JP4284333B2 - Mos整流型オルタネータ - Google Patents
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Description
MOSFET111のゲートに出力する。
UHD=1となった場合は端子Lに異常状態を出力する。ただし、強制オン信号151を印加する場合はULD・UHD=1となるので異常状態を出力しないようにマスクする。論理回路142,143についても同様である。
MOSFETの最終オンオフ決定信号であり、バッファ回路206を介してハイサイド
MOSFET200のゲートに供給され、オンオフを制御する。
VXだけシフトダウンして比較器に出力する。
405aを入力し、少なくとも一方の入力がハイレベルの時にハイレベルを出力し、それ以外はロウレベルを出力する。すなわち、論理ゲート404からの信号404cがハイレベルの時は論理ゲート405の出力はハイレベルになり、強制オン信号405aがハイレベルの時にもハイレベルになる。論理ゲート405の出力はハイサイドMOSFETの最終オンオフ決定信号であり、バッファ回路406を介してハイサイドMOSFET400のゲートに供給され、オンオフを制御する。
500のゲートに供給され、オンオフを制御する。
607cを入力し、全ての入力がロウレベルの時にハイレベルを出力し、それ以外はロウレベルを出力するオンオフタイミング決定論理回路である。すなわち、比較器603からのオンオフ判定信号がロウレベルであっても信号604a,604b,604cの少なくとも一つがハイレベルの時は論理ゲート604の出力はロウレベルになる。
MOSFET700のオンオフタイミングを判定する信号となるが、この段階ではまだオンオフを決定する信号ではない。
700のゲートに供給され、オンオフを制御する。
Modulation)信号153を入力できるように構成されており、強制オン信号151が印加されると前述の決定結果を無効にしてロウサイドMOSFET111を強制的にオンにできる。また、PWM信号153を印加すると前述の決定結果に対してパルス幅変調をかけロウサイドMOSFET111のオン期間を変え、出力電流を調整できる。なお、本実施例ではロウサイド駆動回路121〜123には強制オフ信号152が供給されていないが、PWM信号153のパルスデューティをゼロにすることにより強制オフ動作ができる。また、PWM信号をハイサイド駆動回路側に入れても同様に整流器の出力電流を調整できる。ロウサイド駆動回路122,123についても同様であるので説明は省略する。ハイサイド駆動回路131〜133,診断論理回路141〜143は、構成及び動作が図1の実施例と同一なので説明を省略する。
131〜133は外部のコントローラ900の駆動信号UHG,VHG,WHGで駆動され、ハイサイドMOSFET101〜103のオンオフを制御する。
121,122,123…ロウサイド駆動回路、131,132,133…ハイサイド駆動回路、141,142,143…論理ゲート回路、150…保護回路、160,161,162…3相全波整流器駆動装置、201…ハイサイドステータ電圧取り込み部、202…ハイサイドバッテリ電圧取り込み部、203…比較回路、204,205,207,
208…論理ゲート回路、206…バッファ回路、301…ロウレベルサイドステータ電圧取り込み部、302…ロウサイドバッテリ電圧取り込み部、401,402,408,501,502…電圧シフト手段、409,509,609,709…アナログマルチプレクサ、410,510,1101,1102,1103…ダイオード、411,412,511,512,611,711…定電流源、601,602,701,702…抵抗、603,1106,1107…比較器、612,613,614…NMOSFET、
712,713,714…PMOSFET、900…コントローラ。
Claims (8)
- 界磁コイルとU相とV相とW相を発生するためのステータコイルとを備える交流発電機と、
2次電池に直流電圧を供給するための直流出力端を有し、前記直流出力端にU相用とV相用とW相用の相直列回路を並列接続し、前記各相直列回路をハイサイドMOSFETとロウサイドMOSFETとの直列接続でそれぞれ構成し、上記各相用の相直列回路の前記ハイサイドMOSFETとロウサイドMOSFETの接続部に上記対応する相の出力が供給されるMOS型整流ブリッジと、
前記3相交流出力のU相出力,V相出力,W相出力にそれぞれ基づいて前記各相直列回路を構成するハイサイドあるいはロウサイドMOSFETとの導通非導通を制御するため第1信号を発生するための判定回路と、
その相の前記判定回路が発生する第1信号と他の相の前記判定回路が発生する第1信号とに基づいて導通非導通信号を発生する論理回路と、を備え、
前記導通非導通信号に基づきその相の相直列回路のハイサイドあるいはロウサイドMOSFETを制御することを特徴とするMOS整流型オルタネータ。 - 請求項1に記載のMOS整流型オルタネータにおいて、
前記判定回路は前記その相の交流電圧と、前記MOS型整流ブリッジと前記直流出力端との間の電圧と、を受けて大小関係を判断する比較回路を備えていることを特徴とするMOS整流型オルタネータ。 - 界磁コイルと交流電圧を発生するためのステータコイルとを備える交流発電機と、
