JP4275724B1 - Bonding quality determination method, bonding quality determination device, and bonding apparatus - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 claims 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
- B23K20/007—Ball bonding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K31/00—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
- B23K31/12—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups relating to investigating the properties, e.g. the weldability, of materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/42—Printed circuits
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/789—Means for monitoring the connection process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
【課題】ボンディング装置のボンディング良否判定方法において、ボンディングの途中でボンディングの良否を判定することを目的とする。
【解決手段】超音波振動子の振動と共振して中心軸の方向に縦振動する超音波ホーンと、超音波ホーンの振動の腹に取り付けられるキャピラリと、超音波ホーンの振動の節に設けられるフランジと、ボンディングアームと、超音波ホーンの長手方向の中心軸からボンディング対象に対して接離方向にオフセットしてボンディングアームの回転中心とフランジ取り付け面との間に取り付けられる荷重センサと、を備えるボンディング装置のボンディング良否判定装置であって、ボンディングの際に荷重センサによってボンディングツールに加わるボンディング対象に接離方向の荷重を連続的に検出し、検出した荷重の最大値を衝撃荷重とし、衝撃荷重に基づいてボンディング良否の判定を行う。
【選択図】図4An object of the present invention is to determine bonding quality in the middle of bonding in a bonding quality determination method for a bonding apparatus.
An ultrasonic horn that resonates with vibration of an ultrasonic vibrator and longitudinally vibrates in the direction of the central axis, a capillary attached to an antinode of the vibration of the ultrasonic horn, and a vibration node of the ultrasonic horn. A flange, a bonding arm, and a load sensor that is offset between the longitudinal center axis of the ultrasonic horn and the object to be bonded in a contact / separation direction and is mounted between the rotation center of the bonding arm and the flange mounting surface. This is a bonding pass / fail judgment device of the bonding device, which detects the load in the contact / separation direction continuously on the bonding target applied to the bonding tool by the load sensor during bonding, and sets the maximum value of the detected load as the impact load. Based on the above, the quality of the bonding is determined.
[Selection] Figure 4
Description
本発明は、ボンディング装置のボンディング良否判定方法およびボンディング装置に用いられるボンディング良否判定装置ならびにボンディング良否判定を行うボンディング装置の構造に関する。 The present invention relates to a bonding quality determination method for a bonding apparatus, a bonding quality determination apparatus used for the bonding apparatus, and a structure of a bonding apparatus that performs bonding quality determination.
半導体装置の製造工程において、半導体チップの電極であるパッドとリードフレームの電極であるリードとの間を金属細線であるワイヤで接続するワイヤボンディング装置が多く用いられている。ワイヤボンディング装置は、駆動モータにより回転駆動されるボンディングアームと、ボンディングアームに取り付けられた超音波ホーンと、超音波ホーンの先端に取り付けられたキャピラリと、超音波ホーンに取り付けられた超音波振動子とを備え、ボンディングアームを回転駆動してキャピラリをパッドまたはリードに対して接離方向に移動させ、キャピラリ先端に形成されたイニシャルボールをパッドに、ワイヤをリードに押しつけて圧着すると共に、超音波振動子によって超音波ホーンを共振させ、キャピラリ先端に超音波振動を付与してボンディングを行うことが多い。 In a manufacturing process of a semiconductor device, a wire bonding apparatus that connects a pad that is an electrode of a semiconductor chip and a lead that is an electrode of a lead frame with a wire that is a thin metal wire is often used. The wire bonding apparatus includes a bonding arm rotated by a drive motor, an ultrasonic horn attached to the bonding arm, a capillary attached to the tip of the ultrasonic horn, and an ultrasonic transducer attached to the ultrasonic horn. And rotating the bonding arm to move the capillary in the contact / separation direction with respect to the pad or lead, pressing the wire against the lead with the initial ball formed at the tip of the capillary and crimping the ultrasonic wave Bonding is often performed by resonating an ultrasonic horn with a vibrator and applying ultrasonic vibration to the tip of the capillary.
ワイヤボンディング装置によってボンディングを行う場合、キャピラリに挿通されたワイヤの先端に形成されたイニシャルボールはある速度をもってパッドに衝突した後に一定荷重でパッドに押圧されてパッドに圧着されて圧着ボールとなるが、衝突の影響で後の一定荷重での押圧期間においてもワイヤとキャピラリとが押し付け方向に振動し、この振動により押圧荷重が変動して圧着ボールの形状や圧着ボール径等がバラツキ、ボンディング不良を生じる場合がある。また、イニシャルボールの形成不良により所定の大きさに満たないいわゆる小ボールの場合にも押圧荷重が変動してボンディング不良を生じる。 When bonding is performed by a wire bonding apparatus, the initial ball formed at the tip of the wire inserted into the capillary collides with the pad at a certain speed and then is pressed against the pad with a constant load to be pressed against the pad to become a pressed ball. The wire and capillary vibrate in the pressing direction during the subsequent pressing period with a constant load due to the impact, and the pressing load fluctuates due to this vibration, resulting in variations in the shape of the pressure-bonded ball and the diameter of the pressure-bonded ball. May occur. Also, in the case of a so-called small ball that is less than a predetermined size due to defective formation of the initial ball, the pressing load fluctuates to cause bonding failure.
このため、ワイヤボンディング装置では、ボンディングヘッドにキャピラリの高さ方向変位を検出するエンコーダを設け、このエンコーダの検知出力を制御装置にフィードバックし、駆動モータの出力を制御して押圧荷重の変動を防止することが行われている。しかし、エンコーダはワイヤの押圧荷重を直接検出することができないため、エンコーダの出力のフィードバックでは押圧荷重の変動を十分に抑制することができなかった。 For this reason, in the wire bonding apparatus, an encoder for detecting the displacement in the height direction of the capillary is provided in the bonding head, the detection output of this encoder is fed back to the control apparatus, and the output of the drive motor is controlled to prevent fluctuations in the pressing load. To be done. However, since the encoder cannot directly detect the pressing load of the wire, the feedback of the encoder output cannot sufficiently suppress the fluctuation of the pressing load.
