JP4288065B2 - 液晶表示装置及びその欠陥修正方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置及びその欠陥修正方法に関し、特にアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置及びその欠陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、ブラウン管方式と比較して、小型、薄型、軽量及び低消費電力であることを特徴としており、既にＯＡ機器やＡＶ機器など数多くの分野において、実用化が進んでいる。特に画素ごとにスイッチング素子を備えるアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、精細な動画表示が可能であり、種々のディスプレイとして利用されている。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、マトリクス状に画素電極が形成された基板と、画素電極に対向するように対向電極が形成された基板と、それらの両基板に挟持されるように設けられた液晶層と、から構成されており、各画素電極に設けられたスイッチング素子によって、それらの両基板の各電極の間に選択的に電圧を印加し、その間の液晶層の液晶分子の配向状態を変えることにより、外部から入射する光の透過率を調整し、画像を表示するものである。
【０００４】
スイッチング素子としては、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子、ＭＯＳ（金属−酸化膜−シリコン）トランジスタ素子及びダイオード等が挙げられるが、ここでは最も一般的に使用されているＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板について説明する。
【０００５】
図１はＴＦＴをスイッチング素子とする一般的な液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の等価回路図を示す。
【０００６】
このアクティブマトリクス基板は、基板上に複数の走査線１と複数の信号線２とが直交するように配設され、その交差部にＴＦＴ４が設けられ、各走査線の間に共通線３が設けられている。さらに、各ＴＦＴ４に対応して一対の走査線１及び信号線２で囲われる領域に画素電極５が設けられている。そして、ＴＦＴ４のゲート電極６は走査線１に、ＴＦＴ４のソース電極７は信号線２に、ＴＦＴ４のドレイン電極８は画素電極５にそれぞれ接続されている。また、走査線１の末端には走査線端子１ａが、信号線２の末端には信号線２ａがそれぞれ設けられている。共通線３は全て短絡されており、その末端には共通線端子３ａが設けられている。
【０００７】
ここで、上記のＴＦＴを利用して画像を表示する方式はアクティブマトリクス駆動方式と言われる。具体的には、走査線にゲート信号を送り、走査線を一つの方向に一つのラインずつ順番に走査して、そのラインのＴＦＴをオン状態にする。そしてそのときに信号線にソース信号を送り、画素電極を充電して液晶層に所定電圧を印加されるようにし、ＴＦＴをオフ状態にした後、液晶層への印加電圧を次の走査まで保つことで画像表示を実現している。
【０００８】
ところで、近年、液晶表示装置の開口率を上げるために、走査線、信号線及び共通線に低抵抗材料を用いてその線の幅を細くしたり、ＴＦＴの膜質改善によりＴＦＴ特性を向上させ、ＴＦＴサイズを縮小化する傾向が強くなっている。このような走査線、信号線、共通線及びＴＦＴの微細化が進むと、液晶表示装置の製造工程におけるダスト、成膜条件等により、各配線の断線及び短絡、ＴＦＴ特性不良等を生じる可能性が高くなる。このような問題を含んだ液晶表示装置は、欠陥検査工程において例えば点状や線状の欠陥として検出される。通常、液晶表示装置では一定数以下の点状の欠陥は許容されるが、欠陥数が多くなると不良品となってしまう。
【０００９】
そこで、このような点状欠陥を修正するために、欠陥の画素電極と走査線、共通線又は信号線とをレーザー照射により溶融接続して、ＴＦＴ４を常時オン状態にする方法が従来からよく知られている。
【００１０】
また、このような欠陥は、アクティブマトリクス基板作製の段階で発見されれば、レーザートリミング等で製造工程のより源流で欠陥修正を実施することで製品の不良率を低減できる。しかしながら、アクティブマトリクス基板の作製中において膨大な数の画素の中からこのような欠陥を検出することは極めて困難であり、欠陥検査の信頼性、欠陥検出座標の位置精度、欠陥修正装置の汎用性、製造時間及び製造コスト等を考慮すると、この段階での欠陥修正は量産レベルにおいては実質不可能といってよい。
