JP4313874B2 - Method of manufacturing a substrate - Google Patents

Method of manufacturing a substrate Download PDF

Info

Publication number
JP4313874B2
JP4313874B2 JP2548199A JP2548199A JP4313874B2 JP 4313874 B2 JP4313874 B2 JP 4313874B2 JP 2548199 A JP2548199 A JP 2548199A JP 2548199 A JP2548199 A JP 2548199A JP 4313874 B2 JP4313874 B2 JP 4313874B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
substrate
layer
si
porous
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2548199A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000223681A (en )
Inventor
清文 坂口
一隆 柳田
和明 近江
Original Assignee
キヤノン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76259Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along a porous layer

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、 基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a substrate.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
絶縁層上に単結晶Si層を有する基板として、SOI(silicon on insulator)構造を有する基板(SOI基板)が知られている。 As a substrate having a monocrystalline Si layer on an insulating layer, SOI substrate having a (Silicon on Insulator) structure (SOI substrate) are known. このSOI基板を採用したデバイスは、通常のSi基板では到達し得ない数々の優位点を有する。 The device of SOI substrate employed has many advantages that can not be reached by ordinary Si substrates. この優位点としては、例えば、以下のものが挙げられる。 As the advantages, for example, include the following.
(1)誘電体分離が容易で高集積化に適している。 (1) because dielectric isolation is easy and high integration.
(2)放射線耐性に優れている。 (2) it is excellent in radiation resistance.
(3)浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可能である。 (3) the stray capacitance is small, it is possible to speed up the operating speed of the device.
(4)ウェル工程が不要である。 (4) No well step is necessary.
(5)ラッチアップを防止できる。 (5) latch-up can be prevented.
(6)薄膜化による完全な空乏型電界効果トランジスタの形成が可能である。 (6) it is possible to form a complete depletion type field effect transistor by thin film.
【0003】 [0003]
SOI構造は、上記のような様々な優位点を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究が進められている。 SOI structure, since it has various advantages as described above, in recent decades, has been advanced study on its formation method.
【0004】 [0004]
SOI技術としては、古くは、単結晶サファイア基板上にSiをCVD(化学気相成長)法でヘテロエピタキシ成長させて形成するSOS(silicon on sapphire)技術が知られている。 The SOI technology, old, SOS (silicon on sapphire) technology of Si on a single crystal sapphire substrate by heteroepitaxially grown by CVD (chemical vapor deposition) method to form is known. このSOS技術は、最も成熟したSOI技術として一応の評価を得たものの、Si層と下地のサファイア基板との界面における格子不整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構成するアルミニュームのSi層への混入、基板の価格、大面積化への遅れ等により実用化が進んでいない。 This SOS technology, although to obtain a tentative evaluation as the most matured SOI technology, occurrence of a large amount of crystal defects due to lattice mismatching at the interface between the Si layer and the underlying sapphire substrate, the aluminum constituting the sapphire substrate Si incorporation into layers, the price of the substrate, not progressed commercialized due to a delay or the like into a large area.
【0005】 [0005]
比較的近年には、サファイア基板を使用せずにSOI構造を実現しようという試みがなされている。 Relatively recently, there have been attempts to achieve a SOI structure without using a sapphire substrate. この試みは、次の2つの方法に大別される。 This attempt can be roughly divided into the following two methods.
【0006】 [0006]
第1の方法は、Si単結晶基板の表面を酸化した後に、その酸化膜(SiO 2層)に窓を形成することによりSi基板を部分的に表出させ、その部分をシードとして横方向へ単結晶Siをエピタキシャル成長させて、これによりSiO 2上にSi単結晶層を形成する方法である(この方法では、SiO 2層上にSi層を堆積させる)。 The first method, Si after oxidation of the surface of the single crystal substrate, the partially expose the Si substrate by forming a window in the oxide film (SiO 2 layer), the transverse that portion as a seed the single-crystal Si is epitaxially grown, thereby it is a method of forming a Si single crystal layer on SiO 2 (in this way, to deposit a Si layer on the SiO 2 layer).
【0007】 [0007]
第2の方法は、Si単結晶基板そのものを活性層として使用し、その下部にSiO 2層を形成する方法である(この方法では、Si層を堆積させない)。 The second method uses a Si single crystal substrate itself as an active layer, a method of forming a SiO 2 layer thereunder (in this way, does not deposit a Si layer).
【0008】 [0008]
上記の第1の方法を実現する手段として、CVD法により直接的に単結晶Si層から横方向に単結晶Siをエピタキシャル成長させる方法(CVD法)、非晶質Siを堆積して熱処理により固相横方向エピタキシャル成長させる方法(固相成長法)、非晶質或いは多結晶Si層に電子線やレーザー光等のエネルギービームを収束させて照射して溶融再結晶によりSiO 2層上に単結晶Si層を成長させる方法(ビームアニ−ル法)、棒状ヒータにより帯状に溶融領域を走査する方法(Zone Melting Recrystallization法)が知られている。 As means for realizing the above-mentioned first method, a method of epitaxially growing a single-crystal Si laterally from directly monocrystalline Si layer by CVD (CVD) method, the solid phase by thermal treatment to deposit the amorphous Si lateral epitaxial growth is a method to (solid phase growth method), an amorphous or polycrystalline Si layer monocrystalline Si layer on the SiO 2 layer by melting recrystallization by irradiation is converged energy beam such as an electron beam or a laser beam method of growing (Bimuani - Le method), a method of scanning a melt region in the strip (Zone melting Recrystallization method) is known by the rod heaters.
【0009】 [0009]
これらの方法にはそれぞれ一長一短があるが、その制御性、生産性、均一性、品質に多大の問題を残しており、未だに、工業的に実用化されたものはない。 Although these methods have advantages and disadvantages, its controllability, productivity, uniformity, and leaving a great quality problems, yet, none have been commercially practical. 例えば、CVD法では、平坦化・薄膜化するために犠牲酸化が必要となり、固相成長法では結晶性が悪い。 For example, the CVD method, requires sacrificial oxidation to flatten-thinning, poor crystallinity by solid phase growth method. また、ビームアニール法では、収束ビームを走査するのに要する処理時間、ビームの重なり具合や焦点調整などの制御性に問題がある。 Further, in the beam annealing method, the processing time required to scan the focused beam, there is a problem in the control of such overlapping condition and focusing of the beam. このうち、Zone Melting Recrystallization法が最も成熟しており、比較的大規模な集積回路が試作されてはいるが、亜粒界等の結晶欠陥が多数残留するという問題があり、少数キャリヤデバイスを作成するまでに至っていない。 Among these, are mature Zone Melting Recrystallization method is the most, relatively although large integrated circuits are being prototype, there is a problem that crystal defects such as sub-grain boundaries remain many, creating a minority carrier device It is not reached before.
【0010】 [0010]
上記の第2の方法、すなわち、Si基板をエピタキシャル成長のシードとして用いない方法としては、次の4つの方法が挙げられる。 The second method described above, i.e., a method using no Si substrate as the seed for epitaxial growth include the following four methods.
【0011】 [0011]
第1に、異方性エッチングによりV型の溝が表面に形成された単結晶Si基板に酸化膜を形成し、該酸化膜上に単結晶Si基板の厚さと同程度の厚さの多結晶Si層を堆積させた後に、単結晶Si基板の裏面から単結晶Siを研磨することによって、厚い多結晶Si層上にV溝に囲まれて誘電分離されたSi単結晶領域を有する基板を形成する方法がある。 To a 1, V-shaped groove to form an oxide film on a single crystal Si substrate formed on the surface by anisotropic etching, a polycrystalline thickness approximately the same thickness of the single crystal Si substrate to the oxide film after depositing the Si layer, by polishing the single crystal Si from the back surface of the single-crystal Si substrate, a substrate having a thick surrounded on the V-groove polycrystalline Si layer dielectric isolated Si single crystal region was formed there is a method to. この方法では、結晶性が良好な基板を形成することができるが、多結晶Siを数百ミクロンも厚く堆積する工程や、単結晶Si基板を裏面から研磨して分離されたSi活性層を残す工程に関して、制御性や生産性の問題がある。 In this way, it can be crystalline forms a favorable substrate several hundred microns polycrystalline Si process and also be deposited thick, leaving the Si active layers separated by polishing the single crystal Si substrate from the rear surface with respect to the process, there is a control and productivity of the problem.
【0012】 [0012]
第2に、SIMOX(Separation by Ion Implanted Oxygen)法がある。 In the second, there is a SIMOX (Separation by Ion Implanted Oxygen) method. この方法は、単結晶Si基板中に酸素イオンを注入することによりSiO 2層を形成する方法である。 This method is a method of forming an SiO 2 layer by implanting oxygen ions into the single crystal Si substrate. この方法では、 基板の内部にSiO 2層を形成するために、10 18 (ions/cm 2 )以上の酸素イオンを注入する必要があり、その注入時間が長大であるため生産性が低い。 In this way, in order to form the SiO 2 layer in the substrate, 10 18 (ions / cm 2 ) must inject more oxygen ions, the implantation time is low productivity because a long. また、製造コストが高い。 In addition, the manufacturing cost is high. 更に、多数の結晶欠陥が生じるため、少数キャリヤデバイスを作製するための充分な品質に至っていない。 Further, since numerous crystal defects occur, it not reached the sufficient quality for making minority carrier devices.
【0013】 [0013]
第3に、多孔質Siの酸化による誘電体分離によりSOI構造を形成する方法がある。 Third, there is a method of forming a SOI structure by dielectric isolation according to oxidation of porous Si. この方法は、プロトンイオン注入(イマイ他,J.Crystal Growth,vol 63,547(1983))により、若しくは、エピタキシャル成長工程及びパターニング工程により、P型単結晶Si基板の表面にN型Si層を島状に形成し、この基板をHF溶液中で陽極化成することにより、このN型Si島を囲むようにP型Si基板のみを多孔質化した後に、増速酸化によりN型Si島を誘電体分離する方法である。 This method, proton ion implantation by (Imai other, J.Crystal Growth, vol 63,547 (1983)), or by epitaxial growth step and the patterning step, an island N-type Si layer on the surface of the P-type monocrystalline Si substrate Jo to form, by anodizing the substrate in an HF solution, after only the P-type Si substrate made porous so as to surround the N-type Si islands, dielectrics N-type Si islands by accelerated oxidation it is a method of separation. この方法では、分離すべきSi領域をデバイス工程の前に決定する必要があるため、デバイス設計の自由度を制限する点において問題がある。 In this way, it is necessary to determine the Si region to be separated before the device process, there is a problem in that it limits the freedom of device design.
【0014】 [0014]
第4に、単結晶Si基板を、熱酸化した別の単結晶Si基板に、熱処理又は接着剤により貼り合わせて、SOI構造を形成する方法がある。 Fourth, the single-crystal Si substrate to another single crystal Si substrate was thermally oxidized, bonded by heat treatment or an adhesive, there is a method of forming an SOI structure. この方法では、デバイスを形成するための活性層を均一に薄膜化する必要がある。 In this way, it is necessary to uniformly thinning the active layer for forming a device. すなわち、数百ミクロンもの厚さを有する単結晶Si基板をミクロンオーダー或いはそれ以下に薄膜化する必要がある。 That is, it is necessary to thin the micron order or less a single-crystal Si substrate having hundreds microns thick.
【0015】 [0015]
薄膜化の方法としては、研磨による方法と、選択エッチングによる方法とがある。 As a method for thinning, there are a method by polishing and the method by selective etching.
【0016】 [0016]
研磨による方法では、単結晶Siを均一に薄膜化することが困難である。 In the process according to the polishing, it is difficult to uniformly thin single-crystal Si. 特にサブミクロンオーダーへの薄膜化では、ばらつきが数十%になる。 Especially in thin to submicron order, the variation is several tens of percent. ウェハの大口径化が進めば、その困難性は増す一方である。 If all goes larger diameter of the wafer, the difficulty is one to increase.
【0017】 [0017]
選択エッチングによる方法は、均一な薄膜化という点では有効であるが、選択比が10 2程度しか得られない点、エッチング後の表面性が悪い点、SOI層の結晶性が悪い点で問題がある。 The method by selective etching, but in terms of uniform thin film is effective, that the selectivity is obtained only about 10 2, points poor surface property after etching, a problem in terms crystallinity of the SOI layer is bad is there.
【0018】 [0018]
ところで、ガラスに代表される光透過性基板は、受光素子であるコンタクトセンサや投影型液晶表示装置を構成する上で重要である。 Meanwhile, light transmissive substrate typified by glass, is important for constituting a contact sensor or a projection type liquid crystal display device which is a light receiving element. そして、センサや表示装置の画素(絵素)をより一層、高密度化、高解像度化、高精細化するには、高性能の駆動素子が必要となる。 The pixel sensors and the display device (picture elements) a further high density, high resolution, to a high definition, the high-performance drive element is required. そこで、光透過性基板上に優れた結晶性を有する単結晶Si層を形成する技術が求められている。 A technique of forming a single-crystal Si layer having excellent crystallinity on the light transmitting substrate has been demanded.
【0019】 [0019]
しかしながら、ガラスに代表される光透過性基板上にSi層を堆積した場合、そのSi層は、非晶質若しくは多結晶にしかならない。 However, when depositing the Si layer on the light transmissive substrate typified by glass, the Si layer is not only an amorphous or polycrystalline. これは、光透過性基板の結晶構造が非晶質であり、その上に形成されるSi層が、光透過性基板の結晶構造の無秩序性を反映するためである。 This crystal structure of the light-transmitting substrate is amorphous, Si layer formed thereon, in order to reflect the disorder of the crystal structure of the light-transmitting substrate.
【0020】 [0020]
本出願人は、特開平5−21338号において、新たなSOI技術を開示した。 The applicant, in Japanese Patent Laid-Open No. 5-21338 has disclosed a new SOI technology. この技術は、単結晶Si基板に多孔質層を形成し、その上に非多孔質層単結晶層を形成した第1の基板を、絶縁層を介して第2の基板に貼り合わせ、その後、貼り合わせ基板を多孔質層で2枚に分離することにより、第2の基板に非多孔質単結晶層を移し取るものである。 This technique, the single crystal Si substrate to form a porous layer, bonding a first substrate formed with non-porous layer single crystal layer thereon, a second substrate via an insulating layer, then, by separating the two bonded substrates at the porous layer, in which the second substrate takes transferred non-porous single crystal layer. この技術は、SOI層の膜厚均一性が優れていること、SOI層の結晶欠陥密度を低減し得ること、SOI層の表面平坦性が良好であること、高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数100Å〜10μm程度の範囲のSOI膜を有するSOI基板を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れている。 This technique, that film thickness uniformity of the SOI layer is excellent, it can reduce the crystal defect density of the SOI layer, that the surface flatness of the SOI layer is good, no need manufacturing apparatus expensive special specifications it is, it is superior in such that can be produced an SOI substrate having an SOI layer in the range of about several 100Å~10μm in the same manufacturing apparatus.
【0021】 [0021]
更に、本出願人は、特開平7−302889号において、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせた後に、第1の基板を破壊することなく第2の基板から分離し、その後、分離した第1の基板の表面を平滑化して再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術を開示した。 Furthermore, the present applicant in Japanese Patent Laid-Open No. 7-302889, after bonding the first substrate and the second substrate is separated from the second substrate without breaking the first substrate, then the surface of the first substrate separated again formed porous layer is smoothed, disclosed the recycling technology it. この技術は、第1の基板を無駄なく使用できるため、製造コストを大幅に低減することができ、製造工程も単純であるという優れた利点を有する。 This technique, because it can be used without waste first substrate, it is possible to significantly reduce the manufacturing cost, has an advantage that the manufacturing process is also simple.
【0022】 [0022]
貼り合わせた基板を第1及び第2の基板の双方を破壊することなく2枚に分離する方法としては、例えば、貼り合わせ面に対して垂直な方向に力が加わるようにして両基板を互いに反対方向に引っ張る方法、貼り合わせ面に対して平行に剪断応力を加える方法(例えば、貼り合わせ面に平行な面内で両基板を互いに反対方向に移動させる方法や、円周方向に力が加わるようにして両基板を反対方向に回転させる方法など)、貼り合わせ面に対して垂直な方向に加圧する方法、分離領域に超音波などの波動エネルギーを印加する方法、分離領域に対して貼り合わせ基板の側面側から貼り合わせ面に平行に剥離用部材(例えばナイフのような鋭利なブレード)を挿入する方法、分離領域として機能する多孔質層に染み込ませた物質の膨張エネルギ The bonded substrates as a method for separating the two without destroying both the first and second substrates, for example, together both substrates as force is applied in a direction perpendicular to the bonding interface the method of pulling in the opposite direction, a method of adding a parallel shear stress to the bonding surface (e.g., a method of moving the two substrates in opposite directions to each other in a bonding parallel to plane surface, a force is exerted on the circumferential direction method, etc.) to rotate to the substrates in the opposite direction to, a method of pressurizing in a direction perpendicular to the bonding interface, a method of applying a wave energy such as ultrasonic waves to the separation area, bonding with respect to the separation region method of inserting a parallel peeling member bonding surface from the side of the substrate (e.g., a sharp blade like a knife), the expansion energy of impregnated into the porous layer functioning as the separation region material を利用する方法、分離領域として機能する多孔質層を貼り合わせ基板の側面から熱酸化させることにより、該多孔質層を体積膨張させて分離する方法、分離領域として機能する多孔質層を貼り合わせ基板の側面から選択的にエッチングして分離する方法などがある。 Using the method, by the side of bonding the porous layer functioning as the separation region the substrate is thermally oxidized, a method of separating by volume expansion of porous layer, bonding the porous layer functioning as the separation region and a method of selectively etched and separated from the side surface of the substrate.
【0023】 [0023]
多孔質Siは、Uhlir等によって1956年に半導体の電解研磨の研究過程において発見された(A.Uhlir, Bell Syst.Tech.J., vol.35, 333(1956))。 The porous Si was discovered in the research process of a semiconductor electropolishing in 1956 by such Uhlir (A.Uhlir, Bell Syst.Tech.J., vol.35, 333 (1956)). 多孔質Siは、Si基板をHF溶液中で陽極化成(Anodization)することにより形成することができる。 The porous Si can be formed by anodizing (Anodization) The Si substrate in an HF solution.
【0024】 [0024]
ウナガミ等は、陽極化成におけるSiの溶解反応を研究し、HF溶液中のSiの陽極反応には正孔が必要であり、その反応は、次の通りであると報告している(T.ウナガミ、J.Electrochem.Soc., vol.127, 476(1980))。 Unagami etc., studied the dissolution reaction of Si in anodization, the anode reaction of Si in HF solution requires positive holes, the reaction is reported to be as follows (T. Unagami , J.Electrochem.Soc., vol.127, 476 (1980)).
Si+2HF+(2-n)e + → SiF 2 +2H + +ne - Si + 2HF + (2-n ) e + → SiF 2 + 2H + + ne -
SiF 2 +2HF → SiF 4 +H 2 SiF 2 + 2HF → SiF 4 + H 2
SiF 4 +2HF → H 2 SiF 6 SiF 4 + 2HF → H 2 SiF 6
または、 Or,
Si+4HF+(4-λ)e+ → SiF 4 +4H + +λe - Si + 4HF + (4-λ ) e + → SiF 4 + 4H + + λe -
SiF 4 +2HF → H 2 SiF 6 SiF 4 + 2HF → H 2 SiF 6
ここで、e +およびe -は、それぞれ正孔と電子を表している。 Here, e +, e - have respectively represent a positive hole and an electron. また、nおよびλは、それぞれSiの1原子が溶解するために必要な正孔の数であり、n>2又はλ>4なる条件が満たされた場合に多孔質Siが形成されるとしている。 Further, the n and lambda, the number of holes necessary for one atom is dissolved in Si respectively, and the porous Si is formed when n> 2 or lambda> 4 following condition is satisfied .
【0025】 [0025]
以上のことから、正孔の存在するP型Siは多孔質化されるが、N型Siは多孔質化されないと考えることができる。 From the above, P-type Si in which the presence of holes to is made porous, N-type Si can be considered as not made porous. この多孔質化における選択性は長野等及び今井によって報告されている(長野、中島、安野、大中、梶原、電子通信学会技術研究報告、vol.79, SSD79-9549(1979))、(K. Imai, Solid-State Electronics, vol.24,159(1981))。 This selectivity in porous has been reported by, for example, and Imai Nagano (Nagano, Nakajima, Anno, Onaka, Kajiwara, Electronic Communication Engineers Technical Report, vol.79, SSD79-9549 (1979)), (K . Imai, Solid-State Electronics, vol.24,159 (1981)).
【0026】 [0026]
しかしながら、高濃度のN型Siであれば多孔質化されるとの報告もある(RP Holmstrom and JY Chi, Appl. Phys. Lett., vol. 42, 386(1983))。 However, high if the concentration of the N-type Si is also reported to be porous (RP Holmstrom and JY Chi, Appl. Phys. Lett., Vol. 42, 386 (1983)). したがって、P型、N型の別にこだわらず、多孔質化が可能な基板を選択することが重要である。 Thus, P-type, without regard to another N-type, it is important to select a substrate which can be porous.
【0027】 [0027]
多孔質層を形成する方法としては、上記の陽極化成法の他に、例えば、シリコン基板中にイオンを打ち込む方法がある。 As a method for forming the porous layer, in addition to the above anodizing method, for example, there is a method of implanting ions in the silicon substrate.
【0028】 [0028]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
例えば、特開平5−21338号に記載された方法、即ち、多孔質層の上にSi単結晶層等の非多孔質層を有する第1の基板を絶縁層を介して第2の基板に貼り合わせてなる基板(以下、貼り合わせ基板)を該多孔質層の部分で分離し、これにより、第1の基板側に形成された非多孔質層を第2の基板に移し取る方法においては、貼り合わせ基板を分離する技術が極めて重要である。 For example, the method described in JP-A-5-21338, i.e., bonding the first substrate having a non-porous layer such as Si single crystal layer on the porous layer to a second substrate via an insulating layer substrate made together (hereinafter, bonded substrate) was separated at the portion of the porous layer, thereby, in the method of taking transferring the non-porous layer formed on the first substrate to the second substrate, bonding technique for separating the substrate is very important.
【0029】 [0029]
例えば、貼り合わせ基板の分離の際に、分離用の層である多孔質層以外の部分で貼り合わせ基板が分離されると、例えば、活性層とすべき非多孔質層(例えば、単結晶Si層)等が破壊され、所望のSOI基板が得られない。 For example, during the separation of the bonded substrate stack, the bonded substrate at a portion other than the porous layer is a layer for separation is separated, for example, non-porous layer to be the active layer (e.g., a single crystal Si layer) or the like is broken, the desired SOI substrate can not be obtained.
【0030】 [0030]
本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、例えば、 貼り合わせ基板を分離する際の欠陥の発生を防止することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above situation, and an object thereof is to prevent the occurrence of defects in separating the bonded substrate.
【0031】 [0031]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明の1つの側面における基板の製造方法は、内部に多孔質層を有し、その上に第1の層を有し、その上に更に第2の層を有する第1の基板を作成する第1工程と、前記第1の基板の主面と第2の基板とを貼り合せて、貼り合わせ基板を作成する第2工程と、前記第1の層の外周部の少なくとも一部を酸化させることにより、前記第1の層の外周端の少なくとも一部を前記貼り合わせ基板の内部方向に後退させる第3工程と、前記第3工程に次いで、前記貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で2枚の基板に分離する第4工程とを含み、前記第4工程において、前記分離は、前記貼り合わせ基板における貼り合わせ界面から始まり、前記第2の層を横切って前記多孔質層に至る。 Method of manufacturing a substrate in one aspect of the present invention, which incorporates a porous layer has a first layer thereon, to create a first substrate having a further second layer thereon a first step, said main surface of the first substrate and bonding a second substrate, oxidizing a second step of creating a bonded substrate, at least a portion of the outer peripheral portion of the first layer it allows a third step of retracting toward the interior of the at least a portion of the bonding the substrate of the outer peripheral edge of said first layer, next to the third step, the bonded substrate at a portion of the porous layer and a fourth step of separating the two substrates, in the fourth step, the separation starts from the bonding interface in the bonded substrate, leading to the porous layer across the second layer.
本発明の他の側面における基板の製造方法は、内部に多孔質層を有し、該多孔質層の外周部以外の部分の上に第1の層を有し、更に該第1の層の上を覆う第2の層を有する第1の基板を作成する第1工程と、前記第1の基板の主面と第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成する第2工程と、前記第2工程に次いで、前記貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で2枚の基板に分離する第3工程とを含み、前記第3工程において、前記分離は、前記貼り合わせ基板における貼り合わせ界面から始まり、前記第2の層を横切って前記多孔質層に至る。 Another method of manufacturing a substrate on the side of the present invention has a porous layer therein, has a first layer on a portion other than the outer peripheral portion of the porous layer, further the first layer a second step of creating a first step of creating a first substrate having a second layer overlying the first major surface and a bonded substrate by bonding the second substrate of the substrate, Following the second step, and a third step of separating the bonded substrate into two substrates at the portion of the porous layer, in the third step, the separation, the bonding lamination in the substrate beginning from the interface, leading to the porous layer across the second layer.