そこで、超音波ホーンとボンディングアームとの間に設けた圧力センサによって押圧荷重を検出し、この押圧荷重によって駆動モータを制御してキャピラリの振動を抑制し、押圧荷重を一定にする方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, a method has been proposed in which the pressure load is detected by a pressure sensor provided between the ultrasonic horn and the bonding arm, the drive motor is controlled by this pressure load to suppress capillary vibration, and the pressure load is kept constant. (For example, refer to Patent Document 1).
また、ボンディングアームおよびキャピラリに機械的緩みや磨耗があると、ワイヤボンディングにおいてキャピラリによってワイヤを半導体チップのパッドに衝突させた際の衝撃力で半導体チップに亀裂や割れが入るなどのチップ破壊が生じることがある。このため、ボンディングステージに衝撃力を測定する衝撃センサを取り付け、検出した波形と基準波形との違いに基づいてアラームを発生させて、ボンディングアームおよびキャピラリの機械的緩みや摩耗を確認する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。 Also, if the bonding arm and capillary are mechanically loose or worn, chip damage such as cracking or cracking in the semiconductor chip occurs due to the impact force when the wire collides with the pad of the semiconductor chip by the capillary in wire bonding. Sometimes. For this reason, a method has been proposed in which an impact sensor that measures the impact force is attached to the bonding stage and an alarm is generated based on the difference between the detected waveform and the reference waveform to check the mechanical looseness and wear of the bonding arm and capillary. (For example, refer to Patent Document 2).
一方、半導体チップと基板とのボンディングは、複数の半導体チップのパッドと基板のリードとを順次接続して行っていく。この際、ボンディングアームおよびキャピラリの緩みや摩耗がなく、キャピラリがパッドを押し付ける押圧荷重が所定の値に制御されていてもボールの異常潰れやチップ破壊などのボンディング不良が発生する場合がある。しかし、特許文献1または特許文献2に記載された従来技術ではボンディングの途中でボンディング不良を検出することができないため、半導体チップの複数のパッドと基板の複数のリードとを全てボンディングした後に行われるボンディング部の目視検査工程までボンディング不良を発見することができない。このため、製品の修正のために多くの時間がかかってしまうという問題があった。また、製造の途中の工程でボンディング部の目視検査工程を行わない場合には、最終検査工程まで不良品の発見ができず、製品の歩留まりが悪化してしまうという問題があった。 On the other hand, bonding of the semiconductor chip and the substrate is performed by sequentially connecting the pads of the plurality of semiconductor chips and the leads of the substrate. At this time, the bonding arm and the capillary are not loosened or worn, and even if the pressing load with which the capillary presses the pad is controlled to a predetermined value, defective bonding such as abnormal ball collapse or chip destruction may occur. However, since the conventional technique described in Patent Document 1 or Patent Document 2 cannot detect a bonding failure in the middle of bonding, it is performed after bonding a plurality of pads on a semiconductor chip and a plurality of leads on a substrate. Bonding defects cannot be found until the visual inspection process of the bonding part. For this reason, there has been a problem that it takes a lot of time to correct the product. Further, when the visual inspection process of the bonding portion is not performed in the process in the middle of manufacturing, there is a problem that defective products cannot be found until the final inspection process, and the yield of the product is deteriorated.
本発明は、ボンディングの途中でボンディングの良否を判定することを目的とする。 An object of this invention is to determine the quality of bonding in the middle of bonding.
本発明のボンディング良否判定方法は、基体部と、超音波振動子の振動と共振して長手方向に縦振動する超音波ホーンと、超音波ホーンの振動の腹に取り付けられるボンディングツールと、超音波ホーンの振動の節に設けられるフランジと、超音波ホーンのフランジが固定されるフランジ取り付け面を含み、ボンディングツール先端をボンディング対象に対して接離方向に動作させるように基体部に回転自在に取り付けられたボンディングアームと、超音波ホーンの長手方向の中心軸からボンディング対象に対して接離方向にオフセットしてボンディングアームの回転中心とフランジ取り付け面との間に取り付けられる荷重センサと、を備えるボンディング装置のボンディング良否判定方法であって、ボンディングの際に荷重センサによってボンディングツールに加わるボンディング対象に接離方向の荷重を連続的に検出し、検出した荷重の最大値を衝撃荷重とし、衝撃荷重に基づいてボンディング良否の判定を行うこと、を特徴とする。 The bonding quality determination method of the present invention includes a base part, an ultrasonic horn that resonates with vibration of an ultrasonic vibrator and longitudinally vibrates in a longitudinal direction, a bonding tool attached to an antinode of the vibration of the ultrasonic horn, Includes a flange provided at the vibration node of the horn and a flange mounting surface to which the flange of the ultrasonic horn is fixed. The tip of the bonding tool is rotatably attached to the base so as to move in the direction of contact with the object to be bonded. And a load sensor attached between the rotation center of the bonding arm and the flange mounting surface by being offset from the longitudinal central axis of the ultrasonic horn in the direction of contact with and away from the object to be bonded. This is a method for determining whether a device is bonded or not, using a load sensor during bonding. A load of contact and separation direction bonding target applied to down loading tool detected continuously, the maximum value of the detected load and impact load, to perform the determination of the bonding quality based on impact load, characterized by.
本発明のボンディング良否判定方法において、衝撃荷重が所定の閾値よりも大きい場合にボンディング不良と判定すること、としも好適であるし、超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を遮断すると共に超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を通過させるフィルタによって荷重センサによって検出した荷重信号から、超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を抽出し、抽出した信号に基づいてボンディング良否の判定を行うこと、としても好適であるし、ボンディングツール接地後、荷重センサによって検出した荷重信号の時間に対する増大割合が閾値よりも大きい場合に、ボール異常つぶれと判定すること、としても好適である。 In the bonding quality determination method according to the present invention, it is preferable that the bonding failure is determined when the impact load is larger than a predetermined threshold, and a signal in the resonance frequency band specific to the ultrasonic horn is cut off. In addition, an ultrasonic transducer that does not include a signal in the frequency band of the resonance frequency unique to the ultrasonic horn from the load signal detected by the load sensor with a filter that passes a signal in a frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer. It is also suitable to extract a signal in a frequency band lower than the resonance frequency, and determine whether the bonding is good or not based on the extracted signal, and increase of the load signal detected by the load sensor with respect to time after the bonding tool is grounded It is also preferable to determine that the ball is crushed abnormally when the ratio is larger than a threshold value.