2次電池に直流電圧を供給するための直流出力端を有し、前記直流出力端に並列接続された3組の相直列回路を備え、前記各相直列回路がそれぞれ直列接続されたハイサイドMOSFETとロウサイドMOSFETとを有し、上記各相直列回路の前記ハイサイドMOSFETとロウサイドMOSFETとの接続部に上記交流電圧の各相の電圧がそれぞれ供給され、交流電圧を直流電圧に変換するMOS型整流ブリッジと、
前記交流電圧のそれぞれの相電圧に基づいて、前記各相直列回路を構成するハイサイドあるいはロウサイドMOSFETの導通非導通を制御するための第1信号を発生するために前記各相直列回路に関連付けられて設けられている複数の判定回路と、
その相に関連付けられて設けられた前記判定回路が発生する第1信号と他の相に関連付けられて設けられた判定回路が発生する第1信号とに基づいて導通非導通信号を発生する論理回路と、
各相直列回路を構成するハイサイドあるいはロウサイドMOSFETの導通非導通を制御するための複数の駆動回路とを備え、
前記導通非導通信号に基づきその相の相直列回路のハイサイドあるいはロウサイドMOSFETを前記駆動回路により制御することを特徴とするMOS整流型オルタネータ。 - 界磁コイルと交流電圧を発生するためのステータコイルとを備える交流発電機と、
2次電池に直流電圧を供給するための直流出力端を有し、前記直流出力端に並列接続された3組の相直列回路を備え、前記各相直列回路がそれぞれ直列接続されたハイサイドMOSFETとロウサイドMOSFETとを有し、上記各相直列回路の前記ハイサイドMOSFETとロウサイドMOSFETとの接続部に上記交流電圧の各相の電圧がそれぞれ供給され、交流電圧を直流電圧に変換するMOS型整流ブリッジと、
前記交流電圧のそれぞれの相電圧に基づいて、前記各相直列回路を構成するハイサイドMOSFETの導通非導通を制御するための第1信号を発生するために前記各相直列回路の各ハイサイドMOSFETと関連付けられて設けられている複数のハイサイド判定回路と、
その相に関連付けられて設けられた前記ハイサイド判定回路が発生する第1信号と他の相に関連付けられて設けられた前記ハイサイド判定回路が発生する第1信号とに基づいて導通非導通信号を発生するためのハイサイドMOSFETと関連付けられて設けられている複数のハイサイド論理回路と、
前記交流電圧のそれぞれの相電圧に基づいて、前記各相直列回路を構成するロウサイドMOSFETの導通非導通を制御するための第2信号を発生するために前記各相直列回路の各ロウサイドMOSFETと関連付けられて設けられている複数のロウサイド判定回路と、
その相に関連付けられて設けられた前記ロウサイド判定回路が発生する第2信号と他の相に関連付けられて設けられた前記ロウサイド判定回路が発生する第2信号とに基づいて導通非導通信号を発生するためのロウサイドMOSFETと関連付けられて設けられている複数のロウサイド論理回路と、
各相直列回路を構成する前記ハイサイドあるいはロウサイドMOSFETの導通非導通を制御するための複数のハイサイドあるいはロウサイド駆動回路とを備え、
前記ハイサイド論理回路が発生する導通非導通信号に基づきその相の相直列回路のハイサイドMOSFETを前記駆動回路により制御し、前記ロウサイド論理回路が発生する導通非導通信号に基づきロウサイドMOSFETを前記駆動回路により制御することを特徴とするMOS整流型オルタネータ。 - 3相交流電圧を発生するステータコイルと界磁コイルとを備える交流発電機と前記3相交流電圧を整流して2次電池に供給する直流電圧を発生するMOS型整流ブリッジとを備え、
前記MOS型整流ブリッジは、
3相交流電圧の相に対応付けられた複数のハイサイドMOSFETと、
前記ステータコイルが発生する1つの相のステータ電圧と前記2次電池の正極電圧との同一タイミングでの大小関係から前記1つの相のハイサイドMOSFETの導通非導通を判定する判定回路と、
該判定回路の出力及び他の相の判定回路の出力とに基づき、前記1つの相のハイサイドMOSの導通非導通の制御信号を発生するために各相のハイサイドMOSFETに関連付けられて設けられた複数の論理回路と、
前記ハイサイドMOSFETの導通非導通を制御するためのハイサイド駆動回路と、を設け、
前記ハイサイド駆動回路により前記1つの相のハイサイドMOSFETの導通非導通を前記1つの相の論理回路の出力により制御することを特徴とするMOS整流型オルタネータ。 - 3相交流電圧を発生するステータコイルと界磁コイルとを備える交流発電機と前記3相交流電圧を整流して2次電池に供給する直流電圧を発生するMOS型整流ブリッジとを備え、
前記MOS型整流ブリッジは、
3相交流電圧の相に対応付けられた複数のロウサイドMOSFETと、
前記ステータコイルが発生する1つの相のステータ電圧と前記2次電池の負極電圧との同一タイミングでの大小関係から前記1つの相のロウサイドMOSFETの導通非導通を判定する判定回路と、
該判定回路の出力及び他の相の判定回路の出力とに基づき、前記1つの相のロウサイドMOSの導通非導通の制御信号を発生するために各相のロウサイドMOSFETに関連付けられて設けられた複数の論理回路と、
前記ロウサイドMOSFETの導通非導通を制御するためのロウサイド駆動回路と、を設け、