【００１１】
その一方、アクティブマトリクス基板に対向基板を貼り合わせ、液晶を封入した段階で走査線、信号線及び画素電極に適当な電気信号を与えて欠陥を目視で検出する方法がある。この方法によれば欠陥をＣＣＤ（charge-coupled device）カメラ等により容易に検出できる。しかしながら、ＴＦＴが図２のＴＦＴ４のような従来の配置構造をとるものであれば、ゲート電極６の直近に信号線２が配設されているので、欠陥修正のために走査線１とゲート電極６とをレーザー光の照射によって切断する際に、ゲート電極６の基端部のみにレーザー光を照射するのは難しく、信号線２にダメージを与えてしてしまい、新たな断線短絡の不良を引き起こすことが考えられ、欠陥の修正は困難である。この場合、修正したにもかかわらず欠陥が解消しないため、結局製品を廃棄するというケースもあり、コスト的にデメリットになる欠点がある。
【００１２】
上記のような問題を解決するために、欠陥修正を考慮した液晶表示装置が、例えば下記の特許文献１に開示されている。特許文献１では、信号線と画素電極とを短絡するような欠陥修正用のパターンが一対の走査線及び信号線で囲まれた表示領域の一角に予め設けられたものを示している。具体的には図２に例示する。図２はそのアクティブマトリクス基板の画素領域の平面模式図である。
【００１３】
このアクティブマトリクス基板では、画素電極５の一方の短辺に沿って走査線１が、その一方の長辺に沿って信号線２がそれぞれ配設され、走査線１と信号線２とが交差する位置にＴＦＴ４が設けられている。さらに走査線１と信号線２とが交差する位置でＴＦＴ４とは異なる位置に欠陥修正用のパターンを構成する孤立電極９が走査線１と同一層に設けられている。
【００１４】
欠陥修正用のパターンは、上記の孤立電極９と、どちらも信号線２と同一層にある信号線２からの分岐した信号分岐電極１１と、画素電極５に接続した画素接続電極１２と、から構成されている。
【００１５】
このアクティブマトリクス基板において画素欠陥が発生した場合には、信号分岐電極１１と孤立電極９との重畳部及び画素接続電極１２と孤立電極９との重畳部にレーザー光を照射し、各々を電気的に短絡させる。これにより、画素電極５と信号線２とは接続されたことになり、欠陥は修正されることになる。
【００１６】
しかしながら、このような欠陥修正用のパターンを表示領域中に設ける場合、レーザー光照射による修正は容易に行えるが、表示領域上に非透過となる欠陥修正用のパターンが存在することになり、液晶表示装置の開口率が下がってしまうという問題がある。
【００１７】
また、上記例とは別に、電極に切断部を設けたものが特許文献２に開示されている。特許文献２ではレーザー光照射による欠陥修正をより容易に且つ確実に行うことができるＴＦＴ周辺の配置構造が提案されている。具体的には図３にその構造を示す。図３はそのアクティブマトリクス基板の画素領域の平面模式図である。
【００１８】
このアクティブマトリクス基板では、画素電極５の一方の短辺に沿って走査線１が、その一方の長辺に沿って信号線２がそれぞれ配設され、走査線１と信号線２とが交差する位置にＴＦＴ４が設けられている。
【００１９】
ＴＦＴ４は、走査線１の突出部からなるゲート電極６と、信号線２の突出部からなるソース電極７と、画素電極５に接続したドレイン電極８と、から構成されている。そして、ゲート電極６の基端部には切断し易いようにゲート電極６の他の部分より細くなった切断部が設けられている。
【００２０】
このアクティブマトリクス基板において画素欠陥が発生した場合は、まず、ゲート電極６の幅狭になった切断部にレーザー光を照射してゲート電極６と走査線１を切断する。次にソース電極７とゲート電極６との重畳部及びドレイン電極８とゲート電極６との重畳部にレーザー光を照射し、各々を電気的に短絡させる。これにより、画素電極５と信号線２とは電気的に接続されることになり、欠陥は修正されることになる。この場合、ゲート電極６の基部の切断部は細くなっているのでレーザー光照射により走査線１とゲート電極６とを確実に切断でき、また、修正用パターンを設ける必要がないので液晶表示装置の開口率は下がらない。しかしながら、ＴＦＴ４のオフ特性のマージンが低下してしまうという問題がある。
【００２１】