【0096】 [0096]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
まず、本発明の好適な実施の形態の理解を容易にするために、分離用の層として内部に多孔質層を有し、その上に非多孔質層を有する第1の基板と、第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成し、その後、この貼り合わせ基板を多孔質層で分離することにより、第1の基板から非多孔質層(例えば、Si単結晶層)を第2の基板に移し取り、これによりSOI基板を製造する基本的な方法を概略的に説明する。 First, in order to facilitate the understanding of the preferred embodiment of the present invention, it has a porous layer inside as a layer for separating a first substrate having a non-porous layer thereon, the second create a bonded with bonded substrate and the substrate, then, by separating the bonded substrate by the porous layer, the non-porous layer from the first substrate (for example, Si single crystal layer) of the second taken transferred to the substrate, thereby schematically illustrating a basic method for manufacturing an SOI substrate.
【0097】 [0097]
図1は、SOI基板の基本的な製造方法を概略的に説明するための図である。 Figure 1 is a diagram for explaining the basic method of manufacturing the SOI substrate schematically. 図1(a)に示す工程では、単結晶Si基板11を準備して、その表面に陽極化成処理等により多孔質Si層12を形成する。 In the step shown in FIG. 1 (a), to prepare a single-crystal Si substrate 11 to form a porous Si layer 12 by anodization or the like on the surface thereof.
【0098】 [0098]
次いで、図1(b)に示す工程では、多孔質Si層12上に非多孔質単結晶Si層13をエピタキシャル成長法により形成する。 Then, in steps shown in FIG. 1 (b), the non-porous single-crystal Si layer 13 on the porous Si layer 12 is formed by epitaxial growth. その後、その表面を酸化することによりSiO 2層14を形成する。 Thereafter, an SiO 2 layer 14 by oxidizing the surface. これにより、第1の基板10が形成される。 Thereby, the first substrate 10 is formed. ここで、多孔質Si層12は、例えば、単結晶Si基板11にイオン注入する方法(イオン注入法)により形成してもよい。 Here, the porous Si layer 12 may, for example, may be formed by a method of ion implantation into the single-crystal Si substrate 11 (ion implantation). この方法により形成される多孔質Si層は、多数の微小空洞を有し、微小空洞(microcavity)層とも呼ばれる。 Porous Si layer formed by this method has a number of microcavities, also called microcavity (microcavity) layer.
【0099】 [0099]
図1(c)に示す工程では、単結晶Siの第2の基板20を準備し、第1の基板10と第2の基板20とを、第2の基板と絶縁層14とが面するように室温で密着させる。 In the step shown in FIG. 1 (c), preparing a second substrate 20 of single crystal Si, the first substrate 10 and second substrate 20, second substrate and the insulating layer 14 and so that the faces It is brought into close contact at room temperature. その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組合わせた処理により第1の基板10と第2の基板20とを貼り合わせる。 Then, anodic bonding, attaching the first substrate 10 by the pressure or heat treatment or treatment that combines these and the second substrate 20. この処理により、第2の基板20と絶縁層14が強固に結合される。 This process, the second substrate 20 and the insulating layer 14 are firmly bonded. なお、絶縁層14は、上記のように単結晶Si層13側に形成しても良いし、第2の基板20上に形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、第1の基板と第2の基板を密着させた際に、図1(c)に示す状態になれば良い。 The insulating layer 14 may be formed in the single-crystal Si layer 13 side as described above, may be formed on the second substrate 20, or on both, as a result, the when brought into close contact 1 of the substrate and the second substrate, it becomes the state shown in Figure 1 (c). しかしながら、上記のように、絶縁層14を活性層となる単結晶Si層13側に形成することにより、第1の基板10と第2の基板との貼り合せの界面を活性層から遠ざけることができるため、より高品位のSOI基板を得ることができる。 However, as described above, by forming the single-crystal Si layer 13 side of the insulating layer 14 serving as an active layer, it is moved away from the first substrate 10 to the interface of bonding the second substrate from the active layer since it is possible to obtain a higher quality of the SOI substrate.
【0100】 [0100]
図1(d)に示す工程では、貼り合わせた2枚の基板を、多孔質Si層12の部分で2枚の基板に分離する。 In the step shown in FIG. 1 (d), the two substrates were bonded, separated into two substrates at the porous Si layer 12. これにより、第2の基板側(10''+20)は、多孔質Si層12''/単結晶Si層13/絶縁層14/単結晶Si基板20の積層構造となる。 Thus, the second substrate side (10 '' + 20), the porous Si layer 12 'becomes a laminated structure of' / single-crystal Si layer 13 / insulating layer 14 / single-crystal Si substrate 20. 一方、第1の基板側10'は、単結晶Si基板11上に多孔質12'を有する構造となる。 Meanwhile, the first substrate side 10 ', porous 12 on the single crystal Si substrate 11' the structure with.
【0101】 [0101]
分離後の第1の基板側10'は、残留した多孔質Si層12'を除去し、必要に応じて、その表面を平坦化することにより、再び第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11として使用される。 The first substrate side 10 after separation 'is the residual porous Si layer 12' is removed, if necessary, by flattening the surface thereof, single for forming a first substrate 10 again It is used as a crystal Si substrate 11.
【0102】 [0102]
貼り合わせ基板を分離した後、図1(e)に示す工程では、第2の基板側(10''+20)の表面の多孔質層12''を選択的に除去する。 After separation of the bonded substrate, in the step shown in FIG. 1 (e), selectively removing the second substrate side (10 '' + 20) the porous layer 12 on the surface of ''. これにより、単結晶Si層13/絶縁層14/単結晶Si基板20の積層構造、すなわち、SOI構造を有する基板が得られる。 Accordingly, the laminated structure of a single-crystal Si layer 13 / insulating layer 14 / single-crystal Si substrate 20, i.e., a substrate having an SOI structure is obtained.
【0103】 [0103]
第2の基板としては、例えば、単結晶Si基板の他、絶縁性基板(例えば、石英基板)や光透過性基板(例えば、石英基板)等が好適である。 As the second substrate, for example, other single-crystal Si substrate, an insulating substrate (e.g., quartz substrate) or a light-transmitting substrate (e.g., quartz substrate) or the like is preferable.
【0104】 [0104]
図2は、図1(c)の符号30を付した部分の模式的な拡大図である。 Figure 2 is a schematic enlarged view of a portion denoted by reference numeral 30 in FIG. 1 (c). 以下、図2を参照しながら、図1(d)に示す分離工程における問題点を説明する。 Hereinafter, with reference to FIG. 2, illustrating a problem in the separation step shown in FIG. 1 (d).
【0105】 [0105]
一般には、貼り合わせ基板を多孔質層12の部分で分離しようとして、貼り合わせ基板に楔等により力を印加した場合、分離の開始時は、基板10と第2の基板20との貼り合わせ界面に力が集中的に作用する。 In general, in an attempt to separate the bonded substrate stack at the porous layer 12, when applying a force by bonding wedge like in the substrate, at the beginning of the separation, the bonding interface between the substrate 10 and the second substrate 20 force is applied intensively to. そのため、矢印Aに示すように、分離は、貼り合わせ基板の貼り合わせ面の外周部から始まる。 Therefore, as shown by the arrow A, separation begins from the outer peripheral portion of the bonded surface of the bonded substrate. そして、分離は、矢印Aに示すように、脆弱な構造の分離用の層である多孔質層12に向かって進行し、多孔質層12の破壊が始まった以降は、多孔質層12のみが選択的に破壊され、これにより貼り合わせ基板が2枚の基板に分離される。 The separation, as shown by the arrow A, and proceeds toward the porous layer 12 is a layer for separation of fragile structure, since the destruction of the porous layer 12 has begun, only the porous layer 12 is are selectively destroyed, thereby bonded substrate is separated into two substrates. この場合は、活性層となる単結晶Si層13やその下地層となる絶縁層14の面積の縮小は殆どなく、貼り合わせ基板は、ほぼ理想的に分離されると言える。 In this case, reduction in the area of ​​the insulating layer 14 serving as the active layer a single-crystal Si layer 13 and the underlying layer is little, the bonded substrate can be said to be nearly ideal separation.
【0106】 [0106]
問題となるのは、矢印Bに示すように分離が進行する場合である。 The problem is when the proceeding separation as indicated by the arrow B. 一般的に、熱膨張係数の異なる2つの層の界面には、大きな応力が発生することが知られている。 In general, the interface of the two layers having different coefficients of thermal expansion, large stress is known to occur. より具体的には、例えば、単結晶Si層の熱酸化により該単結晶Si層の上に酸化膜を形成した場合に、該単結晶Si層と酸化膜との界面に大きな応力が発生する。 More specifically, for example, in the case of forming an oxide film on a single-crystal Si layer by thermal oxidation of the single crystal Si layer, large stress at the interface between the single-crystal Si layer and the oxide film occurs.
【0107】 [0107]
従って、貼り合わせ界面から絶縁層14及び単結晶Si層13を横切って多孔質層12に分離が進行する過程で、絶縁層14と単結晶Si層13との界面に沿って分離が進行する可能性がある。 Thus, possible in the course of traveling separation in the porous layer 12 across the insulating layer 14 and single-crystal Si layer 13 from the bonding interface, which is separated along the interface between the insulating layer 14 and single-crystal Si layer 13 progresses there is sex. この絶縁層14と単結晶Si層13との界面に沿った分離の進行は、単結晶Si層13の破壊を齎し、素子を形成するための領域を減少させる。 The progress of the separation along the interface between the insulating layer 14 and single-crystal Si layer 13, bring the destruction of single-crystal Si layer 13, to reduce the area for forming a device. そのため、このような現象が頻発する場合、歩留まりが大きく低下することは言うまでもない。 Therefore, if such a phenomenon occurs frequently, it is needless to say that the yield is greatly reduced.
【0108】 [0108]
以下の実施の形態では、例えば、上記のような問題、即ち、分離工程の開始時における欠陥の発生を防止する技術を開示する。 In the following embodiments, for example, above-described problems, i.e., discloses a technique for preventing the occurrence of defects at the start of the separation process.
【0109】 [0109]
[第1の実施の形態] First Embodiment
この実施の形態に係る方法では、第1の基板10と第2の基板20とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成した後に、その貼り合わせ基板の外周部、特に第1の基板10の多孔質層上に形成した第1の層(例えば、単結晶Si層)の外周部を酸化させ、これにより、第1の層の外周端を貼り合わせ基板の内側に向かって縮小させる。 In the method according to this embodiment, after creating the substrate with the first substrate 10 bonded by bonding the second substrate 20, the outer peripheral portion of the bonded substrate, particularly porous first substrate 10 a first layer formed on the layer (e.g., single-crystal Si layer) to the outer peripheral portion of the oxidized, thereby causing reduced toward the inside of the substrate bonded to the outer peripheral edge of the first layer. そして、好ましくは、この方法では、第1の層の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域(第1の基板10と第2の基板20とが貼り合せられて結合している領域)の外周端又はそれよりも内側に位置するようにする。 And, preferably, in this method, the outer peripheral edge of the first layer is combined with stitched area (first substrate 10 between the first substrate 10 and second substrate 20 bonded to the second substrate 20 is the outer peripheral edge or than that of the region) which is attached to be positioned inside Te.
【0110】 [0110]
このように第1の層の領域を縮小させることにより、貼り合わせ基板の分離の際に、第1の層とそれに隣接する第2の層との界面に沿って分離が進行することを効果的に防止することができる。 By thus reducing the area of ​​the first layer, upon separation of the bonded substrate stack, effective that separation proceeds along the interface between the first layer and the second layer adjacent thereto it is possible to prevent the.
【0111】 [0111]
図3A〜図3Jは、本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 3A~ Figure 3J is a diagram showing a part of the first semiconductor substrate according to an embodiment of the production process of the present invention. なお、図3A〜図3Jには、基板の主面側の一部分のみが示されており、図示の部分は、図1(c)の符号30を付した部分に相当する。 Although FIG 3A~ Figure 3J, only a portion of the principal surface of the substrate is shown, the illustrated portion corresponds to the portion denoted by reference numeral 30 in FIG. 1 (c).
【0112】 [0112]
なお、一般に、単結晶Si基板等の半導体基板は、図3Aに示すように、ベベリング部の内側のミラー平面の部分であっても、研磨だれやエッチングだれにより、外周端から1〜数mmの部分は、中央部よりも厚さが薄くなっている。 In general, a semiconductor substrate such as single crystal Si substrate, as shown in FIG. 3A, be part of the inner mirrors plane of beveling portion, by whom polishing sag or etching, one to several mm from the outer edge part, the thickness is thinner than the center.
【0113】 [0113]
図3Aに示す工程では、単結晶Si基板等の半導体基板11を準備する。 In the step shown in FIG. 3A, a semiconductor substrate 11 such as a single-crystal Si substrate. 図3Bに示す工程では、半導体基板11の主面(ミラー面)側に陽極化成法等により多孔質層12を形成する。 In the step shown in FIG. 3B, to form the porous layer 12 by anodization or the like on the main surface (mirror surface) side of the semiconductor substrate 11. なお、多孔質層12を形成する領域は、図3Bに示すように半導体基板11のベベリング部の外周端或いは裏面にまで及んでもよいし、これよりも小さな領域としてもよい。 The area for forming the porous layer 12 may extend to the outer peripheral end or the rear surface of the beveling portion of the semiconductor substrate 11 as shown in FIG. 3B, may be smaller area than this.
【0114】 [0114]
図3Cに示す工程では、多孔質層12の上に第1の層13を形成する。 In the step shown in FIG. 3C, to form the first layer 13 on the porous layer 12. 第1の層13としては、例えば、単結晶Si層、多結晶Si層、多結晶Si層、非晶質Si層等のSi層が好適である。 As the first layer 13, for example, single-crystal Si layer, a polycrystalline Si layer, a polycrystalline Si layer, the Si layer of the amorphous Si layer or the like is preferable. また、第1の層13として、例えばMOSFET等の素子を形成してもよい。 Further, as the first layer 13 may be formed, for example an element such as a MOSFET.
【0115】 [0115]
図3Dに示す工程では、第1の層13の上に第2の層14を形成する。 In the step shown in FIG. 3D, to form a second layer 14 on the first layer 13. これにより、第1の基板10が得られる。 Thereby, the first substrate 10 is obtained. 第2の層14としては、例えば、第1の層(Si層)12の表面を酸化(例えば、熱酸化)させる方法等により得られる酸化層(例えば、SiO 2層)が好適である。 The second layer 14, for example, oxidizing the surface of the first layer (Si layer) 12 (e.g., thermal oxidation) oxide layer obtainable by the method is such (eg, SiO 2 layer) is suitable.
【0116】 [0116]
図3Eに示す工程では、第1の基板10の主面と第2の基板20の主面とを室温で密着させる。 In the step shown in FIG. 3E, the major surface of the first substrate 10 and the main surface of the second substrate 20 are brought into close contact at room temperature. その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組合わせた処理により、第1の基板10と第2の基板20との結合を強固にしてもよい。 Then, anodic bonding, by the application of pressure or heat treatment or treatment that combines these may be strengthened with the first substrate 10 to bond the second substrate 20.
【0117】 [0117]
第2の基板としては、Si基板、Si基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板等の絶縁性基板、石英基板等の光透過性基板、サファイア基板等が好適であるが、これに限定されず、貼り合わせに供される面が十分に平坦な基板であれば他の基板でもよい。 As the second substrate, Si substrate, a substrate obtained by forming an insulating film on a Si substrate, an insulating substrate such as a quartz substrate, a light transmitting substrate such as a quartz substrate, although a sapphire substrate or the like is suitable, limited to Sarezu, surface to be subjected to bonding may be another substrate if sufficiently flat substrate.
【0118】 [0118]
なお、例えば、第2の基板20が絶縁性基板である場合や第2の基板20の表面に絶縁膜が形成されている場合においては、第2の層14(図3Dに示す工程)は必ずしも必要はないが、第2の層14を形成することにより、活性層となる第1の層13を貼り合わせ界面から遠ざけることができるという利点がある。 Incidentally, for example, in the case where the second substrate 20 the surface an insulating film of insulating a case and the second substrate 20 and the substrate are formed, the second layer 14 (step shown in FIG. 3D) is not always need not, but by forming the second layer 14, can be advantageously moved away from the bonding interface of the first layer 13 serving as an active layer. また、pnダイオードを形成するためにSi層同士を貼り合せる場合においては、第2の層14は不要である。 In the case of bonding the Si layer to each other to form a pn diode, the second layer 14 is unnecessary.
【0119】 [0119]
一方、第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせの際に、絶縁性の薄板を挟んでもよい。 On the other hand, when the first substrate 10 in bonding of the second substrate 20 may sandwich the insulating sheet.
【0120】 [0120]
図3Fに示す工程では、図3Eに示す貼り合わせ基板の外周部の全周のうち少なくとも一部(分離工程ににおいて分離を開始する部分)を酸化(例えば、熱酸化)させる。 In the step shown in FIG. 3F, it causes oxidation (a portion to start separating in the separation step) (e.g., thermal oxidation) at least a portion of the entire outer peripheral portion of the bonded substrate shown in FIG. 3E. なお、図3Fに示す例は、第1の層13が、単結晶Si層等のSi層であり、第2の層14が、SiO 2層であり、第2の基板20が、単結晶Si基板等のSi基板である場合に関する。 The example shown in Figure 3F, the first layer 13 is a Si layer such as a single-crystal Si layer, the second layer 14 is a SiO 2 layer, the second substrate 20, single-crystal Si for the case is a Si substrate such as a substrate.
【0121】 [0121]
図3Fに示す例では、第1の層13の外周部が第2の層14を通して酸化されることにより、第1の層13の領域が貼り合わせ基板の内側に向かって縮小し、逆に、第1の層13及び第2の基板20の酸化により、貼り合わせ領域が外周方向に拡大する。 In the example shown in FIG. 3F, by the outer peripheral portion of the first layer 13 is oxidized through the second layer 14 to shrink toward the inside of the bonded substrate is a region of the first layer 13, on the contrary, the oxidation of the first layer 13 and second substrate 20, the bonding region is expanded toward the outer periphery. なお、13aは、酸化工程の後の第1の層、14aは、酸化工程の後の第2の層、20aは、酸化工程の後の第2の基板、20bは、酸化工程により第2の基板20aに形成された酸化膜を示している。 Incidentally, 13a, the first layer after the oxidation step, 14a, the second layer after the oxidation step, 20a, the second substrate after the oxidation step, 20b, the second by the oxidation process It shows the oxide film formed on the substrate 20a.
【0122】 [0122]
この酸化工程により、第1の層13aの外周部が貼り合わせ領域の外周部よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られる。 This oxidation step, the bonded substrate is positioned inside the outer peripheral portion of the outer peripheral portion is bonded area of ​​the first layer 13a is obtained.
【0123】 [0123]
図3Gに示す工程では、図3Fに示す貼り合わせ基板を分離する。 In the step shown in FIG. 3G, to separate the bonded substrate stack shown in FIG. 3F. 図3Gには、図3Fに示す貼り合わせ基板を分離する際の分離の進行の様子が模式的に示されている。 FIG 3G, state of progress of separation in separating the bonded substrate stack shown in FIG. 3F is shown schematically. 図3Fに示す貼り合わせ基板は、第1の層13aの外周端が貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するため、分離は、貼り合わせ界面から始まり、酸化層である第2の層14aを横切り多孔質層12に至る。 Bonded substrate shown in FIG. 3F, in order to located inside the outer peripheral edge of the outer peripheral end bonding area of ​​the first layer 13a, the separation starts from the bonding interface, the second layer 14a is oxidized layer It reaches the porous layer 12 across the. なお、第1の層13aの外周端の位置と貼り合わせ領域の外周端の位置とが略一致する場合においても、分離は、貼り合わせ界面から始まり、酸化層である第2の層14aを横切り多孔質層12に至る。 Incidentally, even when the position of the outer peripheral end of the position and the stitched area of ​​the outer peripheral edge of the first layer 13a substantially coincide, separation begins bonding interface, across the second layer 14a is oxidized layer It reaches the porous layer 12.
【0124】 [0124]
ここで、第1の層13の外周部が完全に酸化されていない場合においても、その厚さは、酸化工程により薄くなっているため、SiO 2層(第2の層14a)とSi層(第1の層13)との界面に沿って分離が進行する可能性よりも、Si層(第1の層13)を突き破って分離が進行する可能性が高いと考えられる。 Here, even when the outer peripheral portion of the first layer 13 is not completely oxidized, the thickness thereof is, since the thinned by oxidation step, SiO 2 layer (second layer 14a) and the Si layer ( than possibly separated along the interface between the first layer 13) proceeds, separate breaks through the Si layer (first layer 13) is considered likely to progress. 従って、この場合においても、SiO 2層(第2の層14a)とSi層(第1の層13)との界面に沿って分離が進行することによる欠陥は殆ど発生しないと考えられる。 Therefore, in this case, defects due to separation along the interface of the SiO 2 layer (second layer 14a) Si layer (first layer 13) proceeds is considered hardly occur. この場合、酸化工程により薄くなった部分の第1の層13の存在は無視可能であるため、実質的に、第1の層13の外周端は、貼り合わせ基板の内部に向かって後退していると看做すことができる。 In this case, since the presence of the first layer 13 of thinned portion by oxidation step is negligible, substantially the outer peripheral edge of the first layer 13 is retracted toward the inside of the bonded substrate it is possible to have and considered. 即ち、本発明の範囲には、第1の層13の外周部が完全に酸化されていない場合も含まれる。 That is, the scope of the present invention also includes the case where the outer peripheral portion of the first layer 13 is not completely oxidized.
【0125】 [0125]
なお、上記のような酸化工程(図3F)は、貼り合わせ工程(図3E)の後の貼り合わせ基板の全周のうち、分離工程を開始すべき部分に対してのみ実施してもよい。 Incidentally, oxidation step (Fig. 3F) as described above, among the entire circumference of the bonded substrate bonding process after (Fig. 3E), only be carried out on parts should begin separation process.
【0126】 [0126]
また、第2の層14を形成した場合においても、第1の層13の外周端を貼り合わせ基板の内側に向かって後退(例えば、貼り合わせ基板の外周端から数mm程度)させることにより、分離の際に第1の層が破壊されることを防止することができる。 Also in case of forming the second layer 14, retracted towards the inside of the substrate bonded to the outer peripheral edge of the first layer 13 (e.g., combined several mm from the outer peripheral end of the substrate bonding) by, it is possible to prevent the first layer is destroyed upon separation. この場合、分離は、貼り合わせ界面から始まり、第1の層の側方又は外周端を通って多孔質層に進行する。 In this case, separation starts from the bonding interface, through the side or the outer peripheral edge of the first layer traveling in the porous layer.
【0127】 [0127]
貼り合わせ基板を多孔質層で2枚の基板に分離する方法としては、例えば、1)貼り合わせ基板の貼り合わせ界面付近に楔等の機械的な部材を挿入する方法、2)貼り合わせ基板の貼り合わせ界面付近に向けて、気体(例えば、空気、窒素、水素、二酸化炭素、不活性ガス等)や液体(例えば、水、エッチング液等)、即ち流体を噴射する方法(ウォータージェット法の応用)、3)貼り合わせ基板に対して、加圧、引っ張り、せん断等の力を印加する方法、4)酸化工程により多孔質層を外周部から膨張させ、多孔質層の孔壁に力を印加する方法、5)パルス状に変化する熱を印加し、熱応力を発生させる方法或いは軟化させる方法、6)超音波を印加することにより多孔質層を破壊する方法等がある。 The method of separating the bonded substrate into two substrates at the porous layer, for example, 1) bonding method of inserting a mechanical element of a wedge like in the vicinity of the bonding interface of the substrate, 2) bonded to the substrate towards the vicinity of the bonding interface, a gas (e.g., air, nitrogen, hydrogen, carbon dioxide, inert gas, etc.) or liquid (e.g., water, an etching solution or the like), i.e., a method for injecting a fluid (application of water jet method ), 3) the bonded substrate, pressure, tension, a method of applying a force of shearing, etc., 4) by an oxidation step to expand the porous layer from the outer peripheral portion, applying a force to the pore walls of the porous layer how, 5) heat which varies in a pulse form is applied, a method or process for softening to generate thermal stress, 6) and a method of destroying a porous layer by applying ultrasonic waves. ただし、他の方法を利用することも可能である。 However, it is also possible to use other methods.
【0128】 [0128]
上記の分離工程により、第2の基板20a側は、第2の基板20a上に、第2の層(SiO 2層)14b、第1の層(Si層)13a、多孔質層12aを順に有する基板(図3H)が得られる。 The above separation process, a second substrate 20a side, on the second substrate 20a, a second layer (SiO 2 layer) 14b, first layer (Si layer) 13a, the porous layer 12a in this order substrate (Fig. 3H) is obtained.
【0129】 [0129]