本発明のボンディング良否判定装置は、基体部と、超音波振動子の振動と共振して長手方向に縦振動する超音波ホーンと、超音波ホーンの振動の腹に取り付けられるボンディングツールと、超音波ホーンの振動の節に設けられるフランジと、超音波ホーンのフランジが固定されるフランジ取り付け面を含み、ボンディングツール先端をボンディング対象に対して接離方向に動作させるように基体部に回転自在に取り付けられたボンディングアームと、超音波ホーンの長手方向の中心軸からボンディング対象に対して接離方向にオフセットしてボンディングアームの回転中心とフランジ取り付け面との間に取り付けられる荷重センサと、を備えるボンディング装置に用いられるボンディング良否判定装置であって、超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を遮断すると共に超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を通過させるフィルタによって荷重センサによって検出した荷重信号から、超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を抽出し、抽出した信号の最大値を衝撃荷重とし、衝撃荷重の大小によってボンディング良否の判定を行うこと、を特徴とする。 The bonding quality determination apparatus of the present invention includes a base unit, an ultrasonic horn that resonates with the vibration of the ultrasonic vibrator and longitudinally vibrates in the longitudinal direction, a bonding tool attached to the antinode of the vibration of the ultrasonic horn, Includes a flange provided at the vibration node of the horn and a flange mounting surface to which the flange of the ultrasonic horn is fixed. The tip of the bonding tool is rotatably attached to the base so as to move in the direction of contact with the object to be bonded. And a load sensor attached between the rotation center of the bonding arm and the flange mounting surface by being offset from the longitudinal central axis of the ultrasonic horn in the direction of contact with and away from the object to be bonded. This is a bonding pass / fail judgment device used in the device, and has a resonance frequency unique to an ultrasonic horn It is in the frequency band of the resonance frequency peculiar to the ultrasonic horn from the load signal detected by the load sensor by the filter that cuts off the signal in the frequency band of the ultrasonic transducer and passes the signal in the frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer. Extracting a signal in a frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer not including the signal, using the maximum value of the extracted signal as an impact load, and determining whether the bonding is good or not by the magnitude of the impact load .
本発明のボンディング装置は、基体部と、超音波振動子の振動と共振して長手方向に縦振動する超音波ホーンと、超音波ホーンの振動の腹に取り付けられるボンディングツールと、超音波ホーンの振動の節に設けられるフランジと、超音波ホーンのフランジが固定されるフランジ取り付け面を含み、ボンディングツール先端をボンディング対象に対して接離方向に動作させるように基体部に回転自在に取り付けられたボンディングアームと、超音波ホーンの長手方向の中心軸からボンディング対象に対して接離方向にオフセットしてボンディングアームの回転中心とフランジ取り付け面との間に取り付けられる荷重センサと、ボンディングの良否判定を行う制御部と、を備えるボンディング装置であって、制御部は、超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を遮断すると共に超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を通過させるフィルタ手段と、ボンディングの際に荷重センサによってボンディングツールに加わるボンディング対象に接離方向の荷重信号を連続的に検出し、フィルタ手段によって荷重信号から超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を抽出する信号抽出手段と、信号抽出手段によって抽出した信号の最大値を衝撃荷重とし、衝撃荷重の大小によってボンディング良否の判定を行う判定手段と、を有することを特徴とする。 The bonding apparatus of the present invention includes a base unit, an ultrasonic horn that resonates with the vibration of the ultrasonic vibrator and longitudinally vibrates in the longitudinal direction, a bonding tool attached to the antinode of the vibration of the ultrasonic horn, and an ultrasonic horn Includes a flange provided at the vibration node and a flange mounting surface to which the flange of the ultrasonic horn is fixed, and is rotatably attached to the base so that the tip of the bonding tool can be moved toward and away from the bonding target Bonding arm, load sensor that is offset between the center axis of the ultrasonic horn in the longitudinal direction with respect to the object to be bonded and attached between the rotation center of the bonding arm and the flange mounting surface, and judgment of bonding quality A bonding device including a control unit that performs resonance unique to the ultrasonic horn. Filter means for blocking signals in the frequency band of the wave number and passing signals in a frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic vibrator, and a bonding target applied to the bonding tool by a load sensor during bonding Signal extraction that continuously detects the load signal and extracts a signal in the frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer that does not include the signal in the resonance frequency band specific to the ultrasonic horn from the load signal by the filter means And a determination means for determining whether the bonding is good or not based on the magnitude of the impact load, with the maximum value of the signal extracted by the signal extraction means as an impact load.
本発明は、ボンディングの途中でボンディングの良否を判定することができるという効果を奏する。 The present invention has an effect that the quality of bonding can be determined during bonding.