このＴＦＴ４のオフ特性のマージンの低下は、ゲート電極の基部を細くしたことにより、図３に示すように走査線１と信号線２との交差部とＴＦＴ４の間に大きな透過エリア１３が形成されるために発生するものである。具体的には、図４に示すようにアクティブマトリクス基板の下に備えられたバックライトからの光が透過エリア１３を通じて液晶層内に入射し、アクティブマトリクス基板と対向する基板上のブラックマトリクス１４によって反射し、その反射光がＴＦＴ４に入射してしまう。この入射光によりＴＦＴ４のチャネル部の半導体膜に多数のキャリアが生成され、これがリーク電流となる。そのため、通常はＴＦＴ４をオフ状態にした後も液晶層に印加している電圧を次の走査まで一定に保つことにより画像表示が実現されるが、この場合、リーク電流により液晶層の印加電圧が保たれなくなり、ＴＦＴは正常なスイッチ動作ができなくなる。これにより、ＴＦＴ４のオフ特性のマージンが小さくなってしまうということである。
【００２２】
このリーク電流の発生を防止するために、欠陥の修正は考慮されていないが遮光膜を設けた液晶表示装置が特許文献３に開示されている。この液晶表示装置はＴＦＴとＴＦＴが形成された基板との間に遮光膜が設けられたものである。この遮光膜によりリーク電流の発生は防止できる。しかしながら、画素欠陥が発生しても遮光膜が金属等で構成されているので、画素の欠陥部位にレーザー光を照射できず上述したような欠陥の修正は不可能である。
【００２３】
【特許文献１】
特開平４−２６５９４３号公報
【００２４】
【特許文献２】
特開昭６３−１３６０７６号公報
【００２５】
【特許文献３】
特開昭５８−１５９５１６号公報
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、容易に且つ確実に画素の欠陥修正が可能な液晶表示装置及びその修正方法を提供することである。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成する本発明の液晶表示装置は、相互に並行に延びるように設けられた複数の走査線と、上記複数の走査線のそれぞれと交差し且つ相互に並行に延びるように設けられた複数の信号線と、各々、上記走査線の側方に突出するように形成された突出部によりゲート電極、及び該ゲート電極に重なるように島状に形成された半導体膜が構成され、上記走査線と上記信号線との各交差部に近接して設けられた複数のスイッチング素子と、を有するアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置であって、上記各ゲート電極は、上記各信号線側の側辺が該各信号線に重なるように幅広に設けられ、その基端部に上記走査線との接続部を残して幅方向に延びるスリットが形成され、上記スリットは、上記ゲート電極の側辺のうち上記信号線側に開口すると共に、上記接続部の全体が該信号線から露出するように形成されていることを特徴とする。
【００２８】
上記の構成によれば、ゲート電極の基端部に走査線との接続部を残して幅方向に延びるスリットが形成され、しかも、そのスリットは、ゲート電極の側辺のうち信号線側に開口すると共に、接続部の全体が信号線から露出するように形成されているので、欠陥修正のためにゲート電極と走査線とを切断する際には、ゲート電極において信号線側に形成されたスリットの開口部と逆側の幅狭で信号線から露出する接続部のみを切断するだけでよい。これにより、信号線と離れている側を切断することになるので、信号線を傷付けないで、容易に且つ確実に画素の欠陥修正が可能である。また、表示領域に欠陥修正用のパターンを設ける必要もないので、液晶表示装置の開口率を高く保つことができる。さらに、ゲート電極の基端部にスリットを設けることによって容易にゲート電極を切断できるので、ゲート電極の幅を広くとることが可能になる。従って、そのようにすればＴＦＴ周辺の遮光性が保たれ、ＴＦＴのオフ特性のマージンも確保できる。
【００２９】
また、本発明の液晶表示装置の欠陥修正方法は、相互に並行に延びるように設けられた複数の走査線と、上記複数の走査線のそれぞれと交差し且つ相互に並行に延びるように設けられた複数の信号線と、各々、上記走査線の側方に突出するように形成された突出部によりゲート電極、及び該ゲート電極に重なるように島状に形成された半導体膜が構成され、上記走査線と上記信号線との各交差部に近接して設けられた複数のスイッチング素子と、を有し、上記各ゲート電極が上記各信号線側の側辺が該各信号線に重なるように幅広に設けられ、その基端部に上記走査線との接続部を残して幅方向に延びるスリットが形成され、該スリットは、上記ゲート電極の側辺のうち上記信号線側に開口すると共に、上記接続部の全体が該信号線から露出するように形成されたアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置の欠陥修正方法であって、欠陥修正対象のスイッチング素子のゲート電極のスリットに続く接続部を切断することを特徴とする。
【００３０】
