲート208に対して自己整合的なイオン注入により形成した点である。これにより、電荷蓄積部の面積を減少させることなく、且つ、アライメントずれに影響されることのない電荷蓄積部の形成を行うことが可能となる。
202 一様な第二導電型領域
203 ウェル領域
204、204′ 電荷蓄積部
205 表面シールド層
206 ドレイン領域
207 パンチスルーストッパー領域
208 転送ゲート
209 ゲート酸化膜
210 分離層
Claims (3)
- 第一導電型半導体領域内に形成された第一導電型半導体からなる電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部の一部に接するように前記電荷蓄積部の上に配された第二導電型半導体からなる表面シールド層と、前記電荷蓄積部の電荷を読み出すための転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極の前記電荷蓄積部に対して他端に位置した第一導電型半導体からなるドレイン領域とを有するMOS型撮像装置において、
前記電荷蓄積部の別の一部は前記転送ゲート電極の直下にあり、且つ、前記転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界面から離れた深さに配され、
前記電荷蓄積部と前記ドレイン領域との間かつ前記転送ゲート電極の下に、第二導電型半導体からなるパンチスルーストップ領域が配され、
前記第一導電型半導体領域内の各画素間あるいは素子間を分離する位置に配置された第二導電型の分離層を有し、
前記分離層は、互いに異なる深さに配された複数の半導体領域により構成され、
前記電荷蓄積部が完全空乏した際の空乏層が基板表面に達しないことを特徴とするMOS型撮像装置。 - 前記パンチスルーストップ領域の下に、前記分離層が配されていることを特徴とする請求項1に記載のMOS型撮像装置。
- 第一導電型半導体領域内に形成された第一導電型半導体からなる電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部の一部に接するように前記電荷蓄積部の上に配された第二導電型半導体からなる表面シールド層と、前記電荷蓄積部の電荷を読み出すための転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極の前記電荷蓄積部に対して他端に位置した第一導電型半導体からなるドレイン領域とを有するMOS型撮像装置において、
前記電荷蓄積部の別の一部は前記転送ゲート電極の直下にあり、且つ、前記転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界面から離れた深さに配され、
前記電荷蓄積部と前記ドレイン領域との間かつ前記転送ゲート電極の下に、第二導電型半導体からなるパンチスルーストップ領域が配され、
前記第一導電型半導体領域内の各画素間あるいは素子間を分離する位置に配置された第二導電型の分離層を有し、
前記分離層は複数回のイオン注入により互いに異なる深さに形成された複数の半導体領域であり、
前記電荷蓄積部が完全空乏した際の空乏層が基板表面に達しないことを特徴とするMOS型撮像装置。
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