JP4431898B2 - データ記録装置 - Google Patents
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Description
時系列に受けとった複数の測定データをメモリに書き込む処理を行うデータ記録装置であって、
複数のブロックに分割された、前記測定データが書き込まれる不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの所与のブロックにN個の前記測定データを順次書き込み、その後、他のブロックに次のN個の前記測定データを順次書き込む処理を行う書き込み制御部と、
を含み、
前記書き込み制御部は、
前記不揮発性メモリの所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データ、及び、前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データの後に取得された他のN個の測定データが、所定の範囲外の値のデータを含んでいるか否かを判断し、含んでいる場合には、前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが上書きされないように、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込み、含んでいない場合には、前記N個の測定データの少なくとも1つが上書きされるように、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込む。
前記書き込み制御部は、
前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データの前に測定されたN個の測定データが前記所定の範囲外の値のデータを含むか否か判断し、含む場合には前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが上書きされないように、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込んでもよい。
前記所定の範囲は、予め設定された値であってもよい。
前記所定の範囲は、前記測定データに基づいて設定された値であってもよい。
前記書き込み制御部は、
前記測定データが所定の書き込み停止条件を満たしているか否かを判断し、前記所与の書き込み停止条件を満たしている場合に、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みを停止させる制御を行う書き込み停止処理部を含んでいてもよい。
前記ブロック毎の記憶容量の残量が所定の値を下回ったことを検出する検出部をさらに含んでもよい。
前記書き込み制御部は、
前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが、所定の取得条件を満たすか否か判断し、満たす場合には前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが上書きされないように、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込んでもよい。
前記書き込み制御部は、
書き込み先が他のブロックから所与のブロックに切り替えられて、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込む場合に、前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データのいずれかが書き込まれたアドレスを指定することで、前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データの少なくとも1つを上書きするように制御し、
前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが書き込まれたアドレスよりも下位のアドレスを指定することで、前記N個の測定データを上書きしないように制御してもよい。
前記不揮発性メモリは、強誘電体メモリであってもよい。
図1(A)は、本実施の形態に係るデータ記録装置1の機能ブロック図である。また、図1(B)は、本実施の形態に適用可能な不揮発性メモリ10の模式図である。以下、図1(A)及び図1(B)を参照して、データ記録装置1の構成について説明する。
以下、本実施の形態に係るデータ記録装置1の動作について説明する。図3は、データ記録装置1の動作を説明するためのフローチャート図である。
なお、データD4の後には既にデータD2が書き込まれており、データD2を書き込む際にデータD4が保存すべきデータと判断されていなかった場合には、既にデータD4がデータD2により上書きされ、N個に満たないデータしか残っていない、という点には注意が必要である。
本実施の形態に係るデータ記録装置は、以上のように構成されている。このデータ記録装置によると、記憶領域を効率よく利用することが可能なデータ記録装置を提供することができる。以下、その効果について説明する。
Claims (8)
- 時系列に受けとった複数の測定データをメモリに書き込む処理を行うデータ記録装置において、
複数のブロックに分割された、前記測定データが書き込まれる不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの所与のブロックにN個の前記測定データを順次書き込み、その後、他のブロックに次のN個の前記測定データを順次書き込む処理を行う書き込み制御部と、を含み、
前記書き込み制御部は、
前記不揮発性メモリの所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データ、及び、前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データの後に取得された他のN個の測定データが、所定の範囲外の値のデータを含んでいるか否かを判断し、含んでいる場合には、前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが上書きされないように書き込みアドレスを設定して、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込み、含んでいない場合には、前記N個の測定データの少なくとも1つが上書きされるように書き込みアドレスを設定して、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込み、
書き込み先が他のブロックから所与のブロックに切り替えられて、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込む場合に、前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データのいずれかが書き込まれたアドレスを指定することで、前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データの少なくとも1つを上書きするように制御し、
前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが書き込まれたアドレスよりも下位のアドレスを指定することで、前記N個の測定データを上書きしないように制御するデータ記録装置。 - 請求項1記載のデータ記録装置において、
前記書き込み制御部は、
前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データの前に測定されたN個の測定データが前記所定の範囲外の値のデータを含むか否か判断し、含む場合には前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが上書きされないように書き込みアドレスを設定して、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込むデータ記録装置。 - 請求項1又は請求項2記載のデータ記録装置において、
前記所定の範囲は、予め設定された値であるデータ記録装置。 - 請求項1又は請求項2記載のデータ記録装置において、
前記所定の範囲は、前記測定データに基づいて設定された値であるデータ記録装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載のデータ記録装置において、
前記書き込み制御部は、
前記測定データが所定の書き込み停止条件を満たしているか否かを判断し、前記所与の書き込み停止条件を満たしている場合に、前記不揮発性メモリへのデータの書き込みを停止させる制御を行う書き込み停止処理部を含むデータ記録装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載のデータ記録装置において、
前記ブロック毎の記憶容量の残量が所定の値を下回ったことを検出する検出部をさらに含むデータ記録装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載のデータ記録装置において、
前記書き込み制御部は、
前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが、所定の取得条件を満たすか否か判断し、満たす場合には前記所与のブロックに最後に書き込まれたN個の測定データが上書きされないように書き込みアドレスを設定して、前記所与のブロックに新しい測定データを書き込むデータ記録装置。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載のデータ記録装置において、
前記不揮発性メモリは、強誘電体メモリであるデータ記録装置。
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2007
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