上記の方法によれば、アクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置において、ゲート電極の基端部に走査線との接続部を残して幅方向に延びるスリットが形成され、しかも、そのスリットは、ゲート電極の側辺のうち信号線側に開口すると共に、接続部の全体が信号線から露出するように形成されているので、欠陥修正のためにゲート電極と走査線とを切断する際には、ゲート電極において信号線側に形成されたスリットの開口部と逆側の幅狭で信号線から露出する接続部のみを切断するだけでよい。これにより、信号線と離れている側を切断することになるので、信号線を傷付けないで、容易に且つ確実に画素の欠陥修正が可能である。これにより、欠陥修正による画素の修復率が高くなり、液晶表示装置の製造歩留まりを向上させることができる。また、ゲート電極において信号線側に形成されたスリットの開口部と逆側の幅狭で信号線から露出する接続部のみを切断すればよいだけなので、短時間に走査線とゲート電極とを切断でき、修正にかかる時間、エネルギー及び製造コストを低減できる。また、表示領域に欠陥修正用のパターンを設ける必要もないので、液晶表示装置の開口率を高く保つことができる。さらには、ゲート電極の幅を広くとることが可能になるので、ＴＦＴ周辺の遮光性が保たれＴＦＴのオフ特性のマージンも確保できる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、ＴＦＴ（Thin Film Transitor）をスイッチング素子に用いたＴＦＴ駆動型の液晶表示装置を例に説明する。但し、本発明の液晶表示装置はこれに限らず、ＴＦＴ以外のスイッチング素子を備えた液晶表示装置にも適用できる。また、ここでは電圧無印加状態で白表示となるノーマリーホワイトの液晶表示装置について説明するが、電圧無印加状態で黒表示になるノーマリーブラックの液晶表示装置ついても表示状態が反転するだけであり、本発明による作用及び効果は変わらない。
【００３２】
図５及び図６は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の画素領域の平面模式図である。図６は、図５中のＴＦＴ４周辺の拡大平面模式図である。図７は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の断面模式図である。
【００３３】
この液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、それに対向するように設けられた対向基板と、それらの両基板に挟持されるように設けられた液晶層と、を備えている。また、アクティブマトリクス基板の液晶層と反対側には、バックライト１７が設けられている。
【００３４】
アクティブマトリクス基板は、ガラス基板等上に相互に並行に延びるように設けられた複数の走査線１と、それらの走査線１に直交する方向に相互に並行に延びるように設けられた信号線２と、走査線１及び信号線２の各交差部分に設けられたＴＦＴ４と、各ＴＦＴ４に対応して一対の走査線１及び信号線２に囲われた領域に画素電極５と、を有する。
【００３５】
走査線１は、タンタル、チタン、アルミニウム、クロム等の単層又は多層の金属で構成されたものである。また、各走査線１の間には相互に並行に延びるように、走査線１と同一層に同一材料からなる共通線を設けてもよい。さらに、走査線１及び共通線３を覆うように窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜が設けられている。
【００３６】
信号線２は、ゲート絶縁膜上に設けられ、チタン、アルミニウム、モリブデン、クロム等から構成されている。
【００３７】
ＴＦＴ４は、走査線１から側方に突出した突出部からなるゲート電極６と、その上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体膜と、その半導体膜上に信号線２から側方に突出した突出部からなるソース電極７と、同じくその半導体膜上にソース電極７と対峙するように設けられ画素電極５と接続しているドレイン電極８と、で構成されている。
【００３８】
ゲート電極６は、欠陥修正のためにその基端部にはスリット１５が設けられている。さらに、ゲート電極６は、ＴＦＴ４への入射光を防止するために信号線２との間に隙間がないように幅広に形成されている。
【００３９】
スリット１５はゲート電極６の基端部の信号線２側に開口するように形成されている。そして、走査線１とゲート電極６とは、ゲート電極６の基端部のスリット１５と逆側の接続部１０で電気的に接続している。
【００４０】