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。図1に示すように、本実施形態のボンディング良否判定装置50が取り付けられているワイヤボンディング装置10は、基体部であるボンディングヘッド11と、超音波振動子13と、超音波ホーン12と、ボンディングツールであるキャピラリ17と、超音波ホーン12に設けられたフランジ14と、ボンディングアーム21と、荷重センサ31と、駆動モータ45と、制御部60と、ボンディング対象である半導体チップ34や基板35を吸着固定するボンディングステージ33と、を備えている。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the
ボンディングヘッド11にはボンディングアーム21を回転駆動する駆動モータ45が設けられている。超音波振動子13は複数枚の圧電素子を重ね合わせたもので、超音波ホーン12の後端側に取り付けられている。また、超音波ホーン12の先端にはキャピラリ17が取り付けられている。後で説明する超音波ホーン12の振動の節となる位置にはフランジ14が設けられ、フランジ14はボンディングアーム21先端のフランジ取り付け面22にボルト16によって固定されている。
The bonding
ボンディングアーム21は、ボンディングヘッド11に設けられた回転軸30の周りに回転自在に取り付けられている。ボンディングアーム21の回転中心43はボンディングステージ33の上に吸着された基板35の表面、或いは基板35に取り付けられている半導体チップ34の表面と同一面上にある。
The
ボンディングアーム21は超音波ホーン12の中心軸15の方向に延びる略直方体で、フランジ取り付け面22のある先端側部分21aと回転中心43を含む後端側部分21bとを有しており、先端側部分21aと後端側部分21bとは超音波ホーン12の中心軸15を含む高さ方向位置(Z方向位置)に設けられた薄板状の接続部24によって接続されている。接続部24のボンディング面41側とボンディング面41と反対側にはボンディングアーム21の先端側部分21aと後端側部分21bとの間に細いスリット23,25が設けられている。ボンディングアーム21のボンディング面41と反対側であるZ方向上側には荷重センサ31を取り付けるための溝26が設けられている。溝26はボンディングアーム21の先端側部分21aと後端側部分21bとの間に対向して設けられている。溝26に取り付けられた荷重センサ31はボンディングアーム先端側部分21aから後端側部分21bに向かってねじ込まれているねじ27によって先端側部分21aと後端側部分21bとの間で挟みこまれて与圧されるよう構成されている。荷重センサ31はその中心軸28が超音波ホーン12の中心軸15からボンディング面41とキャピラリ17の先端17aとの接離方向であるZ方向に距離Lだけオフセットして取り付けられている。この距離Lはフランジ14のZ方向の幅よりも大きく、キャピラリ17から超音波ホーン12にかかる曲げ力に対して大きな剛性を備えることができる構成となっている。
The
図2(a)に示すように、荷重センサ31はボンディングアーム21の幅方向の中央部に取り付けられ、ねじ27は荷重センサ31の両側に設けられている。また、図2(b)に示すように、ボンディングアーム21のボンディング面41側には、超音波ホーン12と超音波振動子13とが収容される窪み29が設けられている。
As shown in FIG. 2A, the
図3に示すように、超音波ホーン12は、超音波振動子13によって中心軸15に沿った方向である長手方向に共振し、縦振動をするものである。ここで縦振動とは振動の伝わる方向と振幅の方向が同一方向の振動をいう。図3に模式的に示すように、超音波ホーン12は後端に取り付けられた超音波振動子13の振動によって超音波振動子13の取り付けられている後端とキャピラリ17の取り付けられている先端との間で、後端と先端とが振動の腹となる共振モードで振動する。そして、後端と先端との間にできる振動の節、つまり共振状態にあっても振動しない部位に超音波ホーン12をボンディングアーム21に固定するフランジ14が設けられている。フランジ14はボンディングアーム21のフランジ取り付け面22にボルト16によって固定されている。フランジ14は超音波ホーン12の共振によって振動しないことから、ボンディングアーム21のフランジ取り付け面22には超音波ホーン12の共振による超音波振動は伝わらないよう構成されている。このためボンディングアーム21に設けられている荷重センサ31にも超音波ホーン12の共振による超音波振動は伝達されないように構成されている。なお、図3はボンディングアーム21と超音波ホーン12、フランジ14、ボルト16との関係を説明するための模式図で、超音波ホーン12から水平方向であるXY方向に延びているフランジ14を縦方向に記載してある。また、図3(b)は超音波ホーン12の振幅を模式的に示したもので、中心軸15方向の振幅を中心軸15と直角方向の振幅として記載してある。
As shown in FIG. 3, the
図1に示すように、ボンディング良否判定装置50は、荷重センサ31が接続され、その内部にローパスフィルタを含んでいる。ローパスフィルタは超音波振動子13の共振周波数f0よりも低い周波数帯の信号を通過させると共に超音波ホーン12固有の共振周波数f1の周波数帯にある信号を遮断するノッチ機能を備えるものであり、荷重センサ31によって検出した信号から超音波ホーン12固有の共振周波数f1の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子13の共振周波数f0よりも低い周波数帯の信号を抽出することができるよう構成されている。超音波振動子13と駆動モータ45とは制御部60に接続され、制御部60の指令によって超音波振動子13の出力と駆動モータ45の回転方向と出力が制御されるよう構成されている。また、ボンディング良否判定装置50は制御部60と接続され、ボンディング良否の判定信号を制御部60に出力することができるよう構成されている。
As shown in FIG. 1, the bonding
ボンディング良否判定装置50、制御部60は内部にCPUやメモリなどを含むコンピュータとして構成されていてもよいし、検出、制御のシステムを電気回路によって構成したものであってもよい。
The bonding
以上のように構成されたボンディング良否判定装置50によってワイヤボンディング装置10によるボンディング動作中におけるキャピラリ17の先端17aに加わる衝撃荷重の検出動作について説明する。
The detection operation of the impact load applied to the
図1に示す制御部60は、キャピラリ17の先端17aから伸出したワイヤの先端を図示しない放電トーチ等によって球状のイニシャルボール18に形成する。そして、制御部60は、駆動モータ45を駆動する指令を出力する。この指令によって駆動モータ45は回転を開始し、キャピラリ17を半導体チップ34の上に向かって降下させ始める。又、制御部60は、超音波振動子13の振動を開始する指令を出力する。この指令によって超音波振動子13にはボンディングの条件に対応して予め設定された振動出力を出力することのできる電圧が印加される。ボンディング良否判定装置50は荷重センサ31からの荷重信号のメモリへの蓄積を開始する。
The
キャピラリ17の先端に形成されたイニシャルボール18が半導体チップ34の表面に接する前は、図3に示すように超音波ホーン12は超音波振動子13の振動と共振して、キャピラリ17の取りつけられた先端と超音波振動子13の取り付けられた後端とを振動の腹とする縦振動をしている。フランジ14は振動の節に配置されているので超音波ホーン12の共振では振動せず、荷重センサ31も荷重を検出していない。ただし、超音波ホーン12はボンディングの際のパッドへの衝突によってZ方向に固有の共振周波数f1で微小な振動をしている。このため、図4(a)に示すように荷重センサ31には超音波ホーン12の振動による微小な周期変動荷重が検出されている。
Before the
ボンディングアーム21は駆動モータ45によって加速され、所定の下降速度を持って図4(a)の時間t1に半導体チップ34のパッドに衝突する。すると、荷重センサ31の検出する押圧荷重は急速に上昇する。そして、図4(a)に示す時間t2において最大値F0となる。その後、制御部60は荷重センサ31によって検出される押圧荷重が予め決められた押圧荷重P0となるように駆動モータ45を制御する。そして、所定の押圧時間が終了したら制御部60は、駆動モータ45を最初と反対方向に駆動してキャピラリ17を上昇させる。キャピラリ17が上昇すると、荷重センサ31の検出する押圧荷重は次第に低下してゼロになり、その後、荷重センサ31は超音波ホーン12のZ方向の固有振動による微小な周期変動を検出する。この間、ボンディング良否判定装置50は荷重センサ31からの荷重信号をメモリに蓄積し、その間の最大値F0を衝撃荷重として別のメモリに格納する。
図5(a)に示すように、イニシャルボール18が所定の直径d1に形成されている場合には、キャピラリ17の降下による衝撃荷重でイニシャルボール18を円板状の圧着ボール19に潰した場合、図5(b)に示すように、イニシャルボール18は所定の厚みH1を持つ圧着ボール19に変形される。一方、イニシャルボール18の大きさが所定の大きさよりも小さい直径d2の場合、イニシャルボール18がキャピラリ17の先端17aで潰された際に、イニシャルボール18はキャピラリ17の先端にあるインナチャンファ部17bの中に入り込んでしまい、圧着ボール19の厚さが所定の厚さのH1より薄いH2となり、ボール異常つぶれとなる。イニシャルボール18の直径が所定の直径d1よりも小さいd2となった場合、イニシャルボール18は衝撃荷重のエネルギーを変形で吸収することができなくなるので荷重センサ31はイニシャルボール18が所定の直径d1の場合よりも大きな衝撃荷重を検出する。このように、荷重センサ31の検出する衝撃荷重が所定の値よりも大きい場合にはボール異常つぶれなどが発生していることとなる。