前記ロウサイド駆動回路により前記1つの相のロウサイドMOSFETの導通非導通を前記1つの相の論理回路の出力により制御することを特徴とするMOS整流型オルタネータ。 - 3相交流電圧を発生するステータコイルと界磁コイルとを備える交流発電機と前記3相交流電圧を整流して2次電池に供給する直流電圧を発生するMOS型整流ブリッジとを備え、
前記MOS型整流ブリッジは、
3相交流電圧の相に対応付けられた複数のハイサイドMOSFETと、
前記ステータコイルが発生する1つの相のステータ電圧と前記2次電池の正極電圧との同一タイミングでの大小関係から前記1つの相のハイサイドMOSFETの導通非導通を判定する判定回路と、
該判定回路の出力、その相の判定回路の出力及び他の相の判定回路の出力とに基づき、前記1つの相のハイサイドMOSの導通非導通の制御信号を発生するために各相のハイサイドMOSFETに関連付けられて設けられた複数の論理回路と、
前記ハイサイドMOSFETの導通非導通を制御するためのハイサイド駆動回路と、を設け、
前記ハイサイド駆動回路により前記1つの相のハイサイドMOSFETの導通非導通を前記1つの相の論理回路の出力により制御することを特徴とするMOS整流型オルタネータ。 - 3相交流電圧を発生するステータコイルと界磁コイルとを備える交流発電機と前記3相交流電圧を整流して2次電池に供給する直流電圧を発生するMOS型整流ブリッジとを備え、
前記MOS型整流ブリッジは、
3相交流電圧の相に対応付けられた複数のロウサイドMOSFETと、
前記ステータコイルが発生する1つの相のステータ電圧と前記2次電池の負極電圧との同一タイミングでの大小関係から前記1つの相のロウサイドMOSFETの導通非導通を判定する判定回路と、
該判定回路の出力、その相の判定回路の出力及び他の相の判定回路の出力とに基づき、前記1つの相のロウサイドMOSの導通非導通の制御信号を発生するために各相のロウサイドMOSFETに関連付けられて設けられた複数の論理回路と、
前記ロウサイドMOSFETの導通非導通を制御するためのロウサイド駆動回路と、を設け、
前記ロウサイド駆動回路により前記1つの相のハイサイドMOSFETの導通非導通を前記1つの相の論理回路の出力により制御することを特徴とするMOS整流型オルタネータ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006152960A JP4284333B2 (ja) | 2001-08-29 | 2006-06-01 | Mos整流型オルタネータ |
JP2008104220A JP4696137B2 (ja) | 2006-06-01 | 2008-04-14 | Mos整流装置 |
JP2008104219A JP4696136B2 (ja) | 2006-06-01 | 2008-04-14 | Mos整流装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001259122A JP3950653B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Mos整流装置の駆動方法 |
JP2006152960A JP4284333B2 (ja) | 2001-08-29 | 2006-06-01 | Mos整流型オルタネータ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001259122A Division JP3950653B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Mos整流装置の駆動方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008104219A Division JP4696136B2 (ja) | 2006-06-01 | 2008-04-14 | Mos整流装置 |
JP2008104220A Division JP4696137B2 (ja) | 2006-06-01 | 2008-04-14 | Mos整流装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006296199A JP2006296199A (ja) | 2006-10-26 |
JP4284333B2 true JP4284333B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=19086544
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001259122A Expired - Fee Related JP3950653B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Mos整流装置の駆動方法 |
JP2006152961A Expired - Fee Related JP4248564B2 (ja) | 2001-08-29 | 2006-06-01 | Mos整流型オルタネータ |