図3Iに示す工程では、図3Hに示す基板の最上層に残留した多孔質層12aを選択的に除去する。 In the step shown in FIG. 3I, selectively removing the porous layer 12a remaining on the uppermost layer of the substrate shown in FIG. 3H. この実施の形態のように、第1の層13aがSi層である場合には、多孔質層12aの選択的な除去には、通常のSiのエッチング液、又は、多孔質Siを選択的にエッチングするためのエッチング液である弗酸、又は、弗酸にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも一方を添加した混合液、又は、バッファード弗酸、又は、バッファード弗酸にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも一方を添加した混合液のいずれかのエッチング液が好適である。 As in this embodiment, when the first layer 13a is Si layer is selective removal of the porous layer 12a, an etchant of ordinary Si, or selectively porous Si an etching solution for etching hydrofluoric acid, or a solution mixture prepared by adding at least one of alcohol and hydrogen peroxide to hydrofluoric acid, or buffered hydrofluoric acid, or an alcohol and hydrogen peroxide to buffered hydrofluoric acid either etchant solution mixture prepared by adding at least one of water are preferred. このエッチング液を利用して、第2の基板20a、第2の層(SiO 2層)14b、第1の層(Si層)13a及び多孔質層12aからなる基板をエッチングすることにより、最上層として第1の層(Si層)13aを有する基板(図3I)を得ることができる。 Using this etchant, the second substrate 20a, second layer (SiO 2 layer) 14b, a substrate made of a first layer (Si layer) 13a and porous layer 12a is etched, the top layer as it is possible to obtain a substrate (Fig. 3I) having a first layer (Si layer) 13a. 図3Iにおいて、14cは、エッチング工程の後の第2の層(SiO 2層)、20cは、エッチング工程の後の酸化膜を示している。 In FIG. 3I, 14c, a second layer (SiO 2 layer) after the etching process, 20c indicates the oxide film after the etching process.
【0130】 [0130]
なお、多孔質Siは、膨大な表面積を有するため、上述のように通常のSiのエッチング液であっても、多孔質層12aを選択的にエッチングすることが可能である。 Incidentally, the porous Si in order to have a large surface area, even etchant conventional Si as described above, it is possible to selectively etch the porous layer 12a.
【0131】 [0131]
ここで、エッチング液によって多孔質層12aを除去する代わりに、例えば、該多孔質層12aの下層の第1の層(Si層)13aを研磨ストッパーとして、該多孔質層12aを選択的に研磨してもよい。 Polishing Here, instead of removing the porous layer 12a by an etchant, for example, as a polishing stopper the first layer (Si layer) 13a of the lower layer of the porous layer 12a, selectively the porous layer 12a it may be.
【0132】 [0132]
図3Jに示す工程では、図3Iに示す基板の外周部の酸化膜20c及び第2の層14cをエッチング等によって除去する。 In the step shown in FIG. 3J, the oxide film 20c and second layer 14c of the outer peripheral portion of the substrate shown in FIG. 3I is removed by etching or the like. これにより、図3Jに示すように、第2の基板上に第2の層14d、第1の層13bを順に有するSOI基板が得られる。 Thus, as shown in FIG. 3J, a second layer 14d on the second substrate, an SOI substrate having a first layer 13b are sequentially obtained.
【0133】 [0133]
更に、図3Gに示す分離工程において分離された2枚の基板のうち第1の基板10側の基板については、その表面に残留する第2の膜(SiO 2膜)14a及び多孔質層12を除去し、必要に応じて表面を平坦化する工程を実施することにより、再度、半導体基板11又は第2の基板20として利用することができる。 Furthermore, the substrate of the first substrate 10 side of the two substrates separated in the separation step shown in FIG. 3G, and a second film (SiO 2 film) 14a and porous layer 12 remaining on the surface removed, by performing the step of flattening the surface if necessary, again, it can be used as the semiconductor substrate 11 or the second substrate 20.
【0134】 [0134]
以上のように、この実施の形態によれば、貼り合わせ工程(図3E)の後に酸化工程(図3F)を実施することによって、第1の層13の外周端の少なくとも一部を貼り合わせ基板の内側に向かって後退させて、例えば、貼り合わせ領域の外周端又はそれよりも内側に位置させることにより、分離工程における欠陥の発生を防止することができる。 As described above, according to this embodiment, the bonding step by performing the oxidation step (Fig. 3F) after (Fig. 3E), at least a portion of the bonded substrate of the outer peripheral edge of the first layer 13 retracted towards the inside, for example, by positioning inside the outer peripheral end or the bonded area, it is possible to prevent the occurrence of defects in the separation step.
【0135】 [0135]
[第2の実施の形態] Second Embodiment
この実施の形態に係る方法では、外周部(例えば、外周端から数mmの部分)の内側にのみ第1の層13を有し、該第1の層13及びその周辺(第1の層の側壁を含む)の上に第2の層14を有する第1の基板10を作成し、この第1の基板10と第2の基板20とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成する。 In the method according to this embodiment, the outer peripheral portion (e.g., from an outer peripheral end part of the number mm) having a first layer 13 only inside the, first layer 13 and its vicinity (the first layer create a first substrate 10 having a second layer 14 on top of the containing side wall), it creates a bonded substrate by bonding a this first substrate 10 and second substrate 20. また、この変形例として、外周部の内側にのみ第1の層13を有する第1の基板10を作成し、この第1の基板10と第2の基板を貼り合わせた後、第1の層の外周部を酸化させてもよい。 Further, as variant, after creating the first substrate 10 having a first layer 13 only inside the outer peripheral portion, bonded to a first substrate 10 and the second substrate, the first layer the outer peripheral portion of the may be oxidized.
【0136】 [0136]
図4A〜図4Eは、本発明の第2の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 4A~ Figure 4E is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the second embodiment of the present invention. なお、図4A〜図4Eには、基板の主面側の一部分のみが示されており、図示の部分は、図1(c)の符号30を付した部分に相当する。 Although FIG 4A~ Figure 4E, only a portion of the principal surface of the substrate is shown, the illustrated portion corresponds to the portion denoted by reference numeral 30 in FIG. 1 (c).
【0137】 [0137]
なお、一般に、単結晶Si基板等の半導体基板は、図4Aに示すように、ベベリング部の内側のミラー平面の部分であっても、研磨だれやエッチングだれにより、外周端から1〜数mmの部分は、中央部よりも厚さが薄くなっている。 In general, a semiconductor substrate such as single crystal Si substrate, as shown in FIG. 4A, be part of the inner mirrors plane of beveling portion, by whom polishing sag or etching, one to several mm from the outer edge part, the thickness is thinner than the center.
【0138】 [0138]
図4Aに示す工程では、単結晶Si基板等の半導体基板11を準備する。 In the step shown in FIG. 4A, a semiconductor substrate 11 such as a single-crystal Si substrate. 図4Bに示す工程では、半導体基板11の主面(ミラー面)側に陽極化成法等により多孔質層12を形成する。 In the step shown in FIG. 4B, to form a porous layer 12 by anodization or the like on the main surface (mirror surface) side of the semiconductor substrate 11. なお、多孔質層12を形成する領域は、図4Bに示すように半導体基板11のベベリング部の外周端或いは裏面にまで及んでもよいし、これよりも小さな領域としてもよい。 The area for forming the porous layer 12 may extend to the outer peripheral end or the rear surface of the beveling portion of the semiconductor substrate 11 as shown in FIG. 4B, may be smaller area than this.
【0139】 [0139]
図4Cに示す工程では、多孔質層12の外周部(例えば、外周端から数mmの部分)の内側にのみ第1の層13を形成する。 In the step shown in FIG. 4C, the outer peripheral portion of the porous layer 12 (e.g., from an outer peripheral end part of the number mm) to form a first layer 13 only inside the. このように多孔質層12の外周部の内側にのみ第1の層13を形成する方法としては、外周部への第1の層13の形成を妨げる方法や、多孔質層12の全面に第1の層13を形成した後に、これをパタニングする方法等がある。 As a method for forming the first layer 13 only inside the outer peripheral portion of the thus porous layer 12, a method of preventing the formation of the first layer 13 to the outer peripheral portion, the entire surface of the porous layer 12 after forming the first layer 13, and a method of patterning the same.
【0140】 [0140]
例えば、前者の方法の一例としては、多孔質層12の外周部を覆うマスクパターンを形成した後に、単結晶Si層13をエピタキシャル成長法により形成し、その後、マスクパターンを除去する方法が挙げられる。 For example, as an example of the former method, after forming a mask pattern covering the outer peripheral portion of the porous layer 12, a single-crystal Si layer 13 is formed by epitaxial growth, then, a method of removing the mask pattern.
【0141】 [0141]
また、後者の方法の一例としては、第1の層13の上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜の外周部以外の部分が残るように該レジスト膜をパタニングし、これをマスクパターンとして第1の層13の外周部をエッチングする方法が挙げられる。 Further, as an example of the latter method, a resist film is formed on the first layer 13, and patterned the resist film as a portion other than the outer peripheral portion of the resist film remains, the as a mask pattern method of etching the outer peripheral portion of the first layer 13 and the like. この時、併せて、外周部の第1の層13の下の多孔質層の全部又は一部をエッチングしてもよい。 At this time, the same time, all or part of the porous layer under the first layer 13 of the outer peripheral portion may be etched.
【0142】 [0142]
第1の層13としては、例えば、単結晶Si層、多結晶Si層、多結晶Si層、非晶質Si層等のSi層や、金属膜、化合物半導体層、超伝導層等が好適である。 As the first layer 13, for example, single-crystal Si layer, a polycrystalline Si layer, a polycrystalline Si layer, the Si layer and the amorphous Si layer or the like, a metal film, compound semiconductor layer, the superconducting layer or the like is preferred is there. また、第1の層13として、例えばMOSFET等の素子を形成してもよい。 Further, as the first layer 13 may be formed, for example an element such as a MOSFET.
【0143】 [0143]
図4Dに示す工程では、第1の層13の上及び側壁を覆う第2の層14を形成する。 In the step shown in FIG. 4D, to form a second layer 14 overlying and sidewalls of the first layer 13. これにより、第1の基板10が得られる。 Thereby, the first substrate 10 is obtained. 第2の層14としては、SiO 2層等の絶縁層が好適である。 The second layer 14, an insulating layer such as a SiO 2 layer is preferable. 例えば、第1の層13がSi層である場合、第2の層14としては、該Si層の表面を酸化(例えば、熱酸化)させる方法により得られるSiO 2層が好適である。 For example, if the first layer 13 is Si layer, the second layer 14, oxidizing the surface of the Si layer (e.g., thermal oxidation) SiO 2 layer obtained by a method of is preferred. なお、図4Dに示す工程では、第1の層13の上の他、該第1の層13の全周のうち分離工程の実施を開始する部分の周辺の側壁にのみ第2の層14を形成してもよい。 In the step shown in FIG. 4D, another on the first layer 13, the second layer 14 only on the side wall of the peripheral portion to start implementation of the separation process of the entire circumference of the first layer 13 it may be formed.
【0144】 [0144]
図4Eに示す工程では、第1の基板10の主面と第2の基板20の主面とを室温で密着させる。 In the step shown in FIG. 4E, the major surface of the first substrate 10 and the main surface of the second substrate 20 are brought into close contact at room temperature. その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組合わせた処理により、第1の基板10と第2の基板20との結合を強固にしてもよい。 Then, anodic bonding, by the application of pressure or heat treatment or treatment that combines these may be strengthened with the first substrate 10 to bond the second substrate 20.
【0145】 [0145]
第2の基板としては、Si基板、Si基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板等の絶縁性基板、石英基板等の光透過性基板、サファイア基板等が好適であるが、これに限定されず、貼り合わせに供される面が十分に平坦な基板であれば他の基板でもよい。 As the second substrate, Si substrate, a substrate obtained by forming an insulating film on a Si substrate, an insulating substrate such as a quartz substrate, a light transmitting substrate such as a quartz substrate, although a sapphire substrate or the like is suitable, limited to Sarezu, surface to be subjected to bonding may be another substrate if sufficiently flat substrate.
【0146】 [0146]
なお、例えば、第2の基板20が絶縁性基板である場合や第2の基板20の表面に絶縁膜が形成されている場合においては、第2の層14は必ずしも必要はないが、第2の層14を形成することにより、活性層となる第1の層13を貼り合わせ界面から遠ざけることができるという利点がある。 Incidentally, for example, in a case where the insulating film is formed on the surface of the second case substrate 20 is an insulating substrate and the second substrate 20, second layer 14 but need not necessarily, the second by forming the layer 14, there is an advantage that it can be moved away from the bonding interface of the first layer 13 serving as an active layer. また、pnダイオードを形成するためにSi層同士を貼り合せる場合においては、第2の層14は不要である。 In the case of bonding the Si layer to each other to form a pn diode, the second layer 14 is unnecessary.
【0147】 [0147]
一方、第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせの際に、絶縁性の薄板を挟んでもよい。 On the other hand, when the first substrate 10 in bonding of the second substrate 20 may sandwich the insulating sheet.
【0148】 [0148]
以上の工程により、第1の層13の外周端の少なくとも一部(分離工程の実施を開始する位置)が貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られる。 Through the above steps, the outer peripheral edge of at least some bonded substrate located inside the outer peripheral edge (implementing the start position of the separation process) of the bonded area of ​​the first layer 13 is obtained.
【0149】 [0149]
ここで、図4Dに示す工程を実施しない場合、即ち、第2の層14を形成する工程を実施しない場合には、第1の基板(この場合、半導体基板11、多孔質層12及び第1の層13からなる基板)10と第2の基板20とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成した後に、例えば、その貼り合わせ基板の第1の層13の外周側に他の層を形成することが好ましい。 Here, if not carried out steps shown in FIG. 4D, i.e., if no the step of forming the second layer 14, the first substrate (in this case, the semiconductor substrate 11, porous layer 12 and the first a substrate) 10 made of a layer 13 after creating a bonded substrate by bonding the second substrate 20, for example, by forming another layer on the outer peripheral side of the first layer 13 of the bonded substrate It is preferred. 例えば、第1の層13がSi層である場合は、第1の層13の外周部を酸化させることにより、第1の層13の外周側にSiO 2層を形成することが好ましい。 For example, if the first layer 13 is Si layer by oxidizing the outer peripheral portion of the first layer 13, it is preferable to form the SiO 2 layer on the outer peripheral side of the first layer 13. これにより、分離工程の実施の際に単結晶Si層13が破壊されることを防止することができる。 Thus, it is possible to prevent the single-crystal Si layer 13 is broken in the practice of the separation process.
【0150】 [0150]
図4Eに示す工程の後は、第1の実施の形態における図3G〜図3Jに示す工程を実施することにより、SOI基板等の半導体基板を得ることができる。 After the step shown in FIG. 4E, by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J of the first embodiment, it is possible to obtain a semiconductor substrate such as an SOI substrate.
【0151】 [0151]
なお、第1の層13として化合物半導体層を形成する場合は、図3Hに相当する工程、即ち、貼り合わせ基板を2枚に分離した後に表面に残留する多孔質層を除去する工程において、該化合物半導体層の材料のエッチング速度よりもSiのエッチング速度の方が速いエッチング液を利用して、多孔質層を選択的にエッチングすればよい。 In the case of forming a compound semiconductor layer as the first layer 13, the step corresponding to FIG. 3H, i.e., in the step of removing the porous layer remaining on the surface after separation into two joined substrates, the towards the etch rate of Si than the material etch rate of the compound semiconductor layer using a fast etchant may be selectively etched porous layer.
【0152】 [0152]
以上のように、この実施の形態によれば、例えば、外周部の内側にのみ第1の層13を有する第1の基板10を作成することにより、第1の層13の外周端を貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置させ、分離工程における欠陥の発生を防止することができる。 As described above, according to this embodiment, for example, by creating a first substrate 10 having a first layer 13 only inside the outer peripheral portion, bonding the outer peripheral edge of the first layer 13 than the outer peripheral edge of the region is located inside, it is possible to prevent the occurrence of defects in the separation step.
【0153】 [0153]
[第3の実施の形態] Third Embodiment
この実施の形態に係る方法では、外周部(例えば、外周端から数mmの部分)の内側にのみ第1の層を有し、その上に第2の層を有する第1の基板10を作成し、この第1の基板10と第2の基板とを貼り合わせる。 In the method according to this embodiment, the outer peripheral portion (e.g., from an outer peripheral end part of the number mm) having a first layer only on the inside, creating a first substrate 10 having a second layer thereon and, bonding the first substrate 10 and the second substrate. そして、この好ましくは、その貼り合わせ基板の外周部を酸化させることにより、第1の層の領域を貼り合わせ基板の内側に向かって縮小させ、第1の層の外周部が、貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するようにする。 And, this is preferably by oxidizing the outer peripheral portion of the bonded substrate, is reduced toward the inside of the bonded substrate region of the first layer, the outer peripheral portion of the first layer, the bonded area to as to lie inside the end periphery.
【0154】 [0154]
図5A〜図5Gは、本発明の第3の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 5A~ Figure 5G is a diagram showing a part of the third semiconductor substrate according to the embodiment of the production process of the present invention. なお、図5A〜図5Gには、基板の主表面の一部分のみが示されており、図示の部分は、図1(c)の符号30を付した部分に相当する。 Although FIG 5A~ Figure 5G, only a portion of the main surface of the substrate is shown, the illustrated portion corresponds to the portion denoted by reference numeral 30 in FIG. 1 (c).
【0155】 [0155]
なお、一般に、単結晶Si基板等の半導体基板は、図5Aに示すように、ベベリング部の内側のミラー平面の部分であっても、研磨だれやエッチングだれにより、外周端から1〜数mmの部分は、中央部よりも厚さが薄くなっている。 In general, a semiconductor substrate such as single crystal Si substrate, as shown in FIG. 5A, even part of the inner mirrors plane of beveling portion, by whom polishing sag or etching, one to several mm from the outer edge part, the thickness is thinner than the center.
【0156】 [0156]
図5Aに示す工程では、単結晶Si基板等の半導体基板11を準備する。 In the step shown in FIG. 5A, a semiconductor substrate 11 such as a single-crystal Si substrate. 図5Bに示す工程では、半導体基板11の主面(ミラー面)側に陽極化成法等により多孔質層12を形成する。 In the step shown in FIG. 5B, to form the porous layer 12 by anodization or the like on the main surface (mirror surface) side of the semiconductor substrate 11. なお、多孔質層12を形成する領域は、図5Bに示すように半導体基板11のベベリング部の外周端或いは裏面にまで及んでもよいし、これよりも小さな領域としてもよい。 The area for forming the porous layer 12 may extend to the outer peripheral end or the rear surface of the beveling portion of the semiconductor substrate 11 as shown in Figure 5B, it may be a small area than this.
【0157】 [0157]
図5Cに示す工程では、多孔質層12の上に第1の層13、第2の層14を形成する。 In the step shown in FIG. 5C, a first layer 13 on the porous layer 12 to form the second layer 14. 第1の層13としては、例えば、単結晶Si層、多結晶Si層、多結晶Si層、非晶質Si層等のSi層等が好適である。 As the first layer 13, for example, single-crystal Si layer, a polycrystalline Si layer, a polycrystalline Si layer, the Si layer such as amorphous Si layer or the like is preferable. また、第1の層13として、例えばMOSFET等の素子を形成してもよい。 Further, as the first layer 13 may be formed, for example an element such as a MOSFET. 第2の層14としては、例えば、第1の層(Si層)12の表面を酸化(例えば、熱酸化)させる方法等により得られる酸化層(例えば、SiO 2層)が好適である。 The second layer 14, for example, oxidizing the surface of the first layer (Si layer) 12 (e.g., thermal oxidation) oxide layer obtainable by the method is such (eg, SiO 2 layer) is suitable.
【0158】 [0158]
図5Dに示す工程では、図5Cに示す基板の第2の層14の上に、半導体基板11の中心部を覆い、外周部(例えば、外周端から数mmの部分)を露出させたマスクパターンを形成する。 In the step shown in FIG. 5D, on the second layer 14 of the substrate shown in FIG. 5C, covers the central portion of the semiconductor substrate 11, a mask pattern to expose the outer peripheral portion (e.g., portion of several mm from the outer peripheral end) to form. そして、このマスクパターンを利用して、第2の層14の外周部をバッファード弗酸等のエッチング液によりエッチングして、第2の層14をパタニングする。 Then, by using this mask pattern, the outer peripheral portion of the second layer 14 is etched with an etchant such as buffered hydrofluoric acid to patterning the second layer 14. 14aは、パタニングされた第2の層を示している。 14a shows a second layer that is patterned.
【0159】 [0159]
図5Eに示す工程では、パタニングされた第2の層14aをマスクパターンとして、その下の第1の層13をRIE(Reactive Ion Etching)法等により異方性エッチングして、第1の層13をパタニングする。 In the step shown in FIG. 5E, as the second layer 14a of the mask pattern which is patterned, the first layer 13 below it is anisotropically etched by RIE (Reactive Ion Etching) or the like, the first layer 13 the be patterned. 13aは、パタニングされた第1の層を示している。 13a shows a first layer which is patterned. なお、第2の層14をパタニングするためのマスクパターンは、図5Dに示す工程の後に除去してもよいし、図5Eに示す工程の後に除去してもよいが、エッチングによる第2の層14の表面荒れを防止するためには、図5Eに示す工程の後に除去することが好ましい。 The mask pattern for patterning the second layer 14 may be removed after the step shown in FIG. 5D, may be removed after the step shown in FIG. 5E, the second layer by etching to prevent surface roughness of 14 is preferably removed after the step shown in FIG. 5E.
【0160】 [0160]
このようにして、外周部(例えば、外周端から数mmの部分)の内側にのみ第1の層13a及び第2の層14aを有する第1の基板10を形成することができる。 In this way, the outer peripheral portion (e.g., from an outer peripheral end part of the number mm) it is possible to form the first substrate 10 having a first layer 13a and second layer 14a only inside the.
【0161】 [0161]
図5Fに示す工程では、第1の基板10の主面と第2の基板20の主面とを室温で密着させる。 In the step shown in FIG. 5F, the major surface of the first substrate 10 and the main surface of the second substrate 20 are brought into close contact at room temperature. その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組合わせた処理により、第1の基板10と第2の基板20との結合を強固にしてもよい。 Then, anodic bonding, by the application of pressure or heat treatment or treatment that combines these may be strengthened with the first substrate 10 to bond the second substrate 20.
【0162】 [0162]
第2の基板としては、Si基板、Si基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板等の絶縁性基板、石英基板等の光透過性基板、サファイア基板等が好適であるが、これに限定されず、貼り合わせに供される面が十分に平坦な基板であれば他の基板でもよい。 As the second substrate, Si substrate, a substrate obtained by forming an insulating film on a Si substrate, an insulating substrate such as a quartz substrate, a light transmitting substrate such as a quartz substrate, although a sapphire substrate or the like is suitable, limited to Sarezu, surface to be subjected to bonding may be another substrate if sufficiently flat substrate.
【0163】 [0163]
なお、例えば、第2の基板20が絶縁性基板である場合や第2の基板20の表面に絶縁膜が形成されている場合においては、第2の層14aは、必ずしも必要はないが、第2の層14aを形成することにより、活性層となる第1の層13を貼り合わせ界面から遠ざけることができるという利点がある。 Incidentally, for example, in the case where the second substrate 20 the surface an insulating film of an insulating case of a substrate and the second substrate 20 is formed, the second layer 14a is not always necessary, the by forming the second layer 14a, there is an advantage that it can be moved away from the bonding interface of the first layer 13 serving as an active layer. また、pnダイオードを形成するためにSi層同士を貼り合せる場合においては、第2の層14は不要である。 In the case of bonding the Si layer to each other to form a pn diode, the second layer 14 is unnecessary.
【0164】 [0164]
一方、第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせの際に、絶縁性の薄板を挟んでもよい。 On the other hand, when the first substrate 10 in bonding of the second substrate 20 may sandwich the insulating sheet.
【0165】 [0165]
以上の工程により、第1の層の外周端の位置が貼り合わせ領域の外周端の位置に一致する貼り合わせ基板を作成することができる。 Through the above steps, it is possible to create a bonded substrate coincides with the position of the outer peripheral edge of the bonded area position of the outer peripheral edge of the first layer. このように、第1の層の外周端の位置を貼り合わせ領域の外周端の位置に一致させることにより、分離工程における欠陥の発生を効果的に防止することができるが、更に以下の工程を実施することが好ましい。 Thus, by matching the position of the outer peripheral end of the region bonded to the position of the outer peripheral edge of the first layer, it is possible to effectively prevent the occurrence of defects in the separation step, the further steps of implementation it is preferable to.
【0166】 [0166]
図5Gに示す工程では、図5Fに示す貼り合わせ基板のエッジ部を酸化(例えば、熱酸化)させる。 In the step shown in FIG. 5G, it causes oxidation of the edge portion of the bonded substrate shown in FIG. 5F (e.g., thermal oxidation). なお、図5Fに示す例は、第1の層13が、単結晶Si層等のSi層であり、第2の層14が、SiO 2層であり、第2の基板20が、単結晶Si基板等のSi基板である場合に関する。 The example shown in FIG. 5F, the first layer 13 is a Si layer such as a single-crystal Si layer, the second layer 14 is a SiO 2 layer, the second substrate 20, single-crystal Si for the case is a Si substrate such as a substrate.
【0167】 [0167]