As shown in FIG. 5A, when the
また、この衝撃荷重を的確に検出するためには、荷重センサ31が衝撃荷重によって変形しない位置に取り付けられていることが必要となる。本実施形態では、荷重センサ31は超音波ホーン12の中心軸15からフランジ14のZ方向の幅よりも大きなオフセットを持って剛性の高い直方体のボンディングアーム21に取り付けられているので衝撃荷重を的確に検出することができる。
Further, in order to accurately detect the impact load, the
ボンディング良否判定装置50は別のメモリに格納した衝撃荷重を、他のメモリに格納されている所定の閾値と比較し、別のメモリに格納した衝撃荷重が所定の閾値よりも大きい場合には、ボールの異常つぶれ或いはチップ破壊などのボンディング不良が発生していると判定し、例えば、ボンディング不良発生を示すランプを点灯させる。また、ボンディング良否判定装置50はボンディング不良発生信号を制御部60に出力し、ワイヤボンディング装置10を停止させ、異常発生ランプを点灯させるようにしてもよい。
The bonding pass /
図4(b)に示すように、ボンディング良否判定装置50は、内部に超音波振動子13の共振周波数f0よりも低い周波数帯の信号を通過させると共に超音波ホーン12固有の共振周波数f1の周波数帯にある信号を遮断するノッチ機能を備えるローパスフィルタ51を備え、荷重センサ31によって検出した信号から超音波ホーン12固有の共振周波数f1の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子13の共振周波数f0よりも低い周波数帯の信号を抽出し、その抽出した信号をメモリに格納して最大値を衝撃荷重F0’として検出してもよい。この場合、図4(c)に示すように、荷重センサ31の検出した荷重信号から高周波成分と超音波ホーン12固有の共振周波数f1による周期変動荷重が除去されているのでメモリには単純なカーブのデータが格納される。このため衝撃荷重である最大値F0’を容易に決定することができる。また、例えば、一定のサイクルタイムで荷重センサ31からの荷重信号を検出し、ローパスフィルタ51を通して信号を抽出し、所定のサイクル数分の抽出データのみをメモリに格納しておき、抽出データの値の増加量がプラスからマイナスになった際の抽出信号の値を最大値として検出することによってより素早く衝撃荷重の検出を行うことができる。
As shown in FIG. 4B, the bonding
また、図6に示すように、イニシャルボール18の直径が所定の直径d1よりも小さい場合には、衝撃荷重が大きくなるとともに、図6の一点鎖線bによって示すフィルタ51を通して抽出した信号の増大の勾配が図6の実線aによって示した正常なボンディングの際に抽出した信号の増大の勾配よりも大きくなってくる。このため、抽出した信号の時間に対する増加割合が閾値よりも大きくなった場合には、ボール異常つぶれ等のボンディング不良が発生したと判定することとしてもよい。
Further, as shown in FIG. 6, when the diameter of the
以上説明したように、本実施形態のボンディング良否判定装置50は、ボンディングの途中でボンディング不良を判定、検出することができるという効果を奏する。また、ボンディングの途中でボンディング不良を判定、検出することができるので、ボンディング不良の発生した直後にワイヤボンディング装置10を停止させることができ、ボンディング不良の発生した製品の修理を容易に行うことができるという効果を奏する。更に、ボンディングの途中でボンディング不良の発生した製品の製造を停止することができるので、製品の歩留まりを向上させることができるという効果を奏する。
As described above, the bonding
本実施形態では、ボンディング不良はボールの異常な潰れとして説明したが、半導体チップの破壊などによって発生するボンディング不良の判定にも適用することができる。また、本実施形態は、ワイヤボンディング装置10について説明したが、本発明はバンプボンダなど他のボンディング装置にも適用することができる。
In the present embodiment, the bonding failure has been described as an abnormal collapse of the ball, but the present invention can also be applied to the determination of a bonding failure that occurs due to destruction of a semiconductor chip or the like. Moreover, although this embodiment demonstrated the
以上の実施形態では、ボンディング不良の発生は制御部60とは別に設けられたボンディング良否判定装置50によって行うものとして説明したが、以下、制御部60によってボンディング不良の判定を行う機能を組み込んだワイヤボンディング装置10の実施形態について説明する。図1から図6を参照して説明した実施形態と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。
In the above embodiment, it has been described that the occurrence of bonding failure is performed by the bonding
図7に示すように、本実施形態のワイヤボンディング装置10は、図1から図3を参照して説明したワイヤボンディング装置10と同様の構成であり,荷重センサ31は荷重センサインターフェース55を介して制御部60に接続され、制御部60は荷重センサ31からの信号が取得することができるように構成されている。荷重センサインターフェース55はA/D変換器を含み、荷重センサ31からのアナログ信号をデジタル信号として制御部60に出力する。
As shown in FIG. 7, the
以下、図8を参照しながら本実施形態のワイヤボンディング装置10の動作について説明する。図8のステップS101に示すように、制御部60は、ワイヤボンディング装置10にボンディング動作を開始させると、荷重センサインターフェース55から荷重センサ31の信号を取得する。そして、制御部60は、図8のステップS102に示すように、荷重センサインターフェース55を介して取得した荷重センサ31のデジタル信号を、例えば、IIRフィルタ、FIRフィルタなどのデジタル式のフィルタによってフィルタリングし(フィルタ手段)、図8のステップS103に示すように、超音波ホーン12固有の共振周波数f1の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子13の共振周波数f0よりも低い周波数帯の荷重信号を抽出してメモリに格納、蓄積する(信号抽出手段)。この場合、デジタル式のローパスフィルタは、超音波ホーン12固有の共振周波数f1の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子13の共振周波数f0よりも低い周波数帯の荷重信号を抽出することができるものであればよく、例えば、超音波振動子13の共振周波数f0の周波数よりも低い周波数帯の信号を通過させると共に超音波ホーン12固有の共振周波数f1の周波数帯にある信号を遮断するノッチ機能を備えるローパスフィルタとしてもよい。制御部60のメモリには、図4(c)に示すような比較的単純なカーブが格納される。Hereinafter, the operation of the
図8のステップS104に示すように、制御部60は、メモリに格納されているフィルタリングされた抽出データの中から最大値をピックアップして衝撃荷重の検出を行う。この際、制御部60は、所定のサイクル数分の抽出データのみをメモリに格納しておき、抽出データの値の増加量がプラスからマイナスになった際の抽出データの値を最大値としてピックアップすることによって衝撃荷重の検出を行うこととしても良い。
As shown in step S104 of FIG. 8, the
図8のステップS105に示すように、制御部60は、検出した衝撃荷重と所定の閾値とを比較し、衝撃荷重が所定の閾値よりも大きい場合には、図8のステップS106に示すように、ボンディング不良が発生したものと判断し、図8のステップS107に示すように、ワイヤボンディング装置10を停止する。また、制御部60は、衝撃荷重が所定の閾値以下の場合には、図8のステップS108に示すように、ボンディングは良好と判断する(判定手段)。
As shown in step S105 of FIG. 8, the
以上説明したように、本実施形態のワイヤボンディング装置10は、ボンディングの途中でボンディング不良を判定、検出することができ、ボンディング不良の発生した直後にワイヤボンディング装置10を停止させることができ、ボンディング不良の発生した製品の修理を容易に行うことができるという効果を奏する。更に、ボンディングの途中でボンディング不良の発生した製品の製造を停止することができるので、製品の歩留まりを向上させることができるという効果を奏する。
As described above, the
また、本実施形態は、ワイヤボンディング装置10について説明したが、本発明はバンプボンダなど他のボンディング装置にも適用することができる。
Moreover, although this embodiment demonstrated the