JP2006152960A Expired - Fee Related JP4284333B2 (ja) | 2001-08-29 | 2006-06-01 | Mos整流型オルタネータ |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001259122A Expired - Fee Related JP3950653B2 (ja) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Mos整流装置の駆動方法 |
JP2006152961A Expired - Fee Related JP4248564B2 (ja) | 2001-08-29 | 2006-06-01 | Mos整流型オルタネータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP3950653B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005328690A (ja) | 2004-04-12 | 2005-11-24 | Hitachi Ltd | 車両用回転電機 |
JP2006203995A (ja) | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Hitachi Ltd | Mos整流装置,mos整流装置の駆動方法,電動発電機及びそれを用いた電動車両 |
JP5216424B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-06-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 車両用充電発電機およびその整流装置 |
JP5494445B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-05-14 | 株式会社デンソー | 車両用回転電機 |
JP5585270B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2014-09-10 | 株式会社デンソー | 車両用発電機 |
JP5447261B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-03-19 | 株式会社デンソー | 車両用発電機 |
KR101226361B1 (ko) | 2011-07-19 | 2013-02-01 | 주식회사 카이테크 | 액티브 브릿지 정류기를 이용하는 자동차용 발전기 |
CN102707761B (zh) * | 2012-06-06 | 2014-06-04 | 重庆三信电子股份有限公司 | 摩托车用单相调压器专用集成电路 |
KR20160127441A (ko) * | 2015-04-27 | 2016-11-04 | 이래오토모티브시스템 주식회사 | Mosfet을 이용한 정류 장치 |
CN106849632B (zh) * | 2017-03-13 | 2023-08-11 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块及其控制方法、空调器 |
WO2021166186A1 (ja) * | 2020-02-20 | 2021-08-26 | 三菱電機株式会社 | 直流電源装置、冷凍サイクル装置、空気調和機及び冷蔵庫 |
JPWO2023105943A1 (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-15 |
-
2001
- 2001-08-29 JP JP2001259122A patent/JP3950653B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-01 JP JP2006152961A patent/JP4248564B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-01 JP JP2006152960A patent/JP4284333B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006230198A (ja) | 2006-08-31 |
JP4248564B2 (ja) | 2009-04-02 |
JP3950653B2 (ja) | 2007-08-01 |
JP2006296199A (ja) | 2006-10-26 |
JP2003070256A (ja) | 2003-03-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080212 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090220 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090323 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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