図5Gに示す例では、第1の層13aの外周部が酸化されることにより、第1の層13aの領域が貼り合わせ基板の内側に向かって縮小する。 In the example shown in FIG. 5G, by the outer peripheral portion of the first layer 13a is oxidized, reduced toward the inside of the bonded substrate is a region of the first layer 13a. なお、13bは、酸化工程の後の第1の層、14bは、酸化工程の後の第2の層、20aは、酸化工程の内の第2の基板、20bは、酸化工程により第2の基板20aに形成された酸化膜を示している。 Incidentally, 13b, the first layer after the oxidation step, 14b, the second layer after the oxidation step, 20a, the second substrate of the oxidation step, 20b, the second by the oxidation process It shows the oxide film formed on the substrate 20a.
【0168】 [0168]
この酸化工程により、第1の層13bの外周部が貼り合わせ領域の外周部よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られる。 This oxidation step, the bonded substrate is positioned inside the outer peripheral portion of the outer peripheral portion is bonded area of ​​the first layer 13b is obtained.
【0169】 [0169]
図5Fに示す工程の後は、第1の実施の形態における図3G〜図3Jに示す工程を実施することにより、SOI基板等の半導体基板を得ることができる。 After the step shown in FIG. 5F, by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J of the first embodiment, it is possible to obtain a semiconductor substrate such as an SOI substrate.
【0170】 [0170]
以上のように、この実施の形態によれば、外周部の内側にのみ第1の層を有し、その上に第2の層を有する第1の基板10を作成し、この第1の基板10と第2の基板とを貼り合わせて、第1の層の外周端の位置と貼り合わせ領域の外周端とが一致した貼り合わせ基板を作成することにより、分離工程における欠陥の発生を防止することができる。 As described above, according to this embodiment has a first layer only inside the outer peripheral portion, to create a first substrate 10 having a second layer thereon, the first substrate 10 and by bonding the second substrate, by which the outer peripheral edge of the region bonded to a position on the outer peripheral edge of the first layer to create a matched bonded substrate, to prevent the occurrence of defects in the separation step be able to.
【0171】 [0171]
更に、この貼り合わせ基板を酸化させて、第1の層の外周端を貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置させることにより、分離工程における欠陥の発生をより効果的に防止することができる。 Furthermore, the bonded substrate is oxidized, by positioning inside the outer peripheral edge of the region bonded to the outer peripheral edge of the first layer, it is possible to prevent the occurrence of defects in the separation process more effectively .
【0172】 [0172]
[第4の実施の形態] Fourth Embodiment
この実施の形態に係る方法では、第1の層を有する第1の基板10と第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成した後に、第1の層の外周部を除去し、これにより、第1の層の外周端が貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するようにする。 In the method according to this embodiment, after creating a first substrate 10 of the bonded substrate by bonding the second substrate having a first layer, to remove the outer peripheral portion of the first layer, which Accordingly, to be located inside the outer peripheral edge of the outer peripheral end bonding area of ​​the first layer.
【0173】 [0173]
図6A〜図6Gは、本発明の第4の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 6A~ Figure 6G is a diagram showing a part of the fourth semiconductor substrate according to the embodiment of the production process of the present invention. なお、図6A〜図6Gには、基板の主面側の一部分のみが示されており、図示の部分は、図1(c)の符号30を付した部分に相当する。 Although FIG 6A~ Figure 6G, only a portion of the principal surface of the substrate is shown, the illustrated portion corresponds to the portion denoted by reference numeral 30 in FIG. 1 (c).
【0174】 [0174]
なお、一般に、単結晶Si基板等の半導体基板は、図6Aに示すように、ベベリング部の内側のミラー平面の部分であっても、研磨だれやエッチングだれにより、外周端から1〜数mmの部分は、中央部よりも厚さが薄くなっている。 In general, a semiconductor substrate such as single crystal Si substrate, as shown in FIG. 6A, be part of the inner mirrors plane of beveling portion, by whom polishing sag or etching, one to several mm from the outer edge part, the thickness is thinner than the center.
【0175】 [0175]
図6Aに示す工程では、単結晶Si基板等の半導体基板11を準備する。 In the step shown in FIG. 6A, a semiconductor substrate 11 such as a single-crystal Si substrate. 図6Bに示す工程では、半導体基板11の主面(ミラー面)側に陽極化成法等により多孔質層12を形成する。 In the step shown in FIG. 6B, to form the porous layer 12 by anodization or the like on the main surface (mirror surface) side of the semiconductor substrate 11. なお、多孔質層12を形成する領域は、図6Bに示すように半導体基板11のベベリング部の外周端或いは裏面にまで及んでもよいし、これよりも小さな領域としてもよい。 The area for forming the porous layer 12 may extend to the outer peripheral end or the rear surface of the beveling portion of the semiconductor substrate 11 as shown in FIG. 6B, may be smaller area than this.
【0176】 [0176]
図6Cに示す工程では、多孔質層12の上に第1の層13を形成する。 In the step shown in FIG. 6C, to form a first layer 13 on the porous layer 12. 第1の層13としては、例えば、単結晶Si層、多結晶Si層、多結晶Si層、非晶質Si層等のSi層や、金属膜、化合物半導体層、超伝導層等が好適である。 As the first layer 13, for example, single-crystal Si layer, a polycrystalline Si layer, a polycrystalline Si layer, the Si layer and the amorphous Si layer or the like, a metal film, compound semiconductor layer, the superconducting layer or the like is preferred is there. また、第1の層13として、例えばMOSFET等の素子を形成してもよい。 Further, as the first layer 13 may be formed, for example an element such as a MOSFET.
【0177】 [0177]
図6Dに示す工程では、第1の層13の上に第2の層14を形成する。 In the step shown in FIG. 6D, to form the second layer 14 on the first layer 13. これにより、第1の基板10が得られる。 Thereby, the first substrate 10 is obtained. 第2の層14としては、SiO 2層等の絶縁層が好適である。 The second layer 14, an insulating layer such as a SiO 2 layer is preferable. 例えば、第1の層13がSi層である場合、第2の層14としては、該Si層の表面を酸化(例えば、熱酸化)させる方法により得られるSiO 2層が好適である。 For example, if the first layer 13 is Si layer, the second layer 14, oxidizing the surface of the Si layer (e.g., thermal oxidation) SiO 2 layer obtained by a method of is preferred.
【0178】 [0178]
図6Eに示す工程では、第1の基板10の主面と第2の基板20の主面とを室温で密着させる。 In the step shown in FIG. 6E, the major surface of the first substrate 10 and the main surface of the second substrate 20 are brought into close contact at room temperature. その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組合わせた処理により、第1の基板10と第2の基板20との結合を強固にしてもよい。 Then, anodic bonding, by the application of pressure or heat treatment or treatment that combines these may be strengthened with the first substrate 10 to bond the second substrate 20.
【0179】 [0179]
第2の基板としては、Si基板、Si基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板等の絶縁性基板、石英基板等の光透過性基板、サファイア基板等が好適であるが、これに限定されず、貼り合わせに供される面が十分に平坦な基板であれば他の基板でもよい。 As the second substrate, Si substrate, a substrate obtained by forming an insulating film on a Si substrate, an insulating substrate such as a quartz substrate, a light transmitting substrate such as a quartz substrate, although a sapphire substrate or the like is suitable, limited to Sarezu, surface to be subjected to bonding may be another substrate if sufficiently flat substrate.
【0180】 [0180]
なお、例えば、第2の基板20が絶縁性基板である場合や第2の基板20の表面に絶縁膜が形成されている場合においては、第2の層14は、必ずしも必要はないが、第2の層14を形成することにより、活性層となる第1の層13を貼り合わせ界面から遠ざけることができるという利点がある。 Incidentally, for example, in the case where the second substrate 20 the surface an insulating film of insulating a case and the second substrate 20 and the substrate are formed, the second layer 14 is not necessarily required, the by forming the second layer 14, it can be advantageously moved away from the bonding interface of the first layer 13 serving as an active layer. また、pnダイオードを形成するためにSi層同士を貼り合せる場合においては、第2の層14は不要である。 In the case of bonding the Si layer to each other to form a pn diode, the second layer 14 is unnecessary.
【0181】 [0181]
一方、第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせの際に、絶縁性の薄板を挟んでもよい。 On the other hand, when the first substrate 10 in bonding of the second substrate 20 may sandwich the insulating sheet.
【0182】 [0182]
図6Fに示す工程では、第2の層14の外周部(例えば、外周端から数mmの部分)をエッチングにより除去すると共に第1の層13を露出させる。 In the step shown in FIG. 6F, the outer peripheral portion of the second layer 14 (e.g., portions of several mm from the outer peripheral end) to expose the first layer 13 with the etched away. 14aは、エッチング工程の後の第2の層を示している。 14a shows a second layer after the etching process.
【0183】 [0183]
図6Gに示す工程では、第1の層13の外周部をエッチングにより除去し、エッチング後の第1の層13aの外周端が、第2の層14aの外周端(即ち、貼り合わせ領域の外周端)又はそれよりも内側に位置するようにする。 Figure In the step shown in 6G, the outer peripheral portion of the first layer 13 is removed by etching, the outer peripheral edge of the first layer 13a after etching, the outer peripheral edge of the second layer 14a (i.e., the outer periphery of the bonded area end) or than to be located inside.
【0184】 [0184]
以上の工程により、第1の層13の外周端が貼り合わせ領域の外周端又はそれよりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られる。 Through the above process, the bonded substrate is located inside the outer peripheral edge or outer peripheral edge is bonded area of ​​the first layer 13 is obtained.
【0185】 [0185]
図6Gに示す工程の後は、第1の実施の形態における図3G〜図3Jに示す工程を実施することにより、SOI基板等の半導体基板を得ることができる。 After the step shown in FIG. 6G, by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J of the first embodiment, it is possible to obtain a semiconductor substrate such as an SOI substrate.
【0186】 [0186]
[第5の実施の形態] Fifth Embodiment
この実施の形態は、上記の第1、第3及び第4の実施の形態の変形例に関する。 This embodiment is first described above, regarding a modification of the third and fourth embodiments. より具体的には、この実施の形態は、単結晶Si基板等の半導体基板にイオンを注入することにより、該単結晶Si基板の所定の深さの部分に多孔質層(微小空洞層)を形成する。 More specifically, this embodiment, by implanting ions into a semiconductor substrate such as single crystal Si substrate, a porous layer to a predetermined depth of the portion of the single crystal Si substrate (microcavity layer) Form.
【0187】 [0187]
この実施の形態は、第1の実施の形態における図3A〜図3Dに示す工程、第3の実施の形態における図5A〜図5Cに示す工程、第4の実施の形態における図6A〜図6Dに示す工程を以下の工程によって置換するものである。 This embodiment, the step shown in FIG 3A~ Figure 3D in the first embodiment, the step shown in FIG 5A~ Figure 5C in the third embodiment, FIG 6A~ view of a fourth embodiment 6D it is intended to replace by the following steps the steps shown in.
【0188】 [0188]
この実施の形態に係る方法では、まず、単結晶Si基板11を準備し、その表面を酸化することにより第2の層14を形成し、その後、水素イオン、ヘリウムイオン或いは不活性ガスイオン等のいずれかを該単結晶Si基板11に注入し、該単結晶Si基板11の所定の深さの部分に多孔質層(微小空洞層)12を形成する。 In the method according to this embodiment, first, to prepare a single-crystal Si substrate 11 by oxidizing the surface to form a second layer 14, then, hydrogen ions, etc. helium ions or inert gas ions injected either into the single-crystal Si substrate 11, porous layer in a portion of the predetermined depth of the single-crystal Si substrate 11 (microcavity layer) to form a 12. これにより、第2の層14の下に第1の層13としての単結晶Si層を有し、その下に多孔質層12を有する第1の基板10が形成される。 Thus, under the second layer 14 has a single-crystal Si layer as the first layer 13, a first substrate 10 having a porous layer 12 is formed thereunder. ここで、単結晶Si基板として、例えば、表面にエピタキシャル成長層を有する基板、表面をH 2中で熱処理した基板、或いは、FZ基板を採用してもよい。 Here, as the single crystal Si substrate, for example, a substrate which the substrate having an epitaxial growth layer on the surface, the surface was heat-treated in H 2, or may be employed FZ substrate. なお、単結晶Si基板として、表面にエピタキシャル成長層を有する基板を採用した場合、第1の層13の全部又は一部(第2の層14側の部分)は、該エピタキシャル成長層で構成することになる。 Incidentally, as the single crystal Si substrate, when employing a substrate having an epitaxial growth layer on the surface, all or part of the first layer 13 (portion of the second layer 14 side), that consist of the epitaxial growth layer Become.
【0189】 [0189]
注入するイオンの加速エネルギーは、注入すべき深さに投影飛程が一致するように設定すればよい。 Acceleration energy of the implanted ions are projected range to be injected depth may be set to match. イオンの注入量に応じて、形成される微小空洞の大きさや密度は変化するが、注入量は、概ね1×10 15 /cm 2以上であることが好ましく、1×10 16 〜1×10 17 /cm 2であることがより好ましい。 Depending on the amount of implantation of ions, the size and density of micro-cavities formed vary, injection volume is preferably approximately 1 × 10 15 / cm 2 or more, 1 × 10 16 ~1 × 10 17 more preferably / cm 2. イオンを注入する深さ(投影飛程)を深くする場合には、チャネリングイオン注入法を採用してもよい。 When deepening the depth of implanting ions (projected range) may be employed channeling ion implantation.
【0190】 [0190]
【実施例】 【Example】
以下、上記の各実施の形態をより具体化した実施例を挙げる。 Hereinafter, more concrete was carried examples of the embodiments described above.
【0191】 [0191]
[第1の実施例] First Embodiment
この実施例は、第1の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the first embodiment.
【0192】 [0192]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図3A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で陽極化成処理を施し、表面に多孔質層12を形成した(図3B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 3A), anodized treatment with HF solution for the single-crystal Si substrate 11, porous layer 12 on the surface It was formed (Figure 3B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0193】 [0193]
<陽極化成条件> <Anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.15μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた(図3C)。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.15μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 3C). この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0194】 [0194]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により100nm厚のSiO 2層14を形成した(図3D)。 Then, SiO 2 layer was formed 14 of 100nm thickness by thermal oxidation on the surface of the single-crystal Si layer 13 was epitaxially grown (Figure 3D).
【0195】 [0195]
次いで、このSiO 2層14の表面と別に用意したSi基板(第2の基板)20の表面とを密着させ(図3E)、その後、1000℃で2時間の熱酸化処理を含む熱処理を施した(図3F)。 Then, Si substrate separately prepared with this surface of the SiO 2 layer 14 is brought into close contact with the (second substrate) 20 of the surface (Fig. 3E), it was then subjected to a heat treatment comprising a thermal oxidation treatment for 2 hours at 1000 ° C. (Fig. 3F).
【0196】 [0196]
この熱酸化処理により、単結晶Si層(第1の層)の外周部が酸化されてその外周端が貼り合わせ基板の内側に後退し、単結晶Si層(第1の層)の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 By this thermal oxidation process, the outer peripheral end of the single-crystal Si layer outer circumferential portion of the (first layer) is oxidized to retract inside the substrate mating an outer peripheral end attached, single-crystal Si layer (first layer) is bonded substrate is obtained located inside the outer peripheral edge stitched area of ​​the first substrate 10 and second substrate 20.
【0197】 [0197]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0198】 [0198]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0199】 [0199]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、多結晶Si層や非晶質Si層を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, it is also possible to form a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer.
【0200】 [0200]
[第2の実施例] Second Embodiment
この実施例は、第1の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the first embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる2つの多孔質層からなる2層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form a porous layer 12 having a two-layer structure consisting of two porous layers having different porosities.
【0201】 [0201]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図3A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図3B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 3A), anodized two-step process in HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 3B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0202】 [0202]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :21(mA/cm 2 Current density: 21 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.15μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた(図3C)。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.15μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 3C). この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0203】 [0203]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により100nm厚のSiO 2層14を形成した(図3D)。 Then, SiO 2 layer was formed 14 of 100nm thickness by thermal oxidation on the surface of the single-crystal Si layer 13 was epitaxially grown (Figure 3D).
【0204】 [0204]
次いで、このSiO 2層の表面と別に用意したSi基板(第2の基板)20の表面とを密着させ(図3E)、その後、1000℃で2時間の熱酸化処理を含む熱処理を施した(図3F)。 Then, the Si substrate prepared separately from the surface of the SiO 2 layer (second substrate) is brought into close contact and 20 of the surface (Fig. 3E), it was then subjected to a heat treatment comprising a thermal oxidation treatment for 2 hours at 1000 ° C. ( Figure 3F).
【0205】 [0205]
この熱酸化処理により、単結晶Si層(第1の層)の外周部が酸化されてその外周端が内側に向かって後退し、単結晶Si層(第1の層)13の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 By this thermal oxidation process, the outer peripheral portion is oxidized to retract the outer peripheral end toward the inner side, the single-crystal Si layer outer peripheral end of the (first layer) 13 of the single-crystal Si layer (first layer) is first bonded substrate is located inside the substrate 10 of the first outer circumference edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 was obtained.
【0206】 [0206]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0207】 [0207]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0208】 [0208]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、多結晶Si層や非晶質Si層を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, it is also possible to form a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer.
【0209】 [0209]
[第3の実施例] Third Embodiment
この実施例は、第1の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the first embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる複数の多孔質層からなる多層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form the porous layer 12 of a multilayer structure comprising a plurality of porous layers having different porosities.
【0210】 [0210]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図3A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図3B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 3A), anodized two-step process in HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 3B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0211】 [0211]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :21(mA/cm 2 Current density: 21 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
<第3段階の陽極化成条件> <Third stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :2(μm) Porous Si thickness: 2 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.3μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた(図3C)。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.3μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 3C). この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0212】 [0212]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により200nm厚のSiO 2層14を形成した(図3D)。 Then, SiO 2 layer was formed 14 of 200nm thickness by thermal oxidation on the surface of the single-crystal Si layer 13 was epitaxially grown (Figure 3D).
【0213】 [0213]
次いで、このSiO 2層の表面と別に用意したSi基板(第2の基板)20の表面とを密着させ(図3E)、その後、1000℃で2時間の熱酸化処理を含む熱処理を施した(図3F)。 Then, the Si substrate prepared separately from the surface of the SiO 2 layer (second substrate) is brought into close contact and 20 of the surface (Fig. 3E), it was then subjected to a heat treatment comprising a thermal oxidation treatment for 2 hours at 1000 ° C. ( Figure 3F).
【0214】 [0214]
この熱酸化処理により、単結晶Si層(第1の層)の外周部が酸化されてその外周端が内側に向かって後退し、単結晶Si層(第1の層)の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 By this thermal oxidation process, the outer peripheral portion is oxidized monocrystalline Si layer (first layer) retracts the outer peripheral end toward the inside, the outer peripheral end of the single-crystal Si layer (first layer) is first is bonded substrate located inside obtained than the substrate 10 and the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20.
【0215】 [0215]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0216】 [0216]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0217】 [0217]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、多結晶Si層や非晶質Si層を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, it is also possible to form a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer.
【0218】 [0218]
[第4の実施例] Fourth Embodiment
この実施例は、第1の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the first embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる2つの多孔質層からなる2層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form a porous layer 12 having a two-layer structure consisting of two porous layers having different porosities.
【0219】 [0219]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図3A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図3B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 3A), anodized two-step process in HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 3B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0220】 [0220]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :5(min) Processing time: 5 (min)
多孔質Si厚 :5.5(μm) Porous Si thickness: 5.5 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :30(mA/cm 2 Current density: 30 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :1.3(min) Processing time: 1.3 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.15μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた(図3C)。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.15μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 3C). この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0221】 [0221]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により100nm厚のSiO 2層14を形成した(図3D)。 Then, SiO 2 layer was formed 14 of 100nm thickness by thermal oxidation on the surface of the single-crystal Si layer 13 was epitaxially grown (Figure 3D).
【0222】 [0222]
次いで、このSiO 2層の表面及び別に用意した表面に400nmの酸化膜を有するSi基板(第2の基板)20の表面に対して、それぞれ窒素プラズマによる表面活性化処理を施した後に水洗し、その後、両基板の表面を密着させた(図3E)。 Then, washing with water the Si substrate (second substrate) 20 surface having the SiO 2 layer surface and 400nm oxide film to another on the surface of the prepared, after performing surface activation treatment by a nitrogen plasma, respectively, Thereafter, it was adhered to the surface of both substrates (Fig. 3E).
【0223】 [0223]
次いで、その基板に1000℃で2時間の熱酸化処理を含む熱処理を施した(図3F)。 It was then subjected to a heat treatment comprising a thermal oxidation treatment for 2 hours at 1000 ° C. to the substrate (Fig. 3F).
【0224】 [0224]
この熱酸化処理により、単結晶Si層(第1の層)の外周部が酸化されてその外周端が内側に向かって後退し、単結晶Si層(第1の層)の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 By this thermal oxidation process, the outer peripheral portion is oxidized monocrystalline Si layer (first layer) retracts the outer peripheral end toward the inside, the outer peripheral end of the single-crystal Si layer (first layer) is first is bonded substrate located inside obtained than the substrate 10 and the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20.