10 ワイヤボンディング装置、11 ボンディングヘッド、12 超音波ホーン、13 超音波振動子、14 フランジ、15 中心軸、16 ボルト、17 キャピラリ、17a 先端、17b インナチャンファ部、18 イニシャルボール、19 圧着ボール、21 ボンディングアーム、21a 先端側部分、21b 後端側部分、22 フランジ取り付け面、23,25 スリット、24 接続部、26 溝、28 中心軸、29 窪み、30 回転軸、31 荷重センサ、33 ボンディングステージ、34 半導体チップ、35 基板、41 ボンディング面、43 回転中心、45 駆動モータ、50 ボンディング良否判定装置、51 ローパスフィルタ、55 荷重センサインターフェース、60 制御部。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
超音波振動子の振動と共振して長手方向に縦振動する超音波ホーンと、
超音波ホーンの振動の腹に取り付けられるボンディングツールと、
超音波ホーンの振動の節に設けられるフランジと、
超音波ホーンのフランジが固定されるフランジ取り付け面を含み、ボンディングツール先端をボンディング対象に対して接離方向に動作させるように基体部に回転自在に取り付けられたボンディングアームと、
超音波ホーンの長手方向の中心軸からボンディング対象に対して接離方向にオフセットしてボンディングアームの回転中心とフランジ取り付け面との間に取り付けられる荷重センサと、を備えるボンディング装置のボンディング良否判定方法であって、
ボンディングの際に荷重センサによってボンディングツールに加わるボンディング対象に接離方向の荷重を連続的に検出し、検出した荷重の最大値を衝撃荷重とし、衝撃荷重に基づいてボンディング良否の判定を行うこと、
を特徴とするボンディング良否判定方法。 A base part;
An ultrasonic horn that resonates with the vibration of the ultrasonic vibrator and vibrates longitudinally in the longitudinal direction;
A bonding tool attached to the vibration belly of the ultrasonic horn,
A flange provided at the vibration node of the ultrasonic horn;
A bonding arm that includes a flange mounting surface to which the flange of the ultrasonic horn is fixed, and is rotatably attached to the base unit so as to move the tip of the bonding tool in the contact / separation direction with respect to the bonding target;
A bonding quality determination method for a bonding apparatus, comprising: a load sensor that is offset from a longitudinal center axis of an ultrasonic horn in a direction of contact with and away from a bonding target and is mounted between a rotation center of a bonding arm and a flange mounting surface. Because
Continuously detect the load in the contact / separation direction on the bonding target applied to the bonding tool by the load sensor at the time of bonding, and determine the bonding quality based on the impact load, with the detected maximum value as the impact load,
A bonding quality determination method characterized by:
衝撃荷重が所定の閾値よりも大きい場合にボンディング不良と判定すること、
を特徴とするボンディング良否判定方法。 The bonding quality determination method according to claim 1,
Determining a bonding failure when the impact load is greater than a predetermined threshold;
A bonding quality determination method characterized by:
超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を遮断すると共に超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を通過させるフィルタによって荷重センサによって検出した荷重信号から、超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を抽出し、抽出した信号に基づいてボンディング良否の判定を行うこと、
を特徴とするボンディング良否判定方法。 The bonding quality determination method according to claim 1,
From the load signal detected by the load sensor with a filter that cuts off the signal in the frequency band of the resonance frequency unique to the ultrasonic horn and passes the signal in the frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer, Extracting a signal in a frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer that does not include a signal in the frequency band of the resonance frequency, and determining whether the bonding is good or not based on the extracted signal;
A bonding quality determination method characterized by:
ボンディングツール接地後、荷重センサによって検出した荷重信号の時間に対する増大割合が閾値よりも大きい場合に、ボール異常つぶれと判定すること、
を特徴とするボンディング良否判定方法。 The bonding quality determination method according to claim 3,
After the bonding tool touches down, if the rate of increase of the load signal detected by the load sensor with respect to time is greater than the threshold value, it is determined that the ball is crushed abnormally.
A bonding quality determination method characterized by:
超音波振動子の振動と共振して長手方向に縦振動する超音波ホーンと、
超音波ホーンの振動の腹に取り付けられるボンディングツールと、
超音波ホーンの振動の節に設けられるフランジと、
超音波ホーンのフランジが固定されるフランジ取り付け面を含み、ボンディングツール先端をボンディング対象に対して接離方向に動作させるように基体部に回転自在に取り付けられたボンディングアームと、
超音波ホーンの長手方向の中心軸からボンディング対象に対して接離方向にオフセットしてボンディングアームの回転中心とフランジ取り付け面との間に取り付けられる荷重センサと、を備えるボンディング装置に用いられるボンディング良否判定装置であって、
超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を遮断すると共に超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を通過させるフィルタによって荷重センサによって検出した荷重信号から、超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を抽出し、抽出した信号の最大値を衝撃荷重とし、衝撃荷重の大小によってボンディング良否の判定を行うこと、
を特徴とするボンディング良否判定装置。 A base part;
An ultrasonic horn that resonates with the vibration of the ultrasonic vibrator and vibrates longitudinally in the longitudinal direction;
A bonding tool attached to the vibration belly of the ultrasonic horn,
A flange provided at the vibration node of the ultrasonic horn;