スリット１５及び接続部１０の配置は、図示の例に限らず、種々の配置を採用できる。例えば、ゲート電極６の基端部の信号線２側にＵ字が開口するように、横向きのＵ字状のスリットをゲート電極６の基端部に設けるものでもよい。つまり、接続部１０を切断することによってゲート電極６と走査線１とが切断できるような配置構造をとるものであればよい。
【００４１】
対向基板は、ガラス基板等上に、クロム層からなるブラックマトリクス１４と、感光性樹脂等に赤、緑、青の顔料が分散されたカラーフィルター層と、アクリル樹脂等からなるオーバーコート膜と、酸化インジウムチタン等からなる対向電極とを、有する。
【００４２】
液晶層は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料から構成されている。
【００４３】
以上のような液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間の液晶層の液晶分子の配向状態を変えることにより画像を表示するようになっている。
【００４４】
上記構成の液晶表示装置によれば、スリット１５がゲート電極６の側辺のうち信号線２側に開口するように形成されているので、欠陥修正のためにゲート電極６と走査線１とを切断する際には、ゲート電極６において信号線２側に形成されたスリット１５の開口部と逆側の幅狭となった接続部１０のみを切断するだけでよい。これにより、信号線２と離れている側を切断することになるので、信号線２を傷付けないで容易に且つ確実に画素の欠陥修正が可能である。また、表示領域に欠陥修正用のパターンを設ける必要もないので、液晶表示装置の開口率を高く保つことができる。さらに、ゲート電極６の基端部にスリット１５を設けることによって容易にゲート電極６を切断できるので、ゲート電極６の幅を広くとることが可能になる。従って、そのようにすればＴＦＴ４周辺の遮光性が保たれ、ＴＦＴ４のオフ特性のマージンも確保できる。
【００４５】
本発明の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板は、ゲート電極６の基端部にスリット１５を持つように、ゲート電極６を形成する際のパターンを改良するだけで実現できる。
【００４６】
次に、本発明の液晶表示装置の製造方法について説明する。ここで、以下の製造方法は代表例であり、これに限定されるものではない。
【００４７】
＜アクティブマトリクス基板形成工程＞
まず、絶縁基板上に、スパッタリング法を用いて、タンタル薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィ技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）を用いて、走査線１、ゲート電極６を形成する。このとき、ゲート電極６の基端部には、スリット１５が形成される。
【００４８】
次いで、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜、半導体膜を、順に積層するように形成した後、半導体膜のみを、ＰＥＰ技術により、島状パターンに形成する。ここで、島状パターンは、ゲート電極６上にゲート絶縁膜を介して形成される。
【００４９】
次いで、スパッタリング法により、チタン薄膜を成膜した後、ＰＥＰ技術により、信号線２、ソース電極７、ドレイン電極８を形成する。
【００５０】
次いで、スパッタリング法により、酸化インジウムチタン膜を成膜した後、ＰＥＰ技術により、画素電極５を形成する。
【００５１】
次いで、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜からなる保護膜を形成する。
【００５２】
次いで、印刷法により、ポリイミド系樹脂からなる配向膜を形成した後、ラビング法により、その表面に配向処理を施す。
【００５３】
＜対向基板形成工程＞
絶縁基板上に、クロム層からなるブラックマトリクス１４、カラーフィルタ層、オーバーコート膜、酸化インジウムチタン膜からなる対向電極、ポリイミド系樹脂からなる配向膜を順に積層するように形成した後、その表面に配向処理を施す。
【００５４】
＜液晶表示装置形成工程＞
アクティブマトリクス基板上に印刷法により熱硬化性樹脂からなるシール部を形成し、対向基板を貼り合わせた後、両基板間に、減圧法により液晶を注入して封止し、液晶層を形成する。
【００５５】
以上のようにして、本発明の液晶表示装置が製造される。
【００５６】
次に、本発明の液晶表示装置において画素欠陥が生じた際の欠陥修正方法について説明する。通常、画素電極５はＴＦＴ４によって駆動され、ＴＦＴ４が正常に動作している限り、走査線１と信号線２とに囲まれた領域の画素は正常に動作し、表示上の問題は発生しない。しかし、ＴＦＴ４が異常をきたしたり、信号線２と画素電極５との間にリーク電流が発生したりすると、検査工程において画素欠陥が現れ表示上の問題として認識される。このような欠陥を本発明においては以下のように修正する。