【0225】 [0225]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0226】 [0226]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0227】 [0227]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、多結晶Si層や非晶質Si層を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, it is also possible to form a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer.
【0228】 [0228]
[第5の実施例] Fifth Embodiment
この実施例は、第1の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the first embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる2つの多孔質層からなる2層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form a porous layer 12 having a two-layer structure consisting of two porous layers having different porosities.
【0229】 [0229]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図3A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図3B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 3A), anodized two-step process in HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 3B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0230】 [0230]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :21(mA/cm 2 Current density: 21 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.15μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた(図3C)。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.15μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 3C). この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0231】 [0231]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により100nm厚のSiO 2層14を形成した(図3D)。 Then, SiO 2 layer was formed 14 of 100nm thickness by thermal oxidation on the surface of the single-crystal Si layer 13 was epitaxially grown (Figure 3D).
【0232】 [0232]
次いで、このSiO 2層の表面及び別に用意した石英基板又はガラス基板(第2の基板)20の表面に対して、それぞれ窒素プラズマによる表面活性化処理を施した後に水洗し、その後、両基板の表面を密着させた(図3E)。 Then, with respect to the SiO 2 layer quartz substrate or a glass substrate was prepared surface and into another (second substrate) 20 surface, then washed with water after being subjected to a surface activation treatment by a nitrogen plasma, respectively, then the two substrates the surface was adhered (Fig. 3E). 第2の基板20としては、例えば、サファイア基板等を採用することもできる。 As the second substrate 20, for example, it can be adopted sapphire substrate.
【0233】 [0233]
次いで、その基板に900℃で360分のパイロ酸化処理を施した(図3F)。 It was then subjected to pyro-oxidation treatment 360 min at 900 ° C. on the substrate (Fig. 3F).
【0234】 [0234]
このパイロ酸化処理により、単結晶Si層(第1の層)の外周部が酸化されてその外周端が内側に向かって後退し、単結晶Si層(第1の層)の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 The pyrolytic oxidation process, the outer peripheral portion is oxidized monocrystalline Si layer (first layer) retracts the outer peripheral end toward the inside, the outer peripheral end of the single-crystal Si layer (first layer) is first is bonded substrate located inside obtained than the substrate 10 and the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20.
【0235】 [0235]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0236】 [0236]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0237】 [0237]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、多結晶Si層や非晶質Si層を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, it is also possible to form a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer.
【0238】 [0238]
[第6の実施例] Sixth Embodiment
この実施例は、第1の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the first embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる2つの多孔質層からなる2層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form a porous layer 12 having a two-layer structure consisting of two porous layers having different porosities.
【0239】 [0239]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図3A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図3B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 3A), anodized two-step process in HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 3B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0240】 [0240]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :21(mA/cm 2 Current density: 21 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.1μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた(図3C)。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.1μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 3C). この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0241】 [0241]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により400nm厚のSiO 2層14を形成した(図3D)。 Then, SiO 2 layer was formed 14 of 400nm thickness by thermal oxidation on the surface of the single-crystal Si layer 13 was epitaxially grown (Figure 3D).
【0242】 [0242]
次いで、このSiO 2層の表面と別に用意した表面に400nmの酸化膜を有するSi基板(第2の基板)20の表面とを密着させ(図3E)、その後、1000℃で2時間の熱酸化処理を含む熱処理を施した(図3F)。 Then, Si substrate are brought into close contact with the (second substrate) 20 of the surface (Fig. 3E) having a oxide film of 400nm on the surface Separately prepared surface of the SiO 2 layer, then, the thermal oxidation for 2 hours at 1000 ° C. It was subjected to heat treatment comprising a treatment (Figure 3F).
【0243】 [0243]
この熱酸化処理により、単結晶Si層(第1の層)の外周部が酸化されてその外周端が内側に向かって後退し、単結晶Si層(第1の層)の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 By this thermal oxidation process, the outer peripheral portion is oxidized monocrystalline Si layer (first layer) retracts the outer peripheral end toward the inside, the outer peripheral end of the single-crystal Si layer (first layer) is first is bonded substrate located inside obtained than the substrate 10 and the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20.
【0244】 [0244]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0245】 [0245]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0246】 [0246]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、多結晶Si層や非晶質Si層を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, it is also possible to form a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer.
【0247】 [0247]
[第7の実施例] [Seventh Embodiment]
この実施例は、第2の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the second embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる2つの多孔質層からなる2層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form a porous layer 12 having a two-layer structure consisting of two porous layers having different porosities.
【0248】 [0248]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図4A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図4B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 4A), anodized two-step process in HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 4B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0249】 [0249]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :21(mA/cm 2 Current density: 21 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.15μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.15μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method. この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0250】 [0250]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の上に、外周部分(外周端から約2mmの部分)を露出させ、その内側の部分を覆うレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとしてRIE法により、単結晶Si層13の外周部(外周端から2mmの部分)を除去した(図4C)。 Then, on the single-crystal Si layer 13 is epitaxially grown, to expose the outer peripheral portion (portion of about 2mm from an outer peripheral end), to form a resist film covering the portion of the inner, by RIE using the resist film as a mask to remove the outer peripheral portion of the single-crystal Si layer 13 (portion of 2mm from the outer peripheral end) (Fig. 4C).
【0251】 [0251]
次いで、単結晶Si層13及び露出した多孔質層12の表面に、熱酸化により100nm厚のSiO 2層14を形成した(図4D)。 Then, the single-crystal Si layer 13 and the exposed surface of the porous layer 12 was formed an SiO 2 layer 14 of 100nm thickness by thermal oxidation (Fig. 4D).
【0252】 [0252]
次いで、このSiO 2層14の表面と別に用意したSi基板(第2の基板)20の表面とを密着させ、その後、1100℃で1時間の熱処理を施した(図4E)。 Then, the Si substrate prepared separately from the surface of the SiO 2 layer 14 is brought into close contact with the (second substrate) 20 of the surface, then subjected to heat treatment for 1 hour at 1100 ° C. (FIG. 4E). この際に、基板を酸化させてもよい。 At this time, it may be the substrate is oxidized.
【0253】 [0253]
以上の処理により、単結晶Si層13が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周部よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 By the above process, the single-crystal Si layer 13 is bonded substrate located inside obtained from the outer peripheral portion of the bonded area of ​​the first substrate 10 and second substrate 20.
【0254】 [0254]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13の外周部が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周部よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, the inner side than the outer peripheral portion of the outer peripheral portion of the single-crystal Si layer 13 is bonded area of ​​the first substrate 10 and second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0255】 [0255]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0256】 [0256]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、Ge層、SiC層、化合物半導体(例えば、GaAs、InP、GaN等)層、金属層等を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, Ge layer, SiC layer, compound semiconductor (e.g., GaAs, InP, GaN, etc.) can also be formed layer, a metal layer or the like. この場合、SiO2層14は、CVD法等により形成することができる。 In this case, SiO2 layer 14 can be formed by a CVD method or the like. ただし、SiO2層14を介して第1の基板と第2の基板を貼り合せる必要は必ずしもない。 However, it is not always necessary to bond the first substrate and the second substrate via the SiO2 layer 14.
【0257】 [0257]
[第8の実施例] [Eighth Embodiment]
この実施例は、第2の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the second embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる2つの多孔質層からなる2層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form a porous layer 12 having a two-layer structure consisting of two porous layers having different porosities.
【0258】 [0258]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図4A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図4B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 4A), anodized two-step process in HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 4B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0259】 [0259]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :21(mA/cm 2 Current density: 21 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にMBE法或いは液相成長法により、0.15μm厚の単結晶Si層13を成長させた(図4C)。 Then, by an MBE method or a liquid phase growth method on the porous Si layer 12 was grown single-crystal Si layer 13 of 0.15μm thickness (Fig. 4C). この際、シャッター或いは溶液のるつぼによって多孔質層12の外周部(外周端から約2mmの部分)の一部の部分を覆うことにより、当該部分には単結晶Si層を成長させなかった。 At this time, by the shutter or solution of the crucible cover a part of the portion of the outer peripheral portion of the porous layer 12 (portion of about 2mm from an outer peripheral end), the said portion not grown single-crystal Si layer.
【0260】 [0260]
次いで、単結晶Si層13及び露出した多孔質層12の表面に、熱酸化により100nm厚のSiO 2層14を形成した(図4D)。 Then, the single-crystal Si layer 13 and the exposed surface of the porous layer 12 was formed an SiO 2 layer 14 of 100nm thickness by thermal oxidation (Fig. 4D).
【0261】 [0261]
次いで、このSiO 2層14の表面と別に用意したSi基板(第2の基板)20の表面とを密着させ、その後、1100℃で1時間の熱処理を施した(図4E)。 Then, the Si substrate prepared separately from the surface of the SiO 2 layer 14 is brought into close contact with the (second substrate) 20 of the surface, then subjected to heat treatment for 1 hour at 1100 ° C. (FIG. 4E). この際に、基板を酸化させてもよい。 At this time, it may be the substrate is oxidized.
【0262】 [0262]
以上の処理により、単結晶Si層13の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 By the above processing, the outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13 is bonded substrate located inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the first substrate 10 and second substrate 20 was obtained.
【0263】 [0263]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0264】 [0264]
[第9の実施例] [Ninth Embodiment]
この実施例は、第3の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the third embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる2つの多孔質層からなる2層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form a porous layer 12 having a two-layer structure consisting of two porous layers having different porosities.
【0265】 [0265]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図5A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図5B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 5A), anodized two-step process in HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 5B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0266】 [0266]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :21(mA/cm 2 Current density: 21 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.15μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた(図5C)。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.15μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 5C). この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0267】 [0267]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により100nm厚のSiO 2層14を形成した(図5C)。 Then, SiO 2 layer was formed 14 of 100nm thickness by thermal oxidation on the surface of the single-crystal Si layer 13 was epitaxially grown (Figure 5C).
【0268】 [0268]
次いで、SiO 2層14の上に、外周部(外周端から約2mmの部分)を露出させ、その内側の部分を覆うレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクパターンとして、バッファード弗酸等のエッチング液によりSiO 2層14の外周部を除去した(図5D)。 Next, on the SiO 2 layer 14 to expose the outer peripheral portion (a portion of about 2mm from an outer peripheral end), to form a resist film covering the portion of the inner, the resist film as a mask pattern, buffered hydrofluoric acid or the like removing the outer peripheral portion of the SiO 2 layer 14 by the etchant (FIG. 5D).
【0269】 [0269]
次いで、パタニングされたSiO 2層14aをマスクパターンとして、その下の単結晶Si層13をRIE法等によりエッチングして、単結晶Si層13をパタニングした(図5E)。 Then, as a mask pattern of SiO 2 layer 14a, which is patterned, a single-crystal Si layer 13 thereunder are etched by RIE or the like, a single-crystal Si layer 13 was patterned (FIG. 5E). なお、上記のレジスト膜は、SiO 2層14をパタニングした後に除去してもよいし、単結晶Si層13をパタニングした後に除去してもよい。 Incidentally, the resist film may be removed SiO 2 layer 14 after patterning, may be removed monocrystalline Si layer 13 after patterning.
【0270】 [0270]
次いで、このSiO 2層14aの表面と別に用意したSi基板(第2の基板)20の表面とを密着させ(図5F)、その後、1000℃で2時間の熱酸化処理を含む熱処理を施した(図5G)。 Then, Si substrate prepared separately from the surface of the SiO 2 layer 14a is brought into close contact (second substrate) 20 of the surface (Fig. 5F), then subjected to a heat treatment comprising a thermal oxidation treatment for 2 hours at 1000 ° C. (Figure 5G).
【0271】 [0271]
この熱酸化処理により、単結晶Si層(第1の層)の外周部が酸化されてその外周端が内側に向かって後退し、単結晶Si層(第1の層)の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置する貼り合わせ基板が得られた。 By this thermal oxidation process, the outer peripheral portion is oxidized monocrystalline Si layer (first layer) retracts the outer peripheral end toward the inside, the outer peripheral end of the single-crystal Si layer (first layer) is first is bonded substrate located inside obtained than the substrate 10 and the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20.
【0272】 [0272]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0273】 [0273]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0274】 [0274]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、多結晶Si層や非晶質Si層を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, it is also possible to form a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer.
【0275】 [0275]
[第10の実施例] [Tenth Embodiment]
この実施例は、第4の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the fourth embodiment. ただし、この実施例では、多孔度の異なる2つの多孔質層からなる2層構造の多孔質層12を形成する。 However, in this embodiment, to form a porous layer 12 having a two-layer structure consisting of two porous layers having different porosities.
【0276】 [0276]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し(図6A)、その単結晶Si基板11に対してHF溶液中で2段階の陽極化成処理を施し、表面に2層構造の多孔質層を形成した(図6B)。 First, prepare the single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 (FIG. 6A), subjected to two-step anodizing in an HF solution for the single-crystal Si substrate 11, 2 on the surface to form a porous layer of the layer structure (Fig. 6B). この時の陽極化成の条件は、次の通りである。 Conditions of anodizing at this time, is as follows.
【0277】 [0277]
<第1段階の陽極化成条件> <The first stage of the anodizing conditions>
電流密度 :7(mA/cm 2 Current density: 7 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :11(min) Processing time: 11 (min)
多孔質Si厚 :12(μm) Porous Si thickness: 12 (μm)
<第2段階の陽極化成条件> <Anodizing conditions of the second stage>
電流密度 :21(mA/cm 2 Current density: 21 (mA / cm 2)
陽極化成溶液 :HF:H 2 O:C 25 OH=1:1:1 Anodization solution: HF: H 2 O: C 2 H 5 OH = 1: 1: 1
処理時間 :2(min) Processing time: 2 (min)
多孔質Si厚 :3(μm) Porous Si thickness: 3 (μm)
次いで、多孔質Si層12上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.15μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた(図6C)。 Then, the monocrystalline Si layer 13 of 0.15μm thickness was epitaxially grown by CVD on the porous Si layer 12 (Chemical Vapor Deposition) method (FIG. 6C). この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows. なお、エピタキシャル成長の前段では、H 2中に多孔質Si層12の表面が晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。 In the preceding stage of epitaxial growth, the surface of the porous Si layer 12 is exposed to the H 2, the surface pores are filled, the surface becomes flat.
【0278】 [0278]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により100nm厚のSiO 2層14を形成した(図6D)。 Then, SiO 2 layer was formed 14 of 100nm thickness by thermal oxidation on the surface of the single-crystal Si layer 13 was epitaxially grown (Figure 6D).
【0279】 [0279]
次いで、このSiO 2層14の表面と別に用意したSi基板(第2の基板)20の表面とを密着させ、その後、1100℃で1時間の熱処理を施した(図6E)。 Then, the Si substrate prepared separately from the surface of the SiO 2 layer 14 is brought into close contact with the (second substrate) 20 of the surface, then subjected to heat treatment for 1 hour at 1100 ° C. (FIG. 6E). この際に、貼り合わせた基板を酸化させてもよい。 At this time, it may be oxidized to bonded substrates.
【0280】 [0280]
次いで、貼り合わせた基板の外周部のSiO 2層14をバッファード弗酸等のエッチング液で除去した(図6F)。 Was then removed SiO 2 layer 14 of the outer peripheral portion of the bonded substrates by etchant such as buffered hydrofluoric acid (Fig. 6F).
【0281】 [0281]
次いで、単結晶Si層14の外周部を弗酸、硝酸、酢酸の混合液(混合比は、例えば1:100:100)等でエッチングし、これにより、単結晶Si層の外周部が、第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周部よりも内側に位置するようにした(図6G)。 Then, hydrofluoric acid the outer peripheral portion of the single crystal Si layer 14, nitric acid, a mixture of acetic acid (the mixing ratio is for example 1: 100: 100) is etched in such, thereby, the outer peripheral portion of the single crystal Si layer, the It was as to lie inside the substrate 10 of the first outer circumference portion of the bonded area of ​​the second substrate 20 (FIG. 6G).
【0282】 [0282]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0283】 [0283]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0284】 [0284]
第1の層13として、単結晶Si層を形成する代わりに、例えば、Ge層、SiC層、化合物半導体(例えば、GaAs、InP、GaN等)層、金属層等を形成することもできる。 As the first layer 13, instead of forming a single-crystal Si layer, for example, Ge layer, SiC layer, compound semiconductor (e.g., GaAs, InP, GaN, etc.) can also be formed layer, a metal layer or the like. この場合、SiO 2層14は、CVD法等により形成することができる。 In this case, SiO 2 layer 14 can be formed by a CVD method or the like. ただし、SiO 2層14を介して第1の基板と第2の基板を貼り合せる必要は必ずしもない。 However, it is not always necessary to bond the first substrate and the second substrate via the SiO 2 layer 14.
【0285】 [0285]
[第11の実施例] [Eleventh Embodiment]
この実施例は、第5の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the fifth embodiment.
【0286】 [0286]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11を準備し、その表面にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により0.4μm厚の単結晶Si層13をエピタキシャル成長させた。 First, a single-crystal Si substrate 11 for forming the first substrate 10 is prepared, the single-crystal Si layer 13 of 0.4μm thickness was epitaxially grown by CVD (Chemical Vapor Deposition) on the surface thereof. この時の成長条件は以下の通りである。 Growth conditions at this time is as follows.
【0287】 [0287]
<エピタキシャル成長条件> <Epitaxial growth conditions>
ソ−スガス:SiH 2 Cl 2 /H 2 Seo - Sugasu: SiH 2 Cl 2 / H 2
ガス流量 :0.5/180(l/min) Gas flow rate: 0.5 / 180 (l / min)
ガス圧力 :80(Torr) Gas pressure: 80 (Torr)
温度 :950(℃) Temperature: 950 (℃)
成長速度 :0.30(μm/min) Growth rate: 0.30 (μm / min)
次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Si層13の表面に熱酸化により200nm厚のSiO 2層14を形成した次いで、この基板に対して、表面のSiO 2層を通して40keVで5×10 16 cm -2の水素イオンを注入して、単結晶Si基板11の所定の深さの部分に多孔質層(微小空洞層)12を形成した。 Then, followed by forming the SiO 2 layer 14 by thermal oxidation of the surface of a 200nm thick single-crystal Si layer 13 is epitaxially grown on this substrate, at 40keV through the SiO 2 layer on the surface of 5 × 10 16 cm -2 by implanting hydrogen ions, to form a porous layer (microcavity layer) 12 at a predetermined depth of the portion of the single-crystal Si substrate 11. これにより、例えば図5Cに示すような基板が得られる。 Thus, for example, a substrate as shown in FIG. 5C is obtained. このイオン注入工程は、例えば、ビームによるイオン注入装置やプラズマによる一括注入プラズマ装置を利用して実施することができる。 This ion implantation step may, for example, can be carried out using a batch injection plasma apparatus according to an ion implantation apparatus or a plasma by the beam.
【0288】 [0288]
次いで、SiO 2層14の上に、外周部(外周端から約2mmの部分)を露出させ、その内側の部分を覆うレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクパターンとして、バッファード弗酸等のエッチング液によりSiO 2層14の外周部を除去した(図5D)。 Next, on the SiO 2 layer 14 to expose the outer peripheral portion (a portion of about 2mm from an outer peripheral end), to form a resist film covering the portion of the inner, the resist film as a mask pattern, buffered hydrofluoric acid or the like removing the outer peripheral portion of the SiO 2 layer 14 by the etchant (FIG. 5D).
【0289】 [0289]