A bonding arm that includes a flange mounting surface to which the flange of the ultrasonic horn is fixed, and is rotatably attached to the base unit so as to move the tip of the bonding tool in the contact / separation direction with respect to the bonding target;
Bonding quality used in a bonding apparatus including a load sensor that is offset from the longitudinal center axis of the ultrasonic horn in the direction of contact with the object to be bonded and is mounted between the rotation center of the bonding arm and the flange mounting surface. A determination device,
From the load signal detected by the load sensor with a filter that cuts off the signal in the frequency band of the resonance frequency unique to the ultrasonic horn and passes the signal in the frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer, Extract a signal in a frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer that does not include a signal in the frequency band of the resonance frequency, and use the maximum value of the extracted signal as the impact load. What to do,
Bonding quality determination device characterized by the above.
超音波振動子の振動と共振して長手方向に縦振動する超音波ホーンと、
超音波ホーンの振動の腹に取り付けられるボンディングツールと、
超音波ホーンの振動の節に設けられるフランジと、
超音波ホーンのフランジが固定されるフランジ取り付け面を含み、ボンディングツール先端をボンディング対象に対して接離方向に動作させるように基体部に回転自在に取り付けられたボンディングアームと、
超音波ホーンの長手方向の中心軸からボンディング対象に対して接離方向にオフセットしてボンディングアームの回転中心とフランジ取り付け面との間に取り付けられる荷重センサと、
ボンディングの良否判定を行う制御部と、を備えるボンディング装置であって、
制御部は、超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を遮断すると共に超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を通過させるフィルタ手段と、
ボンディングの際に荷重センサによってボンディングツールに加わるボンディング対象に接離方向の荷重信号を連続的に検出し、フィルタ手段によって荷重信号から超音波ホーン固有の共振周波数の周波数帯にある信号を含まない超音波振動子の共振周波数よりも低い周波数帯の信号を抽出する信号抽出手段と、
信号抽出手段によって抽出した信号の最大値を衝撃荷重とし、衝撃荷重の大小によってボンディング良否の判定を行う判定手段と、
を有することを特徴とするボンディング装置。 A base part;
An ultrasonic horn that resonates with the vibration of the ultrasonic vibrator and vibrates longitudinally in the longitudinal direction;
A bonding tool attached to the vibration belly of the ultrasonic horn,
A flange provided at the vibration node of the ultrasonic horn;
A bonding arm that includes a flange mounting surface to which the flange of the ultrasonic horn is fixed, and is rotatably attached to the base unit so as to move the tip of the bonding tool in the contact / separation direction with respect to the bonding target;
A load sensor that is offset from the central axis in the longitudinal direction of the ultrasonic horn to the bonding target in a contact / separation direction and is mounted between the rotation center of the bonding arm and the flange mounting surface;
A bonding apparatus comprising a control unit for performing bonding quality determination,
The control unit is a filter unit that cuts off a signal in the frequency band of the resonance frequency unique to the ultrasonic horn and allows a signal in a frequency band lower than the resonance frequency of the ultrasonic transducer to pass through,
The load signal in the contact / separation direction is continuously detected in the bonding target applied to the bonding tool by the load sensor during bonding, and the filter means does not include signals in the frequency band of the resonance frequency unique to the ultrasonic horn from the load signal. Signal extraction means for extracting a signal in a frequency band lower than the resonance frequency of the acoustic wave oscillator;
A determination means for determining the bonding quality according to the magnitude of the impact load, with the maximum value of the signal extracted by the signal extraction means as an impact load,
A bonding apparatus comprising:
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008184386A JP4275724B1 (en) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | Bonding quality determination method, bonding quality determination device, and bonding apparatus |
TW97144642A TW201005848A (en) | 2008-07-16 | 2008-11-19 | Method for judging pass/fail of bonding, apparatus for judging pass/fail of bonding, and bonding apparatus |
CN2008801304172A CN102099903B (en) | 2008-07-16 | 2008-12-16 | Method for judging pass/fail of bonding, apparatus for judging pass/fail of bonding, and bonding apparatus |
PCT/JP2008/072814 WO2010007702A1 (en) | 2008-07-16 | 2008-12-16 | Method for judging pass/fail of bonding, apparatus for judging pass/fail of bonding, and bonding apparatus |
KR1020107027140A KR101035239B1 (en) | 2008-07-16 | 2008-12-16 | Bond quality determination method and bonding quality determination apparatus and bonding apparatus |