【００５７】
まず、図６中のハッチングで示されるゲート電極６の基端部の照射部Ａ１６ａにレーザー光を照射し、接続部１０の金属を飛散させ、走査線１とゲート電極６とを切断し、電気的な接続状態を解除する。次いで、ソース電極７とゲート電極６との重畳部で同じく図６中のハッチングで示される照射部Ｂ１６ｂにレーザー光を照射する。これにより、ソース電極７とゲート電極６との間を介しているゲート絶縁膜が破壊され、同時にこれら両電極の金属が溶融され、これら両電極は導通状態になり短絡される。次いで、照射部Ｂ１６ｂと同様に、ドレイン電極８とゲート電極６との重畳部で同じく図６中のハッチングで示される照射部Ｃ１６ｃにレーザー光を照射し、ドレイン電極８とゲート電極６とを短絡する。すなわち、上記の３箇所のレーザー照射により、画素電極５は信号線２とＴＦＴ４のドレイン電極８−ゲート電極６−ソース電極７を介して短絡されることになる。
【００５８】
ここにおいて、照射部Ａ１６ａ，照射部Ｂ１６ｂ及び照射部Ｃ１６ｃに対するレーザー照射の順序は、上記順序に限定されるものではない。また、照射位置も図示の領域も限定されるものではなく、例えば、照射部Ｂ１６ｂ及び照射部Ｃ１６ｃについてはそれぞれゲート電極６とソース電極７との重畳部及びゲート電極６とドレイン電極８との重畳部であればどこでもよい。
【００５９】
ここで、レーザー光の照射について説明する。以下の説明は代表例であり、これに限定されるものではない。
【００６０】
＜レーザー光＞
レーザー光は、一例としてＹＡＧレーザーが挙げられ、レーザーパワー測定器により、平均４９０μＪであることを確認した後、被照射体の膜質別に１０％、１５％、２０％等とレーザー強度を減じることができるフィルターにより、適正な強度に調整される。
【００６１】
＜照射位置のアライメント＞
モニター上で、パターンに対してレーザー照射エリアを事前設定し、その照射エリアと各パターンとの位置合わせを行い、上記のように調整したレーザー光を照射する。
【００６２】
照射の方法には２種類があり、一つは、パターンに対して照射サイズを予め設定し、位置合わせをした後、メルトと切断とを同時に照射する方法であり、もう一つは、切断のみ小さいエリアを設定し、切断箇所を移動させながら照射する方法である。
【００６３】
このように画素電極５と信号線２とを短絡することによって、画素電極５には走査線１からのゲート信号にかかわらず、信号線２からのソース信号がそのまま入力されることになる。従って、正常な状態の画素では画素電極５に走査線１の選択時間内に供給されたソース信号のみが充電され、これを次の選択時間が来るまでの時間保持するのに対して、点欠陥を上記のように修正した画素では、走査線１の選択、非選択にかかわらず画素電極５に常にソース信号が充電されることになる。そのため、一周期を通してみると、この間に入力されたソース電圧の実行値が液晶層に印加されることになる。よって、不良画素はその帰属する信号線２に付属した全ての画素の平均的な明るさに点灯することになる。これは完全な輝点でもなく黒点でもない。この結果、上記修正がなされた画素は、正常に機能しているわけではないものの、視覚上、欠陥として極めて判別しにくい状態になる。
【００６４】
上記欠陥修正方法によれば、スリット１５がゲート電極６の基端部に走査線１との接続部１０を残して幅方向に延びるように、且つゲート電極６の側辺のうち信号線２側に開口するように形成されているアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置において、接続部１０のみを容易に且つ確実に切断することができる。従って、容易に且つ確実に画素の欠陥修正が可能である。これにより、欠陥修正による画素の修復率が高くなり、液晶表示装置の製造歩留まりを向上させることができる。また、ゲート電極６の基端部のうち接続部１０のみを切断すればよいだけなので、短時間に走査線１とゲート電極６とを切断でき、修正にかかる時間、エネルギー及び製造コストを低減できる。さらに、表示領域に欠陥修正用のパターンを設ける必要もないので、液晶表示装置の開口率を高く保つことができる。また、ゲート電極６の幅を広くとることが可能になるので、ＴＦＴ４周辺の遮光性が保たれＴＦＴ４のオフ特性のマージンも確保できる。
【００６５】