次いで、パタニングされたSiO 2層14aをマスクパターンとして、その下の単結晶Si層13をRIE法等によりエッチングして、単結晶Si層13をパタニングした(図5E)。 Then, as a mask pattern of SiO 2 layer 14a, which is patterned, a single-crystal Si layer 13 thereunder are etched by RIE or the like, a single-crystal Si layer 13 was patterned (FIG. 5E). なお、上記のレジスト膜は、SiO 2層14をパタニングした後に除去してもよいし、単結晶Si層13をパタニングした後に除去してもよい。 Incidentally, the resist film may be removed SiO 2 layer 14 after patterning, may be removed monocrystalline Si layer 13 after patterning.
【0290】 [0290]
次いで、このSiO 2層14の表面及び別に用意した表面に400nmの酸化膜を有するSi基板(第2の基板)20の表面に対して、それぞれ窒素プラズマによる表面活性化処理を施した後に水洗し、その後、両基板の表面を密着させた(図5F)。 Then, washing with water the Si substrate (second substrate) 20 surface having the SiO 2 layer 14 oxide film on the surface and another on a prepared surface 400nm of, after performing the surface activation treatment by a nitrogen plasma, respectively and then brought into close contact with the surface of the substrates (FIG. 5F). その後、200℃程度で熱処理を実施して貼り合せを強固にしてもよい。 Then, it is also possible to strengthen the bonding and heat treatment is performed at about 200 ° C..
【0291】 [0291]
以上の処理により、単結晶Si層(第1の層)の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端と一致した貼り合わせ基板が得られた。 By the above processing, the outer peripheral edge was bonded substrate coincides with the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the first substrate 10 and second substrate 20 was obtained in the single-crystal Si layer (first layer).
【0292】 [0292]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層の外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, positioned inside the outer peripheral end of the outer peripheral end of the single-crystal Si layer bonded area of ​​the first substrate 10 and second substrate 20 as to, it may be carried out above steps.
【0293】 [0293]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0294】 [0294]
[第12の実施例] [Twelfth Embodiment]
この実施例は、第5の実施の形態の具体例を提供する。 This example provides a specific example of the fifth embodiment.
【0295】 [0295]
まず、第1の基板10を形成するための単結晶Si層11を準備し、その表面に熱酸化により200nm厚のSiO 2層14を形成した。 First, a single-crystal Si layer 11 for forming the first substrate 10 was prepared, to form the SiO 2 layer 14 of 200nm thickness by thermal oxidation on the surface thereof.
【0296】 [0296]
次いで、この基板に対して、表面のSiO 2層14を通して40keVで5×10 16 cm -2の水素イオンを注入して、単結晶Si基板11の所定の深さの部分に多孔質層(微小空洞層)12を形成した。 Then, to this substrate, by implanting hydrogen ions on the surface of the SiO 2 layer 14 40 keV at 5 × 10 16 cm -2 through, at a predetermined depth of the portion of the single-crystal Si substrate 11 porous layer (minute thereby forming a cavity layer) 12. これにより、多孔質層12とSiO 2との間には、単結晶Si層13が形成され、例えば図6Dに示すような第1の基板10が得られる。 Thus, between the porous layer 12 and SiO 2, is formed single-crystal Si layer 13, for example, the first substrate 10 as shown in FIG. 6D is obtained. このイオン注入工程は、例えば、ビームによるイオン注入装置やプラズマによる一括注入プラズマ装置を利用して実施することができる。 This ion implantation step may, for example, can be carried out using a batch injection plasma apparatus according to an ion implantation apparatus or a plasma by the beam.
【0297】 [0297]
次いで、このSiO 2層14の表面及び別に用意した表面に200nmの酸化膜を有するSi基板(第2の基板)20の表面に対して、それぞれ窒素プラズマによる表面活性化処理を施した後に水洗し、その後、両基板の表面を密着させた(図6E)。 Then, washing with water the Si substrate (second substrate) 20 surface having the SiO 2 layer 14 oxide film on the surface and another on a prepared surface 200nm of, after performing the surface activation treatment by a nitrogen plasma, respectively and then brought into close contact with the surface of the substrates (FIG. 6E). その後、200℃程度で熱処理を実施して貼り合せを強固にしてもよい。 Then, it is also possible to strengthen the bonding and heat treatment is performed at about 200 ° C..
【0298】 [0298]
次いで、貼り合わせた基板の外周部のSiO 2層14をバッファード弗酸等のエッチング液で除去した(図6F)。 Was then removed SiO 2 layer 14 of the outer peripheral portion of the bonded substrates by etchant such as buffered hydrofluoric acid (Fig. 6F).
【0299】 [0299]
次いで、単結晶Si層14の外周部を弗酸、硝酸、酢酸の混合液(混合比は、例えば1:100:100)等でエッチングし、これにより、単結晶Si層の外周部が、第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周部よりも内側に位置するようにした(図6G)。 Then, hydrofluoric acid the outer peripheral portion of the single crystal Si layer 14, nitric acid, a mixture of acetic acid (the mixing ratio is for example 1: 100: 100) is etched in such, thereby, the outer peripheral portion of the single crystal Si layer, the It was as to lie inside the substrate 10 of the first outer circumference portion of the bonded area of ​​the second substrate 20 (FIG. 6G).
【0300】 [0300]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置のみにおいて、単結晶Si層13aの外周端が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周端よりも内側に位置するように、上記の工程を実施してもよい。 Note that in the position only for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate, outer peripheral end of the single-crystal Si layer 13a is a first substrate 10 inside the outer peripheral edge of the bonded area of ​​the second substrate 20 so as to be positioned, it may implement the described process.
【0301】 [0301]
次いで、図3G〜図3Jに示す工程を実施することによりSOI基板が得られた。 Then, SOI substrate was obtained by performing the steps shown in FIG 3G~ Figure 3J.
【0302】 [0302]
[第13の実施例] [13th Embodiment]
この実施例は、第1〜第12の実施例に従って作成される貼り合わせ基板を分離してSOI基板等の半導体基板を作成する工程の具体例を提供するものであり、図3G〜図3Jに示す工程に相当する。 This embodiment is intended to provide specific examples of the first to twelfth step of creating a semiconductor substrate such as an SOI substrate by separating a bonded substrate is prepared according to Example of Figure 3G~ Figure 3J It corresponds to the step shown.
【0303】 [0303]
まず、貼り合わせ基板を回転させながら、該貼り合わせ基板の外周部の隙間に向けて、例えば0.2mm径に絞られた流体(例えば、水等の液体、窒素や空気等の気体)を噴射し、該流体により貼り合わせ基板を2枚の基板に分離した(図3G)。 First, while rotating the bonded substrate, injected toward the gap between the outer peripheral portion of the bonded substrate Ri 該貼, for example fluid squeezed 0.2mm diameter (e.g., such as water liquid, nitrogen or a gas such as air) to and to separate the bonded substrate stack by the fluid in the two substrates (Fig. 3G). この流体として水を利用する方法は、ウォータジェット法と呼ばれる。 How to use water as the fluid is called a water jet method. 貼り合わせ基板の分離は、例えば、図3Gの矢印Dに示すように、貼り合わせ界面から始まり、SiO 2層を基板の内側方向に向かって斜めに横切って多孔質層12に至り、以降は、多孔質層12の部分のみで分離が進行した。 Separation of the bonded substrate may be, for example, as shown by an arrow D in FIG. 3G, begins bonding interface and reaches the porous layer 12 across diagonally toward the SiO 2 layer in the inward direction of the substrate, since, only the separation portion of the porous layer 12 has progressed.
【0304】 [0304]
この時、SiO 2層と単結晶Si層との界面に沿って分離が進行することはなく、また、単結晶Si層を大幅に破壊することもなく、分離工程による欠陥(単結晶Si層の領域の大幅な減少)は発生しなかった。 At this time, it never separated along the interface between the SiO 2 layer and the single crystal Si layer proceeds, and it no to significantly disrupt the single-crystal Si layer, by the separation process defects (single-crystal Si layer a significant reduction in area) did not occur. ただし、分離は、SiO 2層を基板の内側方向に向かって斜めに横切って進行するため、単結晶Si層の面積は、許容可能な範囲内で、若干だけ減少する。 However, the separation is to proceed diagonally across toward the SiO 2 layer on the inner side direction of the substrate, the area of the single-crystal Si layer is within an acceptable range, reduced by a little.
【0305】 [0305]
なお、貼り合わせ基板の全周のうち分離を開始する位置(以下、分離開始位置)のみにおいて、単結晶Si層の外周部が第1の基板10と第2の基板20との貼り合わせ領域の外周部よりも内側に位置する貼り合わせ基板(以下、分離開始位置が指定された基板)についても、上記と同様に良好な結果が得られた。 The position for starting the separation of the entire circumference of the bonded substrate (hereinafter, separation start position) at only the outer peripheral portion of the single crystal Si layer and the first substrate 10 of the bonded area of ​​the second substrate 20 bonded substrate is positioned inside the outer peripheral portion regard to (hereinafter, substrate specified separation start position), as with the good results were obtained. ただし、この場合は、分離工程の開始時は、分離開始位置に向けて流体を噴射する必要がある。 However, in this case, at the start of the separation process, it is necessary to inject fluid toward the separation start position.
【0306】 [0306]
この分離工程により、図3Hに模式的に示すような基板が得られた。 This separation step, the substrate as shown schematically in Figure 3H is obtained. 分離工程(図3G)に次いで、第2の基板20a側に残った多孔質層12aを49%弗酸と30%過酸化水素水と水との混合液によって選択的にエッチングした(図3I)。 Following the separation step (Fig. 3G), was selectively etched by a liquid mixture of the remaining porous layer 12a of 49% hydrofluoric acid and 30% hydrogen peroxide and water on the second substrate 20a side (FIG. 3I) . 多孔質層12aの下層の単結晶Si層13aは、エッチングストップ層として機能する。 Underlying single-crystal Si layer 13a of the porous layer 12a functions as an etching stop layer. 非多孔質単結晶Siのエッチング速度は多孔質Siに対して極めて低く、上記の混合液による多孔質Si(多孔質Si層12a)と非多孔質Si(単結晶Si層13a)とのエッチングの選択比は、10 5以上である。 Etch rate of non-porous monocrystalline Si is extremely low relative to the porous Si, the etching of the porous Si by the above mixture and (porous Si layer 12a) and the non-porous Si (single-crystal Si layer 13a) selection ratio is 10 5 or more. 従って、このエッチング工程による単結晶Si層13aの膜厚の減少は、実用上無視することができる。 Therefore, reduction in the thickness of the single-crystal Si layer 13a by the etching process can be practically ignored.
【0307】 [0307]
次いで、基板の外周部に残っているSiO 2膜を除去した(図3J)。 Then, the SiO 2 film is removed remaining on the outer peripheral portion of the substrate (Fig. 3J). ただし、この工程は、必ずしも実施する必要はない。 However, this process does not necessarily need to be performed.
【0308】 [0308]
以上の工程により形成されたSOI基板(図3J)の単結晶Si層の膜厚を面内の全面にわたって100点について測定した結果、膜厚のばらつきは±3%以内であった。 More SOI substrate formed by the process (Fig. 3J) results of thickness of the single crystal Si layer was measured at 100 points on the entire surface of, variation of thickness was within 3% ±.
【0309】 [0309]
更に、この基板に対して、水素中において1100℃で1時間の熱処理を施した後に、表面粗さを原子間力顕微鏡で評価した結果、50μm角の領域で、平均自乗粗さは、大凡0.2nmであった。 Furthermore, with respect to the substrate, after performing heat treatment for 1 hour at 1100 ° C. in hydrogen, the result of the surface roughness was evaluated with an atomic force microscope, in the region of 50μm square, mean square roughness approximately 0 was .2nm. これは通常市販されているSi基板と同等の表面粗さである。 This is a Si substrate the same surface roughness that is usually commercially available.
【0310】 [0310]
また、透過型電子顕微鏡による断面観察の結果、単結晶Si層には、結晶欠陥が導入されておらず、良好な結晶性を有することが確認された。 Also, transmission electron microscope observation of the cross section by, in the single-crystal Si layer is not crystal defects are introduced, it was confirmed that a good crystallinity.
【0311】 [0311]
分離された2枚の基板のうち、第1の基板側については、その表面に残った多孔質Si層を49%弗酸と30%過酸化水素水と水との混合液によって選択的にエッチングした。 Of the separated two substrates, for the first substrate side, selectively etching the remaining porous Si layer on the surface by a mixture of 49% hydrofluoric acid and 30% hydrogen peroxide and water did. 多孔質層12aの下層の単結晶Si層13aは、エッチングストップ層として機能する。 Underlying single-crystal Si layer 13a of the porous layer 12a functions as an etching stop layer. この工程により得られた基板は、第1の基板10を形成するための単結晶Si基板11又は第2の基板20として利用することができた。 Substrate obtained by this process could be used as a single-crystal Si substrate 11 or the second substrate 20 for forming the first substrate 10.
【0312】 [0312]
ここで、分離後の第1の基板側を再利用する前に、これに水素中において1100℃で1時間の熱処理を施して、微小孔に起因する表面荒れ(マイクロラフネス)を回復してもよい。 Here, before reusing the first substrate side after separation, this is subjected to heat treatment for 1 hour at 1100 ° C. in hydrogen, even to recover the surface roughness due to micropores (microroughness) good. ただし、分離後の第1の基板側を、第1の基板を形成するための基板11として再利用する場合には、エピタキシャル成長工程の前段の水素中でのプリベ−ク工程において、多孔質層の表面の孔のシールと同時に表面が平坦化されるため、上記のマイクロラフネスの平坦化工程は、必ずしも必要ではない。 However, the first substrate side after separation, when reused as a substrate 11 for forming the first substrate, Prevailing in hydrogen for the preceding stage of the epitaxial growth step - in click process, the porous layer since sealing at the same time as the surface of the surface of the hole is flattened, flattening step of the microroughness is not necessary. なお、水素中での熱処理の代わりに、表面タッチポリッシュによりマイクロラフネスを平坦化してもよい。 Instead of heat treatment in hydrogen, the microroughness may be planarized by surface touch polishing.
【0313】 [0313]
多孔質Si層の除去には、上記の混合液のみならず、Siのエッチング用の他のエッチング液(例えば、弗酸、硝酸、酢酸)を利用することもできるい。 The removal of the porous Si layer, Dekirui not only the above mixture, other etching solution for etching Si (e.g., hydrofluoric acid, nitric acid, acetic acid) may be utilized. また、多孔質Si層は、研磨によって除去することもできる。 The porous Si layer can also be removed by polishing.
【0314】 [0314]
再利用する基板に第1の層として多結晶Si層や非晶質Si層を形成する場合には、上記のような平坦化工程を実施する必要は必ずしもない。 As in the case of forming a polycrystalline Si layer or an amorphous Si layer is the first layer to the substrate to be reused, it is not always necessary to carry out a planarization process, such as described above. また、第1の層としてSi層以外の層を形成する場合には、貼り合わせ基板を分離した後、第1の基板側の表面を研磨又はエッチングし、そのまま再利用することもできる。 In the case of forming a layer other than the Si layer as the first layer, after separating the bonded substrate is polished or etched surface of the first substrate side can be reused.
【0315】 [0315]
[第14の実施例] [14th embodiment]
第13の実施例における流体による分離工程を、例えば、次のような分離工程によって置換することもできる。 The separation process according to the fluid in the thirteenth embodiment, for example, may be replaced by following separation step.
【0316】 [0316]
(1)楔による分離工程貼り合わせ基板の外周部の隙間(分離開始位置が指定された基板については、分離開始位置)に、例えば樹脂製の薄い楔を緩やかに挿入することにより、該貼り合わせ基板は、2枚の基板に分離される。 (1) clearance of the outer peripheral portion separation step bonded substrate by (for substrate separation start position is designated, separation start position) wedges, for example, by slowly inserting a resin thin wedge, combined Ri 該貼the substrate is separated into two substrates.
【0317】 [0317]
この時、SiO 2層と単結晶Si層との界面に沿って分離が進行することはなく、分離工程による欠陥(単結晶Si層の領域の大幅な減少)が発生しないことが確認されている。 At this time, never separated along the interface between the SiO 2 layer and the single crystal Si layer progresses, defects due to separation step (a significant reduction in area of the single-crystal Si layer) that does not occur has been confirmed . ただし、分離は、SiO 2層を基板の内側方向に向かって斜めに横切って進行するため、単結晶Si層の面積は、許容可能な範囲内で、若干だけ減少する。 However, the separation is to proceed diagonally across toward the SiO 2 layer on the inner side direction of the substrate, the area of the single-crystal Si layer is within an acceptable range, reduced by a little.
【0318】 [0318]
(2)引き剥がしによる分離工程貼り合わせ基板の一方の面を固定し、フレキシブルテープ等を利用して他方の面を該貼り合わせ基板の軸方向に引っ張ることにより、該貼り合わせ基板を多孔質層で分離する。 (2) peel one surface of the separation step the bonded substrate was fixed by, by pulling using a flexible tape or the like in the axial direction of the substrate combined Ri 該貼 the other side, a porous layer of the substrate combined Ri 該貼in to separate. なお、分離開始位置が指定された基板については、分離開始位置から分離を開始する。 As for substrate separation start position is designated, it starts separating from the separation start position.
【0319】 [0319]
(3)せん断応力による分離工程貼り合わせ基板の一方の面を固定し、他方の面を該貼り合わせ基板の面方向に移動させるように該他方の面に力を印加することにより、せん断応力によって該貼り合わせ基板を多孔質層で分離する。 (3) one surface of the separation step the bonded substrate by shear stress was fixed by applying a force to the surface of said other to move the other surface Ri fit the surface direction of the substrate 該貼, by shear stress the bonded separating the substrate at the porous layer.
【0320】 [0320]
(4)超音波による分離工程貼り合わせ基板に超音波を供給し、該超音波により多孔質層を破壊することにより、該貼り合わせ基板を多孔質層で分離する。 (4) supplying an ultrasonic wave to the separation step the bonded substrate by the ultrasonic, by breaking the porous layer by ultrasonic, separated at the porous layer to the substrate combined Ri 該貼.
【0321】 [0321]
[その他] [More]
上記の実施例において、多孔質層上に第1の層を成長させる方法としては、CVD法の他、例えば、MBE法、スパッタ法、液相成長法等の種々の方法を採用することができる。 In the above embodiment, as a method of growing a first layer on the porous layer, in addition to the CVD method, for example, it can be adopted MBE method, a sputtering method, various methods such as liquid phase epitaxy .
【0322】 [0322]
また、上記の実施例において、多孔質Si層の選択的なエッチングに使用するエッチング液としては、49%弗酸と30%過酸化水素水と水との混合液の他、例えば、 Further, in the above embodiment, as an etchant for the selective etching of the porous Si layer, another mixture of 49% hydrofluoric acid and 30% hydrogen peroxide and water, for example,
a)弗酸と水との混合液、 a) a mixed solution of hydrofluoric acid and water,
b)弗酸と水との混合液にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも一方を添加した混合液、 b) solution mixture prepared by adding at least one of alcohol and hydrogen peroxide in a mixture of hydrofluoric acid and water,
c)バッファード弗酸、 c) buffered hydrofluoric acid,
d)バッファード弗酸にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも一方を添加した混合液、又は、 d) solution mixture prepared by adding at least one of alcohol and hydrogen peroxide to buffered hydrofluoric acid, or,
e)弗酸、硝酸及び酢酸の混合液、 e) hydrofluoric acid, a mixture of nitric acid and acetic acid,
等の種々のエッチング液を採用することができる。 It is possible to employ various etchant like.
【0323】 [0323]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明によれば、貼り合わせ基板を分離する際の欠陥の発生を防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of defects in separating the bonded substrate.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】SOI基板の基本的な製造方法を概略的に説明するための図である。 1 is a diagram for explaining the basic method of manufacturing the SOI substrate schematically.
【図2】図1に示す製造方法の問題点を説明するための図である。 2 is a diagram for the problem will be described the manufacturing method shown in FIG.
【図3A】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to a first embodiment of FIG. 3A invention.
【図3B】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 3B is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of the present invention.
【図3C】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 3C is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of the present invention.
【図3D】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of FIG. 3D present invention.
【図3E】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of FIG. 3E present invention.
【図3F】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of FIG. 3F present invention.
【図3G】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of FIG. 3G invention.
【図3H】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of FIG. 3H the present invention.
【図3I】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of FIG. 3I present invention.
【図3J】本発明の第1の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the first embodiment of FIG. 3J present invention.
【図4A】本発明の第2の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 4A is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the second embodiment of the present invention.
【図4B】本発明の第2の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 4B is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the second embodiment of the present invention.
【図4C】本発明の第2の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the second embodiment of FIG. 4C present invention.
【図4D】本発明の第2の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a semiconductor substrate manufacturing process according to the second embodiment of FIG. 4D present invention.
【図4E】本発明の第2の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 4E illustrates a portion of a semiconductor substrate manufacturing process according to the second embodiment of the present invention.
【図5A】本発明の第3の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 5A is a diagram showing a part of a third semiconductor substrate according to the embodiment of the production process of the present invention.
【図5B】本発明の第3の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 5B is a diagram showing a part of a third semiconductor substrate according to the embodiment of the production process of the present invention.
【図5C】本発明の第3の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 5C is a diagram showing a part of the third semiconductor substrate according to the embodiment of the production process of the present invention.
【図5D】本発明の第3の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 5D is a diagram showing a part of a third semiconductor substrate according to the embodiment of the production process of the present invention.
【図5E】本発明の第3の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 5E is a diagram showing a part of a third semiconductor substrate according to the embodiment of the production process of the present invention.
【図5F】本発明の第3の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 5F is a diagram showing a part of a third semiconductor substrate according to the embodiment of the production process of the present invention.
【図5G】本発明の第3の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of a third semiconductor substrate according to the embodiment of the manufacturing process of FIG. 5G present invention.
【図6A】本発明の第4の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 6A is a diagram showing a part of a manufacturing process of a semiconductor substrate according to a fourth embodiment of the present invention.
【図6B】本発明の第4の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 6B is a diagram showing a part of the fourth semiconductor substrate according to an embodiment of the production process of the present invention.
【図6C】本発明の第4の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 6C is a diagram showing a part of the fourth semiconductor substrate according to an embodiment of the production process of the present invention.
【図6D】本発明の第4の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 6D is a diagram showing a part of the fourth semiconductor substrate according to an embodiment of the production process of the present invention.
【図6E】本発明の第4の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Figure 6E is a diagram showing a part of the fourth semiconductor substrate according to an embodiment of the production process of the present invention.
【図6F】本発明の第4の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 Is a diagram showing a part of the fourth semiconductor substrate according to an embodiment of the manufacturing process of FIG. 6F present invention.
【図6G】本発明の第4の実施の形態に係る半導体基板の製造工程の一部を示す図である。 It is a diagram showing a part of the fourth semiconductor substrate according to an embodiment of the manufacturing process of FIG. 6G present invention.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
10 第1の基板11 半導体基板12 多孔質層13 第1の層14 第2の層20 第2の基板 10 first substrate 11 semiconductor substrate 12 porous layer 13 the first layer 14 second layer 20 second substrate