US13/005,746 US8181527B2 (en) | 2008-07-16 | 2011-01-13 | Method and apparatus for pass/fail determination of bonding and bonding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008184386A JP4275724B1 (en) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | Bonding quality determination method, bonding quality determination device, and bonding apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4275724B1 true JP4275724B1 (en) | 2009-06-10 |
JP2010027699A JP2010027699A (en) | 2010-02-04 |
Family
ID=40821547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008184386A Active JP4275724B1 (en) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | Bonding quality determination method, bonding quality determination device, and bonding apparatus |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8181527B2 (en) |
JP (1) | JP4275724B1 (en) |
KR (1) | KR101035239B1 (en) |
CN (1) | CN102099903B (en) |
TW (1) | TW201005848A (en) |
WO (1) | WO2010007702A1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US11610860B2 (en) | 2019-09-19 | 2023-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wire bonding apparatus and wire bonding method |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9981337B2 (en) * | 2014-05-13 | 2018-05-29 | Sonics & Materials, Inc. | Diagnostic system and method for testing integrity of stack during ultrasonic welding |
JP6575161B2 (en) * | 2015-06-16 | 2019-09-18 | 富士電機株式会社 | Pass / fail judgment device, wire bonder device, and pass / fail judgment method |
CN109923652B (en) * | 2016-09-07 | 2023-04-18 | 株式会社新川 | Wire bonding device |
JP6664300B2 (en) * | 2016-09-21 | 2020-03-13 | 三菱電機株式会社 | Wire bonding quality determination device and wire bonding quality determination method |
KR102493623B1 (en) * | 2018-07-11 | 2023-01-31 | 가부시키가이샤 신가와 | wire bonding device |
JP7019231B2 (en) * | 2019-03-13 | 2022-02-15 | 株式会社新川 | Wire non-delivery inspection system, wire non-delivery detection device, and wire non-delivery detection method |
JP7488656B2 (en) * | 2019-09-19 | 2024-05-22 | 株式会社東芝 | Wire bonding apparatus and wire bonding method |
CN113852893A (en) * | 2020-06-28 | 2021-12-28 | 北京小米移动软件有限公司 | Data processing method and device, terminal and storage medium |
JP2022061631A (en) * | 2020-10-07 | 2022-04-19 | 株式会社東芝 | Ultrasonic bonding device, control device and control method |
US11443527B2 (en) | 2021-01-13 | 2022-09-13 | Ford Global Technologies, Llc | Material spectroscopy |
US11741747B2 (en) | 2021-01-13 | 2023-08-29 | Ford Global Technologies, Llc | Material spectroscopy |
CN113399813B (en) * | 2021-07-13 | 2022-05-03 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | Ultrasonic wave transducer suitable for press welder |
US11691214B2 (en) * | 2021-10-17 | 2023-07-04 | Shinkawa Ltd. | Ultrasound horn |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2752890B2 (en) | 1993-09-03 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | Wire bonding equipment |
JP2002118136A (en) * | 2000-10-12 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bump bonding system |
JP3818932B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-09-06 | 株式会社カイジョー | Wire bonding equipment |
JP4679454B2 (en) * | 2006-07-13 | 2011-04-27 | 株式会社新川 | Wire bonding equipment |
-
2008
- 2008-07-16 JP JP2008184386A patent/JP4275724B1/en active Active
- 2008-11-19 TW TW97144642A patent/TW201005848A/en unknown
- 2008-12-16 KR KR1020107027140A patent/KR101035239B1/en active IP Right Grant
- 2008-12-16 WO PCT/JP2008/072814 patent/WO2010007702A1/en active Application Filing
- 2008-12-16 CN CN2008801304172A patent/CN102099903B/en active Active
-
2011
- 2011-01-13 US US13/005,746 patent/US8181527B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11610860B2 (en) | 2019-09-19 | 2023-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wire bonding apparatus and wire bonding method |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201005848A (en) | 2010-02-01 |
WO2010007702A1 (en) | 2010-01-21 |
KR101035239B1 (en) | 2011-05-18 |
TWI373816B (en) | 2012-10-01 |
JP2010027699A (en) | 2010-02-04 |
CN102099903B (en) | 2013-05-01 |
US8181527B2 (en) | 2012-05-22 |
KR20100135974A (en) | 2010-12-27 |
US20110146408A1 (en) | 2011-06-23 |
CN102099903A (en) | 2011-06-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090210 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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