また、走査線１は一般に数種の金属及び合金からなる多層構造で構成されたものが多い。ここでは、走査線１の各層は、それぞれ材料の融点、熱容量、レーザー光の吸収率等の物性が異なるので、走査線１の基端部をレーザー光によって切断する場合、切断部分に過剰なエネルギーを与えてしまい、正常な部分を破損してしまうことが考えられる。このような場合、特に上記のようなゲート電極６の基端部にスリットを設けた構造が適用でき、有効であるのは言うまでもない。つまり、過剰なエネルギーを供与することにより他の配線等にダメージを与えてしまうような状況において、本発明は特に有効に働くものである。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ゲート電極の基端部に走査線との接続部を残してスリットが形成され、しかも、そのスリットは、ゲート電極の側辺のうち信号線側に開口すると共に、接続部の全体が信号線から露出するように形成されているので、欠陥修正のためにゲート電極と走査線とを切断する際には、ゲート電極において信号線側に形成されたスリットの開口部と逆側の幅狭で信号線から露出する接続部のみを切断するだけでよい。従って、容易に且つ確実に画素欠陥を修正することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の等価回路図である。
【図２】 欠陥修正用のパターンを備える従来のアクティブマトリクス基板の画素領域の平面模式図である。
【図３】 切断部が設けられたゲート電極を備える従来のアクティブマトリクス基板の画素領域の平面模式図である。
【図４】 図３に示した従来のアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置の模式的な断面図であり、図３中のＡ−Ｂ線に沿った断面に対応し、ＴＦＴへの入射光の経路を示した説明図である。
【図５】 本発明による実施形態のアクティブマトリクス基板の画素領域の平面模式図である。
【図６】 図５中のＴＦＴ４付近の拡大模式図である。
【図７】 本発明による実施形態の液晶表示装置の断面模式図である。
【符号の説明】
１ 走査線
１ａ 走査線端子
２ 信号線
２ａ 信号線端子
３ 共通線
３ａ 共通線端子
４ 薄膜トランジスター（ＴＦＴ）
５ 画素電極
６ ゲート電極
７ ソース電極
８ ドレイン電極
９ 孤立電極
１０ 接続部
１１ 信号分岐電極
１２ 画素接続電極
１３ 透過エリア
１４ ブラックマトリクス
１５ スリット
１６ａ 照射部Ａ
１６ｂ 照射部Ｂ
１６ｃ 照射部Ｃ
１７ バックライト

Claims (2)

1. 相互に並行に延びるように設けられた複数の走査線と、上記複数の走査線のそれぞれと交差し且つ相互に並行に延びるように設けられた複数の信号線と、各々、上記走査線の側方に突出するように形成された突出部によりゲート電極、及び該ゲート電極に重なるように島状に形成された半導体膜が構成され、上記走査線と上記信号線との各交差部に近接して設けられた複数のスイッチング素子と、を有するアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置であって、
   上記各ゲート電極は、上記各信号線側の側辺が該各信号線に重なるように幅広に設けられ、その基端部に上記走査線との接続部を残して幅方向に延びるスリットが形成され、
   上記スリットは、上記ゲート電極の側辺のうち上記信号線側に開口すると共に、上記接続部の全体が該信号線から露出するように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 相互に並行に延びるように設けられた複数の走査線と、上記複数の走査線のそれぞれと交差し且つ相互に並行に延びるように設けられた複数の信号線と、各々、上記走査線の側方に突出するように形成された突出部によりゲート電極、及び該ゲート電極に重なるように島状に形成された半導体膜が構成され、上記走査線と上記信号線との各交差部に近接して設けられた複数のスイッチング素子と、を有し、上記各ゲート電極が上記各信号線側の側辺が該各信号線に重なるように幅広に設けられ、その基端部に上記走査線との接続部を残して幅方向に延びるスリットが形成され、該スリットは、上記ゲート電極の側辺のうち上記信号線側に開口すると共に、上記接続部の全体が該信号線から露出するように形成されたアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置の欠陥修正方法であって、
   欠陥修正対象のスイッチング素子のゲート電極のスリットに続く接続部を切断することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修正方法。

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