Claims (5)

  1. 基板の製造方法であって、 A method for manufacturing a substrate,
    内部に多孔質層を有し、その上に第1の層を有し、その上に更に第2の層を有する第1の基板を作成する第1工程と、 Which incorporates a porous layer, having a first layer thereon, a first step of creating a first substrate further having a second layer thereon,
    前記第1の基板の主面と第2の基板とを貼り合せて、貼り合わせ基板を作成する第2工程と、 By bonding the main surface and a second substrate of said first substrate, a second step of creating a bonded substrate,
    前記第1の層の外周部の少なくとも一部を酸化させることにより 、前記第1の層の外周端の少なくとも一部を前記貼り合わせ基板の内部方向に後退させる第3工程と、 By oxidizing at least a portion of the outer peripheral portion of the first layer, and a third step of retracting toward the interior of the at least a portion of the bonding the substrate of the outer peripheral edge of said first layer,
    前記第3工程に次いで、前記貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で2枚の基板に分離する第4工程とを含み、 Following the third step, and a fourth step of separating the bonded substrate into two substrates at the portion of the porous layer,
    前記第4工程において、前記分離は、前記貼り合わせ基板における貼り合わせ界面から始まり、前記第2の層を横切って前記多孔質層に至る、 In the fourth step, the separation starts from the bonding interface in the bonded substrate, leading to the porous layer across the second layer,
    ことを特徴とする基板の製造方法。 Method of manufacturing a substrate, characterized in that.
  2. 前記第1工程は、Si基板に陽極化成処理を施すことにより前記多孔質層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。 The first step is the manufacturing method of the substrate according to claim 1, characterized in that it comprises a step of forming the porous layer by subjecting the anodizing the Si substrate.
  3. 前記第1工程は、 The first step,
    前記多孔質層の上に前記第1の層としてのSi層を形成する工程と、 Forming an Si layer as the first layer on the porous layer,
    前記Si層の表面を熱酸化させることにより、前記Si層上に前記第2の層としてのSiO 2層を形成する工程と、 By surface thermal oxidation of the Si layer, forming a SiO 2 layer as the second layer on the Si layer,
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。 A method for manufacturing a substrate according to claim 1, characterized in that it comprises a.
  4. 前記分離工程では、前記貼り合わせ基板の貼り合わせ面付近に向けて流体を噴射し、該流体により前記貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で2枚の基板に分離することを特徴とする請求項に記載の基板の製造方法。 Wherein in the separation step, injecting a fluid toward the vicinity of the bonding boundary surface of the bonded substrate, and separating the bonded substrate into two substrates at the portion of the porous layer by the fluid a method for manufacturing a substrate according to claim 1.
  5. 基板の製造方法であって、 A method for manufacturing a substrate,
    内部に多孔質層を有し、該多孔質層の外周部以外の部分の上に第1の層を有し、更に該第1の層の上を覆う第2の層を有する第1の基板を作成する第1工程と、 Having a porous layer inside, having a first layer on a portion other than the outer peripheral portion of the porous layer, further a first substrate having a second layer overlying the first layer a first step of creating,
    前記第1の基板の主面と第2の基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板を作成する第2工程と、 A second step of creating a bonded substrate by bonding the main surface and a second substrate of said first substrate,
    前記第2工程に次いで、前記貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で2枚の基板に分離する第3工程とを含み、 Following the second step, and a third step of separating the bonded substrate into two substrates at the portion of the porous layer,
    前記第3工程において、前記分離は、前記貼り合わせ基板における貼り合わせ界面から始まり、前記第2の層を横切って前記多孔質層に至る、 In the third step, the separation starts from the bonding interface in the bonded substrate, leading to the porous layer across the second layer,
    ことを特徴とする基板の製造方法。 Method of manufacturing a substrate, characterized in that.
JP2548199A 1999-02-02 1999-02-02 Method of manufacturing a substrate Expired - Fee Related JP4313874B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2548199A JP4313874B2 (en) 1999-02-02 1999-02-02 Method of manufacturing a substrate

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2548199A JP4313874B2 (en) 1999-02-02 1999-02-02 Method of manufacturing a substrate
EP20000300720 EP1026728A3 (en) 1999-02-02 2000-01-31 Substrate and method of manufacturing the same
US09496130 US6624047B1 (en) 1999-02-02 2000-02-01 Substrate and method of manufacturing the same
CN 00105306 CN1272684A (en) 1999-02-02 2000-02-02 Substrate and its manufacturing method
KR20000005286A KR100371450B1 (en) 1999-02-02 2000-02-02 Substrate and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000223681A true JP2000223681A (en) 2000-08-11
JP4313874B2 true JP4313874B2 (en) 2009-08-12

Family

ID=12167254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2548199A Expired - Fee Related JP4313874B2 (en) 1999-02-02 1999-02-02 Method of manufacturing a substrate

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6624047B1 (en)
EP (1) EP1026728A3 (en)
JP (1) JP4313874B2 (en)
KR (1) KR100371450B1 (en)
CN (1) CN1272684A (en)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2774511B1 (en) * 1998-01-30 2002-10-11 Commissariat Energie Atomique Compliant substrate in particular for a deposit by hetero-epitaxy
KR100446624B1 (en) 2002-02-27 2004-09-04 삼성전자주식회사 Anodic bonding structure and fabricating method thereof
KR100476901B1 (en) * 2002-05-22 2005-03-17 삼성전자주식회사 Method of forming SOI(Silicon-On-Insulator) semiconductor substrate
US6995430B2 (en) 2002-06-07 2006-02-07 Amberwave Systems Corporation Strained-semiconductor-on-insulator device structures
US20030227057A1 (en) 2002-06-07 2003-12-11 Lochtefeld Anthony J. Strained-semiconductor-on-insulator device structures
JP3944087B2 (en) * 2003-01-21 2007-07-11 株式会社東芝 Manufacturing method of the element forming substrate
US7105448B2 (en) * 2003-02-28 2006-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for peeling off semiconductor element and method for manufacturing semiconductor device
US7122095B2 (en) * 2003-03-14 2006-10-17 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Methods for forming an assembly for transfer of a useful layer
US7301802B2 (en) * 2003-06-09 2007-11-27 Nantero, Inc. Circuit arrays having cells with combinations of transistors and nanotube switching elements
FR2860842B1 (en) * 2003-10-14 2007-11-02 Tracit Technologies Process for the preparation and assembly of substrates
JP4838504B2 (en) * 2004-09-08 2011-12-14 キヤノン株式会社 A method of manufacturing a semiconductor device
EP1667223B1 (en) * 2004-11-09 2009-01-07 S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. Method for manufacturing compound material wafers
US20060113603A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-01 Amberwave Systems Corporation Hybrid semiconductor-on-insulator structures and related methods
US7393733B2 (en) 2004-12-01 2008-07-01 Amberwave Systems Corporation Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures
JP2006173354A (en) * 2004-12-15 2006-06-29 Canon Inc Manufacturing method of soi substrate
FR2880189B1 (en) 2004-12-24 2007-03-30 Tracit Technologies Sa Deferral Method of a circuit on a ground plane
FR2880184B1 (en) * 2004-12-28 2007-03-30 Commissariat Energie Atomique Method of trimming a structure obtained by assembling two plates
US7820495B2 (en) * 2005-06-30 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
FR2899594A1 (en) * 2006-04-10 2007-10-12 Commissariat Energie Atomique substrates assembly process with heat treatment was low temperatures
KR101443580B1 (en) 2007-05-11 2014-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Method for manufacturing semiconductor device
US8110478B2 (en) * 2007-10-23 2012-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate, display panel, and display device
FR2939962B1 (en) 2008-12-15 2011-03-18 Soitec Silicon On Insulator Method for thinning a structure.
JP5244650B2 (en) * 2009-02-26 2013-07-24 信越半導体株式会社 Manufacturing method of Soi wafer
US8476165B2 (en) * 2009-04-01 2013-07-02 Tokyo Electron Limited Method for thinning a bonding wafer
EP2246882B1 (en) * 2009-04-29 2015-03-04 Soitec Method for transferring a layer from a donor substrate onto a handle substrate
KR101105918B1 (en) * 2009-11-30 2012-01-17 주식회사 엘지실트론 Method of manufacturing nitride compound semiconductor device
US20120129318A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atmospheric pressure plasma etching apparatus and method for manufacturing soi substrate
FR2969373B1 (en) * 2010-12-20 2013-07-19 St Microelectronics Crolles 2 Method for assembling two plates and corresponding device
US9393669B2 (en) * 2011-10-21 2016-07-19 Strasbaugh Systems and methods of processing substrates
GB201211309D0 (en) * 2012-06-26 2012-08-08 Fujifilm Mfg Europe Bv Process for preparing membranes
US9610669B2 (en) 2012-10-01 2017-04-04 Strasbaugh Methods and systems for use in grind spindle alignment
US9457446B2 (en) 2012-10-01 2016-10-04 Strasbaugh Methods and systems for use in grind shape control adaptation
CN103545239B (en) * 2013-09-17 2017-01-11 新磊半导体科技(苏州)有限公司 A release process is based on thin-film epitaxial wafer
US9741918B2 (en) 2013-10-07 2017-08-22 Hypres, Inc. Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit
US9209069B2 (en) * 2013-10-15 2015-12-08 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Method of manufacturing high resistivity SOI substrate with reduced interface conductivity
US9853133B2 (en) 2014-09-04 2017-12-26 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Method of manufacturing high resistivity silicon-on-insulator substrate
US9899499B2 (en) 2014-09-04 2018-02-20 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) High resistivity silicon-on-insulator wafer manufacturing method for reducing substrate loss
US9881832B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Handle substrate for use in manufacture of semiconductor-on-insulator structure and method of manufacturing thereof
US9831115B2 (en) 2016-02-19 2017-11-28 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Process flow for manufacturing semiconductor on insulator structures in parallel
US10026642B2 (en) 2016-03-07 2018-07-17 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Semiconductor on insulator structure comprising a sacrificial layer and method of manufacture thereof

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3898107A (en) * 1973-12-03 1975-08-05 Rca Corp Method of making a junction-isolated semiconductor integrated circuit device
JP2608351B2 (en) 1990-08-03 1997-05-07 キヤノン株式会社 Process for producing a semiconductor and a semiconductor member
JP3237888B2 (en) * 1992-01-31 2001-12-10 キヤノン株式会社 Semiconductor substrate and a manufacturing method thereof
JP3257580B2 (en) 1994-03-10 2002-02-18 キヤノン株式会社 A method for manufacturing a semiconductor substrate
US5668045A (en) * 1994-11-30 1997-09-16 Sibond, L.L.C. Process for stripping outer edge of BESOI wafers
KR0171067B1 (en) 1994-12-05 1999-03-30 문정환 Method of manufacturing silicon-on-insulator wafer
JP3381443B2 (en) * 1995-02-02 2003-02-24 ソニー株式会社 Method of separating the semiconductor layer from the substrate, a manufacturing method and a soi method of manufacturing a substrate of a semiconductor device
KR0168348B1 (en) * 1995-05-11 1999-02-01 김광호 Process for producing soi substrae
JPH0964321A (en) * 1995-08-24 1997-03-07 Komatsu Electron Metals Co Ltd Manufacture of soi substrate
JP3352340B2 (en) * 1995-10-06 2002-12-03 キヤノン株式会社 Semiconductor substrate and a method of manufacturing the same
JP3293736B2 (en) * 1996-02-28 2002-06-17 キヤノン株式会社 A manufacturing method and a bonded substrate of the semiconductor substrate
US6090688A (en) * 1996-11-15 2000-07-18 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method for fabricating an SOI substrate
EP0851513B1 (en) * 1996-12-27 2007-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell
CA2233096C (en) 1997-03-26 2003-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Substrate and production method thereof
CA2233028C (en) * 1997-03-26 2002-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Thin film formation process
US6171982B1 (en) * 1997-12-26 2001-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for heat-treating an SOI substrate and method of preparing an SOI substrate by using the same

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP2000223681A (en) 2000-08-11 application
KR20000062520A (en) 2000-10-25 application
KR100371450B1 (en) 2003-02-06 grant
EP1026728A2 (en) 2000-08-09 application
CN1272684A (en) 2000-11-08 application
EP1026728A3 (en) 2004-04-07 application
US6624047B1 (en) 2003-09-23 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5695557A (en) Process for producing a semiconductor substrate
US6974759B2 (en) Method for making a stacked comprising a thin film adhering to a target substrate
US6096433A (en) Laminated substrate fabricated from semiconductor wafers bonded to each other without contact between insulating layer and semiconductor layer and process of fabrication thereof
US6534382B1 (en) Process for producing semiconductor article
US5767020A (en) Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution
US5371037A (en) Semiconductor member and process for preparing semiconductor member
US20010038153A1 (en) Semiconductor substrate and process for its production
US5876497A (en) Fabrication process and fabrication apparatus of SOI substrate
US7245002B2 (en) Semiconductor substrate having a stepped profile
US20040185638A1 (en) Substrate manufacturing method
US5670411A (en) Process of making semiconductor-on-insulator substrate
US6326285B1 (en) Simultaneous multiple silicon on insulator (SOI) wafer production
US6326279B1 (en) Process for producing semiconductor article
US5710057A (en) SOI fabrication method
US6342433B1 (en) Composite member its separation method and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof
US6653205B2 (en) Composite member separating method, thin film manufacturing method, and composite member separating apparatus
US20050148122A1 (en) Substrate, manufacturing method therefor, and semiconductor device
US5966620A (en) Process for producing semiconductor article
US6569748B1 (en) Substrate and production method thereof
US6309945B1 (en) Process for producing semiconductor substrate of SOI structure
US20040048454A1 (en) Substrate and manufacturing method therefor
EP1635396A1 (en) Laminated semiconductor substrate and process for producing the same
US6720640B2 (en) Method for reclaiming delaminated wafer and reclaimed delaminated wafer
US6054363A (en) Method of manufacturing semiconductor article
US20050029224A1 (en) Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060126

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060126

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426

Effective date: 20060126

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060126

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080724

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080807

A977 Report on retrieval

Effective date: 20080908

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080926

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Effective date: 20090508

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090518

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees